KR20030065839A - 레이저다이오드의 회절격자 제조방법 - Google Patents

레이저다이오드의 회절격자 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광통신 시스템에 광원으로 사용되는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판의 예정된 일정 부분에만 선택적으로 회절격자를 형성하는 방법에 있어서, 회절격자를 형성하고자 하는 반도체층의 상부 전면에 예정된 격자주기 만큼의 간격으로 배열된 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1감광막 패턴을 식각마스크로 이용하여 하부의 상기 반도체층을 식각하여 회절격자층 형성하는 단계; 예정된 회절격자 영역 이외의 상기 회절격자층 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 제거되어야 할 회절격자층 상부에 형성된 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 마스크 패턴의 제거로 노출된 하부의 상기 회절격자층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

레이저다이오드의 회절격자 제조방법{METHOD FOR FABRICATING GRATING OF LASER DIODE}
본 발명은 광통신 시스템에 광원으로 사용되는 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 분포궤환형 레이저다이오드(Distributed Feed-Back Laser Diode : 이하 DFB-레이저다이오드라 칭함) 또는 EML(Electroabsorption Modulated Laser)제조시 필수공정인 회절격자 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 레이저는 강한 방향성의 단색적 빛을 제공하는 광학소자로서, 광통신용이나 광정보 처리 등에 반도체 레이저가 널이 사용되고 있다. 반도체 레이저는 루비레이저나 가스레이저에 비해 크기가 작고, 낮은 전력으로 동작되며, 손쉽게 레이저의 출력 변조가 가능하고, He-Ne 레이저와 경합을 이룰 정도로 고출력이라는 점에서 선호되고 있다.
한편, 포톤 커플링(photon coupling)으로부터 우수한 광학모드를 제공하는 회절격자의 제조는 DFB-레이저다이오드의 특성에 많은 영향을 끼치며, 우수한 단일모드(낮은 차수)의 스펙트럼을 얻기 위해서는 미세하고 정확한 회절격자의 격자주기(A)를 얻는 것이 중요하다.
종래의 DFB-레이저다이오드의 회절격자 제조기술을 도 1a 및 도 1b를 통해 살펴보면 다음과 같다.
먼저, InP 기판에 InGaAs 흡수층, InP 캡층을 성장시킨 다음, SiN(또는 SiO2) 박막을 증착하고 일반적인 사진식각공정과 습식식각 공정을 거쳐 도 1a에 도시된 바와 같이 회절격자가 형성되지 않을 부분에만 SiN 박막 패턴(5)이 남게 한다.
이어서, 전체구조 상부에 회절격자 제조용 감광막(Photo Resist)을 도포한 다음 노광 및 현상 공정을 거쳐 회절격자의 예정된 격자주기 만큼의 간격을 가지고 배열된 감광막 마스크 패턴을 형성한다.(도시하지 않음)
계속해서, 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부의 InP 캡층, InGaAs 흡수층을 식각한 다음, 감광막 패턴, 일정부분의 SiN 박막을 제거한다. 이런 과정을 거치면 SiN 박막이 존재한 부분은 식각이 이루어지지 않고 그 이외의 부분만 식각되어 선택적으로 회절격자를 제조할 수 있다.
그러나, 상기 종래방법은 회절격자가 형성되지 않을 영역에 형성된 SiN 박막 패턴 위에 회절격자 제조용 감광막을 도포할 경우, 도 1b의 "가" 부분에서 감광막의 접착력 약화로 감광막(4)이 떨어지는 감광막 필링(P/R Peeling) 현상이 발생한다. 또한, 이후의 회절격자 형성을 위한 습식식각시 확산현상으로 인해 SiN 막의 경계부분(도 1b "나")이 식각률이 높아 식각 균일도가 떨어지는 등의 문제점이 따른다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 선택적인 회절격자 형성 시 감광막의 필링현상을 방지할 수 있는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 식각균일도가 우수한 선택적인 회절격자를 형성할 수 있는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법은 반도체 기판의 예정된 일정 부분에만 선택적으로 회절격자를 형성하는 방법에 있어서, 회절격자를 형성하고자 하는 반도체층의 상부 전면에 예정된 격자주기 만큼의 간격으로 배열된 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1감광막 패턴을 식각마스크로 이용하여 하부의 상기 반도체층을 식각하여 회절격자층 형성하는 단계; 예정된 회절격자 영역 이외의 상기 회절격자층 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 제거되어야 할 회절격자층 상부에 형성된 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 마스크 패턴의 제거로 노출된 하부의 상기 회절격자층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 반도체층은 InP기판에 InGaAs흡수층, InP 캡층이 차례로 적층된 것임을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 마스크 패턴은 SiO2막 또는 SiN막 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는, 상기 제거되어야 할 회절격자층을 제거하는 단계는 상기 마스크 패턴이 제거되어 노출된 상기 InP 캡층 이외의 상기 InP 캡층 상부에 제 2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 InP 캡층 하부의 상기 InGaAs 흡수층만을 선택적으로 식각하여 제거함으로써 상부의 상기 InP 캡층도 떨어져 제거되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는 120℃ 이상의 온도에서 2분 이상 하드베이크 하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는 상기 InGaAs 흡수층만을 선택적으로 식각하는 단계는 H3PO4: H2O2: H2O 가 1 : 1 :40으로 혼합된 용액에서 습식식각함으로써 이루어지는것을 특징으로 한다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 분포궤환형(DFB)-레이저다이오드의 회절격자 제조기술을 나타내는 평면도,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 회절격자 제조과정을 나타내는 평면도,
도 3은 회절격자 형성을 위한 식각시 단차 발생 상태를 나타내는 도면,
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 리프트-오프 식각 과정을 나타내는 단면도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도 2a 내지 도 2c, 도 3, 및 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 InGaAs 흡수층(2), InP 캡층(3)이 성장된 InP 기판(1) 전면에 예정된 격자주기 만큼의 간격으로 배열된 감광막 패턴을 형성한 다음, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부의 상기 InP 캡층/InGaAs 흡수층을 차례로 식각하여 기판 전면에 회절격자를 먼저 형성한다. 이 경우에는 기판 전면에 걸쳐 균일한 회절격자를 제작할 수 있다.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 구조 전체 상부에 SiO2(또는 SiN)(5)박막을 증착한 다음, 일반적인 사진식각(리소그라피) 공정과 식각(에칭)공정을 거쳐 예정된 회절격자 영역 이외의 상기 InP 캡층 상부에 마스크 역할을 할 SiO2막 패턴(5, 55)을 형성한다.
계속해서, 상기 사진식각시 사용된 감광막을 제거한 후, 다시 사진식각 공정을 거쳐 감광막 패턴을 형성한 다음, 이를 식각마스크로 이용하여 InP/InGaAs층을제거할 부분의 상기 SiO2막 패턴(55)을 제거한다. 이때, 사진식각 공정시 현상공정이 끝난 후 다음 공정인 식각 공정에 마스크로 사용되는 포토레지스트의 손상을 방지하기 위해 120℃ 이상의 고온에서 2분 이상 열처리한다(도시하지 않음).
끝으로, 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 감광막 패턴이 마스크로 있는 상태에서, 상기 SiO2막 패턴(55)이 제거되어 노출된 InP/InGaAs층을 제거하여 회절격자 제조공정을 완료한다. 이때, InP/InGaAs층을 제거하는 공정은, 하층에 존재하는 InGaAs층을 식각하기 위해서는 상층의 InP층을 먼저 제거해야 하는데, 상층의 InP층을 선택적인 방법으로 제거할 경우 InGaAs층 아래에 있는 InP 기판이 동시에 식각이 되는 문제가 있고, InP/InGaAs층을 비선택적으로 동시에 식각할 경우 수십 Å의 식각률을 조절하기 어려워 식각 깊이가 깊어져서 도 3의 "다"에 도시된 바와 같이 단차가 생길 우려가 있어 본 발명에서는 도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같은 리프트-오프(Lift-off) 방식을 사용하여 이를 해소하였다.
먼저, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 SiO2막 패턴이 제거되어 노출된 상기 InP 캡층(33) 이외(예정된 회절격자 영역 즉, InP/InGaAs층이 제거되지 않아야 할 영역)의 상기 InP 캡층(3) 상부에 감광막 마스크 패턴(44)을 형성한 다음, 이를 식각마스크로 이용하여 H3PO4: H2O2: H2O 가 1 : 1 :40으로 혼합된 용액에서 습식식각한다. 즉, 감광막 패턴(44)이 마스크로 있는 상태에서 InGaAs층 밑의 InP 기판의 식각 없이 또는 영향이 거의 없을 만큼 얇게 식각되도록 InGaAs를 선택적으로 식각하는 H3PO4:H2O2:H2O(1:1:40) 용액으로 장시간 식각하여 측면식각을 통해 InGaAs층만을 식각하여 InP층도 동시에 떨어지게 하는 방법을 사용하였다(도 4c). 참고로, 도 4a 는 리프트-오프 식각 초기, 도 4b는 식각 말기, 도 4c는 식각완료 상태를 각각 나타내는 단면도이다.
끝으로, 도 4d에 도시된 바와 같이 마스크로 사용했던 감광막 패턴(44)을 제거하면 선택적 회절격자 제작이 완료된다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 감광막의 필링 현상으로 인한 패턴 불균일을 방지하고 균일도를 높일 수 있다.
또한, 패턴 가장자리에서의 식각 불균일을 해소하고 안정된 공정을 확보함으로써 소자제작의 안정성을 얻을 수 있다.

