KR20050035538A - 노광방법, 노광마스크 및 노광장치 - Google Patents

노광방법, 노광마스크 및 노광장치 Download PDF

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KR20050035538A
KR20050035538A KR1020057003801A KR20057003801A KR20050035538A KR 20050035538 A KR20050035538 A KR 20050035538A KR 1020057003801 A KR1020057003801 A KR 1020057003801A KR 20057003801 A KR20057003801 A KR 20057003801A KR 20050035538 A KR20050035538 A KR 20050035538A
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야스히사 이나오
료 구로다
나쯔히코 미즈타니
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 마스크의 개구로보터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물을 노광하는 노광방법으로서, 차광막과 이 차광막에 형성되고 폭방향의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하이며 길이방향이 마스크내의 2개 이상의 방향으로 향하는 복수의 직4각형의 개구를 가지는 노광마스크에 광원으로부터의 비편광 노광광을 조사해서 상기 개구로부터 새어나오는 근접장광을 발생시켜서 상기 개구에 의거해서 패턴의 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법을 제공하는 것이다.

Description

노광방법, 노광마스크 및 노광장치{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE MASK, AND EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은, 반도체 디바이스나 광디바이스를 제조하는데 사용되는 노광방법, 노광마스크 및 노광장치에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 소형화 및 박형화가 특히 요구되고 있고, 이것은 전자기기에 탑재되는 반도체칩의 소형화에의 요구를 더욱 엄격하게 하고있다. 예를 들면, 마스크 또는 레티클의 패턴에 대한 디자인 룰은 130nm의 라인-앤드-스페이스(L&S)의 양산공정을 달성하도록 하고, 더욱 더 작아질 것으로 예상된다. 라인-앤드-스페이스는 라인과 스페이스의 폭이 균일한 상태에 있는 웨이퍼상에 투영된 상이며, 노광의 해상도를 나타내는 척도이다.
최근에 주로 사용되는 투영노광장치는, 일반적으로, 광원으로부터 출사된 광속을 이용해서 마스크를 조명하는 조명광학계와, 마스크와 피노광물과의 사이에 배치되는 투영광학계를 구비한다. 조명광학계에 있어서는, 균일한 조명영역을 얻기 위해서, 광원으로부터의 광속을 예를 들면 복수의 로드 렌즈를 가지는 파리의 눈 렌즈 등의 광인티그레이터에 도입하며, 광인티그레이터의 광사출면은 2차광원면으로서 작용하고 콘덴서 렌즈를 통해서 마스크면을 쾰러(Koehler)조명한다.
투영노광장치의 해상도 R는, 광원의 파장λ와 노광장치의 개구수(NA)를 이용해서 다음식으로 주어진다.
R = k1 × [λ/NA] (1)
이로부터, 파장을 짧게 하면 할수록, 또는, NA를 올리면 올릴수록, 해상도는 더욱 좋아진다는 것을 알 수 있다.
한편, 일정한 결상성능을 유지할 수 있는 초점범위를 초점심도라하고, 초점심도 DOF는 다음식으로 주어진다.
DOF = k2 × [λ/NA2] (2)
이로부터, 파장을 짧게 하면 할수록, 또는, NA를 올리면 올릴수록 초점심도는 작아지는 것을 알 수 있다. 초점심도가 작으면, 촛점조정은 달성하기 어려워지고, 기판의 평탄도나 포커스의 정밀도를 향상시켜야 하기 때문에, 기본적으로 촛점심도는 큰 것이 바람직하다.
식 1 및 2로부터 NA보다는 오히려 파장을 짧게 하는 쪽이 효과적이라는 것이 이해된다. 이 때문에, 최근에는, 종래의 초고압 Hg램프로부터 파장이 짧은 KrF 엑시머 레이저(파장 약248nm)나 ArF 엑시머 레이저(파장 약193nm)로 광원이 변경되고 있다.
그러나, 비례상수 k1 및 k2는 통상 0.5 내지 0.7정도의 값이며, 위상 시프트법 등의 어떠한 해상도 강화법을 이용해도 0.4정도에 그치고, 따라서, 비례 상수를 저감해서 해상도를 향상하는 것은 곤란하다. 또, 투영노광장치에 있어서는, 일반적으로 해상도는 사용하는 광원의 파장이 대략 한계라 말할 수 있고, 엑시머 레이저를 사용하는 경우에도 투영노광장치는 0.10㎛이하의 패턴을 형성하는 것이 곤란하다. 또, 가령, 보다 짧은 파장을 가지는 광원이 존재해도, 이러한 단파장의 노광광이 투영 광학계에 사용되는 광학재료(즉, 렌즈의 초재)를 투과하지 못하고, 따라서(그 결과의 피노광물에 투영하지 못하기 때문에), 노광을 할 수 없게 된다. 보다 구체적으로는, 대부분의 초재의 투과율은 원자외선 영역에서는 0에 가깝다. 특별한 제조 방법을 이용해서 제조되는 합성석영은 파장 약 248nm의 노광광에는 대응할 수가 있지만, 파장 193nm이하의 파장에 대해서는 투과율이 급격하게 저하한다. 이 때문에, 0.10㎛이하의 좁은 미세패턴에 대응하는, 파장 150nm이하의 노광광에 대해서 투과율이 충분히 큰 실용적인 초재를 개발하는 것은 매우 어렵다. 또, 원자외선 영역에서 사용되는 초재는, 투과율 이외에도, 내구성, 굴절률, 균일성, 광학적 왜곡, 가공성 등의 복수의 관점에서 일정한 조건을 만족해야 하고, 이들 요소들도 실용적인 초재의 개발을 어렵게 하고 있다.
