JP4504353B2 - ナノスケールのインジウムスズ混合酸化物粉末 - Google Patents

ナノスケールのインジウムスズ混合酸化物粉末 Download PDF

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Description

本発明はインジウムスズ酸化物粉末、その製造およびその使用を提供する。
インジウムスズ酸化物粉末は一般にアルカリ性物質の存在下にインジウムおよびスズの水溶性塩を反応させることにより水性溶液から得られる。これは最初に水酸化物を生成し、引き続く工程でこれをか焼することができる。DE−A−10022037は、例えばこれらの水酸化物を還元条件下に200〜400℃の温度で、有利に250℃で、かつ15〜120分間、有利に60分間の滞留時間でか焼することを記載している。DE−A−10022037からの実施例においてはこのようにして製造されたインジウムスズ酸化物粉末は暗褐色を有する。
この粉末はIR−吸収配合物の製造のために好適である。しかしながら、この抵抗は導電性塗料およびコーティングに使用するためには高すぎる。更に、インジウムスズ酸化物粉末を使用する多くの分野においては、褐色の着色は不所望である。
EP−A−1142830は有機金属プレカーサーの熱分解によるナノスケールの酸化物の製造を記載している。この条件下でのインジウムおよびスズプレカーサーの反応も請求されている。しかしながら、この文献は導電性のインジウムスズ酸化物をどのように獲得することができるかに関しては記載していない。良好な導電性を有するインジウムスズ酸化物がEP−A−1142830に記載されている方法により得ることができないことがテストにより示された。
EP−A−1270511はインジウムスズ酸化物粉末およびドープされたインジウムスズ混合酸化物粉末を記載しており、これはインジウムおよびスズ塩の熱分解により得られる。この方法で製造された粉末のX線構造分析は立方晶インジウム酸化物および正方晶スズ酸化物を示している。この粉末の導電性は導電性塗料およびコーティングの分野での多くの適用のために低すぎる。
本発明の課題は、従来技術水準に比較して上昇した導電性を有するインジウムスズ混合酸化物粉末を提供することである。適用の際に、この粉末は高い透明性を示しかつ黄色または褐色の着色に導くべきではない。
この課題はインジウムおよびスズを含有する混合酸化物粉末により達せられ、この粉末は、
− Inとして計算してインジウムの割合が90〜98質量%、有利に90〜95質量%を示し、
− 40〜120m/gのBET表面積を示し、
− 500nmより小さい平均周長(average circumference)を有する凝集体の形であり、
− X線回折分析において立方晶インジウム酸化物の唯一の相を示し、
− InおよびSnOから理論的に生じるより低い酸素含量を示す、
ことを特徴とする。
本発明による混合酸化物粉末においては、Inとして計算してインジウムの割合は90〜98質量%である。90質量%より低い値または98質量%を越える値では減少した導電性が達せられる。有利な実施態様においては、インジウムの含量は92〜95質量%、および特に有利な実施態様においては93〜94質量%である。
BET表面積はDIN66131に従って測定される。本発明による混合酸化物粉末においては、BET表面積は40〜120m/gである。技術的な理由から120m/gより大きな表面積を製造することは困難である。40m/gより小さい比表面積を有する混合酸化物粉末は、適用の際に低い透過性および/または不所望な黄色または褐色の着色に導く。特別な実施態様においてはこの混合酸化物粉末は60〜100m/gのBET表面積を示すことができ、70〜90m/gの値は達成可能な導電性に関して特に有利である。
本発明による混合酸化物粉末は一次粒子の凝集体の形である。できるだけ高い透明性を得るために、この凝集体は500nmより小さい平均周長を示す。この凝集体サイズは有利に300nmより小さい値を示すことができる。
本発明による粉末のX線回折分析は唯一の相を示す、すなわち立方晶インジウム酸化物の相である。スズ酸化物相は検出することができない。
本発明による混合酸化物粉末の酸素含量はInおよびSnOから理論的に生じる含量より低い。例えば、In 95質量%およびSnO 5質量%からなる混合酸化物粉末をベースとして、理論的酸素含量は17.40質量%である。Inとして計算して、90〜98質量%のインジウムの割合に関する特定された限界の中で、理論的な酸素含量は17.51質量%〜17.33質量%である。
ここでは、本発明による粉末は理論値より低い酸素含量を示す。それによって、本発明による混合酸化物粉末は適用の際に特に良好な透明性および色を有し、これは酸素含量に依存する。
有利な実施態様においては、酸素含量は理論値より0.5〜1質量%下回ってよい。
