KR20030070152A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20030070152A
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Abstract

본 발명은 기판에 은전극이 배치된 PDP에서, 패널의 황색변형을 비교적 간단하게 억제하는 기술을 제공하고, 그에 따라, 고휘도·고화질로 화상표시할 수 있는 PDP를 실현하는 것을 목적으로 한다.
그 때문에, 은전극에 표준전극전위가 은보다도 낮은 Cr, Al, In, B, Ti라는 원소 또는 이들 원소의 화합물을 은이온화 억제물질로서 포함시키도록 하였다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF}
최근, 쌍방향정보 단말장치 등에 이용하는 표시디바이스로서, 평면패널 디스플레이(FPD)가 주목받고 있다.
FPD로서는 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계방출 디스플레이(FED), 전자발광 디스플레이(EL) 등이 개발되어 있고, 일부는 이미 시판되고 있다.
이들 FPD 중에서도 PDP는 자기발광형으로 선명한 화상표시를 할 수 있고, 대화면화가 용이하다는 다른 디바이스에는 없는 특징을 갖고 있으며, 대화면 벽걸이 텔레비전용의 디스플레이로서도 기대가 높아지고 있다.
일반적으로, PDP는 각 색의 발광셀이 매트릭스형상으로 배열된 구성으로서, 교류면방전형 PDP에서는 예를 들어, 일본 특허공개 평9-35628호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 전면유리기판과 후면유리기판이 격벽을 개재하여 평행하게 배치되고, 전면유리기판 상에는 표시전극 쌍(주사전극과 유지전극)이 평행하게 배치되며,그 위를 유전체층이 덮어 형성되고, 후면유리기판 상에는 주사전극과 직교하여 어드레스전극이 배치되며, 양 기판 사이에서의 격벽으로 구획된 공간 내에는 적색, 녹색, 청색의 형광체층이 배치되고, 방전가스가 봉입됨으로써 각 색의 발광셀이 형성된 패널구조가 된다. 그리고, 구동회로에서 각 전극에 전압을 인가함으로써 방전하면, 자외선이 방출되고, 형광체층(적색, 녹색, 청색)이 이 자외선을 받아 여기 발광함으로써 화상이 표시된다.
이러한 PDP에서, 전면유리기판이나 후면유리기판은 붕규소 나트륨계 유리재료로부터 플로우트법(float method)으로 제조되는 유리판이 일반적으로 이용되고, 표시전극이나 어드레스전극에는 Cr-Cu-Cr 전극도 이용되고 있지만, 비교적 염가인 은전극이 많이 이용되고 있다.
이 은전극은 일반적으로 후막법(thick-film forming method)에 의해 형성된다. 즉, 은입자, 유리프릿, 수지, 용제 등을 함유하는 은페이스트(silver paste)를 스크린인쇄법으로 패터닝 도포하거나, 은입자, 유리프릿, 수지 등을 함유하는 필름을 라미네이트법으로 부착한 후에 패터닝한다. 그리고, 어떤 경우도, 수지를 제거하는 동시에 은끼리를 융착하여 도전율을 상승시키기 위해서, 500℃ 이상으로 소성처리를 행한다.
또한, 유전체층은 통상, 저융점 납유리 등의 분말과 수지로 이루어지는 페이스트를 스크린인쇄법, 다이코트 도포법 또는 라미네이트법 등에 의해 도포공정을 행하여, 500℃ 이상으로 가열, 소성함으로써 형성된다.
그런데, 이와 같이 은전극을 이용한 PDP에서는 은전극의 주위에서 유리기판이나 유전체층에 황색변형이 쉽게 발생한다.
그리고, 유리기판이나 유전체층에 황색변형이 발생하면, 청색 셀의 휘도가 저하되거나, 백색표시할 때의 색온도가 저하되므로, PDP의 화질이 열화되어 버리는 경우가 있다. 따라서, 유리기판이나 유전체층에 황색변형이 쉽게 발생하지 않는 PDP가 요구된다.
본 발명은 표시디바이스 등에 이용되고 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 은전극을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
도 1은 실시예에 관한 교류(AC)면방전형 PDP의 구성을 나타내는 조립사시도.
도 2는 제 1 실시예에 관한 전면패널의 단면도.
도 3은 이온화경향, 전자에너지 및 표준전극전위의 관계를 설명하는 도면.
도 4는 상기 전면패널의 단면모식도.
도 5는 은전극 전사필름을 이용하여 은전극 전구체층을 패터닝 형성하는 방법을 설명하는 도면.
도 6은 제 2 실시예에 관한 전면패널의 단면도.
도 7은 종래의 PDP에서 유리기판이나 유전체 유리층에 황색변형이 발생하는 메커니즘을 설명하는 도면.
본 발명은 기판에 은전극이 배치된 PDP에서, 패널의 황색변형을 비교적 간단하게 억제하는 기술을 제공하고, 그것에 의하여, 고휘도·고화질로 화상표시할 수 있는 PDP를 실현하는 것을 목적으로 한다.
그 때문에, 본 발명은 기판에 은전극이 배치된 PDP에서, 당해 은전극에 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물을 포함시키는 것으로 하였다. 이와 달리, 은전극에 「은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물」을 포함시켜도 된다.
이 「표준전극전위」에 대해 화학대사전(발행:동경화학동인(東京化學同人))에는 「단순전극의 전극반응에 관여하는 물질이 모두 표준상태에 있을 때의 평형전극전위를 표준전극전위라 함」이라고 기재되어 있다.
여기서, 은(Ag++e-=Ag)의 표준전극전위가 0.8V이므로, 「표준전극전위가 은보다 낮은 원소 또는 화합물」이라는 것은 「표준전극전위가 0.8V보다 낮은 원소 또는 화합물」과 동일한 의미를 갖는다.
상술한 바와 같이, 은전극을 구비한 종래의 PDP에서, 은전극의 주위에 황색변형이 발생하기 쉬운 원인은 은전극이나 유전체층을 소성할 때, 은전극 내의 은이 이온의 형태로 주위에 확산되고, 그 은이온이 유리기판이나 유전체층 내에서 환원되어 은(Ag) 콜로이드가 발생하는 것에 의한 것이라고 생각된다.
