KR20050036604A - 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고전압 구동에 유리한 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 관한 것이다. 본 발명은 1개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 병렬로 연결하여 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 구성한다. 이러한 구성을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 통해 효율을 증가시킬 수 있으며, 반도체 칩 면적을 줄임으로써 가격이 절감된다. 또한, 1개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터와 1개 이상의 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터를 서로 병렬로 연결하여 구성한다. 이때, 1개 이상의 IGBT 소자와 1개 이상의 MOSFET 소자를 병렬로 연결되어 구성된 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에서 전류가 적은 영역에서는 MOSFET 소자가 스위칭 소자로 담당하고 전류가 높은 영역에서는 IGBT 소자가 스위칭 소자로 담당하여 더욱 효율을 향상시킴과 동시에 IGBT 소자만 사용할 경우 전류가 한쪽으로 치우치는 문제점을 극복할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자{SWITCHING DEVICE OF PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)의 스위칭 소자에 관한 것으로서, 특히 고전압 구동에 유리한 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 관한 것이다.
최근 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널 등의 평면 표시 장치가 활발히 개발되고 있다. 이들 평면 표시 장치 중에서 플라즈마 디스플레이 패널은 다른 평면 표시 장치에 비해 휘도 및 발광효율이 높으며 시야각이 넓다는 장점이 있다. 따라서, 플라즈마 디스플레이 패널이 40인치 이상의 대형 표시 장치에서 종래의 음극선관(cathode ray tube, CRT)을 대체할 표시 장치로서 각광받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 평면 표시 장치로서, 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 화소가 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 인가되는 구동 전압 파형의 형태와 방전 셀의 구조에 따라 직류형과 교류형으로 구분된다.
직류형 플라즈마 디스플레이 패널은 전극이 방전 공간이 절연되지 않은 채 노출되어 있어서 전압이 인가되는 동안 전류가 방전 공간에 그대로 흐르게 되며, 이를 위해 전류 제한을 위한 저항을 만들어 주어야 하는 단점이 있다. 반면 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에서는 전극을 유전체층이 덮고 있어 자연스러운 캐패시턴스 성분의 형성으로 전류가 제한되며 방전시 이온의 충격으로부터 전극이 보호되므로 직류형에 비해 수명이 길다는 장점이 있다.
도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 사시도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(1) 위에 유전체층(2) 및 보호막(3)으로 덮인 주사 전극(4)과 유지 전극(5)이 쌍을 이루어 평행하게 형성된다. 유리 기판(6) 위에는 절연체층(7)으로 덮인 복수의 어드레스 전극(8)이 형성된다. 어드레스 전극(8) 사이에 있는 절연체층(7) 위에는 어드레스 전극(8)과 평행하게 격벽(9)이 형성되어 있으며, 절연체층(7)의 표면 및 격벽(9)의 양측면에 형광체(10)가 형성되어 있다. 유리 기판(1, 6)은 주사 전극(4)과 어드레스 전극(8) 및 유지 전극(5)과 어드레스 전극(8)이 직교하도록 방전 공간(11)을 사이에 두고 대향하여 배치되어 있다. 어드레스 전극(8)과 쌍을 이루는 주사 전극(4)과 유지 전극(5)과의 교차부에 있는 방전 공간이 방전셀(12)을 형성한다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 배열도를 나타낸다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 전극은 m×n의 매트릭스 형태로 배열되며, 구체적으로 열 방향으로는 어드레스 전극(A1-Am)이 배열되어 있고 행 방향으로는 n행의 주사 전극(Y1-Yn) 및 유지 전극(X1-Xn)이 지그재그로 배열되어 있다. 도 2의 방전셀(12)은 도 1의 방전셀(12)에 대응한다.
일반적으로 이러한 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레싱 기간 및 서스테인 기간으로 이루어진다.
리셋 기간은 셀에 어드레싱 동작이 원활히 수행되도록 하기 위해 각 셀의 상태를 초기화시키는 기간이며, 어드레싱 기간은 패널에서 켜지는 셀과 켜지지 않는 셀을 선택하기 위하여 켜지는 셀(어드레싱된 셀)에 어드레스 전압을 인가하여 벽전하를 쌓아두는 동작을 수행하는 기간이다. 서스테인 기간은 서스테인 펄스를 인가하여 어드레싱된 셀에 실제로 화상을 표시하기 위한 방전을 수행하는 기간이다.
상기와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동은 리셋 기간, 어드레스 기간, 서스테인 기간에서 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 회로에 위치하는 많은 스위칭 소자의 스위칭 동작(턴온 또는 턴오프)을 통해 원하고자 하는 전압을 인가한다. 이때, 주로 사용되는 스위칭 소자는 스위칭 속도가 빠른 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, 이하 'MOSFET'라 함)을 사용한다. 그러나, MOSFET은 MOSFET이 견뎌야 하는 전압(즉, 내압)이 증가할수록 턴온 시의 저항 값(MOSFET의 턴온시에 드레인과 소스간의 저항으로서 이하에서는 'Ron'이라 함)이 급격히 증가하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동기간 중 어드레스 기간, 서스테인 기간에서 스위칭 소자에 흐르는 전류는 짧은 펄스 형태의 전류(방전이 발생할 때 급격한 펄스 형태의 방전 전류가 발생함)가 급격하게 흐른다. 즉, MOSFET은 턴온시에 Ron 저항 형태로 등가 되고(이때 MOSFET에 인가되는 전압이 증가할수록 더욱 증가함), 전류는 펄스 형태로 흐르기 때문에 MOSFET의 경우에는 실효(Root-Mean-Squarem, 이하 'RMS'라 함) 전류 값이 매우 크게 된다. 따라서, 어드레스 기간과 서스테인 기간에서는 펄스형의 전압이 패널에 인가되어 MOSFET의 턴온시 RMS 전류 값이 매우 크고, 턴온 시에 MOSFET은 저항 Ron으로 등가가 되고 Ron 값은 내압이 증가할수록 급격히 증가하므로 도통손실이 크게 발생하며 발열이 많이 발생한다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 도 3과 같이 MOSFET 소자를 여러 개 병렬로 사용하여 스위칭 하는 방법이 사용된다. 그러나, 최근에 플라즈마 디스플레이 패널에 주입하는 가스 중에 제논(Xe)의 분압이 증가하는 추세에 있으며 제논(Xe) 분압이 증가하는 경우에는 더욱 높은 구동 전압이 요구되므로 MOSFET의 병렬 연결 수를 더욱 증가시켜야 한다. 이러한 MOSFET 수의 증가는 가격의 부담 증가, 구동 보드의 면적 증가, MOSFET의 구동 회로의 증가 등 많은 문제점이 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 새로운 스위칭 소자를 적용함으로써 가격 절감과 효율을 증가시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는
복수의 어드레스 전극, 서로 쌍을 이루며 배열된 복수의 주사 전극 및 유지 전극, 및 상기 어드레스, 주사 및 유지 전극 사이에 형성되는 패널 커패시터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하기 위해 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 있어서,
게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터; 및
상기 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 연결되어 게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제2 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 포함한다. 이때, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 상기 패널 커패시터에 서스테인 전압을 공급하기 위해 동작하는 스위칭 소자인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는
복수의 어드레스 전극, 서로 쌍을 이루며 배열된 복수의 주사 전극 및 유지 전극, 및 상기 어드레스, 주사 및 유지 전극 사이에 형성되는 패널 커패시터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하기 위해 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 있어서,
게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터; 및
상기 제1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터에 병렬로 연결되어 게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 포함한다. 이때, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 상기 패널 커패시터에 서스테인 전압을 공급하기 위해 동작하는 스위칭 소자인 것을 특징으로 한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타내는 도면이다.
도 4에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 1개 이상의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor, 이하 'IGBT')(Z1, Z2), 다이오드(D1)를 포함한다. 1개 이상의 IGBT(Z1, Z2)는 서로 병렬로 연결되어 있으며 다이오드(D1)도 IGBT(Z1, Z2)와 병렬로 연결된다. 이때, IGBT(Z1, Z2)는 바디 다이오드가 없으므로 다이오드(D1)를 IGBT(Z1, Z2)와 병렬로 연결하여 역방향 전류가 흐를 수 있도록 한다.
1개 이상의 IGBT(Z1, Z2)는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 시에 플라즈마 디스플레이 패널에 전압을 인가하기 위한 스위칭 소자의 역할을 한다. 이때, IGBT는 1개로서 스위칭 역할을 할 수 있을 뿐만 아니라, 구동 전류가 커서 전류 용량이 증가하는 경우에는 여러 개의 IGBT를 병렬로 연결하여 스위칭 소자로서의 역할을 한다. 이러한 병렬로 연결된 1개 이상의 IGBT(Z1, Z2)는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 회로에 포함되어 플라즈마 디스플레이 패널의 리셋 기간, 어드레스 기간, 유지 기간이 동작하도록 턴온 또는 턴오프 동작을 한다.
도 5는 MOSFET과 IGBT의 턴온시 전류와 전압 특성을 온도별(25℃, 125℃)로 나타내는 도면이다. 도 5에 나타낸 바와 같이 IGBT가 MOSFET 보다 전류가 큰 영역에서 성능이 좋은 것을 알 수 있다. 즉, 전류가 높은 영역에서 동일한 전류가 흐를 때 턴온 시에 소자에 걸리는 전압 IGBT가 MOSFET보다 훨씬 낮음을 알 수 있다. 그리고, MOSFET이 25℃일때와 IGBT가 125℃일때의 전류-전압특성을 보면 IGBT가 125℃일때가 더욱 좋은 특성을 가지는데 이는 온도 특성도 IGBT가 더욱 좋음을 알 수 있다. 따라서, 동일한 전류 하에 스위칭 소자에 걸리는 전압이 IGBT가 더욱 낮으므로 IGBT가 더욱 손실이 낮음을 알 수 있다.
그리고, IGBT가 턴온되는 경우 IGBT는 다이오드 연결이 되므로(IGBT는 바이폴라 트랜지스터 소자이기 때문에 턴온시에는 다이오드 연결이 됨) 다이오드 전압 인 Vce(컬렉터와 에미터간의 전압을 말함) 전압으로 등가 될 수 있다. 이러한 다이오드 전압 Vce는 전류가 증가하더라도 더 이상 증가하지 않으므로 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 시에 발생하는 펄스 방전 전류가 흐르더라도 도통 손실이 MOSFET보다 훨씬 작다. 상기에서 설명하였듯이 MOSFET의 경우는 도통 시 Ron 저항으로 등가가 되므로 실효치가 큰 펄스 전류가 흐를 때 도통손실이 더욱 증가한다. 또한, IGBT는 그 구조적인 특성에 의해 단위 면적당 전류 도통 능력이 같은 내압대비 MOSFET 보다 월등하므로 같은 전류용량의 경우 반도체칩의 면적이 줄어들어 스위칭 소자의 가격을 저감시킬 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 스위칭 소자의 턴온 동작으로 방전 개시 후 매우 크고 짧은 펄스 형태의 전류가 흐르고 영(Zero)이 된 후에 스위칭 소자를 턴오프 한다. 따라서, 턴오프 특성이 나쁜 IGBT도 전류가 영(Zero)이 된 후에 턴오프 동작을 하므로 고속으로 구동할 수 있다. 즉, IGBT의 단점이라고 할 수 있는 턴오프 특성이 단점을 플라즈마 디스플레이 패널의 구동에는 문제가 되지 않는다.
그러나, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자와 같이 IGBT만을 병렬로 연결하여 스위칭 소자로 사용할 경우, IGBT의 턴온 시에 Vce(컬렉터-에미터 전압) 전압이 정(positive) 온도 계수 특성을 가지므로 부하 전류가 한쪽으로 집중되는 문제가 발생할 수 있다. 도 6a 및 도 6b는 각각 25℃와 125℃일 때 ICBT의 Vce 전압과 Ic 전류의 관계를 나타내는 도면이다. 여기서, Vce 전압은 IGBT의 턴온시의 컬렉터-에미터 전압을 나타내고, Ic 전류는 IGBT의 턴온 시의 컬렉터 전류를 나타낸다. 도 6a 및 도 6b에서 알 수 있듯이, 온도가 높은 도 6b가 같은 Vce 전압 하에 더욱 많은 Ic 전류가 흐름을 알 수 있다. 따라서, 도 4와 같이 IGBT를 병렬로 사용하여 스위칭 소자로서 사용하는 경우 스위칭 동작을 통해 하나의 IGBT(Z1)로 전류가 많이 흘러 발열이 발생하는 경우 IGBT의 온도가 상승하고 이에 따라 IGBT(Z1)로 더욱 많은 전류가 흘러 한쪽으로 부하 전류가 집중되는 문제가 발생될 수 있다. 또한, IGBT를 병렬로 하여 IGBT 만으로 스위칭 소자를 구현할 경우에는 스위칭 턴온 초기와 전류가 작게 흐르는 구간에는 도 5에 나타낸 바와 같이 전압 강하가 MOSFET 소자보다 매우 크므로 효율이 감소하는 문제도 발생한다.
이하에서는 본 발명의 제1 실시예의 문제점을 극복한 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 대해서 알아본다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타낸 도면이다.
도 7에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 서로 병렬로 연결된 1개 이상의 MOSFET 소자(M3), 서로 병렬로 1개 이상의 IGBT(Z3)를 포함하며 MOSFET 소자(M3)와 IGBT(Z3)도 서로 병렬로 연결된다. 이때, 1개의 MOSFET 소자(M3)와 1개의 IGBT 소자(Z3)가 병렬로 연결되어 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자의 역할을 할 수 있으며, 플라즈마 디스플레이 패널의 크기가 증가하여 전류 용량이 커지는 경우에는 다수의 MOSFET 소자와 다수의 IGBT를 사용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자로 대체할 수 있다.
여기서, MOSFET 소자(M3)는 적은 전류 영역에서 스위칭 소자로서 사용되고, IGBT 소자(Z3)는 큰 전류 영역에서 스위칭 소자로서 사용된다. IGBT는 도 5에 나타낸 바와 같이 전류가 적은 영역에서는 전압 강하가 높게 나타나나 효율이 감소하기 때문에 IGBT 소자(Z3)를 큰 전류 영역의 스위칭 소자로 사용한다. 그리고, MOSFET 소자(M3)는 턴온 시 저항 Ron으로 등가가 되기 때문에 적은 전류 영역에서도 전압 강하가 높게 나타나지 않지 않아 효율이 IGBT보다 훨씬 좋으므로 적은 전류 영역의 스위칭 소자로 사용한다.
도 8a는 IGBT 소자(Z3)만 스위칭 소자로 사용한 경우의 턴온시 전압(Vce)과 전류(Ic)의 관계를 나타내는 도면이고, 도 8b는 본 발명의 제2 실시예와 같이 MOSFET(M3) 소자와 IGBT(Z3) 소자가 병렬로 스위칭 소자로 사용한 경우의 턴온시 전압(Vce)과 전류(Ic)의 관계를 나타내는 도면이다. 도 8a에서 원으로 표시한 부분에서 나타낸 바와 같이 IGBT(Z3) 소자만을 사용한 경우에는 전류가 작은 영역에서 IGBT의 전압강하 높게 나타남을 알 수 있다. 그러나, 도 8b에서 원으로 표시한 부분에서 나타낸 바와 같이, MOSFET(M3) 소자와 IGBT(Z3) 소자를 병렬로 연결하고 전류 영역이 낮은 영역에서는 MOSFET(M3) 소자만이 동작하는 경우에 전류(Ic)와 전압(Vce)간에 비례관계가 성립함을 알 수 있으며 IGBT(Z3) 소자만을 사용할 때보다 같은 전류(Ic)하에 더욱 낮은 전압강하가 발생함을 알 수 있다. 즉, 전류가 낮은 영역에서는 MOSFET(M3) 소자가 동작하도록 하고 MOSFET(M3) 소자는 턴온시 저항(Ron)으로 등가가 되기 때문에 도 8b에서 원으로 표시된 부분과 같이 비례관계가 성립하고 전압강하도 더욱 낮게 나타남을 알 수 있다. 이를 통해, 스위칭 소자의 효율을 개선할 수 있다. 그리고, 도 8b에 나타낸 바와 같이 전류가 높은 영역(원으로 표시한 부분 밖의 영역을 말함)에서는 IGBT(Z3) 소자가 동작하여 IGBT(Z3) 소자는 턴온시 전압 Vce로 등가가 되기 때문에 전류가 높아 져도 전압이 거의 일정하게 유지함을 알 수 있다. 즉, 전류가 높은 영역에서는 IGBT(Z3)가 동작하도록 함으로써 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 시에 발생하는 펄스 방전전류가 흘러도 IGBT(Z3)가 등가 전압 Vce로 되기 때문에 스위칭 소자의 효율이 더욱 개선함을 알 수 있다. 다시 말하면, 전류가 적은 영역에서는 MOSFET 소자(M3)를 사용하여 스위치 소자의 효율을 개선할 수 있으며, 전류가 높은 영역에서는 IGBT 소자(Z3)를 사용하여 스위칭 소자의 효율을 더욱 개선할 수 있다. I
또한, 본 발명의 제2 실시예와 같이 MOSFET(M3) 소자와 IGBT(Z3) 소자가 병렬로 연결하여 스위칭 소자로서 사용될 경우에는 MOSFET(M3)소자가 바디 다이오드가 있어 역방향 전류를 도통시키는 역할을 하기 때문에 IGBT 소자만을 사용하는 본 발명의 제1 실시예와 같이 부가적인 다이오드(D1)를 병렬로 연결하여 사용할 필요가 없다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타내는 도면이다. 도 9는 도 4와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자의 문제점인 IGBT의 정(Positive) 온도계수 특성으로 인한 부하전류가 한쪽으로 집중되는 문제점을 해결하기 위한 방법을 나타내는 도면이다.
도 9에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 도 5와 같은 연결에서 IGBT(Z1) 소자의 컬렉터(Collector)와 IGBT(Z2) 소자의 컬렉터(Collector)에 각각 감지부 1과 감지부 2가 연결되고, IGBT(Z1) 소자의 게이트(Gate)와 IGBT(Z2) 소자의 게이트(Gate)에 각각 보상부 1과 보상부 2가 연결된다. 여기서, 감지부 1과 감지부 2는 스위칭 소자의 턴온시의 전류를 측정하기 위한 것이고, 보상부 1과 보상부 2는 스위칭 소자에 인가하는 게이트 전압을 보상하기 위한 것으로서 그 위치는 다소 변경될 수 있다. 이때, 전원 V1은 IGBT(Z1, Z2)소자를 턴온 또는 턴오프 시키기 위해 IGBT(Z1, Z2) 소자의 게이트에 인가하는 전원을 나타낸다.
감지부 1과 감지부 2는 각각 IGBT(Z1)소자와 IGBT(Z2) 소자에 연결되어 턴온 시의 전류를 측정한다. 즉, IGBT(Z1) 소자와 IGBT(Z2) 소자의 턴온 시에 IGBT(Z1, Z2) 소자의 컬렉터에 흐르는 전류를 측정하여 부하 전류를 측정한다. 이때, 측정된 부하 전류 값은 각각 보상부 1과 보상부 2로 전송된다. 보상부 1과 보상부 2는 각각 감지부 1과 감지부 2로부터 전송된 부하 전류 값을 이용해 IGBT(Z1) 소자와 IGBT(Z2) 소자의 게이트 구동전압을 보상하여 각 IGBT(Z1, Z2)에 흐르는 부하 전류를 균등하게 한다. 즉, 한쪽으로 부하전류가 집중되는 문제를 부하전류를 각각 측정하여(감지부 1과 감지부 2를 통해 측정함) 게이트 구동 전원(V1)의 전압을 보상부 1과 보상부 2를 통해 보상을 한다. 만약, IGBT(Z1) 소자에 더욱 많은 전류가 흐르는 경우에는 보상부 1은 IGBT(Z1)의 게이트에 인가되는 전압을 줄임으로써 IGBT(Z1)에 흐르는 전류를 줄일 수 있다. 이때, 보상부 1과 보상부 2는 변압기나 신호 증폭기 등을 이용하여 게이트 전압(V1)의 전압을 증폭하거나 조절하여 부하 전류를 균등하게 한다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자와 같이 IGBT(Z1, Z2)를 병렬로 연결한 경우 스위칭 소자를 구동하기 위한 회로의 생략을 나타내는 도면이다.
도 10의 (a)는 종래의 스위칭 소자인 MOSFET(M1, M2)를 병렬로 연결한 경우에 구동 회로로서 푸시-풀(push-pull) 게이트 구동 회로를 함께 나타낸 도면이다. 전원(V2)은 게이트 구동 전원이며 전원(17V)은 푸시-풀 게이트 구동 회로에서 트랜지스터(Q1, Q2)의 바이어스 전원을 나타낸다. 소자인 MOSFET(M1, M2)의 병렬로 구성된 스위칭 소자를 구동시키기 위해서는 푸시-풀 게이트 구동회로가 필요하다. 그러나, IGBT 소자(Z1, Z2)를 병렬로 연결하여 스위칭 소자를 구성하는 경우에는 도 10의 (b)에 나타낸 바와 같이 푸시-풀 구동회로가 필요 없이 바로 게이트 구동 전원(V2)에 의해 스위칭을 턴온 또는 턴오프할 수 있다. IGBT 소자도 MOSFET 소자와 마찬가지로 게이트가 절연되어(Insulated) 분리되는 구조를 가지므로 게이트 구동 전원(V2)을 인가하는 경우 게이트 전극에 전하(charge)가 쌓이는데 상기에서 설명하였듯이 IBGT소자는 반도체 칩 면적이 훨씬 줄어듦으로써 게이트 전극에 충전해야 하는 전하량(Qg)이 MOSFET 소자보다 줄어든다. 이와 같이, IGBT(Z1, Z2)를 병렬로 사용하는 경우에는 게이트 전극에 충전해야 하는 전하량(Qg)이 작으므로 푸시-풀 구동 회로의 사용 없이 도 10의 (b)에 나타낸 바와 같이 바로 게이트 구동 전원(V2)을 사용하여 IGBT(Z1,Z2)를 스위칭 동작할 수 있다.
여기서, 도 4 및 도 7에 나타낸 스위칭 소자는 플라즈마 디스플레이 패널의 패널 커패시터에 서스테인 전압을 인가할 때 사용되는 것이 바람직하다. 이는 플라즈마 디스플레이 패널에서 서스테인 구간에서 스위칭 소자가 가장 많이 스위칭 되고 전력이 많이 소비되기 때문이다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 , 본 발명에 따르면 1개 이상의 IGBT 소자를 병렬로 연결하여 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 구성함으로써 효율을 증가시킬 수 있으며, 반도체 칩 면적을 줄임으로써 가격이 절감된다. 또한, 1개 이상의 IGBT 소자와 1개 이상의 MOSFET 소자를 병렬로 연결하여 전류가 적은 영역에서는 MOSFET 소자가 스위칭 소자로 담당하고 전류가 높은 영역에서는 IGBT 소자가 스위칭 소자로 담당하여 더욱 효율을 향상시킴과 동시에 IGBT 소자만 사용할 경우 전류가 한쪽으로 치우치는 문제점을 극복할 수 있다.
도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 일부 사시도이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 배열도를 나타낸다.
도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타내는 도면이다.
도 5는 MOSFET과 IGBT의 턴온시 전류와 전압 특성을 온도별(25℃, 125℃)로 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 25℃와 125℃일 때 IGBT의 Vce 전압과 Ic 전류의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타낸 도면이다.
도 8a는 IGBT 소자만 스위칭 소자로 사용한 경우의 턴온시 전압(Vce)과 전류(Ic)의 관계를 나타내는 도면이고,
도 8b는 병렬로 연결된 MOSFET 소자와 IGBT 소자가 스위칭 소자로 사용한 경우의 턴온시 전압(Vce)과 전류(Ic)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자와 같이 IGBT를 병렬로 연결한 경우 스위칭 소자를 구동하기 위한 회로의 생략을 나타내는 도면이다.

Claims (10)

  1. 복수의 어드레스 전극, 서로 쌍을 이루며 배열된 복수의 주사 전극 및 유지 전극, 및 상기 어드레스, 주사 및 유지 전극 사이에 형성되는 패널 커패시터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하기 위해 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 있어서,
    게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터; 및
    상기 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 연결되어 게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제2 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 상기 패널 커패시터에 서스테인 전압을 공급하기 위해 동작하는 스위칭 소자인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 연결되는 다수의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 연결되어 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시킬 때 발생되는 역방향 전류를 흐르게 하는 다이오드를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 턴온시에 흐르는 전류를 측정하는 제1 측정부;
    상기 제1 측정부에 의해 측정된 전류를 통해 상기 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 게이트에 인가하는 전압을 조절하여 보상하는 제1 보상부;
    상기 제2 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 턴온시에 흐르는 전류를 측정하는 제2 측정부;
    상기 제2 측정부에 의해 측정된 전류를 통해 상기 제2 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 게이트에 인가하는 전압을 조절하여 보상하는 제2 보상부를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  6. 복수의 어드레스 전극, 서로 쌍을 이루며 배열된 복수의 주사 전극 및 유지 전극, 및 상기 어드레스, 주사 및 유지 전극 사이에 형성되는 패널 커패시터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하기 위해 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자에 있어서,
    게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터; 및
    상기 제1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터에 병렬로 연결되어 게이트에 인가되는 전압 의해 턴온 또는 턴오프 동작을 하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 전압이 인가되도록 하는 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자는 상기 패널 커패시터에 서스테인 전압을 공급하기 위해 동작하는 스위칭 소자인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 및 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 연결된 다수의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 및 제1 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 병렬로 연결된 다수의 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 동작 시에 흐르는 전류가 작은 영역에서 동작하여 상기 작은 전류를 흐르게 하고, 상기 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 동작 시에 흐르는 전류가 큰 영역에서 동작하여 상기 큰 전류를 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 스위칭 소자.
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