KR20130079875A - 웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치 - Google Patents

웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130079875A
KR20130079875A KR1020120000624A KR20120000624A KR20130079875A KR 20130079875 A KR20130079875 A KR 20130079875A KR 1020120000624 A KR1020120000624 A KR 1020120000624A KR 20120000624 A KR20120000624 A KR 20120000624A KR 20130079875 A KR20130079875 A KR 20130079875A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer carrier
wafer
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
carrier
Prior art date
Application number
KR1020120000624A
Other languages
English (en)
Inventor
정한욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120000624A priority Critical patent/KR20130079875A/ko
Publication of KR20130079875A publication Critical patent/KR20130079875A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01W—METEOROLOGY
    • G01W1/00—Meteorology
    • G01W1/14—Rainfall or precipitation gauges
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F16L55/07—Arrangement or mounting of devices, e.g. valves, for venting or aerating or draining
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F3/00—Measuring the volume flow of fluids or fluent solid material wherein the fluid passes through the meter in successive and more or less isolated quantities, the meter being driven by the flow
    • G01F3/24—Measuring the volume flow of fluids or fluent solid material wherein the fluid passes through the meter in successive and more or less isolated quantities, the meter being driven by the flow with measuring chambers moved during operation
    • G01F3/28—Measuring the volume flow of fluids or fluent solid material wherein the fluid passes through the meter in successive and more or less isolated quantities, the meter being driven by the flow with measuring chambers moved during operation on carriers rotated by the weight of the liquid in the measuring chambers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01G—WEIGHING
    • G01G5/00—Weighing apparatus wherein the balancing is effected by fluid action
    • G01G5/003—Weighing apparatus wherein the balancing is effected by fluid action load-cell construction or mountings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • Ecology (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

실시예는 웨이퍼 캐리어 및 반도체 제조장치에 관한 발명이다.
실시예에 따른 웨이퍼 캐리어는 소정의 반응 챔버의 회전축을 통해 회전하는 스핀들; 상기 스핀들 상에 소정의 웨이퍼가 탑재될 수 있는 복수의 포켓;을 포함하며, 저면에 형성된 제1 포켓; 상기 저면의 반대면인 상면에 형성된 제2 포켓;을 구비할 수 있다.