이에 대하여, 본 발명에서는 은전극 내에 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소나 화합물, 또는 은보다도 이온화경향이 높은 원소나 당해 원소의 화합물이 포함되어 있기 때문에, 당해 원소나 화합물이 은의 이온화를 억제하는 기능을 함으로써, 소성에 따르는 은이온의 생성 및 확산이 억제된다. 그 결과, 은전극 주변에서의 은콜로이드 입자의 생성도 억제되므로, 패널의 황색변형이 방지된다.
또, 본 명세서에서는, 상기 「표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물」과 같이, 은의 이온화를 억제하는 기능을 하는 물질을 「은이온화 억제물질」 이라고 기재하기로 한다.
여기서, 「은이온화 억제물질」은 「은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 원소 또는 당해 원소의 화합물」이면, 상기 목적 달성을 위해 가장 적합하다. 따라서, 「은이온화 억제물질」에는 「은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 원소 또는 그 화합물」도 함유된다.
또한, Cr, Al, In, B, Ti 원소나, Ni, Pb, Zr, Sn, Zn, Co 원소 및 이들 원소의 화합물이 이온화 억제물질로서 바람직하고, 은전극 내의 은에 대하여 1wt% 이상 함유시키는 것도 바람직하다.
또, 기판에 은전극이 배치된 PDP에서, 상기 「은이온화 억제물질」이 은전극을 덮는 층으로서 존재하더라도, 마찬가지로 은의 이온화를 억제하는 효과를 얻으므로, 상기 목적을 달성할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판에 은전극이 배치된 PDP를 제조하는 방법에서, 당해 은전극을 형성할 때에 이용하는 전극재료에 상기 은 이온화 억제물질을 함유시키는 것으로 하거나 또는 은전극을 형성한 후에 당해 은전극을 덮는 피복층을 은이온화 억제물질로 형성하는 것으로 하였다.
은이온화 억제물질로 피복층을 형성하는 방법으로서는 진공증착법, 스퍼터링법, 도금법, CVD법, 졸겔법을 들 수 있다.
또한, 상기 목적은 PDP의 전극형성에 이용되는 은전극용 페이스트에서, 상기 은이온화 억제물질을 함유시킴으로써도 달성할 수 있다.
또한, 상기 목적은 PDP의 전극형성에 이용되고, 지지필름 상에 은전극막 형성재료층이 형성되어 있는 전사필름(transfer film)에서, 은전극막 형성재료층에 상기 은이온화 억제물질을 함유시킴으로써도 달성할 수 있다.
[제 1 실시예]
(PDP의 전체구성에 대해서)
도 1은 실시예에 관한 AC 면방전형 PDP(100)의 구성을 나타내는 조립사시도이다.
이 PDP(100)는 제 1 기판으로서의 전면패널(101)과 제 2 기판으로서의 배면패널(111)이 주변 밀봉재료(도시생략)에 의해 부착되어 구성되어 있다.
전면패널(101)은 전면유리기판(102) 상에 표시전극(103)이 스트라이프 형상으로 배치되고, 거기에 유전체 유리층(106) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층(107)이 피복된 것이다.
한편, 배면패널(111)은 배면유리기판(112) 상에 어드레스전극(113), 유전체 유리층(114), 격벽(115) 및 형광체층(116)(적색, 녹색, 청색의 3색이 차례로 배치)이 설치된 것이다.
이 PDP(100)에서, 전면유리기판(102) 및 배면유리기판(112) 사이의 간극은 격벽(115)으로 구획되어, 방전가스가 봉입되어 있다. 또한, 상기 표시전극(103)은 격벽(115)과 직교하는 방향으로 배치되고, 어드레스전극(113)은 격벽(115)과 평행하게 배치되며, 표시전극(103)과 어드레스전극(113)이 대향하는 곳에 적색, 녹색, 청색의 각 색을 발광하는 셀이 형성되어 있다.
또, 도시하지는 않았지만, 이 PDP(100)에서의 표시전극(103) 및 어드레스전극(113)에 구동회로가 접속됨으로써, PDP 표시장치가 구성된다.
(표시전극의 구성)
도 2는 상기 전면패널(101)의 단면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 표시전극(103)은 폭이 넓은 투명성재료로 이루어지는 투명전극(104) 상에 은을 함유하는 전극이고, 폭이 좁은 은전극(105)이 적층되어 이루어진다. 투명전극(104)의 재료로서는 ITO, SnO2, ZnO 등의 도전성 금속산화물을 들 수 있다.
또, 표시전극(103)에서, 상기한 바와 같이 투명전극(104) 상에 은전극(105)을 설치하는 것은 셀 내에서의 방전면적을 넓게 확보하는 데에는 바람직하지만, 투명전극(104)을 설치하지 않고 은전극(105)만으로 표시전극(103)을 형성하는 것도 가능하다.
은전극(105)은 은이온화 억제물질을 포함하는 전극용 은페이스트 또는 은필름이 소성된 것이다. 즉, 은전극(105)에는 일반적인 은전극과 마찬가지로 은입자와 유리프릿이 포함되어 있지만, 은전극(105) 내에는 추가로 은의 이온화를 억제하는 기능을 갖는 은이온화 억제물질이 첨가되어 있다.
(은이온화 억제물질에 대해서)
이 은이온화 억제물질로서는, 이하의 ①~③ 중 어느 하나에 해당하는 것을 들 수 있다.
① 표준전극전위가 은의 표준전극전위(0.8V)보다도 낮은 원소 또는 화합물.
이 ①에 해당하는 원소로서, 알칼리금속(Li, Na, K 등), 알칼리토류 금속(Ca, Sr, Ba), 귀금속 이외의 천이금속(수은을 제외)에 속하는 원소(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu)를 들 수 있다. 여기서 천이금속에 대하여 「귀금속 이외」라고 한정한 것은, 귀금속은 일반적으로 표준전극전위가 0.8V보다 높기 때문이다.
또한, ①에 해당하는 화합물로서는 이들 원소의 산화물, 수산화물, 할로겐화물, 질화물, 탄화물, 초산염, 탄산염, 황산염 등을 들 수 있다.
상기 원소 또는 화합물 중에서도, 은이온화 억제물질로서 바람직한 것은 다음과 같다.
바람직한 원소로서는 후술하는 실시예에 기재되어 있는 원소(Cr, Al, In, B, Ti) 외에, Ni, Pb, Zr, Sn, Zn, Co라는 원소를 들 수 있다.
