JP3298619B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光法
を用いた部分的に回折格子を有する半導体レーザの回折
格子基板の製造方法、及びこの回折格子基板を用いた部
分的に回折格子を有する半導体レーザの製造方法に関す
る。
を用いた部分的に回折格子を有する半導体レーザの回折
格子基板の製造方法、及びこの回折格子基板を用いた部
分的に回折格子を有する半導体レーザの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】回折格子を有する半導体レーザの製造方
法においては、回折格子基板上の回折格子形状を精密に
制御することが性能、歩留まりを確保する上で最も重要
な要素の一つとなっている。この目的のために、電子ビ
ーム露光（以下ＥＢ露光）により、精密に制御された周
期をもった精細な回折格子レジストパターンを半導体基
板上に形成し、エッチングにより、このレジストパター
ンを半導体基板上に転写する方法が知られている。この
場合、ＥＢ露光によりウエハー全面にわたり回折格子パ
ターンを形成することは膨大な露光時間を要することか
ら、通常は部分的に回折格子を形成し、回折格子形成部
のみ露光して、開口パターンを形成する方法か知られて
いる。
法においては、回折格子基板上の回折格子形状を精密に
制御することが性能、歩留まりを確保する上で最も重要
な要素の一つとなっている。この目的のために、電子ビ
ーム露光（以下ＥＢ露光）により、精密に制御された周
期をもった精細な回折格子レジストパターンを半導体基
板上に形成し、エッチングにより、このレジストパター
ンを半導体基板上に転写する方法が知られている。この
場合、ＥＢ露光によりウエハー全面にわたり回折格子パ
ターンを形成することは膨大な露光時間を要することか
ら、通常は部分的に回折格子を形成し、回折格子形成部
のみ露光して、開口パターンを形成する方法か知られて
いる。
【０００３】図１３は、上記の従来法により回折格子を
形成した回折格子基板の模式図であるが、半導体基板３
０２上に塗布されたレジスト３０５の一部に回折格子を
形成するための回折格子レジストパターン３０１が形成
され、ウェットエッチングにより、回折格子３０６が形
成されていることを示す図である。この図に示すよう
に、レジストパターンが同一面積の開口部の繰り返し構
造である場合、パターン効果により、回折格子形成領域
終端部３０３の近傍でエッチング速度が速くなり、回折
格子のえぐれ３０４を生じ、均一な形状の回折格子でき
ないという問題を生じている。
形成した回折格子基板の模式図であるが、半導体基板３
０２上に塗布されたレジスト３０５の一部に回折格子を
形成するための回折格子レジストパターン３０１が形成
され、ウェットエッチングにより、回折格子３０６が形
成されていることを示す図である。この図に示すよう
に、レジストパターンが同一面積の開口部の繰り返し構
造である場合、パターン効果により、回折格子形成領域
終端部３０３の近傍でエッチング速度が速くなり、回折
格子のえぐれ３０４を生じ、均一な形状の回折格子でき
ないという問題を生じている。
【０００４】このような不均一な部分回折格子を持つ半
導体レーザでは、回折格子形成領域終端部の境界で、回
折格子のえぐれ形状に起因した光の反射や散乱により、
レーザ導波損失や電界分布不均一を引き起こすという問
題をもたらしている。
導体レーザでは、回折格子形成領域終端部の境界で、回
折格子のえぐれ形状に起因した光の反射や散乱により、
レーザ導波損失や電界分布不均一を引き起こすという問
題をもたらしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、回折格子の
えぐれを抑えた均一な回折格子基板の製造方法及びこの
基板を用いた部分的に回折格子を有する半導体レーザの
製造方法を提供することを目的とする。
えぐれを抑えた均一な回折格子基板の製造方法及びこの
基板を用いた部分的に回折格子を有する半導体レーザの
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に回折格子を形成するためのレジストパターンを形成す
るレジストパターニング工程と、このレジストパターン
を用いてエッチングにより半導体基板に回折格子を形成
するエッチング工程とを有する、部分的に回折格子を有
する半導体レーザの回折格子基板の製造方法において、
得られる回折格子の深さが均一になるように、前記レジ
ストパターンの開口面積を回折格子形成領域終端部に向
かって徐々に増大させることを特徴とする回折格子基板
の製造方法に関する。
に回折格子を形成するためのレジストパターンを形成す
るレジストパターニング工程と、このレジストパターン
を用いてエッチングにより半導体基板に回折格子を形成
するエッチング工程とを有する、部分的に回折格子を有
する半導体レーザの回折格子基板の製造方法において、
得られる回折格子の深さが均一になるように、前記レジ
ストパターンの開口面積を回折格子形成領域終端部に向
かって徐々に増大させることを特徴とする回折格子基板
の製造方法に関する。
【０００７】さらに本発明は、上記製造方法を用いて製
造した部分的に回折格子を有する半導体レーザの回折格
子基板を用いて、さらに前記回折格子基板の上にガイド
層、活性層、クラッド層を成長させる工程を有する半導
体レーザの製造方法に関する。より具体的には、本発明
の半導体レーザの製造方法は、後述する実施例に記載す
る、レーザ部分に加えて、そのレーザ光の導波方向と一
致させて、変調器部をも設ける構成の半導体レーザの作
製に適用可能な製造方法であり、すなわち、かかる態様
における本発明の半導体レーザの製造方法は、レーザ部
と変調器部とを有する半導体レーザの製造方法であっ
て、半導体レーザの前記レーザ部となる半導体基板上に
は回折格子が形成されており、前記レーザ部の半導体基
板にエッチングにより回折格子を形成するため、半導体
基板を覆うレジストマスクを利用して、回折格子の溝部
に選択的なエッチングを施すための開口部を設けたレジ
ストパターンを、前記開口部をレーザ部の半導体基板部
分のみに設け、かつ、得られる回折格子の溝部の深さが
均一になるように、前記開口部の開口面積をレーザ部の
回折格子形成領域終端部に向かって徐々に増大させて形
成するレジストパターニング工程と、このレジストパタ
ーンをエッチングマスクに用いて、エッチングにより半
導体基板上に部分的に回折格子を形成するエッチング工
程と、変調器部ならびに前記回折格子の形成されたレー
ザ部を設ける半導体基板上に、ガイド層、活性層、クラ
