JP2009502039A - ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し回転させるためのシステム - Google Patents
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Abstract
本発明は、ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し、回転させるためシステムであって、処理室の中に配置され、サセプタ(3)を支持することができる支持部材(2)と、持上げガスの流れによって支持部材(2)を持ち上げることができる手段(4)と、回転ガスの流れによって支持部材(2)を回転させることができる手段(5)とを備えるシステムに関する。
Description
本発明は、ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し回転させるためのシステムに関する。
本発明はエピタキシャル反応器の中で特定の用途を見出すものであり、このエピタキシャル反応器は、この場合は一般に「基板」と呼ばれるウェーハの上に薄い均一で規則的な材料の層を析出させるための機械であり、この種の機械は電気部品、特に、集積回路を製造するために用いられる。
エピタキシャル析出材料は、例えば、ケイ素(Si)または窒化ガリウム(GaN)あるいは炭化ケイ素(SiC)とすることができ、反応室で反応する反応ガスを発端として製造される。
エピタキシャル析出プロセスは高温で行われ(典型的には800℃より上)、炭化ケイ素などいくつかの材料に対しては、温度は非常に高い(典型的には約1500℃より上)。
基板は反応器の反応室内で支持物上に置かれる。ある反応器では、支持物は基板の加熱に能動的に関与する。別の反応器では、支持物は基板の加熱に受動的に関与する。反応室の中の基板を支持する部材は、一般に「サセプタ」と呼ばれる。
析出プロセスの間、基板は析出される層の均一性および規則性を向上させるために運動状態に保たれ、一般に、サセプタはその軸周りに回転する。
第1のタイプの反応器では、サセプタは常時反応室の中のままであり、基板は、析出プロセスの開始される前に反応室の中に挿入され、析出プロセスの最後に反応室から引き出される。第2のタイプの反応器では、サセプタは、処理される基板とともに、析出プロセスの開始される前に反応室の中に挿入され、析出プロセスの最後に反応室から処理された基板とともに引き出される。
この第2のタイプの反応器には、サセプタを取り扱う簡単で信頼性のあるシステムを提供するという課題がある。
析出材料が基板の上だけでなくサセプタの上でも析出され、サセプタの上に析出される層の厚さが新たな析出プロセスごとに増加する。サセプタの上に蓄積するこの析出材料が、わずかであるものの、サセプタ自体、特に円板形状のサセプタの中で有害な変形を引き起こすことがあることが出願人によって観察されていることに留意することが重要である。
この変形の問題を解決するため、蓄積された材料を定期的に取り除くことができ、これは例えば塩化水素酸を用いることによって行うことができるが、この取除きプロセスは時間を要するものである。
特許文献1は、ベース部材と、このベース部材の上に重なるメインプラッタと、このメインプラッタの上に重なるサテライトプラッタと、メインプラッタを浮揚させるために駆動ガスの流れを生成するようになされた手段とを備え、前記駆動流れの一部がサテライトプラッタを浮揚させ、回転させるために備えられた状態であるガス駆動回転装置について記載している。
本発明の概略の目的は、上述の問題、具体的には、円板形状のサセプタの場合の解法に貢献するものである。
本発明の第1の具体的な目的は、サセプタの変形によってほとんど影響を及ぼされないサセプタのための支持および回転システムを提供することである。
本発明の第2の具体的な目的は、変形の極めて少ないサセプタを提供することである。
本発明の目的はまた、炭化ケイ素を析出するためのエピタキシャル反応器など非常に高温で作動することのできる処理装置にも適している解法を提供することである。
これらおよび他の目的は、支持および回転システムによって、ならびに本明細書に添付された特許請求の範囲に記載された特徴を有するサセプタによって実現される。
別の態様によれば、本発明はまた、このシステムおよび/またはこのサセプタが用いられる、ウェーハを処理するための装置に関する。
本発明は、本明細書に添付された図面とともに考慮されるべき以下の説明からより明らかとなる。
これら説明および図面は、単に例示であるとみなされるべきであり、したがって、制限的ではないとみなされるべきものである。さらに図面は概略的であり必ずしも一定の縮尺で作成されるものではないことは明らかである。