바람직한 화합물로서는 상기 원소(Cr, Al, In, B, Ti, Ni, Pb, Zr, Sn, Zn, Co)의 산화물(ZrO2, SiO2, TiO2, Al2O3, B2O3, P2O3, In2O3등)을 들 수 있다(이들 산화물은 은보다도 화학결합력이 강하다). 또한, 상기 원소(Cr, Al, In, B, Ti, Ni, Pb, Zr, Sn, Zn, Co)의 수산화물, 할로겐화물도 바람직한 화합물이다.
또한, TiN, ZnN, AlN, CrN, BN이라는 질화물 및 TiC, SiC, ZrC라는 탄화물도 은산화물보다 화학결합력이 강하고, 바람직한 화합물이다.
한편, ①에 해당하는 화합물 중에서도 초산염, 탄산염, 황산염, 수산화물, 할로겐화물에 속하는 것은, 전극소성시에 금속원소의 원자가전자수가 은의 이온화를 억제하는 데에 최적에 가까운 상태로 유지되는 점에서 바람직하다는 것을 말할수 있다.
그와 같은 관점에서, 예를 들어, Al(NO3)3, Ca(NO3)2, Zr(NO3)4, Ni(NO3)2, Co(NO3)2, Pb(NO3)2나, BaCO3, NiCO3, MgCO3, ZnCO3, CoCO3, Cu2CO3도 바람직한 화합물이다.
도 3은 이온화경향, 전자에너지 및 표준전극전위의 관계를 설명하는 도면으로서, 도 3 중 몇개의 원소나 이온에 대하여 표준전극전위가 나타나 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 일반적으로 원소나 원소이온(화합물)에서는 표준전극전위가 낮을수록 전자에너지가 크고, 전자를 방출하기 쉽다. 따라서, 은의 표준전극전위인 0.8V보다도 낮은 표준전극전위를 갖는 원소나 화합물이 은전극 내에 존재하면, 은의 이온화가 억제된다.
표준전극전위가 0.8V보다도 낮은 원소나 화합물 중에서도, 보다 낮은 표준전극전위를 갖는 것(도 3에서 위쪽에 위치하는 원소나 이온에 상당하는 화합물 등)은, 은의 이온화를 억제하는 작용이 크고, 소성시에서의 패널의 황색변형을 억제하는 작용이 큰 것으로 생각된다.
또, 도 3에 나타내는 바와 같이, 동일한 원소의 이온이어도 그 원자가전자수에 의해 표준전극전위는 변화한다. 즉, 화합물을 구성하는 원소의 종류는 동일하더라도, 당해 원소의 원자가전자수에 의해 화합물의 표준전극전위가 다른 점에 유의하여, 은전극(105)에 포함되는 은보다 표준전극전위가 낮은 화합물을 은이온화 억제물질로서 이용한다.
② 이온화경향이 은보다도 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물
상기 도 3에 나타내는 바와 같이, 일반적으로 원소나 원소이온(원소화합물)에서, 표준전극전위가 낮을수록 이온화경향이 크다는 관계에 있다.
따라서, 상기 ①에서 든 「은의 표준전극전위(0.8V)보다도 낮은 원소 또는 화합물」은 「은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물」과 거의 일치한다고 할 수 있다.
③ 이온화경향이 은보다도 크고, 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 원소 또는 당해 원소의 화합물.
이 ③에 해당하는 원소로서 크롬(Cr), 그 화합물로서 산화크롬(Cr2O3)을 들 수 있다.
이밖에도, 바람직한 원소로서 Si, Al, Ti를 들 수 있고, 바람직한 화합물로서 SiO2, Al2O3, TiO2를 들 수 있다.
통상, 은전극이 대기 중에 노출되면, 은전극 내의 은입자가 대기 중의 산소로 산화되어 산화은으로 변화하거나, 대기 중의 SO2로 황화되어 황화은으로 변화한다. 여기서, 은보다도 화학결합력이 약한 산화물이 은입자에 가깝게 존재하는 경우도, 은입자가 대기에 노출되기 쉽고, 은입자가 산화은으로 변화하기 쉽다. 그리고, 산화은으로 변화하면, 은이온의 형태로 주위에 확산되기 쉽다.
이에 대하여, 은전극 내에 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 원소 또는 그 화합물이 포함되어 있으면, 은입자가 대기에 노출되는 것을 당해 원소 또는 그 화합물이 차단한다.
또한, 이 원소의 산화물은 은산화물에 비해서 화학결합력이 강하기 때문에, 당해 원소의 산화물에 의해 은이 산화은으로 변화하는 일도 없다.
따라서, 은전극 내에 함유되어 있는 은이온화 억제물질이 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 원소 또는 그 화합물인 경우에는, 은전극 내의 은이 더욱 이온화하기 어렵게 된다.
이상과 같이, 상기 ①∼③ 중 어느 하나에 해당하는 은이온화 억제물질이 은전극(105) 내에 포함되면, 소성시에서의 은의 이온화가 억제된다.
또, 은이온화 억제물질로서 상술한 원소나 화합물은 1종류만을 이용해도 되지만, 2종류 이상을 혼합하는 등으로 병용해도 되는 것은 말할 필요도 없다. 또한, 상술한 금속원소가 2종류 이상 포함되어 이루어지는 합금도 은이온화 억제물질에 상당한다.
은이온화 억제물질의 첨가량에 대해서:
상기 ①∼③에 해당하는 은이온화 억제물질의 은전극 내에서의 함유비율로서는, 패널의 황색변형 억제효과를 얻기 위해서 은에 대하여 0.1wt% 이상인 것이 바람직하고, 충분한 효과를 얻기 위해서는 0.5wt% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 더욱 유효한 효과를 얻기 위해서는 은에 대하여 1wt% 이상인 것이 바람직하다.
한편, 은전극의 도전성을 확보하는 데에, 상기 원소 또는 화합물의 함유비율은 은에 대하여 20wt% 이하로 하는 것이 바람직하고, 10wt% 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
(은전극 내에서의 은이온화 억제물질의 존재형태에 대해서)
상기 은이온화 억제물질이 은전극 내에 존재하는 형태가 어떠한 형태이어도, 기본적으로 은의 이온화는 억제되는 것으로 생각되지만, 본 실시예에 관한 은전극(105)에서는 이하에 설명하는 바와 같이, 은이온화 억제물질이 은입자를 덮는 형태로 존재하기 때문에, 은의 이온화를 억제하는 효과도 크다고 생각된다.