ッド層を成長により形成する工程とを有することを特徴
とする半導体レーザの製造方法である。その際、前記レ
ジストパターニング工程は、電子ビームを用いてレジス
ト上にパターン形成するレジストパターニング工程であ
ることを特徴とする半導体レーザの製造方法とできる。
例えば、前記レジストパターニング工程において、前記
レジストパターンは、開口長は一定で、開口幅を徐々に
広げることによって、その開口部の開口面積を広げたレ
ジストパターンとすることもでき、また、前記レジスト
パターニング工程において、前記レジストパターンは、
開口幅は一定で、開口長を徐々に広げることによって、
その開口部の開口面積を広げたレジストパターンとする
こともできる。一方、かかるエッチング工程において、
エッチングは、ウエットエッチングを利用することがで
きる。
造した部分的に回折格子を有する半導体レーザの回折格
子基板を用いて、さらに前記回折格子基板の上にガイド
層、活性層、クラッド層を成長させる工程を有する半導
体レーザの製造方法に関する。より具体的には、本発明
の半導体レーザの製造方法は、後述する実施例に記載す
る、レーザ部分に加えて、そのレーザ光の導波方向と一
致させて、変調器部をも設ける構成の半導体レーザの作
製に適用可能な製造方法であり、すなわち、かかる態様
における本発明の半導体レーザの製造方法は、レーザ部
と変調器部とを有する半導体レーザの製造方法であっ
て、半導体レーザの前記レーザ部となる半導体基板上に
は回折格子が形成されており、前記レーザ部の半導体基
板にエッチングにより回折格子を形成するため、半導体
基板を覆うレジストマスクを利用して、回折格子の溝部
に選択的なエッチングを施すための開口部を設けたレジ
ストパターンを、前記開口部をレーザ部の半導体基板部
分のみに設け、かつ、得られる回折格子の溝部の深さが
均一になるように、前記開口部の開口面積をレーザ部の
回折格子形成領域終端部に向かって徐々に増大させて形
成するレジストパターニング工程と、このレジストパタ
ーンをエッチングマスクに用いて、エッチングにより半
導体基板上に部分的に回折格子を形成するエッチング工
程と、変調器部ならびに前記回折格子の形成されたレー
ザ部を設ける半導体基板上に、ガイド層、活性層、クラ
ッド層を成長により形成する工程とを有することを特徴
とする半導体レーザの製造方法である。その際、前記レ
ジストパターニング工程は、電子ビームを用いてレジス
ト上にパターン形成するレジストパターニング工程であ
ることを特徴とする半導体レーザの製造方法とできる。
例えば、前記レジストパターニング工程において、前記
レジストパターンは、開口長は一定で、開口幅を徐々に
広げることによって、その開口部の開口面積を広げたレ
ジストパターンとすることもでき、また、前記レジスト
パターニング工程において、前記レジストパターンは、
開口幅は一定で、開口長を徐々に広げることによって、
その開口部の開口面積を広げたレジストパターンとする
こともできる。一方、かかるエッチング工程において、
エッチングは、ウエットエッチングを利用することがで
きる。
【０００８】本発明者は、半導体基板上に部分的に回折
格子を作製する際、そのエッチングマスクとして利用す
るレジストパターンと、その開口部を選択的にエッチン
グして形成された回折格子のえぐれの関係を鋭意調べ
た。その結果、特にウエットエッチングの場合、回折格
子形成領域終端部において、エッチング液が滞留しやす
いことにより、溝部のエッチング深さが過度になり、回
折格子のえぐれ現象が発生することを見い出した。すな
わち、レジストパターンが一定の周期で形成されている
部分については、エッチング液の消費速度が一定である
が、回折格子形成領域終端部においては、エッチング部
位の急激な減少により、エッチング液の消費速度もそれ
に伴い低下するため（パターン効果）、その結果滞留す
るのである。したがって、回折格子形成領域終端部に近
づくにしたがってレジストパターンの開口面積を徐々に
広げることにより、回折格子形成領域終端部と内部方向
の回折格子形成領域とでエッチング液の消費速度を合わ
せ、滞留を避けることにより、均一な回折格子形状を得
ることが可能となり本発明に到った。
格子を作製する際、そのエッチングマスクとして利用す
るレジストパターンと、その開口部を選択的にエッチン
グして形成された回折格子のえぐれの関係を鋭意調べ
た。その結果、特にウエットエッチングの場合、回折格
子形成領域終端部において、エッチング液が滞留しやす
いことにより、溝部のエッチング深さが過度になり、回
折格子のえぐれ現象が発生することを見い出した。すな
わち、レジストパターンが一定の周期で形成されている
部分については、エッチング液の消費速度が一定である
が、回折格子形成領域終端部においては、エッチング部
位の急激な減少により、エッチング液の消費速度もそれ
に伴い低下するため（パターン効果）、その結果滞留す
るのである。したがって、回折格子形成領域終端部に近
づくにしたがってレジストパターンの開口面積を徐々に
広げることにより、回折格子形成領域終端部と内部方向
の回折格子形成領域とでエッチング液の消費速度を合わ
せ、滞留を避けることにより、均一な回折格子形状を得
ることが可能となり本発明に到った。
【０００９】
【実施例】（実施例１）本発明の一実施例として、電界
吸収型変調器を集積したＤＦＢレーザの製造工程を、図
１〜１２に示す。
吸収型変調器を集積したＤＦＢレーザの製造工程を、図
１〜１２に示す。
【００１０】まず、図１に示すようにｎ型（１００）面
方位のＩｎＰ基板１０１上にレジスト１０２を塗布し、
＜０１１＞方向にＥＢ露光により、レーザ部１０３のみ
に開口長１００ｎｍ（一定値）、周期２４１．７ｎｍ
（一定値）の回折格子レジストパターン１０４を部分的
に形成した。ウエハー上ではパターンが繰り返し形成さ
れるため４００μｍ長の平坦部と１０００μｍ長の回折
格子部が繰り返し形成されたことになる。このとき、レ
ジストパターン開口幅は回折格子形成領域終端部１０５
から内部方向１０６に向かって５μｍにわたり１０μｍ
から５μｍへと変化させた。
方位のＩｎＰ基板１０１上にレジスト１０２を塗布し、
＜０１１＞方向にＥＢ露光により、レーザ部１０３のみ
に開口長１００ｎｍ（一定値）、周期２４１．７ｎｍ
（一定値）の回折格子レジストパターン１０４を部分的
に形成した。ウエハー上ではパターンが繰り返し形成さ
れるため４００μｍ長の平坦部と１０００μｍ長の回折
格子部が繰り返し形成されたことになる。このとき、レ
ジストパターン開口幅は回折格子形成領域終端部１０５
から内部方向１０６に向かって５μｍにわたり１０μｍ
から５μｍへと変化させた。
