KR20040030943A - 질소퍼지에 있어서 상부 벤트를 갖춘 빠른 사이클 챔버 - Google Patents
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Abstract
서로 다른 압력으로 동작하는 모듈 사이에서 반도체 기판을 천이시키기 위한 챔버(132)를 제공한다. 이 챔버는 출구(136)를 규정하는 베이스를 포함한다. 이 출구는 진공상태를 발생시키기 위해 챔버내의 대기압의 제거를 허용한다. 챔버내의 반도체 기판(122)을 지지하기 위한 기판 서포트를 포함한다. 입구(138)를 갖춘 챔버 상부를 포함한다. 이 입구는 기판 서포트 위에 규정된 영역에서 수분을 변위시키기 위해 챔버로의 가스의 주입을 허용하도록 구성된다. 베이스로부터 챔버 상부로 연장되는 측벽을 포함한다. 이 측벽은 챔버로부터 반도체 기판으로의 출입을 위한 억세스 포트(146)를 포함한다. 압력변화 인터페이스내의 반도체 기판의 영역위의 환경을 조절하기 위한 방법을 제공한다.
Description
반도체 제조시스템은 스루풋을 향상시킬 목적으로 끊임없이 설계되고 있다. 예컨대, 처리실은 다수의 처리단계의 통합을 허용하기 위해 클러스터 툴의 형태로 구성되어 왔다. 이들 시스템은 일반적으로 웨이퍼 전송단계동안 처리실을 배기시킬 필요성을 제거함으로써 청정의 처리환경을 확보하고 스루풋을 향상시키기 위해 대기압 및 진공에서 동작하는 모듈 사이에서 웨이퍼를 취급하고 전송하기 위한 다른 챔버를 포함한다. 반도체 기판의 처리동안, 기판은 진공상태와 대기압 사이에서 순환하는 로드록실 내부 및 외부로 전송된다. 기판이 ATM(atmospheric transfer module)으로부터 로드록실에 배치되면, 로드록실은 대기압으로 될 것이다. 이 때, 로드록실내의 공기는 로드록실에 진공상태를 제공하기 위해 펌프된다. 이 때, 기판은 로봇암(robotic arm)에 의해 진공 전송모듈을 거쳐 처리실로 전송된다. 이 때, 처리 오퍼레이션(예컨대, 에칭, 산화, 화학증기증착 등)은 처리실에서행해진다.
기판이 처리된 후에, 진공 전송모듈내의 로봇암은 기판을 상술한 전송모듈로부터 진공상태에 있는 로드록실로 도로 이동시킨다. 기판이 로드록실에 배치되면, 로드록실내의 압력은 질소(N2) 등의 가스로 배기됨으로써 대기압으로 되돌려진다. 대기압이 획득되었을 때, 처리된 기판은 필요에 따라 다른 처리단계를 위한 기판 카셋트로 전송된다. 반도체 처리에 있어서, 처리시스템의 가치는 기판이 처리될 수 있는 넓은 범위의 레이트에 의존한다. 즉, 일정한 시간동안에 보다 높은 스루풋을 가진 처리시스템은 보다 낮은 처리 속도를 가진 시스템보다 더 많이 처리된 기판을 제조할 것이다. 따라서, 가장 높은 스루풋을 가진 처리시스템은 동등한 그 밖의 모든 특징을 가진 더욱 바람직한 시스템이다.
그러나, 반도체 처리시스템의 스루풋은 로드록실 등의 챔버가 저압과 고압 사이에서 순환될 수 있는 속도에 크게 의존한다. 상술한 클러스터 구조에 대해서는, 로드록실은 다른 압력상태 사이에서 천이하기 때문에, 로드록실이 순환할 시기는 시스템 스루풋에 중대한 것이다. 공교롭게도, 종래의 처리시스템에서 로드록실의 순환속도는 일반적으로 로드록실이 기판상에 파티클을 퇴적시키지 않고 진공상태와 대기압 상태 사이에서 순환될 수 있는 레이트에 의해 제한된다. 특히, 챔버 내부에서 대기압으로부터 진공상태로의 천이는 챔버내를 진공으로 흡인되게 하는 레이트에 의해 제한된다. 즉, 수분의 응축은 챔버내를 진공으로 흡인되게 하는 레이트를 제한함으로써 피할 수 있다. 부유 수증기의 형태의 수분은 온도가 진공으로 흡인되는 이슬점 온도 아래로 떨어질수록 응축할 것이다. 각각의 물방울은 핵형성 덩어리의 무게 때문에 공기에 빠뜨려진 파티클 주위에 응집할 수 있고, 너무 빠른 레이트로 진공으로 흡인되면 기판위로 떨어질 수 있다. 물은 결국 진공으로 흡인될수록 끓여져서 제거되지만, 파티클은 결국 장치고장을 일으키는 오염물로서 기판의 표면에 남겨진다. 오염된 기판은 반도체 수율에 부정적으로 영향을 줄 수 있다.
도 1은 로드록실의 개략도이다. 로드록실(100)은 억세스 포트(102)와 하부 진공포트(104) 및 하부 벤트포트(106)를 포함한다. 로드록실(100) 내부에는 반도체 기판(108)이 얹혀 있는 패드(112)를 갖춘 웨이퍼 서포트(110)가 있다. 물론, 패드(112)는 핀일 수 있다. 서로 다른 압력상태 사이에서의 로드록실(100)의 천이를 당업자는 이해할 것이다. 예컨대, 웨이퍼(108)가 처리되었다면, 웨이퍼(108)는 일반적으로 진공상태하에서 로드록실(100)로 삽입된다. 그 후, 진공상태는 하부 벤트포트(106)를 통한 가스의 주입으로 인해 파괴된다. 로드록실(100)의 압력이 대기압으로 되면, 웨이퍼는 로드록실(100) 외부로 전송된다. 만약 웨이퍼(108)가 처리되지 않으면, 웨이퍼는 로드록실이 대기압 상태에 있는 동안 ATM으로부터 로드록실(100)로 도입된다. 로드록실(100)은 로드록실내에 진공상태를 생성하기 위해 진공포트(104)를 통해 퍼내어진다.
