KR20040079404A - 전계 방출 디스플레이용 캐소드 구조 - Google Patents

전계 방출 디스플레이용 캐소드 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20040079404A
KR20040079404A KR10-2004-7002418A KR20047002418A KR20040079404A KR 20040079404 A KR20040079404 A KR 20040079404A KR 20047002418 A KR20047002418 A KR 20047002418A KR 20040079404 A KR20040079404 A KR 20040079404A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
emitting material
cathode
electron emitting
cathode structure
Prior art date
Application number
KR10-2004-7002418A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100944731B1 (ko
Inventor
디종쟝
푸르니에아델린
몽마이욜브리지뜨
Original Assignee
꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 filed Critical 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄
Publication of KR20040079404A publication Critical patent/KR20040079404A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100944731B1 publication Critical patent/KR100944731B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Overhead Projectors And Projection Screens (AREA)

Abstract

본 발명은, 캐소드(13)를 형성하고 전자 방출 물질로 된 층 형태의 수단(14)을 지지하는 전극, 절연층(11) 및 그리드 전극(15)을 포함하고, 상기 그리드 전극 및 상기 절연층 내에 개구(12)가 형성되어 전자 방출 물질로 된 상기 수단을 노출시키는 3극형 캐소드 구조에 관한 것이다. 전자 방출 물질로 된 상기 수단(14)은 상기 그리드 전극(15)의 상기 개구의 중앙부에 위치하고, 상기 개구는 슬릿 형태로 되어 있고, 상기 슬릿에 의해 노출된, 전자 방출 물질로 된 상기 수단은 상기 슬릿의 세로축을 따라 정렬되어 있는 소자들로 이루어진다.

Description

전계 방출 디스플레이용 캐소드 구조{Cathode structure for an emission display}
전계 방출에 의해 여기되는 음극선 발광(cathode luminescence)에 의한 디스플레이 장치는 캐소드 또는 전자 방출 구조 및 이에 대향하여 발광층(luminescent layer)으로 덮혀져 있는 애노드를 포함한다. 애노드 및 캐소드는, 진공이 형성되어 있는 공간에 의해 분리되어 있다.
캐소드는 마이크로 팁(micro-tip) 기반의 소스 또는 낮은 문턱 전계를 갖는 방출층(emissive layer) 기반의 소스이다. 방출층은 탄소 나노튜브층 또는 탄소 기반의 또는 다른 물질 기반의 다른 구조이거나 다층(AlN, BN)일 수 있다.
캐소드 구조는 2극형(diode type) 또는 3극형(triode type)일 수 있다. (미국 특허 제 4 857 161호에 대응하는) 문헌 FR-A-2 593 953은 전계 방출에 의해 여기되는 음극선 발광 디스플레이 장치의 제조 공정을 개시하고 있다. 이 캐소드 구조는 3극형으로 되어 있다. 전자 방출 물질은, 전자 추출 그리드(electron extraction grid)를 지지하는 절연층 내에 형성된 구멍의 저부에서 노출된 도전층상에 증착된다.
도 1은, 전계 방출에 의해 여기되는 음극선 발광 디스플레이 장치용의 종래 기술에 따른 3극형 캐소드 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이 도면에는 하나의 방출 장치가 도시되어 있다. 절연 물질로 된 층(1)은 원형의 구멍(2)에 의해 관통되어 있다. 전자 방출 물질로 된 층(4)을 지지하는 도전층(3)은 구멍(2)의 저부에 증착되어 있다. 절연층(1)의 상면은, 추출 그리드를 형성하고 구멍(2)을 둘러싸는 금속층(5)을 지지한다. 이러한 구조에서, 방출층(4)은 그리드(5)와 도전층 또는 캐소드(3) 사이를 단락시키는 경향이 있다. 이러한 경향은 특히, 방출층이 탄소 나노튜브로 이루어진 경우에 발생된다. 전계는 구멍의 엣지(edge)에서 최대가 되고, 방출층에서 (전계의 수직 성분(EX)에 필적하는) 상당한 측방향의 (캐소드 면과 평행한) 성분(EL)을 포함하여 전자 빔(electron beam)이 빗나가도록 하고 스크린 상에 해상도 문제를 일으킨다. 이는 애노드-캐소드 거리가 증가할 때 심각한 불이익이 되며, 전자 빔을 집중하기 위해 필요한 다른 그리드를 추가함으로써 스크린을 더 복잡하게 만들 수 있다.