【００１１】本実施例では、開口幅を内部から回折格子
形成領域終端部１０５に向かって線形的に広げた。した
がって開口面積も線形的に増大したことになる。変化さ
せた領域は、終端部１０５から内部方向１０６に向かっ
て５μｍの範囲であった。内部方向１０６に向かってこ
の５μｍｍの範囲から先の範囲では、開口幅は一定値５
μｍとした。５μｍから先の部分で一定値とした理由
は、この領域では、もはやパターン効果によるエッチン
グ速度の上昇を無視できる領域であるからである。この
パターン効果の影響の及ぶ範囲については、本実施例で
は、回折格子形成領域終端部１０５から内部方向１０６
に向かって５μｍの範囲としたが、回折格子の設計によ
るため、５μｍの範囲に限定されるものではなく、適宜
選択できる。開口幅の変化のさせ方は、本実施例では、
線形的に変化させたが、内部から回折格子形成領域終端
部１０５に向かって２次関数、３次関数等のｎ次関数
や、指数的に増加させることも可能であり、この関数に
ついては、回折格子の深さが均一になるように適宜選択
することができる。
形成領域終端部１０５に向かって線形的に広げた。した
がって開口面積も線形的に増大したことになる。変化さ
せた領域は、終端部１０５から内部方向１０６に向かっ
て５μｍの範囲であった。内部方向１０６に向かってこ
の５μｍｍの範囲から先の範囲では、開口幅は一定値５
μｍとした。５μｍから先の部分で一定値とした理由
は、この領域では、もはやパターン効果によるエッチン
グ速度の上昇を無視できる領域であるからである。この
パターン効果の影響の及ぶ範囲については、本実施例で
は、回折格子形成領域終端部１０５から内部方向１０６
に向かって５μｍの範囲としたが、回折格子の設計によ
るため、５μｍの範囲に限定されるものではなく、適宜
選択できる。開口幅の変化のさせ方は、本実施例では、
線形的に変化させたが、内部から回折格子形成領域終端
部１０５に向かって２次関数、３次関数等のｎ次関数
や、指数的に増加させることも可能であり、この関数に
ついては、回折格子の深さが均一になるように適宜選択
することができる。
【００１２】次に、エッチング方法としてウエットエッ
チングにより回折格子を形成した。レジストのエッチン
グができればウエットエッチングに限定されない。本実
施例では、臭化水素と過酸化水素と水とからなるエッチ
ング液を用いてＩｎＰ基板上に回折格子レジストパター
ン１０４を転写し回折格子１０７を形成した。図２は図
１のＡ−Ａ’線に沿ったウェットエッチング後の断面図
を示す。次にレジストを除去し、部分的に回折格子を有
する半導体レーザの回折格子基板を完成させた。さら
に、この基板上に図３に示すように、熱ＣＶＤ法により
ＳｉＯ2を１５０ｎｍ堆積させ、＜０１１＞方向に間隔
が１．５μｍ、幅はレーザ部１０３で１８μｍ、長さ５
００μｍ、変調器部１０８では幅５μｍ、長さ２００μ
ｍとなる１対のストライプパターンに通常のフォトリソ
グラフィとウェットエッチングにより加工し成長阻止マ
スク１０９を形成した。
チングにより回折格子を形成した。レジストのエッチン
グができればウエットエッチングに限定されない。本実
施例では、臭化水素と過酸化水素と水とからなるエッチ
ング液を用いてＩｎＰ基板上に回折格子レジストパター
ン１０４を転写し回折格子１０７を形成した。図２は図
１のＡ−Ａ’線に沿ったウェットエッチング後の断面図
を示す。次にレジストを除去し、部分的に回折格子を有
する半導体レーザの回折格子基板を完成させた。さら
に、この基板上に図３に示すように、熱ＣＶＤ法により
ＳｉＯ2を１５０ｎｍ堆積させ、＜０１１＞方向に間隔
が１．５μｍ、幅はレーザ部１０３で１８μｍ、長さ５
００μｍ、変調器部１０８では幅５μｍ、長さ２００μ
ｍとなる１対のストライプパターンに通常のフォトリソ
グラフィとウェットエッチングにより加工し成長阻止マ
スク１０９を形成した。
【００１３】次に、図４に示すように、選択ＭＯＶＰＥ
（Metal Organic Vapor PhaseEpitaxy：有機金属気
相成長）により成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６２５
℃で、層厚０．１μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3
でバンドギャップ波長が１．１３μｍのＩｎＧａＡｓＰ
層ガイド層、レーザ部でバンドギャップ波長組成が１．
５６μｍとなるような層厚６ｎｍの０．５％歪ＩｎＧａ
ＡｓＰウェルと層厚８ｎｍのバンドギャップ波長が１．
１３μｍのバリア層をもつ８周期のＭＱＷ（Multi Qua
ntum Well:多重量子井戸）活性層、層厚６０ｎｍ、キ
ャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3でバンドギャップ波長が
１．１３μｍのＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、層厚０．
１μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰク
ラッド層を順次積層し導波路メサ１１０を形成した。こ
のとき、変調器部のＭＱＷ層のバンドギャップ波長は
１．４７μｍであった。
（Metal Organic Vapor PhaseEpitaxy：有機金属気
相成長）により成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６２５
℃で、層厚０．１μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3
でバンドギャップ波長が１．１３μｍのＩｎＧａＡｓＰ
層ガイド層、レーザ部でバンドギャップ波長組成が１．
５６μｍとなるような層厚６ｎｍの０．５％歪ＩｎＧａ
ＡｓＰウェルと層厚８ｎｍのバンドギャップ波長が１．
１３μｍのバリア層をもつ８周期のＭＱＷ（Multi Qua
ntum Well:多重量子井戸）活性層、層厚６０ｎｍ、キ
ャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3でバンドギャップ波長が
１．１３μｍのＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、層厚０．
１μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰク
ラッド層を順次積層し導波路メサ１１０を形成した。こ
のとき、変調器部のＭＱＷ層のバンドギャップ波長は
１．４７μｍであった。
【００１４】次に、通常のフォトリソグラフィとウェッ
トエッチングにより成長阻止マスク開口幅を７μｍ幅に
広げた後、図５に示すように、選択ＭＯＶＰＥにより、
成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６２５℃で層厚０．３
μｍ、キャリア濃度５ｘ１０ 17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰ層
と、層厚１．５μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3の
ｐ−ＩｎＰ層からなる埋め込み層１１１、層厚０．２μ
ｍ、キャリア濃度５ｘ１０18ｃｍ-3のＩｎＧａＡｓキャ
ップ層１１２を順次積層し、結晶成長が完了した。
トエッチングにより成長阻止マスク開口幅を７μｍ幅に
広げた後、図５に示すように、選択ＭＯＶＰＥにより、
成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６２５℃で層厚０．３
μｍ、キャリア濃度５ｘ１０ 17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰ層
と、層厚１．５μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3の
ｐ−ＩｎＰ層からなる埋め込み層１１１、層厚０．２μ
ｍ、キャリア濃度５ｘ１０18ｃｍ-3のＩｎＧａＡｓキャ
ップ層１１２を順次積層し、結晶成長が完了した。
【００１５】その後、ＳｉＯ2１１３を３５０ｎｍ堆積
させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチング
により、コンタクト用の窓を開け、Ｔｉ、Ａｕをそれぞ
れ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚みにスパッタ法により堆
積させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチン
グにより変調器部、レーザ部にそれぞれパッド構造のｐ
側電極１１４を形成した後、ウエハーを１００μｍに研
磨し、裏面にｎ側電極１１５となるＴｉ、Ａｕをそれぞ
れ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚みにスパッタ法により堆
積させ、Ｎ2雰囲気中でシンターを行った。最後にレー
ザ部、変調器部の中央で劈開し、レーザ側の端面に反射
率９０％の高反射膜１１６、変調器側に反射率０．１％
の低反射膜１１７を形成して、図６に示すように素子を
完成させた。
させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチング
により、コンタクト用の窓を開け、Ｔｉ、Ａｕをそれぞ
れ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚みにスパッタ法により堆
積させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチン
グにより変調器部、レーザ部にそれぞれパッド構造のｐ
側電極１１４を形成した後、ウエハーを１００μｍに研
磨し、裏面にｎ側電極１１５となるＴｉ、Ａｕをそれぞ
れ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚みにスパッタ法により堆
積させ、Ｎ2雰囲気中でシンターを行った。最後にレー
ザ部、変調器部の中央で劈開し、レーザ側の端面に反射
率９０％の高反射膜１１６、変調器側に反射率０．１％
の低反射膜１１７を形成して、図６に示すように素子を
完成させた。
【００１６】このように、レーザ部１０３に回折格子１
０７を形成する際に、回折格子パターン１０４の開口幅
を回折格子終端部１０５の近傍で漸次広くすることによ
り、ウェットエッチング時に回折格子終端部１０５の近
傍でパターン効果によりエッチング速度が速くなるため
発生する回折格子のえぐれを抑制し、均一な形状の回折
格子１０７を形成した。その結果、導波路の不連続が発
生しない。従って、回折格子形成領域と平坦部境目で、
導波路不連続に起因する光の反射によるシングルモード
歩留まりの低下を防ぎ、散乱に起因する変調器部との結
合損を防止するという効果がもたらされる。
０７を形成する際に、回折格子パターン１０４の開口幅
を回折格子終端部１０５の近傍で漸次広くすることによ
り、ウェットエッチング時に回折格子終端部１０５の近
傍でパターン効果によりエッチング速度が速くなるため
発生する回折格子のえぐれを抑制し、均一な形状の回折
格子１０７を形成した。その結果、導波路の不連続が発
生しない。従って、回折格子形成領域と平坦部境目で、
導波路不連続に起因する光の反射によるシングルモード
歩留まりの低下を防ぎ、散乱に起因する変調器部との結
合損を防止するという効果がもたらされる。
【００１７】本実施例で製造した素子を評価したとこ
ろ、レーザ発振スペクトルのシングルモード歩留まりと
して７０％と、端面位相のランダム性から予想される理
論値にほぼ一致する良好な結果が得られた。また、ＤＦ
Ｂレーザ部と変調器部との光学的結合はほぼ１００％で
あった。また、レーザの発振しきい値８ｍＡ、１００ｍ
Ａでの光出力１０ｍＷ、２Ｖの逆バイアス電圧を変調器
に印加したときの消光比１５ｄＢ以上と、従来と遜色の
ない特性が得られた。更に、変調速度２．５Ｇｂ／ｓで
１５０ｋｍのノーマルファイバによる伝送試験において
も、ペナルティが１ｄＢ以下と、良好な結果が得られ
た。
ろ、レーザ発振スペクトルのシングルモード歩留まりと
して７０％と、端面位相のランダム性から予想される理
論値にほぼ一致する良好な結果が得られた。また、ＤＦ
Ｂレーザ部と変調器部との光学的結合はほぼ１００％で
あった。また、レーザの発振しきい値８ｍＡ、１００ｍ
Ａでの光出力１０ｍＷ、２Ｖの逆バイアス電圧を変調器
に印加したときの消光比１５ｄＢ以上と、従来と遜色の
ない特性が得られた。更に、変調速度２．５Ｇｂ／ｓで
１５０ｋｍのノーマルファイバによる伝送試験において
も、ペナルティが１ｄＢ以下と、良好な結果が得られ
た。
【００１８】（実施例２）本発明の一実施例として、ア
ナログ伝送用部分回折格子型レーザの製造工程を、図７
〜１２に示す。
ナログ伝送用部分回折格子型レーザの製造工程を、図７
〜１２に示す。
【００１９】図７に示すようにまず、ｎ型（１００）面
方位のＩｎＰ基板２０１上にレジスト２０２を塗布し、
＜０１１＞方向にＥＢ露光により、素子長３００μｍの
うち、回折格子レジストパターン２０３を長さ１００μ
ｍにわたり形成した。このときの回折格子レジストパタ