그러나, 로드록실(100)의 설계의 단점중 하나는 억세스 포트(102)중 어느 한쪽이 오픈되면 로드록실 바깥쪽으로부터의 외부 수분이 오픈된 억세스 포트중 어느 한쪽을 통해 들어간다는 점이다. 따라서, 로드록실(100)을 진공상태로 만들기 위해 펌프되면, 억세스 포트(102)를 통해 챔버로 들어온 수분(116), 즉 수증기는 웨이퍼(108) 위의 영역(114)에 있을 것이다. 상술한 바와 같이, 만약 로드록실이 너무 빨리 진공으로 흡인되면, 수증기(116)는 영역(114)에서 응축할 것이다. 이 응축은 영역(114)의 파티클 주위에서 응집할 수 있고, 결국 웨이퍼 (108)의 표면으로 떨어져 웨이퍼를 오염시키게 된다.
로드록실(100)의 설계에 있어서 부가적인 단점은 가스가 하부 벤트포트 (106)를 통해 배기되면, 하부 벤트포트(106)의 챔버 입구 부근의 챔버 바닥에 떨어진 입자상 물질이 가스흐름에 실릴 수 있다. 즉, 로드록실(100)의 바닥위의 어떤 충분히 가벼운 입자상 물질은 배기 오퍼레이션 동안 튀어오를 수 있다. 따라서, 실린 입자상 물질은 로드록실내의 기판상에 퇴적될 수 있기 때문에, 보다 낮은 수율을 초래하게 된다.
웨이퍼의 표면의 꼭대기에 떨어지는 응축체의 문제점을 해결하려는 하나의 시도로서는 로드록실(100)내를 진공으로 흡인되게 하는 레이트를 제한하는 것이다. 즉, 응축을 발생시키는 것을 피하기 위해 이슬점을 크로스하지 않도록 보다 느린 레이트에서의 제1단계를 갖춘 2개의 단계에서 진공으로 흡인된다. 그러나, 또한 진공 레이트를 제한하면 시스템의 스루풋도 제한하게 된다.
상술한 것을 고려하여, 기판을 오염물질에 노출시키는 일없이 보다 높은 스루풋을 허용하기 위해 서로 다른 압력상태 사이에서 로드록실의 순환레이트를 향상시킬 필요가 있다.
본 발명은 일반적으로 반도체 제조에 관한 것으로, 특히 챔버내의 압력상태간의 빠른 천이를 위해 챔버내의 반도체 기판위의 영역으로부터 수분을 제거하고 배제하도록 설계된 반도체 처리실에 관한 것이다.
도 1은 반도체 제조 오퍼레이션에서 사용되는 로드록실의 개략도이고,
도 2는 본 발명의 1실시예에 따른 상부 벤트포트를 갖춘 로드록실을 포함하는 웨이퍼 조정 오토메이션을 갖춘 예시적인 반도체 처리시스템의 개략도,
도 3은 본 발명의 1실시예에 따른 상부 벤트포트와 하부 진공포트를 갖춘 로드록실의 간략화된 개략도,
도 4는 제1스테이지가 제한되지 않는 진공 풀다운(pull down) 레이트에 대해 제한되는 2개의 스테이지 펌프 다운을 비교하는 그래프,
도 5는 본 발명의 1실시예에 따른 확산기와 연통하여 상부 벤트포트를 갖춘 로드록실의 개략도,
도 6은 본 발명의 1실시예에 따른 로드록실 내부에 다수의 웨이퍼를 갖춘 상부 벤트포트 및 하부 진공포트를 갖춘 로드록실의 개략도,
도 7은 압력변화 인터페이스내의 반도체 기판의 영역위의 환경을 조절할 때 행하는 방법 오퍼레이션을 나타낸 플로우차트,
도 8은 본 발명의 1실시예에 따른 챔버에서 반도체 기판위의 영역의 수분을 최소화하기 위한 방법 오퍼레이션의 플로우차트이다.
대체로 말하면, 본 발명은 챔버 내부의 웨이퍼를 오염물질에 노출시키는 일없이 서로 다른 압력상태 사이에서 급속히 순환할 수 있는 챔버를 제공함으로써 이들 필요성을 충족시킨다. 또한, 본 발명은 챔버 내부의 웨이퍼 위의 환경을 조절하기 위한 방법을 제공한다.
본 발명의 하나의 국면에 따르면, 압력변화 인터페이스내의 반도체 기판위에 규정된 영역에서의 환경을 조절하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 압력변화 인터페이스가 억세스 포트를 통해 주입되는 반도체 기판에서 시작한다. 압력변화 인터페이스는 제1압력에 있다. 그 후, 반도체 기판위에 규정된 영역으로부터의 수분이 변위된다. 1실시예에 있어서, 압력변화 인터페이스의 상부 벤트포트를 통해 건성 유체를 주입함으로써 이 수분은 변위된다. 다음으로, 억세스 포트는 클로우즈된다. 그 후, 압력변화 인터페이스 범위내의 압력은 제2압력으로 천이된다. 다음으로, 반도체 기판은 압력변화 인터페이스로부터 옮겨진다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 챔버내의 반도체 기판위의 영역에서 수분을 최소화하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 챔버의 상부 표면 전체에 걸쳐 연장하는 벤트포트를 제공하는 단계에서 시작한다. 이 때, 챔버의 하부 표면 전체에 걸쳐 연장되는 진공포트가 제공된다. 다음으로, 챔버내의 서포트에 배치한 반도체 기판위에 규정된 영역에 수분이 들어가는 것을 저지한다. 이 때, 챔버내의 압력은 진공으로 천이되고, 응축은 진공으로 천이하는 동안 반도체 기판위에 규정된 영역의 외부를 형성한다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 반도체 기판이 서로 다른 압력으로 동작하는모듈 사이에서 천이하기 위한 챔버를 제공한다. 이 챔버는 출구를 규정하는 베이스를 포함한다. 이 출구는 챔버내의 대기압의 제거가 진공상태를 발생시키는 것을 허용한다. 챔버내의 반도체 기판을 지지하기 위한 기판 서포트를 포함한다. 입구를 갖춘 챔버 상부를 포함한다. 이 입구는 기판 서포트 위에 규정된 영역에서 수분을 변위시키기 위해 챔버로의 가스의 주입을 허용하도록 구성된다. 베이스로부터 챔버 상부로 연장되는 측벽을 포함한다. 이 측벽은 챔버로부터 반도체 기판으로의 출입을 위한 억세스 포트를 포함한다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 반도체 기판을 처리하기 위한 시스템을 제공한다. 이 시스템은 제1압력으로 동작하도록 구성된 제1전송모듈과 제2압력으로 동작하도록 구성된 제2전송모듈을 포함한다. 제1 및 제2전송모듈과 연통하여 압력변화 인터페이스가 포함된다. 압력변화 인터페이스는 제1 및 제2압력간의 천이를 가능하게 한다. 압력변화 인터페이스는 상부 벤트포트와 하부 진공포트를 포함한다. 상부 벤트포트는 압력변화 인터페이스로 유체를 주입하도록 구성되고, 이 유체의 주입은 압력변화 인터페이스로 반도체 기판위에 규정되는 영역에서 수분을 변위시킨다.
