JP2002231615A - 露光部材、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに、デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 解像度、重ね合わせ精度、スループット及び
経済性に優れた露光をもたらす露光部材、露光装置及び
方法、デバイス製造方法、並びに、デバイスを提供す
る。 【解決手段】 被処理体に近接場光が働く範囲内で密着
されて前記近接場光を利用してパターンを前記被処理体
に露光する薄膜と、前記薄膜を互いに離間する複数のパ
ターン部に分割する支持部とを有する露光部材におい
て、前記薄膜は前記パターン部において弾性変形して前
記被処理体に密着可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、半導体
ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用
のガラス基板などの被処理体を露光するのに使用される
露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型及び薄型化の要請
から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要
求はますます高くなっている。例えば、マスク又はレチ
クル（以下、本出願ではこれらの用語を交換可能に使用
する。）のパターンに対するデザインルールはライン・
アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）１３０ｎｍを量産工程で達
成しようとし、今後益々小さくなることが予想される。
Ｌ＆Ｓは露光においてラインとスペースの幅が等しい状
態でウェハ上に投影された像であり、露光の解像度を示
す尺度である。露光では、解像度、重ね合わせ精度、ス
ループットの３つのパラメータが重要である。解像度は
正確に転写できる最小寸法、重ね合わせ精度は被処理体
にパターンを幾つか重ね合わせる際の精度、スループッ
トは単位時間当たり処理される枚数である。

【０００３】露光法は基本的に等倍転写法と投影法の二
種類を有する。等倍転写は、マスクと被処理体を接触さ
せる密着法と僅かに離間させる近接法とを含む。しか
し、密着法は高解像度が得られるもののごみやシリコン
のかけらがマスクに圧入されてされてマスクの破損や被
処理体の傷、欠陥をもたらす。近接法はかかる問題を改
善しているがごみ粒子の最大寸法よりもマスクと被処理
体の間隔が小さくなると同様にマスクの破損が生じ得
る。

【０００４】そこで、マスクと被処理体との距離を更に
離間させる投影法が提案されている。投影法の中でも解
像度の改善と露光領域の拡大のためにマスクを一部ずつ
露光し、マスクとウェハを同期してウェハを連続的又は
断続的に掃引（スキャン）することによってマスクパタ
ーン全体をウェハに露光する走査型投影露光装置が最近
の主流になっている。

【０００５】投影露光装置は、一般に、光源から出射さ
れた光束を利用してマスクを照明する照明光学系とマス
クと被処理体との間に配置される投影光学系とを有す
る。照明光学系においては、均一な照明領域を得るため
に光源からの光束を複数のロッドレンズから構成される
ハエの目レンズなどのライトインテグレータに導入し、
ライトインテグレータ射出面を２次光源面としてコンデ
ンサーレンズでマスク面をケーラー照明する。

【０００６】投影露光装置の解像度Ｒは、光源の波長λ
と露光装置の開口数（ＮＡ）を用いて次式で与えられ
る。

【０００７】

【数１】 従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げ
れば上げるほど、解像度は良くなる。

【０００８】一方、一定の結像性能を維持できる焦点範
囲を焦点深度といい、焦点深度ＤＯＦは次式で与えられ
る。

【０００９】

【数２】 従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げ
れば上げるほど、焦点深度は小さくなる。焦点深度は小
さくなるとフォーカス合せが難しくなり、基板のフラッ
トネス（平坦度）やフォーカス精度を上げることが要求
されるため、基本的に大きい方が好ましい。

【００１０】数式１及び２からＮＡよりも波長を短くす
る方が有効であることが理解される。このため、近年の
光源は、従来の超高圧水銀ランプからより波長の短いＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）やＡｒＦエ
キシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）に移行しつつあ
る。

【００１１】しかし、比例定数ｋ₁及びｋ₂の値は通常
０．５乃至０．７程度であり、位相シフト等の解像力増
強方を用いても０．４程度に止まるため、比例定数を低
減して解像度を向上することは困難である。また、投影
露光装置では一般に解像度は使用する光源の波長が略限
界であると言われ、エキシマレーザーを使用しても投影
露光装置は０．１０μｍ以下のパタ−ンを形成すること
が困難である。加えて、仮に、より短い波長を有する光
源が存在しても、かかる短波長の露光光を投影光学系に
使用される光学材料（即ち、レンズの硝材）が透過でき
ずに（その結果被処理体に投影できずに）露光ができな
くなるという問題もある。即ち、殆どの硝材の透過率は
遠紫外線領域では０に近い。特別な製造方法を用いて製
造される合成石英は露光光の波長約２４８ｎｍには対応
することができるが、波長１９３ｎｍ以下の波長に対し
ては透過率が急激に低下する。このため、０．１０μｍ
以下の微細パタ−ンに対応する波長１５０ｎｍ以下の露
光光に対して透過率が十分に高くて実用的な硝材を開発
することは非常に困難である。更に、遠紫外線領域で使
用される硝材は、透過率以外にも、耐久性、屈折率、均
一性、光学的歪み、加工性等の複数の観点で一定の条件
を満たす必要があり、これらも実用的な硝材の開発を困
難にしている。

【００１２】かかる問題に対して、近年、０．１μｍ以
下の微細加工を可能にする手段として近接場光学顕微鏡
（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ：ＳＮＯＭ）を用いた微細加工装置が提案さ
れている。これは、例えば、１００ｎｍ以下の大きさの
微小開口から滲み出す近接場光を用いて被処理体（に塗
布されたレジスト）に光の波長限界を越える局所的な露
光を行う装置である。

【００１３】例えば、公開特許平成８年第１７９４９３
号公報は、マスクにプリズムを設けて全反射となる角度
で光を入射させ、全反射面から滲み出す近接場光を用い
て光マスクのパターンをレジストに一括転写する方法を
提案している。同公報は、プリズム・マスクとレジスト
面との間隔を１００ｎｍ以下に設定することを要求して
いるが、実際には、プリズム・マスク面の全面に亘って
レジスト面との間隔を１００ｎｍ以下に維持すること
は、プリズム・マスクや基板の面精度の限界、及び、プ
リズム・マスクと基板の位置合わせに存在する傾き等か
ら困難であり、両者の間隔の不均一性は露光パターンの
むらや、プリズム・マスクによるレジストの部分的に押
しつぶしという問題を発生させる。かかる問題を解決す
るため、公開特許平成１１年第１４５０５１号公報や公
開特許平成１１年第１８４０９４号公報は、マスク面の
法線方向に弾性変形可能なマスクを加圧及び減圧下でレ
ジストに密着及び剥離してマスクとレジスト面との間隔
を確保する方法を提案している。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】レジスト及びその下の
基板には微細な凹凸が存在し、レジスト面上の細かい凹
凸にマスク面を密着させるにはマスクの薄型化が望まし
い。また、現在の半導体産業では、基板としてのシリコ
ンウェハが８インチ、１２インチと大型化しているた
め、スループットを向上させるために大面積の露光が望
まれる。しかし、大型のマスクをレジストと密着させる
とマスクとレジストとの間に空気が残り、密着部分と非
密着部分が混在するようになる。非密着部分ではマスク
とレジストとは近接場光が働く距離の範囲内に配置され
ないため、露光むらが発生して重ね合わせ精度が低下す
る。一方、マスクを薄型化かつ大型化はマスクの機械的
強度を弱め、レジスト面との反復した密着及び剥離によ
りマスクが破損し易くなる。マスクの交換及び製作工程
が露光工程に付随するとスループットが低下する。ま
た、交換用のマスクのコストが半導体製品のコストアッ
プをもたらす。

【００１５】

【課題を解決するための手段】そこで、このような従来
の課題を解決する新規かつ有用な露光部材、露光装置及
び方法、デバイス製造方法、並びに、デバイスを提供す
ることを本発明の概括的目的とする。

【００１６】より特定的には、本発明は、解像度、重ね
合わせ精度、スループット及び経済性に優れた露光をも
たらす露光部材、露光装置及び方法、デバイス製造方
法、並びに、デバイスを提供することを例示的目的とす
る。

【００１７】上記目的を達成するために、本発明の一側
面としての露光部材は、被処理体に近接場光が働く範囲
内で密着されて前記近接場光を利用してパターンを前記
被処理体に露光する薄膜と、前記薄膜を互いに離間する
複数のパターン部に分割する支持部とを有する露光部材
であって、前記薄膜は前記パターン部において弾性変形
して前記被処理体に密着可能である。かかる露光部材
は、薄膜が被処理体に密着すると、被処理体との間で空
気の逃げ道を形成する。例えば、一の連続平面としての
薄膜と被処理体が対向し、薄膜が互いに離間したパター
ン部において部分的に被処理体に密着する場合や、一の
円盤状の支持部に点在して設けられた穴に存在する薄膜
が被処理体に密着する場合を考えれば空気の逃げ道が形
成されることが理解されるであろう。従って、パターン
部と被処理体とが密着する際の空気が逃げる空間が存在
するので、パターン部と被処理体との間に空気が残って
非密着部分を形成することなく良好に密着する。前記露
光部材は露光マスクで、前記パターン部は前記パターン
を定義する開口を含む遮光膜から構成されてもよいし、
前記パターン部は、前記パターンを反映する光の強度に
応じて光透過率が変化する薄膜からなってもよい。