본 발명은 평판 전계 방출 스크린(flat field emission screen)에 사용될 수 있는 캐소드 구조에 관한 것이다.
본 발명은, 첨부된 도면과 함께 다음에서 설명되는 실시예를 통해 더 잘 이해되고 다른 장점 및 특징이 더 분명하게 될 것이다.
도 1은, 전술한 바와 같이, 종래 기술에 따른 3극형 캐소드 구조의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조의 부분 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 다른 3극형 캐소드 구조의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조에 대한 전계의 공간 분포를 나타내는 도표이다.
도 6은 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조에 대한 치수를 설명하는 도면이다.
도 7a 내지 7f는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조를 제조하기 위한 제 1 공정을 설명하는 도면이다.
도 8a 내지 8f는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조를 제조하기 위한 제 2 공정을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조를 더 완전하게 표현한 평면도이다.
이하에서, 방출층에 의해 방출되는 전자에 대해 약한 측방향의 전계가 걸리고 그리드와 캐소드 간에 단락될 위험을 최소화시키고 방출층에 의해 방출되는 전자 빔의 빗나감(divergence)를 제한하는, 3극형의, 방출층을 갖는 캐소드 구조를 제안한다.
따라서, 본 발명의 목적은, 캐소드를 형성하고 전자 방출 물질로 된 층 형태의 수단을 지지하는 전극, 절연층 및 그리드 전극을 적층된 형태로 포함하고, 상기 그리드 전극 및 절연층 내에 개구가 형성되어 전자 방출 물질로 된 상기 수단을 노출시키고, 전자 방출 물질로 된 상기 수단은 상기 그리드 전극의 상기 개구의 중앙부에 위치하는 3극형의 캐소드 구조에 있어서, 상기 개구는 슬릿(slit) 형태로 되어 있고, 상기 슬릿에 의해 노출된, 전자 방출 물질로 된 상기 수단은 상기 슬릿의 세로축을 따라 정렬된 적어도 2 개의 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극형 캐소드 구조를 제공하는 것이다.
바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 그리드 전극 및 절연층 내에 형성된 상기 개구는 실질적으로 직사각형으로 되어 있고, 전자 방출 물질로 된 상기 소자 또한 대략 직사각형으로 되어 있다.
바람직한 다른 실시예에 따르면, 상기 캐소드를 형성하는 상기 전극과 전자 방출 물질로 된 상기 소자 사이에 저항층이 삽입되어 있다.
바람직하게는, 전자 방출 물질로 된 상기 소자는, 상기 전자 방출 물질이 제조되는 물체(object)의 크기보다 더 큰 거리만큼 상기 그리드 전극으로부터 이격되어 있다.
상기 전자 방출 물질은 탄소 나노튜브로 이루어질 수 있다.
유리하게는, 전자 방출 물질로 된 상기 소자는, 상기 전계의 수평 성분이 상기 전계의 수직 성분보다 적어도 10배 더 약하게 되도록 하는 거리만큼 상기 그리드 전극으로부터 이격되어 있다.
본 발명의 다른 목적은, 상기와 같이 정의된 수개의 캐소드 구조를 포함하는 평판 전계 방출 스크린을 제공하는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조의 개략적인 단면도이다. 이 캐소드 구조는, 절연 물질로 된 층(11)을 지지하는 도전층 또는 캐소드(13)와 전자 추출 그리드를 형성하는 금속층(15)을 적층된 형태로 포함한다. 절연층(11) 및 금속층(15)은 슬릿(12)에 의해 관통되어 캐소드(13)를 L의 폭만큼 노출시킨다. 전자 방출 물질로 된 소자(14)들은 슬릿(12)의 세로축을 따라 슬릿(12)의 중앙부에 층의 형태로 배열되어 있다(이 도면에는 하나의 소자만이 도시되어 있음). 방출 소자(14)의 폭(d)은 슬릿(12)의 폭(L)에 비하여 작다. 금속층(15)이 방출 소자(14)로부터 이격된 거리를 S 라 한다. 슬릿(12)은 직사각형으로 될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 캐소드 구조의 부분 평면도로서, 슬릿(12)이 직사각형으로 되어 있는 경우를 나타낸다. 이 슬릿(12)은 L의 폭을 갖는 홈(groove)이며, 이 홈에 대한 Z축 방향의 치수는 스크린 픽셀의 치수와 동일한다.
이러한 슬릿의 형태는 원형의 형태보다 더 좋다. 대칭으로 인하여, Z축을 따라 존재하는 전계의 수평 성분이 없으며, 이에 따라 EL<< EX의 조건을 만족시키는 방출 표면이 실린더 형태에서보다 이 형태에서 더 현저하다. 실린더 형태에서는, 방출 면적과 구멍 면적 사이의 비가 (d/L)2과 동일하다. 직사각형의 형태에서는, 이 비는 d/L과 동일한다. d/L이 1 보다 작기 때문에, 이 비(d/L)는 항상 (d/L)2보다 커서 스크린을 더욱 더 밝게 한다.
다른 바람직한 실시예에서는, 방출층과 캐소드 사이에 저항층이 부가되어 있다. 이 경우, 저항층은 그리드와 캐소드를 단락으로부터 보호한다. 또한, 이 저항층은 (미국 특허 제 4 940 916호에 대응하는) 문헌 EP-A-0316 214에 개시되어 있는 바와 같이 스크린의 동작에 매우 유리한다.
도 4는 저항성의 보호층을 갖는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조의 개략적인 단면도이다. 이러한 캐소드 구조는, 저항층(26)을 지지하는 캐소드(23), 절연층(21) 및 전자 추출 그리드를 형성하는 금속층(25)을 적층된 형태로 포함한다. 슬릿(22)은 저항층(26)을 노출시킨다. 이 슬릿(22)의 중앙부에서 슬릿의 세로축을 따라 존재하는 방출 물질로 된 소자(24)들은 저항층(26) 상에 지지되어 있다. 이 도면에는 하나의 소자만이 도시되어 있다.
방출 영역이 슬릿 또는 홈의 중앙부에서 좁은 폭 위에 위치한다는 사실은, 전자의 직접적인 방출을 가능하게 하고, 해상도 문제에 대한 해결책을 제공한다. 이것은, 방출 소자가 위치하는 영역에서 전계의 수평 성분이 매우 낮은 값을 가지기 때문이다(EL/EX< 0.1).
도 5의 도표는 본 발명에 따른 캐소드 구조에 대한 전계의 공간 분포를 나타낸다. 이 도표는 Y축을 따라 플로팅된 것이며, 방출 소자(24) 및 저항층(26)이 이 도표 상에 나타나 있다. 전계(E)의 공간 분포는 14 ㎛와 동일한 구멍 폭(L)에 대해 계산되었다. 중앙부 영역에서의 폭(d)은 6 ㎛와 동일하고, 측방향 성분(EY; 31)은 수직 성분(32)의 최소값보다 10배 더 작다. 방출 영역 밖에서는, 측방향의 전계 강도(33, 34))는 수직 방향의 전계에 상당한다. 이 계산은 그리드 상에 60 V의전압이 인가된 경우에 대해 이루어졌다.
이와 같이, 종래 기술에 따른 구조가 가지고 있는 문제점이 해결된다. 그리드-캐소드 단락 문제는, 방출 소자를 홈 또는 슬릿의 중앙부에 위치시키고 홈 또는 슬릿의 치수에 비하여 방출 소자의 크기를 작게 함으로써 그리고 가능하면 저항층의 형성시킴으로써 제거된다. 그리드에 의해 유도되는 전계는 균일하고 전계의 수직 성분에 비하여 단지 매우 약한 측방향의 성분을 포함한다.
금속 그리드층이 방출 소자로부터 이격되는 거리(S)에 대한 최소값은 실험적으로 발견할 수 있다(도 2 참조). 이 거리는 방출층을 이루는 물체의 크기(h)보다 더 크다. 이것은 도 6에 개략적으로 나타나 있는 바, 여기서 참조부호 43은 캐소드를 표시하고 참조부호 44는 방출층을 표시한다. 예를 들어, 방출층(44)이 탄소 나노 튜브(48)로 이루어진다. 이 경우, 거리(S)는 탄소 나노튜브의 평균 길이(h)보다 더 크다. 탄소 나노튜브 길이의 큰 산포를 고려하면, 이 거리를 2 또는 3 정도의 인수로 곱하는 것이 바람직하다.
1 내지 2 ㎛ 길이의 나노튜브에 대해, 거리(S)는 3 내지 4 ㎛ 정도일 수 있다. 이 값들은 하나의 지침(guide)으로서 제시되는 것이며 한정적인 것은 아니다. 이러한 수치에 대해, 전계의 측방향 성분이 수직 성분에 비하여 매우 약하다는 것을 점검할 수 있다.
도 7a 내지 7f는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조를 제조하기 위한 제 1 공정을 나타내며, 이 공정은 진공 증착 및 포토리소그래피 기술을 사용한다.
캐소드 도전체는 예를 들어 몰리브덴, 니오븀(niobium), 구리 또는 ITO 등의도전성 물질을 지지물(50) 상에 증착함으로써 얻어진다(도 7a 참조). 증착된 도전성 물질은 식각되어, 일반적으로 10 ㎛ 폭 및 25 ㎛와 동일한 피치(pitch)를 갖는 스트립(strips) 형태로 된다. 도 7a에는 캐소드 전극(53)을 형성하도록 결합될 2개의 스트립이 도시되어 있다.
그 후, 도 7b에 도시된 바와 같이, 몇몇의 증착물이 형성된다. 즉, 비정질 실리콘으로 된 1.5 ㎛ 두께의 저항층(56)이 형성된 후에, 실리카(silica) 또는 실리콘 질화물로 된 1 ㎛ 두께의 절연층(51)이 형성되고, 마지막으로 전자 추출 그리드를 형성하게 될 니오븀 또는 몰리브덴으로 된 금속층(55)이 형성된다.
그 후, 금속층(55) 및 절연층(51)은, 저항층(56)이 노출될 때까지 동시에 식각되어 15 ㎛ 폭의 슬릿 또는 트렌치(52)가 형성된다. 이것은 도 7c에 도시되어 있다.
도 7d는, 수지(resin)로 된 희생층(57)이 증착되고 6 ㎛ 폭 및 10 내지 15 ㎛ 길이의 개구(58)가 층(57) 내에 형성되어 저항층(56)을 노출시킨 후에 얻어지는 구조를 나타낸다. 이 개구(58)의 폭은 추후 형성될 방출층의 폭에 해당한다.
그 후, 상기 구조 상에 철, 코발트 또는 니켈의 촉매 증착(catalytic deposition)이 실시된다. 유리하게는, 이 촉매 증착물 대신에, 예를 들어 TiN 또는 TaN 및 Fe, Co, Ni 또는 Pt 등의 촉매 물질을 포함하는 적층물일 수 있는 성장 다층(growth multi-layer)을 증착할 수도 있다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 이 촉매 증착물은 희생층(57) 및 저항층(56)의 노출된 부분 상에 불연속적인 성장층(59)을 형성하게 한다.
그 후, 희생층 상에 위치하는 성장층 부분을 제거시키는 "리프트-오프(lift-off)" 기술을 사용하여 희생층이 제거된다. 성장층의 일부는 저항층(56)의 중앙부 내에 남아있게 된다. 이것은 방출층(54)의 성장을 가능하게 한다. 도 7f는 단지 하나의 소자만을 도시한 것이다.
도 8a 내지 8f는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조를 제조하기 위한 제 2 공정을 나타내는 것으로, 이 공정은 진공 증착 및 포토리소그래피 기술을 사용한다. 그것은 자기 정렬(self-aligned) 공정이다.
캐소드 도전체는, 예를 들어 몰리브덴, 니오븀, 구리 또는 ITO 등의 도전성 물질을 지지물(150) 상에 증착함으로써 얻어진다(도 8a 참조). 도전성 물질의 증착물은, 일반적으로 25 ㎛와 동일한 피치를 갖는 10 ㎛의 폭의 스트립 형태로 식각된다. 도 8a에는 캐소드 전극(153)을 형성하도록 결합될 2 개의 스트립이 도시되어 있다.
그 후, 도 8b에 도시된 바와 같이, 몇몇의 증착물이 형성된다. 즉, 비정질 실리콘으로 된 1.5 ㎛ 두께의 저항층(156)이 형성된 후에, 실리카 또는 실리콘 질화물로 된 1 ㎛ 두께의 절연층(151) 형성되고, 마지막으로 전자 추출 그리드를 형성하게 될 니오븀 또는 몰리브덴으로 된 금속층(155)이 형성된다.
희생층(157)이 증착된 후, 금속층(155) 및 절연층(151)은 저항층(156)이 노출될 때까지 동시에 식각되어, 추후 형성될 방출 소자의 치수와 동일한 치수를 갖는 각각의 방출 소자용 개구(158)가 형성된다. 각 개구(158)는 6 ㎛ 폭 및 15 ㎛의 길이로 형성될 수 있다. 이것은 도 8c에 도시되어 있다.
그 후, 절연층이 트렌치(158)로부터 측방향으로 식각되어 원하는 슬릿(152)을 얻게 된다. 이것은 도 8d에 도시되어 있다. 이 때, 희생층(157)의 일부가 슬릿(152)의 위에 돌출되어 있게 된다. 슬릿과 그리드는 방출 영역과 자기 정렬된다.
도 8e는 촉매 물질의 층(159)이 증착된 후에 얻어지는 구조를 나타낸다. 희생층(157) 및 저항층(156)의 노출된 부분 상에 상기 증착물이 형성된다. 이 촉매는 철, 코발트 또는 니켈일 수 있다. 유리하게는, 이 촉매 증착물 대신에, 예를 들어 TiN 또는 TaN 및 Fe, Co, Ni 또는 Pt 등의 촉매 물질을 포함하는 적층물일 수 있는 성장 다층을 증착할 수도 있다.
그 후, 희생층에 대해 리프트-오프 작업을 실시하여, 희생층에 의해 지지되는 촉매 물질로 된 층 부분을 제거한다. 저항층(156)의 중앙부 상에는 성장층의 일부가 남아있게 된다. 이것은 방출층(154)의 성장을 가능하게 한다. 도 8f는 단지 하나의 소자만을 도시한 것이다.
도 9는 본 발명에 따른 3극형 캐소드 구조를 더 완전하게 표현한 평면도이다. 이 구조는 제 2 제조 공정에 의해 얻어진 것이다. 그리드 전극(155), 방출 소자(154) 및 저항층(156)을 모두 확인할 수 있다. 이와 같이 제조된 슬릿들은 완전히 직사각형인 것은 아니다. 그것들은 다소 꽃줄로 장식된(festooned) 형태로 되어 있는데, 이와 같은 형태는 장치의 동작을 방해하지 않는다.

