JP2655498B2 - 半導体レーザアレイの製造方法 - Google Patents
半導体レーザアレイの製造方法Info
- Publication number
- JP2655498B2 JP2655498B2 JP6292860A JP29286094A JP2655498B2 JP 2655498 B2 JP2655498 B2 JP 2655498B2 JP 6292860 A JP6292860 A JP 6292860A JP 29286094 A JP29286094 A JP 29286094A JP 2655498 B2 JP2655498 B2 JP 2655498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- substrate
- mask
- active layer
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザアレイの
製造方法に関し、特に隣合う素子同士の波長間隔を等間
隔に並べた、波長多重（ＷＤＭ）光通信用半導体レーザ
アレイの製造方法に関する。
製造方法に関し、特に隣合う素子同士の波長間隔を等間
隔に並べた、波長多重（ＷＤＭ）光通信用半導体レーザ
アレイの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＷＤＭ用光源として、隣合う素子同士で
発振波長が等間隔に並んだ半導体レーザアレイが求めら
れている。従来この様なレーザアレイを作製する方法と
しては、電子ビーム露光等により隣合う分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）あるいは分布反射型（ＤＢＲ）レーザの回折格子
ピッチを少しずつ変えて、隣同士で発振波長が僅かずつ
異なるレーザアレイを作製する方法があった。しかしな
がらこの方法では、活性層はどの素子も同じであるた
め、発振波長と利得ピーク波長の差のディチューニング
量が隣合う素子により異なり、高々２０ｎｍ程度しか波
長を振れないという問題があった。
発振波長が等間隔に並んだ半導体レーザアレイが求めら
れている。従来この様なレーザアレイを作製する方法と
しては、電子ビーム露光等により隣合う分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）あるいは分布反射型（ＤＢＲ）レーザの回折格子
ピッチを少しずつ変えて、隣同士で発振波長が僅かずつ
異なるレーザアレイを作製する方法があった。しかしな
がらこの方法では、活性層はどの素子も同じであるた
め、発振波長と利得ピーク波長の差のディチューニング
量が隣合う素子により異なり、高々２０ｎｍ程度しか波
長を振れないという問題があった。
【０００３】一方、選択成長を用いる方法も試みられて
いる。選択成長を用いれば、ＤＦＢレーザ等の光ガイド
層の組成や厚さをマスクパターンにより制御でき、回折
格子ピッチは一定でも等価屈折率を変調することによ
り、発振波長の分布を持たせることができる。例えば、
加藤らによるＭＯＶＰＥ選択成長を用いた４波ＤＢＲレ
ーザアレイ（１９９４年春季 第４１回応用物理学関係
連合講演会，講演番号２９ｐ−Ｋ−１５）では、成長阻
止マスクの幅を隣合う素子同士で０，１５，３０，５０
μｍと変化させ、光導波路層の厚さを変調することによ
り、５ｎｍ間隔で１５ｎｍ発振波長をシフトさせた４チ
ャンネルのＤＢＲレーザアレイを実現している。
いる。選択成長を用いれば、ＤＦＢレーザ等の光ガイド
層の組成や厚さをマスクパターンにより制御でき、回折
格子ピッチは一定でも等価屈折率を変調することによ
り、発振波長の分布を持たせることができる。例えば、
加藤らによるＭＯＶＰＥ選択成長を用いた４波ＤＢＲレ
ーザアレイ（１９９４年春季 第４１回応用物理学関係
連合講演会，講演番号２９ｐ−Ｋ−１５）では、成長阻
止マスクの幅を隣合う素子同士で０，１５，３０，５０
μｍと変化させ、光導波路層の厚さを変調することによ
り、５ｎｍ間隔で１５ｎｍ発振波長をシフトさせた４チ
ャンネルのＤＢＲレーザアレイを実現している。
【０００４】また筒井らは、同じく選択成長を用いるこ
とにより、約２．５ｎｍ間隔で計１０．１ｎｍの波長可
変幅を得ている（１９９４年春季 第４１回応用物理学
関係連合講演会，講演番号２９ｐ−Ｋ−１４）。しかし
ながらこの場合は、光ガイド層と同時にＭＱＷ活性層も
成長させるため、活性層の組成と厚さも同時に変調され
てしまい、利得ピーク波長と発振波長とを独立に制御す
ることはできなかった。従ってこの場合も、個々の素子
のディチューニング量を広い波長範囲に渡り制御するこ
とは困難であった。
とにより、約２．５ｎｍ間隔で計１０．１ｎｍの波長可
変幅を得ている（１９９４年春季 第４１回応用物理学
関係連合講演会，講演番号２９ｐ−Ｋ−１４）。しかし
ながらこの場合は、光ガイド層と同時にＭＱＷ活性層も
成長させるため、活性層の組成と厚さも同時に変調され
てしまい、利得ピーク波長と発振波長とを独立に制御す
ることはできなかった。従ってこの場合も、個々の素子
のディチューニング量を広い波長範囲に渡り制御するこ
とは困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な従
来の波長多重光源用半導体レーザアレイの欠点を除去
し、個々のレーザのディチューニング量を制御すること