이러한 문제에 대해서, 최근, 0.1㎛이하의 미세가공을 가능하게하는 수단으로서 근접장 광학현미경(Scanning Near Field Optical Microscope:SNOM)의 원리를 이용한 노광장치가 제안되어 있다. 미국특허공보 제 6,171,730호 에서는, 마스크면의 법선방향으로 탄성변형 가능한 마스크를 레지스트에 밀착시키고, 마스크면에 형성한 100nm이하의 크기의 미소개구패턴으로부터 스며나오거나 새어나오는 근접장광을 이용해서 피노광물에 광의 파장한계를 넘는 국소적인 노광을 실시하는 장치를 제안하고 있다.
근접장광에 의거해서 노광을 행하는 경우, 발생하는 근접장광의 강도분포가 미소개구패턴에 조사하는 광의 편광방향에 의해 변화하는 현상이 나타난다. 예를 들면, 미소개구패턴의 폭이 조사하는 광파장의 1/2정도인 경우, 마스크의 미소개구패턴에 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 길이방향에 대해서 수직(즉, 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 폭방향과 같음)인 경우와, 서로 평행(즉, 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 길이 방향과 같음)한 경우를 비교하면, 미소개구패턴으로부터 새어나오는 근접장광의 강도 그 자체는 두 경우에 있어서 동일하다. 그러나, 강도 분포에 관해서는, 미소개구패턴으로부터 새어나오는 근접장광이 미소개구패턴의 길이 방향에 수직인 방향(즉, 미소개구패턴의 폭방향)에 있는 후자의 경우에 있어서의 강도분포의 확대에 비해, 전자의 경우의 근접장광은 강도분포의 확대의 정도가 작다. 그 때문에, 미소개구패턴에 조사하는 광의 편광방향을 제어함으로써, 보다 미세한 패턴형성이 가능하다.
예를 들면, 일본공개특허공보 제 2000-112116호에서는, 근접장광을 이용하는 노광에 사용하는 마스크가 미소개구패턴의 길이 방향에 평행한 방향의 편광만 투과시키는 편광자소자를 구비하고, 이에 의해 광의 편광방향을 제어하는 것을 제안하고 있다.
그러나, 일본국 공개특허공보 제 2000-112116호에서 제안되고 있는 편광자를 구비한 근접장광 노광마스크에서는, 미소개구패턴이 존재하는 영역 모두에 미소개구패턴의 방향에 대응하는 편광자를 구비할 필요가 있기 때문에, 마스크 제작의 비용이 증가한다.
또, 더욱 미세한 패턴을 형성하기 위한 시도로, 미소개구패턴의 폭을 노광파장의 1/3보다 더 작게하면, 레지스트에 형성되는 패턴의 어스펙트비가 저하할 가능성이 있다.
도 1A는 본 발명에 따른 예시적인 노광마스크의 개략도
도 1B는 본 발명에 따른 예시적인 노광마스크의 개략 단면도
도 2는 본 발명에 따른 예시적인 노광마스크의 개략 단면도
도 3은 본 발명의 편광방향을 설명하는 도면
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 노광장치의 개략 단면도
도 5는 미소개구패턴으로부터 발생하는 근접장 강도의 콘트라스트와 개구폭사이의 관계의 전장의 방향의 의존을 설명하는 도면
도 6은 미소개구패턴으로부터 발생하는 근접장 강도와 개구폭사이의 관계의 전장 방향의 의존을 설명하는 도면.
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
본 발명에 따라 제공되는 노광방법, 노광마스크 및 노광장치는 상술한 바와 같다.
이하, 도면을 참조해서, 본 발명에 따른 예시적인 노광방법 1에 대해 먼저 설명한다. 여기서, 본 발명의 실시의 형태를 도 1A, 도 1B 및 도 2를 참조해서 상세하게 설명한다. 도 1A 및 도 1B는 본 발명에 따른 노광마스크의 구성을 나타낸다. 도 2는, 이러한 노광마스크를 사용하는 노광장치의 구성예를 나타내는 도면이다.
본 발명에 따른 노광마스크(100)에 대해, 도 1A 및 도 1B를 참조해서 설명한다. 도 1A 및 도 1B는, 도 2에 나타낸 노광장치에 사용되는 노광마스크를 예시하고 있다. 도 1A는 앞면측이고, 도 1B는 단면도이다. 여기서, 본 발명에 있어서 "앞면"이란 차광막이 설치된 면을 말하고, 「이면」이란, 그 반대측을 말한다.
도 1A 및 도 1B에 도시한 노광마스크(100)은, 마스크 지지부재(104), 마스크 모재(101) 및 차광막(102)으로 구성되어 있다. 차광막(102)은, 마스크 모재(101)위에 형성되어 있고, 그 차광막(102)에는 미소한 개구가 형성되어 소망의 패턴(103)을 형성하고 있다. 노광마스크(100)상에 형성되어 있는 미소개구패턴(103)은, 직4각형, 혹은 직4각형을 연결해서 형성한 패턴을 가지고, 이들 직4각형은, 폭방향의 폭이 노광광원의 광파장의 1/3이하이고, 또한, 길이방향은 상기 마스크면내의 적어도 2개의 방향으로 향하고 있다. 또, 마스크 모재(101)은 탄성재로 구성되어 있고, 여기에서는 박막으로서 존재하고 있다.