상술한 전반적인 설명과 다음의 상세한 설명은 예시로서 제시한 것에 지나지 않고, 본 발명을 한정하는 것은 아니라는 것을 이해해야만 한다.
첨부도면을 참조하여 본 발명의 몇몇의 예시적인 실시예를 상세히 설명한다. 도 1은 상술한 "발명의 배경" 단락에서 논의되고 있다.
본 발명의 실시예는 로드록실내의 반도체 기판위에 규정된 영역으로부터 수분을 제거함으로써 제한되지 않는 진공 풀다운 레이트의 응용을 허용하는 방법과 장치를 제공한다. 웨이퍼 아래보다는 오히려 웨이퍼 위에 벤트포트를 둠으로써, 로드록실 등의 압력 천이실의 외부 분위기에 대해 억세스 포트가 오픈할 때 웨이퍼위에서 수분을 제거하여 수분이 웨이퍼의 영역으로 흐르는 것을 막기 위해 가스 퍼지가 제공된다. 1실시예에 있어서, 가스 퍼지는 건조하고, 즉 수분이 거의 없다. 여기에서 사용되는 바와 같이, 용어 웨이퍼와 기판은 교환가능하게 사용되고 있다. 기판위에서의 수분의 응축이 더 이상 관심사가 아니기 때문에, 진공 풀다운 레이트는 더 이상 제한되지 않는다. 즉, 가스 퍼지는 기판 아래에 있는 챔버에서의 영역에 어떤 수분과 기판에 관련된 배출 흐름의 다운스트림을 강제로 발생시킴으로써, 이슬점을 크로스시키는 것과 관련된 어떤 관심사를 제거하게 된다. 게다가, 챔버의 상부와 기판 사이의 영역을 줄이기 위해 챔버의 상부에서 규정된 벤트포트 입구 바로 곁에 기판을 위치시킨다. 따라서, 기판위와 챔버 상부 아래에 규정되는 용적이 최소화되기 때문에, 가스 퍼지는 기판위의 영역을 보다 효과적으로 조절한다.
도 2는 본 발명의 1실시예에 따른 상부 벤트포트를 갖춘 로드록실을 포함하는 웨이퍼 조정 오토메이션을 갖춘 예시적인 반도체 처리시스템의 개략도이다. 웨이퍼 처리를 능률적으로 하기 위해서는, 로드 포트(126)에 위치한 하나 이상의 처리되지 않은 웨이퍼(122)를 웨이퍼 카세트(124)에 위치시킨다. ATM(128)에서의 로봇암(130)은 카세트(124)로부터 웨이퍼(122)를 픽업한다. 로드 포트(126)와 ATM(128) 모두는 대기압상태에 있다. 로봇암(130)은 처리되지 않은 웨이퍼(122)를 ATM(128)으로부터 로드록실(132)내의 웨이퍼 서포트(134)로 이동시킨다. 로드록실(132)이 대기압상태에 있음은 물론이다. 그 후, 진공포트(136)를 통해 로드록실 밖으로 공기를 퍼냄으로써 로드록실(132)은 진공으로 흡인된다. 물론, 로드록실(132)의 억세스 도어는 진공 풀다운 오퍼레이션동안 클로우즈된다. 진공조건이 로드록실(132)에서 확립되면, 진공 전송모듈(140)과 로드록실 사이의 억세스 포트는 오픈된다. 그 후, 웨이퍼(122)는 웨이퍼 서포트(134)로부터 진공 전송모듈(140)을 지나 처리실(142)로 로봇암(144)에 의해 전송된다. 로드록실(132)은 로드록실에서 대기압이 얻어질 때까지 상부 벤트포트(138)를 통해 로드록실로 가스가 배기됨으로써 대기압으로 된다. 그 후, 처리된 웨이퍼는 로봇암(130)에 의해 ATM(128)을 지나 카세트(124)로 전송된다. 하나 이상의 웨이퍼가 같은 시간에 로드록실(132)에 존재할 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 예컨대, 웨이퍼가 진공 전송모듈(140)부터 로드록실(132)에 배치되어 있기 때문에, 처리되지 않은 웨이퍼는 로드록실 내부에 있을 수 있다. 따라서, 로봇암(144)은 처리된 웨이퍼를 로드록실(132)에 배치시킬 수 있고, 처리되지 않은 웨이퍼를 처리하기 위해 이동시킬 수 있다. 1실시예에 있어서, 하나의 반도체 기판은 펌프와 배기 시퀀스동안에 로드록실 (132)에 있다. 처리실이 웨이퍼를 기다리는 유휴상태에 놓이지 않기 때문에 여기에서 스루풋은 최적화됨은 물론이다. 대기압에 대한 로드록실의 압력의 동등화가 정밀하게 제어된다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 즉, 돌발 압력 조정은 혼합을 초래하기 때문에, 웨이퍼위에서 보다 높은 수분함량을 일으키게 된다. 로드록실의 압력의 동등화의 정밀한 제어는 배기처리를 통해 달성되고, 파티클이 발생되지 않도록 챔버 내부의 난류를 피한다.