Claims (7)

  1. 캐소드(13, 23, 53)를 형성하고 전자 방출 물질로 된 층 형태의 수단(14, 24, 54)을 지지하는 전극, 절연층(11, 21, 51) 및 그리드 전극(15, 25, 55)을 적층된 형태로 포함하고, 상기 그리드 전극 및 절연층 내에 개구(12, 22, 52)가 형성되어 전자 방출 물질로 된 상기 수단을 노출시키고, 전자 방출 물질로 된 상기 수단(14, 24, 54)은 상기 그리드 전극의 상기 개구의 중앙부에 위치하는 3극형의 캐소드 구조에 있어서,
    상기 개구는 슬릿(slit) 형태로 되어 있고, 상기 슬릿에 의해 노출된, 전자 방출 물질로 된 상기 수단은 상기 슬릿의 세로축을 따라 정렬된 적어도 2 개의 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극형 캐소드 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 그리드 전극(15, 25, 55) 및 절연층(11, 21, 51)내에 형성된 개구는 실질적으로 직사각형이고, 전자 방출 물질로 된 상기 소자(14, 24, 54) 또한 대략 직사각형인 것을 특징으로 하는 캐소드 구조.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 캐소드(23, 53)를 형성하는 상기 전극과 전자 방출 물질로 된 상기 소자(24, 54)사이에 저항층(26, 56)이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 캐소드 구조.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 방출 물질로 된 상기 소자는, 상기 전자 방출 물질(44)이 제조되는 물체의 크기보다 더 큰 거리만큼 상기 그리드 전극으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 캐소드 구조.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 물질은 탄소 나노튜브로 이루어진 것을 특징으로 하는 캐소드 구조.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 방출 물질로 된 상기 소자는, 전계의 수평 성분이 상기 전계의 수직 성분보다 적어도 10배 더 약하게 되도록 하는 거리만큼 상기 그리드 전극으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 캐소드 구조.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 복수의 캐소드 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 전계 방출 스크린.
KR1020047002418A 2002-02-19 2003-02-18 전계 방출 디스플레이용 캐소드 구조 KR100944731B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR02/02075 2002-02-19
FR0202075A FR2836279B1 (fr) 2002-02-19 2002-02-19 Structure de cathode pour ecran emissif
PCT/FR2003/000530 WO2003071571A1 (fr) 2002-02-19 2003-02-18 Structure de cathode pour ecran emissif

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040079404A true KR20040079404A (ko) 2004-09-14
KR100944731B1 KR100944731B1 (ko) 2010-03-03

Family

ID=27636301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047002418A KR100944731B1 (ko) 2002-02-19 2003-02-18 전계 방출 디스플레이용 캐소드 구조

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7759851B2 (ko)
EP (1) EP1476888B1 (ko)
JP (2) JP2005518636A (ko)
KR (1) KR100944731B1 (ko)
CN (1) CN1316533C (ko)
AT (1) ATE472820T1 (ko)
DE (1) DE60333168D1 (ko)
FR (1) FR2836279B1 (ko)
WO (1) WO2003071571A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2873852B1 (fr) 2004-07-28 2011-06-24 Commissariat Energie Atomique Structure de cathode a haute resolution
FR2886284B1 (fr) 2005-05-30 2007-06-29 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de nanostructures
KR20070041983A (ko) * 2005-10-17 2007-04-20 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시 디바이스
JP2007149594A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk 冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出素子の製造方法
KR20070083112A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20070083113A (ko) 2006-02-20 2007-08-23 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
FR2897718B1 (fr) 2006-02-22 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Structure de cathode a nanotubes pour ecran emissif
FR2912254B1 (fr) 2007-02-06 2009-10-16 Commissariat Energie Atomique Structure emettrice d'electrons par effet de champ, a focalisation de l'emission
JP2009245672A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Univ Of Tokyo フィールドエミッション装置、ならびに、その製造方法
CN104299988B (zh) * 2014-09-26 2017-08-25 中国科学院半导体研究所 一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及其制作方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5150648A (ko) * 1974-10-30 1976-05-04 Hitachi Ltd
DE69211581T2 (de) * 1991-03-13 1997-02-06 Sony Corp Anordnung von Feldemissionskathoden
JP3526462B2 (ja) * 1991-03-20 2004-05-17 ソニー株式会社 電界放出型陰極装置
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5763997A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
JP2669749B2 (ja) * 1992-03-27 1997-10-29 工業技術院長 電界放出素子
DE69328977T2 (de) * 1992-12-23 2000-12-28 Si Diamond Techn Inc Flache feldemissionskathode anwendende flache anzeigevorrichtung mit triodenstruktur
FR2702869B1 (fr) * 1993-03-17 1995-04-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage à micropointes et procédé de fabrication de ce dispositif.
US5717285A (en) 1993-03-17 1998-02-10 Commissariat A L 'energie Atomique Microtip display device having a current limiting layer and a charge avoiding layer
JP2892587B2 (ja) * 1994-03-09 1999-05-17 双葉電子工業株式会社 電界放出素子及びその製造方法
JP2809129B2 (ja) * 1995-04-20 1998-10-08 日本電気株式会社 電界放射冷陰極とこれを用いた表示装置
JP2900837B2 (ja) * 1995-05-31 1999-06-02 日本電気株式会社 電界放射型冷陰極装置及びその製造方法
CA2227322A1 (en) * 1995-08-04 1997-02-20 Printable Field Emitters Limited Field electron emission materials and devices
EP0789382A1 (en) * 1996-02-09 1997-08-13 International Business Machines Corporation Structure and method for fabricating of a field emission device
US5837331A (en) * 1996-03-13 1998-11-17 Motorola, Inc. Amorphous multi-layered structure and method of making the same
US5757138A (en) * 1996-05-01 1998-05-26 Industrial Technology Research Institute Linear response field emission device
JP3836539B2 (ja) * 1996-07-12 2006-10-25 双葉電子工業株式会社 電界放出素子およびその製造方法
JPH1092294A (ja) * 1996-09-13 1998-04-10 Sony Corp 電子放出源およびその製造方法ならびにこの電子放出源を用いたディスプレイ装置
TW353758B (en) * 1996-09-30 1999-03-01 Motorola Inc Electron emissive film and method
JPH10289650A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Sony Corp 電界電子放出素子及びその製造方法並びに電界電子放出型ディスプレイ装置
FR2779271B1 (fr) * 1998-05-26 2000-07-07 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes, a grille de focalisation auto-alignee
FR2780808B1 (fr) * 1998-07-03 2001-08-10 Thomson Csf Dispositif a emission de champ et procedes de fabrication
US6323587B1 (en) * 1998-08-06 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Titanium silicide nitride emitters and method
JP2000243218A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Nec Corp 電子放出装置及びその駆動方法
JP2000251614A (ja) 1999-02-24 2000-09-14 Futaba Corp 電界放出素子及びその製造方法
WO2000055880A1 (fr) * 1999-03-17 2000-09-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'emission d'electrons et dispositif d'affichage d'images utilisant un dispositif d'emission d'electrons
JP2000268706A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子及びそれを用いた画像描画装置
JP2000268705A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Futaba Corp 電子放出素子
JP2000285795A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Sony Corp 電子放出源およびその製造方法ならびにディスプレイ装置
JP3792436B2 (ja) * 1999-05-26 2006-07-05 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極とその製造方法および平面ディスプレイの製造方法
JP2001023506A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Sony Corp 電子放出源およびその製造方法ならびにディスプレイ装置
KR20010011136A (ko) * 1999-07-26 2001-02-15 정선종 나노구조를 에미터로 사용한 삼극형 전계 방출 에미터의 구조및 그 제조방법
JP3600126B2 (ja) * 1999-07-29 2004-12-08 シャープ株式会社 電子源アレイ及び電子源アレイの駆動方法
JP4043153B2 (ja) 1999-07-30 2008-02-06 双葉電子工業株式会社 電子放出源の製造方法、エミッタ基板の製造方法、電子放出源及び蛍光発光型表示器
US6062931A (en) * 1999-09-01 2000-05-16 Industrial Technology Research Institute Carbon nanotube emitter with triode structure
JP2001101977A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Toshiba Corp 真空マイクロ素子
JP2001126609A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Futaba Corp 電子放出素子及び蛍光発光型表示器
KR100477739B1 (ko) * 1999-12-30 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 소자 및 그 구동 방법
KR100464314B1 (ko) * 2000-01-05 2004-12-31 삼성에스디아이 주식회사 전계방출소자 및 그 제조방법
JP2002083555A (ja) * 2000-07-17 2002-03-22 Hewlett Packard Co <Hp> セルフアライメント型電子源デバイス
JP3984548B2 (ja) * 2001-02-01 2007-10-03 シャープ株式会社 電子放出装置及びフィールドエミッションディスプレイ
JP2002334673A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Hitachi Ltd 表示装置
TW511108B (en) * 2001-08-13 2002-11-21 Delta Optoelectronics Inc Carbon nanotube field emission display technology

Also Published As

Publication number Publication date
ATE472820T1 (de) 2010-07-15
CN1316533C (zh) 2007-05-16
WO2003071571A1 (fr) 2003-08-28
KR100944731B1 (ko) 2010-03-03
JP5425753B2 (ja) 2014-02-26
JP2005518636A (ja) 2005-06-23
EP1476888B1 (fr) 2010-06-30
US20040256969A1 (en) 2004-12-23
DE60333168D1 (de) 2010-08-12
EP1476888A1 (fr) 2004-11-17
JP2011103303A (ja) 2011-05-26
US7759851B2 (en) 2010-07-20
WO2003071571A8 (fr) 2004-04-29
CN1552084A (zh) 2004-12-01
FR2836279B1 (fr) 2004-09-24
FR2836279A1 (fr) 2003-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5425753B2 (ja) 放出ディスプレイの陰極構造
US6917147B2 (en) Cathode structure with emissive layer formed on a resistive layer
KR100403060B1 (ko) 전자방출장치용 저항기 및 그 제조방법
KR100312694B1 (ko) 카본 나노튜브 필름을 전자 방출원으로 사용하는 전계 방출 표시 장치
KR100284830B1 (ko) 평면의 필드 방사 음극을 사용하는 3극 진공관 구조 평판 디스플레이
US7652418B2 (en) Electronic emission device, electron emission display device having the same, and method of manufacturing the electron emission device
JPH0684478A (ja) マイクロポイント放出陰極電子源及びこの電子源を使用する電界放出励起陰極線ルミネセンス表示装置
US20060017363A1 (en) Field emission device and method for making the same
EP1547114A2 (en) Barrier metal layer for a carbon nanotube flat panel display
US7755270B2 (en) Cathode structure with nanotubes for emissive screen
KR20060019846A (ko) 전자 방출 소자
CN100501905C (zh) 能增强电子发射特性的发射器配置结构的场致发射显示器
US7880375B2 (en) Triode cathode apparatus and method of making a triode cathode apparatus
KR101107134B1 (ko) 전자 방출 소자, 전자 방출 디바이스 및 그 제조 방법
JP2009135100A (ja) 電子放出素子及びそれを備えた発光装置
JP2003203554A (ja) 電子放出素子
JP2006244983A (ja) 電子放出素子
JP2000348602A (ja) 電子放出源およびその製造方法ならびに電子放出源を用いたディスプレイ装置
JP2001023506A (ja) 電子放出源およびその製造方法ならびにディスプレイ装置
KR20070046670A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 구비한 전자 방출 표시디바이스
KR100616617B1 (ko) 전계 방출형 냉음극장치의 제조 방법
JP4345448B2 (ja) 冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
KR100592600B1 (ko) 메쉬 게이트를 구비한 삼극형 전계 방출 소자
JP2007227348A (ja) 電子放出デバイス、および電子放出デバイスを用いる電子放出表示デバイス
JP3601275B2 (ja) 電界電子放出素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee