JPH04365050A - 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法 - Google Patents
投影露光装置及び半導体デバイス製造方法Info
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- JPH04365050A JPH04365050A JP3166314A JP16631491A JPH04365050A JP H04365050 A JPH04365050 A JP H04365050A JP 3166314 A JP3166314 A JP 3166314A JP 16631491 A JP16631491 A JP 16631491A JP H04365050 A JPH04365050 A JP H04365050A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置及び半導体
デバイス製造方法に関し、特に半導体素子、磁気バルブ
素子、超電導素子等の固体素子を製造する際に、該固体
素子面上に微細パターンを例えばＫｒＦエキシマレーザ
ー等の強出力の光源を用いて投影転写する場合に好適な
ものである。
デバイス製造方法に関し、特に半導体素子、磁気バルブ
素子、超電導素子等の固体素子を製造する際に、該固体
素子面上に微細パターンを例えばＫｒＦエキシマレーザ
ー等の強出力の光源を用いて投影転写する場合に好適な
ものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術には電子回
路の高集積化に伴い、高密度の電子回路パターンが形成
可能のリソグラフィ技術が要求されている。一般に照明
系からの光で照明したマスク又はレチクル面上の電子回
路パターンを投影光学系によりウエハ面上に投影転写す
る場合、ウエハ面上に転写される電子回路パターンの解
像線幅（解像力）は露光波長に比例してくる。この為波
長２００〜４００ｎｍの遠紫外（ディープＵＶ領域）の
短い波長を発振する例えば超高圧水銀灯やキセノン水銀
ランプ等からの光が用いられている。特に最近ではなる
べく短い波長の光を用いるようになってきており、例え
ばｇ線（波長４４２ｎｍ）の代わりにｉ線（波長３６５
ｎｍ）の光を用いるようになってきている。
路の高集積化に伴い、高密度の電子回路パターンが形成
可能のリソグラフィ技術が要求されている。一般に照明
系からの光で照明したマスク又はレチクル面上の電子回
路パターンを投影光学系によりウエハ面上に投影転写す
る場合、ウエハ面上に転写される電子回路パターンの解
像線幅（解像力）は露光波長に比例してくる。この為波
長２００〜４００ｎｍの遠紫外（ディープＵＶ領域）の
短い波長を発振する例えば超高圧水銀灯やキセノン水銀
ランプ等からの光が用いられている。特に最近ではなる
べく短い波長の光を用いるようになってきており、例え
ばｇ線（波長４４２ｎｍ）の代わりにｉ線（波長３６５
ｎｍ）の光を用いるようになってきている。
【０００３】又最近ではＦｒＦエキシマ（ｅｘｃｉｍｅ
ｒ）レーザーという波長２４８ｎｍのディープＵＶ領域
に発振波長を有する強出力の光源を用い、その高輝度性
、単色性、指向性等の良さを利用したリソグラフィ技術
が種々と提案されている。
ｒ）レーザーという波長２４８ｎｍのディープＵＶ領域
に発振波長を有する強出力の光源を用い、その高輝度性
、単色性、指向性等の良さを利用したリソグラフィ技術
が種々と提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】投影露光装置に露光用
の光源としてＫｒＦエキシマレーザを用いた場合でも基
本的には超高圧水銀灯を光源としたｇ線やｉ線等の光を
用いた場合と同様の考え方で装置全体を構成していた。
の光源としてＫｒＦエキシマレーザを用いた場合でも基
本的には超高圧水銀灯を光源としたｇ線やｉ線等の光を
用いた場合と同様の考え方で装置全体を構成していた。
【０００５】波長４４２ｎｍのｇ線や波長３６５ｎｍの
ｉ線を用いた投影露光装置ではウエハ面に塗布したレジ
ストに露光光が入射しても、レジストは何んら化学的変
化又は物理的変化を起こさず、例えばレジストからガス
や異物等の有害物が発生するということはなかった。
ｉ線を用いた投影露光装置ではウエハ面に塗布したレジ
ストに露光光が入射しても、レジストは何んら化学的変
化又は物理的変化を起こさず、例えばレジストからガス
や異物等の有害物が発生するということはなかった。
【０００６】これに対してＫｒＦエキシマレーザからの
波長の短い光を露光光として用いると、レジストが化学
的変化又は／及び物理的変化を起こしレジスシトから有
害物が発生してくることが経験上判明した。
波長の短い光を露光光として用いると、レジストが化学
的変化又は／及び物理的変化を起こしレジスシトから有