도 2를 참조하면, 기판 서포트(134) 위에 수분이 거의 없는 환경을 만들기 위해 벤트포트(138)는 로드록실(132)의 꼭대기에 위치한다. 더욱이, 아래에 더 상세히 설명되는 바와 같이 벤트포트(138)를 로드록실(132)의 상부 표면에 위치시킴으로써, 공기를 주입시키는 로드록실(132)이 기판(134)위와 상부 벤트포트(138) 아래에 규정된 영역을 차지하지 못하게 한다. 여기에서 논의되는 실시예는 진공상태와 대기압 사이에서의 로드록실(132)내의 압력의 천이에 관련되지만, 여기에서 설명되는 로드록실이 2개의 압력 사이에서 동작하는 어떤 시스템을 위한 어떤 챔버를 포함할 수도 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 1실시예에 따른 상부 벤트포트와 하부 진공포트를 갖춘 로드록실의 간략화된 개략도이다. 로드록실(132)은 상부 벤트포트와 하부 진공포트를 포함한다. 억세스 포트(146)는 웨이퍼가 로드록실(132) 내부 및 외부로 이동될 수 있도록 한다. 웨이퍼(122)가 로드록실(132) 내부에 있으면, 웨이퍼는 핀(150)을 갖춘 기판 서포트(134)에 위치하게 된다. 예컨대, 웨이퍼가 ATM으로부터 로드록실(132)로 도입되기 때문에, 억세스 포트(146)중 하나는 웨이퍼 (122)가 로드록실로 도입될 수 있도록 하기 위해 오픈될 것이다. 억세스 포트중 하나가 웨이퍼(122)의 도입을 허용하도록 오픈되기 때문에, 유체흐름은 벤트포트(138)를 통해 로드록실(132)로 제공된다. 억세스 포트(146)가 클로우즈될 때까지 웨이퍼가 로드록실(132)로 이동되기 때문에 유체는 계속해서 흐르게 된다. 1실시예에 있어서, 유체는 억세스 포트(146)가 클로우즈된 후의 짧은 시간동안 계속해서 흐른다. 억세스 포트(146)가 클로우즈되면 로드록실(132)이 격리되기 때문에, 진공펌프가 진공상태를 만들기 시작하기 전에 로드록실내에서는 작은 포지티브 압력이 발생된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 벤트포트(138)로부터의 유체는 수분이 거의 없는영역(148)을 발생시킨다. 영역(148)은 웨이퍼(122)와 로드록실(132)의 상부 사이에서 규정된다. 1실시예에 있어서, 도 5와 도 6을 참조하여 보다 상세히 나타내는 바와 같이 영역(148) 도처에 벤트포트로부터의 유체를 퍼뜨리기 위한 확산기와 연통하고 있다. 벤트포트(138)를 통한 가스의 흐름은 억세스 포트 (146)가 웨이퍼 전송동안 오픈되면 수분을 주입시키는 로드록실(132)을 정화시킨다. 즉, 로드록실(132)의 내부 및 외부로의 웨이퍼의 이동으로부터의 활성화로 실린 공기를 많이 가진 어떤 수분은 화살표 147로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(122) 아래에 강요된다. 1실시예에 이어서, 벤트포트(138)를 통해 로드록실(132)로 배기되는 유체는 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 비독성 가스이다. 더욱이, 벤트포트(138)로부터의 가스의 흐름은 웨이퍼(122) 위에 규정된 영역(148)부터 웨이퍼(122) 아래의 영역까지 어떤 현재 수분을 강요한다. 따라서, 외부의 수분이 로드록실(132)의 투과영역(148)으로부터 방지되는 동안 현재 내부의 수분은 영역(148)으로부터 제거된다.
도 3을 참조하면, 웨이퍼(122)가 ATM으로부터 로드록실(132)로 배치되었다면, 웨이퍼를 운반하는 로봇암은 제거되고, 웨이퍼가 로드록실로 도입되는 억세스 포트(146)는 클로우즈된다. 상술한 바와 같이, 벤트포트(138)를 통한 가스의 흐름은 억세스 포트(146)가 클로우즈된 후에 잠깐동안 계속될 수 있다. 혹은, 벤트포트(138)를 통한 가스의 흐름은 억세스 포트(146)가 클로우즈되자 마자 멈출 수 있다. 웨이퍼는 진공 전송모듈을 지나 처리실로 전송되는 것이고, 로드록실(132)은 진공상태를 발생시키기 위해 펌프아웃된다. 따라서, 진공포트와 연통하여 진공 펌프는 1실시예에서 로드록실(132)에 진공상태를 발생시킨다. 영역(148)에 수분이 거의 없기 때문에, 로드록실(132)내가 진공으로 흡인되는 레이트가 더 이상 제한되지 않음은 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 명백한 것이다. 즉, 웨이퍼(122)의 표면위에 수분이 없기 때문에 2단계의 진공처리를 행할 필요가 없다. 만약 이슬점 온도가 로드록실(132)을 펌프아웃하는 동안 크로스되면, 영역(148)의 외부의 수분은 응축될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(122) 아래에 강요된 어떤 수분은 응축될 수 있다. 그러나, 이 응축은 더 이상 웨이퍼(122) 위의 영역(148)에 없기 때문에 더 이상 관심사가 아니다. 따라서, 비록 수분이 파티클 둘레에서 응집할지라도, 수분과 파티클은 로드록실(132)의 하부 표면에 떨어질 것이다. 게다가, 벤트포트(138)가 로드록실(132)의 상부에 위치하고 있기 때문에, 로드록실(12)의 하부에 떨어진 어떤 파티클은 로드록실의 하부에 남는다. 즉, 벤트포트(138)가 로드록실의 상부에 위치하고 있기 때문에, 로드록실(132)의 하부위의 어떤 파티클은 배기 오퍼레이션동안에는 발생되지 않는다. 당업자는 질소 등의 로드록실(132)로 배기하는데 사용되는 가스는 수분이 거의 없고, 로드록실로 입자상 물질을 주입시키는 것을 피하기 위해 크게 필터링된다는 것을 이해할 것이다.