이후 도 2를 참조하여 설명하지만, 상기 노광마스크는, 근접장 노광장치의 압력조정 용기내에 노광마스크의 이면이 면하도록 장착되어 있고, 마스크에 압력조정을 가해서 마스크의 굴곡을 조정한다.
도 2에 도시한 근접장 노광장치는 일반적으로, 압력조정장치, 노광마스크, 광원, 피노광물로 이루어진다. 상술한 바와 같이, 노광마스크를 압력조정장치에 그 이면이 면한상태로 장착하고 피노광물에 대향해서 배치한다.
피노광물로서는, 기판(203)의 표면에 레지스트(202)를 형성한다. 레지스트(202) 및 기판(203)을 스테이지(207)상에 장착하고, 스테이지(207)을 이동시킴으로써, 노광마스크(201)에 대한 기판(203)의 마스크면을 따른 2차원 방향의 상대위치맞춤을 행한다. 다음에, 마스크면에 대해 법선방향으로 스테이지(207)을 이동시키고, 노광마스크(201)의 앞면과 기판(203)상의 레지스트(202)면과의 간격이 전체면에 걸쳐서 100nm이하가 되도록 양자를 밀착시킨다.
이 후, 노광광원(209)으로부터 출사되는 노광광을 콜리메이터렌즈(211)에 의해 평행광으로 변형시킨 후, 유리창(212)를 통해, 압력조정용기(205)내에 도입하고, 노광마스크(201)를 이면쪽(도 2에서는 위쪽)으로부터 조사해서, 노광마스크(201)의 앞면에 있는 마스크 모재(206)상의 차광막(207)에 형성된 미소개구패턴(204)로부터 새어나오는 근접장광으로 레지스트(202)의 노광을 행한다.
여기서, 본 발명에 있어서는 노광광원(209)로부터 출사되는 노광광(210)은, 노광마스크(201)에 평행한 면내의 전장강도가 면내의 전체 방향에 걸쳐서 대략 균일한 광으로서 노광마스크(201)의 이면을 조사할 수 있다.
전술한 바와 같이, 미소개구패턴의 폭이 노광파장의 약 1/2이상이면, 전장의 방향이 미소개구패턴의 길이방향에 수직인 방향으로 편광한 광을 조사하는 경우에 비해, 평행한 방향으로 편광한 광을 조사했을 경우가 미소개구로부터 발생하는 (미소개구패턴의 폭방향의) 근접장광의 강도분포가 좁아진다. 그러나, 형성되는 패턴을 더욱 미세화하기위해서, 미소개구패턴의 폭을 노광파장의 1/3보다 작게하면, 평행한 방향으로 편광한 광을 조사했을 경우, 레지스트에 형성되는 패턴의 어스펙트비는 감소한다.
이것은, 미소개구패턴의 폭이 조사되는 광파장의 1/3이하가 되면, 마스크의 미소개구패턴에 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 길이방향에 평행인 경우에 미소개구패턴으로부터 새어나오는 근접장광의 강도가, 미소개구 이외의, 차광막부분을 직접 투과하는 광의 강도와 거의 동일해지고, 따라서, 미소개구 근방의 광강도분포에 있어서, 이 직접 투과한 광이 배경광으로서 근접장광과 중첩해서, 개구영역과 비개구영역사이의 광강도 콘트라스트가 크게 저하하기 때문이다.
그러나, 도 5에 도시한 바와 같이, 마스크의 미소개구패턴에 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 길이방향에 수직인 경우에 미소개구패턴으로부터 새어나오는 근접장광의 강도는, 미소개구 이외의 차광막부분을 직접 투과하는 광의 강도보다 크다. 따라서, 이 직접 투과한 광이, 미소개구 근방의 광강도 분포에 있어서, 배경광으로서의 근접장광과 중첩하는 영향이 작기 때문에, 미소개구 근방의 개구영역과 비개구영역사이의 광강도 콘트라스트의 저하를 보다 작게 하는 것이 가능하다.
따라서, 미소개구패턴의 폭이 조사되는 광파장의 1/3이하인 경우는, 전장의 방향이 미소개구패턴의 길이 방향에 평행한 방향으로 편광한 광을 조사했을 경우에 비해, 수직인 방향으로 편광한 광을 조사했을 경우에, 레지스트에 형성되는 펴턴의 어스펙트비를 크게 할 수 있다.
또, 도 6에 도시한 바와 같이, 미소개구패턴의 폭이 조사되는 광파장의 1/3이하인 경우, 마스크의 미소개구패턴에 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 길이 방향에 대해서 평행(즉, 입사하는 광의 전장 방향이 미소개구패턴의 길이방향과 동일함)한 경우에 미소개구패턴으로부터 새어나오는 근접장광의 강도에 비해, 서로 수직(즉, 입사광의 전장 방향이 미소개구패턴의 폭방향과 동일한 방향임)인 경우에 미소개구패턴으로부터 나오는 근접장광의 강도가 더 크다. 여기서, 차광막이 Cr(복소유전상수: -13,1+14,3i)이고, 차광막의 두께가 100nm인 경우의 계산결과를 나타낸다.