【００１８】本発明の別の側面としての露光装置は、上
記露光部材と、前記複数のパターン部に全体的に露光光
を照射する光照射装置とを有し、前記パターンを一括し
て前記被処理体に露光する。代替的に、露光装置は、上
記露光部材と、前記複数のパターン部の一に露光光を照
射する光照射装置と、前記光照射装置を前記複数のパタ
ーン部の別のパターン部に移動する第１の移動装置とを
有し、前記パターンを部分的に前記被処理体に露光す
る。かかる露光装置も上述の露光部材と同様の作用を奏
する。後者の露光装置においては、前記被処理体を移動
する第２の移動装置を更に有してもよい。かかる露光装
置はステッパーとしての作用を奏することができる。

【００１９】上記露光装置は、前記薄膜を前記被処理体
から剥離する際に使用される当て板であって、前記薄膜
の前記被処理体から剥離する方向の弾性変形を前記薄膜
と接触することによって規制する規制部と、前記規制部
を支持する支持部とを有する当て板を更に有してもよ
い。かかる露光装置によれば、当て板の規制部が薄膜の
被処理体から剥離する方向への弾性変形を規制し、薄膜
が剥離方向へ限界以上に変形して破損することを防止す
る。

【００２０】本発明の更に別の側面としての露光方法
は、被処理体に対して近接場光が働く範囲内で密着さ
れ、前記近接場光を利用してパターンを前記被処理体に
露光する薄膜であって、互いに離間する複数のパターン
部を有する薄膜を前記複数のパターン部において弾性変
形して前記被処理体に密着するステップと、前記パター
ン部に露光光を照射するステップとを有する。かかる露
光方法も上述の露光装置と同様の作用を奏することがで
きる。

【００２１】前記照射ステップは前記複数のパターン部
の一に前記露光光を照射し、前記露光方法は、前記露光
光を前記複数のパターン部の別のパターン部に照射する
ステップと、当該ステップが前記別のパターン部に照射
する前に前記被処理体を前記パターン部の間隔だけ移動
して前記離間された複数のパターン部による分割された
前記パターンを連続的に前記被処理体に露光するステッ
プとを有してもよい。これにより、パターンが連続した
状態で被処理体に露光することができ、パターン部に収
納しきれない大面積のパターンを被処理体に転写するこ
とができる。

【００２２】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を投影露光
する工程と、前記投影露光された被処理体に所定のプロ
セスを行う工程とを有する。上述の露光装置の作用と同
様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及
び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。
また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導
体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘ
ッドなどを含む。

【００２３】本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下
添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって
明らかにされるであろう。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の例示的な露光装置１について説明する。ここで、図
１は、本発明の例示的な露光装置１の概略断面図であ
る。露光装置１は、図１に示すように、光源部１００
と、コリメータレンズ２００と、マスク３００と、マス
ク剥離用当て板４００と、プレート５００と、圧力調整
装置６００と、当て板駆動装置７００とを有する。

【００２５】露光装置１はプレート５００の全面に対応
するマスク３００で、マスク３００に描かれた所定のパ
ターンをプレート５００に等倍一括露光をするが、本発
明はプレート５００よりも小さなマスク３００を使用し
てプレート５００の一部分に対する露光をプレート５０
０の位置を変えて繰り返し行なうステップアンドリピー
ト露光方式やステップアンドスキャン露光方式など様々
な露光方法にも適用することができる。ここで、「ステ
ップアンドスキャン露光方式」は、１ないし複数チップ
領域を１ショット領域として１ショット分のマスク３０
０をプレート５００の１つのショット領域に相対させ、
マスク３００とプレート５００に対して露光光を連続的
に相対スキャンさせてマスク３００のパターンをプレー
トに露光すると共に、１ショットの露光終了後プレート
５００をステップ移動させて、マスク３００にプレート
５００上の次のショット領域が相対する様に移動させて
前述走査露光を繰り返す投影露光法をいう。露光方式ま
た、ステップアンドリピート露光方式はプレート５００
のショットの一括露光終了ごとにプレート５００をステ
ップ移動させて次のショットを露光領域（即ちマスク３
００と相対する位置）に移動させて前述一括露光を繰り
返す投影露光方法をいう。

【００２６】上述の本発明の実施形態において、ステッ
プアンドスキャン露光方式やステップアンドリピート露
光方式を実行する際には、ステップ移動毎に移動前のプ
レートからのマスクの剥離動作とステップ移動後のプレ
ートへのマスクの密着動作を行う必要がある。

【００２７】光源部１００は、転写用の回路パターンが
形成されたマスク３００を照明する照明光を生成する機
能を有し、例えば、光源として紫外光又は軟Ｘ線を出射
するレーザーを使用する。レーザーは、波長約１９３ｎ
ｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒ
Ｆエキシマレーザー、波長約１５３ｎｍのＦ₂エキシマ
レーザーなどを使用することができるが、レーザーの種
類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレ
ーザーを使用してもよいし、そのレーザーの個数も限定
されない。また、光源部１００に使用可能な光源はレー
ザーに限定されず、一又は複数の水銀ランプやキセノン
ランプなどのランプを使用することもできる。

【００２８】コリメータレンズ２００は、照明光を平行
光に変換して圧力調整装置６００の与圧容器６１０内に
導入する。上述したように、コリメータレンズ２００は
マスクパターンを一括露光する大型のコリメータレンズ
であるが、図８を参照して後述される露光装置１Ａに示
すように、マスクパターンの一部を転写する場合には、
後述する一又は複数のパターン部３３１に対応する図１
に示すコリメータレンズ２００よりも小型のコリメータ
レンズ２１０に置換されることができる。

【００２９】マスク３００は、図２に示すように、マス
ク支持体３１０、マスク母材３２０及び遮光膜３３０と
を有する。マスク母材３２０及び遮光膜３３０は弾性変
形可能な薄膜３４０を構成する。ここで、図２は、マス
ク３００の概略平面図（図２（ａ））と概略断面図（図
２（ｂ））である。図２（ａ）は、遮光膜３３０が設け
られた表面側のマスク３００の平面図である。マスク３
００は、近接場光を利用して薄膜３４０の微小開口３３
２により定義されたパターンをレジスト５２０に等倍転
写する。マスク３００は、図１における下側の面が遮光
膜３３０が取り付けられた表面側であり、圧力調製装置
６００の与圧容器６１０の外側に配置されている。

【００３０】マスク支持体３１０は、マスク母材３２０
と遮光膜３３０からなる薄膜３４０を支持し、図１に示
す圧力調製装置６００の与圧容器６１０の底部に固定
（例えば、接着）される。マスク支持体３１０は、与圧
容器６１０の圧力変化に耐圧性と与圧容器６１０の機密
性を維持し、例えば、シリコン、石英、フッ素ドープ石
英、ガラス、蛍石など、露光波長に対し透過率の良好な
部材から構成される。図１においては、紙面に垂直な方
向に６本のマスク支持体３１０が延びているがその本数
は便宜的である。実際、図２（ｂ）においては、９本の
マスク支持体３１０が紙面に垂直な方向に延びている。
また、図２（ａ）を参照するにマスク支持体３１０はパ
ターン部３３１を囲うように格子状に形成されてもよ
い。隣接するマスク支持体３１０は、図２（ｂ）に示す
ように、凹部３５０を画定する。凹部３５０の形状は、
本実施例では四角錐の上部を切断したような形状である
が、マスク支持体３１０の形状、後述するパターン部３
３１の形状に応じて変化することが理解されるであろ
う。凹部３５０は、後述するマスク剥離用当て板４００
の突起４２０を収納する部位である。

【００３１】マスク母材３２０は、Ｓｉ₃Ｎ₄やＳｉＯ₂
等、マスク面法線方向（即ち、厚さ方向）に弾性変形に
よる撓みを生じることが可能な弾性体からなり、かつ、
露光光を透過可能な材料から構成される。マスク母材３
２０は、後述するパターン部３３１の面積に応じて約
０．１〜約１００μｍの厚さを有して遮光膜３３０を保
護するが、本実施例では後述するように約１μｍ程度で
足りる。マスク母材３２０は、隣接するマスク支持体３
１０の間において、そして、後述するパターン部３３１
の上部において、後述する圧力調製装置６００の与圧容
器６１０の内部に配向する。

【００３２】マスク母材３２０は、薄ければ、レジスト
５２０の表面の微細な凹凸やうねりに密着性よく弾性変
形することができるが、薄過ぎると機械的強度が不足し
て密着及び剥離の際に破損する。本実施例では、薄膜３
４０は後述するパターン部３３１の単位で弾性変形する
ので、マスク母材３２０全体で弾性変形するよりも機械
的強度を高めることができる。

【００３３】遮光膜３３０は、マスク母材３２０の上に
約１０乃至１００ｎｍの膜厚で成膜されて遮光性を有す
る金属その他の膜である。遮光膜３３０は、図２（ａ）
に示すように、隣接するマスク支持体３１０の間に矩形
のパターン部３３１を有するため、遮光膜３３０上には
複数のパターン部３３１が存在する。遮光膜３３０は、
パターン部３３１において、所望のパターンを定義して
近接場光が滲み出す予定の微小開口３３２を有する。こ
の結果、薄膜３４０はパターン部３３１の単位で弾性変
形する。即ち、マスク３００に圧力が印加されていない
状態では、図２（ｂ）に示すように、薄膜３４０は平坦
であるが、圧力が印加されると薄膜３４０は、図１に示
すように、パターン部３３１を単位として弾性変形す
る。薄膜３４０が弾性変形してもマスク支持体３１０の
位置は変化しないので、図１に示すように、マスク支持
体３１０の下には空気の逃げ道３６０が形成される。

【００３４】本実施例では、このように、薄膜３４０の
弾性変形可能な面積をパターン部３３１まで小さくして
薄膜３４０の機械的強度を高め、パターン部３３１を複
数配置することによって大面積の露光を可能にしてい
る。機械的強度が高められているのでマスク母材３２０
の厚さも薄くすることができる。微小開口３３２からし
み出す近接場光の強度を上げるためには、遮光膜３３０
を薄くする必要があるが、薄すぎる遮光膜３３０は微小
開口３３２以外からの光漏れを招く。本実施例の遮光膜
３３０の膜厚範囲は良好な近接場と遮光性を維持するの
に好適である。

【００３５】なお、レジスト５２０に密着する側の遮光
膜３３０の表面が平坦でないとレジスト５２０とうまく
密着せずに露光むらを招く。このため、遮光膜３３０の
表面の凹凸の大きさは、少なくとも約１００ｎｍ以下、
望ましくは約１０ｎｍ以下に維持される。

【００３６】微小開口３３２のそれぞれ同一又は異なる
パターンを構成することができるが、図２（ａ）では微
小開口３３２は同一のパターンを定義している。上述し
たように、近接場光を使用する露光はパターンを等倍転
写するので、微小開口３３２のパターンも光源からの光
の波長に比べて小さい約１〜約１００ｎｍに形成されな
ければならない。パターンは、１００ｎｍ以下であれ
ば、任意の形状（例えば、カギ型やＳ字型）を有するこ
とができる。微小開口３３２パターンの幅が約１００ｎ
ｍ以上になると、近接場光ばかりでなく光強度の高い直
接光がマスク３００を透過し、パターンにより光量レベ
ルが大きく異なるために好ましくない。また約１ｎｍ以
下の場合は露光は不可能ではないが、マスク３００から
滲み出す近接場光の強度が極めて小さくなり、露光に長
時間を要するので実用的でない。

【００３７】なお、微小開口３３２から滲み出す近接場
光の強度は、微小開口３３２の大きさによって異なる。
従って、微小開口３３２の大きさがまちまちであるとレ
ジスト５２０に対する露光の程度にばらつきが生じ、均
一なパターン形成が困難になる。かかる均一性の問題を
避けるためには、一回の近接場光の露光プロセスで用い
るマスク３００上の微小開口３３２パターンの幅を揃え
ることが好ましい。

【００３８】薄膜３４０は必ずしも微小開口３３２を有
しなくてもよい。例えば、図１０を参照して後述される
ように、薄膜３４０に光又は熱によって可逆的に微小開
口を生じる光学的又は熱的な活性層であって相変化材料
又は３次の非線形効果が大きい材料からなるものを使用
してもよい。かかる材料には、例えば、アンチモン又は
それを主成分とする合金が好適である。但し、その場合
には別にパターンを定義するマスク又はレチクルが必要
である。

【００３９】マスク剥離用当て板４００は、マスク３０
０の薄膜３４０をプレート５００から剥離する際に使用
され、図３に示すように、支持部４１０と突起４２０と
を有する。ここで、図３（ａ）はマスク剥離用当て板４
００の概略斜視図であり、図３（ｂ）はマスク剥離用当
て板４００の概略断面図である。

【００４０】支持部４１０は、突起４２０を支持すると
共に、図１に示すように、当て板駆動装置７００のピニ
オン７４０に２箇所に接続されている。なお、図３で
は、支持部４１０とピニオン７４０との接続部は図示が
省略されている。支持部４１０は、マスク３００に対応
した円盤形状を有し、本実施例では光を透過するガラス
等の材料から形成されている。但し、支持部４１０が光
透過性を有するかどうかは選択的であり、光を透過しな
い場合には露光時にマスク３００上から移動され、薄膜
３４０の剥離時に後述する駆動装置７００によってマス
ク上３００に位置決めされることになる。また、光を透
過する場合であっても当て板４００による露光光の吸収
によるパワーの減少を避けるために当て板４００を露光
時にマスク３００上から除去してもよい。支持部４１０
は、露光時にマスク３００上から除去されるのであれば
その厚さは問題にならないが、除去されないのであれば
露光時の光吸収とそれによる熱変形を防止するために所
定の機械的強度を満足できる限りなるべく薄く形成され
ることが好ましい。

【００４１】突起４２０は、薄膜３４０がレジスト５２
０と剥離する際に、薄膜３４０の図１の上方向の弾性変
形を、薄膜３４０と接触することによって規制する。突
起４２０は、図１に示すパターン部３３１の数だけ設け
られ、パターン部３３１とほぼ同じ面積を有し、パター
ン部３３１と同様の配列で整列する。従って、例えば、
薄膜３４０がパターン部３３１毎に分割されておらずそ
の全面でレジスト５２０と密着する構成であれば突起４
２０の数は一つであってもよい。突起４２０は、四角錐
の上部を切断した形状を有するが、これは凹部３５０に
適合するためであり、上述したように凹部３５０の形状
に適合する任意の形状を有することができる。

【００４２】上述したように、薄膜３４０は、パターン
部３３１の単位で弾性変形するために、薄膜３４０全体
として弾性変形するよりは機械的強度が高められてい
る。しかし、本発明者らは、このようにして高められた
機械的強度も密着と剥離を安定して繰り返すには不十分
であることを発見した。

【００４３】以下、当て板４００がない場合の薄膜３４
０の剥離を図７を参照して説明する。ここで、図７は、
当て板４００がない場合にプレート５００から剥離する
薄膜３４０を説明するための概略断面図である。同図に
示すように、パターン部３３１の単位で薄膜３４０がプ
レート５００から剥離する際には、完全に密着している
部分３４１を有する薄膜部３４０ａ、密着部３４２と剥
離部３４３を有する剥離中の薄膜部３４０ｂ、完全に剥
離した薄膜部３４０ｃが存在する。密着部３４１及び３
４２を有する薄膜部３４０ａ及び３４０ｂを剥離するた
めの力が既に剥離している薄膜部３４０ｃに印加される
と薄膜部３４０ｃが弾性変形の範囲を超えて破損する可
能性がある。また、薄膜３４０ｂは、レジスト５２０と
の密着の強い部分３４２を残しながらその周辺部３４３
から剥離する。そのため密着部３４２の密着力に抗して
剥離を行う力が周辺部３４３に印加され、薄膜３４０ｂ
が破損する可能性もある。薄膜３４０の破損は、露光工
程中にマスク３００の交換をもたらしてスループットの
低下と製品のコストアップにつながる。

【００４４】突起４２０は、薄膜３４０と接触し、薄膜
３４０がレジスト５２０と剥離する方向の弾性変形を規
制し、薄膜３４０がそれ以上剥離方向に弾性変形の範囲
を超えて変形して破損することを防止する。突起４２０
が薄膜３４０の弾性変形を規制するためには突起４２０
とパターン部３３１との位置合わせと間隔設定が必要と
なる。かかる位置合わせ及び間隔設定（即ち、位置決
め）は後述する駆動装置７００の制御部７１０によって
制御される。本実施例では、突起４２０は凹部３５０と
略同じ深さを有し、図２（ｂ）に示す平坦になった薄膜
３４０にほぼ接触するようにマスク３００の凹部３５０
に挿入される。

【００４５】上述したように、薄膜３４０はパターン部
３３１の単位で変形するため、全体として変形するより
も機械的強度が高まっている。このように弾性変形する
領域を狭めれば薄膜３４０の機械的強度は高まるので、
本発明に適用可能な突起４２０はパターン部３３１をほ
ぼ全面的にカバーする必要はなく、図３（ｃ）に示すよ
うに、支持部４１０から突出し、パターン部３３１の一
部を覆うロッド４３０であってもよい。なぜなら、ロッ
ド４３０に薄膜４３０が接触すると変形の単位はロッド
４３０によりパターン部３３１よりも更に小さくなり機
械的強度が高まるからである。ここで、図３（ｃ）は図
３（ｂ）に示す当て板４００の変形例の部分断面図であ
る。ロッド４３０の形状は、円筒、三角柱、四角柱など
限定されない。

【００４６】本実施例では、当て板４００は突起４２０
を有するが、これはマスク３００が、図２（ｂ）に示す
ように、薄膜３４０において断面凹状であるからであ
り、本発明は薄膜３４０の弾性変形を規制するのに必ず
しも突起４２０を要求しない。例えば、マスク３００が
平坦であれば突起４２０は不要となることが理解される
であろう。

【００４７】突起４２０は、本実施例では、支持部４１
０に一体的に形成されているが、支持部４１０と別部材
であってもよい。本実施例の突起４２０も透光性を有す
るが、支持部４１０と同様にこれは選択的である。

【００４８】本実施例の突起４２０は、薄膜３４０と接
触する部位において溝４２２を有する。溝４２２は、突
起４２０の薄膜３４０との接触面積を減らし、薄膜３４
０が突起４２０に密着して剥がれないことを防止するの
に効果的である。また、溝４２２は、仮に薄膜３４０が
突起４２０に接触しても後述する与圧容器６１０に圧力
調整手段６３０から高圧ガスが導入されれば、ガスの通
路を形成して薄膜３４０を突起４２０から分離するのに
効果的である。溝４２２は、任意の数、深さ、形状、配
置を有することができる。代替的に、溝４２２の代わり
に当て板４００表面に後述の吸着防止用の薄膜を設けて
もよいし、突起４２０に溝４２２を形成した上に吸着防
止薄膜を成膜してもよい。

【００４９】プレート５００は、ウェハなどの基板５１
０とそれに塗布されたフォトレジスト５２０から構成さ
れ、ステージ５５０上に取り付けられている。レジスト
５２０の塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理
と、レジスト５２０の塗布処理と、プリベーク処理とを
含む。前処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗
布処理は、フォトレジスト５２０と基板５１０との密着
性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布によ
る疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈ
ｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又
は蒸気処理する。プリベークはベーキング（焼成）工程
であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去
する。

【００５０】基板５１０はＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の
半導体基板や、ガラス、石英、ＢＮ等の絶縁性基板、又
は、これらの基板上に金属、酸化物、窒化物等を成膜し
たものなど、広い範囲のものを使用することができる。
但し、マスク３００と露光領域全域にわたって望ましく
は１０ｎｍ以下、少なくとも１００ｎｍ以下の間隔にな
るよう密着されることが必要であるため、基板５１０に
はなるべく平坦なものを選択する必要がある。

【００５１】同様に、レジスト５２０の形状も表面の凹
凸が小さく平坦である必要がある。薄膜３４０からしみ
出した近接場光の強度はマスク３００から遠ざかるにつ
れ指数関数的に減少するため、レジスト５２０を１００
ｎｍ以上の深いところまで露光することが困難である。
また、近接場光はレジスト５２０の中で散乱されるよう
に広がるため、露光パターン幅が広がることを考慮する
と、レジスト５２０の厚さは少なくとも約１００ｎｍ以
下でできるだけ薄くする必要がある。

【００５２】以上から、レジスト５２０の材料及びコー
ティング方法は、膜厚及びレジスト５２０表面の凹凸が
望ましくは約１０ｎｍ以下、少なくとも約１００ｎｍ以
下となるように選択される必要がある。例えば、汎用光
レジスト材料をなるべく粘性が低くなる溶媒に溶かし、
スピンコートで薄く、かつ、均一な厚さになるようにコ
ーティングする方法をあげることができる。他の光レジ
スト材料及びコーティング法の例として、一分子中に疎
水基、親水基、官能基を有する両親媒性光レジスト材料
分子を水面上に並べた単分子膜を所定の回数、基板上に
すくいとって、基板上に単分子膜の累積膜を形成するラ
ングミュアー・ブロジェット法（ＬＢ法）を挙げること
もできる。更には、溶媒中や気相中で基板に対して一分
子層だけで物理吸着又は化学結合することにより、基板
上に光レジスト材料の単分子膜を形成する自己配向単分
子膜形成法（ＳＡＭ法）を用いてもよい。ＬＢ法やＳＡ
Ｍ法は極めて薄いレジスト膜を均一な厚さで平坦性よく
形成することができるために好適である。

【００５３】選択的に、遮光膜３３０の上部に遮光膜３
３０の全面を覆うように吸着防止用の薄膜を厚さ約１乃
至１０ｎｍとなるように形成し、レジスト５２０の上部
にレジスト５２０の全面を覆うように別の吸着防止用の
薄膜を厚さ約１乃至１０ｎｍとなるように形成し、これ
らの吸着防止薄膜の表面を、親水性及び疎水性の親和性
に関して互いに異なる性質のものとなるように構成して
もよい。例えば、一方の吸着防止薄膜の表面が親水性を
示す場合、他方の吸着防止薄膜の表面は疎水性を示す材
料を選択する。一般に表面が疎水性を示す材料として
は、分子中に疎水性を示す官能基である一本以上の長鎖
アルキル基やトリフルオロ基等を有する材料をそれらの
官能基が表面側にくるような状態に分子の配向を制御し
て成膜すればよい。また、ポリメタクリレート誘導体や
ポリアクリレート誘導体等の水に不溶性の高分子化合物
を成膜しても良い。逆に、一方の吸着防止薄膜の表面が
疎水性を示す場合、他方の吸着防止薄膜の表面は親水性
を示す材料を選択する。一般に表面が親水性を示す材料
としては、分子中に親水性を示す官能基であるカルボキ
シル基や硫酸基（ＳＯ₃ −）、アミノ基を有する材料を
それらの官能基が表面側にくるような状態に分子の配向
を制御して成膜すればよい。両層は分子レベルで水素結
合などの結合力が発生しないので互いになじむことなく
大きな吸着力は発生しない。従って、密着させた薄膜３
４０とレジスト５２０を剥離する際に、両吸着防止薄膜
の間で容易に剥離させられる。

【００５４】代替的に、遮光膜３３０の表面自身の親水
性及び疎水性の親和性を利用することもできる。即ち、
遮光膜３３０にＡｕやＰｔ等の表面に酸化膜を作らない
材料を選択すると、遮光膜３３０の表面は酸化膜を作る
金属材料の場合と異なり親水性になりにくく疎水性を示
す。このため、レジスト５２０側の吸着防止薄膜の表面
が親水性を示す場合、遮光膜３３０の上側に吸着防止薄
膜を成膜することなく、そのまま使用することができ
る。また、遮光膜３３０にＣｒやＡｌ等の大気中で表面
に酸化膜を作る材料を選択すると遮光膜３３０の表面は
親水性を示す。このため、レジスト５２０側の吸着防止
薄膜の表面が疎水性を示す場合、金属薄膜３０２の上側
に吸着防止薄膜を成膜することなく、そのまま使用する
ことができる。

【００５５】近接場光を使用する露光では露光時、露光
領域全面に亘ってマスク３００とレジスト５２０／基板
５１０の間隔を少なくとも約１００ｎｍ以下に、均一に
維持する必要がある。このため基板５１０は、他のリソ
グラフィープロセスを経て既にその上に１００ｎｍ以上
の凹凸パターンが形成されているものは好ましくない。
従って、他のプロセスをあまり経ていない、例えば、プ
ロセスの初期段階のできるだけ平坦な基板５１０が望ま
しい。近接場光の露光プロセスを他のリソグラフィープ
ロセスと組み合わせる場合も近接場光の露光プロセスは
できるだけ初めに行なうことが望ましい。

【００５６】レジスト５２０とマスク３００は、露光時
には、近接場光が働く距離の範囲内、本実施例では０乃
至光源部１００から出射される露光光の波長以下、に密
着される。通常、露光光の波長より小さい開口３３２を
露光光が透過することはないが、開口３３２からは近接
場光がしみ出している。近接場光は、開口３３２から約
１００ｎｍの距離以下の近傍にのみ存在する非伝搬光で
あり、開口３３２から離れるとその強度が急激に減少す
る。そこで、近接場光がしみ出す微小開口３３２とレジ
スト５２０とを相対的に約１００ｎｍ以下の距離にまで
近づける。例えば、光源部１００の光源に波長約２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを使用する場合、マスク
３００とプレート５００との距離は波長の半分の約１２
４ｎｍ以下に設定することが好ましい。同様に、光源部
１００の光源に波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレー
ザーを使用する場合、マスク３００とプレート５００と
の距離は波長の半分の約１００ｎｍ以下に設定すること
が好ましい。

【００５７】ステージ５５０は図示しない外部装置によ
り駆動されて、プレート５００をマスク３００に対して
２次元的かつ相対的に位置合わせすると共にプレート５
００を図１において上下移動する。本実施例のステージ
５５０はプレート５００を図示しない着脱位置と図１に
示す露光位置との間で移動する。着脱位置において露光
前に新しいプレート５００がステージ５５０に装着され
ると共に露光後のプレート５００が取り外される。

【００５８】圧力調整装置６００は、マスク３００とプ
レート５００、より特定的には、薄膜３４０とレジスト
５２０との良好な密着及び分離を容易にしている。マス
ク３００の表面とレジスト５２０の表面がともに完全に
平坦であれば、両者を接触することによって全面に亘っ
て両者を密着させることができる。しかし実際には、マ
スク３００の表面やレジスト５２０／基板５１０の表面
には凹凸やうねりが存在するので、両者を近づけて接触
するだけでは密着部分と非密着部分が混在することにな
ってしまう。非密着部分ではマスク３００とプレート５
００とは近接場光が働く距離の範囲内に配置されていな
いため、これでは露光むらが生じる。そこで、本実施例
は圧力調整装置６００を介して薄膜３４０の裏面から表
面側に圧力を印加し、薄膜３４０を弾性変形させてレジ
スト５２０へ押し付けることにより、両者を全面に亘っ
て密着させている。また、マスク３００をプレート５０
０から剥離する際はこれと逆の圧力印加を行う。

【００５９】圧力調整装置６００は、与圧容器６１０
と、ガラスなどから構成される光透過窓６２０と、圧力
調整手段６３０と、圧力調節弁６４０とを有する。与圧
容器６１０は光透過窓６２０とマスク３００と圧力調節
弁６４０によって機密性が維持される。与圧容器６１０
は圧力調節弁６４０を通して圧力調節手段６３０に接続
され、与圧容器６１０内の圧力を調整することができる
ように構成されている。圧力調整手段６３０は、例え
ば、高圧ガスポンプからなり、圧力調節弁６４０を介し
て与圧容器６１０内の圧力を上げることができる。ま
た、圧力調整手段６３０は、図示しない排気ポンプも含
み、図示しない圧力調節弁を介して与圧容器６１０内の
圧力を下げることができる。

【００６０】薄膜３４０とレジスト５２０との密着は、
与圧容器６１０内の圧力を調整することによって調整さ
れる。マスク３００面やレジスト５２０／基板５１０面
の凹凸やうねりがやや大きいときには与圧容器６１０内
の圧力を高めに設定して密着力を増大させ、凹凸やうね
りによるマスク３００面とレジスト５２０／基板５１０
面との間隔ばらつきをなくすことができる。

【００６１】代替的に、マスク３００の表面側及びレジ
スト５２０／基板５１０側を減圧容器６１０内に配置し
てもよい。この場合には、減圧容器内より高い外気圧と
の圧力差によりマスク３００の裏面側から表面側に圧力
がかかり、マスク３００とレジスト５２０との密着性を
高めることができる。いずれにしても、マスク３００の
表面側よりも裏面側が高い圧力となるように圧力差が設
けられる。マスク３００面やレジスト５２０／基板５１
０面の凹凸やうねりがやや大きいときには、減圧容器内
の圧力を低めに設定して密着力を増大させ、マスク面と
レジスト／基板面の間隔ばらつきをなくすことができ
る。

【００６２】更に他の代替的な実施例においては、与圧
容器６１０の内部を露光光ＥＬに対して透明な液体で満
たし、図示しないシリンダーを用いて与圧容器６１０の
内部の液体の圧力を調整するようにしてもよい。

【００６３】更に代替的な実施例においては、不図示の
静電力発生手段を使用してマスク３００とプレート５０
０との着脱を制御することができる。静電力発生手段
は、例えば、マスク３００とプレート５００との間に電
圧を印加し、両者の間に静電力を発生させる。静電力が
マスク３００とプレート５００とを密着させる。マスク
３００とプレート５００との間の密着力の調節は、印加
電圧の値の制御によって行なうことができる。なお、か
かる静電力発生手段は、マスク３００と当て板４００に
も適用して、薄膜３４０の突起４２０への密着を防止す
るのに使用することができる。

【００６４】当て板駆動装置７００は、当て板４００を
マスク３００に対して位置決め（即ち、所定の距離で位
置合わせ）する。なお、本実施例では、当て板４００は
光を透過する材料から構成されていて露光時もマスク３
００上に存在しているが、当て板４００が露光光を透過
しない場合やその他の場合には当て板４００をマスク上
３００から移動する機構が設けられる。但し、かかる機
構には当業界で周知のいかなる構成をも使用することが
できるので、ここでは詳しい説明は省略する。

【００６５】図１に示すように、駆動装置７００は、例
示的に、制御部７１０と、駆動部７２０と、ラック７３
０と、ピニオン７４０とを有する。ラック７３０は、図
１における上下方向に沿って与圧容器６１０の内壁に固
定される。ピニオン７４０は、当て板４００の支持部４
１０に固定されており、ラック７３０に嵌合している。
この結果、支持部４１０はラック７３０及びピニオン７
４０を介して与圧装置６１０内を上下移動することがで
きる。当て板４００は常にマスク３００上に配置されて
いるのであるから、駆動装置７００は、マスク３００を
与圧容器６１０の底面に取り付けた後に原則として一度
だけ当て板４００をマスク３００に対して位置決めをす
れば足りる。駆動部７２０は、ピニオン７３０を駆動す
る図示しないモータと、モータ軸を介してモータからの
動力をピニオン７３０に伝達する図示しない伝達機構と
を含んでいる。制御部７１０は、図示しない電源からモ
ータへの通電を制御することによってピニオン７３０の
位置を制御する。マスク３００を取り付けた後に当て板
４００を図１の紙面に垂直な平面上で回転させて突起４
２０と凹部３５０の位置合わせをする必要があれば、当
て板４００を図１の紙面に垂直な平面上で回転させる回
転機構を更に含むことになる。かかる機構には当業界で
周知のいかなる機構をも使用することができるので、こ
こでは詳しい説明は省略する。制御部７１０は、マスク
３００と当て板４００との間の必要な位置合わせ制御と
間隔制御を行う。制御部７１０による制御法として、マ
スク３００と当て板４００の位置合せは、例えば位置検
出用マークを用いた各種の周知のアライメント法を用
い、間隔制御は例えばレーザ干渉計を用いてマスク３０
０の裏面からの反射と当て板４００の表面からの反射の
干渉から距離測定してもよい。別の方法では、マスク３
００の裏面と当て板４００の表面に電極を設けて、その
間の静電容量を計測しそれを距離制御にもちいてもよ
い。さらにまた別の距離制御方法で位置決めを行っても
良い。制御部７１０は、露光装置１の図示しない制御部
が兼ねてもよい。

【００６６】露光に際しては、ステージ５５０がプレー
ト５００をマスク３００に対して２次元的にかつ相対的
に位置合わせする。位置合わせが完了すると、マスク３
００の表面側とレジスト５２０の表面の間隔がレジスト
５２０の全面に亘って、薄膜３４０が弾性変形すれば１
００ｎｍ以下となって密着する範囲まで、ステージ５５
０はプレート５００をマスク面の法線方向に沿って駆動
する。

【００６７】次いで、マスク３００とプレート５００と
が密着される。具体的には、圧力調節弁６４０が開口し
て圧力調整手段６３０が高圧ガスを与圧容器６１０に導
入して与圧容器６１０の内部圧力を上げた後に圧力調節
弁６４０が閉口する。与圧容器６１０の内部圧力が高め
られると薄膜３４０が弾性変形してレジスト５２０に押
し付けられる。この結果、薄膜３４０が、レジスト５２
０に対して近接場光が働く範囲内で、全面に亘って均一
な圧力で、密着する。このような方法で圧力の印加を行
うと、パスカルの原理により、薄膜３４０とレジスト５
２０との間に作用する斥力が均一になり、薄膜３４０や
レジスト５２０に局所的に大きな力が加わったりするこ
とがなく、マスク３００やプレート５００が局所的に破
損することがなくなる。

【００６８】上述したように、薄膜３４０はパターン部
３３１の単位で撓んでレジスト５２０に密着し、マスク
支持部３１０の下の薄膜３４０は撓まずに空気の逃げ道
３６０を形成する。空気の逃げ道３６０により、薄膜３
４０とプレート５００との間に空気が残らず、薄膜３４
０はパターン部３３１単位でむらなくレジスト５２０に
密着する。また、本実施例の薄膜３４０は、それが全面
的にレジスト５２０と密着する場合に比べて、レジスト
５２０との密着面積及び密着力が小さいため、剥離に必
要な力も小さくて済み、剥離が容易である。また、パタ
ーン部３３１単位に分割された薄膜３４０は機械的強度
が強くなり、密着及び剥離時の破損頻度が減少する。

【００６９】この状態で露光がなされる。即ち、光源部
１００から出射されてコリメータレンズ２００により平
行にされた露光光が、ガラス窓６２０を通して与圧容器
６１０内に導入される。導入された光は、当て板４００
を経て、与圧容器６１０内に配置されたマスク３００を
裏面側から表面側に、即ち、図１における上側から下側
に透過し、薄膜３４０の微小開口３３２によって定義さ
れたパターンから滲み出す近接場光になる。近接場光は
レジスト５２０中で散乱し、レジスト５２０を露光す
る。レジスト５２０の膜厚が十分薄ければレジスト５２
０中の近接場光の散乱もあまり広がらず、露光光の波長
より小さい微小開口３３２に応じたパターンをレジスト
５２０に転写することができる。

【００７０】露光後、図示しない弁を開き、圧力調整手
段６３０の図示しない排気ポンプから与圧容器６１０内
部を排気して与圧容器６０の圧力を下げ、薄膜３４０を
レジスト５２０から弾性変形により分離（又は剥離）す
る。このような方法で減圧を行うと、パスカルの原理に
より、薄膜３４０とレジスト５２０との間に作用する斥
力が均一になり、薄膜３４０やレジスト５２０に局所的
に大きな力が加わったりすることがなく、マスク３００
やプレート５００が局所的に破損することがなくなる。

【００７１】以下、薄膜３４０の剥離の詳細を、図４を
参照して説明する。ここで、図４は、当て板４００を利
用して薄膜３４０をレジスト５２０から剥離する場合を
説明するための概略断面図である。図７と同様に、パタ
ーン部３３１の単位で薄膜３４０がプレート５００から
剥離する場合、完全に密着している部分３４５を有する
薄膜部３４０ｄ、密着部３４６と剥離部３４７を有する
剥離中の薄膜部３４０ｅ、完全に剥離した薄膜部３４０
ｆが存在する。この場合、密着部３４５及び３４６を有
する薄膜部３４０ｄ及び３４０ｅを剥離するための力が
既に剥離している薄膜部３４０ｆに印加されても、突起
４２０が薄膜部３４０ｆの剥離方向の変形を規制して弾
性変形を超える変形による破損から保護している。ま
た、薄膜部３４０ｅは、レジスト５２０との密着の強い
部分３４６を残しながらその周辺部３４７から剥離す
る。しかし、密着部３４６の密着力に抗して剥離を行う
力が剥離部３４７に更に加わっても突起４２０が剥離部
３４７の剥離方向のそれ以上の変形を防止して同様に破
損から保護する。当て板４００は薄膜３４０の破損を防
止するので、露光工程中にマスク３４０の交換工程を追
加する必要はなく、所望のスループットの維持と交換に
伴うコストアップを防止することができる。

【００７２】その後、プレート５００はステージ５５０
によって着脱位置に移動されて新しいプレート５００に
交換されて、同様なプロセスが繰り返される。突起４２
０に溝４２２が設けられている場合、薄膜３４０をプレ
ート５００に密着させるための圧力調整手段７３０から
供給される高圧ガスが溝４２２に導入されて容易に薄膜
３４０を突起４２０から分離する。

【００７３】次に、図５及び図６を参照して、上述の露
光装置１を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チ
ップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフロ
ーチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例
に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイスの回
路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計し
た回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ
３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェ
ハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程
と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術に
よってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を
行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。

【００７４】図６は、ステップ４のウェハプロセスの詳
細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では
ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
は、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３
（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）で
は、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハ
に露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成さ
れる。本実施例の製造方法によれば従来よりも高品位の
デバイスを製造することができる。

【００７５】

【実施例】実施例１ 以下、露光装置１が一括して複数の同一パターンを転写
する場合について説明する。マスク３００を作成する場
合、マスク支持体３１０にシリコンウェハを選択し、シ
リコン上にＳｉ₃Ｎ₄を１μｍだけ成膜してマスク母材３
２０を形成した。次いで、マスク母材３２０上に遮光膜
３３０となるＣｒを６０ｎｍだけ蒸着法により成膜し
た。遮光膜３３０に露光光の波長以下の微小開口３３２
（開口径〜１００ｎｍ）を所望のパターンで電子線リソ
グラフィー法により形成した。即ち、電子線レジストを
Ｃｒ膜表面に塗布して電子線レジストに電子線ビームで
パターンを形成した。パターンを形成後、ＣＣｌ₄でド
ライエッチングを行い、Ｃｒ膜に微小開口３３２を形成
した。本実施例の複数のマスクパターンは全て同一のも
のとした。次に、遮光膜３３２とは反対の面に、マスク
３００を作製したい部分に２６ｍｍ×２６ｍｍの大きさ
でパターニングを施し、その部分のＳｉ₃Ｎ₄をＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）を行って
除去する。残ったＳｉ₃Ｎ₄をマスクとし、ＫＯＨ水溶液
でシリコンをエッチングしてマスク３００の部分のシリ
コンのみを取り除く。以上のようなプロセスによってシ
リコンウェハに支持されたマスク３００を作製した。

【００７６】本実施例ではマスク母材３２０にＳｉ₃Ｎ₄
を、遮光膜３３０にＣｒを使用したが、本発明は特定の
材料に限るものではない。マスク母材３２０は露光光が
透過する材料から構成されて薄膜３４０に十分な機械的
強度を与えることが好ましく、遮光膜３３０は、プレー
ト５００に影響を与えず、かつ、露光光が透過しない材
料から構成され、十分に光が減衰する膜厚であることが
望ましい。

【００７７】以上のように作製したマスク３００を、図
１に示す露光装置１に取り付ける。被露光物であるレジ
スト５２０とマスク３００を密着するために、マスク３
００とプレート５００とをアライメントする。その後、
圧力調整手段６３０から圧縮空気を導入して与圧容器６
１０の内部圧力を２５ｋＰａに維持し、マスク３００の
表面と裏面との間に圧力差を設ける。そして、薄膜３４
０を撓ませてレジスト５２０に均一に約１００ｎｍ以下
に密着させる。各パターン部３３１は同一パターンを有
するため、近接場光を利用してレジスト５２０の全面に
同一のパターンを露光むらなく一括露光することができ
た。

【００７８】マスク剥離用の当て板４００はシリコンウ
ェハを基板として作製した。当て板４００の突起４２０
をマスク３００の凹部３５０に位置合わせするためにマ
スク３００と同一周期で作製した。シリコン上にＳｉ₃
Ｎ₄を０．３μｍだけ成膜した。Ｓｉ₃Ｎ₄はシリコンの
異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして使
用した。成膜したＳｉ₃Ｎ₄にマスク３００よりも約１０
０μｍ大きいパターニングを施して、矩形状のＳｉ₃Ｎ₄
を残した。その後、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチ
ングを行い、Ｓｉ₃Ｎ₄でマスクされた部分を残し突起４
２０を形成するようにエッチング時間を調整した。エッ
チングの際に、サイドエッチングされてエッチマスクよ
りも小さな平面が突起上部として残った。結果としてそ
の平面部は、凹部３５０よりも小さく、凹部３５０に嵌
合することができた。更に、突起４２０に薄膜３４０が
密着することを防止するために突起４０２の表面に電子
線リソグラフィーを施して溝４２２を形成した。

【００７９】剥離時には、与圧容器６１０の内部圧力を
圧力調整手段６３０を通じて下げて薄膜３４０をレジス
ト５２０から剥離した。剥離用当て板４００により薄膜
３４０が剥離時に破損することはなかった。本実施例に
よれば、薄膜３４０が部分的に剥離した後も、全てのパ
ターン部３３１に相当する部分の薄膜３４０が剥離する
間に余分な力が既に剥離した薄膜３４０に加わらず、薄
膜３４０が破損せずにレジスト５２０から剥離した。

【００８０】本実施例では、光源部１００の光源に紫外
線波長４３６ｎｍ及び３６５ｎｍを強い強度で照射する
水銀ランプを使用した。また、レジスト５２０は、ｇ線
（波長４３６ｎｍ）に感光帯域を持つ汎用のレジストを
使用した。

【００８１】実施例２ 実施例１と同一のマスク３００及び当て板４００を図８
に示す露光装置１Ａに搭載して実施例１と同様の方法で
レジスト５２０に密着した。ここで、図８は、露光装置
１の変形例としての露光装置１Ａの概略断面図である。
薄膜３４０はパターン部３３１の単位で撓んでレジスト
５２０に密着し、マスク支持部３１０の下の薄膜３４０
は撓まずに空気の逃げ道３６０を形成する。空気の逃げ
道３６０により、薄膜３４０とプレート５００との間に
空気が残ることなく、かつ、薄膜３４０をパターン部３
３１単位でむらなくレジスト５２０に密着させることが
できる。また、本実施例の薄膜３４０はパターン部３３
１単位でレジスト５２０に密着し、薄膜３４０が全面的
にレジスト５２０と密着する場合に比べて、レジスト５
２０との密着面積及び密着力が小さく、剥離が容易であ
る。また、パターン部３３１単位に分割された薄膜３４
０は機械的強度が強くなり、密着及び剥離時の破損頻度
が減少する。

【００８２】露光装置１Ａは、マスクパターンを一括露
光する露光装置１とは異なり、部分的に露光するために
光源部１００の代わりに光源部１１０及び駆動装置１５
０を使用し、コリメータレンズ２００の代わりにそれよ
りも径の小さいコリメータレンズ２１０を使用してい
る。光源部１１０とコリメータレンズ２１０は、駆動装
置１５０により２次元的に移動する。本実施例では、光
源部１１０は、光源に波長４４２ｎｍのＨｅ−Ｃｄレー
ザーを使用し、コリメータレンズ２１０は、一のパター
ン部３３１をほぼカバーする直径４０ｍｍを有する。

【００８３】露光において、光源部１１０から出射され
たレーザー光はコリメータレンズ２１０により平行光と
しての露光光ＥＬに変換され、一のパターン部３３１に
のみに照射された。露光光ＥＬはマスク３００の微小開
口３２２によって近接場光をもたらし、近接場光はレジ
スト５２０に露光した。その後、駆動装置１５０が光源
部１１０及びコリメータレンズ２１０を次に露光を行う
パターン部３３１上に移動した。移動後、先と同様に露
光を行い、その後、また別の場所に移動することを繰り
返し、プレート５００の全面に亘ってマスクパターンを
露光むらなく露光することができた。

【００８４】剥離時には、与圧容器６１０の内部圧力を
圧力調整手段６３０を通じて下げて薄膜３４０をレジス
ト５２０から剥離した。剥離用当て板４００により薄膜
３４０が剥離時に破損することはなかった。本実施例に
よれば、薄膜３４０が部分的に剥離した後も、全てのパ
ターン部３３１に相当する部分の薄膜３４０が剥離する
間に余分な力が既に剥離した薄膜３４０に加わらず、薄
膜３４０が破損せずにレジスト５２０から剥離した。

【００８５】実施例３ 図８に示す露光装置１Ａを使用してステップアンドリピ
ート露光方式で大面積露光を行った。この場合、パター
ン部３３１Ａの大きさに分割された所望の（例えば、回
路）パターン３０をマスクパターンとして図９に示すよ
うなマスク３００Ａを作製し、図８に示すマスク３００
と置換した。ここで、図９は、図２に示すマスク３００
と開口パターン部が異なるパターンの平面図（図９
（ａ））と、かかるパターンを分割した様子を示す平面
図（図９（ｂ））と、かかる分割されたパターンが各パ
ターン部３３１Ａに配置されたマスク３００Ａの概略平
面図（図９（ｃ））である。図９（ａ）に黒く描画され
た露光したい所望のパターン３０は面積が広く、一のパ
ターン部３３１Ａには収まりきらない。このため、複数
の境界線３２を使用して、かかるパターン３０を、パタ
ーン部３３１Ａに収納可能な複数の（ここでは９つの）
領域３４ａ乃至３４ｉに分割する。次いで、図９（ｂ）
に示すように、領域３４ａ乃至３４ｉを分離して分割さ
れたパターン部３６ａ乃至３６ｉを形成する。これらの
分割されたパターン部３６ａ乃至３６ｉを同一マスク３
００上のパターン部３３１Ａに配置してマスクパターン
とし、これに適合する微小開口３３２Ａを形成して、図
９（ｃ）に示すマスク３００Ａを作成する。このように
マスク３００Ａは、ある所望の大面積のパターンを適当
な大きさに分割して各パターン部３３１Ａに配置したマ
スクである。

【００８６】本実施例では、分割されたパターン部３６
ａ乃至３６ｉの各々の大きさを１０ｍｍ×１０ｍｍに、
隣接するパターン部３３１の間隔を５ｍｍに設定した。
このマスク３００Ａを実施例２と同様に図８に示す露光
装置１Ａに組み込んでステップアンドリピート露光方式
で露光を行った。

【００８７】薄膜３４０Ａ（図示せず）はパターン部３
３１Ａの単位で撓んでレジスト５２０に密着し、マスク
支持部３１０の下の薄膜３４０Ａは撓まずに空気の逃げ
道３６０を形成する。空気の逃げ道３６０により、薄膜
３４０Ａとプレート５００との間に空気が残ることな
く、かつ、薄膜３４０Ａをパターン部３３１Ａ単位でむ
らなくレジスト５２０に密着させることができる。ま
た、本実施例の薄膜３４０Ａはパターン部３３１Ａ単位
でレジスト５２０に密着し、薄膜３４０Ａが全面的にレ
ジスト５２０と密着する場合に比べて、レジスト５２０
との密着面積及び密着力が小さく、剥離が容易である。

【００８８】露光において、光源部１１０及びコリメー
タレンズ２１０は、露光光ＥＬを一つのパターン部３３
１Ａのみに照射して一の分割されたマスクパターンのみ
を露光する。その後、与圧容器６１０の内部圧力を圧力
調整手段６３０を通じて下げて薄膜３４０Ａをレジスト
５２０から剥離した。剥離用当て板４００により薄膜３
４０Ａが剥離時に破損することはなかった。本実施例に
よれば、薄膜３４０Ａが部分的に剥離した後も、全ての
パターン部３３１Ａに相当する部分の薄膜３４０Ａが剥
離する間に余分な力が既に剥離した薄膜３４０Ａに加わ
らず、薄膜３４０Ａが破損せずにレジスト５２０から剥
離した。

【００８９】次いで、ステージ５５０がプレート５００
を隣接するパターン部３３１Ａの間隔である５ｍｍだけ
移動させる。先に露光した場所に隣接して次に露光を行
うパターン部３３１Ａのアライメントを施し、再び、薄
膜３４０Ａをレジスト５２０に密着させて露光する。こ
の操作を合計９回繰り返し、９つのパターン部３３１Ａ
を図９（ａ）のように完全につなぎ合わせ、一つのパタ
ーンとしてレジスト５２０に露光することができた。本
実施例によれば、このように、パターン部３３１に分割
されたマスク３００を使用して大面積のパターンの露光
を行うことができた。薄膜３４０Ａはパターン部３３１
Ａ毎に弾性変形するので機械的強度が高められており、
大面積のマスクを用いる場合よりも、マスクの破損頻度
が減少する。このため、本実施例の露光装置は、大面積
マスクを用いる場合よりも、所望のスループットを維持
して大面積の微細なパターンの露光を安定して行うこと
ができた。

【００９０】実施例４ 本実施例は、図１０に示すように、光を照射することで
透過率の変化する膜を有する透明基板（又はマスク）８
００を使用する。ここで、図１０は、透明基板８００の
概略斜視図（図１０（Ａ））と概略断面図（図１０
（ｂ））である。なお、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）
における支持体８１０の本数は便宜的である。透明基板
８００は、支持体８１０と、母材８２０と、透過率変化
膜８３０と、保護膜８４０とを有する。支持体８１０は
マスク支持体３１０と同様の構造を有し、母材８２０は
マスク母材３２０と同様の構造を有するため、ここでは
説明を省略する。なお、隣接する支持部８１０は凹部３
５０に対応する凹部８７０を画定する。透明基板８００
は、図１１を参照して後述されるように、パターンをレ
ジスト５２０に転写するが、その上にはパターンが直接
形成されない点でマスク３００とは異なる。

【００９１】透過率変化膜８３０は、光を照射すること
によって透過率の増加する材料によって構成される。透
過率変化膜８３０に光を照射すると、被照射部分は透過
率が増大し、その開口径が波長よりも小さく１００ｎｍ
以下であれば近接場光が発生するので上述の微小開口３
３２として機能する。透過率変化膜８３０は、性能が安
定して発揮できる強度を有する厚さ、例えば、１０ｎｍ
乃至１００μｍを有する。透過率変化膜８３０は、光又
は熱によって可逆的に微小開口を生じる光学的又は熱的
な活性層であって相変化材料又は３次の非線形効果が大
きい材料からなるものが好ましい。特に、アンチモン又
はそれを主成分とする合金が好適である。保護膜８４０
は、Ｓｉ₃Ｎ₄等からなり、透過率変化膜８３０の安定し
た相変化を可能にしている。透過率変化膜８３０及び保
護膜８４０は、光パワーの減少を防ぐため酸素を組成に
含まず透明なものが好ましい。

【００９２】本実施例では、透明基板８００は、支持体
８１０であるシリコン上に母材８２０及び保護膜８４０
としてＳｉ₃Ｎ₄を、透過率変化層８３０としてＳｂを成
膜している。本実施例では、母材８２０、透過率変化膜
８３０及び保護膜８４０が弾性変形可能な薄膜８５０を
構成している。この薄膜８５０が成膜されているシリコ
ンを、成膜されていない側からＫＯＨ水溶液で異方性エ
ッチングを行い、薄膜８５０を残して透明基板８００を
作成した。

【００９３】以上のように製造されたマスク８００を図
１１に示す露光装置１Ｂに搭載してレジスト５２０に密
着した。ここで、図１１は、図１に示す露光装置１の変
形例としての露光装置１Ｂの概略断面図である。薄膜８
５０は、後述するレチクル３００Ｂからレチクルパター
ンを表す光が照射される領域８６０の単位で撓んでレジ
スト５２０に密着し、支持部８１０の下の薄膜８５０は
撓まずに空気の逃げ道８８０を形成する。空気の逃げ道
８８０により、薄膜８５０とプレート５００との間に空
気が残らず、薄膜８５０を領域８６０の単位でむらなく
レジスト５２０に密着することができた。薄膜８５０は
領域８６０の単位でレジスト５２０に密着し、薄膜８５
０が全面的にレジスト５２０と密着する場合に比べて、
レジスト５２０との密着面積及び密着力が小さく、剥離
が容易である。また、領域８６０単位に分割された薄膜
８５０は機械的強度が強くなり、密着及び剥離時の破損
頻度が減少する。

【００９４】露光装置１Ｂは、マスクパターンを一括露
光する露光装置１とは異なり、部分的に露光するために
光源部１００の代わりに光源部１２０及び駆動装置１６
０と、レチクル３００Ｂと、縮小投影露光するために複
数の縮小投影レンズを含むレンズ投影光学系９００を有
する。光源部１２０、レチクル３００Ｂ及び投影光学系
９００は、駆動装置１６０により２次元的に移動する。
本実施例の光源部１２０は、光源に波長４４２ｎｍのＨ
ｅ−Ｃｄレーザーを使用した。

【００９５】レチクル３００Ｂは、例えば、石英製で、
その上にはプレート５００に転写されるべきパターン
（又は像）が形成されている。パタ−ンは投影光学系９
００の縮小投影倍率の逆数倍した寸法でクロム等によっ
て形成される。光源部１２０による照明光はレチクル３
００Ｂを透過する時にパターンによって回折し、物体側
露光光となる。レチクル３００Ｂから発せられた回折光
（露光光）は投影光学系９００を通り、当て板４００を
介して、透明基板８００上に投影される。レチクル３０
０Ｂと透明基板８００とは共役の関係にある。走査型投
影露光装置であれば、光源部１２０と投影光学系９００
は固定のまま、レチクル３００Ｂを不図示の駆動機構で
移動させるとともに、透明基板８００とプレート５００
を一緒にレチクル３００Ｂに対して同期して走査するこ
とによりレチクル３００Ｂのパターンをプレート５００
上に転写する。露光装置１Ｂがステッパー（ステップア
ンドリピート露光方式の露光装置）の場合は、レチクル
３００Ｂとプレート５００を静止させた状態で露光が行
われる。

【００９６】投影光学系９００はマスクパターンを通過
した物体側露光光を所定の投影倍率でかつ充分小さな収
差で透明基板８００上に結像する像側露光光に変換す
る。投影光学系９００は、複数のレンズ素子のみからな
る光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡
とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複
数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの
回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等
を使用することができる。色収差の補正が必要な場合に
は、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からな
る複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレン
ズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。

【００９７】露光において、光源部１２０から出射され
た光はレチクル３００Ｂを照明し、レチクル３００Ｂに
形成された所望のパターンを透明基板８００に縮小投影
する。露光装置１Ｂは、例えば、０．１８μｍのＬ＆Ｓ
で、透過率変化層８４０にレチクルパターンを投影す
る。図１２に示すように、露光光ＥＬ２によって投影さ
れた０．１８μｍの線幅の熱分布により、透過率変化層
８３０上では閾値以上の場所で透過率が増大し、投影し
た線幅よりも小さな幅の微小開口８３２が開口する。こ
こで、図１２は、透明基板８００における近接場光の発
生を説明するための断面図である。レチクルパターンが
投影されている薄膜８５０の透過率変化膜８３０の開口
８３２から露光光が滲み出して近接場光ＥＬ３が発生す
る。近接場光は、レチクルパターンを反映し、レジスト
５２０を露光する。露光後、駆動装置１６０が光源部１
２０、レチクル３００Ｂ及び投影光学系９００を薄膜８
５０の別の領域８６０に移動して再び露光プロセスを繰
り返し、これにより、レジスト５２０／基板５１０全面
に露光を行うことができた。

【００９８】露光装置１Ｂによれば、レチクル３００Ｂ
のパターンを反映する微細パターンを透明基板８００を
介してプレート５００に転写することができた。パター
ン開口サイズが大きいために比較的製作が容易でコスト
の低いレチクル３００Ｂを交換可能にすることによっ
て、露光パターンを変えることができ、マスク製造時間
とコストを低減することができた。

【００９９】剥離時には、与圧容器６１０の内部圧力を
圧力調整手段６３０を通じて下げて薄膜８５０をレジス
ト５２０から剥離した。剥離用当て板４００により薄膜
８５０が剥離時に破損することはなかった。本実施例に
よれば、薄膜８５０が部分的に剥離した後も、全領域８
６０に相当する部分の薄膜８５０が剥離する間に余分な
力が既に剥離した薄膜８５０に加わらず、薄膜８５０が
破損せずにレジスト５２０から剥離した。

【０１００】本実施例の露光装置１Ｂは、縮小投影法に
よって透過率変化層８３０に開口を形成したが、等倍投
影法を使用してもよい。また、透明基板８００の全面に
一括にレチクルパターンを照射して、透明基板８００の
全面に開口８３２を形成してもよい。本実施例では、開
口８３２を形成するためのレチクルパターンを投影する
光と露光光が同一のものとなっているが、照明光学系を
設けて投影用の光と露光光を分けて照射してもよい。

【０１０１】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で種
々の変形及び変更が可能である。

【０１０２】

【発明の効果】本発明の露光部材、露光装置及び方法に
よれば、近接場光を利用するので被処理体に高い解像度
で露光を施すことができる。また、露光部材と被処理体
との間に、薄膜と被処理体が密着する際に両者の間に存
在する空気が逃げ込む空間が形成されるので、露光部材
と被処理体とを良好に密着した状態で近接場光を利用し
て露光することができる。従って、薄膜と被処理体の間
に空気が残って密着しない部分が存在して近接場光が働
かないことを防止して、露光むらがなく重ね合わせ精度
の高い高品質の露光を広い面積で施すことができる。ま
た、薄膜は全面ではなく部分的に弾性変形するので機械
的強度が高まり破損頻度が減少し、スループットの向上
と交換に伴うコストの低減を実現している。また、露光
の解像度及び重ね合わせ精度が高まったデバイス製造方
法により、高品位な半導体、ＬＣＤ、ＣＣＤ、薄膜磁気
ヘッドなどのデバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の例示的な露光装置の概略断面図であ
る。

【図２】 図１に示す露光装置に使用されるマスクの概
略平面図及び断面図である。

【図３】 図１に示す露光装置に使用されるマスク剥離
用当て板の概略斜視図及び断面図である。

【図４】 図１及び図３に示すマスク剥離用当て板を利
用して図１及び図２に示す薄膜をレジストから剥離する
場合を説明する概略断面図である。

【図５】 図１に示す露光装置による露光工程を有する
デバイス製造方法を説明するためのフローチャートであ
る。

【図６】 図５に示すステップ４の詳細なフローチャー
トである。

【図７】 図１及び図３に示す当て板がない場合に薄膜
をプレートから剥離する場合を説明する概略断面図であ
る。

【図８】 図１に示す露光装置の変形例の概略断面図で
ある。

【図９】 図８に示す露光装置でステップアンドリピー
ト投影露光を行う場合に使用されるマスクの製造を説明
する図である。

【図１０】 透明基板の概略斜視図及び断面図である。

【図１１】 図１に示す露光装置の別の変形例の概略断
面図である。

【図１２】 図１０に示す透明基板における近接場光の
発生を説明する概略断面図である。

【符号の説明】

１ 露光装置 １Ａ 露光装置 １Ｂ 露光装置 １００ 光源部 ２００ コリメータレンズ ３００ レチクル又はマスク ３００Ａ レチクル又はマスク ３００Ｂ レチクル又はマスク ３１０ マスク支持体 ３２０ マスク母材 ３３０ 遮光膜 ３３１ パターン部 ３３２ 微小開口 ３４０ 薄膜 ３５０ 凹部 ４００ マスク剥離用当て板 ４１０ 支持部 ４２０ 突起 ４２２ 溝 ５００ プレート ５１０ 基板 ５２０ フォトレジスト ６００ 圧力調整装置 ７００ 駆動装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 亮 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 BA02 BA10 CA10

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に近接場光が働く範囲内で密着
   されて前記近接場光を利用してパターンを前記被処理体
   に露光する薄膜と、 前記薄膜を互いに離間する複数のパターン部に分割する
   支持部とを有する露光部材であって、 前記薄膜は前記パターン部において弾性変形して前記被
   処理体に密着可能である露光部材。
2. 【請求項２】 前記露光部材は露光マスクで、前記パタ
   ーン部は前記パターンを定義する開口を含む遮光膜から
   構成される請求項１記載の露光部材。
3. 【請求項３】 前記パターン部は、前記パターンを反映
   する光の強度に応じて光透過率が変化する薄膜からなる
   請求項１記載の露光部材。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３記載の露光部材と、 前記複数のパターン部に全体的に露光光を照射する光照
   射装置とを有し、 前記パターンを一括して前記被処理体に露光する露光装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３記載の露光部材と、 前記複数のパターン部の一に露光光を照射する光照射装
   置と、 前記光照射装置を前記複数のパターン部の別のパターン
   部に移動する第１の移動装置とを有し、 前記パターンを部分的に前記被処理体に露光する露光装
   置。
6. 【請求項６】 前記被処理体を移動する第２の移動装置
   を更に有する請求項５記載の露光装置。
7. 【請求項７】 前記薄膜を前記被処理体から剥離する際
   に使用される当て板であって、 前記薄膜の前記被処理体から剥離する方向の弾性変形を
   前記薄膜と接触することによって規制する規制部と、 前記規制部を支持する支持部とを有する当て板を更に有
   する請求項４乃至６のうちいずれか一項記載の露光装
   置。
8. 【請求項８】 被処理体に対して近接場光が働く範囲内
   で密着され、前記近接場光を利用してパターンを前記被
   処理体に露光する薄膜であって、互いに離間する複数の
   パターン部を有する薄膜を前記複数のパターン部におい
   て弾性変形して前記被処理体に密着するステップと、 前記パターン部に露光光を照射するステップとを有する
   露光方法。
9. 【請求項９】 前記照射ステップは前記複数のパターン
   部の一に前記露光光を照射し、 前記露光方法は、前記露光光を前記複数のパターン部の
   別のパターン部に照射するステップと、 当該ステップが前記別のパターン部に照射する前に前記
   被処理体を前記パターン部の間隔だけ移動して前記離間
   された複数のパターン部による分割された前記パターン
   を連続的に前記被処理体に露光するステップとを有する
   請求項８記載の露光方法。
10. 【請求項１０】 請求項４乃至７のうちいずれか一記載
    の露光装置を用いて被処理体を投影露光する工程と、 前記投影露光された被処理体に所定のプロセスを行う工
    程とを有するデバイス製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項４乃至７のうちいずれか一記載
    の露光装置を用いて投影露光された被処理体より製造さ
    れるデバイス。