Claims (7)

  1. 반도체 기판의 예정된 일정 부분에만 선택적으로 회절격자를 형성하는 방법에 있어서,
    회절격자를 형성하고자 하는 반도체층의 상부 전면에 예정된 격자주기 만큼의 간격으로 배열된 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 1감광막 패턴을 식각마스크로 이용하여 하부의 상기 반도체층을 식각하여 회절격자층 형성하는 단계;
    예정된 회절격자 영역 이외의 상기 회절격자층 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    제거되어야 할 회절격자층 상부에 형성된 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및
    상기 마스크 패턴의 제거로 노출된 하부의 상기 회절격자층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 InP기판인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 InP기판에 InGaAs흡수층, InP 캡층이 차례로 적층된 것임을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
  4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 SiO2막 또는 SiN막 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 마스크 패턴의 제거로 노출된 하부의 상기 회절격자층을 제거하는 단계는
    상기 마스크 패턴의 제거로 노출된 상기 InP 캡층 이외의 상기 InP 캡층 상부에 제 2감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 InP 캡층 하부의 상기 InGaAs 흡수층만을 선택적으로 식각하여 제거함으로써 상부의 상기 InP 캡층도 떨어져 제거되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 InGaAs 흡수층만을 선택적으로 식각하는 단계는
    H3PO4: H2O2: H2O 가 1 : 1 :40으로 혼합된 용액에서 습식식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서, 노출된 InP 캡층 이외의 상기 InP 캡층 상부에 제 2감광막 패턴 형성 후
    120℃ 이상의 온도에서 2분 이상 하드베이크 하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법.
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