도 4는 상기 전면패널(101)의 단면모식도로서, 특히 은전극(105)의 내부구조를 모식적으로 나타낸다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 은전극(105)에서는 복수의 은입자(10)가 결합되어 있지만(즉, 은입자(10)끼리 서로 융착하여 도전체를 형성하고 있지만), 은입자(10)끼리의 사이에는 간극(11)이 형성되어 있다. 그리고, 이 간극(11)에 유리프릿 및 은이온화 억제물질이 존재한다.
따라서, 이 간극(11) 내의 각 은입자(10)의 표면 부근에 은이온화 억제물질이 존재하게 된다.
그런데, 일반적으로, 은전극을 대기방치 중 또는 소성후의 온도하강 중에 전극 내의 은입자의 표면 부근에서 은이 대기 중의 산소로 산화되어 산화은으로 변화하거나, 대기 중의 SO2로 황화되어 황화은으로 변화하여, 이온화가 발생하기 쉽다고 생각된다.
따라서, 상기한 바와 같이 간극(11) 내의 은이온화 억제물질이 은입자의 표면 부근에 존재하면, 대기와 접하기 쉽고 은이온이 발생하기 쉬운 장소에 은이온화 억제물질이 존재하게 되므로, 대기방치 중 또는 소성후의 온도하강시에서의 은의이온화 억제효과도 커지는 것으로 생각된다.
은입자의 입자직경은 통상 약 1㎛∼3㎛이므로, 이러한 관점으로부터, 은이온화 억제물질이 간극(11)에 혼입되기 쉽도록, 사용하는 은이온화 억제물질의 입자직경은 1㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또, 간극(11) 내의 각 은입자(10)의 표면 부근에 은이온화 억제물질이 존재하는 경우뿐만 아니라, 적어도 일부의 은입자의 표면 부근에 은이온화 억제물질이 포함되어 있으면, 은의 이온화 억제효과가 있다. 단, 은이온화 억제물질이 은입자를 덮는 형태로 존재하고, 각 은입자의 표면 상에 은이온화 억제물질이 존재하는 구성이 은의 이온화 억제효과가 가장 높다.
(전면패널의 제조방법에 대해서)
전면패널(101)을 제조하는 방법에 대하여, 특히 은전극(105) 및 유전체 유리층(106)을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
전면유리기판(102)으로서, 플로우트법에 의해 제조된 유리판을 이용한다. 이 전면유리기판(102) 상에 통상의 박막형성법으로 투명전극(104)을 형성한다. 그리고, 은전극(105) 및 유전체 유리층(106)을 형성한 후, 통상의 박막형성법으로 보호층(107)을 형성함으로써, 전면패널(101)이 제작된다.
이하에, 은전극(105) 및 유전체 유리층(106)을 형성하는 방법에 대하여 상술한다.
제 1 공정-은전극 전구체층의 형성:
투명전극(104) 상에 은페이스트 또는 은전극 전사필름을 이용하여,은전극(105)의 전구체(precursor)인 은전극 전구체층을 형성한다.
은페이스트를 이용하는 경우는, 일반적으로 은전극을 형성하는 경우와 마찬가지로, 은분말, 유기 바인더, 유리프릿(PbO-B2O3-SiO2계, ZnO-B2O3-SiO2계, PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계, PbO-ZnO-B2O3-SiO2계, Bi2O3-B2O3-SiO2계 등), 유기용제 등을 포함하는 은전극용 페이스트를 준비한다.
단, 은전극용 페이스트를 제작할 때에, 상술한 은이온화 억제물질도 혼합해 둔다.
은전극용 페이스트에 혼합하는 은이온화 억제물질의 양에 대해서는, 상술한 바와 같이, 은분말에 대하여 O.1wt% 이상인 것이 바람직하고, 충분한 효과를 얻기 위해서는 0.5wt% 이상이 바람직하고, 더욱 유효한 효과를 얻기 위해서는 1wt% 이상인 것이 바람직하며, 은분말에 대하여 20wt%이하, 또한 10wt% 이하로 하는 것이 바람직하다.
은전극용 페이스트에 이용하는 유기 바인더로서는, 에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 화합물, 또는 메틸메타크릴레이트 등의 아크릴 중합체 등이 바람직하다.
그리고, 스크린인쇄법을 이용하여, 은전극(105)의 패턴형상으로 도포하여 건조해도 되고, 스크린인쇄법이나 다이코트법 등을 이용하여 빠짐없이 도포하여 건조한 후, 포토리소그래피법(또는 리프트오프법)으로 패터닝을 행해도 된다.
한편, 은전극 전사필름을 이용하는 경우, 자세한 설명은 후술하지만, 상기 은페이스트와 동일한 성분을 필름형상으로 가공하여 은전극 전사필름을 제작하여,당해 필름을 투명전극(104) 상에 라미네이트함으로써 은전극 전구체층을 형성한다.
이상과 같이 형성된 은전극 전구체층에서, 각 은입자의 주위에는 유리프릿, 유기 바인더, 은이온화 억제물질이 존재하게 된다.
또, 은전극용 페이스트에 혼합하는 은이온화 억제물질로서, 상술한 바와 같이 1㎛ 이하인 입자직경의 것을 이용하면, 각 은입자의 표면 상을 은이온화 억제물질로 치밀하게 커버할 수 있으므로, 은의 이온화를 억제하는 효과가 높아진다.
여기서, 도 5를 참조하면서, 은전극 전사필름을 이용하여, 포토리소그래피법으로 은전극 전구체층을 패터닝 형성하는 방법의 구체예를 설명한다.
도 5의 (a)는 전극전사필름(200)의 단면을 모식적으로 나타낸다.
이 전극전사필름(200)은 지지필름(201) 상에 은전극 전구체층(202) 및 커버필름(203)이 적층된 것이다. 당해 전극전사필름(200)은 은분말, 감광성수지로 이루어지는 유기 바인더, 유리프릿, 은이온화 억제물질, 유기용제 등을 혼합한 은전극용 페이스트를 PET로 이루어지는 지지필름(201) 상에 블레이드코터(blade coater)로 빠짐없이 도포하여 건조함으로써 은전극 전구체층(202)을 형성하고, 그 위를 이형처리(mold releasing process)가 실행된 커버필름(203)으로 피복함으로써 제작할 수 있다.
도 5의 (b)는 은전극 전구체층(202)을 라미네이트하는 모양을 나타낸다.
