KR20030007581A

KR20030007581A - 클린 필러가 배합된 고분자 중합체 조성물

Info

Publication number: KR20030007581A
Application number: KR1020027014851A
Authority: KR
Inventors: 가쯔히꼬 히가시노; 히로유끼 다나까; 다까후미 야마또; 쯔요시 노구찌
Original assignee: 다이낑 고오교 가부시키가이샤
Priority date: 2000-05-09
Filing date: 2001-04-27
Publication date: 2003-01-23
Also published as: JP4374819B2; US20030149159A1; CN1427874A; EP1288263A4; CN1228391C; TW593449B; WO2001085848A1; EP1288263A1; US6946513B2

Abstract

본 발명은 수분 발생량 및 유기계 아웃 가스량이 모두 저감화되어 있는 매우 클린 필러를 사용한 반도체 제조 장치용 성형품 재료로 바람직한 엘라스토머 조성물 및 성형품으로서, 200 ℃에서 2 시간 가열했을 때의 단위 표면적당 중량 감소율이 2.5×10^-5중량％/m²이하이고, 또한 200 ℃에서 15 분 동안 가열했을 때의 유기계 가스의 총발생량이 2.5 ppm 이하인 필러와 고분자 중합체, 특히 가교성 불소 함유 엘라스토머와의 가교성 조성물, 및 그의 가교 성형품을 제공한다.

Description

클린 필러가 배합된 고분자 중합체 조성물 {Polymer Composition Containing Clean Filler Incorporated Therein}

일반적으로 고분자 중합체에는 그 보강용으로 여러가지 무기 필러가 배합되어 있다. 이 필러가 첨가된 중합체는 깨끗한 환경이 요구되는 반도체 제조 장치의 각종 부품용 재료로도 사용되고 있다.

최근, 반도체의 고성능화에 수반되어 점점 더 그의 제조 환경에 의해 보다 고도의 클린화가 요구되고 있으며 단순히 파티클이라고 불리우는 미립자의 배제뿐만이 아니고, 반도체 제조 과정에서 발생되는 가스형 불순물 (일반적으로 "불순물 아웃 가스"라고 함)을 가능한 한 저감화할 수 있도록 요망되고 있다.

이들 불순물 아웃 가스에는 수분 외에도 디옥틸프탈레이트 (DOP) 등의 유기계 가스가 있고, 우선 고분자 중합체측에서의 아웃 가스량의 저감화가 도모되고 있다.

또한, 고분자 중합체 재료에 비교적 많이 포함되어 있는 필러에 대해서도 고도로 클린화하는 것이 필요하다고 생각되며, 우선은 특수한 세정을 실시함으로써, 이어서 수분 발생량을 저감화하기 위해 표면을 실란 커플링제 등으로 처리하고 표면 수산기의 양을 적게 하는 방법을 개발하였다.

그러나 이 방법에서는 수분 아웃 가스의 발생량은 상당히 저감화할 수 있지만, 유기계의 아웃 가스량이 증가할지언정 적어지지 않아, 한층 더 개량의 여지가 있었다.

본 발명자들은 필러의 클린화 처리에 있어서, 필러의 표면을 소수화한 후 불활성 가스 기류하에서 가열함으로써, 수분 아웃 가스량뿐만 아니라 유기계의 아웃 가스를 저감화시킨 필러를 제공할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

본 발명은 수분 발생량과 유기계의 아웃 가스량 중 어느 하나가 저감화된 매우 클린한 필러를 사용한 고분자 중합체 조성물, 반도체 제조 장치에 바람직하게 사용할 수 있는 성형품, 여기에 사용되는 클린화된 필러 및 그의 제법에 관한 것이다.

<발명의 개시>

즉, 본 발명은, 200 ℃에서 2 시간 가열했을 때의 단위 표면적당 중량 감소율 (이하, 간단히 "중량 감소율"이라 함)이 2.5×10^-5중량％/m²이하, 바람직하게는 2.0×10^-5중량％/m²이하, 더욱 바람직하게는 1.5×10^-5중량％/m²이하이고, 또한 200 ℃에서 15 분 동안 가열했을 때의 유기계 가스의 총발생량 (이하, 간단히 "유기계 아웃 가스량"이라 함)이 2.5 ppm 이하, 바람직하게는 2.0 ppm 이하, 더욱 바람직하게는 1.8 ppm 이하인 필러와 고분자 중합체를 포함하는 고분자 중합체 조성물에 관한 것이다.

고분자 중합체로는 가교성 엘라스토머, 예를 들면 가교성 불소계 엘라스토머, 특히 가교성 퍼플루오로 엘라스토머가 바람직하다.

이 고분자 중합체 조성물에 의하면, 종래의 중합체 및 필러의 처리법으로는 달성할 수 없었던, 200 ℃에서 30 분 동안 가열했을 때의 수분 발생량 (이하, 간단히 "수분 발생량"이라 함)이 400 ppm 이하이고, 또한 이 때의 유기계 아웃 가스량이 0.03 ppm 이하인 성형품을 제공할 수 있다.

본 발명의 성형품, 특히 엘라스토머의 가교 성형품은 반도체 제조 장치의 부품, 특히 반도체 제조 장치의 봉지를 위해 사용하는 시일재로서 바람직하다.

본 발명은 또한, 고도로 클린화된 상기 특정한 필러에 관한 것이다.

이들 클린화된 필러는 표면이 소수화 처리된 필러를 질소 가스 등의 불활성 가스 기류하에 100 내지 300 ℃에서 0.5 내지 4 시간 가열 처리함으로써 얻을 수 있다.

필러의 표면 소수화 처리에 사용하는 처리제로서는, 실릴화제, 실리콘오일, 실란 커플링제 등을 바람직하게 사용할 수 있다.

<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>

본 발명에 있어서 바람직하게 사용할 수 있는 필러로서는, 피복층용 수지로의 분산성이나 내약품성, 흡습성, 내플라즈마성, 내전자파 특성 등의 관점에서 선택하는 것이 요구되고, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 할로겐화물, 금속 황화물, 금속염, 금속 수산화물 등의 금속계 필러, 카본 블랙, 흑연화 카본,그래파이트 등의 탄소계 필러의 1종 이상을 예시할 수 있다. 특히 금속계 필러가 내 플라즈마성이 우수하기 때문에 바람직하다.

금속 산화물로는 예를 들면, 산화규소, 산화바륨, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화은, 산화바륨, 산화비스무스, 산화크롬, 산화붕소, 산화카드뮴, 산화구리, 산화철, 산화갈륨, 산화게르마늄, 산화하프늄, 산화이리듐, 산화란탄, 산화리튬, 산화마그네슘, 산화망간, 산화몰리브덴, 산화니오븀, 산화네오디뮴, 산화니켈, 산화납, 산화프라세오디뮴, 산화로듐, 산화안티몬, 산화스칸듐, 산화주석, 산화스트론튬, 산화탄탈, 산화토륨, 산화바나듐, 산화텅스텐, 산화아연, 산화지르코늄 등을 들 수 있고, 내약품성, 화학적 안정성이 우수한 점에서, 산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄이 바람직하다. 보강성의 면에서, 산화 규소가 특히 바람직하다.

금속 질화물로는 예를 들면, 질화리튬, 질화티탄, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화바나듐, 질화지르코늄 등을 들 수 있고, 내플라즈마성, 화학적 안정성, 공업적범용성 등이 우수한 점에서, 질화티탄, 질화알루미늄이 바람직하다.

금속 탄화물로는 예를 들면, 탄화붕소, 탄화칼슘, 탄화철, 탄화망간, 탄화티탄, 탄화규소, 탄화바나듐, 탄화알루미늄 등을 들 수 있고, 내약품성, 화학적 안정성이 우수한 점에서, 탄화규소, 탄화티탄이 바람직하다.

금속 할로겐화물로는 예를 들면, 염화은, 불화은, 염화알루미늄, 불화알루미늄, 염화바륨, 불화바륨, 염화칼슘, 불화칼슘, 염화카드뮴, 염화크롬, 염화세슘, 불화세슘, 염화구리, 염화칼륨, 불화칼륨, 염화리튬, 불화리튬, 염화마그네슘, 불화마그네슘, 염화망간, 염화나트륨, 불화나트륨, 염화니켈, 염화납, 불화납, 염화루비듐, 불화루비듐, 염화주석, 염화스트론튬, 염화탈륨, 염화바나듐, 염화아연, 염화지르코늄 등의 금속 염화물 또는 금속 불화물이나, 이들 브롬화물 또는 요오드화물을 들 수 있고, 흡습성이 작고 화학적 안정성이 우수한 점에서, 불화알루미늄, 불화바륨이 바람직하다.

금속염은 조성식: MnAm (M은 금속, A는 각종 무기산의 잔기, m 및 n은 각각의 가(價)수에 의해서 적절하게 결정된다)으로 표시되는 것이고, 예를 들면, 각종 금속의 황산염, 탄산염, 인산염, 티탄산염, 규산염, 질산염 등을 들 수 있다. 구체예 로는, 예를 들면, 황산알루미늄, 탄산바륨, 질산은, 질산바륨, 황산바륨, 티탄산바륨, 탄산칼슘, 질산칼슘, 인산칼슘, 규산칼슘, 티탄산칼슘, 황산카드뮴, 황산코발트, 황산구리, 탄산제1철, 규산철, 티탄산철, 질산칼륨, 황산칼륨, 질산리튬, 탄산마그네슘, 질산마그네슘, 규산마그네슘, 티탄산마그네슘, 탄산마그네슘, 황산망간, 규산망간, 탄산나트륨, 질산나트륨, 황산나트륨, 규산나트륨, 티탄산나트륨, 황산니켈, 탄산납, 황산납, 탄산스트론튬, 황산스트론튬, 티탄산스트론튬, 탄산아연, 황산아연, 티탄산아연 등을 들 수 있고, 내플라즈마성이나 화학적 안정성이 우수한 점에서, 황산바륨, 황산알루미늄이 바람직하다.

금속 수산화물로는 예를 들면, 수산화칼슘, 수산화마그네슘 등을 들 수 있다.

금속 황화물로는 황화은, 황화칼슘, 황화카드뮴, 황화코발트, 황화구리, 황화철, 황화망간, 이황화몰리브덴, 황화납, 황화주석, 황화아연, 이황화텅스텐 등을 들 수 있다.

이들 중에서, 금속계 필러, 특히 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 탄화물이 일반적으로 흡습성이 작고, 내약품성이 우수한 점에서 특히 바람직하다.

필러는 내플라즈마성의 향상 이외에도 다른 요구 특성에 따라서 적절하게 선택하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 산소 플라즈마 장치의 시일재와 같은 강력한 산소 플라즈마에 노출되는 경우에는 산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄, 불화알루미늄, 황산바륨 등이 바람직하고, 불소 플라즈마에 노출되는 경우는 산화알루미늄, 불화알루미늄, 황산바륨, 질화알루미늄 등이 바람직하고, 또한, 시일재의 과승온 방지를 위한 제열 기구를 실시한 부분에서의 시일재 등과 같은 열전도성이 요구되는 경우에는 흑연화 카본블랙, 그래파이트 등이 바람직하다. 또한, 회전부에서의 동적 시일과 같은 저마찰성이 요구되는 경우에는 이황화몰리브덴, 탄화붕소 등이 바람직하고, 마이크로파 도파계내 시일 등과 같은 고주파의 전자파에 노출되는 경우에는 산화알루미늄, 산화규소 등의 저유전율, 저유전정접으로, 동시에 저유전 손실의 필러가 바람직하다. 또한, 성형품으로부터 음이온계의 가스 발생을 저감하는 경우에는 수산(受酸) 작용이 있는 탄산칼슘, 수산화칼슘, 산화규소 등이 바람직하다. 이들 필러는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

필러는 입자형이거나 섬유형 (또는 위스커형)일 수 있다. 입자형인 경우는 특별히 한정되지 않지만, 균일 분산성, 박막이 가능하다는 점에서 5 ㎛ 이하, 특히 1 ㎛ 이하, 또한, 0.5 ㎛ 이하가 바람직하다. 하한은 필러의 종류에 따라서 결정된다.

이러한 필러는 본 발명에서 표면이 소수화 처리되어, 필러 표면에 흡착하는수분량을 대폭 감소시키고 있다. 표면 소수화 처리는 소수화 처리제에 의해 행해진다. 본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 소수화 처리제로는 예를 들면, 실릴화제, 실리콘오일, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.

실릴화제로는 하기 화학식 1로 표시되는 것이 바람직하다. 구체적으로 예를 들면, 트리메틸클로로실란, 디메틸디클로로실란, 헥사메틸디실라잔, N,O-비스(트리메틸실릴)아세트아미드, N-트리메틸실릴아세트아미드, N,N'-비스(트리메틸실릴)우레아, N-트리메틸실릴디에틸아민, N-트리메틸실릴이미다졸, t-부틸디메틸클로로실란 등을 들 수 있다.

식 중, R¹은 동일하거나 또는 상이하고, 모두 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.

실리콘오일로는 하기 화학식 2로 표시되는 것이 바람직하다. 구체예로는 예를 들면, 디메틸실리콘오일 등을 들 수 있다.

식 중, R²는 동일하거나 또는 상이하고, 모두 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기이고, R³은 동일하거나 또는 상이하고, 모두 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기이며, n은 1 내지 10의 정수이다.

실란 커플링제로는 하기 화학식 3으로 표시되는 것이 바람직하다. 구체예로는 예를 들면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-(메타크릴로일옥시프로필)트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, γ-(글리시딜옥시프로필)메틸디에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.

식 중, R⁴는 비닐기, 글리시딜기, 메타크릴옥시기, 아미노기, 머캅토기 등이며, X는 알콕시기 또는 할로겐 원자이다.

실릴화제, 실리콘오일 또는 실란 커플링제에 의한 표면 소수화 처리는, 예를 들면 희석 용매로서 물, 알코올 (메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등), 아세톤, 톨루엔 등을 사용하여 소수화 처리제 용액을 제조하여, 그 속에 필러를 침지하고, 풍건한 후, 불활성 가스 기류하에 가열 처리를 행할 수 있다. 처리제 농도는 필러의 비표면적으로부터 단분자 피막을 형성하는 데 필요한 처리제의 양을 산출하여, 그 양으로 결정할 수 있다.

본 발명에 있어서 바람직한 필러와 표면 소수화 처리법 및 처리제의 조합은 금속 산화물 필러나 운모는 실릴화제, 실리콘오일 또는 실란 커플링제에 의한 처리 중 하나를 적용할 수 있고, 카본블랙 또는 그래파이트에 대해서는 실리콘오일 또는 실란 커플링제에 의한 처리가 적당하다. 특히 실리카 등의 산화규소, 산화알루미늄 또는 산화티탄을 실릴화제, 실리콘오일 또는 실란 커플링제에 의해 처리한 것이 바람직하다.

또한, 실릴화제 또는 실란 커플링제로 표면 처리된 필러는 시판되고 있고, 이들 중에서 소수성이 높은 것은 본 발명에 있어서 표면 소수화 처리 필러로서 사용할 수 있다.

본 발명에서는, 이어서 표면 소수화 처리된 필러를 불활성 가스 기류하에 가열 처리한다. 이 처리는 단순히 표면을 소수화 처리한 것만으로는 수분 발생량을 저감화할 수 있을 뿐이고, 도리어 유기계의 표면 처리제에 의한 처리에 기인하여 유기물이 표면에 잔존하기 때문에, 유기계 아웃 가스량이 증대되는 새로운 과제를해결하기 위해서 행하는 것이다.

가열 처리는 불활성 가스 기류하에 100 내지 300 ℃에서 0.5 내지 4 시간 처리함으로써 행한다.

불활성 가스로는 질소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 등을 들 수 있으며, 질소 가스가 바람직하다. 이 불활성 가스가 불순물로 오염되어 있는 경우, 모처럼 의 클린화가 쓸모 없어지므로 반도체 사양의 불활성 가스를 사용한다. 유속은 특별히 한정되지 않지만, 가열에 의해 증발 또는 분해되어 가스형으로 된 화합물을 필러의 주위에 체류시키지 않은 정도의 신속함이 기준이 된다.

가열 온도 및 시간은 가열되는 표면 소수화 처리 필러의 종류(필러 자체 및표면 처리제의 종류) 등에 의해 상이하지만, 상기의 100 내지 300 ℃의 범위내에서 0.5 내지 4 시간 행함으로써 유기계 아웃 가스량을 대폭 저감화할 수 있다. 10O 내지 250 ℃에서 0.5 내지 3 시간이 바람직하며, 특히 100 내지 200 ℃에서 0.5 내지 2 시간이 채용된다. 가열 온도가 너무 높으면 표면 처리제까지도 분해 변성될 때가 있고, 지나치게 낮으면 분해 제거하여야 할 처리제 잔사를 분해할 수 없을 때가 있다. 가열 시간에 대해서도 동일하다.

이렇게 하여 얻어지는 본 발명의 필러는 중량 감소율이 2.5×10^-5중량％/m²이하, 또한 2.O×10^-5중량％/m²이하, 특히 1.5×10^-5중량％/m²이하이고, 유기계 아웃 가스량이 2.5 ppm 이하, 나아가 2.0 ppm 이하, 특히 1.8 ppm 이하인 클린 필러이다.

이 중량 감소율은 아웃 가스의 원인이 되는 수분 및 유기계의 역분해성 화합물의 존재량의 지표가 되는 요인이고, 작으면 작을 수록 사용 현장에서의 아웃 가스 (수분 및 유기 화합물) 발생량이 적어진다. 상술한 대로, 종래의 표면 처리 필러는 수분 발생량의 면에서는 상당히 개선되어 있지만 유기계 아웃 가스량이 비교적 많아지며, 본 발명과 같이 유기계 아웃 가스량이 대폭 저감화된 필러는 존재하지 않았고, 본 발명에서 처음으로 제공할 수 있었다.

본 발명의 클린 필러는 고분자 중합체와 조합하여 각종 조성물로서 유용하다. 조합하는 고분자 중합체는 특별히 한정되지 않고, 각종 수지나 엘라스토머를 사용할 수 있다.

수지로는 예를 들면, 불소 수지, 푸란 수지, 아세트산비닐 수지, 염화비닐 수지, 염화비닐리덴 수지, 폴리아크릴로니트릴, 멜라민 수지, 유리어 수지, 페놀 수지, 폴리아미드 수지, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리에틸렌, 폴리 프로필렌, 에폭시 수지, 폴리카르보네이트, 메타크릴 수지, ABS 수지 등을 들 수 있다. 불소 수지로는 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐리덴, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등을 들 수 있다. 특히 반도체 제조 분야에서 사용되고 있는 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체, 폴리클로로트리플루오로에틸렌이 바람직하다.

이들 수지와 조합하여 각종의 성형품(예를 들면 가스켓, 튜브, 밸브, 코크,필름, 시트 등)이나 도료 등에 바람직하게 적용할 수 있다. 성형법은 특별히 한정되지 않고, 압출 성형, 압축 성형, 사출 성형, 블로우 성형, 캘린더 성형, 트랜스퍼 성형 등으로부터 적절하게 선정할 수 있다.

엘라스토머로는 가교성 엘라스토머가 바람직하고, 예를 들면 불소 함유 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 고무, 부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 스티렌-부타디엔 공중합체 고무, 니트릴 고무 등을 들 수 있다.

가교성 엘라스토머 조성물은 가교성 엘라스토머와 상기 클린화된 본 발명의 필러, 또한, 필요에 따라 가교제, 가교조제 등을 포함한다. 자외선이나 전자선 등으로 가교하는 경우는 가교제 등은 불필요하다.

필러의 배합량은 예를 들면, 보강성의 면에서 적절하게 선정할 수 있지만, 불소 함유 엘라스토머 100 중량부에 대하여 통상 1 내지 50 중량부, 바람직하게는 2 내지 30 중량부이다.

본 발명의 가교성 엘라스토머 조성물은 가교성 엘라스토머의 종류, 가교제의 종류 등에 의해서 각종 가교 형태로 가교 성형할 수 있다. 가교 성형 조건은 특히 특별한 것은 없고, 종래의 조건 범위내에서 적절하게 선정할 수 있다.

이렇게 하여 얻어지는 본 발명의 성형품은 수분 발생량이 400 ppm 이하, 그위에 200 ppm 이하이고, 유기계 아웃 가스량이 0.03 ppm 이하, 또한 0.02 ppm 이하로서 아웃 가스량이 매우 저감화된 것이다. 필러가 배합된 종래의 성형품에는, 이와 같이 수분 및 유기계 아웃 가스량이 모두 크게 저감화된 것은 없고, 본 발명에서 처음으로 제공하여 얻어진 성형품이다.

이들 가교성 엘라스토머 중 반도체 제조 장치용 시일재의 제조 원료로서 사용하는 경우는 불소계 엘라스토머 및 실리콘계 엘라스토머가 바람직하다.

불소계 엘라스토머로는 예를 들면 다음과 같은 것을 들 수 있다.

(i) 테트라플루오로에틸렌 40 내지 90 몰％, 하기 화학식 4로 표시되는 퍼플루오로비닐에테르 10 내지 60 몰％, 및 경화 부위를 제공하는 단량체 0 내지 5 몰％로 이루어진 퍼플루오로계 엘라스토머.

CF₂=CF-OR_f

[식 중, R_f는 탄소수 1 내지 5의 퍼플루오로알킬기, 또는 탄소수 3 내지 12이고 동시에 산소 원자를 1 내지 3개 포함하는 퍼플루오로알킬(폴리)에테르기임]

(ii) 비닐리덴플루오라이드 30 내지 90 몰％, 헥사플루오로프로필렌 15 내지 40 몰％, 테트라플루오로에틸렌 0 내지 30 몰％로 이루어지는 비닐리덴플루오라이드계 엘라스토머.

(iii) 엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트와 비엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트를 갖는 불소 함유 다원 세그멘트화 중합체로서, 엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트가 테트라플루오로에틸렌 40 내지 90 몰％, 하기 화학식 5로 표시되는 퍼플루오로비닐에테르 10 내지 60 몰％, 및 경화 부위를 제공하는 단량체 0 내지 5 몰％로 이루어지고, 비엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트가 테트라플루오로에틸렌 85 내지 100 몰％, 하기 화학식 6 0 내지 15 몰％로 이루어지는 퍼플루오로계 열가소성 엘라스토머.

CF₂=CF-OR_f

[식 중, R_f는 탄소수 1 내지 5의 퍼플루오로알킬기, 또는 탄소수 3 내지 12이며 동시에 산소 원자를 1 내지 3개 포함하는 퍼플루오로알킬(폴리)에테르기임]

CF₂=CF-R_f ¹

[식 중, R_f ¹은 CF₃또는 OR_f ²(R_f ²는 탄소수 1 내지 5의 퍼플루오로알킬기)임]

(iv) 엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트와 비엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트를 갖는 불소 함유 다원 세그멘트화 중합체로서, 엘라스토머성 불소 함유 중합체쇄 세그멘트가 비닐리덴 플루오라이드 45 내지 85 몰％와 이 비닐리덴 플루오라이드와 공중합 가능한 1종 이상의 다른 단량체로부터 각각 유도된 반복 단위를 포함하는 비퍼플루오로계 열가소성 엘라스토머. 여기에서 다른 단량체로는 헥사플루오로프로필렌, 테트라플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌, 트리플루오로에틸렌, 트리플루오로프로필렌, 테트라플루오로프로필렌, 펜타플루오로프로필렌, 트리플루오로부텐, 테트라플루오로이소부텐, 퍼플루오로(알킬비닐에테르), 불화비닐, 에틸렌, 프로필렌, 알킬비닐에테르 등을 들 수 있다.

(v) 디요오드 화합물의 존재하에 라디칼 중합에 의해 얻어진 요오드 함유 불소화 비닐에테르 단위 0.005 내지 1.5 몰％, 비닐리덴플루오라이드 단위 40 내지 90몰％ 및 퍼플루오로 (메틸비닐에테르) 3 내지 35 몰％ (경우에 따라 25 몰％까지의 헥사플루오로프로필렌 단위 및(또는) 40 몰％까지의 테트라플루오로에틸렌 단위를 포함하고 있을 수 있음)로 이루어지는 내한성(耐寒性) 불소 함유 엘라스토머 (일본 특허 공개 (평)제8-15753호 공보).

(vi) 테트라플루오로에틸렌과 프로필렌과의 공중합체 (미국 특허제3,467,635호 명세서) 등.

실리콘계 엘라스토머로는 예를 들면, 실리콘 고무, 플루오로실리콘 고무 등이 바람직하다.

엘라스토머 조성물은 원하는 제품의 형상으로 가교 성형된다. 가교 방법은 과산화물 가교가 일반적이지만, 기타 공지된 가교 방법, 예를 들면, 니트릴기를 가교점으로 도입한 불소 함유 엘라스토머를 사용하고, 유기 주석 화합물에 의해 트리아진환을 형성시키는 트리아진 가교계 (예를 들면, 일본 특허 공개 (소)제58-152041호 공보 참조), 동일 니트릴기를 가교점으로 도입한 불소 함유 엘라스토머를 사용하여, 비스아미노페놀에 의해 옥사졸환을 형성시키는 옥사졸 가교계 (예를 들면, 일본 특허 공개 (소)제59-109546호 공보 참조), 테트라아민 화합물에 의해 이미다졸환을 형성시키는 이미다졸 가교계 (예를 들면, 일본 특허 공개 (소)제59-109546호 공보 참조), 비스아미노티오페놀에 의해 티아졸환을 형성시키는 티아졸 가교계 (예를 들면, 일본 특허 공개 (평)제8-104789호 공보 참조) 등의 방법이 있고, 또한, 방사선 가교, 전자선 가교 등의 방법일 수도 있다.

특히 바람직한 가교제로는 복수개의 3-아미노-4-히드록시페닐기, 3-아미노-4-머캅토페닐기 또는 3,4-디아미노페닐기를 갖는 화합물을 들 수 있으며, 구체적으로 예를 들면, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판 (일반명: 비스(아미노페놀) AF), 2,2-비스(3-아미노-4-머캅토페닐)헥사플루오로프로판, 테트라아미노벤젠, 비스-3,4-디아미노페닐메탄, 비스-3,4-디아미노페닐에테르, 2,2-비스(3,4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판 등이다.

가교제의 배합량은, 바람직하게는 엘라스토머 100 중량부에 대하여 O.1 내지 10 중량부이다.

과산화물 가교를 행할 경우, 유기과산화물로는 가황 온도 조건하에 퍼옥시 라디칼을 발생시키는 공지된 유기 과산화물이면 어느 것이라도 좋지만, 바람직한 유기 과산화물은 디-t-부틸퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,5,5-트리메틸시클로헥산, 2,5-디메틸헥산-2,5-디히드록시퍼옥시드, t-부틸쿠밀퍼옥시드, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)-p-디이소프로필벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 벤조일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시벤젠, t-부틸퍼옥시말레산, t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트 등이다.

유기 과산화물의 함유량은 불소계 엘라스토머 100 중량부당 통상 0.05 내지 10 중량부, 바람직하게는 1 내지 5 중량부이다.

유기 과산화물의 함유량이 0.05 중량부보다 적으면 불소계 엘라스토머가 충분히 가교되지 않고, 한편 10 중량부를 초과하면, 가교물의 물성을 악화시킨다.

이러한 과산화물 가교에서 다관능성 공가교제 등의 가교조제를 사용할 수 있다. 사용되는 다관능성 공가교제로는 불소계 엘라스토머의 과산화물 가교에 있어서 유기 과산화물과 함께 사용할 수 있는 다관능성 공가교제를 사용할 수 있고, 예를 들면, 트리알릴시아누레이트, 트리메타알릴이소시아누레이트, 트리알릴이소시아누레이트, 트리알릴포르말, 트리알릴포스페이트, 트리알릴트리멜리테이트, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, 디프로파르길테레프탈레이트, 디알릴프탈레이트, 테트라알릴테레프탈아미드, 트리스(디알릴아민)-S-트리아진, 아인산트리알릴, N,N-디알릴아크릴아미드, 1,6-디비닐도데카플루오로헥산으로 대표되는 비스올레핀 등을 들 수 있다.

또한, 트리알릴이소시아누레이트의 3개의 알릴기 중의 수소 원자 중 일부를더욱 내열성이 높은 불소 원자로 치환시킨 불소 함유 트리알릴이소시아누레이트 등도 바람직하게 들 수 있다 (미국 특허 제4,320,216호 명세서, WO 98/00407 공보, Klenovic h, S. V. 등, Zh. Prikl, Khim. (Leningrad)(l987, 60(3), 656-8) 참조).

가교조제의 함유량은 불소계 엘라스토머 100 중량부당, 통상 0.1 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부이다.

그 밖에, 가공조제, 내부 첨가 이형제 등을 배합할 수도 있다. 과산화물 가교는 통상법에 의해 행할 수 있고, 종래와 같은 가교 저해는 발생되지 않는다.

본 발명의 성형품을 예를 들면, WO 99/49997호 공보에 기재된 특수한 세정법, 즉, 초순수에 의해 세정하는 방법, 세정 온도에서 액상인 클린 유기 화합물이나 무기 수용액에 의해 세정하는 방법, 건식 에칭 세정하는 방법, 추출 세정하는 방법에 따라서 처리함으로써 파티클 수 또는 금속 함유량을 저감화할 수 있고, 매우 고도로 클린화되고, 나아가 아웃 가스량이 적고 내플라즈마성이 우수한 반도체 제조 장치용 성형품을 얻을 수 있다.

본 발명의 필러가 함유된 성형품은 여러가지 성형품에 적용할 수 있지만 특히 아웃 가스량이 크게 저감화되어 있기 때문에, 반도체 제조 장치용 각종 부품 등에 바람직하다.

특히, 불소 함유 엘라스토머 성형품은 특히 고도의 청정성이 요구되는 반도체 제조 장치의 봉지용 시일재 제조에 바람직하게 사용할 수 있다. 시일재로는 O-링, 각-링, 가스켓, 패킹, 오일 시일, 베어링 시일, 립시일 등을 들 수 있다.

그 밖에, 각종 엘라스토머 제품, 예를 들면 다이어프램, 튜브, 호스, 각종 고무롤 등으로도 사용할 수 있다. 또한, 코팅용 재료, 라이닝용 재료로도 사용할 수 있다.

또한, 본 발명에서 의미하는 반도체 제조 장치는, 특히 반도체를 제조하기 위한 장치에 한정되는 것이 아니고, 널리 액정 패널이나 플라즈마 패널을 제조하기 위한 장치 등의 고도로 클린도가 요구되는 반도체 분야에서 사용되는 제조 장치 전반을 포함하는 것이다.

구체적으로는, 다음과 같은 반도체 제조 장치가 예시된다.

(1) 에칭 장치

드라이 에칭 장치

플라즈마 에칭 장치

반응성 이온 에칭 장치

반응성 이온빔 에칭 장치

스퍼터 에칭 장치

이온빔 에칭 장치

웨트 에칭 장치

애싱 장치

(2) 세정 장치

건식 에칭 세정 장치

UV/O₃세정 장치

이온빔 세정 장치

레이저빔 세정 장치

플라즈마 세정 장치

가스 에칭 세정 장치

추출 세정 장치

속슬레 추출 세정 장치

고온 고압 추출 세정 장치

마이크로 웨이브 추출 세정 장치

초임계 추출 세정 장치

(3) 노광 장치

스테퍼

코터ㆍ디벨로퍼

(4) 연마 장치

CMP 장치

(5) 성막 장치

CVD 장치

스퍼터링 장치

(6) 확산ㆍ이온 주입 장치

산화 확산 장치

이온 주입 장치

이어서 실시예를 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1> (클린화 필러의 제조)

실릴화제인 헥사메틸디실라잔을 사용하여 시판 중인 발연 실리카(캐보트 스페셜리티 케미컬즈사 제조의 Cab-O-Sil M-7D_o평균 입경 0.02 ㎛, 비표면적 2OO m²/g)을 소수화 처리하고, 처리된 필러 20 g을 질소 가스 기류 (유속 20리터/분)하에 200 ℃에서 2 시간 가열하여 본 발명의 클린화된 필러를 제조하였다.

얻어진 가열 처리 후의 클린화된 필러의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 다음의 방법으로 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

(중량 감소율의 측정)

알루미늄 제조 용기에 시료(필러)를 1.0 g 넣고, 질소 가스 기류하에 200 ℃에서 2 시간 가열하여, 가열 후의 중량 (g)을 측정하였다. 이 가열 후의 중량을 다음 조성식에 대입시켜, 단위 표면적당 중량 감소율 (중량％/m²)을 산출하였다.

(유기계 아웃 가스량)

유리로 제조된 밀폐관에 시료(필러)를 0.1 g 봉입하여, 200 ℃에서 15 분 동안 가열하였다. 발생된 가스를 액체 질소로 -40 ℃로 냉각한 트랩관에 채취하고, 이어서 급가열하여 가스 크로마토그래피 ((주)시마즈 제작소 제조의 GC-14 A. 컬럼:(주) 시마즈 제작소 제조의 UA-15)에 보내서 분석하고, 얻어진 차트의 피크 면적에서 유기계 가스량 (ppm)을 산출하였다.

<실시예 2> (클린화 필러의 제조)

실리콘오일인 폴리디메틸실록산을 이용하여 시판 중인 발연 실리카 (Cab-O-Sil M-7D. 평균 입경 0.02 ㎛, 비표면적 200 m²/g)를 소수화 처리하고, 처리된 필러 20 g을 질소 가스 기류 (유속 20 리터/분)하에 200 ℃에서 2 시간 가열하여 본 발명의 클린화된 필러를 제조하였다.

얻어진 가열 처리 후의 클린화된 필러의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 실시예 1과 동일하게 하여 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

<실시예 3> (클린화 필러의 제조)

실릴화제인 헥사메틸디실라잔을 이용하고, 시판 중인 산화알루미늄 미립자(스미또모 화학 공업(주) 제조의 AKP-G008. 평균 입경 0.02 ㎛, 비표면적 150 m²/g)를 소수화 처리하고, 처리된 필러 20 g을 질소 가스 기류 (유속 20 리터/분)하에 200 ℃에서 2 시간 가열하여 본 발명의 클린화된 필러를 제조하였다.

<비교예 1>

실릴화제인 헥사메틸디실라잔으로 소수화 표면 처리된 실시예 1의 발연 실리카의 가열 처리 전의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 실시예 1과 동일하게 하여 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

<비교예 2>

실리콘오일인 폴리디메틸실록산으로 소수화 표면 처리된 실시예 2의 발연 실리카의 가열 처리 전의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 실시예 1과 동일하게 하여 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

<비교예 3>

실릴화제인 헥사메틸디실라잔으로 소수화 표면 처리된 실시예 3의 산화알루미늄 미립자의 가열 처리 전의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 실시예 1과동일하게 하여 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

<비교예 4>

소수화 표면 처리 및 가열 처리 중 어느 하나가 실시되지 않은 발연 실리카 (캐보트 스페셜리티 케미컬즈사 제조의 Cab-O-Sil. 평균 입경 0.02 ㎛, 비표면적 200 m²/g)의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 실시예 1과 동일하게 하여 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

<비교예 5>

소수화 표면 처리 및 가열 처리 중 어느 하나가 실시되지 않은 산화알루미늄 미립자 (스미또모 화학 공업 (주) 제조의 AKP-G008. 평균 입경 0.02 ㎛, 비표면적 150 m²/g)의 중량 감소율 및 유기계 아웃 가스량을 실시예 1과 동일하게 하여 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

상기 표 1에서 분명히 알 수 있는 바와 같이, 소수화 표면 처리 및 가열 처리 중 어느 하나가 실시되지 않은 필러 (비교예 4와 5)에서는 중량 감소율 (수분 발생량의 지표)이 크고, 또한 유기계 아웃 가스량도 많다. 소수화 표면 처리를 실시한 것 (비교예 1 내지 3)은 중량 감소율은 대폭 작아지지만 유기계 아웃 가스량은 증가된다. 또한, 불활성 가스 기류하에 가열 처리한 본 발명의 필러는 소수화 표면 처리된 필러와 동일한 중량 감소율이면서, 유기계 아웃 가스량이 소수화 표면 처리되지 않은 필러보다도 크게 감소하여, 고도의 클린화가 달성된 것을 나타낸다.

<실시예 4> (엘라스토머 가교물의 제조)

착화원을 갖지 않는 내용적 6 리터의 스테인레스 스틸로 제조된 오토클레이브에 순수 2 리터 및 유화제로서 C₇F₁₅COONH₄20 g, pH 조정제로서 인산수소이나트륨ㆍ12수염 0.18 g을 넣고, 계내를 질소 가스로 충분히 치환하여 탈기한 후, 600 rpm에서 교반하면서, 50 ℃로 승온시키고, 테트라플루오로에틸렌 (TFE)과 퍼플루오로(메틸비닐에테르)(PMVE)의 혼합 가스(TFE/PMVE=20/80 몰비)를 내부 압력이 1.18 MPaㆍG가 되도록 투입하였다. 이어서, 과황산암모늄 (APS)의 186 mg/ml의 농도인 수용액 2 ml를 질소압으로 압입하여 반응을 개시하였다.

중합의 진행에 의해 내부 압력이 1.08 MPaㆍG까지 강하된 시점에서 디요오드 화물 I(CF₂)₄I 4.0 g를 질소압으로 압입하였다. 이어서 TFE와 PMVE의 혼합 가스 (몰비 19/23)를 플랜저 펌프로 압입하고, 1.08 내지 1.18 MPaㆍG 사이에서 승압, 강압을 반복하였다.

TFE 및 PMVE의 합계 투입량이 각각 430 g, 511 g 및 596 g에 도달된 시점에서 ICH₂CF₂CF₂OCF=CF₂를 1.5 g 압입함과 동시에 반응 개시 후로부터 12 시간 마다 35 mg/ml의 APS 수용액 2 ml를 질소압으로 압입하여 중합 반응을 계속하고, 반응 개시로부터 35 시간 후에 중합을 정지하였다.

이 수성 유탁액을 드라이 아이스/메탄올 중에서 동결시켜 응고를 행하여, 해동시킨 후, 응고물을 수세, 진공 건조하여 엘라스토머형 공중합체를 얻었다. 이 중합체의 무니 점도 ML1+ 10 (100 ℃)은 63이었다.

이 공중합체의¹⁹F-NMR 분석의 결과로부터, 이 공중합체의 단량체 단위 조성은 TFE/PMVE=59.2/40.8 몰％이고, 원소 분석으로부터 얻어진 요오드 함유량은 0.03 중량％이었다.

이 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(메틸비닐에테르) 공중합체 엘라스토머 100 g에 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5에서 각각 제조된 필러 10 g과 2,5-디메틸-디(t-부틸퍼옥시)헥산 (일본 유지 (주)제조의 퍼헥사 2.5B) 1.0 g과 트리알릴이소시아누레이트(TAIC) (니혼 카세이(주)제조) 3.0 g을 혼련하여, 본 발명의 엘라스토머 조성물을 제조하였다. 이어서, 이 조성물을 160 ℃×15 분 동안 압축 성형에 의해 프레스 가교(일차 가교)하여 O-링(AS-568 A-214)을 제조하였다.

이 O-링을 충분하게 다량의 H₂SO₄/H₂O₂(6/4, 중량비)에 의해 100 ℃에서 15 분 동안 교반하에 세정하고, 계속해서 5 ％ HF에 의해 25 ℃에서 15 분 동안 세정하고, 또한, 순수로 100 ℃에서 2 시간 끓여서 세정한 후, 질소 가스 기류하에 200℃에서 24 시간 가열 가교(이차 가교)하고, 이어서 건조시켜 시료가 되는 0-링을 얻었다.

얻어진 O-링에 대해서 다음과 같은 방법으로 수분 발생량 (ppm) 및 유기계 아웃 가스량 (ppm)을 조사하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.

(수분 발생량의 측정)

시료의 O-링을 200 ℃에서 30 분 동안 질소 분위기하에 가열하고, 발생되는 수분을 칼피셔식(Karl Fischer) 수분 측정 장치 (히라누마 산업(주)제조)에 의해 측정하였다.

(유기계 아웃 가스량의 측정)

실시예 1에서 채용된 측정법에 있어서, 시료로서 O-링 (AS-568A-214)을 사용한 것 이외는 동일하게 하여 측정하였다.

상기 표 2로부터 분명히 알 수 있는 바와 같이, 소수화 표면 처리하지 않은 필러를 배합시킨 엘라스토머 가교물 (비교 실험 4-4와 4-5)에서는 유기계 아웃 가스량은 낮은 레벨이지만 수분 발생량이 크다. 소수화 표면 처리를 실시한 필러를 배합한 것 (비교 실험 4-1 내지 4-3)은 수분 발생량은 대폭 작아지지만 유기계 아웃 가스량은 증가된다. 또한, 불활성 가스 기류하에 가열 처리된 본 발명의 필러를 배합시킨 가교물은 소수화 표면 처리된 필러를 배합한 가교물의 유기계 아웃 가스량을 소수화 표면 처리하지 않은 필러를 배합한 가교물 레벨까지 저하시키고 있어, 고도로 클린화된 엘라스토머 가교물 제공이 가능하다는 것을 나타내고 있다.

<실시예 5> (내플라즈마성)

또한, 반도체 제조에서는 플라즈마 처리가 상용화되어 있지만, 이 플라즈마 처리 공정에서 O-링 등의 시일재가 중량 감소를 일으키거나 파티클을 발생시키기도 하는 문제가 있었다.

그래서 상기에서 각각 제조된 O-링 (AS-568A-214)을 유리로 제조된 평판 (petri-dish)에 넣고 질소 분위기하에서 150 ℃에서 60 분 동안 가열하여 제조된 샘플에 대해서, 플라즈마 처리 공정에서의 중량 감소율 및 발생 파티클 수를 다음의 방법으로 측정하였다. 결과를 하기 표 3에 나타낸다.

(중량 감소)

다음의 조건하에 플라즈마 조사 처리를 실시하고, 조사 전후의 중량 감소 (중량％)을 측정하여 중량 변화를 조사하였다.

사용 플라즈마 조사 장치:

(주) 삼코 인터내셔널 연구소 제조의 PX-1000 조사 조건:

산소 (0₂) 플라즈마 조사 처리

가스 유량: 200 sccm

RF 출력: 400 W

압력: 300 밀리토르

조사 시간: 3 시간

주파수: 13.56 MHz

CF₄플라즈마 조사 처리

가스 유량: 200 sccm

RF 출력: 400 W

압력: 300 밀리토르

조사 시간: 3 시간

주파수: 13.56 MHz

조사 조작:

플라즈마 조사 장치의 챔버내의 분위기를 안정시키기 위해 챔버 전 처리로서 5 분 동안 걸어서 실제의 가스빔 방전을 행하였다. 이어서, 샘플을 넣은 평판을 RF 전극 중심부에 배치하여, 상기한 조건으로 조사하였다.

중량 측정:

정밀 전자 저울(Sartorius)ㆍGMBH(주) 제조된 전자 분석 저울 2006 MPE를 사용하여, 0.01 mg까지 측정하고 0.01 mg의 자릿수를 사사 오입하였다.

샘플은 1종에 대해 3개 사용하고 평균으로 평가하였다.

(발생 파티클 수)

(주) 삼코 인터내셔널 연구소 제조의 플라즈마 드라이클리너 모델 PX-1000을 이용하여 진공압 50 mTorr, 산소 또는 CF₄유량 200 cc/분, 전력 40O W, 주파수 13.56 MHz의 조건으로 산소 플라즈마 또는 CF₄플라즈마를 발생시켜, 이 산소 플라즈마 또는 CF₄플라즈마를 시료 (O-링)에 대하여 리액티브 이온 에칭(RIE) 조건에서 3 시간 조사하였다. 조사 후, 시료를 25 ℃에서 1 시간 초순수 중에서 초음파를 걸어 유리되어 있는 파티클을 수중에 추출하고, 입자경이 0.2 ㎛ 이상인 파티클의 수(개/리터)를 미립자 측정기법 (센서부에 유입시킨 파티클을 포함하는 초순수에 빛을 투과하여 액중 파티클 카운터에 의해 그 투과광이나 산란광의 양을 전기적으로 측정하는 방법)에 의해 측정하였다.

상기 표 3으로부터, 본 발명의 처리를 실시한 필러는 플라즈마 처리 공정에서 미처리 또는 소수화 표면 처리만의 필러와 동일하고, 플라즈마에 의해서 큰 영향을 받지 않는 것을 알 수 있었다.

본 발명의 소수화 표면 처리 후 가열 처리된 필러는 수분 발생량 및 유기계 아웃 가스량이 모두 저감화되었고, 매우 청정하여 반도체 제조 장치용 성형품 재료로서 바람직한 엘라스토머 조성물 및 성형품을 제공할 수 있다.

Claims

200 ℃에서 2 시간 가열했을 때의 단위 표면적당 중량 감소율이 2.5×10^-5중량％/m²이하이고, 또한 200 ℃에서 15 분 동안 가열했을 때의 유기계 가스의 총발생량이 2.5 ppm 이하인 필러와 고분자 중합체를 포함하는 고분자 중합체 조성물.
제1항에 있어서, 고분자 중합체가 가교성 엘라스토머인 조성물.
제2항에 있어서, 가교성 엘라스토머가 가교성 불소계 엘라스토머인 조성물.
제3항에 있어서, 가교성 불소계 엘라스토머가 가교성 퍼플루오로 엘라스토머인 조성물.
200 ℃에서 30 분 동안 가열했을 때의 수분 발생량이 400 ppm 이하이고, 또한 유기계 가스의 총발생량이 0.03 ppm 이하인, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항 기재 고분자 중합체 조성물의 성형품.
제5항에 있어서, 반도체 제조 장치의 부품에 사용되는 성형품.
제6항에 있어서, 반도체 제조 장치의 봉지를 위해 사용되는 시일재인 성형품.
200 ℃에서 2 시간 가열했을 때의 단위 표면적당 중량 감소율이 2.5×lO^-5중량％/m²이하이고, 또한 200 ℃에서 15 분 동안 가열했을 때의 유기계 가스의 총발생량이 2.5 ppm 이하인 필러.
제8항에 있어서, 단위 표면적당 중량 감소율이 1.5×10^-5중량％/m²이하인 필러.
제8항 또는 제9항에 있어서, 유기계 가스의 총발생량이 1.8 ppm 이하인 필러.
표면이 소수화 처리된 필러를 불활성 가스 기류하에 100 내지 300 ℃에서 0.5 내지 4 시간 가열 처리하는 것을 포함하는, 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항 기재 필러의 제법.
제11항에 있어서, 필러의 소수화 처리를 실릴화제, 실리콘오일 및 실란 커플링제로 이루어지는 군으로부터 선택된 소수화 처리제에 의해 행하는 제법.
제11항 또는 제12항에 있어서, 불활성 가스가 질소 가스인 제법.