도 4는 제1스테이지가 제한되지 않는 진공 풀다운(pull down) 레이트에 대해 제한되는 2개의 스테이지 펌프 다운을 비교하는 그래프이다. 제한되는 진공 풀다운 레이트는 라인 152와 154로 나타낸다. 라인(152)으로 나타낸 제한되는 진공 풀다운 레이트의 제1스테이지동안 이슬점을 크로스시키지 않도록 주의한다. 포인트(156)에 도달하면, 라인(154)의 초기 기울기로 나타낸 바와 같이 진공 풀다운 레이트는 증대될 수 있다. 따라서, 응축 구름을 형성할 수 없지만, 스루풋은 이 2개의 스테이지 처리에서 경험한다. 더욱이, 제1스테이지에 대한 슬로우 펌프는 보다 낮은 압력 분위기는 파티클을 이동시킬 수 없기 때문에 어떤 파티클을 야기시킬 수 있는 난류를 줄인다. 따라서, 하나의 스테이지 처리는 입자상 물질을 야기시키는 일없이 로드록실을 펌프하도록 구성된다.
한편, 라인(158)은 제한되지 않는 진공 풀다운 레이트를 나타낸다. 예컨대, 도 3과 관련하여 논의된 바와 같이 수분이 영역(148) 등의 웨이퍼 위에 규정된 영역으로부터 배제되거나 거의 제거되는 곳에 제한되지 않는 풀다운 레이트가 적용될 수 있다. 상부 벤트포트(138)를 통해 가스 퍼지를 제공함으로써, 웨이퍼 위의 환경이 수분이 거의 없도록 조절될 수 있기 때문에, 진공 풀다운 레이트는 증가될 수 있다. 웨이퍼 위의 환경이 퍼지되도록 사용되는 가스가 건성 가스인 것은 이해되어야 한다. 즉, 이슬점을 크로스시키는 것은 챔버 상부를 통해 배기되는 건성 불활성 가스에 의한 웨이퍼 위의 수분의 변위 때문에, 더 이상 관심사가 아니다. 따라서, 로드록실내의 진공상태에 도달하는 시간은 시간 t1로 나타낸 바와 같이 제한되지 않는 진공 풀다운 레이트에 대해 보다 작다. 제한되지 않는 풀다운 레이트와 관련된 밸브 시스템이 덜 복잡하기 때문에, 제한되지 않는 풀다운 레이트와 관련된 밸브 시스템은 덜 비싼 것을 당업자는 이해할 것이다. 제한되지 않는 풀다운 레이트가 이슬점을 크로스시키는 것을 피하기 위해 2개의 스테이지 처리를 이용하는 동안은 시간 t2까지 원하는 진공레벨에 도달하지 않는다. 압력변화 인터페이스가 다른 압력 상태 사이에서 보다 빨리 순환될 수 있기 때문에, 로드록실 등의 압력변화인터페이스의 챔버 밖으로 펌프하는 보다 작은 시간은 보다 높은 스루풋으로 옮긴다.
도 5는 본 발명의 1실시예에 따른 확산기와 연통하여 상부 벤트포트를 갖춘 로드록실의 개략도이다. 여기에서, 상부 벤트포트(138)는 확산기(160)에 접속된다. 확산기(160)는 도 3의 영역(148) 등의 웨이퍼(122) 위와 확산기 아래에 규정되는 영역 전체에 걸쳐 균일하게 가스 흐름을 보낸다. 따라서, 전면적인 유체 흐름은 웨이퍼 전체에 걸쳐 생성되기 때문에, 웨이퍼 위의 환경을 조절하게 된다. 즉, 확산기(160)로부터의 불활성 가스 흐름은 웨이퍼(122) 위의 어떤 수분을 변위시키고, 웨이퍼 위에 사실상 불활성 가스환경을 제공한다. 확산기(160)는 웨이퍼(122)보다 조금 더 큰 직경을 갖춘 것으로 도시되었지만, 확산기의 직경이 웨이퍼의 직경보다 더 작을 수 있음은 물론이다. 게다가, 확산기는 웨이퍼 위에 수분이 거의 없는 환경을 만드는데 적당한 어떤 형태일 수 있다. 더욱이, 만약 억세스 포트(146)중 어떤 하나가 오픈되면, 로드록실(132)로 주입되는 수분을 함유한 공기는 웨이퍼(122) 아래로 보내진다. 벤트포트(138)로부터의 불활성 가스 퍼지는 도 3과 관련하여 논의된 바와 같은 유사한 방법으로 외부의 수분이 웨이퍼(122) 위와 확산기(160) 아래에 규정되는 영역으로 주입되지 못하게 한다. 따라서, 진공 풀다운 레이트는 증가될 수 있다. 진공포트 출구(136)는 웨이퍼(122) 아래에 거의 중심을 둔 것으로 나타냈지만, 진공포트 출구는 로드록실(132)의 하부 표면 어디든지 위치시킬 수 있다. 더욱이, 에지(164)는 챔버 밖으로 펌프하는 것을 돕기 위해 둥글게 한 코너로 나타낸다. 진공상태를 만들기 위해 로드록실(132)을 비우는 진공펌프(162)는 로드록실 (132)에 적합한 어떤 상업적으로 유효한 진공펌프일 수 있다. 확산기(160)는 1실시예에서 로드록실(132)의 상부 내부 표면에 엄밀하게 부착된다. 벤트포트(138)는 웨이퍼(122) 위에 중심을 둔 것을 나타냈지만, 웨이퍼 위에 수분과 파티클이 거의 없는 환경을 제공하는 가스흐름이 전달될 수 있는 한 벤트포트는 챔버 상부의 어떤 위치에 위치할 수 있음은 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 명백한 것이다.
