JP2003234536A - レーザーダイオードの回折格子製造方法 - Google Patents
レーザーダイオードの回折格子製造方法Info
- Publication number
- JP2003234536A JP2003234536A JP2003020215A JP2003020215A JP2003234536A JP 2003234536 A JP2003234536 A JP 2003234536A JP 2003020215 A JP2003020215 A JP 2003020215A JP 2003020215 A JP2003020215 A JP 2003020215A JP 2003234536 A JP2003234536 A JP 2003234536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- layer
- laser diode
- etching
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】レーザーダイオードの回折格子製造方法を開示
する。 【解決手段】本発明による方法は、半導体基板の所定部
位に選択的に回折格子を形成する方法において、回折格
子を形成しようとする半導体層の上部全面に所定の格子
周期に対応する間隔で配列される第１感光膜パターンを
形成する過程と、この第１感光膜パターンを食刻マスク
として用い下部の前記半導体層を食刻して回折格子層を
形成する過程と、所定の回折格子領域以外の回折格子層
上部にマスクパターンを形成する過程と、回折格子層上
部に形成されたマスクパターンを取り除く過程と、この
マスクパターンの除去により露出させた下部の回折格子
層を取り除く過程と、を備えてなることを特徴とする。
する。 【解決手段】本発明による方法は、半導体基板の所定部
位に選択的に回折格子を形成する方法において、回折格
子を形成しようとする半導体層の上部全面に所定の格子
周期に対応する間隔で配列される第１感光膜パターンを
形成する過程と、この第１感光膜パターンを食刻マスク
として用い下部の前記半導体層を食刻して回折格子層を
形成する過程と、所定の回折格子領域以外の回折格子層
上部にマスクパターンを形成する過程と、回折格子層上
部に形成されたマスクパターンを取り除く過程と、この
マスクパターンの除去により露出させた下部の回折格子
層を取り除く過程と、を備えてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信システムで光
源として使用されるレーザーダイオードの製造方法に係
り、特に、分布帰還型のレーザーダイオード(Distribut
ed Feed-Back Laser Diode：ＤＦＢ−レーザーダイオー
ド)又はＥＭＬ(Electroabsorption Modulated Laser)の
製造工程に不可欠な回折格子製造方法に関する。
源として使用されるレーザーダイオードの製造方法に係
り、特に、分布帰還型のレーザーダイオード(Distribut
ed Feed-Back Laser Diode：ＤＦＢ−レーザーダイオー
ド)又はＥＭＬ(Electroabsorption Modulated Laser)の
製造工程に不可欠な回折格子製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザーは強い方向性の単色光
を提供する光学素子であり、光通信用や光情報処理など
には半導体レーザーが広く使用されている。半導体レー
ザーはルビーレーザーやガスレーザーに比べてサイズが
小さく、低電力でも動作し、容易にレーザーの出力を変
調することができ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーよりも高出力を
有することで好まれている。
を提供する光学素子であり、光通信用や光情報処理など
には半導体レーザーが広く使用されている。半導体レー
ザーはルビーレーザーやガスレーザーに比べてサイズが
小さく、低電力でも動作し、容易にレーザーの出力を変
調することができ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーよりも高出力を
有することで好まれている。
【０００３】一方、フォトンカップリング(photon coup
ling)から優れた光学モードを提供する回折格子の製造
は、ＤＦＢ−レーザーダイオードの特性に大きな影響を
与え、優れた単一モード(単一次数)のスペクトルを得る
ためには微細かつ正確な回折格子の格子周期(Ａ)を得る
ことが要求される。
ling)から優れた光学モードを提供する回折格子の製造
は、ＤＦＢ−レーザーダイオードの特性に大きな影響を
与え、優れた単一モード(単一次数)のスペクトルを得る
ためには微細かつ正確な回折格子の格子周期(Ａ)を得る
ことが要求される。
【０００４】従来のＤＦＢ−レーザーダイオードの回折
格子製造技術を図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明する
と、次の通りである。
格子製造技術を図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明する
と、次の通りである。
【０００５】先ず、ＩｎＰ基板１にＩｎＧａＡｓ吸収層
２及びＩｎＰキャップ層３を成長させ、ＳｉＮ(又はＳ
ｉＯ２)薄膜を蒸着した後、一般的な写真食刻工程と湿
式食刻工程を通じて図１Ａに示したように回折格子を形
成しない部分のみにＳｉＮ薄膜パターン５，５５が残る
ようにする。
２及びＩｎＰキャップ層３を成長させ、ＳｉＮ(又はＳ
ｉＯ２)薄膜を蒸着した後、一般的な写真食刻工程と湿
式食刻工程を通じて図１Ａに示したように回折格子を形
成しない部分のみにＳｉＮ薄膜パターン５，５５が残る
ようにする。
【０００６】次に、構造全体の上部に回折格子製造用の
感光膜を塗布した後、露光及び現像工程を通じて回折格
子の所定格子周期に対応する間隔で配列された感光膜マ
スクパターンを形成する(図示せず)。
感光膜を塗布した後、露光及び現像工程を通じて回折格
子の所定格子周期に対応する間隔で配列された感光膜マ
スクパターンを形成する(図示せず)。
【０００７】その後、図１Ｂに示したように、感光膜パ
ターンを食刻マスクとして用いて下部のＩｎＰキャップ
層３及びＩｎＧａＡｓ吸収層２を食刻した後、感光膜パ
ターン及びＳｉＮ薄膜の一定部分５５を取り除く。この
ような過程によりＳｉＮ薄膜の存在する部分は食刻され
ず、その他の部分のみが食刻されて選択的に回折格子を
製造することができる。
ターンを食刻マスクとして用いて下部のＩｎＰキャップ
層３及びＩｎＧａＡｓ吸収層２を食刻した後、感光膜パ
ターン及びＳｉＮ薄膜の一定部分５５を取り除く。この
ような過程によりＳｉＮ薄膜の存在する部分は食刻され
ず、その他の部分のみが食刻されて選択的に回折格子を
製造することができる。
【０００８】しかし、上述した従来の方法では、回折格
子を形成しない領域に形成されるＳｉＮ薄膜パターン上
に回折格子製造用の感光膜を塗布する場合、図１Ｂの
“Ａ”部分で感光膜の接着力弱化により感光膜４が剥が
れるといった感光膜剥がれ(peel-off)現象が発生する。
さらに、以後の回折格子の形成のための湿式食刻時にお
ける拡散現象によりＳｉＮ膜の境界部分(図１Ｂの
“Ｂ”)の食刻率が増加して食刻の均一度が低下すると
いう問題点もある。
子を形成しない領域に形成されるＳｉＮ薄膜パターン上
に回折格子製造用の感光膜を塗布する場合、図１Ｂの
“Ａ”部分で感光膜の接着力弱化により感光膜４が剥が
れるといった感光膜剥がれ(peel-off)現象が発生する。
さらに、以後の回折格子の形成のための湿式食刻時にお
ける拡散現象によりＳｉＮ膜の境界部分(図１Ｂの
“Ｂ”)の食刻率が増加して食刻の均一度が低下すると
いう問題点もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、選択的な回折格子の形成時に感光膜の剥がれ現
象を防止することのできるレーザーダイオードの回折格
子製造方法を提供することにある。
目的は、選択的な回折格子の形成時に感光膜の剥がれ現
象を防止することのできるレーザーダイオードの回折格
子製造方法を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、優れた食刻均一度を
有する選択的な回折格子を形成するレーザーダイオード
の回折格子製造方法を提供することにある。
有する選択的な回折格子を形成するレーザーダイオード
の回折格子製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明は、半導体基板の所定部位に選択的に回
折格子を製造する方法において、回折格子を形成しよう
とする半導体層の上部全面に所定の格子周期に対応する
間隔で配列される第１感光膜パターンを形成する過程
と、第１感光膜パターンを食刻マスクとして用い下部の
半導体層を食刻して回折格子層を形成する過程と、所定
の回折格子領域以外の回折格子層上部にマスクパターン
を形成する過程と、回折格子層上部に形成したマスクパ
ターンを取り除く過程と、マスクパターンの除去により
露出させた下部の回折格子層を取り除く過程と、を含ん
でなることを特徴とするレーザーダイオードの回折格子
製造方法を提供する。
るための本発明は、半導体基板の所定部位に選択的に回
折格子を製造する方法において、回折格子を形成しよう
とする半導体層の上部全面に所定の格子周期に対応する
間隔で配列される第１感光膜パターンを形成する過程
と、第１感光膜パターンを食刻マスクとして用い下部の
半導体層を食刻して回折格子層を形成する過程と、所定
の回折格子領域以外の回折格子層上部にマスクパターン
を形成する過程と、回折格子層上部に形成したマスクパ
ターンを取り除く過程と、マスクパターンの除去により
露出させた下部の回折格子層を取り除く過程と、を含ん
でなることを特徴とするレーザーダイオードの回折格子
製造方法を提供する。
【００１２】好ましくは、半導体層は、ＩｎＰ基板であ
るとよく、このＩｎＰ基板にＩｎＧａＡｓ吸収層及びＩ
ｎＰキャップ層を順次に積層して形成されるとなおよ
い。
るとよく、このＩｎＰ基板にＩｎＧａＡｓ吸収層及びＩ
ｎＰキャップ層を順次に積層して形成されるとなおよ
い。
【００１３】マスクパターンはＳｉＯ２膜又はＳｉＮ膜
のうちのいずれか一つからなると好ましい。
のうちのいずれか一つからなると好ましい。
【００１４】また、マスクパターンの除去により露出さ
せた下部の回折格子層を取り除く過程は、マスクパター
ンの除去により露出させたＩｎＰキャップ層以外のＩｎ
Ｐキャップ層上部に第２感光膜パターンを形成する過程
と、ＩｎＰキャップ層下部のＩｎＧａＡｓ吸収層を選択
的に食刻して取り除くことにより、ＩｎＧａＡｓ吸収層
上部のＩｎＰキャップ層も剥がされて取り除かれるよう
にする過程と、を含むことが好ましい。
せた下部の回折格子層を取り除く過程は、マスクパター
ンの除去により露出させたＩｎＰキャップ層以外のＩｎ
Ｐキャップ層上部に第２感光膜パターンを形成する過程
と、ＩｎＰキャップ層下部のＩｎＧａＡｓ吸収層を選択
的に食刻して取り除くことにより、ＩｎＧａＡｓ吸収層
上部のＩｎＰキャップ層も剥がされて取り除かれるよう
にする過程と、を含むことが好ましい。
【００１５】さらにまた、ＩｎＧａＡｓ吸収層を選択的
に食刻する過程は、Ｈ３ＰＯ４：Ｈ ２Ｏ２：Ｈ２Ｏを
１：１：４０の比率で混合した溶液で湿式食刻すること
により行われるとよい。
に食刻する過程は、Ｈ３ＰＯ４：Ｈ ２Ｏ２：Ｈ２Ｏを
１：１：４０の比率で混合した溶液で湿式食刻すること
により行われるとよい。
【００１６】さらにまた、第２感光膜パターンを形成す
る過程後に１２０℃以上の温度で少なくとも２分間熱処
理する過程をさらに含むとなお好ましい。
る過程後に１２０℃以上の温度で少なくとも２分間熱処
理する過程をさらに含むとなお好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な一実施例を
添付図面に基づき詳細に説明する。下記の説明におい
て、本発明の要旨のみを明確にする目的で、関連した公
知機能または構成に関する具体的な説明は省略する。
添付図面に基づき詳細に説明する。下記の説明におい
て、本発明の要旨のみを明確にする目的で、関連した公
知機能または構成に関する具体的な説明は省略する。
【００１８】図２Ａに示したように、ＩｎＧａＡｓ吸収
層２及びＩｎＰキャップ層３を成長させたＩｎＰ基板１
の全面に所定の格子周期に対応する間隔で配列された感
光膜パターンを形成した後、この感光膜パターンを食刻
マスクとして用いて下部のＩｎＰキャップ層３及びＩｎ
ＧａＡｓ吸収層２を順次に食刻してＩｎＰ基板１の全面
に回折格子を形成する。この場合、ＩｎＰ基板１の全面
にかけて均一な回折格子を製造することができる。
層２及びＩｎＰキャップ層３を成長させたＩｎＰ基板１
の全面に所定の格子周期に対応する間隔で配列された感
光膜パターンを形成した後、この感光膜パターンを食刻
マスクとして用いて下部のＩｎＰキャップ層３及びＩｎ
ＧａＡｓ吸収層２を順次に食刻してＩｎＰ基板１の全面
に回折格子を形成する。この場合、ＩｎＰ基板１の全面
にかけて均一な回折格子を製造することができる。
【００１９】次に、図２Ｂに示したように、構造全体の
上部にＳｉＯ２(又はＳｉＮ)薄膜を蒸着する。その後、
一般的な写真食刻(lithography)工程と食刻(etching)工
程により所定の回折格子領域以外のＩｎＰキャップ層３
の上部にマスクとして役割を果たすＳｉＯ２膜パターン
５，５５を形成する。
上部にＳｉＯ２(又はＳｉＮ)薄膜を蒸着する。その後、
一般的な写真食刻(lithography)工程と食刻(etching)工
程により所定の回折格子領域以外のＩｎＰキャップ層３
の上部にマスクとして役割を果たすＳｉＯ２膜パターン
５，５５を形成する。
【００２０】次に、写真食刻時の感光膜を取り除いた
後、再度写真食刻工程により感光膜パターンを形成し、
これを食刻マスクとして用いてＩｎＰキャップ層及びＩ
ｎＧａＡｓ層を取り除く部分にあたるＳｉＯ２膜パター
ン５５を取り除く。この際、写真食刻工程時の現像工程
後、次の工程である食刻工程でマスクとして用いられる
フォトレジストの損傷を防止するために１２０℃の高温
で２分以上の熱処理を行う(図示せず)。
後、再度写真食刻工程により感光膜パターンを形成し、
これを食刻マスクとして用いてＩｎＰキャップ層及びＩ
ｎＧａＡｓ層を取り除く部分にあたるＳｉＯ２膜パター
ン５５を取り除く。この際、写真食刻工程時の現像工程
後、次の工程である食刻工程でマスクとして用いられる
フォトレジストの損傷を防止するために１２０℃の高温
で２分以上の熱処理を行う(図示せず)。
【００２１】次に、図２Ｃに示したように、感光膜パタ
ーンをマスクとして用いた状態で、ＳｉＯ２膜パターン
５５の除去により露出させたＩｎＰキャップ層及びＩｎ
ＧａＡｓ層を取り除いて回折格子製造工程を完了する。
この際、ＩｎＰキャップ層及びＩｎＧａＡｓ層の除去工
程時において、下層のＩｎＧａＡｓ層を食刻するために
は、上層のＩｎＰキャップ層を先に取り除くべきである
が、上層のＩｎＰキャップ層を選択的に取り除く場合に
ＩｎＧａＡｓ層の下部にあるＩｎＰ基板が同時に食刻さ
れる問題点がある。また、ＩｎＰキャップ層及びＩｎＧ
ａＡｓ層のいずれかを選択することなく同時に食刻する
場合は数十Aの食刻率の調節が困難であり食刻深さが深
くなるおそれもある。このため、図３の“Ｃ”に示した
ように、段差が発生する恐れがある。そこで、本発明で
は図４Ａ〜図４Ｄに示したリフトオフ(lift‐off)方式
を採用してこのような問題点を解決する。
ーンをマスクとして用いた状態で、ＳｉＯ２膜パターン
５５の除去により露出させたＩｎＰキャップ層及びＩｎ
ＧａＡｓ層を取り除いて回折格子製造工程を完了する。
この際、ＩｎＰキャップ層及びＩｎＧａＡｓ層の除去工
程時において、下層のＩｎＧａＡｓ層を食刻するために
は、上層のＩｎＰキャップ層を先に取り除くべきである
が、上層のＩｎＰキャップ層を選択的に取り除く場合に
ＩｎＧａＡｓ層の下部にあるＩｎＰ基板が同時に食刻さ
れる問題点がある。また、ＩｎＰキャップ層及びＩｎＧ
ａＡｓ層のいずれかを選択することなく同時に食刻する
場合は数十Aの食刻率の調節が困難であり食刻深さが深
くなるおそれもある。このため、図３の“Ｃ”に示した
ように、段差が発生する恐れがある。そこで、本発明で
は図４Ａ〜図４Ｄに示したリフトオフ(lift‐off)方式
を採用してこのような問題点を解決する。
【００２２】まず、図４Ａ及び４Ｂに示したように、Ｓ
ｉＯ２膜パターン除去により露出させたＩｎＰキャップ
層３３以外(所定の回折格子領域、すなわち、ＩｎＰキ
ャップ層及びＩｎＧａＡｓ層を除去しない部分)のＩｎ
Ｐキャップ層３の上部に感光膜マスクパターン４４を形
成する。その後、これを食刻マスクとして用いて、Ｈ ３
ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏを１：１：４０の比率で混合
した溶液で湿式食刻を行う。すなわち、感光膜パターン
４４をマスクとして用いて、ＩｎＧａＡｓ層２２下部の
ＩｎＰ基板１を食刻することなく又は影響を殆ど与えな
い程度の薄い食刻となるように、ＩｎＧａＡｓ層２２を
混合溶液で長時間かけて選択的に食刻する。これによ
り、ＩｎＧａＡｓ層のみを側面食刻(side etching)によ
り食刻して、ＩｎＰキャップ層も同時に剥がすようにす
る(図４Ｃ)。ここで、図４Ａはリフトオフ食刻の初期、
図４Ｂは食刻の後期、図４Ｃは食刻の完了状態をそれぞ
れ示す断面図である。
ｉＯ２膜パターン除去により露出させたＩｎＰキャップ
層３３以外(所定の回折格子領域、すなわち、ＩｎＰキ
ャップ層及びＩｎＧａＡｓ層を除去しない部分)のＩｎ
Ｐキャップ層３の上部に感光膜マスクパターン４４を形
成する。その後、これを食刻マスクとして用いて、Ｈ ３
ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏを１：１：４０の比率で混合
した溶液で湿式食刻を行う。すなわち、感光膜パターン
４４をマスクとして用いて、ＩｎＧａＡｓ層２２下部の
ＩｎＰ基板１を食刻することなく又は影響を殆ど与えな
い程度の薄い食刻となるように、ＩｎＧａＡｓ層２２を
混合溶液で長時間かけて選択的に食刻する。これによ
り、ＩｎＧａＡｓ層のみを側面食刻(side etching)によ
り食刻して、ＩｎＰキャップ層も同時に剥がすようにす
る(図４Ｃ)。ここで、図４Ａはリフトオフ食刻の初期、
図４Ｂは食刻の後期、図４Ｃは食刻の完了状態をそれぞ
れ示す断面図である。
【００２３】図４Ｄに示したように、マスクとして用い
る感光膜パターン４４を取り除くと、選択的な回折格子
の製作が完了する。
る感光膜パターン４４を取り除くと、選択的な回折格子
の製作が完了する。
【００２４】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、感光
膜の剥がれ現象によるパターン不均一を防止して均一度
を高めることができ、パターン縁部における食刻不均一
を解決し安定した工程を確保することにより、素子製作
の安定性を得ることができる。
膜の剥がれ現象によるパターン不均一を防止して均一度
を高めることができ、パターン縁部における食刻不均一
を解決し安定した工程を確保することにより、素子製作
の安定性を得ることができる。
【００２５】以上、具体的な一実施例を参照して説明し
たが、本発明はこれに限られるものではなく、各種の変
形が本発明の特許請求の範囲を逸脱しない限り、該当技
術分野における通常の知識をもつ者により可能なのは明
らかである。
たが、本発明はこれに限られるものではなく、各種の変
形が本発明の特許請求の範囲を逸脱しない限り、該当技
術分野における通常の知識をもつ者により可能なのは明
らかである。
【図１】Ａ、Ｂは従来のＤＦＢ−レーザーダイオードの
回折格子製造技術を示した平面図。
回折格子製造技術を示した平面図。
【図２】Ａ〜Ｃは本発明の一実施例による回折格子の製
造過程を示した平面図。
造過程を示した平面図。
【図３】回折格子を形成するための食刻時の段差発生状
態を示した図。
態を示した図。
【図４】Ａ〜Ｄは本発明によるリフトオフ食刻過程を示
した断面図。
した断面図。
１ ＩｎＰ基板
２，２２ ＩｎＧａＡｓ吸収層
３，３３ ＩｎＰキャップ層
４４ 感光膜パターン
５，５５ ＳｉＯ２(又はＳｉＮ)膜パターン５，５５
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板の所定部位に選択的に回折格
子を製造する方法において、 回折格子を形成しようとする半導体層の上部全面に所定
の格子周期に対応する間隔で配列される第１感光膜パタ
ーンを形成する過程と、 前記第１感光膜パターンを食刻マスクとして用い下部の
前記半導体層を食刻して回折格子層を形成する過程と、 所定の回折格子領域以外の前記回折格子層上部にマスク
パターンを形成する過程と、 前記回折格子層上部に形成した前記マスクパターンを取
り除く過程と、 前記マスクパターンの除去により露出させた下部の前記
回折格子層を取り除く過程と、を含んでなることを特徴
とするレーザーダイオードの回折格子製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体層はＩｎＰ基板である請求項
１記載のレーザーダイオードの回折格子製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体層はＩｎＰ基板にＩｎＧａＡ
ｓ吸収層及びＩｎＰキャップ層を順次に積層して形成さ
れる請求項１記載のレーザーダイオードの回折格子製造
方法。 - 【請求項４】 前記マスクパターンはＳｉＯ２膜又はＳ
ｉＮ膜のうちのいずれか一つからなる請求項１又は請求
項３に記載のレーザーダイオードの回折格子製造方法。 - 【請求項５】 前記マスクパターンの除去により露出さ
せた下部の前記回折格子層を取り除く過程は、 前記マスクパターンの除去により露出させた前記ＩｎＰ
キャップ層以外の前記ＩｎＰキャップ層の上部に第２感
光膜パターンを形成する過程と、 前記ＩｎＰキャップ層下部の前記ＩｎＧａＡｓ吸収層を
選択的に食刻して取り除くことにより、前記ＩｎＧａＡ
ｓ吸収層上部のＩｎＰキャップ層も剥がされて取り除か
れるようにする過程と、を含む請求項４記載のレーザー
ダイオードの回折格子製造方法。 - 【請求項６】 前記ＩｎＧａＡｓ吸収層を選択的に食刻
する過程は、Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏを１：１：
４０の比率で混合した溶液で湿式食刻することにより行
われる請求項５記載のレーザーダイオードの回折格子製
造方法。 - 【請求項７】 前記第２感光膜パターンを形成する過程
後に１２０℃以上の温度で少なくとも２分間熱処理する
過程をさらに含む請求項５記載のレーザーダイオードの
回折格子製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-5872 | 2002-02-01 | ||
| KR10-2002-0005872A KR100464353B1 (ko) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | 레이저다이오드의 회절격자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234536A true JP2003234536A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27656358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003020215A Pending JP2003234536A (ja) | 2002-02-01 | 2003-01-29 | レーザーダイオードの回折格子製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6897080B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003234536A (ja) |
| KR (1) | KR100464353B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017202807B4 (de) | 2017-02-21 | 2019-03-21 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Spannungsregulierer mit verbesserter Treiberstufe |
| KR200496755Y1 (ko) | 2021-12-03 | 2023-04-18 | 김완수 | 변기커버 젖힘 기능을 갖는 슬리퍼 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126606A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 回折格子の製造方法 |
| JPH06347628A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Canon Inc | 回折格子の形成方法 |
| JPH07198922A (ja) * | 1994-01-07 | 1995-08-01 | Canon Inc | 回折格子の作製方法 |
| JP3714430B2 (ja) * | 1996-04-15 | 2005-11-09 | シャープ株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| JP3298619B2 (ja) * | 1998-06-10 | 2002-07-02 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| KR100424774B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 선택영역회절격자형성과선택영역성장을위한마스크및이를이용한반도체소자의제조방법 |
| JP2000277869A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2003023209A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
| US6750478B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-06-15 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for suppressing fabry perot oscillations |
| US6829285B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity |
| KR100453814B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2004-10-20 | 한국전자통신연구원 | 이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조 방법 |
-
2002
- 2002-02-01 KR KR10-2002-0005872A patent/KR100464353B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-01-09 US US10/339,431 patent/US6897080B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-29 JP JP2003020215A patent/JP2003234536A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030147447A1 (en) | 2003-08-07 |
| KR100464353B1 (ko) | 2005-01-03 |
| KR20030065839A (ko) | 2003-08-09 |
| US6897080B2 (en) | 2005-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003234536A (ja) | レーザーダイオードの回折格子製造方法 | |
| JP4093606B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2000124539A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
| JP2004063633A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH09148666A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3173803B2 (ja) | 回折格子の作成方法 | |
| JP2506019B2 (ja) | 透過マスクの製造方法 | |
| KR100318272B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
| JP4534763B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS58100424A (ja) | リソグラフイ用↑¬合せマ−クの形成方法 | |
| JPH0883953A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH09260775A (ja) | 光半導体装置の製造方法，及び光半導体装置 | |
| JPH0829606A (ja) | 位相シフト回折格子の作製方法 | |
| KR100532333B1 (ko) | 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법 | |
| JPS62165392A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2001264994A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002270946A (ja) | 半導体光集積素子の製造方法 | |
| JPH0918085A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS61174635A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09106936A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体基板 | |
| JPH06347628A (ja) | 回折格子の形成方法 | |
| KR100932326B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 | |
| JPS6381885A (ja) | 位相シフト型回折格子の製造方法 | |
| JPH0221681A (ja) | 位相シフト回折格子の製造方法 | |
| JPH05142404A (ja) | 回折格子及びその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040712 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040803 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060328 |