KR20050010336A - 반도체 나노결정 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 12족 금속 또는 12족 금속 전구체를 분산제 및 용매와 혼합하고, 이를 가열하여 12족 금속 전구체 용액을 얻는 단계; 16족 원소 또는 16족 원소 전구체를 이와 배위 가능한 용매에 용해하여 16족 원소 전구체 용액을 얻는 단계; 상기 12족 금속 전구체 용액과 16족 원소 전구체 용액을 혼합하여 반응시킨 후, 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 화학적 습식 합성법으로 크기와 형태가 균일하고, 양자 효율이 높고, 안정한 12, 16족 화합물 반도체 나노결정을 제조할 수 있다.

Description

반도체 나노결정 및 그 제조방법{Semiconductor nanocrystal and method for preparing the same}
본 발명은 반도체 나노결정 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 가시광 영역에서 높은 효율로 발광하는 12족-16족의 화합물 반도체 나노결정 및 이 반도체 나노결정을 습식 합성법에 따라 제조하는 방법에 관한 것이다.
화합물 반도체 물질을 나노 크기의 결정으로 제조하게 되면 그 물질의 벌크 엑시톤 보어 반경(bulk exciton Bohr radius) 보다 작은 영역에서 양자 제한(quantum confinement)효과를 나타내게 되고, 이러한 양자 제한 효과에 의하여 반도체 물질의 특성으로 나타나던 밴드 갭 에너지가 변화하게 된다. 원래의 화합물 반도체 물질이 가시광 영역에서 발광을 하는 경우, 나노 결정으로 만들어 크기를 줄여가면 특정한 크기 이하에서 밴드 갭 에너지가 변화하기 시작하여 에너지가 점점 증가하게 되고, 발광 영역이 청색 영역으로 이동하는 청색 천이(blue shift)가 관찰된다. 이러한 양자점(quantum pot) 물질의 특성을 이용하여, 물질 자체의 특성과, 구조, 형태, 크기를 조절하여 해당 밴드 갭을 조절하여 다양한 에너지 준위를 만들어 낼 수 있다.
양자점 성장 제어 기술은 신개념 미래 반도체 소자의 개발 기술 가운데 가장 중요한 기술로 주목 받고 있다. 특히 기존의 기상 증착 방법인 MOCVD(metal organic chemical deposition), MBE(molecular beam epitaxy) 등은 반도체 박막을 단일 원자 층 수준으로 제어할 수 있고, 양자점을 성장시키고 제어할 수 있는 좋은 성장 기술이라고 할 수 있다. 하지만, 주로 격자 부정합에 의하여 기상법으로 제조된 양자점은 양자점 자체의 결정성은 좋지만 크기, 균일도, 밀도 등을 조절하는 데 치명적인 결함이 있어, 현재까지 이러한 기술로는 상용화 할 수 있는 소자를 실현하기가 어려운 것으로 알려져 있다.
기상법으로 박막 위에서 양자점을 성장 시키는 기술의 단점과 한계를 극복하고자, 화학적인 습식 방법으로 양자점을 합성하려는 시도가 있었다. 그런데, 이러한 화학적 습식 합성법에서는 배위가 가능한 유기 용매에서 결정을 성장시킬 수 있는 전구체 물질을 도포하여 결정이 성장되면서 유기 용매가 자연스럽게 양자점 결정 표면에 배위 되어 분산제의 역할을 하게 되어 나노 크기의 양자점을 조절하는 방법이다.
미국 특허 제6,225,198호 B1은 12, 16족 화합물 반도체 양자점을 합성하는 공정을 개시하고 있다. 이러한 합성공정에 의하면, 12족의 전구체인 12족 금속 (Zn, Cd, Hg)을 포함하는 물질을 첫 번째 분산제 용액에 녹이고, 16족 전구체인 16족 원소 (S, Se, Te)를 포함하는 물질을 두 번째 분산제 용액에 녹이고, 여기에 상기 두 가지 전구체를 녹일 수 있는 용매를 부가한 후, 결정이 성장할 수 있는 온도를 유지하여, 12, 16 족 화합물 반도체 결정을 제조하고, 원하는 크기가 되면 결정을 분리해낸다. 그런데, 특히 이 반응계의 단점은 한정된 용매를 사용하는 것인데, 이 때 사용된 용매는 트리 옥틸 포스포닉 산 (Tri-octyl phosphonic acid, 이후 TOPO로 나타냄)으로, 현재 상업적으로 구입이 가능한 TOPO는 약 90%의 테크니컬 그래이드(technical grade)로만 판매되고 있으며, 불순물이 다량 포함된 용매에서 재현성 있고, 균일한 크기의 양자 구조를 제조하기 어렵다고 보고되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 TOPO를 99%까지 정제하여 사용하게 되면 TOPO의 결합(binding) 특성이 변하여 원하는 결정으로 성장시킬 수 없기 때문에 90% 테크니컬 그래이드(technical grade)에 포함된 불순물이 반응에 결정적인 요인을 미치면서도, 조절할 수 없는 반응 변수가 되어 바람직하지 않은 결과를 낳는 것으로 보고되어 있다.
미국 특허 제6,306,736호에서는 앞서 설명한 12, 16 족 화합물 반도체 양자점의 합성 방법과 같은 공정을 12I, V족 화합물 반도체 양자점의 합성 방법에 적용한 것이다.
미국 특허 제6,322,901호 B1는 발광 효율이 증가된 코아 (core)-쉘 (shell) 구조를 가지는 양자점 물질과, 미국 특허 제6,207,229호에서는 코아 (core)-쉘 (shell) 구조를 가지는 양자점 물질을 제조하는 방법에 대하여 기술하고 있다. 이렇게 형성된 코아-쉘 구조의 화합물 반도체 양자점은 발광 효율이 30% ~ 50%까지 증가하는 것으로 보고되었다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 크기와 형태가 균일하고, 양자 효율이 높고, 안정한 12족, 16족 화합물 반도체 나노결정을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 12족, 16족 화합물 반도체 나노결정을 화학적 습식 방법에 따라 단순하고 재현성이 있게 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 반도체 나노 결정을 채용하여 발광 특성 등이 우수한 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 6에 따라 얻은 CdSeS 나노 결정의 고해상도 High 투과전자현미경 사진(TEM)(Scale bar=5nm)을 나타낸 것이고,
도 2는 본 발명의 실시예 6에 따라 얻은 CdSeS 나노 결정의 STEM(Scanning Transmission Electron Microscopy)/EDS(Energy Dispersive Spectrometer) 사진 (Scale bar=50nm)을 나타낸 것이고,
도 3은 본 발명의 실시예 6에 따라 얻은 CdSeS 나노 결정의 X-선 회절 스펙트럼을 나타낸 것이고,
도 4는 본 발명의 실시예 6에 따라 얻은 CdSeS 나노 결정의 자외선 분광 흡수 스펙트럼이고,
도 5는 본 발명의 실시예 6에 따라 얻은 CdSeS 나노 결정의 광 여기 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는,
(a) 12족 금속 또는 12족 금속 전구체를 분산제 및 용매와 혼합하고, 이를 가열하여 12족 금속 전구체 용액을 얻는 단계;
(b) 16족 원소 또는 16족 원소 전구체를 이와 배위 가능한 용매에 용해하여 16족 원소 전구체 용액을 얻는 단계;
(c) 상기 12족 금속 전구체 용액과 16족 원소 전구체 용액을 혼합하여 반응시킨 후, 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법을 제공한다.