도 5를 참조하면, 1실시예에서 웨이퍼(122)의 상부 표면과 확산기(160)의 하부 표면간의 거리(161)는 약 3㎜와 약 3㎝ 사이에 있다. 바람직한 실시예에 있어서 거리(161)는 약 5㎜와 2㎝ 사이에 있고, 더 바람직하게는 거리(161)는 약 1㎝이다. 상술한 바와 같이, 진공펌프(162)는 억세스 포트(146)가 클로우즈되자 마자 그 후의 단시간에 시작할 수 있다. 1실시예에 있어서, 진공펌프 (162)는 억세스 포트(146)가 클로우즈된 후에 약 0과 약 2초 사이에서 시작한다. 바람직하게는, 진공펌프(162)는 억세스 포트(146)가 클로우즈된 후에 약 0과 약 0.5초 사이에서 시작한다. 로드록실(132)은 밖으로 펌프되는 동안, 벤트포트(138)는 로드록실내가 진공으로 흡인되도록 클로우즈됨을 당업자는 이해할 것이다. 로드록실(132)내가 진공으로 흡인되는 것을 허용하기 위해 벤트포트 (138)에 대한 억세스를 클로우즈하는데 어떤 적당한 밸브(139)가 사용될 수 있음은 물론이다. 더욱이, 확산기(160)는 패브릭과 배플 등에 적층된 분말 금속, 소결 니켈, 팽창 PTFE(polytetrafluoroethylene)막을 통합시키는 확산기 등의 반도체 오퍼레이션과 호환가능한 어떤 확산기일 수 있다. 로드록실(132)에는 다른 압력으로 챔버 사이에 압력변화 인터페이스가 있기 때문에, 억세스 포트(146)가 동시에 오픈하지 않는 것은 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 명백한 것이다.
도 6은 본 발명의 1실시예에 따른 로드록실 내부에 다수의 웨이퍼를 갖춘 상부 벤트포트 및 하부 진공포트를 갖춘 로드록실의 개략도이다. 여기에서, 다수의 웨이퍼(122, 123)는 화살표 166으로 나타낸 바와 같이 로드록실의 내부 및 외부로 천이하고 있다. 처리되지 않은 웨이퍼(122)가 로드록실(132) 내부에 있는 동안 진공 전송모듈로부터 로드록실(132)로 처리된 웨이퍼(123)가 도입될 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 따라서, 그 후, 처리된 웨이퍼(123)를 퇴적시키는 로봇암은 처리되어야 할 웨이퍼(122)를 잡을 수 있다. 1실시예에 있어서, 하나의 웨이퍼는 안으로 배기하거나 밖으로 펌프하는 오퍼레이션동안 로드록실(132)에 있다. 즉, 억세스 포트(146)중 하나가 오픈할 때에는 2개의 웨이퍼가 로드록실(132)에 있다. 상술한 바와 같이, 억세스 포트(146)가 오픈되면, 상부 웨이퍼(122) 위에 수분이 거의 없는 영역을 만드는 벤트포트(138)와 확산기(160)를 통해 가스는 흐르게 된다. 웨이퍼(122)가 로드록실(132)로 이동함에 따라, 확산기(160)를 통한 가스의 흐름은 웨이퍼 위의 환경을 조절한다. 더욱이, 청정 건성가스의 흐름은 스위핑 모션(sweeping motion)시에 웨이퍼 (122)의 표면 전체에 걸쳐 방사적으로 펼쳐진다. 한편, 처리된 웨이퍼(123)가 로드록실(132)로 도입되고 처리되지 않은 웨이퍼(122)가 로드록실에 있으면, 청정 건성가스의 흐름을 증가된 냉각을 처리된 웨이퍼에 제공한다. 게다가, 처리된 웨이퍼(123)는 처리되지 않은 웨이퍼(122)위에 응축할 수 있고 처리되지 않은 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 오프가스(off-gas)일 것이다. 상부 벤트(138)에 의해 제공되는 흐름은 어떤 오프가스를 멀리 퍼지게 하고, 로드록실(132)의 하부를 향해 아래쪽에 잔류한다. 잔류물은 결국 진공펌프(162)에 의해 진공포트 (136)를 통해 밖으로 펌프될 수 있음은 물론이다. 벤트포트(138)를 로드록실 (132)의 상부에 위치시키는 다른 이점은 가스가 로드록실로 배기되기 때문에 하부 표면에 존재하는 파티클이 로드록실로의 공기흐름에 의해 발생되지 않는다는 점이다. 벤트포트가 로드록실(132)의 하부에 위치하면, 파티클은 하부 벤트로부터의 흐름에 실릴 수 있고, 로드록실(132)에 존재하는 어떤 웨이퍼의 표면위에 퇴적될 수 있다. 그러나, 벤트포트(138)를 로드록실(132)의 상부에 위치시킴으로써, 하부 표면위의 파티클은 거기에 남는다.
도 6을 참조하면, 1실시예에 있어서 벤트포트(138)의 직경은 약 100㎜이다. 1실시예에 있어서, 로드록실(132)이 7리터 수용량을 가지고 있는 경우, 벤트포트(138)를 통해 로드록실로 제공되는 질소 등의 청정 건성가스의 흐름속도는 약 10SLM(standard liters per minute)와 약 100SLM 사이에 있다. 7리터 챔버를 위한 흐름속도 범위는 50SLM의 바람직한 흐름속도와 더불어 약 40SLM과 약 60SLM 사이에 있는 것이 바람직하다. 흐름속도가 7리터 챔버에 제공되는 동안, 흐름속도 범위는 보다 크거나 보다 작은 챔버에 대해서는 그에 알맞게 스케일될 수 있다. 여기에서 논의되는 실시예가 온도에 대해 독립적이라는 것을 당업자는 이해할 것이다. 다른 실시예에 있어서, 진공상태는 진공 풀다운 사이클의 개시로부터 10초 이하, 바람직하게는 6초 이하에서 로드록실(132) 내부에서 달성된다. 물론, 진공 풀다운 사이클은 진공펌프(162)를 시작함으로써, 또는 진공펌프가 이미 작동하고 있을 때에는 진공펌프와 로드록실(132) 사이의 적당한 밸브(164)를 오픈시킴으로써 개시될 수 있다.