따라서, 근접장 마스크의 이면에 평행한 면내의 전장강도가 해당면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한 광을 근접장 마스크의 이면으로부터 근접광 마스크에 조사함으로써, 근접장 마스크의 미소개구패턴의 길이방향이 위치하는 방향에 관계없이 미소개구패턴에 대해서 입사하는 광중에서, 전장 방향이 미소개구패턴의 길이방향에 대해서 수직인 성분에 의해서 미소개구패턴으로부터 새어나오는 근접장광의 강도는, 평행한 성분에 의한 근접장광의 강도보다 커진다.
이 때문에, 길이방향이 근접장 마스크면 내의 적어도 2개의 방향으로 향한 미소개구패턴의 근접장 마스크로도, 조사된 광이 미소개구패턴을 통과할 때에. 실질적으로도 전장의 방향이 미소개구패턴의 폭방향(즉, 길이방향에 수직인 방향)과 동일한 방향인 편광성분만이 근접장광으로서 미소개구패턴으로부터 새어나와서 복수의 방향을 가진 미소개구패턴에 대해서, 콘트라스트의 저하가 적은 균일한 노광을 행할 수 있다.
본 발명은, 노광광(210)으로서, 근접장 마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한 광을 이용하고, 이와같이 해서 노광광에 모든 편광성분이 포함되게 되어, 미소개구의 긴 방향에 대한 각도 의존성이 없어진다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 미소개구의 길이방향이 x방향, y방향, 그 중간의 방향과 같은 어떠한 방향으로 향하고 있어도, 노광광은 근접장 마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 균일하기 때문에, 미소개구에는, 어느 방향으로도 균일한 전장 성분을 인가할 수 있다. 그 결과, 미소개구가 100nm이하의 사이즈이면, 마스크 자체가 미소개구의 길이 방향에 평행한 편광방향의 광은 투과시키지 않고, 수직인 편광방향의 광만을 선택적으로 투과시키도록 기능해서, 근접장을 발생시킨다. 따라서, 미소개구의 길이방향에 관계없이 패턴을 균일하게 형성할 수가 있다.
마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한 광을 출사할 수 있는 노광광원으로서는, 수은 램프 등의 비편광의 광원을 예로 들 수 있다. 또, 근접장 마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한 광원으로서는, 레이저와 같은 통상편광을 가지는 광을 편광해소판이나 확산판 등에 통과시킴으로써 충분히 편광의 해소가 된다면 상기 광을 이용해도 된다. 즉, 노광마스크에 조사하기 이전의 노광광(210)이 근접장 마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한(즉, 편광이 해소된) 상태이면 충분하다.
다음에, 도 2를 참조해서 노광마스크와 레지스트/기판의 밀착방법을 상세하게 설명한다.
노광마스크(201)의 앞면과 기판(203)의 레지스트(202)면이 모두 완전하게 평탄하면, 전체 면에 걸쳐서 양자를 서로 밀착시키는 것이 가능하다. 그러나, 실제적으로는, 마스크면이나 레지스트/기판면에 요철이나 기복의 형상이 존재하므로, 단순히 양자를 접근시켜 접촉시키는 것 만으로는, 밀착하고 있는 부분과 밀착하고 있지않는 부분이 분포하는 상태가 된다.
이것을 고려하여, 노광마스크(201)의 이면으로부터 앞면을 향하는 방향으로 압력을 인가함으로써, 노광마스크(201)의 탄성변형에 의한 노광마스크의 굴곡을 야기해서 레지스트(202) 또는 기판(203)에 대해서 마스크를 누른다. 그 결과, 박막부를 전체면에 걸쳐서 밀착시킬 수 있다.
이러한 압력인가방법의 일례로서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 노광마스크(201)의 앞면을 압력조정용기(205)의 외측에 향하도록 하고, 이면을 압력조정용기(205)의 내측에 향하도록 해서 노광마스크(201)를 장착한다. 그 후, 예를 들면 펌프 등의 압력조정수단(213)을 이용해서 압력조정용기(205)내에 고압가스를 도입해서, 압력조정용기(205)내에 외부대기압보다 높은 압력을 발생시킨다.
다른 예로서는, 압력조정용기(205)의 내부를 노광광(210)에 대해서 투명한 액체로 채우고, 실린더를 이용해서 압력조정용기(205) 내부의 액체의 압력을 조정하도록 해도 된다.
압력조정수단(213)에 의해 압력조정용기(205)내에 고압가스를 도입해서, 압력조정용기(205)내의 압력을 증대시키고, 이에 의해, 노광마스크(201)의 앞면과 기판(203)상의 레지스트(202)면을 전체 면에 걸쳐서 서로 밀착시킨다.
상술한 방법으로 압력을 인가하면, 파스칼의 원리에 의해, 근접장 마스크 (201)의 앞면과 레지스트(202)면과의 사이에 작용하는 척력이 균일하게 된다. 이 때문에, 노광마스크(201)이나 기판(203)상의 레지스트(202)면에, 국소적으로 큰 힘이 가해지지 않고, 이에 의해, 노광마스크(201), 기판(203), 또는 레지스트(202)가 국소적으로 파괴되는 것을 방지하는 유리한 효과를 가진다.
여기서, 압력조정용기(205)내의 압력을 제어함으로써, 노광마스크(201)와, 레지스트(202) 또는 기판(203)과의 사이에 작용하는 가압력, 즉, 양자 사이의 밀착력을 제어할 수 있다. 예를 들면, 마스크면이나, 레지스트 또는 기판면의 요철이나 기복이 큰 경우에는, 압력 조정 용기내의 압력을 비교적 높은 레벨로 설정해서, 밀착력을 증대시키고, 이에 의해, 표면의 요철이나 기복에 의한 마스크면과 레지스트 또는 기판면과의 사이의 간격의 불균일을 제거할 수 있다.
본 실시예에서는, 노광마스크(201)와 레지스트(202) 또는 기판(203)을 밀착시키기 위해서, 노광마스크의 이면을 압력조정용기(205)내에 배치하고, 압력조정용기(205)의 내부압력과 외부 대기압 사이의 압력차이에 의해, 노광마스크(201)의 이면측으로부터 앞면측에 압력을 가한다. 그러나, 역의 구성으로서, 근접장 마스크의 앞면과, 레지스트 또는 기판을 감압용기내에 배치하고, 감압용기의 내부압력 보다 높은 외부 대기압과의 압력차이에 의해, 근접장 마스크의 이면측으로부터 앞면측으로 압력이 가해지도록 해도 된다. 여하튼, 근접장 마스크의 앞면측과 비교해서 이면측이 높은 압력이 되도록 압력차이를 발생시켜도 된다.
근접장광에 의한 노광의 종료후에, 노광마스크와 레지스트 또는 기판의 박리를 이하와 같이 실시한다.
압력조정수단(213)을 이용함으로써, 압력조정용기(205)내의 압력을 외부의 대기압보다 작게해서, 기판(203)상의 레지스트(202)면으로부터 노광마스크 (201)의 금속박막을 박리시킨다.
상기한 방법으로 압력의 감압을 행해서, 레지스트(202) 또는 기판(203)으로부터 노광마스크(201)를 박리하는 경우, 파스칼의 원리에 의해, 노광마스크(201)의 앞면과 기판(203)의 레지스트(202)면과의 사이에 작용하는 인력이 균일하게 된다. 이 때문에, 노광마스크(201)이나 기판(203)상의 레지스트(202)면에 국소적으로 큰 힘이 가해지지 않고, 이에의해, 노광마스크(201), 기판(203), 또는 레지스트(202)의 국소적인 파괴를 방지하는 유리한 효과를 얻는다.
여기서, 압력조정용기(205)내의 압력을 제어함으로써, 노광마스크(201)와, 레지스트(202) 또는 기판(203)과의 사이에 작용하는 흡인력, 즉, 양자 사이의 인장력을 제어할 수 있다. 예를 들면, 마스크면과, 레지스트 또는 기판면 사이의 흡인력이 큰 경우에는, 압력 조정 용기내의 압력을 비교적 낮은 레벨로 설정하고, 이에 의해, 박리하기 쉽게 할 수 있다.
상술한 바와같이, 밀착하기 위한 압력인가장치의 구성에 있어서는, 도 2에 도시한 것과는 역의 구성으로서, 노광마스크의 앞면과 레지스트 또는 기판을 감압 용기내에 배치해서, 감압용기의 내부 압력보다 높은 외부대기압과의 압력차이에 의해, 노광마스크의 이면측으로부터 앞면측에 압력이 가해지도록 하는 경우는, 박리하기 위해, 용기의 내부압력을 외부의 대기압보다 높은 압력으로 하면 된다.
여하튼 박리시에는, 근접장 마스크의 앞면측에 비해 이면측이 낮은 압력으로 되도록 압력차이를 발생시켜도 된다.
상술한 바와같이, 노광마스크를 레지스트 또는 기판과 밀착시키고, 노광광으로서 비편광의 광을 이용함으로써, 미소 개구로부터 새어 나오는 근접장 강도가 균일하게 되어, 노광마스크에 편광자소자를 설치하지 않고도 레지스트의 노광의 불균일을 저감 시킬 수 있다.
다음에, 구체적 실시예를 설명한다.