Description

웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치{WAFER CARRIER AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
실시예는 웨이퍼 캐리어 및 반도체 제조장치에 관한 발명이다.
기판(wafer) 상에 박막을 형성하는 기술 중에 화학적 방식을 이용하는 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)은 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 기판 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.
이러한 화학기상 증착 방법은, 현재 기판 상에 실리콘 막, 산화물 막, 실리콘 질화물 막, 또는 실리콘 산질화물 막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다. 이들 화학 기상 증착에 사용되는 기판 로딩 장치로는 진공방식의 웨이퍼 캐리어(wafer carrier, susceptor)가 많이 사용되고 있다.
일반적으로 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)는 웨이퍼 캐리어(wafer carrier) 상면에 기판을 장착하고, 히터에 의해 가열된 고온의 기판 위에 원료 가스를 유출시켜, 그 웨이퍼 표면상에서 분해반응을 일으켜 박막을 형성하는 화학증착(CVD)의 하나이며, 원료가스 중에 트리메틸갈륨 등의 유기 금속 착물을 포함할 수 있다.
한편, 종래기술에 의한 MOCVD 장비의 웨이퍼 캐리어는 공정 중 상면만을 사용하며 공정 후 사용된 웨이퍼 캐리어는 1회 사용 후 1회 크리닝(Cleaning)하여 사용한다. 즉, 크리닝 공정을 위해 베이크 퍼니스(bake furnace)가 필요하며 유효 면적외 부분의 코팅(Coating) 물질을 제거하는 공정이 필요하다.
이에 따라 종래기술에 의하면 MOCVD설비 1대당 여러 개의 웨이퍼 캐리어(WAFER CARRIER)가 필요하며, 베이크 퍼니스(Bake furnace) 공정과 MOCVD공정의 연속 사용이 불가피하여 종래기술에 의한 MOCVD 공정은 웨이퍼 캐리어를 공정 중 상면만을 사용하므로 비효율적인 면이 있다.
또한, 종래기술에 의하면 2개 이상의 웨이퍼 캐리어(WAFER CARRIER) 사용으로 인해 웨이퍼 캐리어(wafer carrier) 별로 물리적 특성 차이로 인한 공정 변동이 발생할 수 있다.
실시예는 공정 변동이 감소되고, 베이크 퍼니스(Bake furnace) 공정을 생략할 수 있는 웨이퍼 캐리어 및 반도체 제조장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 웨이퍼 캐리어는 소정의 반응 챔버의 회전축을 통해 회전하는 스핀들; 상기 스핀들 상에 소정의 웨이퍼가 탑재될 수 있는 복수의 포켓;을 포함하며, 저면에 형성된 제1 포켓; 상기 저면의 반대면인 상면에 형성된 제2 포켓;을 구비할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 반도체 제조장치는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 소정의 웨이퍼가 탑재될 수 있는 복수의 포켓을 구비하는 웨이퍼 캐리어; 상기 웨이퍼 캐리어의 아래에 배치된 히터; 및 상기 히터를 지지하는 히터 플레이트;를 포함하며, 상기 웨이퍼 캐리어는, 상기 저면에 형성된 형성된 제1 포켓; 상기 저면의 반대면인 상면에 형성된 제2 포켓;을 구비할 수 있다.
실시예에 따른 웨이퍼 캐리어 및 반도체 제조장치는 웨이퍼 캐리어의 상면과 하면을 함께 사용할 수 있어 공정 변동이 감소하고, 베이크 퍼니스(Bake furnace) 공정 삭제를 구현할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 반도체 제조장치의 예시도.
도 2는 실시예에 따른 반도체 제조장치의 웨이퍼 캐리어의 상면도.
도 3은 실시예에 따른 반도체 제조장치의 히터의 사시도.
도 4는 실시예에 따른 반도체 제조장치의 웨이퍼 캐리어의 단면도.
도 5는 종래기술에의한 반도체 제조장치의 웨이퍼 캐리어의 단면도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면 등이 각 웨이퍼, 장치, 척, 부재, 부, 영역 또는 면등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 반도체 제조장치(100)의 예시도이며, 도 2는 실시예에 따른 반도체 제조장치의 웨이퍼 캐리어(130)의 상면도이고, 도 3은 실시예에 따른 반도체 제조장치의 히터의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 반도체 제조장치(100)는 반응 챔버(120), 샤워헤드(122), 회전축(125), 웨이퍼 캐리어(Wafer carrier 또는 susceptor)(130), 히터 플레이트(140), 히터(145) 및 전극 부재(147)를 포함할 수 있다.
상기 반응 챔버(120) 내에는 웨이퍼 캐리어(130)가 결합되며, 상기 웨이퍼 캐리어(130)에는 복수의 포켓(135)이 형성된다. 상기 포켓(135)에는 소정의 웨이퍼(101)가 로딩될 수 있다. 상기 샤워헤드(122)는 반응 챔버(120) 내에 각종 소스(source) 물질 등을 공급해 주며, 이러한 공급 구조에 대해 한정하지는 않는다.
상기 회전축(125)은 웨이퍼 캐리어(130)의 하부에 축 결합되며, 상기 웨이퍼 캐리어(130)를 회전시켜 준다. 상기 히터 플레이트(140)는 상기 웨이퍼 캐리어(130)의 하부에 배치되며, 상기 히터(145)를 지지하게 된다. 상기 히터(145)에서 발생된 열은 상기 웨이퍼 캐리어(130)의 하부를 가열하고, 반응 챔버(120)의 내부 온도를 높여주게 된다.
상기 히터 플레이트(140)의 하부에는 베이스 플레이트(146)가 배치되며, 상기 베이스 플레이트(146)는 수직하게 결합되는 전극 부재(147)를 지지하게 된다.
상기 전극 부재(147)는 오링 결합부(148)를 이용하여 반응 챔버(120)에 결합될 수 있다. 상기 오링 결합부(148)는 상기 전극 부재(147)와의 결합시 가스 누설이 발생되지 않도록 실링하게 된다.
상기 반응 챔버(120) 내에는 샤워헤드(122)를 통해 소스 물질 등이 공급되고, 내부의 웨이퍼 캐리어(130)가 회전 축(125)에 의해 회전하고, 히터(145)에 의해 반응 챔버(120) 내부 및 웨이퍼 캐리어(130)가 가열된다. 이때 상기 유입되는 소스(source) 물질들의 화학 반응에 의해 상기 포켓(135)에 로딩된 웨이퍼(101)의 표면에 반도체 박막이나 절연막 등이 형성된다.
여기서, 상기 반도체 제조장치는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), CVD(chemical vapor deposition) 등의 장비를 포함할 수 있다. 이러한 장비를 이용하여 웨이퍼(101)의 표면에 질화 갈륨계 반도체 발광소자(LED), HEMT(high electron mobility transistor), FET(field effect transistor), 레이저 다이오드 등의 소자가 성장될 수 있다.
상기 웨이퍼(101) 상에 성장되는 반도체층은 질화물 반도체층을 포함하며, 예를 웨이퍼인 사파이어 기판 상에 버퍼층이 형성되고, 상기 버퍼층 위에 n-AlGaN층이 형성되며, 상기 N-AlGaN층 위에 n-GaN층이 형성되며, 상기 n-GaN층 위에 활성층(MQW)이 형성되고, 상기 활성층 위에 P-GaN층이 형성될 수 있다. 상기 각 층의 위/아래에는 다른 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 또한 상기의 화합물 반도체층의 화합물 조성은 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 히터(145)는 상기 히터 플레이트(140) 상에 파이프 형태로 형성되어, 센터 영역부터 외측 영역까지 여러 겹의 열로 연결되어 배열된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 웨이퍼 캐리어(130)는 복수의 포켓(135)이 같은 반경을 갖고 둘레에 배열될 수 있다. 상기 각 포켓(135)의 중심과 웨이퍼 캐리어(130)의 중심은 서로 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 상기 각 포켓(135)에 삽입되는 웨이퍼(101)는 약 6인치(inch)의 직경으로 형성될 수 있고, 이에 따라 각 포켓(135)의 상부 직경이 약 6인치가 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 실시예에 따른 반도체 제조장치의 웨이퍼 캐리어의 단면도이며, 도 5는 종래기술에의한 반도체 제조장치의 웨이퍼 캐리어의 단면도이다.
실시예는 공정 변동이 감소되고, 베이크 퍼니스(Bake furnace) 공정을 생략할 수 있는 웨이퍼 캐리어 및 반도체 제조장치를 제공하고자 한다.
이를 위해, 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어(130)는 반응 챔버(120)의 회전축(125)을 통해 회전하는 스핀들(137) 및 상기 스핀들(137) 상에 소정의 웨이퍼(101)가 탑재될 수 있는 복수의 포켓(135)을 포함하며, 저면에 형성된 제1 포켓(135b) 및 상기 저면의 반대면인 상면에 형성된 제2 포켓(135a)을 구비할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 상기 웨이퍼 캐리어(130)의 측면에는 복수의 캐리어 이동 포트(133)를 구비할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 의한 웨이퍼 캐리어(130)는 상부 캐리어 이동 포트(133a) 및 하부 캐리어 이동 포트(133b)를 구비할 수 있다.
또한, 실시예는 웨이퍼 캐리어(130) 하면의 포켓에서 코팅(Coating) 물질이 휘발됨에 따라 발생할 수 있는 오염을 최소화하기 위해 스핀들(137) 상에 배치되는 코팅 보호부(138)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅 보호부(138)는 스핀들(137) 하부에 형성된 제1 코팅 보호부(138a), 스핀들(137) 상부에 형성된 제2 코팅 보호부(138b)를 포함할 수 있다.
또한, 실시예는 샤워헤드(122) 영역에서 하측으로 Ar 등의 불활성 기체를 불어주어 기판(101)에 휘발되는 코팅물질이 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다.
반면, 종래기술의 웨이퍼 캐리어(30)는 스핀들(37) 상에 상면에만 웨이퍼(W)가 탑재되는 포켓(35)이 구비되고 있으며, 캐리어 이동 포트(33)는 상부 포트만 구비하고 있다.
실시예에 의하면 단일(1개)의 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)를 사용함으로써 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)의 물리적 특성 변동이 최소화되어 공정 변동 감소로 인한 품질 특성 향상될 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 상면과 하면에 포켓(135)이 구비된 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)를 사용함으로써 상면은 증착 공정 프로세스(process)에 활용되고 하면은 공정상 필요한 열(thermal)로 인해 발생한 코팅(Coating) 물질을 휘발시키는 세정(cleaning) 공정을 동시에 진행할 수 있다.
이에 따라 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어 및 반도체 제조장치는 웨이퍼 캐리어의 상면과 하면을 함께 사용할 수 있어 공정 변동이 감소하고, 베이크 퍼니스(Bake furnace) 공정의 생략을 구현할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 반도체 제조장치, 120: 반응 챔버
122: 샤워헤드, 125: 회전축
130: 웨이퍼 캐리어, 140:히터 플레이트
145: 히터, 147: 전극 부재, 135: 포켓

Claims (5)

  1. 소정의 반응 챔버의 회전축을 통해 회전하는 스핀들;
    상기 스핀들 상에 소정의 웨이퍼가 탑재될 수 있는 복수의 포켓;을 포함하며,
    저면에 형성된 제1 포켓;
    상기 저면의 반대면인 상면에 형성된 제2 포켓;을 구비하는 웨이퍼 캐리어.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 캐리어의 측면에는
    복수의 캐리어 이동 포트를 구비하는 웨이퍼 캐리어.
  3. 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내에 소정의 웨이퍼가 탑재될 수 있는 복수의 포켓을 구비하는 웨이퍼 캐리어;
    상기 웨이퍼 캐리어의 아래에 배치된 히터; 및
    상기 히터를 지지하는 히터 플레이트;를 포함하며,
    상기 웨이퍼 캐리어는,
    상기 저면에 형성된 형성된 제1 포켓;
    상기 저면의 반대면인 상면에 형성된 제2 포켓;을 구비하는 반도체 제조장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 캐리어의 측면에는
    복수의 캐리어 이동 포트를 구비하는 반도체 제조장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 잘화물 반도체가 성장되는 반도체 제조장치.
KR1020120000624A 2012-01-03 2012-01-03 웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치 KR20130079875A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120000624A KR20130079875A (ko) 2012-01-03 2012-01-03 웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120000624A KR20130079875A (ko) 2012-01-03 2012-01-03 웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130079875A true KR20130079875A (ko) 2013-07-11

Family

ID=48992184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120000624A KR20130079875A (ko) 2012-01-03 2012-01-03 웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130079875A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115461A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ処理部材
JP2009502039A (ja) * 2005-07-21 2009-01-22 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し回転させるためのシステム
JP2011507266A (ja) * 2007-12-12 2011-03-03 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド ハブを有するウエハキャリア
KR20120036464A (ko) * 2010-10-08 2012-04-18 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 그를 구비한 원자층 증착 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115461A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ処理部材
JP2009502039A (ja) * 2005-07-21 2009-01-22 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し回転させるためのシステム
JP2011507266A (ja) * 2007-12-12 2011-03-03 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド ハブを有するウエハキャリア
KR20120036464A (ko) * 2010-10-08 2012-04-18 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 그를 구비한 원자층 증착 장치

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본 공표특허공보 특표2009-502039호(2009.01.22.) 1부. *
일본 공표특허공보 특표2011-507266호(2011.03.03.) 1부. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI513852B (zh) 化學氣相沉積設備
KR102080926B1 (ko) Gan-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 pvd aln 버퍼
US20110256692A1 (en) Multiple precursor concentric delivery showerhead
US20120000490A1 (en) Methods for enhanced processing chamber cleaning
US20130023079A1 (en) Fabrication of light emitting diodes (leds) using a degas process
JP2012525708A (ja) Ｌｅｄ製造のためのｍｏｃｖｄシングルチャンバスプリットプロセス
JP2009533879A5 (ko)
KR20130046333A (ko) 핵생성 층을 포함하는 질화물 화합물 구조물의 형성
WO2010129292A4 (en) Cluster tool for leds
US20130005118A1 (en) Formation of iii-v materials using mocvd with chlorine cleans operations
KR20150007350A (ko) Iii족 질화물 반도체 필름을 증착하는 방법
TW201218301A (en) Apparatus having improved substrate temperature uniformity using direct heating methods
US20080092819A1 (en) Substrate support structure with rapid temperature change
JP2010251705A (ja) 成膜装置および成膜方法
US20110207256A1 (en) In-situ acceptor activation with nitrogen and/or oxygen plasma treatment
JP2018037537A (ja) 気相成長装置
US20120073503A1 (en) Processing systems and apparatuses having a shaft cover
US20120227667A1 (en) Substrate carrier with multiple emissivity coefficients for thin film processing
JP6760556B2 (ja) 半導体基板の製造方法
KR20200071276A (ko) 대구경 웨이퍼용 웨이퍼 캐리어
KR20130079875A (ko) 웨이퍼 캐리어 및 이를 구비하는 반도체 제조장치
US20120258580A1 (en) Plasma-assisted mocvd fabrication of p-type group iii-nitride materials
US20120083060A1 (en) Integration of cluster mocvd and hvpe reactors with other process chambers
TWI745656B (zh) 氣相成長方法
JP6516483B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体素子とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application