本発明による混合酸化物粉末は金属および/または酸化物の形の少なくとも1種のドーピング物質で、Inに対して3質量%まで、特に有利に0.01〜1質量%ドープされていてよい。
好適なドーピング物質はアルミニウム、アンチモン、カドミウム、カルシウム、セリウム、鉄、金、イリジウム、カリウム、コバルト、銅、マグネシウム、ナトリウム、ニッケル、マンガン、パラジウム、白金、オスミウム、ロジウム、ルテニウム、タンタル、チタン、銀、珪素、バナジウム、イットリウム、タングステン、亜鉛およびジルコニウムからなる群からの酸化物および/または元素金属である。カリウム、白金、または金でのドーピングは特に有利である。
本発明の有利な実施態様においては、混合酸化物粉末はL=+40〜+55;a=−6.2〜−8.5;b=−1〜−12のCIE−L*a*b*値を示す。CIE−L*a*b*値は色が一義的に3つの座標により記載されている色空間を記載している。
更なる実施態様において、本発明による混合酸化物粉末は圧縮密度(compressed density)0.6g・cm−3で400オーム・cmより小さい比抵抗を示すことができる。圧縮密度0.6g・cm−3で100〜150オーム・cmの値が特に有利である。
同様に、本発明は本発明による混合酸化物粉末を製造する方法を提供し、この方法においては、
− インジウム化合物の溶液をスズ化合物の溶液と混合し、少なくとも1種のドーピング成分の化合物の溶液を任意に添加し、
− この溶液の混合物をアトマイズし、
− アトマイズした溶液の混合物を反応器の第一の帯域中で熱分解し、
− かつ反応器の第二の帯域中で、熱分解に続いて、還元性のガスを熱分解混合物に一点でまたは複数の点で還元性雰囲気が第二の帯域中全体で確立するような量で添加し、
− かつ得られた固体を同様に還元性雰囲気がなお支配する更なる第三の帯域中で廃ガスから分離する、
ことを特徴とする。
本発明の意味において溶液とは、液相が水溶液または水有機溶剤の溶液または有機溶剤の溶液であるものであると理解する。メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノールまたはイソブタノールまたはt−ブタノールのようなアルコールを有利に有機溶剤として使用することができる。本発明による方法は3種の引用した物の変化した形の化合物を使用することができる。こうして、多数のインジウムおよびスズ化合物、および任意のドーピング物質を使用することができる。
好適なインジウムおよびスズ化合物はアルキル基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチルまたはt−ブチルまたは相応するアルコキシ基を有する有機金属化合物であってよい。
インジウムまたはスズの塩、任意に同様にドーピング物質の塩を、同様にハロゲン化物または硝酸塩の形で使用することができる。塩化インジウムおよび塩化スズの使用が特に経済的である。
本発明の意味においてドーピング物質はドーピングのために使用される物質、例えば塩である。ドーピング成分は、本発明による方法を使用する際にドーピング物質から誘導される混合酸化物中の金属または金属酸化物である。
溶液は、超音波ネブライザーによってもおよび二流体ノズルによってもアトマイズすることができる。
本発明の意味において熱分解はインジウムおよびスズ化合物および任意にドーピング物質の混合酸化物への変換であると理解される。熱分解は、酸素含有ガス、通常空気、および燃料ガスを有する火炎中で実施する。燃料ガスは、例えば水素、メタン、エタン、プロパン、ブタン、天然ガスであってよい。
第一の帯域中での滞留時間が0.8〜1.5秒であるのが有利であり、特に1〜1.2秒であるのが有利である。
混合酸化物に加えて、熱分解混合物は同様にガス状反応生成物および未反応ガス供給材料を含む。ガス状反応生成物は、例えば二酸化炭素または塩化水素である。
本発明により、熱分解混合物を還元性ガスと混合する。これは例えばフォーミングガス(forming gas)、水素、一酸化炭素、アンモニアまたは前記ガスの混合物であってよく、フォーミングガスが特に有利である。本発明による方法においては、そのような還元性ガスを還元雰囲気が確立されるような量で熱分解混合物に添加する。
本発明による意味において、還元性雰囲気はラムダ値が1より小さい雰囲気であると理解される。
水素、空気およびフォーミングガス(80:20N/H)を使用する場合、還元性帯域IIおよびIII中のラムダ値は、例えば次の式により決定される:
0.21・(空気+アトマイジング空気)/0.5・(水素+0.2・フォーミングガス)、これはそれぞれの場合において単位時間あたりに供給されるガスの量に対してである。
熱分解が生じる、帯域Iに関しては、ラムダ値は1より大である。水素および空気が使用される場合には、帯域I中のラムダ値は次の式により決定される:
0.21・(空気+アトマイジング空気)/0.5・水素