발명의 개시
본 발명의 일측면에 따르면, 마스크의 개구로부터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물에 노광을 행하는 노광방법으로서, 차광막과, 이 차광막에 형성되고 폭방향의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하이며 길이방향이 마스크면내의 2개 이상의 방향으로 향하는 복수의 직4각형의 개구를 가진 노광마스크에 광원으로부터의 비편광 노광광을 조사해서 개구로부터 새어나오는 근접장광을 발생시키고, 이에 의해 개구에 의거해서 패턴의 노광을 행하는 것을 특징으로하는 노광방법이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 차광막과 이 차광막에 형성된 개구를 가지고, 상기 개구로부터 새어나오는 근접장광을 이용해서 피노광물을 노광하는데 사용하는 노광마스크로서, 상기 개구는, 폭방향의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하이고, 길이방향이 마스크면내의 2개 이상의 방향으로 향하는 복수의 직4각형의 개구로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광마스크가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 광조사수단과 노광마스크를 가지고, 상기 마스크로부터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물을 노광하는 노광장치로서, 상기 광조사수단은 노광마스크에 비편광 노광광을 조사하고, 상기 노광마스크는, 차광막과 이 차광막에 형성되고 폭 방형의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하이며 길이방향이 마스크면내의 2개 이상의 방향으로 향하는 복수의 직4각형의 개구를 포함하는 개구를 가진 것을 특징으로 하는 노광장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 마스크의 개구로부터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물을 노광하는 노광방법으로서, 차광막과 이 차광막에 형성된 복수의 직4각형의 개구를 가진 노광마스크에 광원으로부터의 비편광 노광광을 조사하고, 상기 개구로부터 새어나오는 근접장광을 발생시켜서 상기 개구에 의거해서 패턴의 노광을 행하며, 상기 개구의 폭은, 미소개구패턴의 길이방향에 수직인 입사광 전장방향에 대한 개구의 폭 대 근접장광 강도의 좌표에서의 곡선과, 미소개구패턴의 길이방향에 평행한 입사광 전장방향에 대한 상기 동일한 좌표에서의 곡선사이의 교차점에서의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 노광방법이 제공된다.
본 발명의 이들 및 다른 목적, 특징 및 이점 등을 유첨도면을 참조한 본 발명의 다음의 바람직한 실시예의 설명을 고려하면 더욱 명백해질 것이다.
본 실시예는, 본 발명에 따른 마스크를 사용하는 노광장치에 관한 것이다.
도 1과 도 4를 이용해서 본 실시예를 설명한다.
노광마스크(100)에 있어서, 마스크 지지부재(104)로서 Si(100) 기판을 선택하고, Si(1OO)기판상에, 마스크의 모재(1O1)로서 SiN막을 LPCVD법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)에 따라서 50Onm의 두께로 형성했다. 또, 마스크면이 되는 SiN막의 상부에 차광막층(1O2)으로서 Cr막을 스퍼터법에 따라서 50nm의 두께로 형성했다. 그 차광막층(104)의 Cr재에 사용하는 파장 이하의 미소 개구(개구직경은 10Onm이하임)를 소망의 패턴으로 EB 리소그라피법에 의해 전자선 레지스트상에 형성한다. 그 레지스트를 마스크로해서 드라이에칭법에 따라서 차광막층(102)의 Cr재를 에칭해서 마스크의 패턴으로 한다. 이 마스크의 패턴은, 도 1A에 도시되어 있는 바와같이, 미소개구의 길이방향은 어떠한 방향으로 향해도 된다. 즉, 어떠한 미소개구패턴이어도 된다. 다음에, 차광막층(102)의 반대쪽의 면에, 노광마스크의 박막부분으로 되는 부분에 포토리소그라피법에 의해 26mm×26mm의 크기로 패터닝을 행한다. 그후, 그 부분의 SiN재를 CF4 가스를 이용하는 RIE (Reactive Ion Etching)법에 의해 제거한다. 남은 SiN를 에칭 마스크(106)로 해서, 110℃로 가열한 한 30wt%의 수산화 칼륨의 수용액내에 상술한 기판을 침지하고, 이에 의해 Si를 에칭해서 박막으로 되는 부분의 Si재만을 제거할 수 있다. 상술한 프로세스에 의해, Si웨이퍼에 의해 지지되는 노광마스크(100)을 제작할 수 있다.
본 실시예에서는 마스크의 모재로서 SiN을 사용하고, 차광막으로서 Cr을 사용하고 있다. 그러나, 본 발명의 개념은 특정의 재료의 사용에 한정하는 것은 아니다. 마스크의 모재로서는 노광에 이용하는 파장의 광이 투과하는 재료이고, 또한 박막으로 했을 때에 충분한 기계적 강도를 가지는 것이 바람직하다. 한편, 차광막으로서는, 피노광물에 영향을 미치지 않는 재료이고, 또한 노광에 이용하는 파장의 광이 투과하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 또, 충분히 광이 감쇠할 수 있는 막두께인 것이 바람직하다.
다음에, 도 4를 참조해서 본 실시예에서 행해지는 노광방법을 상세하게 설명한다.
상술한 방법으로 제작한 마스크를, 도 4에 도시한 노광장치에 장착해서 사용한다.
그 후, 레지스트(피노광물) (402)와 노광마스크(401)의 박막 마스크를 전체면에 걸쳐서 서로 접근시키기 위해서, 노광마스크(401)와 레지스트(402)가 도포된 기판(403)의 사이에 얼라이먼트 조작을 행한다. 그후, 압력조정용기(405)에 압축공기를 40kPa의 압력으로 도입하고, 이에 의해, 노광마스크(401)의 앞면과 이면과의 사이에 압력차이를 발생시킨다. 그리고, 모든 박막 마스크를 굴곡되게 하고, 이들 박막 마스크를 레지스트(402)에 균일하게 100nm이하의 간격으로 접근 시킨다.
그 후, g선(파장 436nm)이나 i선(파장 365nm)의 수은 램프나, 파장 860nm의 SHG(제 2고조파) 레이저로 이루어진 노광광원(409)으로부터 사출된 광을 편광해소판을 통과시켜서 충분히 편광을 해소하고, 그 후 콜리메이터 렌즈(411)을 통과시켜서 평행광으로 해도 된다.