ーンは、幅５μｍ（一定値）、周期２０２．７ｎｍ（一
定値）で、ウエハー上ではパターンが繰り返し形成され
るため４００μｍ長の回折格子部と２００μｍ長の平坦
部とが繰り返し形成されたことになる。このとき、パタ
ーン開口長は回折格子形成領域終端部２０４から内部方
向２０５に向かって３μｍにわたり１５０ｎｍから５０
ｎｍへと変化させた。
方位のＩｎＰ基板２０１上にレジスト２０２を塗布し、
＜０１１＞方向にＥＢ露光により、素子長３００μｍの
うち、回折格子レジストパターン２０３を長さ１００μ
ｍにわたり形成した。このときの回折格子レジストパタ
ーンは、幅５μｍ（一定値）、周期２０２．７ｎｍ（一
定値）で、ウエハー上ではパターンが繰り返し形成され
るため４００μｍ長の回折格子部と２００μｍ長の平坦
部とが繰り返し形成されたことになる。このとき、パタ
ーン開口長は回折格子形成領域終端部２０４から内部方
向２０５に向かって３μｍにわたり１５０ｎｍから５０
ｎｍへと変化させた。
【００２０】本実施例では、開口長を内部から回折格子
形成領域終端部２０４に向かって線形的に広げた。した
がって開口面積も線形的に増大したことになる。変化さ
せた領域は、終端部２０４から内部方向２０５に向かっ
て３μｍの範囲であった。内部方向２０５に向かってこ
の３μｍの範囲から先の範囲では、開口長は一定値５０
ｎｍとした。この理由は、実施例１の場合と同じく、こ
の３μｍの範囲から先の範囲では、パターン効果の影響
を無視できる範囲であるからである。この範囲について
は、実施例１と同じく回折格子のパターン設計によるも
のであり、適宜選択される。開口長の変化のさせ方は、
本実施例では、線形的に変化させたが、内部から回折格
子形成領域終端部２０４に向かって２次関数、３次関数
等のｎ次関数にしたがって、増加させることも可能であ
り、また指数的に増加させることも可能であり、この関
数については、回折格子の深さが一定になるように適宜
選択できる。
形成領域終端部２０４に向かって線形的に広げた。した
がって開口面積も線形的に増大したことになる。変化さ
せた領域は、終端部２０４から内部方向２０５に向かっ
て３μｍの範囲であった。内部方向２０５に向かってこ
の３μｍの範囲から先の範囲では、開口長は一定値５０
ｎｍとした。この理由は、実施例１の場合と同じく、こ
の３μｍの範囲から先の範囲では、パターン効果の影響
を無視できる範囲であるからである。この範囲について
は、実施例１と同じく回折格子のパターン設計によるも
のであり、適宜選択される。開口長の変化のさせ方は、
本実施例では、線形的に変化させたが、内部から回折格
子形成領域終端部２０４に向かって２次関数、３次関数
等のｎ次関数にしたがって、増加させることも可能であ
り、また指数的に増加させることも可能であり、この関
数については、回折格子の深さが一定になるように適宜
選択できる。
【００２１】次に、エッチング方法としてウエットエッ
チングにより回折格子を形成した。レジストのエッチン
グができればウエットエッチングに限定されない。本実
施例では、臭化水素と過酸化水素と水とからなるエッチ
ング液でＩｎＰ基板上に回折格子パターン２０３を転写
し回折格子２０６を形成した。図８は図７のＢ−Ｂ’線
に沿ったウェットエッチング後の断面図を示す。次にレ
ジストを除去し、部分的に回折格子を有する半導体レー
ザの回折格子基板を完成させた。さらに、この基板上に
図９に示すように、熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2を１５０
ｎｍ堆積させ、＜０１１＞方向に間隔が１．５μｍ、幅
３μｍの一対のストライプパターンに通常のフォトリソ
グラフィとウェットエッチングにより加工し、成長阻止
マスク２０７を形成した。
チングにより回折格子を形成した。レジストのエッチン
グができればウエットエッチングに限定されない。本実
施例では、臭化水素と過酸化水素と水とからなるエッチ
ング液でＩｎＰ基板上に回折格子パターン２０３を転写
し回折格子２０６を形成した。図８は図７のＢ−Ｂ’線
に沿ったウェットエッチング後の断面図を示す。次にレ
ジストを除去し、部分的に回折格子を有する半導体レー
ザの回折格子基板を完成させた。さらに、この基板上に
図９に示すように、熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ2を１５０
ｎｍ堆積させ、＜０１１＞方向に間隔が１．５μｍ、幅
３μｍの一対のストライプパターンに通常のフォトリソ
グラフィとウェットエッチングにより加工し、成長阻止
マスク２０７を形成した。
【００２２】次に図１０に示すように、選択ＭＯＶＰＥ
により成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６２５℃で、層
厚が０．１μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3でバン
ドギャップ波長が１．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰガイド
層、層厚０．０２μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3
のＩｎＰスペーザ層、バンドギャップ波長組成が１．３
１μｍとなるような層厚５ｎｍの０．７％歪ＩｎＧａＡ
ｓＰウェルと層厚１０ｎｍのバンドギャップ波長が１．
０５μｍのバリア層をもつ７周期のノンドープＭＱＷ活
性層、層厚９０ｎｍ、バンドギャップ波長が１．０５μ
ｍのノンドープＩｎＧａＡｓＰ光閉じこめ層、層厚０．
１μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17cm-3のｐ−ＩｎＰクラ
ッド層を順次形成し導波路メサ２０８を形成した。次
に、ウエハー全面にＳｉＯ2を３５０ｎｍ堆積させた
後、フォトリソグラフィとウェットエッチングにより、
メサ上にＳｉＯ2パターンを形成した。
により成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６２５℃で、層
厚が０．１μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3でバン
ドギャップ波長が１．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰガイド
層、層厚０．０２μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3
のＩｎＰスペーザ層、バンドギャップ波長組成が１．３
１μｍとなるような層厚５ｎｍの０．７％歪ＩｎＧａＡ
ｓＰウェルと層厚１０ｎｍのバンドギャップ波長が１．
０５μｍのバリア層をもつ７周期のノンドープＭＱＷ活
性層、層厚９０ｎｍ、バンドギャップ波長が１．０５μ
ｍのノンドープＩｎＧａＡｓＰ光閉じこめ層、層厚０．
１μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17cm-3のｐ−ＩｎＰクラ
ッド層を順次形成し導波路メサ２０８を形成した。次
に、ウエハー全面にＳｉＯ2を３５０ｎｍ堆積させた
後、フォトリソグラフィとウェットエッチングにより、
メサ上にＳｉＯ2パターンを形成した。
【００２３】次に、選択ＭＯＶＰＥにより成長圧力７５
Ｔｏｒｒ、成長温度６２５℃で層厚０．３μｍ、キャリ
ア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰ層、層厚１μｍ、
キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰ層、層厚
０．２μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3のｐ−Ｉｎ
Ｐ層を順次積層し、ＳｉＯ2マスクを除去した後、ＭＯ
ＶＰＥ成長により、成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６
２５℃で層厚１．５μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ
-3のｐ−ＩｎＰ層を成長してサイリスタ構造の電流ブロ
ック層２０９を形成し、層厚０．２μｍ、キャリア濃度
５ｘ１０18ｃｍ-3のＩｎＧａＡｓキャップ層２１０を順
次積層し、図１１に示すように結晶成長を完了した。
Ｔｏｒｒ、成長温度６２５℃で層厚０．３μｍ、キャリ
ア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰ層、層厚１μｍ、
キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3のｎ−ＩｎＰ層、層厚
０．２μｍ、キャリア濃度５ｘ１０17ｃｍ-3のｐ−Ｉｎ
Ｐ層を順次積層し、ＳｉＯ2マスクを除去した後、ＭＯ
ＶＰＥ成長により、成長圧力７５Ｔｏｒｒ、成長温度６
２５℃で層厚１．５μｍ、キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ
-3のｐ−ＩｎＰ層を成長してサイリスタ構造の電流ブロ
ック層２０９を形成し、層厚０．２μｍ、キャリア濃度
５ｘ１０18ｃｍ-3のＩｎＧａＡｓキャップ層２１０を順
次積層し、図１１に示すように結晶成長を完了した。
【００２４】次に、通常のフォトリソグラフィとウェッ
トエッチングにより幅１０μｍのメサストライプ２１１
を形成した。その後、ＳｉＯ2２１２を３５０ｎｍ堆積
させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチング
により、コンタクト用の窓を開け、Ｔｉ、Ａｕをそれぞ
れ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚みにスパッタ法により堆
積させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチン
グによりパッド構造のｐ側電極２１３を形成した後、ウ
エハーを９０μｍに研磨し、裏面にｎ側電極２１４とな
るＴｉ、Ａｕをそれぞれ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚み
にスパッタ法により堆積させ、Ｎ2雰囲気中でシンター
を行った。最後に回折格子形成領域、平坦領域のそれぞ
れ中央で劈開し、平坦面領域側の端面に反射率７０％の
高反射膜２１５、回折格子領域端面に反射率１％の低反
射膜２１６を形成して、図１２に示すように素子を完成
させた。
トエッチングにより幅１０μｍのメサストライプ２１１
を形成した。その後、ＳｉＯ2２１２を３５０ｎｍ堆積
させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチング
により、コンタクト用の窓を開け、Ｔｉ、Ａｕをそれぞ
れ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚みにスパッタ法により堆
積させ、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチン
グによりパッド構造のｐ側電極２１３を形成した後、ウ
エハーを９０μｍに研磨し、裏面にｎ側電極２１４とな
るＴｉ、Ａｕをそれぞれ１００ｎｍ、３００ｎｍの厚み
にスパッタ法により堆積させ、Ｎ2雰囲気中でシンター
を行った。最後に回折格子形成領域、平坦領域のそれぞ
れ中央で劈開し、平坦面領域側の端面に反射率７０％の
高反射膜２１５、回折格子領域端面に反射率１％の低反
射膜２１６を形成して、図１２に示すように素子を完成
させた。
【００２５】このように、回折格子２０６を形成する際
に、回折格子パターン２０３の開口長を回折格子終端部
２０４の近傍で漸次長くすることにより、ウエットエッ
チング時に、回折格子終端部２０４の近傍でパターン効
果によりエッチング速度が速くなるために発生する回折
格子のえぐれを抑制し、均一な形状の回折格子１０７を
形成した。その結果、導波路の不連続が発生しない。従
って、回折格子終端部２０４での導波路不連続に起因す
る光の反射や散乱が抑制され、導波路方向での電界分布
を均一にして良好なアナログ特性を得るという、部分回
折格子型ＤＦＢレーザの性能が充分引き出された。本実
施例のアナログ特性を評価したところ光出力３０ｍＷ時
の相互２次変調歪み−６５ｄＢと従来に比べ１０ｄＢ以
上の改善が見られた。また、発振しきい値１０ｍＡ、ス
ロープ効率０．５８Ｗ／Ａと静特性も従来と遜色のない
結果が得られた。
に、回折格子パターン２０３の開口長を回折格子終端部
２０４の近傍で漸次長くすることにより、ウエットエッ
チング時に、回折格子終端部２０４の近傍でパターン効
果によりエッチング速度が速くなるために発生する回折
格子のえぐれを抑制し、均一な形状の回折格子１０７を
形成した。その結果、導波路の不連続が発生しない。従
って、回折格子終端部２０４での導波路不連続に起因す
る光の反射や散乱が抑制され、導波路方向での電界分布
を均一にして良好なアナログ特性を得るという、部分回
折格子型ＤＦＢレーザの性能が充分引き出された。本実
施例のアナログ特性を評価したところ光出力３０ｍＷ時
の相互２次変調歪み−６５ｄＢと従来に比べ１０ｄＢ以
上の改善が見られた。また、発振しきい値１０ｍＡ、ス
ロープ効率０．５８Ｗ／Ａと静特性も従来と遜色のない
結果が得られた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、回折格子を形成するた
めのレジストパターンを、得られる回折格子の深さが均
一になるように、レジストパターンの開口面積を回折格
子形成領域終端部に向かって徐々に増大させることによ
り、その後のウエットエッチング工程において、回折格
子形成領域終端部でのパターン効果によるエッチング速
度の上昇を抑えることが可能になる。この結果、レーザ
導波損失や電解分布不均一のない部分的に回折格子を有
する半導体レーザの製造方法を提供することができる。
めのレジストパターンを、得られる回折格子の深さが均
一になるように、レジストパターンの開口面積を回折格
子形成領域終端部に向かって徐々に増大させることによ
り、その後のウエットエッチング工程において、回折格
子形成領域終端部でのパターン効果によるエッチング速
度の上昇を抑えることが可能になる。この結果、レーザ
導波損失や電解分布不均一のない部分的に回折格子を有
する半導体レーザの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である電界吸収型変調器を集
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
【図２】本発明の一実施例である電界吸収型変調器を集
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
【図３】本発明の一実施例である電界吸収型変調器を集
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施例である電界吸収型変調器を集
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
【図５】本発明の一実施例である電界吸収型変調器を集
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
【図６】本発明の一実施例である電界吸収型変調器を集
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
積したＤＦＢレーザの製造工程を示す図である。
【図７】本発明の一実施例であるアナログ伝送用部分回
折格子型レーザの製造工程を示す図である。
折格子型レーザの製造工程を示す図である。
【図８】本発明の一実施例であるアナログ伝送用部分回
折格子型レーザの製造工程を示す図である。
折格子型レーザの製造工程を示す図である。
【図９】本発明の一実施例であるアナログ伝送用部分回
折格子型レーザの製造工程を示す図である。
折格子型レーザの製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例であるアナログ伝送用部分
回折格子型レーザの製造工程を示す図である。
回折格子型レーザの製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例であるアナログ伝送用部分
回折格子型レーザの製造工程を示す図である。
回折格子型レーザの製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の一実施例であるアナログ伝送用部分
回折格子型レーザの製造工程を示す図である。
回折格子型レーザの製造工程を示す図である。
【図１３】従来法を用いた半導体レーザの回折格子基板
の製造方法を示す図である。
の製造方法を示す図である。
１０１ ＩｎＰ基板 １０２ レジスト １０３ レーザ部 １０４ 回折格子レジストパターン １０５ 回折格子形成領域終端部 １０６ 内部方向 １０７ 回折格子 １０８ 変調器部 １０９ 成長阻止マスク １１０ 導波路メサ １１１ 埋め込み層 １１２ キャップ層 １１３ ＳｉＯ2 １１４ ｐ側電極 １１５ ｎ側電極 １１６ 高反射膜 １１７ 低反射膜 ２０１ ＩｎＰ基板 ２０２ レジスト ２０３ 回折格子レジストパターン ２０４ 回折格子形成領域終端部 ２０５ 内部方向 ２０６ 回折格子 ２０７ 成長阻止マスク ２０８ 導波路メサ ２０９ 電流ブロック層 ２１０ キャップ層 ２１１ メサストライプ ２１２ ＳｉＯ2 ２１３ ｐ側電極 ２１４ ｎ側電極 ２１５ 高反射膜 ２１６ 低反射膜 ３０１ 回折格子レジストパターン ３０２ 半導体基板 ３０３ 回折格子形成領域終端部 ３０４ 回折格子のえぐれ ３０５ レジスト ３０６ 回折格子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ部と変調器部とを有する半導体レ
ーザの製造方法であって、 半導体レーザの前記レーザ部となる半導体基板上には回
折格子が形成されており、 前記レーザ部の半導体基板にエッチングにより回折格子
を形成するため、 半導体基板を覆うレジストマスクを利用して、回折格子
の溝部に選択的なエッチングを施すための開口部を設け
たレジストパターンを、 前記開口部をレーザ部の半導体基板部分のみに設け、か
つ、得られる回折格子の溝部の深さが均一になるよう
に、前記開口部の開口面積をレーザ部の回折格子形成領
域終端部に向かって徐々に増大させて形成するレジスト
パターニング工程と、 このレジストパターンをエッチングマスクに用いて、エ
ッチングにより半導体基板上に部分的に回折格子を形成
するエッチング工程と、 変調器部ならびに前記回折格子の形成されたレーザ部を
設ける半導体基板上に、ガイド層、活性層、クラッド層
を成長により形成する工程とを有することを特徴とする
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 前記レジストパターニング工程は、電子
ビームを用いてレジスト上にパターン形成するレジスト
パターニング工程であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 前記レジストパターニング工程におい
て、前記レジストパターンは、開口長は一定で、開口幅
を徐々に広げることによって、その開口部の開口面積を
広げたレジストパターンであることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 前記レジストパターニング工程におい
て、前記レジストパターンは、開口幅は一定で、開口長
を徐々に広げることによって、その開口部の開口面積を
広げたレジストパターンであることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 前記エッチング工程において、エッチン
グは、ウエットエッチングであることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16229898A JP3298619B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体レーザの製造方法 |
| US09/315,966 US6228671B1 (en) | 1998-06-10 | 1999-05-21 | Process for production of semiconductor laser grating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16229898A JP3298619B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354887A JPH11354887A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3298619B2 true JP3298619B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=15751848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16229898A Expired - Fee Related JP3298619B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6228671B1 (ja) |
| JP (1) | JP3298619B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3191784B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 回折格子の製造方法及び半導体レーザの製造方法 |
| JP2001257419A (ja) | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Nec Corp | 波長安定化レーザモジュール |
| JP4786024B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2011-10-05 | 三菱電機株式会社 | 分布帰還型レーザおよびその製造方法 |
| KR100464353B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 레이저다이오드의 회절격자 제조방법 |
| WO2005043701A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Bookham Technology Plc | Method for manufacturing gratings in semiconductor materials |
| JP2005322849A (ja) | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147825A (en) | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| GB8907304D0 (en) * | 1989-03-31 | 1989-05-17 | British Telecomm | Distributed feedback lasers |
| JP2701569B2 (ja) | 1991-04-01 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| JPH0669605A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 回折格子の形成方法 |
| JPH07101674B2 (ja) | 1993-03-17 | 1995-11-01 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| JP2546135B2 (ja) | 1993-05-31 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 半導体微細形状の形成方法、ＩｎＰ回折格子の製造方法および分布帰還型レーザの製造方法 |
| JP2730477B2 (ja) | 1994-03-02 | 1998-03-25 | 日本電気株式会社 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JP2655498B2 (ja) | 1994-11-28 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
| JPH08255954A (ja) | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの構造及びその製造方法 |
| FR2743192B1 (fr) | 1995-12-28 | 1998-02-06 | Alcatel Optronics | Procede pour integrer un reseau de bragg localise dans un semi-conducteur |
| JP3152177B2 (ja) | 1997-08-25 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | 微細パタン形成方法、半導体装置の製造方法及び該方法により製造した半導体装置 |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP16229898A patent/JP3298619B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
- 1999-05-21 US US09/315,966 patent/US6228671B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6228671B1 (en) | 2001-05-08 |
| JPH11354887A (ja) | 1999-12-24 |
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