KR20030011634A - 웨이퍼처리부재 - Google Patents

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Abstract

모든 평면방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와, 기초재를 도포하는 세라믹피막으로 이루어지는 웨이퍼처리부재이다. 기초재는 두께가 3mm 이하이고, 기초재와 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 모든 평면방향으로 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하로 되어 있다.

Description

웨이퍼처리부재{Wafer processing member}
본 발명은 반도체 열처리작업 시에 이용되는 반도체부재에 관한 것으로, 특히, 반도체웨이퍼에 열처리작업을 할 때 이용되는 웨이퍼처리부재에 관한 것이다.
세라믹피막(ceramic film)으로 도포된 기초재(基礎材)(base material)로 형성된 반도체부재는 지금까지는 생성처리에서의 에피텍셜 성장단계 혹은 플라즈마 CVD 단계에서 주로 이용되어 왔다.
여러 블록들의 조합은 웨이퍼가 가열될 때 이용되는 부재로서 이용될 수도 있다. 그러한 조합형 부재는 조합이 원활하게 행해지는 것과, 그 간격이 극히 작게 되는 것이 요구된다.
종래의 웨이퍼처리부재에서는, 제품 각 부분의 형태가 조정될 수 있으나 라운드니스(roundness) 및 조합에 대해서는 고려하지 않고 있다. 또한, 기초재의 물리적 특성을 신중히 선택하여 종래의 웨이퍼처리부재가 변형되는 것이 방지된다.
종래의 기초재의 열팽창계수는 방향에 따라 다르게 되어 있다. 그래서, 종래의 기초재를 이용하는 웨이퍼처리부재는 기초재의 치수가 열팽창 양의 변동에 의해 방향에 따라 변하기 때문에 사용시 변형될 수 있다. 이러한 변형의 문제는 고치수정밀도가 엄격히 요구되는 조합형 부재와 같은 웨이퍼처리부재에서는 특히 현저하다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 종래의 웨이퍼처리부재는 기초재(22)의 단지 한쪽면에 함몰부(23)를 제공하고, 기초재(22)의 전체 면에 세라믹피막(24)으로 도포하여 형성된다.
사용후의 세라믹피막의 두께는 사용전의 세라믹피막의 두께에 비해서 약 5μm에서 20μm 정도 침식되어 있다. 시간의 경과에 따라 세라믹피막의 그러한 변동은 웨이퍼처리부재의 변형을 일으키기도 한다. 또한, 웨이퍼처리부재는 그 외주부에 부가되는 내부 응력이 균일하게 될 수 없기 때문에 변형되는 문제가 있다.
따라서, 열처리 등에서 웨이퍼처리부재가 이용될 경우에도 열팽창에 의해 변형되는 것이 방지되는 웨이퍼처리부재가 강력히 요구되고 있다.
본 발명은 이러한 점들을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼처리부재가 열처리시에 이용될 경우에도 열팽창에 의해 변형이 방지되는 웨이퍼처리부재를 제공하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼처리부재를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 웨이퍼처리부재를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 웨이퍼처리부재를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 웨이퍼처리부재를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼처리부재의 사용상태를 나타낸 개요도이다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼처리부재가 실시예에서 사용될 때의 상태를 나타낸 설명도이다.
도 7은 종래의 웨이퍼처리부재를 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호설명
1. 웨이퍼처리부재2. 기초재
3,4. 함몰부5. 세라믹피막
본 발명의 제 1관점에 의하면, 모든 평면방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와; 상기 기초재를 도포하는 세라믹피막을 포함하여 이루어지고, 상기 기초재는 두께가 3mm 이하이고, 상기 기초재와 상기 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 모든 평면방향으로 상기 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다.
본 발명의 제 2관점에 의하면, 3차원방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와; 상기 기초재를 도포하는 세라믹피막을 포함하여 이루어지고, 상기 기초재의 3차원방향으로, 상기 기초재와 상기 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 3차원 방향으로 상기 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다.
상기 기초재의 쇼어강도는 60 이상 70 이하의 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하다.
상기 기초재의 양쪽 면에 함몰부가 형성된 것이 바람직하다.
상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 서로 형상이 같은 것이 바람직하다.
상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 상기 기초재의 중심평면에 대해서 서로 대칭인 것이 바람직하다.
상기 기초재는 카본으로 이루어지고, 상기 세라믹피막은 SiC로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 카본기초재의 열팽창계수는 4.8×10-6이상 5.3×10-6/℃ 이하의 범위 내에서 선택되는 것이 바람직하다.
(실시형태)
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼처리부재의 제 1실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼처리부재를 나타낸 단면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼처리부재(1)는 기초재(2)와, 기초재(2)의 한쪽 면에 형성된 함몰부(3)와, 기초재(2)의 다른쪽 면에 형성된 함몰부(4)와, 기초재(2)를 도포하고 있는 세라믹피막(5)을 포함하여 구성된다.
기초재(2)는 모든 평면(in-plane) 방향으로 등방성인 기초재로 구성되어 있다. 기초재(2)의 두께는 3mm 이하이다. 기초재와 세라믹피막 사이의 열팽창계수의 차이는 0.6×10-6/℃~1.2×10-6/℃의 범위 내에서 균일하게 되어 있다. 모든 평면 방향으로의 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하이다.
기초재(2)는 모든 평면 방향으로 열팽창계수에 있어서 등방성으로 되어 있다. 기초재(2)의 열팽창계수는 두께(깊이) 방향으로 변동되고, 기초재(2)의 두께는 3mm 이하로 되어 있다. 따라서, 기초재(2)의 열팽창계수가 두께(깊이)방향으로 균일하지 않은 경우에도, 결과물인 웨이퍼처리부재의 치수는 두께(깊이)방향으로 변동이 매우 작고, 따라서 3차원 방향으로 높은 치수정밀도를 얻을 수 있게 된다.
기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이가 0.6×10-6에서 1.28×10-6/℃의 범위에서 선택되면, 세라믹피막 내에서 항시 압축잔류응력을 생성할 수 있고, 이에 따라 기초재가 변형되거나 세라믹피막에 크랙이 발생되는 것이 방지되게 된다.
기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이가 0.6×10-6/℃ 보다 작으면, 기초재(2)의 형태에 의해 부분적인 인장(引張)(tensile) 잔류응력이 세라믹피막(5)에 인가되기 때문에 세라믹피막(5)에 크랙이 발생할 수도 있다. 기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이가 1.2×10-6/℃보다 크면, 기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이가 너무 크기 때문에 세라믹피막(5)에 생성된 과도한 압축 잔류응력으로 인해 기초재(2)가 변형되거나 세라믹피막(5)에 크랙이 발생될 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이 함몰부(3)는 원형으로 형성되고, 예를 들어 1mm의 깊이를 갖는다. 함몰부(4)는 함몰부(3)와 같은 형태를 가지고 있고, 예를 들면 0.5mm의 깊이를 갖는다. 즉, 함몰부(3,4)는 중심면(c)에 대해서 서로 면대칭이 아니다. 함몰부(4)가 제공되는 이유는 기초재(2)의 외주부에 인가되는 힘을 균일하게 하여, 웨이퍼처리부재(1)(기초재(2))가 변형되는 것을 방지하기 위한 것이다. 그렇게 하는 이유는 또한 세라믹피막이 시간이 경과함에 따라 변화(사용후의 막두께의 침식이 5~10μm 정도)하는 경우에도 세라믹피막의 변동으로 인해 웨이퍼처리부재(1)(기초부재(2))가 변형되는 것을 방지하기 위한 것이기도 하다.
세라믹피막(5)으로 기초부재(2)를 도포하는 처리는 일반적으로 1000℃~2000℃의 고온에서 수행된다. 기초재(2)는 상온의 형상보다도 열팽창계수에 따라 팽창한다. 이 상태에서, 기초재(2)에 세라믹피막(5)이 도포된다. 기초재(2)가 세라믹피막(5)으로 도포된 후에 온도가 상온으로 복귀되면, 기초재(2)는 수축하려고 한다. 하지만, 기초재(2)에 세라믹피막(5)이 도포되어 있기 때문에, 수축시의 기초재(2)의 변화량이 팽창시보다도 작게 된다. 세라믹피막(5)의 두께는 가능한 한 균일한 것이 바람직하다. 세라믹피막(5)의 두께가 평면상 불균일하면, 세라믹피막(5)에서 생성되는 압축잔류응력이 너무 불균일하게 되어 웨이퍼처리부재(1)가 보트형상으로 변형될 수도 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 함몰부(3a,4a)는 중심면(c)에 대해서 서로 면대칭이 되는 형상관계에 있을 수 있다. 또는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 함몰부(3b,4b)는 설계 및 사용 조건 등을 고려하여 서로 형상이 다르게 되어 있을 수도 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼처리부재가 에피텍셜성장단계에서 이용될 경우, 온도조절이 다양하게 수행될 수 있다. 하지만, 웨이퍼처리부재(1)는 모든 평면 방향으로 기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이가 0.6×10-6~1.2×10-6/℃의 범위에서 균일하게 되고, 모든 평면 방향으로 기초재의 열팽창계수의 변동이 0.05×10-6/℃ 이하가 되도록 구성되어 있다. 따라서, 모든 평면 방향으로 변형의 차이가 없게 된다. 또한, 기초재(2)의 두께는 3mm 이하이다. 따라서, 기초재(2)의 열팽창계수가 두께(깊이) 방향으로 균일하지 않은 경우에도, 3차원방향에서의 치수변화의 차이가 적게 된다. 따라서, 웨이퍼처리부재(1)(기초재(2))가 변형되지 않게 된다. 세라믹피막이 시간이 경과함에 따라 변화하는 경우에도, 웨이퍼처리부재(1)(기초재(2))가 세라믹피막의 변화에 의해 변형되는 것이 없게 된다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼처리부재의 제 2실시형태에 대해서 아래에 설명한다.
제 1실시형태에서는, 기초재(2)의 두께는 3mm 이하이고, 기초재(2) 및 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이는 0.6×10-6~1.2×10-6/℃의 범위 내에서 균일하고, 모든 평면방향에서의 기초재(2)의 열팽창계수의 변화는 0.05×10-6/℃이었다. 한편, 제 2실시형태에서는, 기초재(2)의 두께가 한정되지 않고, 3차원방향으로 기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수의 차이가 0.06×10-6~1.2×10-6/℃이고, 3차원방향에서의 기초재(2)의 열팽창계수의 변동이 0.05×10-6/℃ 이하가 되도록, 웨이퍼처리부재가 구성되어 있다.
제 2실시형태에 따른 기초재는, 3차원 방향, 즉, 모든 평면방향과 두께(깊이)방향에서의 기초재(2)와 세라믹피막(5) 사이의 열팽창계수에서의 차이가 0.6×10-6/℃~1.2×10-6/℃의 범위 내에서 균일하게 되고, 3차원방향에서의 기초재(2)의 열팽창계수의 변동이 0.05×10-6/℃ 이하가 되도록, 형성되어 있다.
기초재(2)는 3차원 방향의 열팽창계수가 등방성으로 되어 있다. 따라서, 기초재(2)의 두께가 3mm 이하인 경우에도, 평면방향 및 두께(깊이)방향에서의 변형에 차이가 없게 된다. 웨이퍼처리부재(1)(기초재(2))가 고온의 열처리에 이용될경우에도, 웨이퍼처리부재(1)(기초재(2))는 변형되지 않는다. 또한, 시간의 경과에 따라 세라믹피막이 변화하는 경우에도, 웨이퍼처리부재(기초재)가 세라믹피막의 변동에 의해 변형되지 않게 된다.
또한, 본 발명의 제 3실시형태의 웨이퍼처리부재에 대해서 설명한다.
제 3실시형태의 웨이퍼처리부재는 60이상 70이하의 쇼어경도(Shore hardness)를 갖는 기초재가 웨이퍼처리부재에서 이용되고, 예를 들면 카본이 기초재로 이용되고, SiC가 기초재를 도포하는 세라믹피막으로 이용되는 것을 제외하면, 제 1 또는 제 2실시형태와 같은 방식으로 구성된다.
기초재(2)의 쇼어경도가 60 이상 70이하의 범위내에서 선택되면, 여러 번의 열사이클(heat cycle)에 대해서도 기초재(2)가 변형되지 않아서 기초재(2)가 사용될 수 있는 회수를 증가시킬 수 있다. 쇼어경도가 60보다 작으면, 기초재는 너무 부드러워서 고온에서 변형되게 된다. 쇼어경도가 70보다 크면, 기초재는 너무 딱딱하여 부러지게 된다.
카본을 기초재로서 사용하는 것이 바람직한 이유는, 카본이 고온내열성이 우수하고 순도가 높기 때문이다. SiC를 세라믹피막으로 사용하는 것이 바람직한 이유는, 카본과 SiC 사이의 열팽창계수의 차이가 감소될 수 있기 때문이다.
제 3실시형태에 의하면, 반도체제조과정과 같은 800℃ 이상의 고온과 상온을 이용한 열사이클을 반복하여도 변형에 강한 웨이퍼처리부재가 얻어질 수 있다.
[실시예]
카본으로 이루어진 기초재와, SiC로 이루어진 세라믹을 포함하고 있는 웨이퍼처리부재를 일반적인 웨이퍼처리부재로서 이용할 수 있다.
[시험 1]
표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같은 본 발명에 의한 웨이퍼처리부재의 범위내(기초재와 세라믹피막과의 열팽창계수 차이가 0.6×10-6/℃~1.2×10-6/℃)에 있는 카본기초재(실시예 1~4)와, 범위 밖에 있는 카본기초재(비교예 1~4)를 준비하였다. 카본기초재는 각각 직경을 350mm으로 가공하였다. 기초재의 중심부에는 직경 300mm의 함몰부를 형성하였다. 그리고, 카본기초재 가각에는 60μm 두께의 SiC막으로 도포하였다. 도 6에 나타낸 바와 같은 방향(A,B)에서 치수를 측정하였다.
그 측정결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.
실시예 1 및 2에서 각각 얻어진 웨이퍼처리부재는 거의 변형이 없었으며, 크랙도 없음을 알아냈다. 한편, 비교예 1 및 2에서 각각 얻어진 웨이퍼처리부재에서는 변형 또는 크랙이 발생하여, 처리된 웨이퍼 내에서 오염이나 슬리핑(slipping) 등의 문제가 발생함을 알아냈다.
실시예 3 및 실시예 4는 모두 치수차이가 극히 적음을 알아냈다. 한편, 비교예 3 및 4에서는 각각 치수차이가 매우 커서, 실시예 4의 약 30배에 해당함을 알아내었다.
[시험 2]
시험 1에서의 실시예에서 이용된 것과 같은 웨이퍼처리부재를 사용하였다. 웨이퍼처리부재 각각에서 기초재로 이용된 카본의 쇼어경도를 표 3에서와 같이 변화시켰다. 웨이퍼처리부재 각각을 1100℃의 화로(furnace) 내에 10분간 배치하고, 화로 밖으로 꺼낸 뒤 20분간 배치하는 열사이클의 내열시험을 수행하였다. 10번의 열사이클 후에 웨이퍼처리부재 각각의 상태를 시험하였다.
시험결과는 표 3에 나타낸 바와 같다.
기초재카본의 쇼어경도가 60 이상 70이하의 범위 내에 있는 실시예 5~7의 웨이퍼처리부재는 모두 변형이 없음을 알아냈다. 한편, 쇼어경도가 50인 비교예 5 및 쇼어경도가 57인 비교예 6의 웨이퍼처리부재는 모두 변형이 발생함을 알아냈다. 또, 비교예 7에서 얻어진 쇼어경도가 71인 웨이퍼처리부재는 파손됨을 알아냈다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼처리부재가 열처리에 이용되어도 열팽창으로 인한 열변형이 없는 웨이퍼처리부재가 제공될 수 있다.
즉, 모든 평면방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와; 기초재를 도포하는 세라믹피막을 포함하여 이루어지고, 기초재는 두께가 3mm 이하이고, 기초재와 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 모든 평면방향으로 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다. 따라서, 모든 평면방향에서의 변동에 차이가 없으므로, 기초재는 모든 방향에서 변형되지 않는다. 또한, 기초재의 열팽창계수가 두께(깊이)방향으로 균일하지 않은 경우에도, 모든 평면방향에서의 변동 차이가 적게 된다. 따라서, 웨이퍼처리부재(기초재)가 변형되지 않는다.
또한, 3차원방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와; 기초재를 도포하는 세라믹피막을 포함하여 이루어지고, 기초재의 3차원방향으로, 기초재와 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 3차원 방향으로 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다. 따라서, 기초재의 두께가 3mm 이상인 경우에도, 모든 평면 및 두께(깊이) 방향에 있어서 변형에 차이가 없게 된다.
또한, 기초재의 쇼어강도는 60 이상 70 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다. 따라서, 반도체생산공정에서처럼 800℃ 이상의 고온 및 상온을 이용하는 열사이클이 반복되는 경우에도 기초재가 변형되지 않게 된다.
또한, 기초재의 양쪽 면에 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다. 따라서, 기초재의 외주부에 인가되는 힘은 균일하게 되어, 기초재가 변형되는 것을 더욱 효과적으로 막을 수 있다. 또한, 세라믹피막이 시간이 경과함에 따라 변화하여도, 웨이퍼처리부재가 세라믹피막의 변화로 인해 변형되는 것이 없게 된다.
또한, 기초재의 양쪽 면에 형성된 함몰부는 서로 형상이 같은 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다. 따라서, 기초재의 외주부에 인가되는 힘이 효과적으로 균일하게 되어, 웨이퍼처리부재가 변형되는 것이 효과적으로 방지되게 된다.
또한, 기초재의 양쪽 면에 형성된 함몰부는 기초재의 중심평면에 대해서 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재가 제공된다. 따라서, 웨이퍼처리부재가 변형되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.

Claims (24)

  1. 모든 평면방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와;
    상기 기초재를 도포하는 세라믹피막을 포함하여 이루어지고,
    상기 기초재는 두께가 3mm 이하이고, 상기 기초재와 상기 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 모든 평면방향으로 상기 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기초재의 쇼어강도는 60 이상 70 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기초재의 양쪽 면에 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 서로 형상이 같은 것을특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 상기 기초재의 중심평면에 대해서 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기초재는 카본으로 이루어지고, 상기 세라믹피막은 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 카본기초재의 열팽창계수는 4.8×10-6이상 5.3×10-6/℃ 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 기초재의 양쪽 면에 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 서로 형상이 같은 것을특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 상기 기초재의 중심평면에 대해서 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  11. 제 2항에 있어서,
    상기 기초재는 카본으로 이루어지고, 상기 세라믹피막은 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 카본기초재의 열팽창계수는 4.8×10-6이상 5.3×10-6/℃ 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  13. 3차원방향으로 등방성인 재질로 이루어진 기초재(base material)와;
    상기 기초재를 도포하는 세라믹피막을 포함하여 이루어지고,
    상기 기초재의 3차원방향으로, 상기 기초재와 상기 세라믹피막 사이의 열팽창계수에서의 차이는 0.6×10-6이상 1.2×10-6/℃ 이하의 범위 내에 있고, 3차원 방향으로 상기 기초재의 열팽창계수의 변동은 0.05×10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 기초재의 쇼어강도는 60 이상 70 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 기초재의 양쪽 면에 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 서로 형상이 같은 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 상기 기초재의 중심평면에 대해서 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 기초재는 카본으로 이루어지고, 상기 세라믹피막은 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 카본기초재의 열팽창계수는 4.8×10-6이상 5.3×10-6/℃ 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  20. 제 14항에 있어서,
    상기 기초재의 양쪽 면에 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 서로 형상이 같은 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 기초재의 상기 양쪽 면에 형성된 상기 함몰부는 상기 기초재의 중심평면에 대해서 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  23. 제 14항에 있어서,
    상기 기초재는 카본으로 이루어지고, 상기 세라믹피막은 SiC로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 카본기초재의 열팽창계수는 4.8×10-6이상 5.3×10-6/℃ 이하의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리부재.
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