JP2000275416A - 光学素子及び該素子を用いた光学系 - Google Patents
光学素子及び該素子を用いた光学系Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回折光学素子の汚染を防止する。
【解決手段】 レンズユニット２１には前玉レンズ２
２、後玉レンズ２３、ＢＯ基板１１とＢＯ素子１５から
構成されているＢＯレンズ１が組み込まれている。ま
た、レンズユニット２１内部の雰囲気を不活性ガスによ
り置換するために、ＢＯ素子１５の外周部のＢＯ基板１
１に４個の貫通孔２５が設けられている。
２、後玉レンズ２３、ＢＯ基板１１とＢＯ素子１５から
構成されているＢＯレンズ１が組み込まれている。ま
た、レンズユニット２１内部の雰囲気を不活性ガスによ
り置換するために、ＢＯ素子１５の外周部のＢＯ基板１
１に４個の貫通孔２５が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レンズ、露光装
置、撮影装置、照明装置等に使用される光学素子及び該
素子を用いた光学系に関するものである。
置、撮影装置、照明装置等に使用される光学素子及び該
素子を用いた光学系に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回折格子は従来から分光器の分光素子と
して使用されてきており、その形状は鋸歯状の所謂ブレ
ーズドタイプと呼ばれており、回折効率は１００％に達
するものもある。
して使用されてきており、その形状は鋸歯状の所謂ブレ
ーズドタイプと呼ばれており、回折効率は１００％に達
するものもある。
【０００３】また近年では、回折を利用した光学素子と
して階段状形状のバイナリオプティクス（ＢＯ）素子が
注目されており、ＢＯレンズと呼ばれ、色消し効果、非
球面効果を有しているため、新しい光学系への発展に大
きな期待が持たれている。
して階段状形状のバイナリオプティクス（ＢＯ）素子が
注目されており、ＢＯレンズと呼ばれ、色消し効果、非
球面効果を有しているため、新しい光学系への発展に大
きな期待が持たれている。
【０００４】一般のスチールカメラ等の可視光線に適用
するレンズ光学系は、金属の型材を用いたプラスチック
の型加工法及びガラスのモールド法により製造が可能で
ある。しかし、紫外線等の波長の短い光線に適用させる
ためには、光の吸収が少ない紫外線用の硝材や、より微
細な加工精度が要求されるため、型加工法、モールド加
工法、レンズ材料等の技術の確立が困難である。また、
紫外線等の波長の短い光線に適用するＢＯレンズヘの要
求仕様は、現状のブレーズドタイプの加工限界つまり切
削加工限界を大幅に越えている。
するレンズ光学系は、金属の型材を用いたプラスチック
の型加工法及びガラスのモールド法により製造が可能で
ある。しかし、紫外線等の波長の短い光線に適用させる
ためには、光の吸収が少ない紫外線用の硝材や、より微
細な加工精度が要求されるため、型加工法、モールド加
工法、レンズ材料等の技術の確立が困難である。また、
紫外線等の波長の短い光線に適用するＢＯレンズヘの要
求仕様は、現状のブレーズドタイプの加工限界つまり切
削加工限界を大幅に越えている。
【０００５】そこで、石英に対し半導体製造用の紫外線
を用いたフォトリソグラフィ技術とドライエッチング加
工技術を用いた手法が考案され、それにより高精度の微
細加工が或る程度可能となっている。しかし、希望する
ＢＯレンズのサイズが直径２０ｍｍ程度であれば、３枚
のクロムマスクを用いた各１回の露光、即ち合計３回の
露光と各３回のフォトリソグラフィプロセスとドライエ
ッチングプロセスの繰り返しにより製造が可能である。
しかし、実際に半導体用縮小露光焼付装置（ステッパ）
に適用するための直径２００ｍｍ程度のＢＯレンズを製
作するためには、１００近い分割が必要となり、分割に
応じてマスクの数が増加し、少なくとも１５枚のマスク
が必要とされる。このように、製造工数の増加と複雑な
工程はＢＯ素子の生産性の低下とコストアップにつなが
る。
を用いたフォトリソグラフィ技術とドライエッチング加
工技術を用いた手法が考案され、それにより高精度の微
細加工が或る程度可能となっている。しかし、希望する
ＢＯレンズのサイズが直径２０ｍｍ程度であれば、３枚
のクロムマスクを用いた各１回の露光、即ち合計３回の
露光と各３回のフォトリソグラフィプロセスとドライエ
ッチングプロセスの繰り返しにより製造が可能である。
しかし、実際に半導体用縮小露光焼付装置（ステッパ）
に適用するための直径２００ｍｍ程度のＢＯレンズを製
作するためには、１００近い分割が必要となり、分割に
応じてマスクの数が増加し、少なくとも１５枚のマスク
が必要とされる。このように、製造工数の増加と複雑な
工程はＢＯ素子の生産性の低下とコストアップにつなが
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例により得られたＢＯ素子の表面には微細な加工が
施してあるため、取り扱いに非常に注意を要する。更
に、最近では光学系の汚染が問題となってきており、従
来のｇ線（λ＝４３５ｎｍ）及びｉ線（λ＝３６５ｎ
ｍ）では顕著ではなかったものの、ＫｒＦ（λ＝２４８
ｎｍ）、ＡｒＦ（λ＝１９４ｎｍ）そしてＦ2 （λ＝１
５７ｎｍ）レーザー光のような高エネルギの光線を使用
することにより、周囲の雰囲気等の影響により汚染物質
が析出、堆積することがある。また、従来の清浄ルーム
は塵埃に対してのみ対処しており、化学物質に対しては
対応しておらず、またレジストの露光、現像プロセスに
起因し発生する分解、揮発成分もＢＯ素子に大きな影響
を与えている。
従来例により得られたＢＯ素子の表面には微細な加工が
施してあるため、取り扱いに非常に注意を要する。更
に、最近では光学系の汚染が問題となってきており、従
来のｇ線（λ＝４３５ｎｍ）及びｉ線（λ＝３６５ｎ
ｍ）では顕著ではなかったものの、ＫｒＦ（λ＝２４８
ｎｍ）、ＡｒＦ（λ＝１９４ｎｍ）そしてＦ2 （λ＝１
５７ｎｍ）レーザー光のような高エネルギの光線を使用
することにより、周囲の雰囲気等の影響により汚染物質
が析出、堆積することがある。また、従来の清浄ルーム
は塵埃に対してのみ対処しており、化学物質に対しては
対応しておらず、またレジストの露光、現像プロセスに
起因し発生する分解、揮発成分もＢＯ素子に大きな影響
を与えている。
【０００７】このような問題の対策として、従来の光学
レンズにおいてはレンズ系の分解、拭き、洗浄等により
或る程度は解決可能であるが、ＢＯレンズにおいては表
面に微細な凹凸が施してあるため対応は極めて困難であ
る。
レンズにおいてはレンズ系の分解、拭き、洗浄等により
或る程度は解決可能であるが、ＢＯレンズにおいては表
面に微細な凹凸が施してあるため対応は極めて困難であ
る。
【０００８】また、従来のシールド方法としては、ＢＯ
レンズの上面をペリクル等の薄膜又は光透過性樹脂によ
り覆う方法があり、可視光線領域において使用する光学
系に対しては或る程度対応できるが、遠紫外線領域に適
用させるためには光の吸収が大きいために採用すること
ができない。
レンズの上面をペリクル等の薄膜又は光透過性樹脂によ
り覆う方法があり、可視光線領域において使用する光学
系に対しては或る程度対応できるが、遠紫外線領域に適
用させるためには光の吸収が大きいために採用すること
ができない。
【０００９】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
表面が汚れ難いシールドタイプの回折光学素子を提供す
ることにある。
表面が汚れ難いシールドタイプの回折光学素子を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る光学素子は、回折格子を設けた面をシー
ルドした回折光学素子であって、表裏面間を貫通する貫
通孔を設け、該貫通孔を介して気体を排気又は置換する
ことを特徴とする。
の本発明に係る光学素子は、回折格子を設けた面をシー
ルドした回折光学素子であって、表裏面間を貫通する貫
通孔を設け、該貫通孔を介して気体を排気又は置換する
ことを特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る光学素子は、凹凸構造
を設けた面をシールドした光学素子であって、表裏面間
を貫通する貫通孔を設け、該貫通孔を介して気体を排気
又は置換することを特徴とする。
を設けた面をシールドした光学素子であって、表裏面間
を貫通する貫通孔を設け、該貫通孔を介して気体を排気
又は置換することを特徴とする。
【００１２】本発明に係る光学系は、表裏面に対し貫通
孔を有する回折光学素子を組み込んだことを特徴とす
る。
孔を有する回折光学素子を組み込んだことを特徴とす
る。
【００１３】本発明に係る光学系は、表裏面に対し貫通
孔を有する光学素子と表裏面に対し貫通孔を有する光学
レンズとから成ることを特徴とする。
孔を有する光学素子と表裏面に対し貫通孔を有する光学
レンズとから成ることを特徴とする。
【００１４】本発明に係る光学系の汚染防止方法は、光
学部材に設けた貫通孔を介して気体を置換し内部の汚染
を防止することを特徴とする。
学部材に設けた貫通孔を介して気体を置換し内部の汚染
を防止することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明を図示の実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は第１の実施例におけるのＢＯレ
ンズ１の斜視図、図２は断面図を示している。設計上で
は、使用波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー用を
想定したものであり、約１８０００本の輪帯２が刻設さ
れ、各輪帯２はそれぞれ８段の階段状のＢＯ形状を有し
ている。
詳細に説明する。図１は第１の実施例におけるのＢＯレ
ンズ１の斜視図、図２は断面図を示している。設計上で
は、使用波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー用を
想定したものであり、約１８０００本の輪帯２が刻設さ
れ、各輪帯２はそれぞれ８段の階段状のＢＯ形状を有し
ている。
【００１６】図３は８段の階段状ＢＯ素子単位の摸式図
を示しており、最外殻の輪帯２は設計値では各段の幅が
０．３５μｍ、高さが０．０６２μｍであり、輪帯単位
の幅と高さはそれぞれ２．８μｍ、０．４３４μｍであ
る。
を示しており、最外殻の輪帯２は設計値では各段の幅が
０．３５μｍ、高さが０．０６２μｍであり、輪帯単位
の幅と高さはそれぞれ２．８μｍ、０．４３４μｍであ
る。
【００１７】図４は製造時のＢＯレンズ１及びマスクの
断面図を示しており、ＢＯ基板１１には直径２２０ｍ
ｍ、厚さ２ｍｍの石英基板を使用し、ＢＯ基板１１の上
方に３枚のクロムマスク１２〜１４を配置する。
断面図を示しており、ＢＯ基板１１には直径２２０ｍ
ｍ、厚さ２ｍｍの石英基板を使用し、ＢＯ基板１１の上
方に３枚のクロムマスク１２〜１４を配置する。
【００１８】ＢＯレンズ１の作成にはλ＝３６５ｎｍの
ｉ線用のステッパを使用し、クロムマスク１２〜１４の
パターンをＢＯ基板１１上のフォトレジストに縮小焼付
けした後に、現像されたレジストパターンを平行平板型
のドライエッチング（ＲＩＥ）装置を用いてＢＯ基板１
１の表面をエッチング加工することによりＢＯレンズ１
が得られる。本実施例においては、３枚のクロムマスク
１２〜１４を使用し、上述のプロセスを３回繰り返すこ
とにより、ＢＯ基板１１上に輪帯２から成る８段のＢＯ
素子１５が形成される。
ｉ線用のステッパを使用し、クロムマスク１２〜１４の
パターンをＢＯ基板１１上のフォトレジストに縮小焼付
けした後に、現像されたレジストパターンを平行平板型
のドライエッチング（ＲＩＥ）装置を用いてＢＯ基板１
１の表面をエッチング加工することによりＢＯレンズ１
が得られる。本実施例においては、３枚のクロムマスク
１２〜１４を使用し、上述のプロセスを３回繰り返すこ
とにより、ＢＯ基板１１上に輪帯２から成る８段のＢＯ
素子１５が形成される。
【００１９】直径２２０ｍｍのＢＯ基板１１への露光焼
付け及び加工プロセスは、ＢＯ基板１１を７６分割し、
３枚のマスク１２〜１４を５組、つまり合計１５枚のク
ロムマスクを用いて、７６×３の合計２２８回による露
光焼付けと３回のドライエッチングプロセスにより得る
ことができる。
付け及び加工プロセスは、ＢＯ基板１１を７６分割し、
３枚のマスク１２〜１４を５組、つまり合計１５枚のク
ロムマスクを用いて、７６×３の合計２２８回による露
光焼付けと３回のドライエッチングプロセスにより得る
ことができる。
【００２０】図５はＢＯレンズ１を組み込んだレンズユ
ニット２１の断面図を示している。このレンズユニット
２１には、前玉レンズ２２、後玉レンズ２３、ＢＯ基板
１１とＢＯ素子１５から構成されたＢＯレンズ１が組み
込まれている。また、ＢＯレンズ１と前玉レンズ２２、
後玉レンズ２３との間はそれぞれ密閉空間とされ、円筒
状の外周部材２４により閉塞されている。ＢＯレンズ１
のＢＯ基板１１は外周部材２４に支持されており、ＢＯ
基板１１の密閉空間に面する外周部に例えば直径３ｍｍ
の４個の貫通孔２５が対称的に穿けられている。
ニット２１の断面図を示している。このレンズユニット
２１には、前玉レンズ２２、後玉レンズ２３、ＢＯ基板
１１とＢＯ素子１５から構成されたＢＯレンズ１が組み
込まれている。また、ＢＯレンズ１と前玉レンズ２２、
後玉レンズ２３との間はそれぞれ密閉空間とされ、円筒
状の外周部材２４により閉塞されている。ＢＯレンズ１
のＢＯ基板１１は外周部材２４に支持されており、ＢＯ
基板１１の密閉空間に面する外周部に例えば直径３ｍｍ
の４個の貫通孔２５が対称的に穿けられている。
【００２１】この貫通孔２５の孔穿け加工は、予めＢＯ
基板１１にＢＯ素子１５を加工する前に行う場合と加工
後に行う場合があるが、本実施例においては、ＢＯ素子
１５が加工されたＢＯレンズ１に孔穿け加工を施してい
る。また、密閉空間内の雰囲気を置換するため、後玉レ
ンズ２３の付近のガス導入口２６から、清浄な窒素ガス
Ｇを貫通孔２５を介してＢＯレンズ１と前玉レンズ２２
との密閉空間に導入する。これらの密閉空間を満たして
いた空気及び置換した窒素ガスＧは絞り板２７を有する
ガス放出口２８から排気される。また、本実施例におい
ては窒素ガスを使用したがＢＯレンズ１の汚染原因とな
る塵、化学物質、湿気等を含まないガスであれば、ヘリ
ウム、水素、清浄空気等でもよい。
基板１１にＢＯ素子１５を加工する前に行う場合と加工
後に行う場合があるが、本実施例においては、ＢＯ素子
１５が加工されたＢＯレンズ１に孔穿け加工を施してい
る。また、密閉空間内の雰囲気を置換するため、後玉レ
ンズ２３の付近のガス導入口２６から、清浄な窒素ガス
Ｇを貫通孔２５を介してＢＯレンズ１と前玉レンズ２２
との密閉空間に導入する。これらの密閉空間を満たして
いた空気及び置換した窒素ガスＧは絞り板２７を有する
ガス放出口２８から排気される。また、本実施例におい
ては窒素ガスを使用したがＢＯレンズ１の汚染原因とな
る塵、化学物質、湿気等を含まないガスであれば、ヘリ
ウム、水素、清浄空気等でもよい。
【００２２】このような汚染防止対策を施したレンズユ
ニット２１は、６ヶ月間の使用においても汚染が見られ
ず良好な結果を得ることができる。なお、本発明は必ず
しも回折格子を有する光学素子だけではなく、凹凸構造
等を有する光学素子に対しても適用できる。
ニット２１は、６ヶ月間の使用においても汚染が見られ
ず良好な結果を得ることができる。なお、本発明は必ず
しも回折格子を有する光学素子だけではなく、凹凸構造
等を有する光学素子に対しても適用できる。
【００２３】図６はＢＯレンズ１を組み込んだレンズユ
ニット３１の断面図を示している。本実施例において
は、ＢＯレンズ１及びその前後に配置されている前玉レ
ンズ２２、後玉レンズ２３に貫通孔３２、３３、３４が
それぞれ穿孔されている。
ニット３１の断面図を示している。本実施例において
は、ＢＯレンズ１及びその前後に配置されている前玉レ
ンズ２２、後玉レンズ２３に貫通孔３２、３３、３４が
それぞれ穿孔されている。
【００２４】レンズユニット３１の外周部材３５に設け
られたガス導入口３６から導入された置換ガスＧは、前
玉レンズ２２に設けた貫通孔３３を介してＢＯ素子１５
との空間における雰囲気を置換し、更に置換ガスＧはＢ
Ｏレンズ１及びＢＯ基板１１に設けた貫通孔３２、２５
を介して後玉レンズ２５との空間に導入される。そし
て、この空間をガス置換した後に、後玉レンズ２３に設
けられた貫通孔３４を介して外部に排気される。
られたガス導入口３６から導入された置換ガスＧは、前
玉レンズ２２に設けた貫通孔３３を介してＢＯ素子１５
との空間における雰囲気を置換し、更に置換ガスＧはＢ
Ｏレンズ１及びＢＯ基板１１に設けた貫通孔３２、２５
を介して後玉レンズ２５との空間に導入される。そし
て、この空間をガス置換した後に、後玉レンズ２３に設
けられた貫通孔３４を介して外部に排気される。
【００２５】このような汚染防止対策を施したレンズユ
ニット３１においても、６ヶ月間の使用においても汚染
が見られず、良好な結果を得ることができる。
ニット３１においても、６ヶ月間の使用においても汚染
が見られず、良好な結果を得ることができる。
【００２６】図７はＫｒＦエキシマレーザー光（λ＝２
４８ｎｍ）を用いたステッパの模式図を示しており、エ
キシマレーザー出力装置４１から射出されたＫｒＦエキ
シマレーザー光は反射ミラー４２により反射され、第
１、２の実施例において製作されたレンズユニット２１
又はレンズユニット３１を組み込んだ照明光学系４３に
導光される。この照明光学系４３において均一な照度分
布に揃えられた光束はレチクル４４を照明し、このレチ
クル４４の照明により形成されたパターン光はレンズユ
ニット２１又はレンズユニット３１を組込んだ投影光学
系４５により１／４の大きさに縮小され、シリコンウェ
ハ４６上のレジスト膜４７上に投射される。この投射に
よる焼付けは、ステージ４８により位置決めとステップ
アンドリピートにより順次、焼付けられる。
４８ｎｍ）を用いたステッパの模式図を示しており、エ
キシマレーザー出力装置４１から射出されたＫｒＦエキ
シマレーザー光は反射ミラー４２により反射され、第
１、２の実施例において製作されたレンズユニット２１
又はレンズユニット３１を組み込んだ照明光学系４３に
導光される。この照明光学系４３において均一な照度分
布に揃えられた光束はレチクル４４を照明し、このレチ
クル４４の照明により形成されたパターン光はレンズユ
ニット２１又はレンズユニット３１を組込んだ投影光学
系４５により１／４の大きさに縮小され、シリコンウェ
ハ４６上のレジスト膜４７上に投射される。この投射に
よる焼付けは、ステージ４８により位置決めとステップ
アンドリピートにより順次、焼付けられる。
【００２７】このように、レンズユニット２１又はレン
ズユニット３１が組み込まれＫｒＦエキシマレーザーを
用いたステッパを用いて半導体デバイスを製作すること
ができる。この場合に、照明光学系４３、投影光学系４
５はＢＯレンズ１を使用しているために、薄型化、軽量
化が実現でき、更には光学系の汚染対策が容易となる。
ズユニット３１が組み込まれＫｒＦエキシマレーザーを
用いたステッパを用いて半導体デバイスを製作すること
ができる。この場合に、照明光学系４３、投影光学系４
５はＢＯレンズ１を使用しているために、薄型化、軽量
化が実現でき、更には光学系の汚染対策が容易となる。
【００２８】図８はＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル或いはＣＣＤ等の半導体デバイスの製造工程図
を示している。先ず、ステップ１において半導体デバイ
スの回路設計を行い、続いてステップ２においてステッ
プ１で設計した回路パターンをＥＢ描画装置を用いてク
ロムマスク板上に描画を行い、レチクルを作成する。
晶パネル或いはＣＣＤ等の半導体デバイスの製造工程図
を示している。先ず、ステップ１において半導体デバイ
スの回路設計を行い、続いてステップ２においてステッ
プ１で設計した回路パターンをＥＢ描画装置を用いてク
ロムマスク板上に描画を行い、レチクルを作成する。
【００２９】一方、ステップ３においてシリコン等の材
料を用いてウェハを製造する。その後に、前工程と呼ば
れるステップ４において、ステップ２、３において用意
したレチクル及びウェハを用い、リソグラフィ技術によ
ってウェハ上に回路を形成する。更に、後工程と呼ばれ
るステップ５において、ステップ４で製造されたウェハ
を用いてダイシング、ボンディング等のアッセンブリ工
程、チップ封入等のパッケージング工程を経て半導体チ
ップ化する。その後に、チップ化された半導体デバイス
はステップ６において動作確認テスト、耐久テスト等の
検査を行われる。このような一連の工程を経て、半導体
デバイスは完成し、ステップ７に進み出荷される。
料を用いてウェハを製造する。その後に、前工程と呼ば
れるステップ４において、ステップ２、３において用意
したレチクル及びウェハを用い、リソグラフィ技術によ
ってウェハ上に回路を形成する。更に、後工程と呼ばれ
るステップ５において、ステップ４で製造されたウェハ
を用いてダイシング、ボンディング等のアッセンブリ工
程、チップ封入等のパッケージング工程を経て半導体チ
ップ化する。その後に、チップ化された半導体デバイス
はステップ６において動作確認テスト、耐久テスト等の
検査を行われる。このような一連の工程を経て、半導体
デバイスは完成し、ステップ７に進み出荷される。
【００３０】図９は図８において上述したステップ３に
おけるウェハ製造の詳細な製造工程図を示している。先
ず、ステップ１１においてウェハ表面を酸化させる。続
いてステップ１２においてウェハ表面をＣＶＤ法により
絶縁膜を形成し、ステップ１３において電極形成を行
う。更にステップ１４に進み、ウェハにイオンを打込
み、続いてステップ１５においてウェハ上に化学増幅型
レジストを塗工する。更にステップ１６で、図８におい
て説明したＫｒＦエキシマレーザーステッパのステップ
アンドリピート露光によりレチクルの回路パターンをウ
ェハ上のレジスト膜上に焼付ける。その後に、ステップ
１７においてステップ１６において露光したウェハ上の
レジストを現像する。
おけるウェハ製造の詳細な製造工程図を示している。先
ず、ステップ１１においてウェハ表面を酸化させる。続
いてステップ１２においてウェハ表面をＣＶＤ法により
絶縁膜を形成し、ステップ１３において電極形成を行
う。更にステップ１４に進み、ウェハにイオンを打込
み、続いてステップ１５においてウェハ上に化学増幅型
レジストを塗工する。更にステップ１６で、図８におい
て説明したＫｒＦエキシマレーザーステッパのステップ
アンドリピート露光によりレチクルの回路パターンをウ
ェハ上のレジスト膜上に焼付ける。その後に、ステップ
１７においてステップ１６において露光したウェハ上の
レジストを現像する。
【００３１】また、この工程では予め、化学増幅型レジ
ストに特有なＰＥＢ(Post ExposureBake)工程を含む。
更にステップ１８に進み、ステップ１７において現像し
たレジスト像以外の部分をエッチングする。その後に、
ステップ１９においてエッチングが済んで不要となった
レジストを剥離する。更に、これらの一連の工程を繰り
返し行うことにより、ウェハ上に多重の回路パターンを
形成することができる。
ストに特有なＰＥＢ(Post ExposureBake)工程を含む。
更にステップ１８に進み、ステップ１７において現像し
たレジスト像以外の部分をエッチングする。その後に、
ステップ１９においてエッチングが済んで不要となった
レジストを剥離する。更に、これらの一連の工程を繰り
返し行うことにより、ウェハ上に多重の回路パターンを
形成することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光学素
子は、貫通孔を有するために密閉空間に配置した場合
に、貫通孔を介して雰囲気ガスを置換できる。
子は、貫通孔を有するために密閉空間に配置した場合
に、貫通孔を介して雰囲気ガスを置換できる。
【００３３】また、本発明に係る光学系は、貫通孔を有
する回折光学素子を組込んでいるために内部の汚染され
た内部雰囲気を清浄ガスと置換できる。
する回折光学素子を組込んでいるために内部の汚染され
た内部雰囲気を清浄ガスと置換できる。
【００３４】更に、本発明に係る光学系は、貫通孔を有
する回折光学素子を組込んでいるために内部の汚染され
た内部雰囲気を清浄ガスと置換できる。
する回折光学素子を組込んでいるために内部の汚染され
た内部雰囲気を清浄ガスと置換できる。
【００３５】また、本発明に係る光学系の汚染防止方法
は、内部の密閉空間に配置した回折光学素子、光学レン
ズの貫通孔を介して気体を置換することにより内部の汚
染された雰囲気を置換する。
は、内部の密閉空間に配置した回折光学素子、光学レン
ズの貫通孔を介して気体を置換することにより内部の汚
染された雰囲気を置換する。
【図１】ＢＯレンズの斜視図である。
【図２】ＢＯレンズの断面図である。
【図３】階段状ＢＯ素子の模式図である。
【図４】ＢＯレンズ及びマスクの断面図である。
【図５】レンズユニットの断面図である。
【図６】レンズユニットの断面図である。
【図７】ステッパの模式図である。
【図８】半導体デバイスの製造工程図である。
【図９】ウエハの製造工程図である。
１ ＢＯレンズ １１ ＢＯ基板 １２、１３、１４ クロムマスク １５ ＢＯ素子 ２１、３１ レンズユニット ２２ 前玉レンズ ２３ 後玉レンズ ２４、３２、３３、３４ 貫通孔 ２５ ガス導入口 ２８ ガス放出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H049 AA04 AA33 AA36 AA37 AA44 AA48 AA55 AA63 AA64 5F046 AA11 AA13 AA22 BA04 CA04 CB17 CB23 CB24
Claims (12)
- 【請求項１】 回折格子を設けた面をシールドした回折
光学素子であって、表裏面間を貫通する貫通孔を設け、
該貫通孔を介して気体を排気又は置換することを特徴と
する光学素子。 - 【請求項２】 凹凸構造を設けた面をシールドした光学
素子であって、表裏面間を貫通する貫通孔を設け、該貫
通孔を介して気体を排気又は置換することを特徴とする
光学素子。 - 【請求項３】 前記貫通孔は外周部に設けたことを特徴
とする請求項１又は２に記載の光学素子。 - 【請求項４】 表裏面に対し貫通孔を有する回折光学素
子を組み込んだことを特徴とする光学系。 - 【請求項５】 表裏面に対し貫通孔を有する光学素子と
表裏面に対し貫通孔を有する光学レンズとから成ること
を特徴とする光学系。 - 【請求項６】 光学部材に設けた貫通孔を介して気体を
置換し内部の汚染を防止することを特徴とする光学系の
汚染防止方法。 - 【請求項７】 請求項４の光学系を備えたことを特徴と
する照明光学系。 - 【請求項８】 請求項５の光学系を備えたことを特徴と
する投影光学系。 - 【請求項９】 請求項７の照明光学系を備えたことを特
徴とする半導体製造用露光焼付装置。 - 【請求項１０】 請求項８の投影光学系を備えたことを
特徴とする半導体製造用露光焼付装置。 - 【請求項１１】 請求項８又は９の半導体製造用露光焼
付装置を用いて製造したことを特徴とする半導体デバイ
ス。 - 【請求項１２】 請求項１０の半導体製造用露光焼付装
置を用いて製造したことを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082499A JP2000275416A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光学素子及び該素子を用いた光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082499A JP2000275416A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光学素子及び該素子を用いた光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275416A true JP2000275416A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13776200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11082499A Pending JP2000275416A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光学素子及び該素子を用いた光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000275416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137582A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Fujifilm Corporation | Exposure method and apparatus |
| CN102656515A (zh) * | 2009-12-14 | 2012-09-05 | 派因布鲁克成像系统公司 | 光学成像写入系统 |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11082499A patent/JP2000275416A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137582A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Fujifilm Corporation | Exposure method and apparatus |
| CN102656515A (zh) * | 2009-12-14 | 2012-09-05 | 派因布鲁克成像系统公司 | 光学成像写入系统 |
| CN102656515B (zh) * | 2009-12-14 | 2015-03-11 | 班布努克影像公司 | 光学成像写入系统 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041012 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050301 |