有利な実施態様においては、第二および第三の帯域中の滞留時間の合計は15秒〜15分間であってよい。
3つの帯域中での滞留時間を変更することにより、本発明による粉末の物理的−化学的特性に影響を与えることができる。例えば、第二および/または第三の帯域中の滞留時間を延長することにより、粉末の色を決定することができる。第一の帯域中の滞留時間を変化させることにより例えばBET表面積に影響を及ぼすことができる。
図1は本発明による方法を実施するための概略的構造を示す。I、IIおよびIIIは3つの反応帯域を示す。更に、1=インジウムおよびスズ化合物、任意に付加的な1種またはそれ以上のドーピング物質のアトマイズされた溶液;2=酸素含有ガス、有利に空気;3=燃料ガス、有利に水素;4=還元性ガス;5=廃ガス;6=本発明による粉末である。
本発明は、本発明による混合酸化物粉末の、透明な導電性塗料およびコーティング、ソーラーセルおよびUV吸収剤の製造のための、および医用工学における使用をも提供する。
実施例
BET表面積はDIN66131により測定される。平均凝集体周長はTEM画像の評価により測定される。TEM画像は日立TEM装置、model H−75000−2で得られ、TEM装置上のCCDカメラを使用し評価し、引き続き画像分析を実施した。
粉末の比電気抵抗を室温および40%相対湿度で、圧縮密度の関数として測定した。この目的のために試料を2つの可動性の電極の間に設置し、電流の流れを直流の適用後に計算する。次いで、粉末の密度を電極間の距離を減少させることにより順次増加させ、抵抗を再び測定した。この測定をDIN IEC93により実施する。最少の比抵抗は物質−依存最大圧縮密度で達せられる。
粉末の酸素含量はRose Mountにより供給されるNOA5003 Element Determinatorを用いて測定される。
L*a*b*値はDr.Bruno Lange からのMicrocolor 2 device, model no. NMG 141を用いて測定する。
例1:
塩化インジウム(III)88.9g/lおよび塩化スズ(IV)8.4g/lを含有する水溶液を圧搾空気およびノズル(直径0.8mm)を用いて1500ml/hの供給速度で反応管中にアトマイズする。水素5m/hおよび空気15m/hを含有する酸水素炎をそこで燃焼する。火炎の下流0.5mの温度は750℃である。火炎の下流2.5mでフォーミングガス10m/hを供給し;進入点上の温度は約450℃である。この反応混合物を、長さ2mの滞留時間帯域を14秒で通過させる。次いで、この固体をフィルターを用いてガス状物質から分離し、温度250℃で15分間の期間にわたってフォーミングガスの連続的な供給で処置する。
例2〜6は例1に従って実施する。例4〜6は付加的にドーピング成分を含有し、このドーピング成分は塩化インジウム(III)および塩化スズ(IV)を含有する水溶液中で熱分解工程に供給する。使用される量は、第1表中に記載されている。
例7〜9は比較例である。例7および8は例1と同じ方法で実施するが、フォーミングガスを供給しない。使用される量は第1表中に記載されている。
例9
塩化インジウム(III)140g(0.63モル、無水物)、塩化スズ(IV)・5HO18gを水1400ml中に供給し、撹拌する。透明な溶液が形成された後、これを50℃に加熱し、水酸化アンモニウム溶液(25%)105mlを強力な撹拌下に滴加する。この懸濁液を50℃で更に24時間撹拌する。次いで、更なる水酸化アンモニウム溶液280mlをこの混合物中に添加し、沈殿を完結させる。白色の沈殿物が形成され、これを遠心分離により除去する。次いで、この粉末を190℃で、真空中で粉末の淡黄色を検出することができるまで乾燥する。次いで、この乾燥した粉末を250℃で、乳鉢中で微細に粉砕し、フォーミングガス雰囲気下に60分間保持する。
例1〜9からの粉末に関する物理的−化学的データを第2表中に記載する。
例1〜6からの本発明による粉末はX線回折分析において立方晶インジウム酸化物からのシグナルのみを示し、TEM画像中の凝集構造はBET表面積45〜80m/gおよび酸素含量16〜17%を示す。
方法条件の影響が例1からの本発明による粉末および比較例7からの粉末において特に明らかになる。例えば、組成、BET表面積およびX線回折分析が同じ値を示すのに対して、本発明による粉末は異なる色、例7における黄色ではなくて青色、および相当に低い電気抵抗を示す。
X線回折分析においては、沈殿により得られる例9からの粉末は、立方晶インジウム酸化物および正方晶スズ酸化物からのシグナルを示す。0.6g/cmの圧縮密度での比抵抗は、例1〜6からの本発明による粉末におけるより相当に高い。
図2は例1からの凝集した構造を有する混合酸化物粉末のTEM画像を示す。