도 7은 압력변화 인터페이스내의 반도체 기판의 영역위의 환경을 조절할 때 행하는 방법 오퍼레이션을 나타낸 플로우차트이다. 이 방법은 반도체 기판이 억세스 포트를 통해 압력변화 인터페이스로 도입되는 오퍼레이션(170)으로 시작한다. 여기에서, 압력변화 인터페이스는 반도체 기판이 ATM으로부터 전송될 때 대기압 등의 제1압력에 있다. 1실시예에 있어서, 압력변화 인터페이스는 로드록실에 있다. 그 후, 이 방법은 반도체 기판위에 규정된 영역으로부터의 수분이 변위되는 오퍼레이션(172)으로 나아간다. 예컨대, 상부 벤트포트를 통한 청정 건성가스 흐름은 도 3과 도 5 및 도 6과 관련하여 논의된 바와 같이 반도체 기판위의 영역으로부터 수분을 변위시킬 것이다. 상술한 바와 같이, 가스는 어떤 적당한 불활성 비독성 가스이다. 게다가, 압력변화 인터페이스에 대한 억세스 포트가 오픈되기 때문에, 가스의 흐름은 어떤 외부 수분이 반도체 기판위에 규정된 영역으로 주입되는 것을 막을 수 있다. 열린 억세스 포트를 통해 도입되는 외부 수분뿐만 아니라 변위된 수분도 반도체 기판 아래에 강요된다. 그 후, 이 방법은 억세스 포트가 클로우즈되는 오퍼레이션(174)으로 나아간다. 억세스 포트를 클로우즈하기 전에 반도체 기판은 기판 서포트에 배치되고 로봇암은 압력변화 인터페이스로부터 제거되는 것은 물론이다. 억세스 포트가 슬롯 밸브 등의 챔버를 밀봉할 수 있는 능력에 챔버로의 억세스를 제공하는 어떤 적당한 억세스 포트일 수 있음은 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 명백한 것이다.
도 7를 참조하면, 그 후, 이 방법은 압력변화 인터페이스가 제2압력으로 천이되는 오퍼레이션(176)으로 나아간다. 예컨대, 처리되지 않은 반도체 기판이 ATM으로부터 압력변화 인터페이스로 도입된 후에, 압력변화 인터페이스내의 압력은 처리되지 않은 반도체 기판이 진공 전송모듈로 천이될 수 있도록 하는 대기압으로부터 진공으로 떨어뜨려질 수 있다. 제2압력으로의 압력변화 인터페이스의 천이동안, 챔버내가 진공으로 흡인되는 레이트는 제한받지 않는다. 즉, 반도체 기판위와 로드록실의 상부 벤트의 입구 아래에 규정된 영역은 수분이 거의 없다. 기판위의 수분의 부족으로 미루어 보아, 반도체 기판의 표면위로 떨어지는 응축은 관심사가 아니다. 오퍼레이션(172)과 관련하여 설명되는 가스흐름은 반도체 기판위에 규정된 영역으로부터 수분을 충분히 제거함으로써, 반도체 기판위의 파티클 둘레에 형성하고 응집하는 응축에 관련된 관심사를 제거하게 된다. 따라서, 이슬점은 대기압으로부터 진공으로의 빠른 천이에 의해 크로스될 수 있다. 차례로, 제한하는 일없이 로드록실이 포지티브 압력으로부터 진공으로 천이될 수 있기 때문에 스루풋은 증가된다. 그 후, 이 방법은 반도체 기판이 압력변화 인터페이스 밖으로 전송되는 오퍼레이션(178)으로 나아간다. 여기에서, 반도체 기판은 처리 모듈로의 최후의 전송을 위한 진공 전송모듈로 전송될 수 있다.
도 8은 본 발명의 1실시예에 따른 챔버에서 반도체 기판위의 영역의 수분을 최소화하기 위한 방법 오퍼레이션의 플로우차트이다. 이 방법은 챔버의 상부 표면 전체에 걸쳐 연장되는 벤트포트가 제공되는 오퍼레이션(180)으로 시작한다. 여기에서, 벤트포트는 도 3과 도 5 및 도 6에 도시된 것과 같이 구성될 수 있다. 그후, 이 방법은 챔버의 하부 표면으로부터 연장되는 진공포트가 제공되는 오퍼레이션(182)으로 나아간다. 진공포트는 챔버의 하부 표면상에서 어떤 위치에 있어도 좋다. 1실시예에 있어서, 진공포트와 연통하여 진공펌프는 챔버를 비우는데 필요한 흡입력을 제공한다. 그 후, 이 방법은 수분이 반도체 기판위와 벤트포트 아래의 챔버내에 규정된 영역으로 주입되지 못하게 하는 오퍼레이션(184)으로 나아간다. 예컨대, 가스흐름은 챔버의 상부 표면에 위치한 벤트포트를 통해 제공될 수 있다. 도 3과 도 5 및 도 6과 관련하여 논의된 바와 같이, 챔버의 억세스 포트가 챔버로부터 반도체 기판의 도입이나 제거를 위해 오픈되는 동안 가스흐름은 챔버내의 기판위에 규정된 영역으로 수분이 주입되지 못하게 할 것이다. 특히, 가스흐름은 챔버로 주입되는 어떤 공기에 배리어를 생성하고, 챔버내에서 반도체 기판 아래의 영역에 공기를 강요한다. 1실시예에 있어서, 가스는 질소 등의 불활성 비독성 가스이다.
그 후, 도 8의 방법은 챔버내의 압력이 진공으로 천이되는 오퍼레이션 (186)으로 나아간다. 수분이 반도체 기판위의 영역으로 들어가는 것을 막고, 반도체 기판의 아래나 사이드 영역에 강요되기 때문에, 어떤 응축을 형성하면 반도체 기판의 아래나 사이드 영역에 형성할 것이다. 반도체 기판위의 응축이 관심사가 아니기 때문에, 진공 풀다운 레이트는 난류를 발생시키고 파티클을 야기시키는 일없이 증가될 수 있다. 따라서, 반도체 기판의 품질에 영향을 주는 일없이 챔버가 압력상태 사이에서 순환될 수 있기 때문에 시스템의 스루풋은 향상된다.
게다가, 폴리실리콘 에칭 오퍼레이션 동안, 수소 브롬화물 가스는 상술한 실시예에서 상부 벤트를 통해 제공되는 가스 흐름에 의해 퍼지게 된다. 상부 벤트로부터 퍼지는 공기흐름은 처리된 웨이퍼에 의해 방출되는 수소 브롬화물 가스가 처리되지 않은 웨이퍼상에 응축되지 못하게 한다. 질소가스는 처리된 웨이퍼의 얼마간의 수소 브롬화물을 스크럽함으로써, 크로스 오염의 기회를 최소화하게 된다. 따라서, 챔버의 상부에 벤트를 위치시키면 수분응축으로부터 그리고 처리된 기판으로부터 발산되는 활성종으로부터 웨이퍼를 보호하는 불활성 가스의 층으로 반도체 기판을 차폐할 수 있게 한다. 1실시예에 있어서, 처리된 웨이퍼는 다수의 웨이퍼를 갖춘 로드록실 내부의 처리되지 않은 웨이퍼 아래에 있다.
요약해서, 본 발명은 챔버내의 기판위의 영역에 거의 수분이 없는 청정 환경을 제공하고, 동시에 로드록실 등의 압력변화 인터페이스가 압력상태 사이에서 보다 능률적으로 순환할 수 있도록 함으로써 스루풋을 증가한다. 본 발명은 여러가지의 특정한 실시예와 관련하여 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러가지로 변형하여 실시할 수 있음은 물론이다.
Claims (21)
- 압력변화 인터페이스내의 반도체 기판위에 규정된 영역에서의 환경을 조절하기 위한 방법에 있어서, 이 방법은,제1압력에 있는 압력변화 인터페이스로 억세스 포트를 통해 반도체 기판을 도입하는 단계와,상기 반도체 기판위에 규정된 영역으로부터 수분을 변위시키는 단계,상기 압력변화 인터페이스 범위내의 압력을 제2압력으로 천이하는 단계 및,상기 반도체 기판을 전송하는 단계를 갖춘 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2압력은 진공상태에 있는 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제2항에 있어서, 상기 압력변화 인터페이스를 제2압력으로 천이하는 상기 방법 오퍼레이션은, 진공 풀다운 레이트가 어떤 입자상 물질을 상기 반도체 기판위에 규정된 상기 영역으로 재도입하지 않도록 진공 풀다운 레이트를 제한하지 않고 상기 진공상태로 천이할 때 상기 반도체 기판위에 규정된 상기 영역에서 응축의 형성을 피하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판위에 규정된 영역으로부터 수분을 변위시키는 상기 방법 오퍼레이션은, 상기 압력변화 인터페이스의 상부 표면 전체에 걸쳐 연장되는 벤트포트를 통해 불활성 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제4항에 있어서, 상기 벤트포트가 상기 반도체 기판의 중심영역위에 위치한 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제4항에 있어서, 상기 압력변화 인터페이스의 상부 표면 전체에 걸쳐 연장되는 벤트포트를 통해 가스를 흐르게 하는 상기 방법 오퍼레이션은,상기 압력변화 인터페이스내의 처리된 기판으로부터 발산되는 활성종으로부터 상기 반도체 기판을 보호하기 위해 상기 불활성 가스로 상기 반도체 기판을 차폐하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제4항에 있어서, 수분이 상기 반도체 기판위에 규정된 영역으로 들어가지 못하도록 상기 챔버의 억세스 포트를 오픈시키는 동안 상기 벤트포트를 통한 불활성 가스의 흐름을 발생시키는 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제4항에 있어서, 상기 반도체 기판위에 규정된 상기 영역위에 상기 벤트포트와 연통하는 확산기를 제공하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제4항에 있어서, 가스흐름 레이트는 분당 약 10 표준리터와 분당 100 표준리터 사이에 있는 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 제8항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상부 표면과 상기 확산기의 하부 표면간의 거리는 약 3㎜와 약 3㎝ 사이에 있는 것을 특징으로 하는 조절방법.
- 서로 다른 압력으로 동작하는 모듈 사이에서 반도체 기판을 천이시키기 위한 챔버에 있어서, 이 챔버는,진공상태를 발생시키기 위해 상기 챔버내의 대기압의 제거를 허용하는 출구를 규정하는 베이스와,상기 챔버내의 반도체 기판을 지지하도록 구성된 기판 서포트,입구가 있고, 상기 기판 서포트 위에 규정된 영역에서 수분을 변위시키기 위해 상기 챔버로의 가스의 주입을 허용하도록 구성된 챔버 상부 및,상기 베이스로부터 상기 챔버 상부로 연장되고, 반도체 기판의 출입을 위한 억세스 포트를 포함하는 측벽을 구비한 것을 특징으로 하는 챔버.
- 제11항에 있어서, 상기 입구와 연통하는 확산기를 더 포함하고, 상기 기판 서포트 위에 규정된 상기 영역위에 위치한 것을 특징으로 하는 챔버.
- 제11항에 있어서, 상기 챔버의 출구는 상기 챔버에서 진공상태를 발생시키는데 사용되는 진공펌프와 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 챔버.
- 제11항에 있어서, 상기 챔버로 주입되는 상기 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 챔버.
- 제13항에 있어서, 상기 확산기의 하부 표면과 상기 기판 서포트에 있는 반도체 기판의 상부 표면간의 거리는 약 3㎜와 약 3㎝ 사이에 있는 것을 특징으로 하는 챔버.
- 반도체 기판을 처리하기 위한 시스템에 있어서, 이 시스템은,제1압력으로 동작하도록 구성된 제1전송모듈과,제2압력으로 동작하도록 구성된 제2전송모듈,상기 제1 및 제2전송모듈 사이에 위치하고, 상기 제1 및 제2압력간의 천이를 가능하게 하는 압력변화 인터페이스를 구비하고,상기 압력변화 인터페이스는 기판 서포트와 상부 벤트포트 및 하부 진공포트를 갖추며, 상기 상부 벤트포트는 상기 압력변화 인터페이스로 유체를 주입하도록 구성되고, 이 유체의 주입은 상기 반도체 서포트 위에 규정되는 영역에서 수분을 변위시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 압력변화 인터페이스는 로드록실에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리시스템.
- 제17항에 있어서, 상기 상부 벤트포트는 상기 유체를 상기 기판 서포트위에 있는 확산기로 전달하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 압력변화 인터페이스로 주입되는 유체는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 압력변화 인터페이스는 상기 제1전송모듈에 억세스를 제공하기 위한 제1억세스 포트와, 상기 제2전송모듈에 억세스를 제공하기 위한 제2억세스 포트를 포함하고, 상기 제1압력은 포지티브 압력이며, 상기 제2압력은 진공상태인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리시스템.
- 제20항에 있어서, 상기 제1억세스 포트가 오픈하면 상기 유체는 상기 벤트포트를 통해 상기 압력변화 인터페이스로 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리시스템.
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