図1は、本発明によるシステムを極めて概略的に示している。参照番号1は、装置の作動の間、すなわち基板上での析出プロセスの間、実質的に水平な位置に配置される、エピタキシャル反応器の反応室の壁を示す。この壁1には、底面61を有する、実質的に円筒形状のくぼみ6が備えられ、底面61は、例えばその周辺領域61B(具体的には環状形状)に対して1から5mmだけ少しばかり高くなっているその中央領域61A(具体的には円形状)を有する。くぼみ6の中には、ほぼ円板形状の支持部材2、および支持部材2の上に置かれたほぼ円板形状のサセプタ3が収容される。くぼみ6の底面61には、4本の管4A、4B、5A、5Bが開口している。より正確には、管4Aおよび4Bはくぼみ6の軸60に対して好ましくは対称の位置で中央領域61Aの中に開口しており、管5Aおよび5Bはくぼみ6の軸60に対して好ましくは対称の位置で周辺領域61Bの中に開いている。管4Aおよび4Bは、持上げガスの流れを導く働きをし、これにより、部材2を持ち上げ、また、それによって部材2によって支持されるサセプタ3およびサセプタ3によって支持されるどのような基板も持ち上げることができる。管5Aおよび5Bは、回転ガスの流れを導く働きをし、これにより、部材2を回転させ、また、それによって部材2によって支持されるサセプタ3およびサセプタ3によって支持されるどのような基板も回転させることができる。管5Aおよび5Bは、たとえ図1に示されないが、軸60に対して傾斜している。
図1のシステムでは、部材2の直径はサセプタ3の直径に実質的に等しく、当然ながらくぼみ6の直径は部材2およびサセプタ3の直径より適切に大きいことが必要であり、その結果、これら後者はくぼみ6の中を回転することができる。支持部材2は上面21および下面22を有し、サセプタ3は上面31および下面32を有し、図1の実施形態では、これら4つのすべての面は実質的に平面であり、これら面に関する参照番号は、以降中央領域を参照するときはその後にアルファベット「A」が続き、周辺領域を参照するときは「B」が続く。
図2は、本発明によるシステムをわずかに概略的に示している。このシステムは図1のシステムと少し異なり、これら2つのシステムの類似要素は同じ参照番号で関連付けられる。サセプタ3が部材2の直径より少し大きな直径を有し、単一の管4が持上げガスの流れのために備えられ、それが軸60の近傍で開いており、くぼみ6の底面61がさらに成形され、部材2の下面22が適切に成形され、案内手段、具体的には、部材2の回転を案内するためのくぼみ6の中央に案内ピン7があることに留意されたい。
表面61の中央領域61Aは、例えば0.5から1.5mmだけ少しばかり高くなっている障壁62によって囲まれている。部材2の下面22は、例えばその中央領域22A(具体的には、円形状)に対して0.5から1.5mmだけ少しばかり低くなっているその周辺領域22B(具体的には、環状形状)を有し、したがって、領域22Aと領域22Bの間には、段差24(具体的には円形状)が画成される。環状領域22Bは例えば1から5mmだけ高くなっている障壁23によって囲まれ、段差24は障壁62の内側にあり、具体的には、段差24の直径は、回転を可能にし、ガスの通路を妨げないように障壁62の内径より適切に小さい。ピン7用の座25が部材2に設けられ、ピン7用の座63がくぼみ6の中の壁1に設けられる。ピン7が壁1にも部材2にも連結されず、代りに、ピン7が壁1または部材2に一体化され、または組み込まれ、あるいはねじで取り付けられることは好ましいことである。図2の例は、部材2の上のサセプタ3の中心位置決めを可能にすることができる芯出し手段、具体的には、部材2の上面21の中央に置かれる円錐ピンを示している。
図1のシステムおよび図2のシステムの両方で、反応ガスは、好ましくは上面31に実質的に平行な方向で、サセプタ3のこの上面31の上を流れる。
図3は、図1のシステムおよび図2のシステムの両方で用いられるのに適した、本発明のサセプタを示している。サセプタ3は、実質的に円板形状のものであり、上面31と、下面32と、側方の縁部33とを有し、表面31、表面32と縁部33の間の縁は丸くなっている。図3の具体的な実施形態では、サセプタ3が垂直方向において完全に対称的である。表面31上には、基板のための凹部311が設けられ、表面32上には、基板のための凹部321が、凹部311と整列した位置に設けられている。表面31上には芯出し手段が設けられ、この手段は支持部材上においてサセプタ3の中心位置決めをすることを可能にするものであり、具体的には、表面31の中央の円錐のくぼみ312が設けられる。表面32の上には芯出し手段が設けられ、この手段は支持部材上においてサセプタ3の中心位置決めをすることができるものであり、具体的には、表面32の中央にある円錐のくぼみ322が設けられる。
図4は、支持部材2を除いて示す図2のシステムを示している。壁1に設けられたくぼみ6を見ることができ、表面61は、中央領域61Aおよび周辺領域61B、縁部62、ピン7用の座63、ならびに管4、5Aおよび5Bの出口に分けられる。管4は、断面が円形であり、軸60に実質的に平行である。管5Aおよび5Bは軸60に対して傾いているので、これら出口は、これらの断面が円形であるものの、形状は楕円形である。
管4、5Aおよび5Bは、持上げガスの流れおよび回転ガスの流れの両方を送ることができる同じ入口管(図では見ることができない)の分岐である。図4では、上記入口管は、表面61の下にあり、図の配置に対して垂直方向に配置されているので見ることができない。管5Aおよび5Bの出口は、これら傾きによって単一の入口管に対して横方向に少しばかり変位している。くぼみ6の底面61の上、具体的には、その周辺領域61Bの中には、2組の穴64が開いており、第1の組64Aは縁部62近くの周辺に沿って均一に配置され、第2の組64Bはくぼみ6の縁近くの周辺に沿って均一に配置される。穴64は、持上げ流れのガスおよび回転流れのガスを、これらガスが仕事を実行した後、排出する働きをする。穴64は、少なくとも支持部材2における壁1の下、あるいは実質的に少なくともくぼみ6の下に延びる同じ出口管で終端する(図では見ることができない)。図2および図4の実施形態では、実質的には、出口管は、見ることができないが、壁1全体の下に延びている。
くぼみ6の縁には、3個のノッチ、具体的には、前側ノッチ65および2個の後側ノッチ66が設けられている。これらノッチは、サセプタ3を取り扱うためのロボットのアームに取り付けられた工具の係合部材(例えば歯の形)を導入する働きをする。
図5は、図2のシステムの支持部材2を下から示している。下面22は、見ることができ、中央領域22Aおよび周辺領域22B、縁部23、ならびにピン7用の座25に分けられる。
表面22上、具体的には、その周辺領域22Bの中には、スポークのように均一に配置された一連の突起26があり、図5の実施形態の突起26は弓状形状である。突起は、回転ガスの流れを受け、それを部材2の回転に変換する目的を有している。
図6は、くぼみ6の中に、図5の支持部材2および図3のサセプタ3が置かれているという違いがあるが正確に図4に対応する。
以上図示したシステムは、支持部材2の上に配置されるサセプタ3のためのものであり、サセプタ3の上には、エピタキシャル析出プロセスがその上で実行される基板が置かれる。処理の間、ガスが管4の中および管5の中を流れる。ガスは、管4から出てきて、部材2の下面22の中央領域22Aに対して垂直に衝突し、部材2をわずかに持ち上げ、それによってサセプタ3および基板をわずかに持ち上げる。次いで、ガスは、表面22および61それぞれの周辺領域22Bおよび61Bに向かって横方向に流れる。管5から出てくるガスは、部材2の下面22の周辺領域22Bに対して斜めに衝突し、部材2を回転させ、それによってサセプタ3および基板を回転させる。次いで、管4および管5からのガスは穴64を通って出口管に流入する。
上述した技術的効果のために、障壁62、段差24、障壁23および突起26によって重要な役割が果たされる。障壁62は、部材2の下面22の中央領域22Aの下にある圧力室の壁を構成し、障壁62は段差24と相まって迷路壁を形成する。障壁23は、管4および5から来るガスがくぼみ6の縁部に沿って反応室に流入することを妨げる。突起26は、効果的かつ効率的な方法で、管5から来るガスの流れを部材2の回転に変換する。
再び図2および図6を参照すると、工具の係合部材がノッチ65および66の中に容易に導入される、次いで、これら係合部材は、サセプタ3の縁部が支持部材2の縁部から突出するので、サセプタ3を容易に把持することができることが理解できる。したがって、具体的には、くぼみ6の中にそれを挿入することによって支持物2の上にサセプタ3を置くこと、および、具体的には、くぼみ6からそれを引き出すことによって支持部材2からサセプタ3を取り除くことの両方とも容易に行うことができる。
本発明のシステムは、ウェーハ処理装置の処理室の中のサセプタを支持し、回転させる働きをする。
概して、本発明のシステムは、
前記処理室の中に配置され、サセプタを支持することができる支持部材と、
持上げガスの流れによって前記支持部材を持ち上げることができる手段と、
回転ガスの流れによって前記支持部材を回転させることができる手段と、
を備える。
前記処理室の中に配置され、サセプタを支持することができる支持部材と、
持上げガスの流れによって前記支持部材を持ち上げることができる手段と、
回転ガスの流れによって前記支持部材を回転させることができる手段と、
を備える。
この解法によれば、サセプタの回転を、反応室の壁の中で少なくとも1個の大きな穴を多くの場合必要とする複雑で精密な機械的伝達を使用することなしに達成することができる。さらに、サセプタの回転は、サセプタの移動を引き起こす手段がサセプタ自体を制限しないので、その形状またはその寸法のいずれによっても影響を及ぼされない。さらに、持上げ手段が回転手段から分離しているので、2つの手段を、2つの技術的効果を最適化するように独立して設計することができる。最後に、サセプタが支持部材から全く独立しているので、サセプタを取り扱うためのシステムの設計がより容易であり、実際、サセプタは、取り扱われることによりよく適合するために一部分において修正することができる。
本発明によるシステムはまた、処理室の壁、具体的には、処理プロセスの間実質的に水平であることができる壁を備える。この壁は実質的に円筒形状のくぼみを備え、この場合には、支持部材が実質的に円板形状で、くぼみの中に挿入され、好ましくはサセプタもまた実質的に円板形状のものである。これは、図示の例の場合であり、具体的には、壁1、くぼみ6、部材2およびサセプタ3の例である。
好ましくは、壁の中のくぼみが支持部材およびサセプタの両方を実質的に受けるような深さを有する。
このように、反応室の中の反応ガスの流れは、サセプタが壁から突出しないので、本発明によるシステムによる影響を受けない。これは図における例の場合である。
持上げガスの流れおよび回転ガスの流れが、個別の供給源からのものであることは都合がよいことである。このように、2つの技術的効果を、それぞれの供給源を調整することによって相互に独立に制御することができる。
図2の例の場合は、管4、5Aおよび5Bは単一の供給源に連結される同じ入口管の分岐である。代替的には、管4を第1の供給源に連結し、管5Aおよび5Bを第2の供給源にともに連結することができる。2つの供給源、例えば2個のマスフローコントローラ(MFC)は、同じガス、例えば水素、ヘリウムまたはアルゴンのタンクに連結することができる。
支持部材は、回転ガスの流れを受け、それを支持部材の回転に変換することができる突起および/またはくぼみを備えることができる。これは、図5の例の場合であり、具体的には、管5Aおよび5Bから傾いた方向で出てくるガスの流れを受ける突起26からなり、実質的には、これは支持部材2の下面22の上に形成される簡単なタービンである。
好ましくは、突起および/またはくぼみが支持部材の下部周辺領域の中にあることである。これは、図5の実施形態の場合である。このように、回転ガスの流れは、回転の軸(図の中に60で示す)から離れた突起および/またはくぼみに衝突し、したがって、長いレバーアームを有するので、支持部材に大きい値のモーメントを伝達することができる。
支持部材は、持上げガスの流れを受け、それを支持部材の持上げに変換することができる面を備えることができる。この面が支持部材の下部中央領域の中にあることが好ましい。これは図の例の場合である。このように、ガス流は持上げの目的に極めて効果的である。
回転ガスの流れを受ける支持部材の下部周辺領域が、持上げガスの流れを受ける支持部材の下部中央領域から分離していることは好都合である。これは、図の例の場合である。このようにして、2つの表面領域を独立して成形し、2つの技術的効果を最適化することが可能である。図2および図5の例では、成形がよく区別され、障壁、段差、突起およびくぼみが設けられる。
本発明によるシステムは、処理室の中に持上げ流れまたは回転流れのガス(好ましくは両方)を排出しないことができる手段を備え、この手段は支持部材におよび/または反応室の壁に、具体的には、くぼみの中に設けることができる。これは図の例の場合であり(それが図1の中で見ることができなくても)、図2および図4の例では、この手段は障壁23および穴64によって構成される。このようにして、持上げ流れおよび回転流れのガスは、反応室の雰囲気を「汚染」せず、したがって、これら流れのガス量および速度を全く自由に選択することができる。
上述の手段を作るために簡単であるが極めて効果的な方法は、少なくとも支持部材の部分において反応室の壁の下に延び、持上げ流れおよび/または回転流れのガスを排出することができる出口管を設けることである。これは図4の例の場合であり、穴64は、くぼみ6と支持部材2との間に出口管と連通する空間を置く。
支持部材が、支持部材上でサセプタの中心位置決めを可能にすることができる芯出し手段を備えることは好都合である。これは様々な方法で達成することができ、例えば、支持部材の上面に1つまたは複数の芯出し突起(およびサセプタの面の対応する1つまたは複数のくぼみ)を設けることが可能であり、それらの1つは中心にあるものである。また、例えば支持部材の縁に配置された3個以上の小さな歯を設けることができる。
本発明のシステムにおける案内手段、具体的には、支持部材の回転を案内することができる中心ピンを設けることは好都合である。これは、図2の例場合であり、具体的には、中心ピン7からなる場合である。このような案内手段は固定することができず、代替的に、これらは反応器または支持部材の壁に組み込まれ、または連結されることができる。
具体的には、本発明によるシステムは、支持部材が処理室の中に存在したままにすることができ、また、サセプタが、反応室の中に導入され、反応室から引き出されることができる場合における使用に適している。実際、有利なことに、サセプタは支持部材の上に単に配置されるだけである。
本発明によるサセプタは、ウェーハ処理装置、具体的には、エピタキシャル反応器に役立つものである。
概して、本発明によるサセプタは、処理されるウェーハを受けるための凹部を備え、第1の面および第2の面を備えた実質的に円板の形状であり、少なくとも1つの上記凹部が第1の面に設けられ、少なくとも1つの上記凹部が第2の面に設けられている。したがって、重要なのは、前に、サセプタが支持部材に単に置かれ得るという事実によって規定された支持および回転システムとの組合せで有利に用いることができる両面サセプタということである。
サセプタの両方の面が、例えば交互に用いられる場合、擬似成長が両方の面の上で起き、したがって、2つの面上の擬似成長の効果が互いに相殺するので、変形がほとんど制限される。
さらに、支持部材がサセプタによって完全に覆われるので、支持部材は擬似成長から保護され、したがって、その回転は擬似成長によって実質的に影響を及ぼされることがない。
好ましくは、第1の面の凹部が第2の面の凹部とそれぞれ整列される位置にあることである。これは、図3の例の場合である。このようにして、ウェーハの均一な加熱が最大化される。
しかしながら、
A)サセプタの第1の面には、例えば4インチ(10.16cm)ウェーハ用のいくつかの凹部、また、第2の面には例えば6インチ(15.24cm)ウェーハ用のいくつかの凹部があり、または
B)サセプタの第1の面には、例えば4インチ(10.16cm)ウェーハ用のいくつかの凹部、また、第2の面には例えば8インチ(20.32cm)ウェーハ用の単一の凹部がある
ことも可能である。
A)サセプタの第1の面には、例えば4インチ(10.16cm)ウェーハ用のいくつかの凹部、また、第2の面には例えば6インチ(15.24cm)ウェーハ用のいくつかの凹部があり、または
B)サセプタの第1の面には、例えば4インチ(10.16cm)ウェーハ用のいくつかの凹部、また、第2の面には例えば8インチ(20.32cm)ウェーハ用の単一の凹部がある
ことも可能である。
本発明のサセプタが、支持部材上のサセプタの中心位置決めを可能にする芯出し手段を備えることは好都合である。
そのような芯出し手段を作るために様々な可能性がある。サセプタが、特に円板の中央に位置する少なくとも1個の芯出し穴を備えることができる。サセプタは、それぞれの面に、特に円板の中央に位置する好ましくは実質的に円錐形状からなる少なくとも1つの芯出しくぼみを備えることもできる。1つまたは唯一のウェーハがサセプタの中心に位置する必要がある場合、このような芯出し手段はサセプタの中心に位置すべきではない。
既に指摘したように、ウェーハ処理装置の処理室、具体的には、エピタキシャル反応器の反応室からサセプタを引き出し、処理室の中にそれを挿入することができるために簡単で信頼性の高い方法でサセプタを取り扱うことができることが重要である。
具体的な、本発明によるサセプタとともに(単独ではないが)用いられることによく適する第1の解法は、1つまたは複数の吸引カップを備えた工具に基づくものであり、これら吸引カップはウェーハ用の凹部によって塞がれないサセプタの面に密着する必要があり、本発明のサセプタの構造の簡単さによって、サセプタの両方の面に対するこの解法の使用が容易になる。
具体的な、本発明のサセプタとともに(単独ではないが)用いられることによく適する第2の解法は、その縁によってサセプタを把持するために、例えば歯の形態の係合部材を備える工具に基づいたものであり、本発明によるシステムにサセプタから独立した支持部材が存在することによって、この解法の使用が容易になる。
具体的な、本発明のサセプタとともに用いられることによく適した第3の解法は、サセプタが、工具によって把持される、その第1の面またはその第2の面から択一的に突出するように脱着可能に取り付けられることができる、好ましくはキノコ形状の突出部材を備え、当然ながら、次いで、この突出部材を例えばフォーク形の端部またはペンチ状の端部で把持することができる工具を備えることが必要となる。
上述の工具のそれぞれは、サセプタの自動取扱いのためのシステムを形成するようロボットのアームの端部に取り付けられることができる。
既に述べたように、ウェーハを処理するための装置はまた本発明の一態様を構成する。
これは、前に定義されたような支持および回転システム、または前に定義されたようなサセプタを備えることができる。
当然ながら、好ましい実施形態によれば、装置は、システムの支持部材の上に配置されたこのシステムおよびこのサセプタの両方を備える。
典型的には、ウェーハを処理するための装置、具体的には、エピタキシャル反応器は、サセプタを取り扱うためのシステムを備える。
例えば歯の形で係合部材を備える工具を用いることを条件とすると、上に(例えばくぼみの中で)、サセプタおよび/または支持部材が置かれる処理室の水平な壁が、係合部材を容易に導入し、縁部でサセプタを把持するためのノッチを備える(または、より一般的にはくぼみを備える)ことを実現することが都合がよい。
Claims (25)
- ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し、回転させるためのシステムであって、
前記処理室の中に配置され、サセプタ(3)を支持することができる支持部材(2)と、
持上げガスの流れによって前記支持部材(2)を持ち上げることができる手段(4)と、
回転ガスの流れによって前記支持部材(2)を回転させることができる手段(5)と、
を備えたことを特徴とするシステム。 - 前記処理室の壁(1)は実質的に円筒形状のくぼみ(6)を備え、前記サセプタ(3)は好ましくは実質的に円板形状からなり、前記支持部材(2)は、実質的に円板形状からなり、かつ前記くぼみ(6)の中に挿入されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記くぼみ(6)は、前記支持部材(2)および前記サセプタ(3)の両方を実質的に受け入れる深さを有することを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記ガスの流れは分離している供給源からのものであることを特徴とする請求項1、2または3のいずれかに記載のシステム。
- 前記支持部材(2)は、回転ガスの流れを受け、それを前記支持部材(2)の回転に変換することができる突起(26)および/またはくぼみを備えることを特徴とする請求項1、2、3または4のいずれかに記載のシステム。
- 前記突起(26)および/またはくぼみは、前記支持部材(2)の下部周辺領域(22B)にあることを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- 前記支持部材(2)は、持上げガスの流れを受け、それを前記支持部材(2)の持上げに変換することができる面(22A)備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のシステム。
- 前記面(22A)は前記支持部材(2)の下部中央領域にあることを特徴とする請求項7に記載のシステム。
- 前記下部周辺領域(22B)は前記下部中央領域(22A)から分離していることを特徴とする請求項6または8に記載のシステム。
- 前記処理室の中に前記持上げ流れのガスおよび/または前記回転流れのガスを排出しないようにできる手段(23、64)を備えることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載のシステム。
- 前記支持部材(2)が置かれた前記処理室の壁(1)と、
少なくとも前記支持部材(2)のところの前記壁(1)の下に延び、前記持上げ流れの前記ガスおよび/または前記回転流れの前記ガスを排出することができる出口管と
を備えたことを特徴とする請求項10に記載のシステム。 - 前記支持部材(2)は、前記支持部材(2)で前記サセプタ(3)の中心位置決めを可能にする芯出し手段を備えることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載のシステム。
- 前記支持部材(2)の回転を案内することができる案内手段である中心ピン(7)を備えることを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載のシステム。
- 前記支持部材(2)は前記処理室の中に存在したままであり、前記サセプタ(3)は前記反応室の中に導入され、前記反応室から引き出されることができることを特徴とする請求項1ないし13のいずれかに記載のシステム。
- 処理されるウェーハを受けるための凹部を備え、第1の面(31)および第2の面(32)を備えた実質的に円板の形である、ウェーハ処理装置用のサセプタ(3)であって、前記凹部の少なくとも1つ(311)は前記第1の面(31)に設けられ、前記凹部の少なくとも1つ(321)は前記第2の面(32)に設けられることを特徴とするサセプタ。
- 前記第1の面(31)の前記凹部は、前記第2の面(32)の前記凹部とそれぞれ整列された位置にあることを特徴とする請求項15に記載のサセプタ。
- 支持部材(2)において前記サセプタ(3)の中心位置決めを可能にする芯出し手段(312、322)を備えることを特徴とする請求項15または16に記載のサセプタ。
- 少なくとも1個の芯出し穴を備えることを特徴とする請求項17に記載されたサセプタ。
- 前記穴は前記円板の中心に位置することを特徴とする請求項18に記載のサセプタ。
- 前記表面(31、32)のそれぞれに、好ましくは実質的に円錐形状の少なくとも1個の芯出しくぼみ(312、322)を備えることを特徴とする請求項17に記載のサセプタ。
- 前記くぼみ(312、322)は前記円板の中心に位置することを特徴とする請求項20に記載のサセプタ。
- 工具によって把持されることができ、脱着可能に取り付けることができ、前記第1の面(31)または前記第2の面(32)から択一的に突出する突出部材を備えることを特徴とする請求項15ないし21のいずれかに記載のサセプタ。
- 請求項1ないし14のいずれかに記載のシステムを備えることを特徴とするウェーハを処理するための装置。
- 請求項15ないし22のいずれかに記載のサセプタを備えることを特徴とするウェーハを処理するための装置。
- 請求項1ないし14のいずれかに記載のシステム、および前記システムの前記支持部材に配置される請求項15ないし22のいずれかに記載のサセプタを備えることを特徴とするウェーハを処理するための装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/IT2005/000425 WO2007010568A1 (en) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | System for supporting and rotating a susceptor inside a treatment chamber of a water treating apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009502039A true JP2009502039A (ja) | 2009-01-22 |
Family
ID=35517290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008522180A Withdrawn JP2009502039A (ja) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し回転させるためのシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080210169A1 (ja) |
EP (1) | EP1905063A1 (ja) |
JP (1) | JP2009502039A (ja) |
CN (1) | CN101228612A (ja) |
WO (1) | WO2007010568A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7458400B2 (ja) | 2018-12-11 | 2024-03-29 | アイクストロン、エスイー | Cvdリアクタのサセプタ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244396A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Furukawa Co Ltd | 気相成長装置、その基板支持部材 |
US20120225206A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition |
CN102828169A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备 |
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US9269567B2 (en) * | 2013-12-17 | 2016-02-23 | Intermolecular, Inc. | High productivity combinatorial processing using pressure-controlled one-way valves |
CN104743201A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 可兼容多尺寸晶片的托盘结构 |
WO2016118285A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | Applied Materials, Inc. | New susceptor design to eliminate deposition valleys in the wafer |
CN106435719A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-02-22 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构 |
CN108624955B (zh) * | 2017-03-16 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及外延生长设备 |
DE102018123281A1 (de) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit auf einem Gaspolster drehgelagerten Substrathaltern |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2596070A1 (fr) * | 1986-03-21 | 1987-09-25 | Labo Electronique Physique | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan |
EP0449227B1 (en) * | 1990-03-30 | 1995-03-15 | Sony Corporation | Sputtering apparatus |
US5226383A (en) * | 1992-03-12 | 1993-07-13 | Bell Communications Research, Inc. | Gas foil rotating substrate holder |
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US20020170673A1 (en) * | 2000-04-29 | 2002-11-21 | Tanguay Michael J. | System and method of processing composite substrates within a high throughput reactor |
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EP1720200B1 (en) * | 2004-02-25 | 2014-12-03 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Epitaxially growing equipment |
-
2005
- 2005-07-21 US US11/995,891 patent/US20080210169A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-21 JP JP2008522180A patent/JP2009502039A/ja not_active Withdrawn
- 2005-07-21 CN CNA2005800511275A patent/CN101228612A/zh active Pending
- 2005-07-21 WO PCT/IT2005/000425 patent/WO2007010568A1/en active Application Filing
- 2005-07-21 EP EP05778667A patent/EP1905063A1/en not_active Withdrawn
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JP7458400B2 (ja) | 2018-12-11 | 2024-03-29 | アイクストロン、エスイー | Cvdリアクタのサセプタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080210169A1 (en) | 2008-09-04 |
EP1905063A1 (en) | 2008-04-02 |
WO2007010568A1 (en) | 2007-01-25 |
CN101228612A (zh) | 2008-07-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100908 |