상기 전극전사필름(200)으로부터 커버필름(203)을 박리하고, 투명전극(104)이 형성된 전면유리기판(102) 상에 은전극 전구체층(202)을 중첩시켜, 지지필름(201) 상을 가열롤러(210)로 가압함으로써, 은전극 전구체층(202)을 전면유리기판(102) 상에 열압착한다(예를 들어, 가열롤러(210)의 표면온도는 60∼120℃, 롤러압은 1∼5kg/cm2). 이에 따라, 은전극 전구체층(202)이 전사(轉寫)된다.
도 5의 (c)는 은전극 전구체층(202)을 노광하는 모양을 나타낸다.
지지필름(201)을 박리하고, 은전극 전구체층(202) 상에 포토마스크(220)를 중첩시킨다. 이 포토마스크(220)는 은전극을 형성하고자 하는 부분만이 개구되어 있다. 이 상태로 노광하면, 은전극 전구체층(202)에서의 은전극 형성예정 부분만이 노광되고, 노광된 부분의 감광성수지가 경화한다. 그 후, 은전극 전구체층(202)을 현상하면, 은전극 전구체층(202)에서의 노광된 부분만이 남음으로써, 은전극(105)의 형상으로 패터닝된다. 도 5의 (d)는 은전극 전구체층(202)이 패터닝된 모양을 나타낸다.
제 2 공정-유전체 전구체 형성공정:
상기 패터닝 가공된 전극 전구체층을 유전체 유리층(106)의 전구체인 유전체 전구체층에 의해 피복한다.
이 유전체 전구체층은 유리와 유기 바인더를 필수성분으로 하고, 용제를 첨가한 유전체 페이스트에 대하여, 스크린인쇄법 또는 다이코트법을 이용하여 도포, 건조함으로써 형성할 수 있다.
이와 달리 제 1 공정과 마찬가지로, 유전체 페이스트의 필수성분을 필름형상으로 가공한 유전체 시트를 라미네이트법에 의해 부착함으로써도 형성할 수 있다.
제 3 공정-소성공정:
전극 전구체층 및 유전체 전구체층에 함유되는 유리성분의 연화점 이상의 온도에서 수분 내지 수십분 방치한다. 이 조작에 의해, 은전극 전구체층과 유전체 전구체층은 동시 소성되어, 은전극 전구체층은 은전극(105)으로 변화하고, 유전체 전구체층은 유전체 유리층(106)으로 변화한다.
(본 실시예의 효과에 대해서)
우선, 도 7은 종래의 PDP에서 유리기판이나 유전체 유리층에 황색변형이 발생하는 메커니즘을 설명하는 도면이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 유리기판의 황색변형은 I∼Ⅳ의 단계를 거쳐 이루어지는 것으로 생각된다.
I. 은전극을 형성할 때에 있어서, 대기방치 중 또는 소성후의 온도하강 중에 전극 내의 은이 산화 또는 황화되어 이온화된다.
Ⅱ. 은이온이 유리기판 표면이나 유전체 유리층 내에 확산된다.
Ⅲ. 확산된 은이온이 기판유리 표면이나 유전체 유리층 내에 존재하는 금속이온(은이온에 대하여 환원성을 갖는 금속이온으로서, 기판유리 표면에는 주로 Sn이온, 유전체 유리 내에는 Na이온, Pb이온 등이 존재한다)에 의해 환원된다.
Ⅳ. 환원된 은이 은콜로이드 입자로서 석출하여 성장한다.
이 은콜로이드 입자는 400nm의 파장에 흡수영역이 있으므로, 기판이나 유전체 유리층이 황색변형한다.
또, 은에 의해 유리가 황색변형하는 메커니즘에 관하여, 글래스핸드북(아사쿠라쇼텐 : 쇼와 52년 7월 15일 발행)의 p.166에는 유리 중에서 Ag+와 Sn2+가 공존하는 경우에, 열환원반응으로서 2Ag++ Sn2+→ 2Ag + Sn4+가 생기는 것이나, 은콜로이드에 의해 유리에 착색이 생기는 것이 기재되어 있다. 또한, 이외에 관련된 문헌으로서, 셀비(J.E. SHELBY)와 비트코 2세(J. VITKO. Jr)의 "Journal of Non-Crystalline Solids", Vol.50 (1982) p. 107-117을 들 수 있다.
이와 같이, 일반적으로 은전극 전구체층을 대기방치 중 또는 소성후의 온도하강 중에는 은이온이 발생하지만, 본 실시예의 제조방법에 의하면, 은전극 전구체층에서의 각 은입자의 주위에 은이온화 억제물질이 존재하므로, 이 은이온화 억제물질이 은이온의 생성을 억제하는 기능을 하여, 대기방치 중 또는 소성후의 온도하강 중에서의 은이온의 발생(상기 제 1 단계)이 억제된다. 따라서, 은의 응집 콜로이드에 기인하는 황색변형이 방지된다.
따라서, 본 실시예의 제조방법에 의해 제조된 PDP는 은전극을 배치한 종래의 PDP에 비하면, 양호한 색온도 특성을 얻을 수 있다.
또, 은전극 전구체층과 유전체 전구체층은 동시 소성하지 않아도 제 1 공정에서 은전극 전구체층을 형성한 후에, 이것을 소성하고 나서, 제 2 공정인 유전체 전구체 형성공정을 행해도 된다. 단, 은전극 전구체층과 유전체 전구체층을 동시 소성하면, 유전체 전구체층에 의해 피복된 상태로 은전극 전구체층이 소성되므로, 은이온이 유리기판 상에 확산되기 어렵고, 이 점에서 황색변형 억제효과를 한층 더 기대할 수 있다.
(은전극에 은이온화 억제물질을 포함시키는 것에 따른 특유의 효과)
은전극을 갖는 PDP의 황색변형을 억제하는 방법으로서는, 예를 들어 일본 특허공개 2000-169764호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 유전체 유리층에 세륨 등을 첨가함으로써, 은전극으로부터 기판 상에 확산된 은이온이 환원되는 것을 억제하는 방법도 알려져 있다.
이와 같이, 은이온이 기판 상에 확산된 후에 그 환원을 억제하는 방법도, 패널의 황색변형 억제효과를 얻는 것으로 생각되지만, 본 실시예와 같이, 은전극에 은이온화 억제물질을 포함시키는 방법에서는, 은이온의 발생부분에서 은이온의 발생 자체가 억제되므로, 패널의 황색변형 억제에 대하여 보다 큰 효과를 얻는 것으로 생각된다.
또한, 유전체 유리층에 세륨을 첨가하면, 세륨 자체가 유전체 유리층을 황색으로 착색하기 때문에, PDP 구동시에 높은 색온도를 얻기 어렵게 되어 버린다. 이에 대하여, 본 실시예에서는 유전체 유리층에 은이온화 억제물질을 첨가하는 것이 아니므로, 유전체 유리층이 은이온화 억제물질로 착색되는 일이 없다. 따라서, PDP 구동시에 높은 색온도를 얻기 쉽다.
또한, 유전체 유리에 세륨 등의 성분을 새롭게 첨가하는 경우, 다음과 같은 실용상의 어려움도 있다. 즉, 유전체 유리층에서 균열 등이 발생하면, 절연내압이 저하하여 패널성능에 직접적으로 지장을 초래하므로, 일반적으로 유전체 유리층에 이용하는 유리조성은 당해 유전체 유리층의 소성온도에 적합한 연화온도나 열팽창률이 되도록 조정되어, 소성시에 균열 등이 발생하지 않도록 되어 있다. 그런데, 이미 조정된 유전체 유리층용의 유리에 세륨 등을 첨가하면, 연화온도나 열팽창률이 변동하여 버리므로, 이를 수정하기 위해서 새롭게 유리조성을 조정하는 것이 필요해진다.
이에 대하여, 은전극에서는 유전체 유리층의 경우와 같이 패널성능에 직접적으로 지장을 초래하는 일이 없다. 따라서, 본 실시예와 같이 은전극에 은이온화 억제물질을 포함시키는 쪽이 실용적이라고 생각된다.
[제 2 실시예]
본 실시예에 관한 PDP는 상기 제 1 실시예에 관한 PDP와 동일한 구성이다.
단, 상기 제 1 실시예에서는, 전면패널(101)에서 은이온화 억제물질이 은전극(105) 내에 존재하는 데에 대하여, 본 실시예에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 은전극(105)의 표면 상에 은이온화 억제물질로 이루어지는 피복층(108)이 형성되어 있는 점이 다르다.
피복층(108)을 형성하는 은이온화 억제물질로서는 제 1 실시예에서 설명한 바와 같으며, 알칼리금속(Li, Na, K 등), 알칼리토류 금속(Ca, Sr, Ba), 귀금속 이외의 천이금속(수은, 망간을 제외)에 속하는 원소(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu)나, 이들 원소의 산화물, 수산화물, 할로겐화물, 질화물, 탄화물, 초산염, 탄산염, 황산염을 이용할 수 있다.
또한, 바람직한 원소로서, Cr, Al, In, B, Ti, Ni, Pb, Zr, Sn, Zn, Co라는 원소를 들 수 있고, 바람직한 화합물로서는 상기 원소의 산화물, 수산화물, 할로겐화물도 들 수 있다. TiN, ZnN, AlN, CrN, BN이라는 질화물 및 TiC, SiC, ZrC라는 탄화물도 은산화물보다 화학결합력이 강하여, 바람직하다.
단, 본 실시예에서는 전극 표면을 덮는 피복층을 형성하는 재료로서 은이온화 억제물질을 이용하므로, 성막성(成膜性)의 관점으로부터 금속원소 또는 화합물 중에서도 산화물, 질화물, 탄화물이 바람직하다고 할 수 있다.
본 실시예에 관한 PDP에서도, 피복층(108)에 포함되는 은이온화 억제물질의 기능에 의해서, 제 1 실시예와 마찬가지로, 소성시에 은전극(105)에서 은이온이 발생하는 것이 억제된다.
피복층(108)을 형성하는 영역에 관해서는, 전면패널(101)의 가시광 투과율을 확보하기 위해서, 은전극(105)의 표면상에만 형성하는 것이 바람직하다. 단, 은이온화 억제물질로서 투명성이 우수한 비도전성 재료를 이용하는 경우에는, 전면유리기판(102)의 표면 전체에 걸쳐 형성해도 전면패널(101)의 가시광 투과율을 확보할 수 있다.
피복층(108)의 막두께는 은의 이온화를 억제하는 효과를 충분히 얻기 위해서 0.01㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 피복층(108)의 막두께를 크게 하면, 이를 형성하는 데에 시간 및 비용이 드는 점이나, 유전체 유리층의 절연파괴가 발생할 가능성도 있는 점을 고려하면, 피복층(108)의 막두께는 1㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
(전면패널의 제조방법에 대해서)
본 실시예에서의 전면패널(101)의 제조방법은 제 1 실시예에서 설명한 전면패널(101)의 제조방법과 거의 동일하지만, 은전극 및 유전체 유리층을 형성하는 공정에 차이가 있다.
이하, 이 은전극 및 유전체 유리층을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
제 1 공정-은전극 전구체층의 형성:
이 공정은 제 1 실시예의 제 1 공정과 동일하게 행하지만, 은전극용 페이스트를 제작할 때 은이온화 억제물질은 혼합하지 않는다.
제 2 공정-전극 전구체층 소성공정:
은전극 전구체에 포함되는 유리성분의 연화점 이상의 온도로 수분 내지 수십분 방치한 후에 온도하강한다. 이 소성에 의해, 은전극 전구체층은 은전극(105)이 된다.
제 3 공정-전극피복공정:
다음에, 형성된 은전극(105)을 덮도록, 상술한 은이온화 억제물질로 이루어지는 피복층을 형성한다.
이 피복층을 형성하는 방법으로서는 진공증착법, 스퍼터링법, 도금법(전기도금법 및 무전해 도금법), 졸겔법, 이온 플레이팅법, CVD법 등을 이용할 수 있다.
여기서, 은전극(105)의 표면상에만 피복층을 형성하고자 하는 경우에는, 은전극(105)이 존재하는 부분이 개구된 마스크로 덮은 상태로 이 피복공정을 행하면 된다.
진공증착법은 일반적으로 금속원소나 합금의 피복층을 형성하는 데에 적합하고, 예를 들어, Al, Ni, Cr, Pb, Sn, Zr, B나, Ni-Cr 합금으로 이루어지는 피복층을 형성할 수 있다. 또한, 산화물로 이루어지는 피복층으로서, Al2O3, In2O3, SiO2로 이루어지는 피복층을 형성할 수도 있다.
스퍼터링법에 의해서도, 상기 진공증착법과 거의 동일한 종류의 피복층을 형성할 수 있다.
도금법은 금속원소의 피복층을 형성하는 데에 적합하고, 예를 들어, Al, Ni, Cr, Pb, Sn, Zr로 이루어지는 피복층을 형성할 수 있다.
졸겔법은 산화물의 피복층을 형성하는 데에 적합하고, 예를 들어, ZrO2, SiO2, TiO2, AlO2, B2O2, P2O2로 이루어지는 피복층을 형성할 수 있다.
이온 플레이팅법 및 CVD법은 산화물, 질화물, 탄화물의 피복층을 형성하는 데에 적합하다. 이온 플레이팅법에서는 예를 들어, TiO2, ZnO2, AlO2, CrO2로 이루어지는 피복층이나, TiN, ZnN, AlN, CrN으로 이루어지는 피복층을 형성할 수 있고, CVD법에서는 예를 들어, 상기 산화물, 질화물로 이루어지는 피복층 외에 B2O3, BN, P3N5로 이루어지는 피복층도 형성할 수 있다.
또, 증착법이나 스퍼터링법을 이용하여 피복층을 형성하는 경우는, 주로 전극의 상면에 층이 형성되고, 측면에는 형성되기 어렵지만, 전기도금법을 이용하여 피복층을 형성하면, 은전극의 상면뿐만 아니라 측면에도 피복층이 형성된다.
이 경우, 전극 표면이 전체적으로 은이온화 억제물질로 덮여지므로, 은의 이온화를 억제하는 효과가 큰 것으로 생각된다.
제 4 공정-유전체 전구체층 형성공정:
피복층 부착 은전극을 덮도록, 유전체 전구체층을 형성한다. 이 공정은 제 1 실시예의 제 2 공정과 동일하다.
제 5 공정-소성공정
이 공정은 제 1 실시예의 제 3 공정과 동일하고, 유전체 전구체층에 포함되는 유리성분의 연화점 이상의 온도로 소성한다.
이상 설명한 본 실시예의 제조방법에 의하면, 제 5 공정(소성공정)을 행할 때에는 은전극이 피복층으로 덮여 있고, 그 피복층에 포함되는 은이온화 억제물질이 은이온의 생성을 억제하는 기능을 한다. 따라서, 소성공정에서의 은이온의 발생이 억제된다.
또한, 은전극이 피복층으로 덮여 있기 때문에, 생성된 은이온의 확산을 막는 기능을 한다.
따라서, 은의 응집 콜로이드에 기인하는 패널의 황색변형이 방지되므로, 상기 제조방법에 의해 제작된 PDP는 은전극을 구비하는 종래의 PDP에 비하면, 양호한 색온도 특성을 얻을 수 있다.
[실시예]
표 1에 나타내는 시험재료에 대한 자료번호 1∼5의 PDP는 상기 제 1 실시예에 기초하여, 은전극 내에 은이온화 억제물질로서 Cr, Al, In, B, Ti를 함유시킨 것으로서, 이 은전극은 은페이스트 내에 은입자에 대하여 각 은이온화 억제물질을 5wt% 첨가한 것을 이용하여 형성하였다.
또한, 자료번호 6∼10의 PDP는 제 2 실시예에 기초하여, 은전극의 표면 상에 진공증착법으로 은이온화 억제물질(Cr, Al, Al2O3, TiO2, SiO2)로 이루어지는 피복층을 막두께 O.3∼0.5㎛ 범위 내에서 형성한 것이다.
자료번호 11의 PDP는 비교예에 관한 것으로서, 은전극 내에 은이온화 억제물질은 포함되지 않고, 피복층도 형성하지 않은 것이다.
이하의 사양에 대해서는 자료번호 1∼11의 PDP에 공통이다.
유리기판으로서는 플로우트법으로 형성된 아사히글래스사(Asahi Glass Co., Ltd)의 PD200을 이용하였다.
유전체 유리층은 PbO-B2O3-SiO2-CaO계 유리를 주성분으로 하는 유전체용 유리페이스트를 이용하여, 인쇄법으로 약 30㎛의 두께로 형성하였다. MgO 보호층은 스퍼터링법으로 형성하였다.
PDP의 셀 크기는 42인치의 VGA용 디스플레이에 맞추어, 격벽(115)의 높이는 0.15mm, 격벽(115)의 간격(셀 피치)은 0.36mm로 설정하고, 표시전극(103)의 전극간 거리 d는 0.10mm로 설정하였다.
(패널의 황색변형도 및 색온도의 측정)
이상의 자료번호 1∼11의 PDP를 제작할 때에, 각 전면패널에 대해서 색차계〔니폰덴쇼쿠코교(주)(日本電色工業(株)) 제품번호 NF777〕를 이용하여 a*값, b*값의 값〔JIS Z8730 색차 표시방법〕을 측정하였다.
이 a*값 및 b*값은 패널의 착색정도나 착색경향을 나타내는 지표가 된다.
즉, a*값이 +방향으로 커질수록 적색이 강해지고, -방향으로 커질수록 녹색이 강해진다. 한편, b*값은 +방향으로 커질수록 황색이 강해지고, -방향으로 커질수록 청색이 강해진다. 그리고, a*값이 -5∼+5 범위, b*값이 -5∼+5 범위이면 육안으로도 유리기판의 착색(황색변형)은 거의 보이지 않지만, b*값이 10을 초과하면 육안으로도 황색변형이 눈에 띄게 된다.
또한, 자료번호 1∼11의 PDP에 대해서, 멀티채널 분광계〔오츠카덴시(주)(大塚電子(株)) MCPD-7000〕로 패널을 전화면 백색표시하였을 때의 색온도를 측정하였다.
이들의 측정결과는 표 1에 나타내는 바와 같다.
(고찰)
측정결과를 보면, 비교예에 관한 자료번호 11의 PDP에서는, b*값이 10을 상회하고 있어 황색변형이 눈에 띄는 데에 대하여, 실시예에 관한 자료번호 1∼10의 PDP에서는 b*값이 모두 0.4∼2.0 범위 내에 들어가 있어, 황색변형이 거의 없는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예의 PDP에서는 색온도가 6400K로 낮은 반면, 실시예의 PDP에서는 색온도가 8900K 이상으로 높은 것도 알 수 있다.
이들의 결과는, 실시예의 PDP는 비교예의 PDP에 비하여, 색 재현성이 좋고, 선명하게 표시할 수 있는 것을 나타낸다.
또, 유전체 유리층의 재료로서, 상기 PbO계 이외에 Bi2O3계나 ZnO계의 유전체용 유리를 이용한 경우에서도, 동일한 결과를 얻을 수 있었다.
또한, 상기 측정결과는 Cr, Al, In, Si, Ti, B라는 원소나 그 산화물이 은이온화 억제물질로서 우수한 것도 뒷받침하고 있다.
(변형예 등)
상기 실시예에서는, 전면패널 측의 황색변형이 PDP의 화질에 대하여 큰 영향을 미치는 것을 고려하여, 본 발명을 표시전극에 대하여 적용하는 예를 나타내었지만, 배면패널 측의 어드레스전극에 대하여 적용하면 배면패널의 황색변형을 억제할 수도 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 은전극 상을 유전체 유리층으로 덮은 AC 면방전형의 PDP를 예로 들어 설명하였지만, 방전공간에 노출되는 은전극이 유리기판 상에 형성된 DC형의 PDP에서도 본 발명을 적용함으로써, 마찬가지로 유리기판의 황색변형 억제효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 관한 PDP 및 PDP 표시장치는 컴퓨터나 텔레비전 등의 디스플레이 장치, 특히 대형의 디스플레이 장치에 유효하다.

Claims (29)

  1. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극에는 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전극은 서로 결합되어 있는 복수의 은입자를 갖고,
    상기 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물은 당해 은입자 사이에서의 일부 또는 전부의 당해 은입자의 표면 부근에 존재하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전극에서의 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물의 은에 대한 함유량은 1wt% 이상, 20wt% 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극에는 표준전극전위가 0.8V보다도 낮은 원소 또는 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극에는 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 전극에서의 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물은 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극에는 Cr, Al, In, Si, Ti, B에서 선택되는 1종류 이상의 원소 또는당해 원소의 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극은 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물로 이루어지는 층으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극은 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물로 이루어지는 층으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 층에 포함되는 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물은 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 한쌍의 기판이 간극을 두고 대향하여 배치되는 것과 함께, 당해 한쌍의 기판의 적어도 한쪽 위에 은을 함유하는 전극이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 전극은 Cr, Al, In, Si, Ti, B에서 선택되는 1종류 이상의 원소 또는 당해 원소의 화합물로 이루어지는 층으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널과,
    당해 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 표시장치.
  13. 은을 함유하는 전극재료를 기판 상에 배치하는 전극재료 배치단계와,
    상기 기판 상에 배치된 전극재료를 가열하는 가열단계를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계에서 이용하는 전극재료에는 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계에서 이용하는 전극재료에는 은입자가 포함되는 것을특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계에서 이용하는 전극재료에서의 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물의 은에 대한 함유량은 1wt% 이상, 20wt% 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 가열단계에서는 상기 전극재료를 소결할 수 있는 온도까지 당해 전극재료를 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  17. 은을 함유하는 전극재료를 기판 상에 배치하는 전극재료 배치단계와,
    상기 기판 상에 배치된 전극재료를 가열하는 가열단계를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계에서 이용하는 전극재료에는 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 전극재료에 포함되는, 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물은 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  19. 은을 함유하는 전극재료를 기판 상에 배치하는 전극재료 배치단계와,
    기판 상에 배치된 전극재료를 가열하는 가열단계를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계 후에, 기판 상에 배치된 전극재료를 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물로 이루어지는 층으로 덮는 피복단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  20. 은을 함유하는 전극재료를 기판 상에 배치하는 전극재료 배치단계와,
    기판 상에 배치된 전극재료를 가열하는 가열단계를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계 후에, 기판 상에 배치된 전극재료를 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물로 이루어지는 층으로 덮는 피복단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 피복단계에서 이용하는, 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물은 은보다도 화학결합력이 강한 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  22. 은을 함유하는 전극재료를 기판 상에 배치하는 전극재료 배치단계와,
    기판 상에 배치된 전극재료를 가열하는 가열단계를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계에서 이용하는 전극재료에는 Cr, Al, In, Si, Ti, B에서 선택되는 적어도 1종류의 원소 또는 당해 원소의 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  23. 은을 함유하는 전극재료를 기판 상에 배치하는 전극재료 배치단계와,
    기판 상에 배치된 전극재료를 가열하는 가열단계를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 전극재료 배치단계 후에, 기판 상에 배치된 전극재료를 Cr, Al, In, Si, Ti, B에서 선택되는 적어도 1종류의 원소 또는 당해 원소의 화합물로 이루어지는 층으로 덮는 피복단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  24. 플라즈마 디스플레이 패널의 전극형성에 이용되는 전극용 페이스트에 있어서,
    은을 함유하는 것과 함께, 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전극용 페이스트.
  25. 플라즈마 디스플레이 패널의 전극형성에 이용되는 전극용 페이스트에 있어서,
    은을 함유하는 것과 함께, 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전극용 페이스트.
  26. 플라즈마 디스플레이 패널의 전극형성에 이용되는 전극용 페이스트에 있어서,
    은을 함유하는 것과 함께, Cr, Al, In, Si, Ti, B에서 선택되는 적어도 1종류의 원소 또는 당해 원소의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전극용 페이스트.
  27. 플라즈마 디스플레이 패널의 전극형성에 이용되고, 지지필름 상에 전극막 형성재료층이 형성되어 있는 전사필름에 있어서,
    상기 전극막 형성재료층은 은을 함유하는 것과 함께, 표준전극전위가 은보다도 낮은 원소 또는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전사필름.
  28. 플라즈마 디스플레이 패널의 전극형성에 이용되고, 지지필름 상에 전극막 형성재료층이 형성되어 있는 전사필름에 있어서,
    상기 전극막 형성재료층은 은을 함유하는 것과 함께, 은보다도 이온화경향이 큰 원소 또는 당해 원소의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전사필름.
  29. 플라즈마 디스플레이 패널의 전극형성에 이용되고, 지지필름 상에 전극막 형성재료층이 형성되어 있는 전사필름에 있어서,
    상기 전극막 형성재료층은 은을 함유하는 것과 함께, Cr, Al, In, Si, Ti, B에서 선택되는 적어도 1종류의 원소 또는 당해 원소의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전사필름.
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