により、５０ｎｍを越える広い波長範囲に渡り発振波長
をカバーできる半導体レーザアレイを実現することにあ
る。
来の波長多重光源用半導体レーザアレイの欠点を除去
し、個々のレーザのディチューニング量を制御すること
により、５０ｎｍを越える広い波長範囲に渡り発振波長
をカバーできる半導体レーザアレイを実現することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザア
レイの製造方法は、半導体基板上にアレイ状に形成する
分布帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、少
なくとも隣合う素子同士で回折格子のピッチが少しずつ
異なる様に回折格子を形成する工程と、その上に回折格
子を埋め込むように前記基板とは異なる第２の半導体か
らなる光ガイド層を成長する工程と、その上にさらに隣
合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスクを用
いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層を形成
する工程とを合わせ持つことを特徴とする。
レイの製造方法は、半導体基板上にアレイ状に形成する
分布帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、少
なくとも隣合う素子同士で回折格子のピッチが少しずつ
異なる様に回折格子を形成する工程と、その上に回折格
子を埋め込むように前記基板とは異なる第２の半導体か
らなる光ガイド層を成長する工程と、その上にさらに隣
合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスクを用
いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層を形成
する工程とを合わせ持つことを特徴とする。
【０００７】また、本発明の半導体レーザアレイの製造
方法は、半導体基板上にアレイ状に形成する分布帰還型
または分布反射型半導体レーザにおいて、少なくとも隣
合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスクを用
いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層を形成
する工程と、さらにその上に前記基板と異なる第２の半
導体からなる光ガイド層を成長する工程と、さらにその
光ガイド層上に隣合う素子同士で回折格子のピッチが少
しずつ異なる様に回折格子を形成する工程とさらにその
上に回折格子を埋め込むように基板と同種類の半導体か
らなるクラッド層を成長する工程とを合わせ持つことを
特徴とする。半導体基板としては、ｎ型またはＰ型のＩ
ｎＰ，ＧａＡｓを用いることができる。
方法は、半導体基板上にアレイ状に形成する分布帰還型
または分布反射型半導体レーザにおいて、少なくとも隣
合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスクを用
いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層を形成
する工程と、さらにその上に前記基板と異なる第２の半
導体からなる光ガイド層を成長する工程と、さらにその
光ガイド層上に隣合う素子同士で回折格子のピッチが少
しずつ異なる様に回折格子を形成する工程とさらにその
上に回折格子を埋め込むように基板と同種類の半導体か
らなるクラッド層を成長する工程とを合わせ持つことを
特徴とする。半導体基板としては、ｎ型またはＰ型のＩ
ｎＰ，ＧａＡｓを用いることができる。
【０００８】
【作用】以下に本発明の原理について説明する。本発明
は、ＷＤＭ用光源等に適用することを目的として、各々
の素子の発振波長が制御できてかつ、各々の素子のディ
チューニング量も独立に制御できるレーザアレイの製造
方法を提供することにある。
は、ＷＤＭ用光源等に適用することを目的として、各々
の素子の発振波長が制御できてかつ、各々の素子のディ
チューニング量も独立に制御できるレーザアレイの製造
方法を提供することにある。
【０００９】図３（ａ）に、従来の電子ビーム露光等を
用いて回折格子のピッチのみを変調させる方法で作製す
るＷＤＭレーザアレイの、各々の素子の発振波長と利得
ピーク波長との関係を示す。この方法では、各素子の活
性層構造は同じであるので、利得ピーク波長はどの素子
も全く同じである。そこで、回折格子ピッチのみを変え
て各素子で波長を変化させる場合、図に示す様にディチ
ューニング量（発振波長と利得ピーク波長との差のこ
と）が素子ごとに異なってしまう。通常このディチュー
ニング量が±５ｎｍ程度以上になると、レーザはもはや
発振困難となるので、この方法により変化させることが
できるアレイレーザの波長範囲はせいぜい２０ｎｍ程度
である。
用いて回折格子のピッチのみを変調させる方法で作製す
るＷＤＭレーザアレイの、各々の素子の発振波長と利得
ピーク波長との関係を示す。この方法では、各素子の活
性層構造は同じであるので、利得ピーク波長はどの素子
も全く同じである。そこで、回折格子ピッチのみを変え
て各素子で波長を変化させる場合、図に示す様にディチ
ューニング量（発振波長と利得ピーク波長との差のこ
と）が素子ごとに異なってしまう。通常このディチュー
ニング量が±５ｎｍ程度以上になると、レーザはもはや
発振困難となるので、この方法により変化させることが
できるアレイレーザの波長範囲はせいぜい２０ｎｍ程度
である。
【００１０】一方、前に述べた選択成長を用いる方法で
も、波長を変化させることができる。選択成長では、使
用するマスクの幅を変化させることにより、成長層の組
成および膜厚を変調することが可能である。従って、隣
同士で異なるマスク幅の選択成長マスクを用いれば、光
ガイド層あるいは活性層の組成および膜厚を隣同士で変
えられるので、たとえ回折格子ピッチが同じでも発振波
長を変化させることができる。しかしながらこの方法で
は図３（ｂ）に示す様に、発振波長と同時に利得ピーク
波長も変調されてしまうので、やはり発振波長とディチ
ューニング量を独立に制御することができなかった。
も、波長を変化させることができる。選択成長では、使
用するマスクの幅を変化させることにより、成長層の組
成および膜厚を変調することが可能である。従って、隣
同士で異なるマスク幅の選択成長マスクを用いれば、光
ガイド層あるいは活性層の組成および膜厚を隣同士で変
えられるので、たとえ回折格子ピッチが同じでも発振波
長を変化させることができる。しかしながらこの方法で
は図３（ｂ）に示す様に、発振波長と同時に利得ピーク
波長も変調されてしまうので、やはり発振波長とディチ
ューニング量を独立に制御することができなかった。
【００１１】これに対して、これら二つの方法を組み合
わせる本発明の方法では、図３（ｃ）に示す様に、レー
ザアレイの各々の素子の発振波長とディチューニング量
を独立に制御することが可能となる。即ち本発明の方法
では、電子ビーム露光等による回折格子ピッチの変調に
より発振波長を振り、さらに選択成長による活性層のバ
ンドギャップ制御により、各々の素子の利得ピーク波長
と発振波長との関係を全ての素子に対して一定にするこ
とができる。
わせる本発明の方法では、図３（ｃ）に示す様に、レー
ザアレイの各々の素子の発振波長とディチューニング量
を独立に制御することが可能となる。即ち本発明の方法
では、電子ビーム露光等による回折格子ピッチの変調に
より発振波長を振り、さらに選択成長による活性層のバ
ンドギャップ制御により、各々の素子の利得ピーク波長
と発振波長との関係を全ての素子に対して一定にするこ
とができる。
【００１２】
【実施例】次に図面を参照しながら本発明について説明
する。図１は、本発明の第１の実施例である分布帰還型
レーザアレイ（この場合は４チャンネル）の製造方法を
示す図である。まず最初に図１（ａ）に示す様に、ｎ型
ＩｎＰ基板１上に、隣同士でピッチが２０２ｎｍから２
０３．２ｎｍまで、０．４ｎｍ間隔で変化している回折
格子２を形成する。この様に隣同士でピッチの異なる回
折格子は、電子ビーム露光を用いれば容易に形成でき
る。次に図１（ｂ）に示す様に、この回折格子２を形成
した基板全面を、バンドギャップ組成１．０５μｍのＩ
ｎＧａＡｓＰ層３で埋め込む。この層は厚さ１００ｎｍ
程度であり、分布帰還型レーザにおける光ガイド層とな
る。さらにこの層の上に図１（ｂ）に示すように、活性
層ストライプを形成するための選択成長用マスク（通常
ＳｉＯ２マスクを用いる）４を形成するが、この場合マ
スクの幅が隣合う活性層ストライプ間で、１０μｍから
４０μｍまで１０μｍごとに広くなる様なマスクを形成
する（このマスクの幅は成長装置および成長条件が違え
ば異なることもある）。この様なマスクを用いて選択成
長することにより、下側ＳＣＨ層を順次成長して図１
（ｃ）示すように、埋め込まれた回折格子の直上に、４
チャンネル分の活性層ストライプ５を形成する。この時
各チャンネルの活性層ストライプの間に、選択成長によ
り不必要な部分６も同時に形成されるので、この部分は
後にエッチングにより除去する。さらにこの後選択成長
用マスクを除去し、図１（ｄ）に示す様に活性層ストラ
イプを電流ブロック層７を形成しながら埋め込む。この
後の電極形成工程等は、通常の半導体レーザのプロセス
と同様である。
する。図１は、本発明の第１の実施例である分布帰還型
レーザアレイ（この場合は４チャンネル）の製造方法を
示す図である。まず最初に図１（ａ）に示す様に、ｎ型
ＩｎＰ基板１上に、隣同士でピッチが２０２ｎｍから２
０３．２ｎｍまで、０．４ｎｍ間隔で変化している回折
格子２を形成する。この様に隣同士でピッチの異なる回
折格子は、電子ビーム露光を用いれば容易に形成でき
る。次に図１（ｂ）に示す様に、この回折格子２を形成
した基板全面を、バンドギャップ組成１．０５μｍのＩ
ｎＧａＡｓＰ層３で埋め込む。この層は厚さ１００ｎｍ
程度であり、分布帰還型レーザにおける光ガイド層とな
る。さらにこの層の上に図１（ｂ）に示すように、活性
層ストライプを形成するための選択成長用マスク（通常
ＳｉＯ２マスクを用いる）４を形成するが、この場合マ
スクの幅が隣合う活性層ストライプ間で、１０μｍから
４０μｍまで１０μｍごとに広くなる様なマスクを形成
する（このマスクの幅は成長装置および成長条件が違え
ば異なることもある）。この様なマスクを用いて選択成
長することにより、下側ＳＣＨ層を順次成長して図１
（ｃ）示すように、埋め込まれた回折格子の直上に、４
チャンネル分の活性層ストライプ５を形成する。この時
各チャンネルの活性層ストライプの間に、選択成長によ
り不必要な部分６も同時に形成されるので、この部分は
