KR20040045445A - 메모리 셀을 위한 기본 작동 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 삭제 전압을 생성하기 위해 전하 펌프를 턴온하는 단계;삭제를 위해 선택된 하나 이상의 비휘발성 메모리 셀들의 삭제 게이트들을 삭제 전압으로 충전시키는 단계;전하 펌프를 턴 오프 하는 단계;전하 펌프가 오프되는 동안 삭제 전압을 동적으로 유지하기 위해 삭제 게이트를 허용하는 단계;및동적 삭제 전압을 사용하여 선택된 비휘발성 메모리 셀들을 삭제하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 셀들을 구비한 집적 회로를 작동 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 삭제 게이트상의 삭제 전압을 리프레시하기 위해 주기적으로 전하 펌프를 턴온하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 전하 펌프가 오프되는 동안, 삭제를 위해 선택된 비휘발성 메모리 셀들이 아닌 다른 비휘발성 메모리 셀들의 프로그래밍을 허용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2 항에 있어서, 전하 펌프가 오프되는 동안, 삭제를 위해 선택된 비휘발성 메모리 셀들이 아닌 다른 비휘발성 메모리 셀들의 읽기를 허용하는 단계를 더포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 각 비휘발성 메모리 셀이 두개의 부동 게이트 트랜지스터들 및 삭제 게이트를 갖는 하나의 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 삭제 전압이 약 15 볼트에서 약 22 볼트 범위 내의 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,선택된 비휘발성 메모리 셀들이 삭제되었는지를 검사하는 단계; 및만약 선택된 비휘발성 메모리 셀들이 삭제되지 않았다면, 삭제 게이트들상의 삭제 전압을 리프레시하기 위해 전하 펌프를 턴온하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 전하 펌프가 오프되는 동안, 삭제를 위해 선택된 비휘발성 메모리 셀들에서의 작동들이 아닌, 집적 회로 내의 다른 작동들을 허용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 선택된 비휘발성 메모리 셀들이 삭제된 후, 삭제 게이트들로부터 삭제 전압이 방전되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 삭제 전압을 삭제 게이트들에 주기적으로 직접 인가하여 선택된 메모리 셀들의 삭제 게이트를 동적으로 충전함으로써 선택된 메모리 셀들을 삭제하는 단계;삭제 전압이 삭제 게이트들에 직접 인가되지 않았을 때, 선택된 메모리 셀들이 아닌 다른 메모리 셀들에서의 작동들을 허용하는 단계; 및선택된 메모리 셀들이 삭제되었을 때, 삭제 전압 이하의 전압 레벨로 선택된 메모리 셀들의 삭제 게이트들이 방전되는 단계를 포함하는 집적 회로를 작동하는 방법.
- 제 10 항에 있어서, 부동 게이트 트랜지스터의 VT가 약 6 볼트 또는 그 이상이 되었을 때, 선택된 메모리 셀들이 삭제되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 10 항에 있어서, 메모리 셀들의 모든 삭제 게이트들을 동적으로 충전시킴으로써 집적 회로의 모든 메모리 셀들이 삭제를 위해 선택될 수 있음을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 각 메모리 셀이 부동 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 각 메모리 셀이 다중비트 부동 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 로우(row)와 컬럼(column)으로 정렬된 메모리 셀들의 배열;각 메모리 셀들의 배열의 로우(row)에 커플된 다수의 전달 트랜지스터들; 및각 전달 트랜지스트들 중 하나에 커플되며 개개의 전달 트랜지스터를 통해 동적으로 삭제 전압으로 메모리 셀들의 로우의 삭제 게이트들을 충전시키며 상기 삭제 전압이 개개의 전달 트랜지스터를 턴오프함으로써 삭제 게이트들에서 동적으로 유지되는, 다수의 삭제 펌프들을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
- 제 15 항에 있어서, 각 메모리 셀이제 1 제어 게이트를 구비한 제 1 부동 게이트 트랜지스터;제 2 제어 게이트를 구비한 제 2 부동 게이트 트랜지스터; 및제 1 및 제 2 부동 게이트 트랜지스터들 사이에서 커플되며 삭제 게이트를 갖는, 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
- 작동 전압을 생성하기 위해 회로를 턴온하는 단계;작동을 위해 선택된 비휘발성 메모리 셀들의 하나 이상의 게이트들을 작동전압으로 충전시키는 단계;만약 그것이 요구되지 않는다면 상기 회로를 비접속시키는 단계;회로가 오프되는 동안 동적으로 전압을 유지하기 위해 비접속된 게이트를 허용하는 단계; 및동적 전압을 사용하여 선택된 비휘발성 메모리 셀들을 작동시키는 단계를 포함하는 메모리 셀들에 대해 제어된 게이트 활동을 가지는 비휘발성 메모리가 장착된 집적 회로를 작동하는 방법.
- 제 17 항에 있어서, 회로가 턴 오프될 경우, 능동적으로 방전되지는 않고, 상기 회로를 주기적으로 턴온시켜 사전에 선정된 게이트들에 재접속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 17 항에 있어서, 전하 펌프가 이전에 선택된 삭제 게이트들에 접속되지 않는 동안, 삭제를 위해 선택된 비휘발성 메모리 셀들이 아닌 다른 비휘발성 메모리 셀들의 프로그래밍을 허용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 17 항에 있어서, 전하 펌프가 이전에 선택된 삭제 게이트들에 접속되지 않는 동안, 삭제를 위해 선택된 비휘발성 메모리 셀들이 아닌 다른 비휘발성 메모리 셀들의 읽기를 허용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 17 항에 있어서, 열거된 작동이 달성되었는지를 평가하는 단계; 및만약 선택된 비휘발성 메모리 셀들에서의 열거된 작동이 달성되어지지 않았다면, 작동 전압을 리프레시하기 위해 게이트들에 전하 펌프를 접속하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 비휘발성 메모리 셀들의 제 1 부분에 작동 전압을 접속하는 단계;비휘발성 메모리 셀들의 제 1 부분의 노드를 작동 전압으로 충전시키는 단계;메모리 셀들의 제 1 부분의 노드로부터 작동 전압을 비접속시키는 단계;동적으로 작동 전압을 유지하기 위해 비휘발성 메모리 셀들의 제 1 부분의 노드를 허용하는 단계;동적으로 비휘발성 메모리 셀들의 제 1 부분에서 작동하는 단계를 포함하는 집적회로를 작동하는 방법.
- 제 22 항에 있어서, 비휘발성 메모리 셀들의 제 1 부분이 동적으로 작동되고 있는 동안, 비휘발성 메모리 셀들의 제 2 부분에서의 작동을 허용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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