상술한 바와 같이, 상기 근접장 마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한 노광광을 노광마스크 전체면에 조사함으로써, 노광마스크의 미소 개구로부터 균일한 강도로 근접장을 발생시켜서, 근접장에 의한 노광에 있어서, 노광의 불균일을 저감 시킬 수 있다.
박리시에는, 노광마스크를 레지스트(402)에 접근시키는 것과는 반대로, 압력조정용기(205)의 내부압력을, 펌프를 이용해서 대기압보다 약 40kPa만큼 낮은 압력으로 감소시켜서, 노광마스크를 레지스트(402)로부터 박리한다.
본 실시예에서는, 노광광원(405)으로서 사용되는 광원은, Hg램프나 SHG 레이저로부터의 광을 편광해소하여 제공된다. 그러나, 본 발명은, 이것에 한정되는 것은 아니고, 사용하는 레지스트(402)를 노광할 수 있는 파장의 광을 출사하는 광원이면 어떠한 광원을 사용해도 된다. 예를 들면, 레지스트(407)로서 g선(파장 436nm) 또는 i선(파장 365nm)에 대응하는 포토레지스트를 사용하는 경우, 청색 LED나 HeCd 레이저(광파장325nm 또는 442nm), GaN계의 청색 반도체 레이저(광파장 410nm이하), 또는 다른 적외선 레이저의 제 3고조파(THG) 레이저를 이용해도 된다.
레이저와 같은 통상 편광하고 있는 광을 사용하는 경우는, 노광마스크에 광을 조사하기 이전에, 편광해소판이나 확산판을 통과시켜서 충분히 편광을 하도록 해도 된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 도 6에 있어서, 미소개구패턴의 길이방향에 수직인 입사광 전장 방향에 대한 개구의 폭 대 근접장광강도의 좌표상에서의 곡선과, 미소개구패턴의 길이방향에 평행한 입사광 전장 방향에 대한 동일한 좌표상에서의 곡선사이의 교차점에서의 폭보다 작도록 개구의 폭을 결정한다. 이러한 특징에 의해 패턴에 균일한 노광을 행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라서, 개구패턴을 균일하게 노광할 수 있다. 특히, 마스크의 마스크면에 평행한 면내의 전장 강도가 해당면내의 전체방향에 걸쳐서 균일한 광을 마스크의 미소 개구에 조사하는 경우, 길이방향이 적어도 2개이상의 방향을 향한 개구패턴을 가지는 근접장 마스크에 있어서 미소개구로부터 새어 나오는 근접장 강도를 균일하게 할 수 있고, 그 결과, 패턴을 균일하게 노광할 수 있다. 그 때문에, 마스크에 편광자 소자를 설치할 필요가 없어져서 근접장 마스크의 생산성을 증가시킬 수 있고, 한편으로 비용을 절감시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 마스크의 개구부로부터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물을 노광하는 노광방법으로서,
    차광막과 이 차광막에 형성되고 폭방향의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하며 길이방향이 마스크면내의 2개 이상의 방향으로 향하는 복수의 직4각형의 개구를 가진 노광마스크에 광원으로부터의 비편광 노광광을 조사해서 개구로부터 새어나오는 근접장광을 발생시켜서 상기 의해 개구에 의거해서 패턴의 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 비편광광은, 마스크면에 평행한 면내에 있고, 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 대략 균일한 전장강도를 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  3. 제 2항에 있어서, 직4각형의 개구의 폭방향과 동일한 방향으로 전장방향을 가지는 편광성분만을 근접장광으로서 개구로부터 새어나오도록 하는 것을 특징으로 하는 노광방법
  4. 차광막과 이 차광막에 형성된 개구를 가지며, 개구로부터 새어나오는 근접장광을 이용해서 피노광물을 노광하는데 사용하는 마스크로서,
    상기 개구는 폭방향의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하이며, 길이방향이 마스크면내의 2개 이상의 방향으로 향하는 복수의 직4각형의 개구로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광마스크.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 복수의 직4각형의 개구는 복수의 직4각형을 연결하는 것에 의해 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 차광막은 지지부재에 장착된 마스크모재에 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 마스크모재는 탄성재로 이루어진 것을 특징으로 노광마스크.
  8. 광조사수단과 노광마스크를 가지며, 마스크로부터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물을 노광하는 노광장치로서,
    상기 광조사수단은, 상기 노광마스크에 비편광 노광광을 조사하고,
    상기 노광마스크는, 차광막과 이 차광막에 형성되고 폭방향의 폭이 노광광의 파장의 1/3이하이며 길이방향이 마스크면내의 2개 이상의 방향으로 복수의 직4각형의 개구를 가진 것을 특징으로 노광장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 비편광광은, 마스크면에 평행한 면내에 있고, 해당 면내의 전체방향에 걸쳐서 강도가 대략 균일한 전장강도를 가지는 것을 특징으로 노광장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 직4각형 개구의 폭방향과 같은 방향으로 전장방향을 가진 편광성분만을 근접장광으로서 상기 개구로부터 새어나오도록 하는 것을 특징으로 노광장치.
  11. 제 8항에 있어서, 압력조정수단을 부가하여 구비한 것을 특징으로 노광장치.
  12. 마스크의 개구로부터 새어나오는 근접장광에 의거해서 피가공물을 노광하는 노광방법으로서,
    차광막과 이 차광막에 형성된 복수의 직4각형의 개구를 가지는 노광마스크에 광원으로부터의 비편광 노광광을 조사하고,
    개구로부터 새어 나오는 근접장광을 발생시켜서 상기 개구에 의거해서 패턴의 노광을 행하고,
    상기 개구의 폭은, 미소개구패턴의 길이방향에 수직인 입사광 전장방향에 대한 개구의 폭 대 근접장광 강도의 좌표에서의 곡선과, 미소개구패턴의 길이방향에 평행한 입사광 전장방향에 대한 상기 동일한 좌표에서의 곡선 사이의 교차점에서의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 노광방법.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1543138B1 (en) * 2002-09-27 2006-08-02 DSM IP Assets B.V. Process for producing vitamin b6
JP4183245B2 (ja) * 2003-05-12 2008-11-19 キヤノン株式会社 アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法
JP4194516B2 (ja) * 2003-06-24 2008-12-10 キヤノン株式会社 露光方法、露光用マスク及びデバイスの製造方法
JP4194514B2 (ja) * 2003-06-26 2008-12-10 キヤノン株式会社 露光用マスクの設計方法及び製造方法
JP4185830B2 (ja) * 2003-08-08 2008-11-26 キヤノン株式会社 近接場露光方法、近接場露光装置、および近接場露光マスク
JP4027286B2 (ja) * 2003-08-08 2007-12-26 キヤノン株式会社 近接場露光方法及び装置
JP2005085922A (ja) * 2003-09-08 2005-03-31 Canon Inc マスク作製方法及び微小開口を有するマスク
JP4217570B2 (ja) * 2003-09-12 2009-02-04 キヤノン株式会社 近接場光源装置、該近接場光源装置を有する光ヘッド、光学装置、露光装置、顕微鏡装置
US7279253B2 (en) * 2003-09-12 2007-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Near-field light generating structure, near-field exposure mask, and near-field generating method
JP4347009B2 (ja) 2003-09-26 2009-10-21 キヤノン株式会社 近接場光の発生方法、近接場露光用マスク、近接場露光方法、近接場露光装置、近接場光ヘッド
JP4522166B2 (ja) * 2004-06-29 2010-08-11 キヤノン株式会社 露光方法
JP4574250B2 (ja) * 2004-06-30 2010-11-04 キヤノン株式会社 フォトマスク
JP2006019447A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Canon Inc レジストパターンの形成方法、基板の加工方法及びデバイスの作製方法
JP4250570B2 (ja) * 2004-06-30 2009-04-08 キヤノン株式会社 近接場露光方法及びこれを用いた素子の製造方法
JP2006049538A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Canon Inc 近接場露光用マスクの密着制御装置及び方法、近接場露光用マスク
JP2007329214A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Canon Inc 近接場露光方法
US7605908B2 (en) * 2006-10-03 2009-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Near-field exposure mask, near-field exposure apparatus, and near-field exposure method
JP2008098265A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Canon Inc 近接場光による露光方法及びレジストパターンの形成方法
US8139199B2 (en) * 2007-04-02 2012-03-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, light converging pattern formation member, mask, and device manufacturing method
JP2009294439A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
JP5075786B2 (ja) * 2008-10-06 2012-11-21 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
JP2022065451A (ja) * 2020-10-15 2022-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6171730B1 (en) * 1997-11-07 2001-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and exposure apparatus
JP4346701B2 (ja) 1998-03-25 2009-10-21 キヤノン株式会社 エバネッセント光を用いた露光方法
US6303276B1 (en) * 1998-05-08 2001-10-16 Physical Optics Corporation Method and apparatus for making optical master surface diffusers suitable for producing large format optical components
US6243348B1 (en) * 1998-06-05 2001-06-05 Massachusetts Institute Of Technology Very-high-density memory device utilizing a scintillating data-storage medium
JP3809500B2 (ja) 1998-10-05 2006-08-16 正喜 江刺 近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
US6236033B1 (en) * 1998-12-09 2001-05-22 Nec Research Institute, Inc. Enhanced optical transmission apparatus utilizing metal films having apertures and periodic surface topography
GB2349237A (en) * 1999-04-24 2000-10-25 Sharp Kk An optical element, method of manufacture thereof and a display device incorporating said element.
EP1054296A3 (en) * 1999-04-30 2002-03-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Fine pattern forming method
JP2001308002A (ja) 2000-02-15 2001-11-02 Canon Inc フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置
WO2001090789A2 (en) * 2000-05-22 2001-11-29 Adc Telecommunications, Inc. Polarization control of uv writing
JP2002062489A (ja) 2000-08-22 2002-02-28 Canon Inc 光変調装置、該装置による光スイッチ、移動量検出装置及び該装置による距離測定装置、位置合わせ装置及び該装置による半導体露光装置、並びにこれらの方法
JP2002190444A (ja) 2000-10-10 2002-07-05 Canon Inc パターン露光装置、パターン作製方法、及びこれらを用いて作製したデバイス
JP2002246307A (ja) 2000-12-12 2002-08-30 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP3791673B2 (ja) * 2001-06-21 2006-06-28 富士写真フイルム株式会社 近接場光露光装置
US6983444B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-03 Macronix International Co., Ltd. Mask for reducing proximity effect

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