後にエッチングにより除去する。さらにこの後選択成長
用マスクを除去し、図１（ｄ）に示す様に活性層ストラ
イプを電流ブロック層７を形成しながら埋め込む。この
後の電極形成工程等は、通常の半導体レーザのプロセス
と同様である。
【００１３】このように本実施例では、回折格子のピッ
チを変調させかつ選択成長で利得のピーク波長も変えて
いるので、各チャンネルの素子で発振波長とディチュー
ニング量を独立に制御でき、発振波長を大きく振ること
ができる。
チを変調させかつ選択成長で利得のピーク波長も変えて
いるので、各チャンネルの素子で発振波長とディチュー
ニング量を独立に制御でき、発振波長を大きく振ること
ができる。
【００１４】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。図２は、本発明の第２の実施例である分布帰還型レ
ーザアレイ（この場合は４チャンネル）の製造方法を示
す図である。まず最初に図２（ａ）に示す様に、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１に活性層ストライプを形成するための選択成
長用マスク（通常ＳｉＯ２マスクを用いる）４を形成す
るが、この場合マスクの幅が隣合う活性層ストライプ間
で、１０μｍから４０μｍまで１０μｍごとに広くなる
様なマスクを形成する（このマスクの幅は成長装置およ
び成長条件が違えば異なることもある）。次に、この様
なマスクを用いて選択成長することにより、下側ＳＣＨ
層，活性層（ＭＱＷでも可能）および光ガイド層を順次
成長して図２（ｂ）示すように活性層ストライプ５を形
成する。続いて各素子の活性層ストライプ５上に、隣同
士でピッチが２０２ｎｍから２０３．２ｎｍまで、０．
４ｎｍ間隔で変化している回折格子２を形成する。この
様に隣同士でビッチの異なる回折格子は、電子ビーム露
光を用いれば容易に形成できる。次に、同時に選択成長
された活性層ストライプ以外の領域をエッチングにより
除去し、図２（ｄ）に示す様に活性層ストライプを電流
ブロック層７を形成しながら埋め込む。そして最後にウ
エハ全面をｐ型ＩｎＰクラッド層，ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層で埋め込む。この後の電極形成工程等は、通
常の半導体レーザのプロセスと同様である。この実施例
においても、第１の実施例と同様の効果が得られた。
る。図２は、本発明の第２の実施例である分布帰還型レ
ーザアレイ（この場合は４チャンネル）の製造方法を示
す図である。まず最初に図２（ａ）に示す様に、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１に活性層ストライプを形成するための選択成
長用マスク（通常ＳｉＯ２マスクを用いる）４を形成す
るが、この場合マスクの幅が隣合う活性層ストライプ間
で、１０μｍから４０μｍまで１０μｍごとに広くなる
様なマスクを形成する（このマスクの幅は成長装置およ
び成長条件が違えば異なることもある）。次に、この様
なマスクを用いて選択成長することにより、下側ＳＣＨ
層，活性層（ＭＱＷでも可能）および光ガイド層を順次
成長して図２（ｂ）示すように活性層ストライプ５を形
成する。続いて各素子の活性層ストライプ５上に、隣同
士でピッチが２０２ｎｍから２０３．２ｎｍまで、０．
４ｎｍ間隔で変化している回折格子２を形成する。この
様に隣同士でビッチの異なる回折格子は、電子ビーム露
光を用いれば容易に形成できる。次に、同時に選択成長
された活性層ストライプ以外の領域をエッチングにより
除去し、図２（ｄ）に示す様に活性層ストライプを電流
ブロック層７を形成しながら埋め込む。そして最後にウ
エハ全面をｐ型ＩｎＰクラッド層，ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層で埋め込む。この後の電極形成工程等は、通
常の半導体レーザのプロセスと同様である。この実施例
においても、第１の実施例と同様の効果が得られた。
【００１５】なお、上記実施例は、ｎ型ＩｎＰ基板を用
いる場合について説明したが、ｐ型でもよいし、またＧ
ａＡｓ基板を用いることもできる。また、本発明は分布
反射型半導体レーザアレイにも適用できる。
いる場合について説明したが、ｐ型でもよいし、またＧ
ａＡｓ基板を用いることもできる。また、本発明は分布
反射型半導体レーザアレイにも適用できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した様に本発明の方法では、電
子ビーム露光等にり回折格子のピッチ変調と選択成長に
よる利得ピーク波長制御の方法を組み合わせることによ
り、各々の素子でディチューニング量が等しくかつ発振
波長を大きく振ることが可能な半導体レーザアレイが実
現できる。
子ビーム露光等にり回折格子のピッチ変調と選択成長に
よる利得ピーク波長制御の方法を組み合わせることによ
り、各々の素子でディチューニング量が等しくかつ発振
波長を大きく振ることが可能な半導体レーザアレイが実
現できる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例の分布
帰還型レーザアレイの製造工程を示す図である。
帰還型レーザアレイの製造工程を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例の分布