상기 (b) 단계의 16족 원소 또는 그 전구체로서 2종 이상의 16족 원소 전구체를 사용하는 경우, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 12족 금속 전구체 용액에 상기 2종 이상의 16족 원소 또는 그 전구체 용액을 부가하는 경우, 2종 이상의 16족 원소 전구체 용액을 동시에 부가하거나 또는 순차적으로 부가할 수 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 1종 이상의 12족 금속과, 1종 이상의 16족 원소로 구성되는 삼성분계 이상 합금 형태의 양자구조를 갖는 반도체 나노 결정의 예로서, ZnSSe, ZnSeTe, ZnSTe, CdSSe, CdSeTe, CdSTe, HgSSe, HgSeTe, HgSTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnHgS, ZnHgSe, ZnHgTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, ZnCdSSe, ZnHgSSe, ZnCdSeTe, ZnHgSeTe, CdHgSSe 또는 CdHgSeTe을 들 수 있다.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는 한 쌍의 전극 사이에 유기막을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
상기 유기 막이 상술한 반도체 나노 결정을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자에 의하여 이루어진다.
본 발명은, 1종 이상의 12족 금속 또는 12족 금속 전구체를 분산제와 반응 용매와 혼합하고, 이를 소정 온도 범위로 가열하여 균일한 용액을 만들고, 1종 이상의 16족 원소 또는 그 전구체를 이와 배위 결합력이 적당한 용매에 녹여, 특정 온도로 유지되고 있는 12족 금속이 포함된 반응 용매 내에 주입하여 반도체 결정을 성장시키는 방법을 제공한다. 이와 같이 간단한 제조공정으로 크기 분포가 매우 좁고 (FWHM<30nm), 발광효율이 높고 (>50%), 재현성이 매우 우수한 12, 16족 화합물 반도체의 양자 구조를 합성할 수 있고, 특히 삼성분계 이상의 결정성이 우수하고, 별도의 선택적 분리과정을 거치지 않아도 균일한 크기를 갖는 화합물 반도체 양자점을 제조할 수 있다.
삼성분계 이상의 화합물 반도체는, 1종 이상의 12족 금속 또는 그 전구체를 반응 용매와 분산제에 녹여 12족 금속 전구체 용액을 얻고, 여기에 1종 이상의 16족 원소 또는 그 전구체를 용매에 용해하여 각각 얻은 16족 원소 전구체 용액을 동시에 주입하거나 또는 순차적으로 주입하는 방법에 의하여 제조할 수 있다. 이 때 생성되는 화합물 반도체의 나노 결정 구조는 다른 종류의 원소를 사용할 때 원소 종류에 따른 반응 속도의 차이 또는 혼합되어 사용되는 비율에 따라 특정한 구조를 가질 수 있고, 사용되는 물질에 따라 밴드 갭과 발광 효율 등을 조절할 수 있는 특징이 있다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 나노결정의 제조방법을 보다 상세하게 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 1종 이상의 12족 금속 또는 1종 이상의 12족 금속 전구체를 분산제 및용매와 혼합하고, 이를 소정온도범위가 되도록 가열하여 12족 금속 전구체 용액을 얻는다.
상기 12족 금속은 Zn, Cd, Hg 또는 그 혼합물을 사용하며, 상기 12족 금속의 전구체로는 공기 중에서 비교적 안정하면서 전구체 주입 과정에서 유독한 가스 등을 발생시키지 않는 물질로서, 12족 금속의 산화물, 12족 금속의 할로겐 화합물, 12족 금속의 유기 착물 등을 사용하며, 이의 구체적인 예로는 아세트산아연, 아연 아세틸아세토네이트, 요도화 아연, 브롬화아연, 염화아연, 불화아연, 아연 카보네이트, 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 질산아연(Zinc nitrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 카드뮴 아세테이트(Cadmium acetate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylacetonate), 요도화카드뮴(Cadmium iodide), 브롬화카드뮴, 염화카드뮴, 불화카드뮴, 카드뮴 카보네이트, 질산카드뮴, 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 퍼클로레이트, 카드뮴 포스파이드, 황산카드뮴, 아세트산수은, 요도화수은, 브롬화수은, 염화수은, 불화수은, 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 질산수은(Mercury nitrate), 수은 옥사이드(Mercury oxide), 수은 퍼클로레이트(Mercury perchlorate), 황산수은(Mercury sulfate) 또는 그 혼합물을 사용한다.
상기 분산제로는 12족 금속 또는 그 전구체와 반응하여 12족 금속과 착물을 형성할 수 있는 물질을 사용한다. 여기에서 분산제는 그 종류와 농도에 따라 분산제의 배위 능력과 특정 결정면의 성장속도가 조절될 수 있기 때문에 최종적으로 얻어지는 반도체 나노결정의 크기와 형태에 매우 중요한 영향을 미치는 인자 중 하나이다.
상기 분산제의 구체적인 예로는 약한 산성을 띠는 유기물로서, 말단에 COOH기를 갖는 탄소 수 2 내지 18의 알킬카르복실산, 말단에 PO3H기를 갖는 탄소수 2내지 18의 알케닐카르복실산, 말단에 SO3H기를 갖는 탄소수 2내지 18의 알킬술폰산, 탄소수 2내지 18의 알케닐술폰산 등을 들 수 있다. 그리고 상기 분산제중 약한 염기성을 띠는 유기물로서, 말단에 NH2기를 갖는 탄소수 2내지 18의 알킬아민 또는 말단에 NH2기를 갖는 탄소수 2내지 18의 알케닐아민 을 사용한다. 이러한 분산제의 구체적인 예로서, 올레인산, 스테아르산, 팔미트산, 헥실 포스포닉산(hexyl phosphonic acid), n-옥틸포스포닉산, 테트라데실 포스포닉산, 옥타데실 포스포닉산, n-옥틸 아민, 헥실데실 아민을 들 수 있다.
상기 12족 금속 또는 12족 금속 전구체와, 분산제의 비율은 1:0.1에서 1:100 몰비인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1:1 내지 1:20 몰비, 보다 더 바람직하게는 1:2 내지 1:8 몰비이다. 만약 분산제의 함량이 상기 범위 미만이면, 금속 또는 금속 전구체를 안정화 시키지 못하고, 상기 범위를 초과하면 반응 속도의 조절이 어렵고, 나노 결정의 크기 분포가 커진다.
상기 용매로는 불순물이 적게 포함되면서 상온에서는 액체 상태로 존재하고, 배위 되는 세기가 적당한 것을 사용한다. 이러한 용매로는 탄소수 6 내지 22개의 1차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 22개의 2차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 22개의 3차 알킬 아민이나, 또는 탄소수 6 내지 22개의 질소 함유 헤테로고리 화합물, 탄소수 6 내지 22개의 황 함유 헤테로고리 화합물, 탄소수 6 내지 22개의 알칸, 탄소수 6 내지 22개의 알켄, 탄소수 6 내지 22개의 알킨 등을 사용한다. 상기 1차 알킬 아민의 구체적인 예로는 도데실아민, 헥사데실아민, 디메틸도데실아민 등이 있고, 상기 2차 알킬 아민의 구체적인 예로는 디옥틸아민이 있고, 상기 3차 알킬 아민의 예로는 트리옥틸아민이 있다. 그리고 상기 질소 함유 헤테로고리 화합물의 예로는 이소프로필-2,3-디페닐아지리딘이 있고, 상기 황 함유 헤테로고리 화합물의 예로는 디메틸술폴레인이 있고, 상기 알칸의 예로는 옥타데칸이 있고, 상기 알켄의 예로는 옥타데신이 있고, 상기 알킨의 예로는 도데신이 있다.
상기 용매는 적절한 배위 능력과 결정 핵의 분산 능력을 동시에 갖고 고온의 반응 온도에서도 안정하게 존재하여야 하므로, 일정 길이 이상의 탄소 결합을 갖는 것이 보다 바람직한데, 대략적으로는 6-18개 정도의 탄소수를 갖는 것이 바람직하다. 또한 이러한 반응 용매는 화합물 반도체를 구성하는 물질의 전구체를 용해 시킬 수 있어야 한다.
상기 12족 금속 또는 12족 금속 전구체와, 용매의 혼합비는 0.1:1 내지 1:100이며, 바람직하게는 0.5:1 내지 1:40이며, 보다 바람직하게는 1:1 내지 1:20이다.
상기 12족 금속 전구체 용액의 농도는 0.001 내지 2M 이고, 바람직하게는 0.005 내지 0.5M이며, 보다 더 바람직하게는 0.01 내지 0.1M이다.
이어서, 1종 이상의 16족 원소 또는 1종 이상의 16족 원소 전구체를 이와배위될 수 있는 용매에 용해하여 16족 원소 전구체 용액을 얻는다.
상기 16족 원소로는 황 (S), 셀레늄(Se), 텔러륨 (Tellurium)(Te) 또는 그 혼합물을 사용하며, 16족 원소 전구체로는 황 분말, 셀레늄 분말, 텔러륨 분말 또는 트리메틸실릴 설퍼 (S(TMS), TMS=Trimethylsilyl), 트리메틸실릴 셀레늄 (Se(TMS)), 트리메틸실릴 텔러륨 (Te(TMS))을 사용한다.
상기 용매로는 상술한 12족 원소 전구체 용액 제조 시 사용한 용매와 동일한 것을 사용하면 되며, 이러한 용매는 16족 원소에 배위 될 수 있다. 용매중 알칸, 알켄, 알킨 등은 16족 원소에 배위되는 능력이 거의 없고 알킬 아민, 알킬포스포닉산, 질소 함유 헤테로고리, 황 함유 헤테로고리 등은 16족 원소에 약하게 배위된다.
상기 1종 이상의 16족 원소 또는 1종 이상의 16족 원소 전구체와 용매의 혼합비는 0.1:1 내지 1:100이며, 바람직하게는 0.5:1 내지 1:40이며, 보다 바람직하게는 1:1 내지 1:20이다.
상기 16족 원소 전구체 용액의 농도는 0.001 내지 2M이고, 바람직하게는 0.01 내지 0.5M이다. 만약 상기 16족 원소 전구체 용액의 농도가 0.01M 미만이면 나노 결정을 반응 용액에서 분리하기 어렵고, 0.5M을 초과하면 결정의 분포가 넓어져서 바람직하지 못하다.
상기 과정에 따라 12족 금속 전구체 용액에 16족 원소 전구체 용액을 주입하여 반응시킨 후, 결정을 성장시켜 12족-16족 화합물 반도체 나노 결정을 얻을 수 있게 된다.
만약 16족 원소 전구체 용액이 1종 이상의 16족 원소 전구체를 포함하고 있는 경우, 16족 원소 전구체 용액의 부가방법으로는 하기 2가지 방법을 들 수 있다.
첫번째 방법은 1종 이상의 16족 원소 또는 그 전구체를 함유하는 전구체 용액을 각각 제조하고, 복수의 16족 원소 전구체 용액을 12족 금속 전구체 용액에 동시에 부가하는 방법이다.
두번째 방법은 1종 이상의 16족 원소 전구체를 함유하는 전구체 용액을 각각 제조하고, 이들을 12족 금속 전구체 용액에 순차적으로 부가하는 방법이다.
상기 첫번째 방법에 의하면, 코아와 쉘의 구조가 뚜렷이 분리되지 않은 1종 이상의 12족 금속과 1종 이상의 16족 원소로 구성되는 삼성분계 이상의 다원계 반도체 나노결정을 얻을 수 있다. 이러한 화합물 반도체 나노결정의 구체적인 예로서, ZnSSe, ZnSeTe, ZnSTe, CdSSe, CdSeTe, CdSTe, HgSSe, HgSeTe, HgSTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnHgS, ZnHgSe, ZnHgTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, ZnCdSSe, ZnHgSSe, ZnCdSeTe, ZnHgSeTe, CdHgSSe, CdHgSeTe 등이 있다. 이러한 삼성분계 이상의 화합물 반도체는 코어-쉘로 구성된 양자 구조와 달리 사용된 전구체의 비율에 따라 밴드 갭을 조절할 수 있게 되고, 특정한 비율에서만 발광 효율이 증가된다.
상기 두번째 방법에 의하면, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgTe 등과 같은 반도체 나노 결정 또는 CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe, CdSe/CdS, CdS/ZnS, CdTe/CdSe, CdTe/CdS, CdTe/ZnS, CdTe/ZnSe 등과 같은 코아/쉘 반도체 나노 결정을 얻을 수 있다.
상기 가열온도는 100℃ 내지 400℃, 바람직하게는 200℃ 내지 350℃, 보다바람직하게는 300℃ 내지 350℃인 것이 바람직하다. 이 때 가열온도가 100℃미만이면 결정의 성장이 어렵고, 400℃를 초과하면 안정한 용매를 찾기가 어렵고, 결정의 성장속도를 조절하기 어려워 바람직하지 못하다.
상기 12족 금속 전구체 용액과 16족 원소 전구체 용액의 반응으로 얻어진 결정을 성장시키는 시간은 1초 내지 10시간이다. 바람직하게는 10초 내지 5시간이며, 보다 바람직하게는 30초 내지 2시간이다. 만약 결정성장 시간이 상기 범위를 벗어나면 반응 속도를 조절하기 어려워지므로, 공정상 여러 가지면에서 바람직하지 못하다.
만약 12족 원소 전구체 용액이 1종 이상의 12족 원소 또는 그 전구체를 포함하고 있는 경우 16족 원소 전구체 용액과 혼합할 때, 다음 두가지 방법이 모두 다 가능하다.
첫번째 방법은 상기 1종 이상의 12족 원소 전구체를 함유하는 전구체 용액을 각각 제조하고, 이 전구체 용액을 16족 금속 전구체 용액과 순차적으로 혼합한다.
두번째 방법은 1종 이상의 16족 원소 전구체를 함유하는 전구체 용액을 각각 제조하고, 이 전구체 용액을 12족 금속 전구체 용액과 동시에 부가한다.
상술한 제조방법에 따라 얻어진 반도체 나노 결정의 양자 구조는 특별하게 제한되지는 않으며, 구형, 막대형, 트리포드(tripod)형, 테트라포드(tetrapod)형, 입방체(cube)형, 박스(box)형 또는 스타(star)형일 수 있다.
본 발명의제조방법에 따라 얻은 삼성분계 이상의 화합물 반도체 나노 결정은 그 발광 영역이 300nm내지 1300n이다. 그리고 이러한 화합물 반도체의 양자 구조의 발광 효율이 30% 이상이며, 바람직하게는 50% 이상이다.
상기 삼성분계 이상의 화합물 반도체는 양자 구조의 크기 분포를 나타내는 광 여기 발광 스펙트럼의 FWHM이 50nm 이하이고, 바람직하게는 30nm이하로서, 균일한 크기 분포를 갖는 나노 입자이다.
한편, 상술한 코아와 쉘의 구조가 뚜렷이 분리되지 않은 1종 이상의 12족 금속과 한가지 종류 이상의 16족 원소로 구성되는 삼성분계 또는 그 이상의 다원계 반도체 나노결정은 디스플레이, 센서, 에너지 분야 등과 같은 분야에 다양하게 응용될 수 있고, 특히 유기 전계 발광 소자의 유기막 특히 발광층 형성시 유용하다. 이러한 반도체 나노 결정을 발광층에 도입하고자 하는 경우에는 진공증착법, 스퍼터링법, 프린팅법, 코팅법, 잉크젯방법, 전자빔을 이용한 방법 등을 이용할 수 있다. 여기에서 유기막의 두께는 50 내지 100 nm인 것이 바람직하다. 여기에서 상기 유기막으로는, 발광층이외에 전자전달층, 정공전달층 등과 같이 유기 전계발광 소자에서 한 쌍의 전극 사이에 형성되는 유기 화합물로 된 막을 지칭한다.
이러한 유기 전계발광 소자는 통상적으로 알려진 양극/발광층/음극, 양극/버퍼층/발광층/음극, 양극/정공전달층/발광층/음극, 양극/버퍼층/정공전달층/발광층/음극, 양극/버퍼층/정공전달층/발광층/전자전달층/음극, 양극/버퍼층/정공전달층/발광층/정공차단층/음극 등의 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이때 상기 버퍼층의 소재로는 통상적으로 사용되는 물질을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine), 폴리티오펜 (polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylene 16nylene), 또는 이들의 유도체를 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공전달층의 소재로는 통상적으로 사용되는 물질을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리트리페닐아민(polytriphenylamine)을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자전달층의 소재로는 통상적으로 사용되는 물질을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리옥사디아졸(polyoxadiazole)을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층의 소재로는 통상적으로 사용되는 물질을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 LiF, BaF2또는 MgF2등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제작은 특별한 장치나 방법을 필요로 하지 않으며, 통상의 발광 재료를 이용한 유기 전계발광 소자의 제작방법에 따라 제작될 수 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 보다 상세하게 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1. CdSe 나노 결정의 합성
트리 옥틸 아민 (Tri-octyl amine, 이후 TOA로 표시) 10g과 올레인산(Oleicacid) 2g, CdO 0.5mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100ml 플라스크에 넣고, 이를 교반 하면서 반응 온도를 180℃로 조절하였다.
이와 별도로, Se 분말을 트리 옥틸 포스핀 (Tri-octyl phosphine, 이후 TOP로 표시)에 녹여서 Se 농도가 약 0.25M인 Se-TOP 착물 용액을 만들었다. 이 Se-TOP 용액 2ml를 상술한 반응 혼합물에 빠른 속도로 주입하고 교반 하면서 반응 시간을 약 5분으로 유지하였다.
반응 혼합물의 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액은 데칸트해서 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시킨 후, PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)을 측정하였다.
PL 스펙트럼 측정 결과, 발광 파장은 약 574nm에서 나타났고, FWHM은 약 30nm로 나타났다.
실시예 2. ZnSe 나노 결정의 합성
TOA 16g과 올레인산 0.5g, 아연 아세틸 아세토네이트(Zinc acetyl acetonate) 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100ml 플라스크에 넣고, 이를 교반 하면서 반응 온도를 300℃로 조절하였다.
이와 별도로, Se 분말을 TOP에 녹여서 Se 농도가 약 0.25M인 Se-TOP 착물 용액을 만들었다. 이 Se-TOP 용액 1ml를 상술한 반응 혼합물에 빠른 속도로 주입하고교반 하면서 반응 시간을 약 2분으로 유지하였다.
반응 혼합물의 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액은 데칸트해서 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시킨 후, PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)을 측정하였다.
PL 스펙트럼 측정 결과, 발광 파장은 약 426nm에서 나타났고, FWHM은 약 26nm로 나타났다.
실시예 3. CdS 나노 결정의 합성
TOA 16g과 올레인산 0.5g, 카드뮴 아세테이트 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100ml 플라스크에 넣고, 이를 교반 하면서 반응 온도를 300℃로 조절하였다.
이와 별도로, Se 분말을 TOP에 녹여서 Se 농도가 약 0.25M인 Se-TOP 착물 용액을 만들었다. 이 Se-TOP 용액 1ml를 상술한 반응 혼합물에 빠른 속도로 주입하고 교반 하면서 반응 시간을 약 2분으로 유지하였다.
반응 혼합물의 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액은 데칸트해서 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시킨 후, PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)을 측정하였다.
PL 스펙트럼 측정 결과, 발광 파장은 약 496nm에서 나타났고, FWHM은 약 18nm로 나타났다.
실시예 4. CdSe/CdS 코아(core)/쉘(shell) 나노 결정의 합성
TOA 16g과 올레인산 0.5g, 카드뮴 아세테이트 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100ml 플라스크에 넣고, 이를 교반 하면서 반응 온도를 300℃로 조절하였다.
이와 별도로, Se 분말을 TO에 녹여서 Se 농도가 약 0.25M인 Se-TOP 착물 용액을 만들었다. 이 Se-TOP 착물 용액 1ml를 상술한 반응 혼합물에 빠른 속도로 주입하고 교반 하면서 반응 시간을 약 4분동안 유지하였다.
S 분말은 TOP에 녹여서 S 농도가 2M 정도인 S-TOP 착물 용액을 준비하고, S-TOP 착물 용액 1ml를 상기 과정에 따라 반응 혼합물에 적가한 다음, 교반하였다.
상기 반응 혼합물의 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액은 데칸트해서 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시킨 후, PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)을 측정하였다.
상기 PL 스펙트럼 측정 결과, 발광 파장은 약 582nm에서 나타났고, FWHM은 약 30nm로 나타났다.
실시예 5. CdSeS 나노 결정의 합성
TOA 16g과 올레인산 0.5g, 카드뮴 옥사이드 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 100ml 플라스크에 넣고, 이를 교반 하면서 반응 온도를 300℃로 조절하였다.
이와 별도로 Se 분말은 TOP에 녹여서 Se 농도가 0.1M 정도인 S-TOP 착물 용액을 만들고, S 분말은 TOP에 녹여서 S 농도가 4M 정도인 S-TOP 착물 용액을 준비하였다.
상기 교반되고 있는 반응 혼합물에 S-TOP 착물 용액 0.5ml와 Se-TOP 착물 용액 0.5ml의 혼합물을 빠른 속도로 주입하고 4분 정도 더 교반시켰다.
상기 반응 혼합물의 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 반응 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액은 데칸트해서 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시킨 후, PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)을 측정하였다.
상기 PL 스펙트럼 측정 결과, 발광 파장은 약 520nm에서 나타났고, FWHM은 약 30nm으로 나타났다.
도 1은 상기 과정에 얻은 CdSeS 나노 결정의 고해상도 TEM 사진을 나타낸 것이다. 이를 참조하면 나노 입자의 결정이 균일한 형태와 크기로 성장할 것을 알 수 있다.
도 2는 상기 과정에 따른 CdSeS 나노 결정의 STEM/EDS 이미지 (Scalebar=50nm)를 나타낸 것이다. 이를 참조하면, 나노 결정의 조성과 크기 분포가 균일한 것을 알 수 있었다
도 3은 상기 과정에 따른 CdSeS 나노 결정의 X-선 회절 스펙트럼을 나타낸 것이다. 이를 참조하면, CdSe 또는 CdS의 결정에 의한 회절 패턴이 얻어짐을 알 수 있었다.
도 4는 상기 과정에 따른 CdSeS 나노 결정의 자외선 분광기 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이다. 이를 참조하면, 일정한 에너지에 의하여 여기 되는 균일한 나노 결정이 생성됨을 파악할 수 있었다
도 5는 상기 과정에 따른 CdSeS 나노 결정의 광 여기 발광 스펙트럼 (Emission=426, 456, 474nm for zinc cadmium selenide, 500, 530, 568, 594nm for cadmium selenide sulfide)을 나타낸 것이다. 이를 참조하면, 결정의 에너지 준위와 크기 분포를 알 수 있고, 발광 효율도 파악할 수 있었다.
실시예 6. CdSeS 나노 결정을 이용한 OLED의 제작
이 실시예는 상기 실시예 5에서 얻은 CdSeS 나노 결정을 EL 소자의 발광 소재로 채용한 유기 EL 소자의 제작을 보여주는 것이다.
패터닝된 있는 ITO 기판 상부에 CdSeS 나노 결정과, 1wt% TPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine) 의 chloroform 용액을 1:1 중량비로 혼합한 것을 스핀코팅한 다음, 이를 건조하여 40nm 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상부에 Alq3 (tris-(8hydroxyquinoline) aluminum)를 증착하여 40nm 정도의 (전자수송층)을 형성하고, 이 상부에 Mg와 Ag를 10:1의 원소 비율로 75nm 두께로 동시 증착하여 캐소드를 형성하여 유기 EL 소자를 완성하였다.
상기 유기 EL 소자에 있어서, EL 스펙트럼을 조사하였고, 그 결과, 발광 파장은 약 520nm에서 나타났고, FWHM은 약 40nm이며, 밝기는 15Cd/m2, 장치의 효율은 0.5% 정도이다. 도 6에는 실시예 6에 따라 제작된 유기 EL 소자의 EL 스펙트럼이 나타나 있다.
본 발명에 의하면, 화학적 습식 합성법으로 크기와 형태가 균일하고, 양자 효율이 높고, 안정한 12, 16족 화합물 반도체 나노결정을 제조할 수 있다. 또한 밴드 갭을 조절하고, 발광 효율을 증가시키기 위해서 합금 또는 코아-쉘을 형성하거나 삼성분계 양자 구조를 여러 번의 공정을 반복하지 않고, 1회 공정(one-pot)에서 합성할 수 있도록, 다른 종류의 12족 금속 전구체 또는 다른 종류의 16족 원소를 혼합하여 반응함으로써 단순한 공정에서도 원하는 특성을 갖는 양자 구조의 반도체 나노 결정을 합성할 수 있다. 이렇게 합성된 반도체 나노 결정은 발광 영역 300nm 내지 1300nm에서 발광 효율이 우수하다.

Claims (21)

  1. (a) 12족 금속 또는 12족 금속 전구체를 분산제 및 용매와 혼합하고, 이를가열하여 12족 금속 전구체 용액을 얻는 단계;
    (b) 16족 원소 또는 16족 원소 전구체를 이와 배위 가능한 용매에 용해하여 16족 원소 전구체 용액을 얻는 단계;
    (c) 상기 12족 금속 전구체 용액과 16족 원소 전구체 용액을 혼합하여 반응시킨 후, 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 16족 원소 또는 그 전구체로서 2종 이상의 16족 원소 전구체를 사용하는 경우,
    상기 (c) 단계에 있어서, 상기 12족 금속 전구체 용액에 상기 2종 이상의 16족 원소 또는 그 전구체 용액을 부가하는 경우, 2종 이상의 16족 원소 전구체 용액을 동시에 부가하거나 또는 순차적으로 부가하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 12족 금속은 Zn, Cd, Hg 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 12족 금속 전구체는 아세트산아연, 아연 아세틸아세토네이트, 요도화 아연, 브롬화아연, 염화아연, 불화아연, 아연 카보네이트, 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 질산아연(Zinc nitrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 카드뮴 아세테이트(Cadmium acetate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylacetonate), 요도화카드뮴(Cadmium iodide), 브롬화카드뮴, 염화카드뮴, 불화카드뮴, 카드뮴 카보네이트, 질산카드뮴, 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 퍼클로레이트, 카드뮴 포스파이드, 황산카드뮴, 아세트산수은, 요도화수은, 브롬화수은, 염화수은, 불화수은, 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 질산수은(Mercury nitrate), 수은 옥사이드(Mercury oxide), 수은 퍼클로레이트(Mercury perchlorate), 황산수은(Mercury sulfate) 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분산제는 탄소수 2내지 18의 알킬카르복실산, 탄소수 2 내지 18의 알케닐카르복실산, 탄소수 2 내지 18의 알킬술폰산, 탄소수 2 내지 18의 알케닐술폰산, 탄소수 2 내지 18의 알킬아민, 탄소수 2 내지 18의 알케닐아민로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법.
  6. 제6항에 있어서, 상기 분산제는 올레인산, 스테아르산, 팔미트산, 헥실 포스포닉산(hexyl phosphonic acid), n-옥틸포스포닉산, 테트라데실 포스포닉산, 옥타데실 포스포닉산, n-옥틸 아민 및 헥실데실 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 12족 금속 또는 12족 금속 전구체와, 분산제의 혼합비는 1:0.1에서 1:100 몰비인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 용매는 1차 알킬 아민, 2차 알킬 아민, 3차 알킬 아민, 질소 함유 헤테로고리 화합물, 황 함유 헤테로고리 화합물, 탄소수 6 내지 22개의 알칸, 탄소수 6 내지 22개의 알켄 및 탄소수 6내지 22개의 알킨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조 방법
  9. 제8항에 있어서, 상기 용매는 트리옥틸아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 디메틸도데실아민, 옥사데센(octadecene)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조 방법
  10. 제1항에 있어서, 상기12족 금속 전구체 용액의 농도는 0.001M 내지 2M 인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조 방법
  11. 제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에 있어서, 가열이 100 내지 400℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 16족 원소는 S, Se, Te 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정의 제조 방법
  13. 제1항에 있어서, 상기 16족 원소의 전구체는 황 분말, 셀레늄 분말, 텔러륨 분말 또는 트리메틸실릴 설퍼 (S(TMS), TMS=Trimethylsilyl), 트리메틸실릴 셀레늄 (Se(TMS)), 트리메틸실릴 텔러륨 (Te(TMS))인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 제조 방법
  14. 제1항에 있어서, 상기 16족 원소 전구체 용액의 농도는 0.001M 내지 2M 인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 16족 원소의 전구체 용액과 용매의 혼합비는0.1:1 내지 1:100 몰비인 것을 특징으로 하는 제조 방법
  16. 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 반응 온도는 50℃ 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 결정 성장에 걸리는 시간이 1초 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정의 제조 방법
  18. 1종 이상의 12족 금속과, 1종 이상의 16족 원소로 구성되는 삼성분계 이상 합금 형태의 양자구조를 갖는 반도체 나노 결정.
  19. 제18항에 있어서, ZnSSe, ZnSeTe, ZnSTe, CdSSe, CdSeTe, CdSTe, HgSSe, HgSeTe, HgSTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnHgS, ZnHgSe, ZnHgTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, ZnCdSSe, ZnHgSSe, ZnCdSeTe, ZnHgSeTe, CdHgSSe 또는 CdHgSeTe인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 결정.
  20. 제18항에 있어서, 상기 나노결정의 양자구조가 구형, 막대형, 트리포드(tripod)형, 테트라포드(tetrapod)형, 입방체(cube)형, 박스(box)형 또는 스타(star)형인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정.
  21. 한 쌍의 전극 사이에 유기막을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    상기 유기막이 제18항 및 20항중 어느 한 항의 반도체 나노 결정을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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US10/885,033 US7250082B2 (en) 2003-07-19 2004-07-07 Alloy type semiconductor nanocrystals and method for preparing the same
CN2004100637815A CN1610062B (zh) 2003-07-19 2004-07-09 合金型半导体纳米晶体及其制备方法
JP2004206818A JP4933723B2 (ja) 2003-07-19 2004-07-14 合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子
US11/819,224 US7829189B2 (en) 2003-07-19 2007-06-26 Alloy-type semiconductor nanocrystals
JP2012001577A JP5540025B2 (ja) 2003-07-19 2012-01-06 半導体結晶の製造方法

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621308B1 (ko) * 2004-05-28 2006-09-14 삼성전자주식회사 다중 파장에서 발광하는 황화 카드뮴 나노 결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 황화 카드뮴 나노 결정
KR100678764B1 (ko) * 2006-02-28 2007-02-06 한국화학연구원 콜로이드상 양자점의 제조방법
WO2015016533A1 (en) * 2013-08-01 2015-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Processes for synthesizing magnesium selenide nanocrystals
US9334440B2 (en) 2012-12-07 2016-05-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Processes for synthesizing nanocrystals and nanocrystal compositions

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100657891B1 (ko) * 2003-07-19 2006-12-14 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 및 그 제조방법
US7253452B2 (en) 2004-03-08 2007-08-07 Massachusetts Institute Of Technology Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials
GB0409877D0 (en) 2004-04-30 2004-06-09 Univ Manchester Preparation of nanoparticle materials
KR100632632B1 (ko) * 2004-05-28 2006-10-12 삼성전자주식회사 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자
US8454927B2 (en) * 2004-08-04 2013-06-04 Crystalplex Corporation Alloyed semiconductor nanocrystals
JP4785363B2 (ja) * 2004-09-15 2011-10-05 シャープ株式会社 蛍光体粒子、蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置
KR100657639B1 (ko) * 2004-12-13 2006-12-14 재단법인서울대학교산학협력재단 반도체 양자점의 대량 합성 방법
JP4817298B2 (ja) * 2005-03-17 2011-11-16 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体ナノ粒子を分散した青色発光蛍光体
JP5628476B2 (ja) 2005-04-28 2014-11-19 ベンタナ・メデイカル・システムズ・インコーポレーテツド 抗体コンジュゲート
WO2006116742A2 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Ventana Medical Systems, Inc. Fluorescent nanoparticles conjugated to antibodies via a peg linker
KR100753095B1 (ko) * 2005-06-24 2007-08-31 삼성전기주식회사 금속 나노 입자와 그 제조방법
US8845927B2 (en) * 2006-06-02 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Functionalized nanoparticles and method
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
GB2472542B (en) * 2005-08-12 2011-03-23 Nanoco Technologies Ltd Nanoparticles
CN1966401B (zh) * 2005-11-14 2010-08-18 中国科学院福建物质结构研究所 一种半导体材料
JP5199880B2 (ja) * 2005-11-23 2013-05-15 ベンタナ・メデイカル・システムズ・インコーポレーテツド 分子コンジュゲート
JP2009523071A (ja) * 2005-11-28 2009-06-18 ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ 多機能ナノ構造体及びその製造方法
JP2009527437A (ja) * 2006-01-20 2009-07-30 エージェンシー フォー サイエンス， テクノロジー アンド リサーチ 水性または水溶性溶媒中での合金ナノ結晶の合成
JP5181492B2 (ja) * 2006-02-28 2013-04-10 三菱化学株式会社 蛍光体原料及び蛍光体原料用合金の製造方法
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US20080038558A1 (en) * 2006-04-05 2008-02-14 Evident Technologies, Inc. I-iii-vi semiconductor nanocrystals, i-iii-vi water stable semiconductor nanocrystals, and methods of making same
WO2007132625A1 (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. ナノ半導体粒子の製造方法
US9212056B2 (en) 2006-06-02 2015-12-15 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
US9505978B2 (en) 2006-08-11 2016-11-29 Massachusetts Institute Of Technology Blue light emitting semiconductor nanocrystals and devices
EP2444807B1 (en) 2006-11-01 2014-06-11 Ventana Medical Systems, Inc. Mono- and dinitropyrazole hapten conjugates
WO2008133660A2 (en) 2006-11-21 2008-11-06 Qd Vision, Inc. Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts
WO2008063658A2 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063653A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
WO2008063652A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
KR100841186B1 (ko) * 2007-03-26 2008-06-24 삼성전자주식회사 다층 쉘 구조의 나노결정 및 그의 제조방법
US7682789B2 (en) * 2007-05-04 2010-03-23 Ventana Medical Systems, Inc. Method for quantifying biomolecules conjugated to a nanoparticle
EP3561513A1 (en) 2007-05-23 2019-10-30 Ventana Medical Systems, Inc. Polymeric carriers for immunohistochemistry and in situ hybridization
WO2009025913A2 (en) * 2007-05-31 2009-02-26 Invitrogen Corporation Magnesium-based coatings for nanocrystals
KR20100041865A (ko) * 2007-08-06 2010-04-22 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 카드뮴 함유 나노결정의 형성 방법
JP2010535692A (ja) * 2007-08-06 2010-11-25 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ カドミウムおよびセレン含有ナノ結晶複合材料を形成する方法ならびに該方法から得られるナノ結晶複合材料
KR101995370B1 (ko) 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
WO2009149013A2 (en) 2008-06-05 2009-12-10 Ventana Medical Systems, Inc. Compositions comprising nanomaterials and method for using such compositions for histochemical processes
WO2010040109A2 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Life Technologies Corporation Methods for preparation of nanocrystals using a weak electron transfer agent and mismatched shell precursors
WO2010040100A2 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Life Technologies Corporation Methods for preparing nanocrystals using electron transfer agents
CN101830445B (zh) * 2009-12-15 2014-12-10 河南大学 一种以乙酰丙酮盐为原料合成无机纳米晶的方法
CA2766946C (en) 2010-02-02 2013-04-02 Ventana Medical Systems, Inc. Composition and method for stabilizing fluorescent particles
WO2011100023A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods of preparation
USPP22463P3 (en) * 2010-02-16 2012-01-17 Menachem Bornstein Gypsophila plant named ‘Pearl Blossom’
WO2011106495A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Ventana Medical Systems, Inc. Cytogenic analysis of metaphase chromosomes
ES2606012T3 (es) 2010-02-26 2017-03-17 Ventana Medical Systems, Inc. Hibridación in situ con sondas PolyTag
AU2011274369A1 (en) 2010-07-02 2012-12-06 Ventana Medical Systems, Inc. Hapten conjugates for target detection
AU2011280878B2 (en) 2010-07-23 2016-06-16 Astellas Institute For Regenerative Medicine Methods for detection of rare subpopulations of cells and highly purified compositions of cells
WO2012099653A2 (en) 2010-12-08 2012-07-26 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods of preparation
US9448231B2 (en) 2011-02-28 2016-09-20 Ventana Medical Systems, Inc. Application of quantum dots for nuclear staining
EP2686438B1 (en) 2011-03-14 2018-04-18 Ventana Medical Systems, Inc. A method of analyzing chromosomal translocations and a system therefor
CN102181920B (zh) * 2011-04-21 2012-11-14 浙江大学 制备荧光从紫外到红的硫硒化镉锌纳米线的方法及装置
KR101371883B1 (ko) * 2011-09-20 2014-03-07 엘지이노텍 주식회사 나노 입자, 이를 포함하는 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법
WO2013052541A2 (en) 2011-10-04 2013-04-11 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Quantum dots, rods, wires, sheets, and ribbons, and uses thereof
WO2013066630A1 (en) 2011-10-18 2013-05-10 The Trustees Of Princeton University New and greener process to synthesize water-soluble mn2+-doped cdsse(zns) core(shell) nanocrystals for ratiometric temperature sensing, nanocrystals, and methods implementing nanocrystals
US9290671B1 (en) * 2012-01-03 2016-03-22 Oceanit Laboratories, Inc. Low cost semiconducting alloy nanoparticles ink and manufacturing process thereof
WO2013173409A1 (en) 2012-05-15 2013-11-21 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and methods of preparation
CN102701268B (zh) * 2012-05-17 2013-10-30 天津理工大学 一种非水相ZnS量子点的合成方法
CN102676174B (zh) * 2012-06-01 2013-11-06 广东普加福光电科技有限公司 CdZnSeS量子点的制备方法
CN104755586B (zh) * 2012-10-25 2018-02-06 皇家飞利浦有限公司 用于硅酮中的量子点的基于pdms的配体
EP2912141B1 (en) 2012-10-25 2019-09-18 Lumileds Holding B.V. Pdms-based ligands for quantum dots in silicones
WO2014089743A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-19 East China University Of Science And Technology One step synthesis of core/shell nanocrystal quantum dots
CN103131420B (zh) * 2012-12-25 2014-10-29 深圳先进技术研究院 CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用
WO2014139979A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Ventana Medical Systems, Inc. Quantum dot in situ hybridization
CN103275724B (zh) * 2013-05-31 2015-03-11 合肥京东方光电科技有限公司 一种荧光纳米颗粒的制备方法
CN103936058B (zh) * 2014-05-07 2016-02-17 吉林大学 一种硫化镉量子点的制备方法
GB201414110D0 (en) 2014-08-08 2014-09-24 Isis Innovation Thin film production
EP4306636A3 (en) 2014-09-24 2024-04-17 Exscientia GmbH Monolayer of pbmcs or bone-marrow cells and uses thereof
CN104894635B (zh) * 2015-04-27 2018-03-16 武汉理工大学 尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法
EP3168278B2 (en) * 2015-10-28 2022-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
KR20180052170A (ko) * 2016-11-09 2018-05-18 시노코 유한회사 결정 경계 결함이 최소화된 연속적 결정성장 구조를 가지는 양자점 합성 방법 및 이에 의해 제조된 양자점
EP3367098A1 (en) 2017-02-24 2018-08-29 CeMM - Forschungszentrum für Molekulare Medizin GmbH Methods for determining interaction between biological cells
CN107123709A (zh) * 2017-05-07 2017-09-01 佛山市领卓科技有限公司 一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法
CN107123708A (zh) * 2017-05-07 2017-09-01 佛山市领卓科技有限公司 一种异质结纳米棒及其制备方法
CN107093638A (zh) * 2017-05-07 2017-08-25 苏州市皎朝纳米科技有限公司 一种光电器件及其制备方法
US10768485B2 (en) * 2017-07-05 2020-09-08 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot architectures for color filter applications
CN111295588A (zh) 2017-10-31 2020-06-16 分子医学研究中心责任有限公司 确定测试化合物选择性的方法
KR102588630B1 (ko) 2017-11-20 2023-10-11 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 입자 및 이를 포함하는 소자
CN108394873B (zh) * 2018-02-27 2020-09-01 清远先导材料有限公司 封管合成碲硒镉的方法
CN108439456A (zh) * 2018-04-16 2018-08-24 苏州星烁纳米科技有限公司 ZnLiMgO纳米颗粒的制备方法和由其制备的产品
WO2019231828A1 (en) 2018-05-30 2019-12-05 Christian Ippen METHOD FOR SYNTHESIS OF BLUE-EMITTING ZnSe1-xTex ALLOY NANOCRYSTALS
CN110655913A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 深圳市晟诚世纪科技有限公司 一种纳米晶体的制备方法
JP2022544773A (ja) 2019-08-12 2022-10-21 ナノシス・インク． 狭い半値全幅を有する青色発光ＺｎＳｅ１－ｘＴｅｘ合金ナノ結晶の合成
CN114217012B (zh) * 2021-11-10 2023-09-12 中国科学院上海技术物理研究所 一种汞系量子点传统热注入流程中原位修饰的方法
WO2024105137A1 (en) 2022-11-15 2024-05-23 Eth Zurich Air-dried cell monolayers and methods of preparing the same

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0193407A (ja) * 1987-09-30 1989-04-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体結晶およびその製造方法
JPH03262170A (ja) * 1990-03-13 1991-11-21 Toshiba Corp 有機／無機接合型半導体素子
JPH04100889A (ja) * 1990-08-20 1992-04-02 Hitachi Ltd 発光材料薄膜、その製造方法及び薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US5294874A (en) * 1992-08-13 1994-03-15 Milwaukee Electric Tool Corporation Dynamic brake circuit for an electric motor
JPH07133102A (ja) * 1993-11-04 1995-05-23 Asahi Chem Ind Co Ltd 金属カルコゲナイド膜の製造方法
US5559057A (en) * 1994-03-24 1996-09-24 Starfire Electgronic Development & Marketing Ltd. Method for depositing and patterning thin films formed by fusing nanocrystalline precursors
US6126740A (en) * 1995-09-29 2000-10-03 Midwest Research Institute Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films
DE19543205A1 (de) * 1995-11-20 1997-05-22 Bayer Ag Zwischenschicht in elektrolumineszierenden Anordnungen enthaltend feinteilige anorganische Partikel
US6322901B1 (en) * 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6236060B1 (en) * 1997-11-19 2001-05-22 International Business Machines Corporation Light emitting structures in back-end of line silicon technology
US6127202A (en) * 1998-07-02 2000-10-03 International Solar Electronic Technology, Inc. Oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices
EP1111967A1 (en) * 1999-04-30 2001-06-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacture thereof
US6225198B1 (en) 2000-02-04 2001-05-01 The Regents Of The University Of California Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process
US6306736B1 (en) 2000-02-04 2001-10-23 The Regents Of The University Of California Process for forming shaped group III-V semiconductor nanocrystals, and product formed using process
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
KR20010095429A (ko) * 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 단일 이온 전도체를 전자 혹은 정공 주입층으로 이용하는유기/고분자 전기 발광 소자
JP2002079075A (ja) * 2000-05-24 2002-03-19 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体超微粒子の製造方法及び製造装置
US6780242B2 (en) * 2000-07-26 2004-08-24 Nec Laboratories America, Inc. Method for manufacturing high-quality manganese-doped semiconductor nanocrystals
IL138471A0 (en) 2000-09-14 2001-10-31 Yissum Res Dev Co Novel semiconductor materials and their uses
US6803122B2 (en) * 2000-12-12 2004-10-12 Tdk Corporation EL device
AU2002303292A1 (en) 2001-04-11 2002-10-28 Rutgers, The State University Of New Jersey Hybrid nanostructured materials based on ii-vi semiconductors
ATE457373T1 (de) * 2001-07-30 2010-02-15 Univ Arkansas Verfahren zur herstellung von kolloidale nanokristalle in nicht koordinierenden lösungsmitteln
WO2003021635A2 (en) * 2001-09-05 2003-03-13 Rensselaer Polytechnic Institute Passivated nanoparticles, method of fabrication thereof, and devices incorporating nanoparticles
AU2002326920B2 (en) * 2001-09-17 2007-09-13 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor nanocrystal composite
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
US6878184B1 (en) * 2002-08-09 2005-04-12 Kovio, Inc. Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom
US6872450B2 (en) * 2002-10-23 2005-03-29 Evident Technologies Water-stable photoluminescent semiconductor nanocrystal complexes and method of making same
US7056471B1 (en) * 2002-12-16 2006-06-06 Agency For Science Technology & Research Ternary and quarternary nanocrystals, processes for their production and uses thereof
KR100657891B1 (ko) * 2003-07-19 2006-12-14 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 및 그 제조방법
KR100796122B1 (ko) * 2003-09-09 2008-01-21 삼성전자주식회사 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리를 통한 양자효율 향상
JP2009527437A (ja) * 2006-01-20 2009-07-30 エージェンシー フォー サイエンス， テクノロジー アンド リサーチ 水性または水溶性溶媒中での合金ナノ結晶の合成
KR100901947B1 (ko) * 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621308B1 (ko) * 2004-05-28 2006-09-14 삼성전자주식회사 다중 파장에서 발광하는 황화 카드뮴 나노 결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 황화 카드뮴 나노 결정
KR100678764B1 (ko) * 2006-02-28 2007-02-06 한국화학연구원 콜로이드상 양자점의 제조방법
US9334440B2 (en) 2012-12-07 2016-05-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Processes for synthesizing nanocrystals and nanocrystal compositions
WO2015016533A1 (en) * 2013-08-01 2015-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Processes for synthesizing magnesium selenide nanocrystals

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