害物が発生してくることが経験上判明した。
【０００７】そしてこのとき発生する有害物が投影光学
系のレンズ面に付着し、透過率の低下、即ち照度の低下
及び照度分布のムラを起こし、解像力を低下させるとい
う問題点が生じてきた。
系のレンズ面に付着し、透過率の低下、即ち照度の低下
及び照度分布のムラを起こし、解像力を低下させるとい
う問題点が生じてきた。
【０００８】本発明はＫｒＦエキシマレーザ等の強出力
の光源からの光を用いてレチクル面上のパターンを投影
光学系によりウエハ面上に投影露光するときのウエハ面
に塗布したレジストから発生した有害物が投影光学系の
レンズ面に付着して、解像力が低下するのを効果的に防
止し、高い解像力を良好に維持することのできる投影露
光装置及び半導体デバイス製造方法の提供を目的とする
。
の光源からの光を用いてレチクル面上のパターンを投影
光学系によりウエハ面上に投影露光するときのウエハ面
に塗布したレジストから発生した有害物が投影光学系の
レンズ面に付着して、解像力が低下するのを効果的に防
止し、高い解像力を良好に維持することのできる投影露
光装置及び半導体デバイス製造方法の提供を目的とする
。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置は
、照明系からの光束で照明した第１物体上のパターンを
投影光学系により第２物体の感材上に投影する際、該投
影光学系と該第２物体との間の光路中に平行平面板より
成る光学部材を着脱可能に配置したことを特徴としてい
る。
、照明系からの光束で照明した第１物体上のパターンを
投影光学系により第２物体の感材上に投影する際、該投
影光学系と該第２物体との間の光路中に平行平面板より
成る光学部材を着脱可能に配置したことを特徴としてい
る。
【００１０】特に前記光学部材はペリクル又はシートガ
ラスを有し、前記投影光学系の一部に着脱可能に設けて
いることや前記光学部材は前記投影光学系の第２物体側
のレンズ面との間で略閉空間を形成するように該投影光
学系の一部に着脱可能に装着していること等を特徴とし
ている。
ラスを有し、前記投影光学系の一部に着脱可能に設けて
いることや前記光学部材は前記投影光学系の第２物体側
のレンズ面との間で略閉空間を形成するように該投影光
学系の一部に着脱可能に装着していること等を特徴とし
ている。
【００１１】又、本発明の半導体デバイス製造方法とし
ては光学系により回路パターンの像をウエハー上に投影
し、該回路パターン像を該ウエハーに塗布したレジスト
に転写し、該ウエハーに現像等の処理を施して該ウエハ
ーから半導体デバイスを製造する方法において、前記レ
ジストで生じるガスや粒子が前記光学系に付着しないよ
う前記光学系と前記ウエハーの間に薄膜を挿入した状態
で、前記回路パターン像の投影を行うことを特徴として
いる。
ては光学系により回路パターンの像をウエハー上に投影
し、該回路パターン像を該ウエハーに塗布したレジスト
に転写し、該ウエハーに現像等の処理を施して該ウエハ
ーから半導体デバイスを製造する方法において、前記レ
ジストで生じるガスや粒子が前記光学系に付着しないよ
う前記光学系と前記ウエハーの間に薄膜を挿入した状態
で、前記回路パターン像の投影を行うことを特徴として
いる。
【００１２】特に本発明では、前記回路パターン像の投
影をエキシマレーザーからの遠紫外線により行なうこと
や、前記薄膜がペリクルより成ることを特徴とすること
や、前記薄膜が非常に薄い平行平板より成ることや、前
記回路パターン像の投影を縮小投影レンズ系により行な
い、前記エキシマレーザーとしてＫｒＦエキシマレーザ
ーを用いること等を特徴としている。
影をエキシマレーザーからの遠紫外線により行なうこと
や、前記薄膜がペリクルより成ることを特徴とすること
や、前記薄膜が非常に薄い平行平板より成ることや、前
記回路パターン像の投影を縮小投影レンズ系により行な
い、前記エキシマレーザーとしてＫｒＦエキシマレーザ
ーを用いること等を特徴としている。
【００１３】この他本発明に係る投影光学系としては、
レチクル上のパターンをウエハの、感材上に投影する投
影光学系であって、該投影光学系の該ウエハ側に平行平
面板より成る光学部材を該投影光学系の一部に着脱可能
に設けたことを特徴としている。
レチクル上のパターンをウエハの、感材上に投影する投
影光学系であって、該投影光学系の該ウエハ側に平行平
面板より成る光学部材を該投影光学系の一部に着脱可能
に設けたことを特徴としている。
【００１４】特に前記光学部材は前記投影光学系のウエ
ハ側のレンズ面とで略閉空間を形成するように装着して
いることを特徴としている。
ハ側のレンズ面とで略閉空間を形成するように装着して
いることを特徴としている。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図、図２
は図１の一部分の拡大説明図である。
は図１の一部分の拡大説明図である。
【００１６】図１において１は光源であり、例えばＫｒ
Ｆエキシマレーザであり波長２４８ｎｍの光を放射して
いる。
Ｆエキシマレーザであり波長２４８ｎｍの光を放射して
いる。
【００１７】エキシマレーザ１はレーザ台２に載置して
いる。３は照明系であり、各種の光学要素より成ってお
りエキシマレーザ１からの光をミラー（不図示）を介し
て第１物体としてのレチクル５面上に導光し該レチクル
５面上の電子回路パターンを均一な照度分布で照明して
いる。３ａは照明系３の光路を示している。レチクル５
はレチクルチャック５ａに吸着保持している。
いる。３は照明系であり、各種の光学要素より成ってお
りエキシマレーザ１からの光をミラー（不図示）を介し
て第１物体としてのレチクル５面上に導光し該レチクル
５面上の電子回路パターンを均一な照度分布で照明して
いる。３ａは照明系３の光路を示している。レチクル５
はレチクルチャック５ａに吸着保持している。
【００１８】６は縮小型の投影光学系（投影レンズ）で
あり、ウエハ８側がテレセントリックであり、レチクル
５面上の回路パターンを後述する第２物体としてのウエ
ハ８面上に縮少投影している。ウエハ８はその面上にレ
ジスト等の感光材料が塗布されており、ウエハチャック
（不図示）により吸着保持している。
あり、ウエハ８側がテレセントリックであり、レチクル
５面上の回路パターンを後述する第２物体としてのウエ
ハ８面上に縮少投影している。ウエハ８はその面上にレ
ジスト等の感光材料が塗布されており、ウエハチャック
（不図示）により吸着保持している。
【００１９】４は光学部材であり投影光学系６とウエハ
８との間の光路中に着脱可能に配置している。光学部材
４は後述する構成の光入出射面が投影光学系６の光軸に
垂直に交わる平行平面板より成り、かつ投影光学系６の
光学性能に殆んど影響を与えない程度の厚さより成って
いる。
８との間の光路中に着脱可能に配置している。光学部材
４は後述する構成の光入出射面が投影光学系６の光軸に
垂直に交わる平行平面板より成り、かつ投影光学系６の
光学性能に殆んど影響を与えない程度の厚さより成って
いる。
【００２０】９はステージでありウエハ８を支持し、投
影光学系６の光軸方向及び光軸と直交する面内で移動可
能となっている。７はフレームであり投影光学系６及び
照明系３の一部を支持すると共にステージ９を支持して
いる。１０はマウントでありフレーム７を載置している
。
影光学系６の光軸方向及び光軸と直交する面内で移動可
能となっている。７はフレームであり投影光学系６及び
照明系３の一部を支持すると共にステージ９を支持して
いる。１０はマウントでありフレーム７を載置している
。
【００２１】次に投影光学系６とウエハ８との間の光路
中に着脱可能に装着した光学部材４近傍の構成について
図２を用いて説明する。
中に着脱可能に装着した光学部材４近傍の構成について
図２を用いて説明する。
【００２２】図２において光学部材４はペリクル１７と
該ペリクル１７を接着固定したペリクル枠１６とを有し
ている。光学部材４は投影光学系６のレンズ鏡筒１２の
一部にクランプつまみ１４を用いて着脱可能に装着して
いる。
該ペリクル１７を接着固定したペリクル枠１６とを有し
ている。光学部材４は投影光学系６のレンズ鏡筒１２の
一部にクランプつまみ１４を用いて着脱可能に装着して
いる。
【００２３】このとき光学部材４と投影光学系６のウエ
ハ８側のレンズ（投影光学系６の最終レンズ）１３のレ
ンズ面とで後述する有害物が浸入するのを防止すること
ができる程度の閉空間１５を形成するようにしている。
ハ８側のレンズ（投影光学系６の最終レンズ）１３のレ
ンズ面とで後述する有害物が浸入するのを防止すること
ができる程度の閉空間１５を形成するようにしている。
【００２４】本実施例では以上のような構成により照明
系３からの光束で照明したレチクル５面上の回路パター
ンを投影光学系６でウエハ８面上に縮少投影している。
系３からの光束で照明したレチクル５面上の回路パター
ンを投影光学系６でウエハ８面上に縮少投影している。
【００２５】このとき露光用の光源として強出力のエキ
シマレーザを用いると、そのレーザ光によりウエハ９面
上のレジストは化学的変化又は／及び物理的変化をして
、該レジストからガスや異物等の有害物が発生してくる
。
シマレーザを用いると、そのレーザ光によりウエハ９面
上のレジストは化学的変化又は／及び物理的変化をして
、該レジストからガスや異物等の有害物が発生してくる
。
【００２６】このときの有害物が投影光学系６のレンズ
面に付着すると、投影光学系６の光学性能が低下し、又
ウエハ８面上の照度分布が不均一となってくる。
面に付着すると、投影光学系６の光学性能が低下し、又
ウエハ８面上の照度分布が不均一となってくる。
【００２７】一般に投影光学系はレンズの材質の屈折率
が１０−６オーダで、面精度が殆んど完全な精度で、又
各要素の寸法が数μの精度で高精度に管理維持している
。 この為レンズが損傷したからといってその都度他のレン
ズと交換するのは大変難しい。
が１０−６オーダで、面精度が殆んど完全な精度で、又
各要素の寸法が数μの精度で高精度に管理維持している
。 この為レンズが損傷したからといってその都度他のレン
ズと交換するのは大変難しい。
【００２８】これに対して本実施例では前述の如く投影
光学系６とウエハ８との間の光路中に光学部材４を着脱
自在に配置することにより、レジストから発生する有害
物が光学部材４に付着し、投影光学系６のレンズ面には
付着しないようにしている。
光学系６とウエハ８との間の光路中に光学部材４を着脱
自在に配置することにより、レジストから発生する有害
物が光学部材４に付着し、投影光学系６のレンズ面には
付着しないようにしている。
【００２９】そして光学部材４の面（ペリクル面）が有
害物により汚れたら他の光学部材と交換し、これにより
投影光学系６の光学性能を良好に維持している。
害物により汚れたら他の光学部材と交換し、これにより
投影光学系６の光学性能を良好に維持している。
【００３０】このように本実施例では光学系により回路
パターンの像をウエハー上に投影し、該回路パターン像
を該ウエハーに塗布したレジストに転写し、該ウエハー
に現像等の処理を施して該ウエハーから半導体デバイス
を製造する方法において、前記レジストで生じるガスや
粒子が前記光学系に付着しないよう前記光学系とウエハ
ーの間に薄膜を挿入した状態で、前記回路パターン像の
投影を行っている。
パターンの像をウエハー上に投影し、該回路パターン像
を該ウエハーに塗布したレジストに転写し、該ウエハー
に現像等の処理を施して該ウエハーから半導体デバイス
を製造する方法において、前記レジストで生じるガスや
粒子が前記光学系に付着しないよう前記光学系とウエハ
ーの間に薄膜を挿入した状態で、前記回路パターン像の
投影を行っている。
【００３１】尚本実施例では光学部材としてペリクルを
用いた場合を示したが光学性能に殆んど影響を与えない
厚さの薄い平行平面板より成る光学部材であれば、例え
ばシートガラスを用いても前述と同様の効果を得ること
ができる。
用いた場合を示したが光学性能に殆んど影響を与えない
厚さの薄い平行平面板より成る光学部材であれば、例え
ばシートガラスを用いても前述と同様の効果を得ること
ができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば前述の如く投影光学系と
ウエハとの間に着脱可能に光学部材を設けることにより
、ＫｒＦエキシマレーザ等の強出力の光源からの光を用
いてレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ
面上に投影露光するときのウエハ面に塗布したレジスト
から発生した有害物が投影光学系のレンズ面に付着して
、解像力が低下するのを効果的に防止し、高い解像力を
良好に維持することのできる投影露光装置及び半導体デ
バイス製造方法を達成することができる。
ウエハとの間に着脱可能に光学部材を設けることにより
、ＫｒＦエキシマレーザ等の強出力の光源からの光を用
いてレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ
面上に投影露光するときのウエハ面に塗布したレジスト
から発生した有害物が投影光学系のレンズ面に付着して
、解像力が低下するのを効果的に防止し、高い解像力を
良好に維持することのできる投影露光装置及び半導体デ
バイス製造方法を達成することができる。
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２
】 図１の一部分の拡大説明図
】 図１の一部分の拡大説明図
１ エキシマレーザ
２ レーザ台
３ 照明系
４ 光学部材
５ レチクル
６ 投影光学系
７ フレーム
８ ウエハ
９ ステージ
１０ マウント
１５ 閉空間
１７ ペリクル
Claims (10)
- 【請求項１】 照明系からの光束で照明した第１物体
上のパターンを投影光学系により第２物体の感材上に投
影する際、該投影光学系と該第２物体との間の光路中に
平行平面板より成る光学部材を着脱可能に配置したこと
を特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記光学部材はペリクル又はシートガ
ラスを有し、前記投影光学系の一部に着脱可能に設けて
いることを特徴とする請求項１の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記光学部材は前記投影光学系の第２
物体側のレンズ面との間で略閉空間を形成するように該
投影光学系の一部に着脱可能に装着していることを特徴
とする請求項１の投影露光装置。 - 【請求項４】 レチクル上のパターンをウエハの、感
材上に投影する投影光学系であって、該投影光学系の該
ウエハ側に平行平面板より成る光学部材を該投影光学系
の一部に着脱可能に設けたことを特徴とする投影光学系
。 - 【請求項５】 前記光学部材は前記投影光学系のウエ
ハ側のレンズ面とで略閉空間を形成するように装着して
いることを特徴とする請求項４の投影光学系。 - 【請求項６】 光学系により回路パターンの像をウエ
ハー上に投影し、該回路パターン像を該ウエハーに塗布
したレジストに転写し、該ウエハーに現像等の処理を施
して該ウエハーから半導体デバイスを製造する方法にお
いて、前記レジストで生じるガスや粒子が前記光学系に
付着しないよう前記光学系と前記ウエハーの間に薄膜を
挿入した状態で、前記回路パターン像の投影を行うこと
を特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項７】 前記回路パターン像の投影をエキシマ
レーザーからの遠紫外線により行なうことを特徴とする
請求項６の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項８】 前記薄膜がペリクルより成ることを特
徴とする請求項７の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項９】 前記薄膜が非常に薄い平行平板より成
ることを特徴とする請求項７の半導体デバイス製造方法
。 - 【請求項１０】 前記回路パターン像の投影を縮小投
影レンズ系により行ない、前記エキシマレーザーとして
ＫｒＦエキシマレーザーを用いることを特徴とする請求
項７の半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16631491A JP3261684B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16631491A JP3261684B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365050A true JPH04365050A (ja) | 1992-12-17 |
| JP3261684B2 JP3261684B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=15829055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16631491A Expired - Fee Related JP3261684B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3261684B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496257B1 (en) | 1997-11-21 | 2002-12-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| WO2005085956A3 (en) * | 2004-03-01 | 2006-03-02 | Advanced Micro Devices Inc | Pellicle for a lithographic lens |
| US7068352B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP16631491A patent/JP3261684B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496257B1 (en) | 1997-11-21 | 2002-12-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US7061575B2 (en) | 1997-11-21 | 2006-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US7068352B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| WO2005085956A3 (en) * | 2004-03-01 | 2006-03-02 | Advanced Micro Devices Inc | Pellicle for a lithographic lens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3261684B2 (ja) | 2002-03-04 |
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