図3aは例1からの本発明による粉末のXRD画像を示し、図3bは例8(比較例)からの粉末のXRD画像を示す。図3aにおけるインジウム酸化物からのシグナルは比較に関しても示されている、図3bにおいてはインジウム酸化物とスズ酸化物とからのシグナルが示されている。最も強いスズ酸化物のシグナルはxにより示されている。
本発明による方法を実施するための概略的構造を示す図。 例1からの凝集した構造を有する混合酸化物粉末のTEM画像。 例1からの本発明による粉末のXRD画像。 例8(比較例)からの粉末のXRD画像。
符号の説明
I、II、III 反応帯域、 1 インジウム化合物、スズ化合物および任意に付加的な1種またはそれ以上のドーピング物質のアトマイズされた溶液、 2 酸素含有ガス、 3 燃料ガス、 4 還元性ガス、 5 廃ガス、 6 本発明による粉末

Claims (4)

  1. − In として計算してインジウムの割合が90〜98質量%を示し、
    − 40〜120m /gのBET表面積を示し、
    − 500nmより小さい平均周長を有する凝集体の形であり、
    − X線回折分析において立方晶インジウム酸化物の相のみを示し、
    − In およびSnO から理論的に生じる酸素含量より低い酸素含量を示すことにより特徴付けられるインジウムおよびスズを含有する混合酸化物粉末を製造する方法において、
    − インジウム化合物の溶液をスズ化合物の溶液と混合し、少なくとも1種のドーピング成分の化合物の溶液を任意に添加し、
    − この溶液の混合物をアトマイズし、
    − アトマイズした溶液の混合物を反応器の第一の帯域中で熱分解し、
    − かつ反応器の第二の帯域中で、熱分解に続いて、還元性のガスを熱分解混合物に一点でまたは複数の点で還元性雰囲気が第二の帯域中全体で確立するような量で添加し、
    − かつ得られた固体を同様に還元性雰囲気がなお支配する更なる第三の帯域中で廃ガスから分離
    − その際、第一の帯域中での滞留時間が0.8〜1.5秒であり、かつ第二および第三の帯域中での滞留時間の合計が15秒〜15分間である
    ことを特徴とする、インジウムおよびスズを含有する混合酸化物粉末の製法。
  2. 溶液が水溶液または水と有機溶剤の溶液または有機溶剤の溶液である、請求項記載の製法。
  3. インジウムおよびスズ化合物、および任意に添加されるドーピング物質が有機金属化合物または塩である、請求項または記載の製法。
  4. フォーミングガス、一酸化炭素、水素、アンモニアまたはこれらのガスの混合物を還元性ガスとして使用する、請求項からまでのいずれか1項記載の製法。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10118346A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-17 Creavis Tech & Innovation Gmbh Textile Flächengebilde mit selbstreinigender und wasserabweisender Oberfläche
DE10210668A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Vorrichtung, hergestellt durch Spritzgussverfahren, zur Aufbewahrung von Flüssigkeiten und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
DE10210671A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Entformungsmittel, welches hydrophobe, nanoskalige Partikel aufweist sowie Verwendung dieser Entformungsmittel
DE10210666A1 (de) * 2002-03-12 2003-10-02 Creavis Tech & Innovation Gmbh Formgebungsverfahren zur Herstellung von Formkörpern mit zumindest einer Oberfläche, die selbstreinigende Eigenschaften aufweist sowie mit diesem Verfahren hergestellte Formkörper
DE10210673A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Spritzgusskörper mit selbstreinigenden Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung solcher Spritzgusskörper
DE10210674A1 (de) * 2002-03-12 2003-10-02 Creavis Tech & Innovation Gmbh Flächenextrudate mit selbstreinigenden Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung solcher Extrudate
DE10231757A1 (de) * 2002-07-13 2004-01-22 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verfahren zur Herstellung einer tensidfreien Suspension auf wässriger basis von nanostrukturierten, hydrophoben Partikeln und deren Verwendung
DE10233830A1 (de) * 2002-07-25 2004-02-12 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verfahren zur Flammpulverbeschichtung von Oberflächen zur Erzeugung des Lotus-Effektes
DE10308379A1 (de) * 2003-02-27 2004-09-09 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Dispersion von Wasser in hydrophoben Oxiden zur Herstellung von hydrophoben nanostrukturierten Oberflächen
DE10311645A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
DE10321851A1 (de) * 2003-05-15 2004-12-02 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verwendung von mit Fluorsilanen hydrophobierten Partikeln zur Herstellung von selbstreinigenden Oberflächen mit lipophoben, oleophoben, laktophoben und hydrophoben Eigenschaften
TW200523226A (en) * 2003-12-25 2005-07-16 Mitsui Mining & Smelting Co Indium oxide-tin oxide powder and sputtering target using the same
AT413699B (de) * 2004-02-06 2006-05-15 Tigerwerk Lack Und Farbenfabri Verfahren zur herstellung von polyesterharzen sowie solche polyesterharze umfassende pulverlackformulierungen
DE102004006612A1 (de) * 2004-02-10 2005-08-25 Degussa Ag Keramischer Wandverkleidungsverbund
US9096041B2 (en) 2004-02-10 2015-08-04 Evonik Degussa Gmbh Method for coating substrates and carrier substrates
DE102004010504B4 (de) * 2004-03-04 2006-05-04 Degussa Ag Hochtransparente lasermarkierbare und laserschweißbare Kunststoffmaterialien, deren Verwendung und Herstellung sowie Verwendung von Metallmischoxiden und Verfahren zur Kennzeichnung von Produktionsgütern
BRPI0508433B1 (pt) * 2004-03-04 2012-12-25 materiais plÁsticos tingidos por corantes de modo transparente, translécido ou opaco, uso de partÍculas em nanoescala e processos para produÇço e solda do mesmo.
DE102004018093A1 (de) * 2004-04-08 2005-10-27 Rohmax Additives Gmbh Polymere mit H-Brücken bildenden Funktionalitäten
DE102004018930A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-17 Degussa Ag Verwendung eines keramischen Separators in Lithium-Ionenbatterien, die einen Elektrolyten aufweisen, der ionische Flüssigkeiten enthält
DE102004021778A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-08 Rohmax Additives Gmbh Verwendung von Polyalkyl(meth)acrylaten in Schmierölzusammensetzungen
DE102004034618A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Rohmax Additives Gmbh Verwendung von Pfropfcopolymeren
DE102004036073A1 (de) * 2004-07-24 2006-02-16 Degussa Ag Verfahren zur Versiegelung von Natursteinen
DE102004037210A1 (de) * 2004-07-30 2006-03-23 Nanogate Advanced Materials Gmbh Multifunktionsadditiv
DE102004041747A1 (de) * 2004-08-28 2006-03-02 Degussa Ag Indium-Zinn-Mischoxidpulver
KR101146870B1 (ko) * 2004-10-21 2012-05-16 에보니크 데구사 게엠베하 리튬-이온 배터리용 무기 세퍼레이터-전극-유닛, 그의 제조방법 및 리튬 배터리에서의 그의 용도
DE102005002659A1 (de) * 2005-01-19 2006-07-27 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung von Mischoxiden mittels Sprühpyrolyse
DE102005029542A1 (de) * 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Metalloxidpulvern
US7704586B2 (en) 2005-03-09 2010-04-27 Degussa Ag Plastic molded bodies having two-dimensional and three-dimensional image structures produced through laser subsurface engraving
DE102005040157A1 (de) * 2005-08-25 2007-03-01 Degussa Ag Paste aus nanoskaligem Pulver und Dispergiermittel
DE102006001639A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Keramische Wandverkleidungsverbände mit elektromagnetisch abschirmenden Eigenschaften
DE102006001640A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Keramische Wandverkleidungsverbände mit IR-Strahlung reflektierenden Eigenschaften
DE102006001641A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Substrate mit bioziden und/oder antimikrobiellen Eigenschaften
IL175477A (en) * 2006-05-08 2013-09-30 Efraim Kfir A kit for lifting the sinus membranes for use in dental implant surgery
DE102006027480A1 (de) * 2006-06-14 2008-01-10 Evonik Degussa Gmbh Kratz- und abriebfeste Beschichtungen auf polymeren Oberflächen
DE102007021199B4 (de) * 2006-07-17 2016-02-11 Evonik Degussa Gmbh Zusammensetzungen aus organischem Polymer als Matrix und anorganischen Partikeln als Füllstoff, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung und damit hergestellte Formkörper
KR100836627B1 (ko) * 2007-01-08 2008-06-10 한양대학교 산학협력단 전기방사법을 이용한 인듐 주석 산화물 나노섬유의 제조방법
DE102007009590A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Evonik Degussa Gmbh Glänzender und kratzfester Nagellack durch Zusatz von Sol-Gel-Systemen
DE102007009589A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Evonik Degussa Gmbh Glänzender und kratzfester Nagellack durch Zusatz von Silanen
JP5233007B2 (ja) * 2007-03-09 2013-07-10 国立大学法人東北大学 透明導電材用塗料および透明導電膜の製造方法
DE102007045146A1 (de) * 2007-09-20 2009-05-28 Evonik Degussa Gmbh Einachsfahrzeug mit einer Plattform und/oder einem Sitz für einen Fahrer
DE102007059805A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-25 Evonik Degussa Gmbh Batteriepack
EP2116513B1 (de) * 2008-05-06 2017-07-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung eines oberflächenmodifizierten agglomerates von indiumzinnoxid, das nach diesem verfahren erhältliche oberflächenmodifizierte agglomerat selbst, sowie eine beschichtungsmasse hiermit
JP5835860B2 (ja) * 2009-10-29 2015-12-24 三菱マテリアル電子化成株式会社 熱線遮蔽組成物とその製造方法
DE102010027070A1 (de) * 2010-07-13 2012-01-19 Eberhard-Karls-Universität Tübingen Gas-Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011007196A1 (de) 2011-04-12 2012-10-18 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Verbundes aus einem Polyamidformteil und einem Methacrylatcopolymer-Formteil
DE102011084269A1 (de) 2011-10-11 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polymer-Nanopartikel-Compounds mittels einerNanopartikel-Dispersion
TWI470814B (zh) * 2011-10-25 2015-01-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
CA2787584A1 (en) 2012-08-22 2014-02-22 Hy-Power Nano Inc. Method for continuous preparation of indium-tin coprecipitates and indium-tin-oxide nanopowders with substantially homogeneous indium/tin composition, controllable shape and particle size
WO2015120545A1 (en) * 2014-02-14 2015-08-20 Hy-Power Nano Inc. Processes for producing precipitated precursor metal oxide nanoparticles, particulate metal oxide solids and uses therefor
CN107406684B (zh) * 2015-05-15 2020-03-13 住友大阪水泥株式会社 透明树脂组合物及热射线屏蔽薄膜
EP3467052B1 (de) 2017-10-06 2022-04-13 Evonik Operations GmbH Wässrige dispersion enthaltend siliziumdioxid und trimethyl 1,6-hexamethylendiamin
CN109650438A (zh) * 2019-01-18 2019-04-19 昆明理工大学 纳米钨掺杂二氧化锡粉体及其制备方法
CN109502553B (zh) * 2019-01-19 2023-08-22 广西晶联光电材料有限责任公司 一种制备金属氧化物粉体的装置和方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3355733B2 (ja) * 1992-12-28 2002-12-09 三菱マテリアル株式会社 低抵抗導電性顔料及びその製造方法
US6268014B1 (en) * 1997-10-02 2001-07-31 Chris Eberspacher Method for forming solar cell materials from particulars
JP4171790B2 (ja) * 1998-06-12 2008-10-29 Dowaエレクトロニクス株式会社 スズドープ酸化インジウム粉の製造方法
DE19849048A1 (de) * 1998-10-23 2000-04-27 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren zur Herstellung von Suspensionen und Pulvern von Indium-Zinn-Oxid und deren Verwendung
JP4253721B2 (ja) * 1999-08-20 2009-04-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
JP3838615B2 (ja) * 2000-02-10 2006-10-25 同和鉱業株式会社 スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
US20010036437A1 (en) * 2000-04-03 2001-11-01 Andreas Gutsch Nanoscale pyrogenic oxides
JP2002029144A (ja) 2000-07-14 2002-01-29 Teikoku Printing Inks Mfg Co Ltd 記録用シート
DE10129376A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-09 Degussa Indium-Zinn-Oxide
US6908574B2 (en) * 2001-08-13 2005-06-21 Dowa Mining Co., Ltd. Tin-containing indium oxides, a process for producing them, a coating solution using them and electrically conductive coatings formed of them
GB2398561B (en) * 2001-11-16 2005-11-09 Hitachi Maxell Tin-containing indium oxide particles, method for producing the same and electrically conductive sheet comprising the same
DE10311645A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
DE102005029542A1 (de) 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Metalloxidpulvern

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