KR20040014111A - 와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프 - Google Patents

와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프 Download PDF

Info

Publication number
KR20040014111A
KR20040014111A KR1020020053839A KR20020053839A KR20040014111A KR 20040014111 A KR20040014111 A KR 20040014111A KR 1020020053839 A KR1020020053839 A KR 1020020053839A KR 20020053839 A KR20020053839 A KR 20020053839A KR 20040014111 A KR20040014111 A KR 20040014111A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductor
bump
capillary
wire
bonding
Prior art date
Application number
KR1020020053839A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100533487B1 (ko
Inventor
이마이레이
야스다다마나리
이시이시노부
고사꾸유지
Original Assignee
가부시끼가이샤가이죠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤가이죠 filed Critical 가부시끼가이샤가이죠
Publication of KR20040014111A publication Critical patent/KR20040014111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100533487B1 publication Critical patent/KR100533487B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/4848—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85447—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85986—Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns

Abstract

(과제) 범프와 와이어 접합 후의 와이어와 회로기판과의 접촉이나 와이어와 배선 사이의 접촉이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 또한 범프와 와이어 접합시의 와이어 구부러짐의 발생을 방지할 수 있는 와이어 본딩 방법 및 범프의 형성 방법 및 범프의 제공에 있다.
(해결수단) 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20) 사이를 와이어 본딩할 때, 미리 제 2 도체 (20) 상에 볼 본딩에 의해 범프 (51a) 를 형성한다. 캐필러리 (40) 를 소정 경로를 거쳐 이동, 동작시켜 범프 (51a) 의 상부에 경사면 (51c) 을 형성한다. 제 1 도체 (10) 에 1 차 본딩한 후, 범프 (51a) 에 대해 제 1 도체 (10) 측으로부터 와이어 (50) 를 루핑하여 경사면 (51c) 상에 2 차 본딩한다.

Description

와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프 {WIRE BONDING METHOD, METHOD OF FORMING BUMP AND BUMP}
본 발명은 2 개의 반도체 사이를 와이어 본딩하는 방법 및 그때의 범프형성 방법 및 범프에 관한 것으로, 특히 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서,와이어 본딩한 와이어가 다른 와이어와 접촉하거나 회로기판면과 접촉하지 않도록, 볼 본딩에 의해 미리 제 2 도체 상에 적합한 형상의 범프를 형성하여 행하는 와이어 본딩 방법, 그와 같은 범프를 형성하는 방법 및 범프에 관한 것이다.
와이어 본딩을 행하는 경우, 캐필러리 내에 Au 와이어가 삽입된 캐필러리를 사용하고, 토치전극의 방전에 의해 캐필러리로부터 돌출된 Au 와이어의 선단에 볼을 형성하고, 캐필러리를 반도체칩 상에 위치시켜 1 차 본딩한 후 캐필러리를 배선 상에 이동시켜 2 차 본딩함으로써, 반도체칩과 배선 사이를 와이어 본딩하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다.
이 경우, 배선재료가, 예컨대 Cu, Ni, 플러시 Au 도금 등과 같이 Au 와이어와의 접합성이 나쁜 재료이면, 배선 상에 직접 본딩할 수 없기 때문에, 본딩하는 부분에 미리 Ag 도금막이나 Au 두꺼운 막 등의 하지막을 형성해야 한다.
그러나, 이와 같은 하지막을 형성하는 것은, 실용상 바람직하지 않아 배선재료가 Au 와이어와의 접합성이 나쁜 재료인 경우에도 배선 상에 직접 본딩할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
예컨대, 일본 공개특허공보 평10-112471호에는, 도 10 에 나타낸 바와 같이, 회로기판 (30) 의 제 2 도체 (20) 상에 볼 본딩하여 범프 (51a) 를 형성하고, 그 웨지 본딩을 범프 (51a) 에 대해 제 1 도체 (10) 와 반대측의 위치에서 행한 후, 제 1 도체 (10) 상에 1 차 본딩하고, 범프 (51a) 에 대해 제 1 도체 (10) 측에서 와이어 (50) 를 루핑하여 범프 (51a) 상에 2 차 본딩하여, 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20) 사이를 와이어 본딩하는 방법이 기재되어 있다.
이 방법에 의하면, 볼 본딩에 의해 범프를 형성한 후에 그 웨지본딩을 범프 후방 (범프의 제 1 도체가 위치하는 측과는 반대측 위치) 의 제 2 도체 상에서 행하므로, 웨지본딩은 굴곡된 형상이 되어 범프 테일의 발생이 없어진다.
또한, 범프 상에 2 차 본딩하는 경우, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 범프 (51a) 로부터 연장되는 와이어 (50) 의 굴곡부 (51b) 가 캐필러리 (40) 의 관통공 (41) 내로 들어가도록 캐필러리 (40) 를 위치시켰을 때, 관통공 (41) 일측의 내벽에 의해 굴곡부 (51b) 가 눌려 와이어 (50) 가 관통공 (41) 의 타측의 내벽으로 눌린 상태로 양자가 접합되는 것으로 기재되어 있다.
그러나, 상기 공보에 게재된 방법에서는, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 범프형성 후의 웨지 본딩과 와이어부가 접합되므로, 즉 곡면끼리에 의한 접합이 되므로, 접합위치가 어긋난 경우 결과적으로 와이어 구부러짐이 발생하여 이웃하는 와이어 사이에서 접촉이 발생할 우려가 있다.
또한, 범프 형성 후의 웨지 본딩을 후방으로 만곡형상으로 형성함으로써 와이어테일의 발생은 억제할 수 있지만, 와이어와 범프의 접합에서 충분한 경사 및 평면을 확보할 수 없기 때문에, 도 11 의 점선으로 나타낸 바와 같이, 범프 (51a) 와 와이어 (50) 를 접합한 후에 발생하는 와이어 (50) 와 회로기판 (30) 과의 접촉, 와이어 (50) 와 배선 사이의 접촉을 충분히 방지할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은, 범프와 와이어의 접합 후의 와이어와 회로기판과의 접촉, 및 와이어와 배선 사이의 접촉 발생을 방지할 수 있고, 또한 범프와 와이어의 접합시에 와이어 구부러짐의 발생을 방지할 수 있는, 와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프를 제공하는 데 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 의한 와이어 본딩 방법을 이용하여 반도체칩과 배선 사이를 와이어 본딩한 상태를 나타내는 단면도.
도 2a 내지 도 2g 는 본 발명의 와이어 본딩 방법의 일 실시형태에 의한 접합 공정을 설명하기 위한 도면.
도 3 은 와이어를 범프 상부의 경사면 상에 2 차 본딩했을 때의 확대단면도.
도 4 는 본 발명에 의한 범프 형성 방법을 실시하기 전의 상태를 나타내고, 회로기판 상의 제 1 도체와 제 2 도체 및 캐필러리의 위치관계를 나타내는 도면.
도 5a 내지 도 5e 는 본 발명에 의한 범프 형성 방법의 일 실시형태를 나타내는 공정도이고, 도 5f 는 캐필러리의 이동경로를 나타내는 도면.
도 6 은 도 5a 내지 도 5f 에 나타낸 실시형태에 의해 형성된 범프의 단면도.
도 7a 내지 도 7g 는 본 발명에 의한 범프 형성 방법의 다른 실시형태를 나타내는 공정도이며, 도 7h 는 캐필러리의 이동경로를 나타내는 도면.
도 8a 및 도 8b 는 도 7a 내지 도 7h 에 나타낸 실시형태에 의해 각각 형성된 범프의 단면도.
도 9 는 본 발명에 의한 범프 형성 방법의 실시형태에 의해 형성된 범프를 이용하여 와이어 본딩한 예를 나타낸 단면도.
도 10 은 종래의 범프 형성 방법으로 형성된 범프를 이용하여 와이어 본딩한 예를 나타내는 도면.
도 11 은 종래의 범프형성 방법으로 형성된 범프를 이용하여 와이어 본딩한 경우의 문제점을 설명하는 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
6: 다이마운트페이스트 8: 반도체칩
10: 제 1 도체 (본딩패드) 20: 제 2 도체 (배선)
30: 회로기판 40: 캐필러리
41: 관통공 42: 저부
50: 와이어 51: 볼
51a: 범프 51b: 굴곡부
51c: 경사면 60: 전기토치
상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 다음과 같은 수단을 채택하였다.
본 발명의 와이어 본딩 방법은, 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩하는 방법으로서, 상기 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 범프를 형성하는 단계와, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도체에 와이어의 일단을 1 차 본딩하는 단계와, 상기 제 2 도체 상의 범프에 대해 상기 제 1 도체로부터 와이어를 루핑하여 상기 범프 상부의 경사면 상에 와이어의 타단을 2 차 본딩하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 와이어 본딩 방법은, 관통공에 와이어가 삽입된 캐필러리를 사용하여 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩하는 방법으로서, 캐필러리를 상기 제 2 도체 상에 위치시켜 볼 본딩함으로써, 상기 제 2 도체 상에 범프를 형성하는 단계와, 상기 캐필러리를 상방으로 이동시킨 후에, 이 캐필러리를 상기 제 1 도체와 반대측의 위치로 수평이동시키고, 상기 캐필러리를 하강시켜 상기 와이어를 절단하여, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도체에 상기 와이어의 일단을 1 차 본딩하는 단계와, 상기 캐필러리를 상기 범프 상부의 경사면에 위치시키고, 상기 캐필러리내로부터 연장되는 와이어를 상기 캐필러리의 저부에서 상기 범프 상부의 경사면에 2 차 본딩하여 그 접합부 근방에서 상기 와이어를 절단하는 단계를 포함한다.
본 발명의 와이어 본딩 방법의 바람직한 실시양태에서는, 상기 범프 상부의 경사면은 평면 또는 오목면으로 형성되고, 상기 2 차 본딩공정은 상기 캐필러리를 상기 범프 상부의 경사면에 위치시키고 이 캐필러리의 저부로 와이어를 상기 범프 상부의 경사면에 압착하는 것을 포함한다.
또, 본 발명의 와이어 본딩 방법의 바람직한 실시양태에서는, 상기 범프 상부의 경사면은 이 경사면의 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 범프의 형성 방법은, 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서, 미리 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 범프를 형성하는 방법으로서, 캐필러리를 상기 제 2 도체 상에 하강시키고 와이어의 선단에 형성된 볼을 상기 제 2 도체 상에 본딩하여 범프를 형성하는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시키는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 하강시켜 이 캐필러리의 저부를 상기 범프에 압착하는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체의 방향으로 수평이동시키는 단계를 포함하여, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하도록 한 것이다.
또한, 본 발명의 범프의 형성 방법은, 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서, 미리 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 범프를 형성하는 방법으로서, 캐필러리를 상기 제 2 도체 상에 하강시키고 와이어의 선단에 형성된 볼을 상기 제 2 도체 상에 본딩하여 범프를 형성하는 단계와 그 후 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향으로 수평이동시키는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시키는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 하강시켜 이 캐필러리의 저부를 상기 범프에 압착하는 단계와, 그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향으로 수평이동시키는 단계를 포함하여, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하도록 한 것이다.
본 발명의 범프의 형성 방법의 바람직한 실시양태에서는, 상기 범프 상부의 경사면은 이 경사면의 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 범프는, 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서, 미리 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 형성된 범프로서, 평면 또는 오목면으로 형성된 상면을 구비하고, 이 상면은 그 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
발명의 실시형태
이하, 본 발명을 나타내는 실시형태에 기초하여 구체적으로 설명한다. 또한, 첨부도면의 각 도면에서 동일한 참조부호는 동등 부분을 나타내는 것이다.
도 1 에 본 발명의 일 실시형태에 의한 와이어 본딩 방법을 이용하여 반도체칩과 배선 사이를 와이어 본딩한 상태를 나타낸다.
세라믹 기판이나 프린트 기판 등의 기판 또는 리드 프레임 등으로 이루어지는 회로기판 (30) 상에 다이마운트페이스트 (6) 에 의해 반도체칩 (8) 이 마운트되어 있다. 이 반도체칩 (8) 상에는 본딩 패드 (제 1 도체; 10) 가 형성되어 있다. 또, 회로기판 (30) 상에는 Au 와이어 (50) 와 접합성이 나쁜 Ni, Cu 등의 배선재료를 사용한 제 2 도체인 배선 (20) 이 형성되어 있다.
이어서, 본 발명의 일 실시형태에 의한 와이어 본딩 방법에 대해 도 2a 내지 도 2g 를 참조하여 설명한다.
우선, 도 2a 에 나타낸 바와 같이, 캐필러리 (40) 의 관통공 (41) 에 와이어 (50) 를 삽입시킨 상태로, 전기토치 (60) 에 의해 캐필러리 (40) 로부터 돌출된 와이어 (50) 의 선단에 볼 (51) 을 형성한다.
이어서, 도 2b 에 나타낸 바와 같이, 캐필러리 (40) 를 배선 (20) 상에 하강시키고 와이어 (50) 의 선단에 형성된 볼 (51) 을 배선 (20) 상에 볼 본딩한다. 이 볼 본딩에 의해 범프 (51a) 를 형성한다.
계속해서, 캐필러리 (40) 를 상승시킨 후에, 도 2c 에 나타낸 바와 같이, 범프 (51a) 의 중심으로부터 제 1 도체인 본딩패드 (10) 가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시킨다. 그 후, 도 2d 에 나타낸 바와 같이, 다시 캐필러리(40) 를 하방으로 하강시켜 캐필러리 (40) 의 저부 (42) 를 범프 (51a) 면에 압착시켜, 경사면 (51c) 을 범프 (51a) 상부에 형성한 후 와이어 (50) 를 절단한다.
이와 같이 하여 형성된 범프 (51a) 는, 도 3 에 나타낸 바와 같이, 제 2 도체인 배선 (20) 면에 대해 범프 (51a) 상부의 경사면 (51c) 의 경사각 (θ) 을 2°∼ 60°의 열림각으로 함으로써, 본딩패드 (10) 로부터 범프 (51a) 상부의 경사면 (51c) 으로 와이어를 본딩할 때 와이어 (50) 의 안내가 되도록 하여, 와이어 (50) 에 U 자형상의 늘어짐이 생기지 않게 함을 실험으로 알 수 있었다.
그 후, 도 2e 에 나타낸 바와 같이, 전기토치 (60) 에 의해 와이어 (50) 의 선단에 볼 (52) 을 형성한다. 그리고, 도 2f 에 나타낸 바와 같이, 캐필러리 (40) 를 반도체칩 (8) 의 본딩패드 (10) 에 위치시켜 1 차 본딩한다.
이어서, 도 2g 에 나타낸 바와 같이, 본딩패드 (10) 로부터 와이어 (50) 의 루핑을 행하고, 와이어 (50) 를 범프 (51a) 상부의 경사면 (51c) 상부에 위치시키고, 캐필러리 (40) 의 저부 (42) 로 와이어 (50) 와 범프 (51a) 상부의 경사면 (51c) 을 접합시킨 후 와이어 (50) 를 절단한다.
도 3 은, 도 2g 의 공정으로 와이어 (50) 와 범프 (51a) 상부의 경사면 (51c) 을 접합할 때의 확대도면이다. 상술한 바와 같이, 범프 (51a) 상면 (51c) 의 경사각 (θ) 을 2°∼ 60°로 한 것은, 제 1 도체 (본딩패드; 10) 와 제 2 도체 (배선; 20) 의 높이방향에서의 위치관계에 의해, 실험적으로 이 범위가 적당한 것으로 확인되었기 때문이다. 즉, 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20) 사이를 와이어 본딩할 때에 회로기판 (30) 상에서 제 1 도체 (10) 가 제 2 도체 (20)보다 낮은 위치에 있는 경우는, 경사각 (θ) 을 작게 하는 것이 제 1 도체 (10) 로부터 루핑시킨 와이어 (50) 를 제 2 도체 (20) 면 위의 범프 (51a) 상면 (51c) 으로 안내하기 용이해진다. 한편, 제 1 도체 (10) 가 제 2 도체 (20) 보다 높은 위치에 있는 경우, 반대로 경사각 (θ) 을 크게 하는 것이 안내하기 용이해진다.
또한, 상기에서의 와이어 접합은 초음파인가수단을 이용한 것이다.
이어서, 도 4 내지 도 9 를 참조하여 본 발명에 의한 범프 및 그 형성 방법의 실시형태에 대해 설명한다.
도 4 는 세라믹 기판이나 프린트 기판 등의 기판 또는 리드 프레임 등으로 이루어지는 회로기판 (30) 상에 형성된 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20), 및 본딩장치의 일부를 구성하는 캐필러리 (40) 와, 그 관통공 (41) 내를 통해 하강되고 선단에 볼 (51) 이 형성된 와이어 (50) 를 나타낸 것이다.
이어서, 본 발명에 의한 범프 형성 방법의 일 실시형태를 도 5a 내지 도 5f 에 기초하여 설명한다.
우선, 캐필러리 (40) 저부의 관통공 (41) 으로부터 돌출되어 있는 와이어 (50) 의 선단에 전기토치 (미도시) 의 열에 의해 볼 (51) 을 형성한다. 여기까지는 일반적인 공정이다.
이어서, 제 1 공정으로서, 도 5a 에 나타낸 바와 같이, 캐필러리 (40) 를 제 2 도체 (20) 상에 하강시키고 와이어 (50) 의 선단에 형성된 볼 (51) 을 제 2 도체 (20) 상에 본딩하여 범프 (51a) 를 형성한다.
계속해서, 제 2 공정으로서, 도 5b 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리(40) 를 수직으로 상승시킨다.
이어서, 제 3 공정으로서, 도 5c 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 상기 제 1 도체 (10) 가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시킨다.
또한, 제 4 공정으로서, 도 5d 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 하강시켜 캐필러리 (40) 의 저부 (42) 를 범프 (51a) 면에 압착시킨다.
계속해서, 제 5 공정으로서, 도 5e 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 상기 제 1 도체 (10) 의 방향으로 수평이동시킨다.
이들 공정을 캐필러리의 움직임으로 나타내면, 도 2f 에 나타낸 바와 같이, M1→M2→M3→M4→M5 가 되고, 이들 공정을 거침으로써 상면 (51c) 이 경사면으로 되는 범프 (51a) 를 제 2 도체 (20) 면 상에 형성할 수 있다.
상기 각 공정에서의 캐필러리 (40) 의 이동거리 및 이동방향의 제어는, 그것에 의해 형성된 범프 (51a) 가, 도 6 에 나타낸 바와 같이, 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20) 를 연결하는 수직면으로의 단면도에서, 범프 (51a) 상면 (51c) 의 양단부 (P1, P2) 사이를 연결하는 직선의 제 2 도체 (20) 면에 대한 경사각 (θ) 이 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되는 경사면을 갖도록 행한다.
또한, 도면에서 부호 A 는 범프 (51a) 의 기저부의 직경, 부호 B 는 기저부의 두께, 부호 C 는 범프 (51a) 의 높이를 나타내고 있다.
실제적으로는, 상기 치수 A, B, C 는 와이어 (50) 의 직경과도 관련된 것으로 와이어 (50) 의 직경이 7∼100㎛ 인 경우, 기저부의 직경 A 는 25∼300㎛, 기저부의 두께 B 는 4∼60㎛, 범프의 높이 C 는 10∼200㎛ 의 범위로 형성할 수 있다. 일례를 들면, 와이어 직경이 30㎛ 인 금선의 경우, 기저부 직경 A=75㎛, 기저부 두께 B=17㎛, 범프 높이 C=60㎛ 인 범프 (51a) 를 형성하였다. 또, 다른 예에서는, 와이어 직경이 50㎛ 인 금선의 경우, 기저부 직경 A=190㎛, 기저부 두께 B=35㎛, 범프 높이 C=110㎛ 의 범프 (51a) 를 형성하였다.
이어서, 본 발명에 의한 범프의 형성 방법의 다른 실시형태를 도 7a 내지 도 7h 에 기초하여 설명한다.
우선, 캐필러리 (40) 저부의 관통공 (41) 으로부터 돌출되어 있는 와이어 (50) 의 선단에 전기토치 (미도시) 의 열에 의해 볼 (51) 을 형성한다.
이어서, 제 1 공정으로서, 도 7a 에 나타낸 바와 같이, 캐필러리 (40) 를 제 2 도체 (20) 상에 하강시키고 와이어 (50) 의 선단에 형성된 볼 (51) 을 제 2 도체 상에 본딩하여 범프 (51a) 를 형성한다.
계속해서, 제 2 공정으로서, 도 7b 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 수직으로 상승시킨다.
그리고, 제 3 공정으로서, 도 7c 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 상기 제 1 도체 (10) 가 위치하는 방향으로 수평이동시킨다.
계속해서, 제 4 공정으로서, 도 7d 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 수직으로 상승시킨다.
이어서, 제 5 공정으로서, 도 7e 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 상기 제 1 도체 (10) 가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시킨다.
또한, 제 6 공정으로서, 도 7f 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 하강시켜 캐필러리 (40) 의 저부 (42) 를 범프 (51a) 면에 압착시킨다.
마지막으로, 제 7 공정으로서, 도 7g 에 나타낸 바와 같이, 상기 캐필러리 (40) 를 상기 제 1 도체 (10) 의 방향으로 수평이동시킨다.
이들 공정을 캐필러리의 움직임으로 나타내면, 도 7h 에 나타내는 바와 같이, M1→M2→M3→M4→M5→M6→M7 이 되고, 이들 공정을 거침으로써 상면 (51c) 이 경사면이 되는 범프 (51a) 를 제 2 도체 (20) 면 상에 형성할 수 있다.
상기 각 공정에서의 캐필러리 (40) 의 이동거리 및 이동방향의 제어는, 그것에 의해 형성된 범프가, 도 8a, 도 8b 에 나타낸 바와 같이, 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20) 를 연결하는 수직면에서의 단면도에서, 범프 (51a) 의 상면 (51c) 의 양단부 (P1, P2) 사이를 연결하는 직선의 제 2 도체 (20) 면에 대한 경사각 (θ) 이 제 1 도체 (10) 를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되는 경사면을 갖도록 행한다.
상기 공정에서, 캐필러리 (40) 를 도 7h 의 점선과 같이 이동시키면, 범프 (51a) 의 상면 (51c) 에 적재되는 와이어 (50) 굴곡부 (51b) 의 양이 변하기 때문에, 최종적으로 형성되는 범프 (51a) 의 높이를 도 8a 와 같이 높게 하거나, 도 8b 와 같이 범프 (51a) 의 상부 면적을 기저부 면적보다 넓게 할 수도 있다.
본 발명의 실시형태에 의한 범프 (51a) 는, 도 3, 도 6, 도 8a, 도 8b 에 나타낸 바와 같이, 상면 (51c) 이 평면 또는 오목면으로 형성되어 있음과 동시에 제 1 도체 (10) 와 제 2 도체 (20) 를 연결하는 수직면으로의 단면도에서, 범프 (51a)의 상면 (51c) 의 양단부 (P1, P2) 사이를 연결하는 직선의 제 2 도체 (20) 면에 대한 경사각 (θ) 이 제 1 도체 (10) 를 향해 2°∼60°의 열림각으로 형성되어 있는 것이다.
상기와 같은 형상의 범프 (51a) 를 미리 제 2 도체 (20) 면 상에 형성해 두면, 도 9 에 나타낸 바와 같이, 제 1 도체 (10) 로부터 제 2 도체 (20) 에 와이어 (50) 를 루프접속할 때에, 경사면이 안내면이 되어 와이어 (50) 의 구부러짐이 적어지고, 와이어끼리의 접촉이나 와이어의 느슨해짐으로 인한 회로기판면과의 접촉 등을 감소시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 와이어 본딩법에 의하면, 범프 상부에 형성된 경사면이 제 1 도체로부터 제 2 도체로 와이어 루프 접속할 때에 안내면이 되므로, 와이어와 반도체칩 또는 와이어와 패드와의 접촉을 방지할 수 있다. 또한, 범프 상면이 경사면으로 되기 때문에 종래와 같은 와이어와 와이어에 의한 접합시에 발생하는 와이어 구부러짐이 없어져, 결과적으로 와이어 본딩 후의 이웃하는 와이어 사이에서의 접촉이 없어진다. 또한, 범프 상부의 웨지본딩이 경사면을 형성하므로, 웨지본딩 후의 여분의 와이어가 없어져 반도체 패키징를 얇게 할 수 있다. 또, 경사면을 평면 또는 오목면으로 한 경우에는, 접합면적을 확대할 수 있어 접합강도를 높게 할 수도 있게 된다.
또, 본 발명의 범프의 형성 방법에 의하면, 제 2 도체면 상에 제 1 도체와제 2 도체를 연결하는 수직면으로의 단면도에서, 범프 상면의 양단부 사이를 연결하는 직선의 제 2 도체면에 대한 경사각이 제 1 도체를 향해 2°∼60°의 열림각이 되는 경사면을 갖는 범프를 형성할 수 있으므로, 제 1 도체로부터 제 2 도체로 와이어 루프 접속할 때에, 경사면이 안내면이 되어 와이어의 구부러짐을 적게 할 수 있고, 와이어끼리의 접촉이나 와이어의 느슨해짐으로 인한 회로기판면과의 접촉 등을 적게 할 수 있음과 동시에, 범프와 와이어 접합시의 와이어 구부러짐의 발생도 방지할 수 있다.
또한, 경사각을 자유롭게 형성할 수 있어 경사각을 작게 하면 범프 위의 여분의 와이어를 적게 할 수 있어 패키징를 얇게 할 수 있다. 또한, 제 1 도체가 높은 위치에 있으면 경사각을 크게 함으로써 와이어의 접속을 용이하면서 안전하게 할 수 있다.
또, 범프 상면의 면적을 크게 할 수 있으므로 와이어와의 접합면적을 확대할 수 있어 접합강도를 높일 수 있다.

Claims (10)

  1. 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩하는 방법으로서,
    상기 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 범프를 형성하는 단계;
    상기 범프 상부에 경사면을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도체에 와이어의 일단을 1 차 본딩하는 단계; 및
    상기 제 2 도체 상의 상기 범프에 대해 상기 제 1 도체로부터 와이어를 루핑하여 상기 범프 상부의 경사면 상에 상기 와이어의 타단을 2 차 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 범프 상부의 경사면은, 상기 경사면의 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  3. 관통공에 와이어가 삽입된 캐필러리를 사용하여, 제 1 도체와 제 2 도체 사이를 와이어 본딩하는 방법으로서,
    상기 캐필러리를 상기 제 2 도체 상에 위치시켜 볼 본딩함으로써, 상기 제 2 도체 상에 범프를 형성하는 단계;
    상기 캐필러리를 상방으로 이동시킨 후에, 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체와 반대측의 위치로 수평이동시키고, 상기 캐필러리를 하강시켜 상기 와이어를 절단하여, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도체에 상기 와이어의 일단을 1 차 본딩하는 단계; 및
    상기 캐필러리를 상기 범프 상부의 경사면에 위치시키고, 상기 캐필러리 내로부터 연장되는 와이어를 상기 캐필러리의 저부로 상기 범프 상부의 경사면에 2 차 본딩하고, 그 접합부 근방에서 상기 와이어를 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 범프 상부의 경사면은 평면 또는 오목면으로 형성되고,
    상기 2 차 본딩 단계는, 상기 캐필러리를 상기 범프 상부의 경사면에 위치시키고, 상기 캐필러리의 저부로 상기 와이어를 상기 범프 상부의 경사면에 압착하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 범프 상부의 경사면은, 상기 경사면의 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방법.
  6. 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에, 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 상기제 1 도체와 상기 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서 미리 상기 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 범프를 형성하는 방법으로서,
    상기 제 2 도체 상에 캐필러리를 하강시키고 와이어의 선단에 형성된 볼을 상기 제 2 도체 상에 본딩하여 범프를 형성하는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시키는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 하강시켜 상기 캐필러리의 저부를 상기 범프에 압착시키는 단계; 및
    그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체의 방향으로 수평이동시키는 단계를 구비하여, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 범프의 형성 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 범프 상부의 경사면은, 상기 경사면의 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 범프의 형성 방법.
  8. 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에, 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 상기 제 1 도체와 상기 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서 미리 상기 제 2 도체상에 볼 본딩에 의해 범프를 형성하는 방법으로서,
    상기 제 2 도체 상에 캐필러리를 하강시키고 와이어의 선단에 형성된 볼을 상기 제 2 도체 상에 본딩하여 범프를 형성하는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향으로 수평이동시키는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향과 반대방향으로 수평이동시키는 단계;
    그 후 상기 캐필러리를 하강시켜 상기 캐필러리의 저부를 상기 범프에 압착시키는 단계; 및
    그 후 상기 캐필러리를 상기 제 1 도체가 위치하는 방향으로 수평이동시키는 단계를 포함하여, 상기 범프 상부에 경사면을 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 범프의 형성 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 범프 상부의 경사면은, 상기 경사면의 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있는 범프의 형성 방법.
  10. 제 1 도체 상에 1 차 본딩함과 동시에, 제 2 도체 상에 2 차 본딩하고, 상기 제 1 도체와 상기 제 2 도체 사이를 와이어 본딩함에 있어서 미리 상기 제 2 도체 상에 볼 본딩에 의해 형성된 범프로서,
    평면 또는 오목면으로 형성된 상면을 구비하고, 상기 상면은 그 양단부 사이를 연결하는 직선이 상기 제 2 도체면에 대해 이루는 경사각이 상기 제 1 도체를 향해 2°∼ 60°의 열림각이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 범프.
KR10-2002-0053839A 2002-08-08 2002-09-06 와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프 KR100533487B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00231931 2002-08-08
JP2002231931A JP3913134B2 (ja) 2002-08-08 2002-08-08 バンプの形成方法及びバンプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040014111A true KR20040014111A (ko) 2004-02-14
KR100533487B1 KR100533487B1 (ko) 2005-12-05

Family

ID=31492388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0053839A KR100533487B1 (ko) 2002-08-08 2002-09-06 와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6715666B2 (ko)
JP (1) JP3913134B2 (ko)
KR (1) KR100533487B1 (ko)
CN (1) CN1230884C (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765376B1 (ko) * 2005-02-08 2007-10-10 가부시키가이샤 신가와 와이어 본딩 방법
KR100884520B1 (ko) * 2006-05-01 2009-02-18 샤프 가부시키가이샤 범프 구조, 그 형성 방법, 및 그것을 이용한 반도체 장치

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19823623A1 (de) * 1998-05-27 1999-12-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Kontaktstelle zur Herstellung einer elektrischen Verbindung
US7229906B2 (en) * 2002-09-19 2007-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for forming bumps for semiconductor interconnections using a wire bonding machine
JP3854232B2 (ja) * 2003-02-17 2006-12-06 株式会社新川 バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法
JP2004247674A (ja) * 2003-02-17 2004-09-02 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング方法
US6982493B2 (en) * 2003-04-03 2006-01-03 International Business Machines Corporation Wedgebond pads having a nonplanar surface structure
US7347352B2 (en) * 2003-11-26 2008-03-25 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Low loop height ball bonding method and apparatus
TWI248186B (en) * 2004-01-09 2006-01-21 Unaxis Internat Tranding Ltd Method for producing a wedge-wedge wire connection
JP2005268497A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Denso Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7475802B2 (en) * 2004-04-28 2009-01-13 Texas Instruments Incorporated Method for low loop wire bonding
TWI304238B (en) * 2004-09-07 2008-12-11 Advanced Semiconductor Eng Wire-bonding method for connecting wire-bond pads and chip and the structure formed thereby
US7188759B2 (en) * 2004-09-08 2007-03-13 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods for forming conductive bumps and wire loops
JP4558539B2 (ja) * 2005-03-09 2010-10-06 日立協和エンジニアリング株式会社 電子回路用基板、電子回路、電子回路用基板の製造方法および電子回路の製造方法
DE102006011352A1 (de) * 2005-03-23 2006-10-05 Unaxis International Trading Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Drahtverbindung
JP2006278407A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US20070216026A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Adams Zhu Aluminum bump bonding for fine aluminum wire
US20100186991A1 (en) * 2006-10-18 2010-07-29 Kulicke And Soffa Industries, Inc. conductive bumps, wire loops including the improved conductive bumps, and methods of forming the same
US8637394B2 (en) * 2007-07-05 2014-01-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with flex bump
JP4397408B2 (ja) 2007-09-21 2010-01-13 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法
US7669751B2 (en) * 2007-09-25 2010-03-02 Silverbrook Research Pty Ltd Method of forming low profile wire bonds between integrated circuits dies and printed circuit boards
JP2009158750A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Fujifilm Corp ワイヤボンディング方法及び半導体装置
JP4596011B2 (ja) * 2008-01-09 2010-12-08 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2009096950A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Wire loop and method of forming the wire loop
JP4625858B2 (ja) * 2008-09-10 2011-02-02 株式会社カイジョー ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム
JP5062283B2 (ja) * 2009-04-30 2012-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2012092707A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-12 Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Continuous wire bonding
CN103311142B (zh) * 2013-06-21 2016-08-17 深圳市振华微电子有限公司 封装结构及其封装工艺
JP5723426B2 (ja) * 2013-09-02 2015-05-27 株式会社カイジョー 駆動機構及び製造装置
US9087815B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
JP6420704B2 (ja) * 2015-03-30 2018-11-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6947964B2 (ja) * 2017-02-20 2021-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20220199571A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for tool mark free stitch bonding

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0695468B2 (ja) 1987-06-04 1994-11-24 松下電器産業株式会社 電気的接続接点の形成方法
JPH03183139A (ja) 1989-12-12 1991-08-09 Nippon Steel Corp ワイヤボンディング方法
US5485949A (en) * 1993-04-30 1996-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary
US5842628A (en) * 1995-04-10 1998-12-01 Fujitsu Limited Wire bonding method, semiconductor device, capillary for wire bonding and ball bump forming method
JP3344235B2 (ja) 1996-10-07 2002-11-11 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法
DE19809081A1 (de) * 1998-03-04 1999-09-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Kontaktstelle zur Herstellung einer elektrischen Verbindung
US6158647A (en) * 1998-09-29 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Concave face wire bond capillary
US6527163B1 (en) * 2000-01-21 2003-03-04 Tessera, Inc. Methods of making bondable contacts and a tool for making such contacts
IT1317214B1 (it) * 2000-04-11 2003-05-27 St Microelectronics Srl Struttura di capillare per il collegamento di fili di rame da un chipdi circuito a semiconduttore e un connettore terminale corrispondente

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765376B1 (ko) * 2005-02-08 2007-10-10 가부시키가이샤 신가와 와이어 본딩 방법
KR100884520B1 (ko) * 2006-05-01 2009-02-18 샤프 가부시키가이샤 범프 구조, 그 형성 방법, 및 그것을 이용한 반도체 장치
US7683484B2 (en) 2006-05-01 2010-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Bump structure, method of forming bump structure, and semiconductor apparatus using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004071983A (ja) 2004-03-04
KR100533487B1 (ko) 2005-12-05
JP3913134B2 (ja) 2007-05-09
CN1474442A (zh) 2004-02-11
US6715666B2 (en) 2004-04-06
US20040026480A1 (en) 2004-02-12
CN1230884C (zh) 2005-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100533487B1 (ko) 와이어 본딩 방법, 범프의 형성 방법 및 범프
US6946380B2 (en) Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
US7314818B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
KR100470897B1 (ko) 듀얼 다이 패키지 제조 방법
US6774494B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6921016B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
JP3854232B2 (ja) バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法
JPH10275827A (ja) フェイスダウンボンディング用リードフレーム
US8604627B2 (en) Semiconductor device
JPH08264540A (ja) バンプ構造、バンプ製造用キャピラリ及びバンプ製造方 法
US7064433B2 (en) Multiple-ball wire bonds
JP3570551B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7314157B2 (en) Wire bond with improved shear strength
TW564538B (en) Wire bonding method, method of forming bump and bump
JP2733418B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1116934A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2848344B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPH04123434A (ja) バンプ形成方法
KR100237177B1 (ko) 반도체 칩의 금속볼 접점 및 그 형성 방법
JPH0590320A (ja) ボール式ワイヤーボンデイング方法
JP2001007142A (ja) ワイヤボンディング用キャピラリおよび電子部品の接続方法
JPS61117846A (ja) 接合用金属突起の製造方法
JPH07130749A (ja) 電子部品のリード接合装置並びに接合方法
JP2001313307A (ja) 多段構造のバンプを有するフリップチップ及びこれを用いたフリップチップアセンブリ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171027

Year of fee payment: 13