JP2005527099A - 窒素パージを行うトップ通気口を有する高速サイクルチャンバ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 異なる圧力で作動するモジュール間で半導体基板を移動させるためのチャンバを提供する。チャンバは、排気口を定められたベースを備える。排気口は、チャンバ内において空気を除去して真空を形成することを可能にする。チャンバは、また、チャンバ内において半導体基板を支えるための基板サポートを備える。チャンバは、また、吸気口を有したチャンバトップを備える。吸気口は、チャンバ内にガスを導入し、基板サポートより上方に定められた領域から蒸気を追い出すことを可能にするように構成される。チャンバは、また、ベースからチャンバトップに至る側壁を備える。側壁は、チャンバへの半導体基板の出し入れ用のアクセスポートを含む。また、圧力変動境界内において半導体基板より上方に定められた領域の環境を調整するための方法を提供する。
Description
102…アクセスポート
104…ボトム真空ポート
106…ボトム通気口
108…ウエハ
110…ウエハサポート
112…パッド
114…領域
116…蒸気
122…未処理のウエハ
124…ウエハカセット
126…ロードポート
128…大気圧移送モジュール(ATM)
130…ロボットアーム
132…ロードロック
134…ウエハサポート
136…真空ポート
138…トップ通気口
139…バルブ
140…真空移送モジュール
142…プロセスチャンバ
144…ロボットアーム
146…アクセスポート
148…領域
150…ピン
160…拡散器
162…真空ポンプ
164…エッジ
Claims (21)
- 圧力変動境界内において半導体基板より上方に定められた所定の領域の環境を調整するための方法であって、
第一の圧力にある圧力変動境界内に、アクセスポートを通して半導体基板を導入し、
前記半導体基板より上方に定められた領域から蒸気を追い出し、
前記圧力変動境界内の圧力を第二の圧力に推移させ、
前記半導体基板を移動させる
方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第二の圧力は真空状態である方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記圧力変動境界の第二の圧力への推移は、さらに、
前記真空状態への推移の際に、前記半導体基板より上方に定められた前記領域において凝縮物が形成されるのを、前記真空の形成速度に制約を加えることなく回避することにより、前記真空の形成速度に起因する前記半導体基板より上方に定められた前記領域への粒状物質の再導入を妨げる方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記半導体基板より上方に定められた領域から前記蒸気を追い出す処理は、さらに、
前記圧力変動境界の上面を通るように設けられた通気口から不活性ガスを流し込む処理を含む方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記通気口は、前記半導体基板の中央領域の上方に位置している方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記圧力変動境界の上面を通るように設けられた通気口からガスを流し込む操作は、さらに、
前記半導体基板を前記不活性ガスで覆うことによって、前記圧力変動境界内において処理済みの半導体基板から発生する反応種から前記半導体基板を保護することを含む方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
前記半導体基板より上方に定められた前記領域に蒸気が侵入するのを阻止するために、前記通気口からの前記不活性ガスの流れを、前記チャンバへのアクセスポートが開いている間に生じるさせる方法。 - 請求項4に記載の方法であって、さらに、
前記半導体基板の上方に定められた前記領域より上方に、前記通気口と連通している拡散器を準備する工程を含む方法。 - 請求項4に記載の方法であって、
ガスの流量は、約10標準リットル毎分から100標準リットル毎分までの間である方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記半導体基板の上面と前記拡散器の底面との間の距離は、約3ミリメートルから約3センチメートルまでの間である方法。 - 異なる圧力で作動するモジュール間で半導体基板を移動させるためのチャンバであって、
前記チャンバ内の空気を除去して真空を形成することを可能にする排気口を定められたベースと、
前記チャンバ内において半導体基板を支えるように構成された基板支持部材と、
前記チャンバ内にガスを導入することによって前記基板支持部材より上方に定められた
領域から蒸気を追い出すことを可能にするように構成された吸気口を有するトップと、
前記ベースから前記トップに至るとともに半導体基板の出し入れ用のアクセスポートを含む側壁と
を備えるチャンバ。 - 請求項11に記載のチャンバであって、さらに、
前記吸気口と連通するとともに前記基板支持部材より上方に定められた前記領域の上方の位置に拡散器を備えるチャンバ。 - 請求項11に記載のチャンバであって、
前記チャンバの前記排気口は、前記チャンバ内に真空を形成するために使用される真空ポンプと連通しているチャンバ。 - 請求項11に記載のチャンバであって、
前記チャンバ内に導入される前記ガスは不活性ガスであるチャンバ。 - 請求項13に記載のチャンバであって、
前記拡散器の底面と、前記基板支持部材の上に載置されている半導体基板の上面との間の距離は、約3ミリメートルから約3センチメートルまでの間であるチャンバ。 - 半導体基板を処理するためのシステムであって、
第一の圧力で作動するように構成された第一の移送モジュールと、
第二の圧力で作動するように構成された第二の移送モジュールと、
前記第一の移送モジュールと前記第二の移送モジュールとの間に位置づけられ、前記第一の圧力と前記第二の圧力との間で推移することができ、基板支持部材と、前記圧力変動境界内に流体を導入するように構成されたトップ通気口と、真空ポートとを含む圧力変動境界と
を備え、
前記流体の導入は、前記基板支持部材より上方に定められた領域の蒸気を追い出すシステム。 - 請求項16に記載のシステムであって、
前記圧力変動境界はロードロックであるシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、
前記トップ通気口は、前記基板支持部材より上方に位置づけされた拡散器に前記流体を供給するように構成されるシステム。 - 請求項16に記載のシステムであって、
前記圧力変動境界内に導入される前記流体は不活性ガスであるシステム。 - 請求項16に記載のシステムであって、
前記圧力変動境界は、前記第一の移送モジュールへのアクセスを提供する第一のアクセスポートと、前記第二の移送モジュールへのアクセスを提供する第二のアクセスポートとを含み、前記第一の圧力は正圧であり、前記第二の圧力は真空であるシステム。 - 請求項20に記載のシステムであって、
前記流体は、前記第一のアクセスポートが開いている際に、前記トップ通気口を通して前記圧力変動境界内に導入するシステム。
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