帰還型レーザアレイの製造工程を示す図である。
帰還型レーザアレイの製造工程を示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の原理を説明するため
の図である。
の図である。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ 回折格子 ３ ＩｎＧａＡｓＰ層 ４ 選択成長用マスク ５ 活性層ストライプ ６ 不要な部分 ７ 電流ブロック層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上にアレイ状に形成する分布
帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、少なく
とも隣合う素子同士で回折格子のピッチが少しずつ異な
る様に回折格子を形成する工程と、その上に回折格子を
埋め込むように前記基板とは異なる第２の半導体からな
る光ガイド層を成長する工程と、その上にさらに隣合う
素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マスクを用いて
選択成長を行うことにより、レーザの活性層を形成する
工程とを有することを特徴とする半導体レーザアレイの
製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上にアレイ状に形成する分布
帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、少なく
とも隣合う素子同士でマスク幅の異なる選択成長用マス
クを用いて選択成長を行うことにより、レーザの活性層
を形成する工程と、さらにその上に前記基板と異なる第
２の半導体からなる光ガイド層を成長する工程と、さら
にその光ガイド層上に隣合う素子同士で回折格子のピッ
チが少しずつ異なる様に回折格子を形成する工程と、さ
らにその上に回折格子を埋め込むように基板と同種類の
半導体からなるクラッド層を成長する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体レーザアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292860A JP2655498B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292860A JP2655498B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153928A JPH08153928A (ja) | 1996-06-11 |
| JP2655498B2 true JP2655498B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=17787315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6292860A Expired - Fee Related JP2655498B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655498B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10117040A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nec Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| CA2269872A1 (en) | 1998-04-23 | 1999-10-23 | Nec Corporation | A method of manufacturing a semiconductor optical waveguide array and an array-structured semiconductor optical device |
| JP3298619B2 (ja) | 1998-06-10 | 2002-07-02 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2000012963A (ja) | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Nec Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| KR100424774B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 선택영역회절격자형성과선택영역성장을위한마스크및이를이용한반도체소자의제조방법 |
| JP6291849B2 (ja) | 2014-01-10 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| CN110061424A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-07-26 | 深圳市特发信息股份有限公司 | 一种分布反馈激光器阵列及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102387A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ |
| JP2579317B2 (ja) * | 1987-07-20 | 1997-02-05 | ローム 株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH01163362U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 | ||
| JPH04255921A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Fujitsu Ltd | 光学的記憶装置 |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP6292860A patent/JP2655498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08153928A (ja) | 1996-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0836255B1 (en) | Laser diode array and fabrication method thereof | |
| US5678935A (en) | Semiconductor optical waveguide and method of fabricating the same | |
| JP3141854B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| EP1104060B1 (en) | Optical semiconductor device and process for producing the same | |
| JPH07302952A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JP2655498B2 (ja) | 半導体レーザアレイの製造方法 | |
| EP0641053A1 (en) | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers | |
| JPH06310806A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US6204078B1 (en) | Method of fabricating photonic semiconductor device using selective MOVPE | |
| JP3007928B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| US6643315B2 (en) | Distributed feedback semiconductor laser device and multi-wavelength laser array | |
| JPH06132610A (ja) | 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法 | |
| JP3189881B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2690840B2 (ja) | 分布光反射器及びそれを用いた波長可変半導体レーザ | |
| JPH02252284A (ja) | 半導体レーザアレイ | |
| JPH0770789B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2003060284A (ja) | 光集積デバイスの作製方法 | |
| JP2827952B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH06283802A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2780687B2 (ja) | 半導体光集積素子およびその製造方法 | |
| JPH05327119A (ja) | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 | |
| JP2867984B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP2914235B2 (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
| JPH1027936A (ja) | 変調器付きレーザの形成方法 | |
| JPH07109922B2 (ja) | 分布反射型半導体レーザの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970422 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100530 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 14 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |