KR20020027205A - 세정처리시스템 및 세정처리장치 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 523
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 172
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 136
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 34
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 22
- 230000029142 excretion Effects 0.000 claims description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 516
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
- B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
브러쉬 위치 | 2왕복스캔속도(mm/초) | 1왕복스캔속도(mm/초) | 1왕복스캔속도에서의 편도스캔시간(초) |
위치P1∼P2 | 56 | 28 | 1.6 |
위치P2∼P3 | 21 | 10.5 | 2.4 |
위치P3∼P4 | 20 | 10 | 3 |
위치P4∼P5 | 15 | 7.5 | 4 |
위치P5∼P6 | 12 | 6 | 6.7 |
합계 | 13.7초 |
Claims (36)
- 기판에 대하여 세정처리를 위한 일련의 처리를 실시하는 세정처리시스템으로서,다단으로 적층된 복수의 스크럽세정유닛과,상기 복수의 스크럽세정유닛의 전부에 엑세스가능한 기판반송기구를 구비한 세정처리시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 스크럽세정유닛을 갖는 세정처리부와, 상기 세정처리부에 대하여 기판을 반입출시키는 기판반입출부를 더욱 가지며, 상기 반송기구는 상기 복수의 스크럽세정유닛의 전부 및 상기 기판반입출부에 엑세스가능한 세정처리시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스크럽세정유닛은,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 스핀척에 유지된 기판의 상면에 접촉하여 스크럽세정을 행하는 복수의 브러쉬와,상기 브러쉬를 각각 유지한 복수의 브러쉬 유지아암과,상기 복수의 브러쉬 유지아암을 각각 독립하여 직접 구동하는 아암구동기구를 가진 세정처리시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스크럽세정유닛은,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 기판 및 상기 스핀척을 둘러싸도록 배설된 컵과,상기 스핀척에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 처리액공급기구와,상기 스핀척에 유지된 기판의 표면에 접촉하여 스크럽세정을 행하는 브러쉬와,상기 브러쉬를 유지하는 브러쉬 유지아암과,상기 브러쉬 유지아암을 구동하는 아암구동기구를 가지며,상기 컵은 원통형상의 본체와, 상기 스핀척에 유지된 기판에 공급된 세정액의 상기 컵 외부에의 확산이 억제되도록 본체내벽에서 안쪽 위쪽을 향하여 경사진 상하 2단의 테이퍼부를 가진 세정처리시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스크럽세정유닛은,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 스핀척에 유지된 기판의 표면을 세정하는 복수의 브러쉬와,상기 브러쉬를 각각 유지한 복수의 브러쉬 유지아암과,상기 복수의 브러쉬 유지아암을 독립하여 스캔하는 복수의 아암구동기구를 가진 세정처리시스템.
- 기판에 대하여 세정처리를 위한 일련의 처리를 실시하는 세정처리시스템으로서,상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리유닛을 갖는 세정처리부와,상기 세정처리부에 대하여 기판을 반입출하는 기판반입출부를 구비하며,상기 세정처리부는,적어도 상하 2단으로 배설된 복수의 스크럽세정유닛과,상기 기판의 표리를 반전시키는 기판반전유닛과,상기 기판반입출부 사이에서 기판을 주고받고, 상기 기판을 일시적으로 얹어 놓기 위한 기판주고받음유닛과,상기 스크럽세정유닛, 상기 기판반전유닛 및 상기 기판주고받음유닛의 전부에 엑세스가능하며, 상기 각 유닛과의 사이에서 기판의 주고받음을 행하는 기판반송기구를 갖는 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 상기 기판주고받음유닛을 복수 가지며, 상기 기판주고받음유닛은 적어도 2대가 적층되어 있는 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 상기 기판반전유닛을 복수 가지며, 상기 기판반전유닛은 적어도 2대가 적층되어 있는 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 상기 기판주고받음유닛 및 상기 기판반전유닛을 어느 것이나 복수 가지며, 상기 기판주고받음유닛은 적어도 2대 적층되고, 최상단의 기판주고받음유닛의 위에 상기 기판반전유닛이 적어도 2대 적층되어 있는 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 상기 기판반전유닛은,상기 기판반송기구와의 사이에서 기판의 주고받음을 행하는 기판중계부와,상기 기판중계부를 승강시키는 승강기구와,상기 기판중계부에 유지된 기판을 파지하여 받아들이며, 회전에 의해 파지한 기판을 반전시켜, 상기 기판중계부에 기판을 건네는 기판반전기구를 가진 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상부에 설치된, 청정한 공기를 다운플로우상태에서 상기 세정처리부로 도입하는 필터팬유닛을 더욱 구비한 세정처리시스템.
- 제 11 항에 있어서, 상기 기판반송기구는 수직으로 연재하는 이동공간내를 이동가능한 반송체를 갖고 있는 세정처리시스템.
- 제 12 항에 있어서, 상기 기판주고받음유닛과 상기 기판반전유닛이 상기 기판반입출부에 접하여 배설되어 있고,상기 청정한 공기의 다운플로우의 일부가 상기 반송체의 이동공간에서 상기 기판주고받음유닛을 통해서 상기 기판반입출부로 흘러나가는 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 2대의 상기 스크럽세정유닛이 상단 및 하단에 적층되어 있는 세정처리시스템.
- 제 14 항에 있어서, 상기 상단에 배설된 스크럽세정유닛은 상기 기판의 표면세정에 사용되고, 상기 하단에 배설된 스크럽세정유닛은 상기 기판의 이면세정에 사용되는 세정처리시스템.
- 제 15 항에 있어서, 상기 기판의 표면세정용 스크럽세정유닛에 있어서는 상기 기판을 유지하는 척에 진공흡착기구가 사용되고 있으며, 상기 기판의 이면세정용 스크럽세정유닛에 있어서는 상기 기판을 유지하는 척에 기계적 유지기구가 사용되고 있는 세정처리시스템.
- 제 14 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상부에 설치된, 청정한 공기를 다운플로우상태에서 상기 세정처리부로 도입하는 필터팬유닛을 더욱 구비하고, 상기 상단의 스크럽세정유닛에는 필터팬유닛으로부터의 청정한 공기가 직접 도입되는 세정처리시스템.
- 제 17 항에 있어서, 상기 상단의 스크럽세정유닛과 상기 하단의 스크럽세정유닛을 연결하는 배관을 가지며, 상기 필터팬유닛으로부터 상기 상단의 스크럽세정유닛에 공급된 청정한 공기를 상기 배관을 통해 상기 하단의 스크럽세정유닛에 도입하는 세정처리시스템.
- 제 17 항에 있어서, 상기 하단의 스크럽세정유닛의 상부에 설치된 필터팬유닛과, 상기 필터팬유닛과 상기 서브필터유닛을 연결하는 배관을 더욱 구비하고, 상기 배관 및 상기 서브필터유닛을 통해, 상기 필터팬유닛으로부터 상기 하단의 스크럽세정유닛에 청정한 공기가 도입되는 세정처리시스템.
- 제 6 항에 있어서, 상기 세정처리부는 기판에 가열 또는 냉각처리를 실시하는 복수의 열적처리유닛을 갖고 있는 세정처리시스템.
- 제 20 항에 있어서, 상기 복수의 열적처리유닛은 수직방향으로 적층되어 있는 세정처리시스템.
- 기판에 세정처리를 실시하는 세정처리장치로서,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 스핀척을 둘러싸도록 설치된 컵과,상기 스핀척에 유지된 기판의 표면을 세정하는 브러쉬와,상기 브러쉬를 유지한 브러쉬 유지아암과,상기 브러쉬 유지아암을 구동하는 아암구동기구와,상기 컵의 배설부와 상기 아암구동기구의 배설부를 분리하도록 설치된 격벽을 구비하는 세정처리장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 격벽은 개구부를 가지며, 상기 브러쉬 유지아암은 상기 개구부를 통하여 상기 컵의 배설부와 상기 아암구동기구의 배설부 사이에 연재하고 있는 세정처리장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 컵은 원통형상의 본체와, 상기 스핀척에 유지된 기판에 공급된 세정액의 상기 컵외부로의 확산이 억제되도록 본체내벽에서 안쪽위쪽을 향하여 경사지는 상하 2단의 테이퍼부를 가진 세정처리장치.
- 제 22 항에 있어서, 세정처리중에 세정액이 상기 아암구동기구쪽으로 비산하는 것을 억제하기 위해서 상기 브러쉬의 바깥측 또한 상기 아암구동기구측에 설치된 브러쉬커버를 더욱 구비한 세정처리장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 컵의 바깥측에서 상기 스핀척에 유지된 기판의 대략 중심을 향하여 처리액을 공급하는 처리액공급기구와, 상기 브러쉬가 상기 기판의 상면에 접촉하면서 상기 기판상을 이동하고 있는 사이에, 상기 처리액공급기구로부터 공급되는 처리액이 직접 상기 브러쉬에 닿지 않도록, 상기 처리액의 공급 타이밍을 제어하는 컨트롤러를 더욱 구비한 세정처리장치.
- 기판에 세정처리를 실시하는 세정처리장치로서,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 스핀척을 둘러싸도록 배설된 컵과,상기 스핀척에 유지된 기판의 표면에 접촉하여 스크럽세정을 행하는 브러쉬와,상기 브러쉬를 유지하는 브러쉬 유지아암과,상기 브러쉬 유지아암을 구동하는 아암구동기구와,상기 스핀척에 유지된 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급기구와,세정처리중에 세정액이 상기 아암구동기구측으로 비산하는 것을 억제하기 위해서, 상기 브러쉬의 바깥측 또한 상기 아암구동기구측에 설치된 브러쉬커버를 구비하는 세정처리장치.
- 제 27 항에 있어서, 상기 브러쉬 커버는 상기 스핀척에 유지된 기판의 중심과 상기 컵의 상단을 연결하는 선보다도 낮은 위치에 상기 브러쉬커버의 하단이 위치하도록 설치되어 있는 세정처리장치.
- 제 27 항에 있어서, 상기 브러쉬커버는 상기 세정액공급기구로부터 토출되는세정액이 직접 접촉하지 않는 위치에 있어서, 상기 브러쉬의 바깥둘레의 일부를 덮도록 설치되어 있는 세정처리장치.
- 제 27 항에 있어서, 상기 브러쉬커버의 표면에 소정의 세정액을 공급하는 브러쉬커버세정기구를 더욱 구비하여, 상기 브러쉬를 사용한 세정처리시 또는 상기 브러쉬의 대기시에 상기 브러쉬커버의 표면에 소정의 세정액을 흐르게 함에 따라 상기 브러쉬 커버가 청정하게 유지되는 세정처리장치.
- 기판에 세정처리를 실시하는 세정처리장치로서,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 스핀척에 유지된 기판의 상면에 접촉하여 스크럽세정을 하는 브러쉬와,상기 브러쉬를 유지한 브러쉬 유지아암과,상기 브러쉬 유지아암을 구동하는 아암구동기구와,상기 스핀척에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 제 1, 제 2의 2개의 처리액토출노즐을 가진 처리액공급기구를 구비하고,상기 제 1 처리액토출노즐로부터는 상기 스핀척에 유지된 기판의 대략 중심을 향하여 처리액이 토출되고, 상기 제 2 처리액토출노즐로부터는 상기 스핀척에 유지된 기판의 대략 중심보다도 바깥쪽의 소정위치에 처리액이 토출되는 세정처리장치.
- 제 31 항에 있어서, 상기 제 2 처리액토출노즐로부터는 상기 스핀척에 유지된 기판의 반경을 중심에서 바깥둘레를 향하여 2:1로 분할하는 점을 향하여 소정의 처리액이 토출되는 세정처리장치.
- 제 31 항에 있어서, 상기 브러쉬가 상기 기판의 상면에 접촉하면서 상기 기판상을 이동하고 있는 사이에, 상기 스핀척에 유지된 기판의 대략 중심을 향하여 토출된 처리액이 상기 브러쉬에 대응하지 않도록, 상기 제 1 처리액토출노즐로부터의 상기 처리액의 공급 타이밍을 제어하는 컨트롤러를 더욱 구비한 세정처리장치.
- 기판에 소정의 세정처리를 실시하는 세정처리장치로서,기판을 대략 수평으로 유지하여 면내회전시키는 스핀척과,상기 스핀척에 유지된 기판의 표면을 세정하는 복수의 브러쉬와,상기 브러쉬를 유지한 복수의 브러쉬 유지아암과,상기 복수의 브러쉬 유지아암을 각각 독립하여 스캔하는 복수의 아암구동기구와,상기 복수의 아암구동기구를 제어하는 컨트롤러를 구비하며,상기 복수의 브러쉬 유지아암의 적어도 하나가 다른 브러쉬 유지아암을 스캔방향에서 추월가능한 세정처리장치.
- 제 34 항에 있어서, 상기 복수의 브러쉬 유지아암은 각각 다른 종류 및/또는 재질의 브러쉬를 유지하는 세정처리장치.
- 제 34 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 브러쉬 유지아암끼리가 서로 충돌하지 않도록, 상기 복수의 아암구동기구를 제어하는 세정처리장치.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000302099A JP2002110609A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 洗浄処理装置 |
JPJP-P-2000-00302099 | 2000-10-02 | ||
JPJP-P-2000-00325641 | 2000-10-25 | ||
JPJP-P-2000-00325640 | 2000-10-25 | ||
JP2000325640A JP3768798B2 (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 |
JP2000325641A JP3782298B2 (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 洗浄処理装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070085602A Division KR100816611B1 (ko) | 2000-10-02 | 2007-08-24 | 세정처리장치 |
KR1020070085608A Division KR100774811B1 (ko) | 2000-10-02 | 2007-08-24 | 세정처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020027205A true KR20020027205A (ko) | 2002-04-13 |
KR100877044B1 KR100877044B1 (ko) | 2008-12-31 |
Family
ID=27344825
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010060919A KR100877044B1 (ko) | 2000-10-02 | 2001-09-29 | 세정처리장치 |
KR1020070085608A KR100774811B1 (ko) | 2000-10-02 | 2007-08-24 | 세정처리장치 |
KR1020070085602A KR100816611B1 (ko) | 2000-10-02 | 2007-08-24 | 세정처리장치 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070085608A KR100774811B1 (ko) | 2000-10-02 | 2007-08-24 | 세정처리장치 |
KR1020070085602A KR100816611B1 (ko) | 2000-10-02 | 2007-08-24 | 세정처리장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6842932B2 (ko) |
KR (3) | KR100877044B1 (ko) |
TW (1) | TW516085B (ko) |
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- 2001-10-01 US US09/966,082 patent/US6842932B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-02 TW TW090124311A patent/TW516085B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-09-02 US US10/932,265 patent/US7451515B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-08-24 KR KR1020070085608A patent/KR100774811B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-08-24 KR KR1020070085602A patent/KR100816611B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW516085B (en) | 2003-01-01 |
KR100816611B1 (ko) | 2008-03-24 |
US20050022325A1 (en) | 2005-02-03 |
KR100877044B1 (ko) | 2008-12-31 |
US7451515B2 (en) | 2008-11-18 |
KR20070089905A (ko) | 2007-09-04 |
US20020059686A1 (en) | 2002-05-23 |
US6842932B2 (en) | 2005-01-18 |
KR100774811B1 (ko) | 2007-11-07 |
KR20070089904A (ko) | 2007-09-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 11 |