KR20020013769A - 광기록매체 및 포르피센화합물 - Google Patents

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니시모토다이조
미사와쓰타미
고이케다다시
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야마모토 카세이 가부시키가이샤
사토 아키오
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Abstract

파장 300 내지 500㎚ 및/또는 500 내지 700㎚의 레이저에 의해 양호한 기록 및 재생이 가능한 본 발명의 추기형 광기록매체는 그 기록층 속에 금속에 의해 킬레이트해도되는 적어도 1종의 포르피센 화합물을 가진다.

Description

광기록매체 및 포르피센 화합물{OPTICAL RECORDING MEDIUM AND PORPHYCENE COMPOUND}
본 발명은 색소, 안료, 광전기능물질 및 기록 또는 기억물질, 특히 청색 및/또는 적색 레이저광에 의해 정보를 기록·재생가능한 대기록가능 광기록메체용 기록염료로서 유용한 포르피센화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 포르피센화합물로 이루어진 광기록매체에 관한 것이다.
또한 본 발명은 특히 파장 400 내지 410㎚의 청자색레이저에 의해 행해지는 고밀도기록이 가능한 기록층을 가진 광정보기록매체에 관한 것이다.
콤팩트 디스크(이하, CD라 함)규격에 대응한 추기형(追記型) 광기록매체로서 CD-R(CD-Recordable)이 제안·개발되어 있는 것은 공지이며, 음악재생용이나 정보단말용으로서 널리 보급되어 있다.
이 광기록매체의 기록 및/또는 재생에는 일반적으로 770㎚ 내지 830㎚의 근적외 반도체레이저를 사용하고 있으며, 기판 상의 유기색소 등으로 이루어진 기록층에 히트모드에서 신호기록이 행해진다. 즉 기록층에 레이저광이 조사되면 유기색소는 광흡수에 의해 열을 발생하고, 이 발생한 열에 의해 기록층에 피트가 형성된다.그리고, 기록신호는, 레이저광을 조사했을 때, 당해 피트가 형성된 부분과 형성되어 있지 않은 부분과의 반사율의 차이에 의해서 검출된다.
그리고, 이러한 매체는 레드북이나 오렌지북 등의 CD의 규격에 준거하고 있기 때문에 CD 플레이어나 CD-ROM 플레이어와 호환성을 가진다고 하는 특징을 가진다. 그러나, 상기의 기존 매체의 기록용량은 680MB 정도이고, 동화의 기록을 고려하면 용량이 충분하지 않으며, 정보량의 비약적 증가에 따라 정보기록매체에 대한 고밀도화·대용량화의 요구가 높아지고 있다.
기록매체의 고밀도화를 행하는 수단으로서는, 기록·재생에 사용하는 레이저파장의 단파장화 및 대물렌즈의 개구수(N.A.: Numerical Aperture)를 크게 하는 것을 들 수 있다. 그리고, 파장 680㎚, 670㎚, 660㎚, 650㎚, 635㎚ 등의 단파장 레이저가 실용화되어 왔다. 이렇게 해서 반도체 레이저의 단파장화, 대물렌즈의 개구수 증대화, 데이터 압축기술 등에 의해 동화 또는 대량의 정보를 장시간 기록할 수 있는 대용량의 광기록매체의 제작이 가능하게 되고, 따라서 상기 레이저에 대응한 추기형 광기록매체로서 개발된 것이 추기형의 디지털 다목적디스크(이하, DVD-R이라 함)이다. DVD-R은 3.9GB 또는 4.7GB의 기록용량을 가진, 한 번만 써 넣는 것이 가능한 광기록매체이며, 이 용량에 맞는 기록특성이 양호한 광디스크의 개발이 더욱 요망되고 있다. 이 매체에 사용되고 있는 적색레이져의 파장은 550㎚ 내지 700㎚, 바람직하게는 635㎚ 내지 660㎚이며, 이러한 상황에서 제안되고 있는 광기록매체로서는 광자기 기록매체, 상변화 기록매체, 칼코겐산화물 광기록매체, 유기색소계 광기록매체 등이 있다. 이들 중에서, 염가이고 프로세스상 용이하다고 하는 점에서 유기색소계 광기록매체가 우위성을 가진다고 생각된다.
또한, 색소가 사용되는 기록층과, 반사율을 높이기 위해 이 기록층 위에 형성된 반사층을 가지는 추기형 광기록매체는 기록층 속에 시아닌색소 또는 프탈로시아닌색소를 사용하는 추기형 콤팩트디스크(Compact Disk Recordable; CD-R)로서 널리 시판되게 되었다. 왜냐하면 이들은, 예를 들면 옵티컬 데이터 스토리지 1989 테크니컬 다이제스트 시리즈 제 1권 45('89)에 개시되어 있기 때문이다. 이들 매체는 780㎚에서 반도체 레이저에 의해 기록이 허용되며, 데이터는 780㎚에서 반도체 레이저장치를 탑재한, 널리 시판되는 CD 또는 CD-ROM 플레이어에 의해 재생될 수 있다.
또한, 한쪽에 4.7GB의 용량을 가진 DVD-R 매체는 CD보다 고밀도를 가진 광기록매체로서 최근 시판되고 있고, 또한 TV품질로 동화상을 기록 및 재생할 수 있으며, 이 매체에서는 기록은 방출파장 635 내지 660㎚을 가진 적색 반도체 레이저에 의해 행해지며, 이것은 성장하는 상용 DVD 비디오 플레이어 또는 DVD-ROM 플레이어에 의해 재생될 수 있다. 이러한 DVD-R 매체는 또한 기록층에 시아닌과 아조 등의 색소가 사용되는 적층구조를 사용하며, 두께 0.6㎜의 2매의 기판이 적층되는 원반형상의 구조를 가진 반사층이 형성된다.
장래 훨씬 높은 기록이 요구되어, 15 내지 30GB의 더 큰 대용량으로 될 것으로 예상된다. 따라서, 이러한 기록밀도를 달성하기 위하여 훨씬 더 짧은 파장을 가진 레이저를 사용하는 것이 불가피할 것이다. 따라서, 장래의 유기색소형의 광기록매체에 사용되는 기록색소로서 300 내지 500㎚의 파장범위 내에서 양호한 기록특성을 나타내는 색소가 요구될 것이다.
기록층으로서 유기색소를 사용하는 DVD-R 보다 고밀도의 기록을 행할 수 있는 매체에 관해서는, 일본국 특개평 10-302310호 공보는 8GB 이상의 기록용량에 대응하는 밀도를 달성하기 위하여 방출파장 680㎚ 이하를 가진 레이저를 개시하고 있다. 또한, 이 공보는 8GB 이상의 대용량으로 기록을 달성하기 위하여 두께 10 내지 177㎛를 가진 광투과층을 개재해서 개구수 0.7 이상을 가진 대물렌즈를 사용해서 680㎚ 이하의 레이저를 집중시킬수 있다고 개시하고 있다.
한편, 청색레이저로서 GaN계 재료를 사용한 410㎚의 레이저나 반도체레이저와 광도파로소자의 조합에 의한 파장 425㎚의 SHG 레이저가 개발되어 오고 있으며(예를 들면, 일경 일렉트로닉스, No.708, P.117, 1998년 1월 26일 호 참조), 이와 같은 레이저에 맞춘 청색반도체레이저에 대한 색소의 개발이 현재 전개되고 있다.
니치아 주식회사는 1999년 초부터 방출파장 390 내지 430㎚에서 청자색광을 방출하는 GaN 반도체레이저의 샘플을 배포했기 때문에 한쪽에 15GB 이상의 훨씬 더 고밀도용량을 가지고 동화를 HDTV(high definition television) 방송품질로 약 2시간 동안 기록할 수 있는 매체(이하, "HD-DVD-R 매체"라 함)를 연구해 오고 있다. 이와 같은 고밀도 용량을 가진 HD-DVD-R 매체는 현 방송의 화상품질로 기록을 약 6시간 동안 행할 수 있게 한다. 따라서, 이것은 홈 VTR 대신에 새로운 기록매체로서 주목되어 왔다. 상변화물질로 이루어진 무기기록막을 사용하는 매체의 기술평론이 일경 일렉트로닉스, No.751, P.117, 1999년 9월 6일 호에 발표되었다.
현재까지 400㎚ 내지 500㎚의 청색레이저로 기록할 수 있는 색소로서, 예를 들면, 일본국 특개평 4-74690호 공보 및 동 특개평 6-40161호 공보기재의 시아닌계 색소; 동 특개평 7-304256호 공보, 동 특개평 7-304257호 공보, 동 특개평 8-127174호 공보 및 동 특개평 11-334207호 공보기재의 포르피린계 색소; 동 특개평 4-78576호 공보 및 동 특개평 4-89279호 공보기재의 폴리엔계 색소; 동 특개평 11-334204호 공보 및 동 특개평 11-334205호 공보기재의 아조계 색소; 동 특개평 11-304206호 공보 기재의 디시아노비닐페닐계 색소; 동 특개평 2000-43423호 공보기재의 쿠마린 화합물; 및 동 특개평 2000-163799호 공보기재의 피리미딘화합물 등을 들 수 있다.
또한, 기록층 형성용의 유기색소로서 포르피린계 색소나 시아닌계 색소 등을 주로 함유하는 기록층 및 은을 주로 함유하는 금속반사층의 2층이 구성된 일본국 특개평 11-53758호 공보에 기재된 광기록매체; 청색레이저에 감응하는 시아닌계 색소를 함유한 청색레이저 감응색소층 및 적색레이저 감응색소층을 가짐으로써, 2파장영역의 기록을 가능하게 하는, 개선된 매체구성을 가진 일본국 특개평 11-203729호 공보에 기재된 광기록매체; 청색레이저용 색소 및 적색레이저용 색소의 2종의 색소를 혼합함으로써 2파장영역의 기록을 가능하게 하는 인디고이드계 색소를 사용한 일본국 특개평 11-78239호 공보기재의 광기록매체; 시아노에텐계 색소를 사용한 일본국 특개평 11-105423호 공보기재의 광기록매체; 및 스퀄리리움계 색소를 사용한 일본국 특개평 11-110815호 공보에 기재된 광기록매체 등이 제안되어 있다.
또한, 일본국 특개평 7-304256호 공보 및 동 특개평 7-304257호 공보는, 400 내지 500㎚의 청색범위에서 유기색소막을 사용한 기록의 예로서, 스핀코트에 의해 막을 형성하게 하면서 포르피린계 화합물의 소렛밴드를 488㎚의 아르곤레용의 보다 긴 파장쪽에 이동시키기 위하여 포르피린계 화합물을 분자화합물과 포르핀계 화합물의 중앙금속에 배위하는 폴리머 또는 중앙금속에 배위하는 측쇄를 가진 폴리머와 혼합하는 것을 기재하고 있다. 우리의 연구에 의하면, 일본국 특개평 4-78576호 공보 및 동 특개평 4-89279호 공보에 기재한 것 등의 폴리엔색소는 광안정성이 불량해서, 실제 사용시에 켄처의 혼합 등의 개선을 필요로 한다.
양 파장영역 레이저에 대해 기록가능한 광기록매체는 일본국 특개평 10-101953호 공보에 기재된 포르피린계 화합물 및 동 특개평 11-144312호 공보에 기재된 테트라아자포르피린계 색소를 사용하는 광기록매체를 포함한다. 구체적으로는, 유사한 구조를 가진 포르피린계 화합물 및 아자포르피린계 색소는 가시영역의 긴 파장쪽에서 "Q밴드"로 불리우는 흡수율과 가시영역의 짧은 파장쪽에서 "소렛밴드"로 불리우는 강한 흡수율을 나타낸다. 이 공보는 색소, 안료, 광전기능물질 등에 널리 사용되는 포르피린 등의 원형 유기화합물이 DVD-R용 및 15 내지 30GB에 따라서 고밀도기록을 행할 수 있는 광기록매체용의 색소로서의 특성을 가진 화합물일 수 있음을 시사하고 있다.
최근, 파장 400㎚ 내지 410㎚의 청자색 반도체레이저의 실용화가 가능하게 되었기 때문에 이 레이저를 사용한 대용량 추기형 광기록매체가 활발하게 개발되고, 특히 고내광성이나 양호한 고속기록특성을 가진 색소의 개발이 요망되고 있다.
그러나, 상기의 청색 반도체레이저용 광기록매체로는 파장 400㎚ 내지 410㎚의 레이저광에 대해서 충분히 적응하고 있지 않은 것이 실정이다. 즉 상기의 유기색소를 사용한 매체에서는 기록한 신호의 재생에 대하여 신호와 잡음의 비(C/N)가 반드시 양호한 값은 아니기 때문에 신호의 판독을 반드시 만족하게 행할 수 없는 등의 문제를 우리들은 발견했다. 이 문제를 극복해서, 파장 400㎚ 내지 410㎚의 파장의 레이저광에서 고밀도기록·재생이 가능한 광기록매체의 개발이 급선무로되어 있다. 또한, 디지털 동화상의 기록재생용 매체로서 강하게 요망되는 4.7GB의 용량을 가진 DVD-R에 대응하는 경우에는 이 매체의 기록층 속에 레이저파장 635㎚ 내지 660㎚에 감응하는 유기색소를 가지는 것이 필수이다. 그를 위해서는 상기의 청색 레이저파장전용의 기록용 색소만으로는 목적을 달성할 수 없다.
또한, 청색 레이저파장영역 및 적색 레이저파장영역의 2파장 영역에서의 기록·재생이 가능한 일본국 특개평 11-203729호 공보기재의 광기록매체는 기록층을 다층으로 해야 한다. 일본국 특개평 11-78239호 공보, 동 특개평 11-105423호 공보, 동 특개평 11-110815호 공보기재의 광기록매체는 기록용 색소를 반드시 2종 이상 사용하지 않으면 안되는 등 매체제작이 번잡하고, 기록특성도 아직 개선의 여지가 있다. 또한, 일본국 특개평 11-101953호 공보 및 동 특개평 11-144312호 공보에 기재된 광기록매체는 400㎚ 내지 410㎚ 및 635㎚ 내지 660㎚의 양쪽의 파장범위로부터 선택되는 각각의 레이저광을 사용한 기록/재생에 대해서는 아직 최적화에는 이르지 못하고 있다.
우리는 추기형 광기록매체에 적합한 기록물질을 연구해서, 최종적으로 다음의 것을 발견했다.
(1) 대용량 추기형 광기록매체는 기록을 쓰고 판독하기 위해 300 내지 500㎚ 및/또는 500 내지 700㎚의 레이저광을 사용하기 때문에 레이저파장 근방의 반사율, 기록물질의 흡수계수, 굴절률을 조정하는 것이 중요하다.
(2) 이 레이저를 사용한 대용량 추기형 광기록매체가 활발하게 개발되고, 특히 고내광성이나 양호한 고속기록특성을 가진 색소를 개발할 필요가 있다. 그러나, 이들 파장영역 내에서 레이저에 기록 및 재생할 수 있는 기록물질로서의 상기 색소는 충분한 특성을 나타내지 않아, 개선의 여지가 있다. 또한, 기록막을 용이하게 형성할 수 있는 스핀코트 등의 도포공정에 의해 매체를 제작하는 것은 그것이 도포된 용매속에서 높은 용해성을 나타낸다는 우위점을 가지며, 따라서 이 우위점도 고려되어야 한다.
기록용량을 증가시키기 위해서 고밀도 기록을 행하는 것이 일반적으로 필요한다. 따라서, 기록에 사용되는 광빔을 집중시키는 대물렌즈의 개구수(N.A.)룰 증가시키고 또한 광학시스템에서 레이저광의 파장을 감소시키는 것이 필수적이다. 집중된 최소 빔직경은 회절한계에 의존한다.
한편, 기록은 광강도가 역치를 초과할 때 행해지기 때문에 집중된 광스폿보다 작은 기록피트는 도 6(a)에 표시한 바와 같이 형성된다. 피트를 둘러싸는 영역은 강도피트의 외주에 대응한다. 파장이 짧아짐에 따라서 기록피트의 외주는 기록층의 광화학반응을 촉진시키는 경향이 있다. 특히, 상기 청자색 레이저의 파장영역은 유기화합물의 광화학반응이 용이하게 일어나는 파장영역이 되어, 기록시의 피트에지의 열화와 불량한 신호특성이라는 문제를 발생시킨다. 상세하게는, 도 6(b)에 표시한 바와 같이, 직사각형파(도 6(b)의 실선)에 따라서 이상적으로 형성되어야 하는 기록정보는 피트에지의 열화로 인해 넓은 파형(도 6(b)의 점선)을 나타낸다. 기록시와 동일한 청자색 레이저파장을 사용할 때, 재생광과 같이 약한 조사도 광반응을 촉진시킬 수 있어, 각 재생 후에 열화를 촉진시키게 된다는 문제점도 있다. 일본국 특개평 7-304256호 공보 및 동 특개평 7-304257호 공보는 재생광은 기록광과는 차이가 있다고 하는 방책, 실질적으로는 그보다 길다고 하는 방책을 취하고 있다. 따라서, 고밀도의 요건은 충분히 만족시킬 수 없다. 서로 다른 파장을 가진 기록광과 재생광을 사용한다는 것은 기록장치가 재생장치가 따로따로 제작되어야 하거나, 또는 하나의 장치가 두개의 광학시스템 및 그들의 제어시스템을 가져야 하므로, 광기록매체로서의 적용의 한계, 장치의 대형화, 코스트의 증가, 따라서 실용성의 불량으로 이어지게 된다고 하는 것을 의미한다. 또한, CD-R 등의 종래의 광기록매체에 있어서, 기록의 온/오프는 유기색소막의 융점, 승화점, 상전이점 또는 염분해점 등의 물리적 특성의 명백한 열 역치를 통해서 제어되고 있다. 청자색 레이저의 여기로 인한 광학열화모드의 포함은 콘트라스트를 흐리게 한다. 특히, 이것은 광빔보다 작은 미소한 기록피트가 형성되어야 하는 고밀도 기록시스템에서 기록신호품질을 현저하게 열화시킬 수 있다.
본 발명의 목적은 광을 사용해서 정보의 기록/재생을 행하기 위한 최적 색소를 조제하고 그것을 이용함으로써 고품질의 광학기록 및 재생이 가능한 광기록매체를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 광기록매체의 일 구성예를 개략적으로 표시하는 도면;
도 2는 본 발명의 광기록매체의 다른 구성예를 개략적으로 표시하는 도면;
도 3은 본 발명의 광기록매체의 또 다른 구성예를 개략적으로 표시하는 도면;
도 4는 본 발명의 광기록매체의 또 다른 구성예를 개략적으로 표시하는 도면;
도 5는 본 발명의 광기록매체의 또 다른 구성예를 개략적으로 표시하는 도면;
도 6(a) 및 6(b)는 본 발명에 의해 해결되어야 할 과제를 표시하는 개념도.
〈부호의 설명〉
1: 기판 2: 기록층
3: 반사층 4: 보호층
5: 접착층
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
구체적으로는, 본 발명은 다음의 것을 제공한다.
(1) 선택적으로 금속착체화된 포르피센으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물로 이루어진 기록층을 가진 광기록매체.
(2) 기판 상에 기록층으로서 유기색소층을 가지며, 이 유기색소층 속에 일반식 (1)로 표시되는 화합물로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 함유하는 광기록매체.
(3) 상기 화합물은 일반식 (1):
〔식 중, 환 A,B,C,D는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 피롤환을 표시하고; X1,X2,X3,X4는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 메틴기를 표시하고, M은 2개의 수소원자와, 치환기 또는 리간드를 가지고 있어도 되는 2 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 상기의 광기록매체.
(4) 상기 화합물은 일반식 (2):
〔식 중, R1내지 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅트기, 치환 또는 무치환의
알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기,
알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기,
아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
헤테로아릴옥시기를 표시하고; 또는 R1내지 R12의 각 치환기는 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M1은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가져도 되는 2가 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 상기의 광기록매체.
(5) 상기 화합물은 일반식 (3):
〔식 중, R13내지 R24는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는
무치환의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기,
아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬치오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
헤테로아릴옥시기를 표시하고; R13내지 R24의 각각은 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M2는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴옥시기로 구성되는 군으로부터 선택된 치환기 및/또는 일산화탄소, 알콜로 구성되는 군으로부터 선택된 리간드를 가진 2가 내지 4가의 금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 상기의광기록매체.
(6) 파장 300㎚ 내지 500㎚ 및/또는 500㎚ 내지 700㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 대해서 기록 및 재생이 가능한 상기의 광기록매체.
(7) 파장 400㎚ 내지 500㎚ 및/또는 600㎚ 내지 700㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 대해서 기록 및 재생이 가능한 상기의 광기록매체.
(8) 파장 400㎚ 내지 410㎚ 및/또는 635㎚ 내지 660㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 대해서 기록 및 재생이 가능한 상기의 광기록매체.
(9) 일반식 (1):
〔식 중, 환 A,B,C,D는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 피롤환을 표시하고; X1,X2,X3,X4는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 메틴기를 표시하고; M은 2개의 수소원자와, 치환기 또는 리간드를 가지고 있어도 되는 2 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 화합물.
(10) 일반식 (2):
〔식 중, R1내지 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는
무치환의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기,
아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
헤테로아릴옥시기를 표시하고; 또는 R1내지 R12의 각 치환기는 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M1은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가져도 되는 2가 또는 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 화합물.
(11) 일반식 (3):
〔식 중, R13내지 R24는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는 무치환의
알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기,
알케닐옥시기, 알킬치오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기,
아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
헤테로아릴옥시기를 표시하고; R13내지 R24의 각각은 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M2는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴옥시기로 구성되는 군으로부터 선택된 치환기 및/또는 일산화탄소, 알콜로 구성되는 군으로부터 선택된 리간드를 가진 2가 내지 4가의 금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 상기의화합물.
본 발명에 의하면, 본 발명의 포르피센 화합물은 300 내지 500㎚의 레이저, 특히 고밀도 광기록매체에 있어서 많은 주목을 끄는 400 내지 410㎚의 청자색 레이저에 의해 기록 및 재생을 할 수 있을 뿐만 아니라, 영화 등의 2시간 이상의 동화를 기록하는 데 사용되는 500 내지 700㎚에서 재생 및 기록도 할 수 있는 추기형 광기록매체를 제공하기 위하여 기록층용의 색소로서 사용될 수 있다.
〔바람직한 실시형태의 상세한 설명〕
본 발명은 광기록매체의 기록층 속에 선택적으로 금속착체화된 포르피센 화합물로 이루어진 광기록매체에 관한 것이다. 특히 파장 300㎚ 내지 500㎚ 및/또는 500㎚ 내지 700㎚, 구체적으로는 파장 400㎚ 내지 500㎚ 및/또는 600㎚ 내지 700㎚, 특히 파장 400㎚ 내지 410㎚ 및/또는 635㎚ 내지 660㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 신규한 광기록매체에 관한 것이다.
본 발명에 관한 광기록매체란, 정보를 기록해서 재생할 수 있는 광기록매체를 표시하는 것이다. 여기서는, 적합한 예로서 기판 상에 기록층, 반사층을 가진 본 발명의 광기록매체에 관해서 설명한다. 광기록매체로서, 예를 들면, 지지기판 상의 안내홈 이외에 300㎚ 내지 500㎚의 자외선/청색 레이저빔에 의해 기록 및 재생을 행하는 상기 홈 상에 주로 유기색소로 구성되는 기록층과 반사막을 가지는 광디스크를 설명하지만, 본 발명에 의한 광기록매체는 이러한 형상 또는 형태에 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명은, 카드형태 및 시트 등의 다른 형상을 가진 매체, 반사층이 없는 매체 또는 장래에 개발될 단파장의 레이저에 의한 기록/재생시에 사용되는 매체에 적용될 수 있다.
본 발명의 광기록매체는, 예를 들면, 도 1에 표시한 바와 같은 기판(1), 기록층(2), 반사층(3), 및 보호층(4)이 순차적으로 적층되어 있는 4층 구조를 가지고 있지만, 도 2에 표시한 바와 같은 접합구조를 가지고 있다. 즉 기판(1) 상에 기록층(2)이 형성되어 있으며, 그 위에 밀착해서 반사층(3)이 형성되어 있으며, 또한 그 위에 접착층(5)을 개재해서 보호층(4)이 접합되어 있다. 단, 기록층(2)의 아래 또는 위에 다른 층이 있어도 되고, 반사층 위에 다른 층이 있어도 상관없다. 또한, 도 3에 표시한 바와 같이, 기판(1), 반사층(3), 기록층(2), 보호층(4)의 순으로 적층하고, 보호층쪽으로부터 기록재생하는 구조라도 된다. 또한, 일본국 특개평 10-326435호 공보의 기재와 같이 광투과층의 두께가 광하계의 N.A. 및 레이저파장 λ에 의해 규정된 매체구조라도 상관없다. 또한, 본 발명의 광기록매체는, 필요에 따라서 일본국 특개평 11-203729호 공보의 기재와 같이 기록층을 2종 이상가진 구조를 사용할 수도 있다.
본 발명은, 도 4에 표시한 바와 같이, 기판(11), 기록층(12), 반사층(13) 및 보호층(14)이 순차적으로 적층되고, 또한 더미기판(15)이 접착층으로서도 작용하는 보호층(14) 상에 적층되는 광디스크에 적용될 수 있다. 물론, 기판(15)이 없는 구조라도 되고, 기록층(12)과 반사층(13) 사이, 반사층(13)과 보호층(14) 사이 또는 보호층(14)과 더미기판(15) 사이에 다른 층이 있어도 된다. 도 4의 광디스크에서는 기판(11)쪽으로부터 기록 및 재생이 행해진다.
다른 실시형태로서, 일본국 특개평 10-302310호 공보에 기재된 구성, 예를 들면, 도 5에 표시한 구조, 즉 가이드트렌치를 가진 지지기판(11') 상에 반사층(13')과 주로 유기색소로 이루어진 기록층(12')이 순차적으로 퇴적되어 있고, 이 기록층(12) 위에는 선택적인 투명보호층(14')을 개재해서 광투과층(15')이 형성되어 있고, 광투과층(15')쪽으로부터 정보의 기록 및 재생이 행해지는 구조로 해도 된다. 이와 반대로, 광투과층(15')에 가이드트렌치를 형성해도 되고, 이 광투과층(15') 위에는 투명보호층(14'), 기록층(12') 및 반사층(13')이 적층되고, 그 후, 제품을 지지기판(11')에 적층해도 된다.
본 발명에서는 기록층은 기판 위에 놓인다. 본 발명에 있어서의 기록층은 적어도 하나의 선택적으로 금속착체화된 포르피센화합물, 바람직하게는 일반식(1)로 표시되는 화합물, 더 바람직하게는 일반식(2)로 표시되는 화합물, 가장 바람직하게는 일반식(3)으로 표시되는 화합물로 이루어진다. 그리고 이것은 파장 300㎚ 내지 500㎚ 및/또는 500㎚ 내지 700㎚으로부터 선택되는 기록레이저파장 및/또는 재생레이저파장에 대해서 기록 및/또는 재생을 행하는 데 사용할 수 있다. 특히, 파장 400㎚ 내지 500㎚ 및/또는 600㎚ 내지 700㎚, 구체적으로는 400㎚ 내지 410㎚ 및/또는 635㎚ 내지 660㎚의 범위로부터 선택되는 기록레이저파장 및/또는 재생레이저파장에 대해서 양호한 C/N 비를 얻을 수 있고, 또한 재생광 안정성도 좋고, 고품위의 신호특성을 얻을 수 있는 광기록매체이다.
일반식(1)로 표시되는 화합물, 더 바람직하게는 일반식(2)로 표시되는 화합물, 가장 바람직하게는 일반식(3)으로 표시되는 화합물은, 치환기의 선택에 의해흡광계수를 유지한 상태에서 흡수파장을 임의로 선택할 수 있기 때문에 상기 레이저광의 파장에 있어서 기록층에 필요한 광학정수를 만족할 수 있는 극히 유용한 유기색소이다.
이하, 본 발명에 대하여 더 상세히 설명한다.
본 발명에서 일반식(1)로 표시되는 화합물에 대해서 환 A,B,C,D로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 피롤환에 대하여, 구체적인 치환기의 예로서는, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기,
메르캅토기, 치환 또는 무치환의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기,
알콕시카르보닐기, 아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기,
알케닐옥시카르보닐기, 1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기,
헤테로아릴기 및 헤테로아릴옥시기 등을 들 수 있다.
또한, 일반식(1)로 표시되는 포르피센 골격의 X1,X2,X3또는 X4로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 메틴기의 구체적인 치환기의 예로서는, 각각 식 (4),(5),(6),(7):
〔식 중, G1,G2,G3,G4는 상기 피롤환 상에 치환해도 되는 각 치환기와 동등한의미를 표시한다.〕로 표시되는 치환기를 가지고 있어도 되는 메틴기 등을 들 수 있다.
피롤환 상의 치환기는 서로 연결해도 되거나, 또는 X1,X2,X3,X4로 표시되는 인접하는 메틴기 상의 치환기는 연결기를 거쳐 연결해도 된다. 이러한 경우의 구체적 예로서는, 지방족 또는 방향족 축합을 통한 환형성과 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하는 복소환식의 환의 형성을 포함하며, 여기서 연결기는 헤테로원자, 금속착체 잔류물 등이다.
또한, 일반식(1)에 있어서의 M은 2개의 수소원자 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 2 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자를 표시한다. 금속원자 또는 반금속원자의 구체적인 예로서는, 2가의 금속원자, 치환기를 가진 3가 또는 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속기 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 일반식(1)로 표시되는 화합물로서는 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물을 바람직한 예로서 들 수 있다.
〔식 중, R1내지 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기,
시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는 무치환의
알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기,
알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기,
아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
헤테로아릴옥시기를 표시하고; 각 치환기 R1내지 R12는 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되고; M1은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가져도 되는 2가 내지 4가의 금속원자, 반금속원자, 또는 옥시금속원자를 표시한다.
본 발명의 일반식(2)로 표시되는 화합물에 있어서, R1내지 R12의 구체예로서는, 수소원자: 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요드원자 등의 할로겐원자;
니트로기; 시아노기; 히드록실기; 아미노기; 카르복실기; 메르캅토기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12의 치환 또는 무치환의 알킬기의 예로서는, 무치환의 직쇄, 분기 또는 환형상의 알킬기이며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기,
iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기,
iso-펜틸기, 2-메틸부틸기, 1-메틸부틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기,
1,1-디메틸프로필기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 4-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기,
2-메틸펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기,
1,3-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 1,2-디메틸부틸기, 1,1-디메틸부틸기,
3-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-에틸부틸기, 1,2,2-트리메틸부틸기,
1,1,2-트리메틸부틸기, 1-에틸-2-메틸프로필기, 시클로헥실기, n-헵틸기,
2-메틸헥실기, 3-메틸헥실기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기, 2,4-디메틸펜틸기,
n-옥틸기, 2-에틸헥실기, 2,5-디메틸헥실기, 2,5,5-트리메틸펜틸기,
2,4-디메틸헥실기, 2,2,4-트리메틸펜틸기, 3,5,5-트리메틸헥실기, n-노닐기,
n-데실기, 4-에틸옥틸기, 4-에틸-4,5-메틸헥실기, n-운데실기, n-도데실기, 1,3,5,7-테트라에틸옥틸기, 4-부틸옥틸기, 6,6-디에틸옥틸기, n-트리데실기,
6-메틸-4-부틸옥틸기, n-테트랄데실기, n-펜타데실기, 3,5-디메틸헵틸기,
2,6-디메틸헵틸기, 2,4-디메틸헵틸기, 2,2,5,5-테트라메틸헥실기,
1-시클로펜틸-2,2-디메틸프로필기, 및 1-시클로헥실-2,2-디메틸프로필기 등의 탄소수 1 내지 15의 무치환 알킬기;
클로로메틸기, 클로로에틸, 브로모에틸기, 요도에틸기, 디클로로메틸기,
플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로메틸기,
2,2,2-트리풀루오로에틸기, 2,2,2-트리클로로에틸기,
1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필기, 노나플루오로부틸기 및 퍼플루오로데실기 등의 할로겐원자로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기;
히드록시메틸기, 2-히드록시에틸기, 3-히드록시프로필기, 4-히드록시부틸기, 2-히드록시-3-메톡시프로필기, 2-히드록시-3-클로로프로필기,
2-히드록시-3-에톡시프로필기, 3-부톡시-2-히드록시프로필기,
2-히드록시-3-시클로헥실옥시프로필기, 2-히드록시프로필기, 2-히드록시부틸기,
4-히드록시데칼릴기 등의 탄소수 1 내지 10의 히드록실-알킬기;
히드록시메톡시메틸기, 히드록시에톡시에틸기,
2-(2'-히드록시-1'-메틸에톡시)-1-메틸에틸기,
2-(3'-플루오로-2'히드록시프로폭시)에틸기,
2-(3'-클로로-2'-히드록시프로폭시)에틸기, 히드록시부톡시시클로헥실기 등의 탄소수 2 내지 10의 히드록시알콕시-알킬기;
히드록시메톡시메톡시메틸기, 히드록시에톡시에톡시에틸기,
[2'-(2'-히드록시-1'-메틸에톡시)-1'-메틸에톡시]-에톡시에틸기, [2'-(2'-플로오로-1'-히드록시에톡시)-1'-메틸-에톡시]에톡시에틸기,
[2'-(2'-클로로-1'-히드록시-에톡시)-1'-메틸에톡시]에톡시에틸기 등의 탄소수 3 내지 10의 히드록시알콕시알콕시-알킬기;
시아노메틸기, 2-시아노메틸기, 3-시아노프로필기, 4-시아노부틸기,
2-시아노-3-메톡시프로필기, 2-시아노-3-클로로프로필기,
2-시아노-3-에톡시프로필기, 3-부톡시-2-시아노프로필기,
2-시아노-3-시클로헥실프로필기, 2-시아노프로필기, 2-시아노부틸기 등의 탄소수 2 내지 10의 시아노알킬기,
메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 프로폭시에틸기, 부톡시에틸기, n-헥실옥시에틸기,
(4-메틸펜톡시)에틸기, (1,3-디메틸부톡시)에틸기, (2-에틸헥실옥시)에틸기,
n-옥틸옥시에틸기, (3,5,5,-트리메틸헥실옥시)에틸기,
(2-메틸-1-iso-프로필프로폭시)에틸기, (3-메틸-1-iso-프로필부틸옥시)에틸기,
2-에톡시-1-메틸에틸기, 3-메톡시부틸기, (3,3,3-트리플루오로프로폭시)에틸기, (3,3,3-트리클로로프로폭시)에틸기 등의 탄소수 2 내지 15의 알콕시-알킬기;
메톡시메톡시메틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기,
프로폭시에톡시에틸, 부톡시에톡시에틸기, 시클로헥실옥시에톡시에틸기,
데칼릴옥시프로폭시에톡시에틸기, (1,2-디메틸프로폭시)에톡시에틸기,
(3-메틸-1-iso-부틸부톡시)에톡시에틸기, (2-메톡시-1-메틸에톡시)에틸기,
(2-부톡시-1-메틸에톡시)에틸기, 2-(2'-에톡시-1'-메틸에톡시)-1-메틸에틸기,
(3-3-3-트리플루오로프로폭시)에톡시에틸기,
(3,3,3-트리클로로프로폭시)에톡시에틸기 등의 탄소수 3 내지 15의
알콕시알콕시-알킬기;
메톡시메톡시메톡시메틸기, 메톡시에톡시에톡시에틸기,
에톡시에톡시에톡시에틸기, 부톡시에톡시에톡시에틸기,
시클로헥실옥시에톡시에톡시에틸기, 프로폭시프로폭시프로폭시에틸기,
(2,2,2-트리플루오로에톡시)에톡시에톡시에틸기,
(2,2,2-트리클로로에톡시)에톡시에톡시에틸기 등의 탄소수 4 내지 15의
알콕시알콕시알콕시-알킬기;
포르밀메틸기, 2-옥소부틸기, 3-옥소부틸기, 4-옥소부틸기,
2,6-이옥소시클로헥산-1-일기, 2-옥소-5-t-부틸시클로헥산-1-일기 등의 탄소수 2 내지 10의 아실-알킬기;
포르밀옥시메틸기, 아세톡시에틸기, 프로피오닐옥시에틸기,
부타노일옥시에틸기, 발레릴옥시에틸기, (2-에틸헥사노일옥시)에틸기,
(3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)헥실기,
(3-플루오로부틸옥시)에틸, (3-클로로부부틸릴옥시)에틸기 등의 탄소수 2 내지 15의 아실옥시-알킬기;
포르밀옥시메톡시메틸기, 아세톡시에톡시에틸기,
프로피오닐옥시에톡시에틸기, 발레릴옥시에톡시에틸기,
(2-에틸헥사노일옥시)에톡시에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)부톡시에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)에톡시에틸기,
(2-플루오로프로피오닐옥시)에톡시에틸기, (2-클로로프로피오닐옥시)에톡시에틸기 등의 탄소수 3 내지 15의 아실옥시알콕시-알킬기
아세톡시메톡시메톡시메틸기, 아세톡시에톡시에톡시에틸기,
프로피오닐옥시에톡시에톡시에틸기, 발레릴옥시에톡시에톡시에틸기,
(2-에틸헥사노일옥시)에톡시에톡시에틸기,
(3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)에톡시에톡시에틸기,
(2-플로오로프로피오닐옥시)에톡시에톡시에틸기,
(2-클로로프로피오닐옥시)에톡시에톡시에틸기 등의 탄소수 5 내지 15의
아실옥시알콕시알콕시-알킬기;
메톡시카르보닐메틸기, 에톡시카르보닐메틸기, 부톡시카르보닐메틸기,
메톡시카르보닐에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 부톡시카르보닐에틸기,
(p-에틸시클로헥실옥시카르보닐)시클로헥실기,
(2,2,3,3-테트라플루오로프로폭시카르보닐)메틸기,
(2,2,3,3-테트라클로로프로폭시카르보닐)메틸기 등의 탄소수 3 내지 15의
알콕시카르보닐-알킬기;
페녹시카르보닐메틸기, 페녹시카르보닐에틸기,
(4-t-부틸페녹시카르보닐)에틸기, 나프틸옥시카르보닐메틸기,
비페닐옥시카르보닐에틸기 등의 탄소수 8 내지 15의 아릴옥시카르보닐-알킬기
벤질옥시카르보닐메틸기, 벤질옥시카르보닐에틸기,
페네틸옥시카르보닐메틸기, (4-시클로헥실옥시벤질옥시카르보닐)메틸기 등의 탄소수 9 내지 15의 아랄킬옥시카르보닐-알킬기;
아스비닐옥시카르보닐메틸기, 비닐옥시카르보닐에틸기,
알릴옥시카보닐메틸기, 시클로펜타디에닐옥시카르보닐메틸기,
옥텐옥시카르보닐메틸기 등의 탄소수 4 내지 10의 알케닐옥시카르보닐-알킬기;
메톡시카르보닐옥시메틸기, 메톡시카르보닐옥시에틸기,
에톡시카르보닐옥시에틸기, 부톡시카르보닐옥시에틸기,
(2,2,2-트리플루오로에톡시카르보닐옥시)에틸기,
(2,2,2-트리클로로에톡시카르보닐옥시)에틸기 등의 탄소수 3 내지 15의
알콕시카르보닐옥시-알킬기;
메톡시메톡시카르보닐옥시메틸기, 메톡시에톡시카르보닐옥시에틸기,
에톡시에톡시카르보닐옥시에틸기, 부톡시에톡시카르보닐옥시에틸기,
(2,2,2-트리플루오로에톡시)에톡시카르보닐옥시에틸기,
(2,2,2-트리클로로에톡시)에톡시카르보닐옥시에틸기 등의 탄소수 4 내지 15의
알콕시알콕시카르보닐옥시-알킬기;
디메틸아미노메틸기, 디에틸아미노메틸기, 디-n-부틸아미노메틸기,
디-n-헥실아미노메틸기, 디-n-옥틸아미노메틸기, 디-n-데실아미노메틸기,
N-이소아밀-N-메틸아미노메틸기, 피페리디노메틸기, 디(메톡시메틸)아미노메틸기, 디(메톡시에틸)아미노메틸기, 디(에톡시메틸)아미노메틸기,
디(에톡시에틸)아미노메틸기, 디(프로폭시에틸)아미노메틸기,
디(부톡시에틸)아미노메틸기, 비스(2-시클로헥실옥시에틸기)아미노메틸기,
디메틸아미노에틸기, 디에틸아미노에틸기, 디-n-부틸아미노에틸기,
디-n-헥실아미노에틸기, 디-n-옥틸아미노에틸기, 디-n-데실아미노에틸기,
N-이소아밀-N-메틸아미노에틸기, 피페리디노에틸기, 디(메톡시메틸)아미노에틸기, 디(메톡시에틸)아미노에틸기, 디(에톡시메틸)아미노에틸기,
디(메톡시에틸)아미노에틸기, 디(프로폭시에틸)아미노에틸기,
디(부톡시에틸)아미노에틸기, 비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노에틸기,
디메틸아미노프로필기, 디에틸아미노프로필기, 디-n-부틸아미노프로필기,
디-n-헥실아미노프로필기, 디-n-옥틸아미노프로필기, 디-n-데실아미노프로필기,
N-이소아밀-N-메틸아미노프로필기, 피페리디노프로필기,
디(메톡시메틸)아미노프로필기, 디(메톡시에틸)아미노프로필기,
디(에톡시메틸)아미노프로필기, 디(에톡시에틸)아미노프로필기,
디(프로폭시에틸)아미노프로필기, 디(부톡시에틸)아미노프로필기,
비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노프로필기, 디메틸아미노부틸기,
디에틸아미노부틸기, 디-n-부틸아미노부틸기, 디-n-헥실아미노부틸기,
디-n-옥틸아미노부틸기, 디-n-데실아미노부틸기, N-이소아밀-N-메틸아미노부틸기, 피페리디노부틸기, 디(메톡시메틸)아미노부틸기, 디(메톡시에틸)아미노부틸기,
디(에톡시메틸)아미노부틸기, 디(에톡시에틸)아미노부틸기,
디(프로폭시에틸)아미노부틸기, 디(부톡시에틸)아미노부틸기,
비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노부틸기 등의 탄소수 3 내지 20의
디알킬아미노-알킬기;
아세틸아미노메틸기, 아세틸아미노에틸기, 프로피오닐아미노에틸기,
부타노일아미노에틸기, 시클로헥산카르보닐아미노에틸기,
p-메틸시클로헥산카르보닐아미노에틸기, 숙신아미노에틸기 등의 탄소수 3 내지 10의 아실아미노-알킬기;
메틸술폰아미노메틸기, 메틸술폰아미노에틸기, 에틸술폰아미노에틸기,
프로필술폰아미노에틸기, 옥틸술폰아미노에틸기 등의 탄소수 2 내지 10의
알킬술폰아미노-알킬기;
메틸술폰일메틸기, 에틸술폰일메틸기, 부틸술폰일메틸기, 메틸술폰일에틸기, 에틸술폰일에틸기, 부틸술폰일에틸기, 2-에틸헥실술폰일에틸기,
2,2,3,3-테트라플루오로프로필술폰일메틸기,
2,2,3,3-테트라클로로프로필술폰일메틸기 등의 탄소수 2 내지 10의
알킬술폰일-알킬기;
벤젠술폰일메틸기, 벤젠술폰일에틸기, 벤젠술폰일프로필기,
벤젠술폰일부틸기, 톨루엔술폰일메틸기, 톨루엔술폰일에틸기,
톨루엔술폰일프로필기, 톨루엔술폰일부틸기, 크실렌술폰일메틸기,
크실렌술폰일에틸기, 크실렌술폰일프로필기, 크실렌술폰일부틸기 등의 탄소수 7 내지 12의 아릴술폰일-알킬기;
티아디아졸리노메틸기, 피롤리노메틸기, 피롤리디노메틸기, 피라졸리디노메틸기, 이미다졸리디노메틸기, 옥사졸릴메틸기, 트리아졸리노메틸기,
모르폴리노메틸기, 인돌리노메틸기, 벤지미다졸리노메틸기, 카르바졸리노메틸기 등의 탄소수 2 내지 13의 복소환기-치환 알킬기;
페로세닐메틸기, 페로세닐에틸기, 페로세닐-n-프로필기,
페로세닐-iso-프로필기, 페로세닐-n-부틸기, 페로세닐-iso-부틸기,
페로세닐-sec-부틸기, 페로세닐-t-부틸기, 페로세닐-n-펜틸기,
페로세닐-iso-펜틸기, 페로세닐-2-메틸부틸기, 페로세닐-1-메틸부틸기,
페로세닐네오펜틸기, 페로세닐-1,2-디메틸프로필기, 페로세닐-1,1-디메틸프로필기, 페로세닐시클로펜틸기, 페로세닐-n-헥실기, 페로세닐기-4-메틸펜틸기,
페로세닐-3-메틸펜틸기, 페로세닐-2-메틸펜틸기, 페로세닐-1-메틸펜틸기, 페로세닐-3,3-디메틸부틸기, 페로세닐-2,3-디메틸부틸기,
페로세닐-1,3-디메틸부틸기, 페로세닐-2,2-디메틸부틸기,
페로세닐-1,2-디메틸부틸기, 페로세닐-1,1-디메틸부틸기, 페로세닐-3-에틸부틸기, 페로세닐-2-에틸부틸기, 페로세닐-1-에틸부틸기, 페로세닐-1,2,2-트리메틸부틸기, 페로세닐-1,1,2-트리메틸부틸기, 페로세닐-1-에틸-2-메틸프로필기,
페로세닐시클로헥실기, 페로세닐-n-헵틸기, 페로세닐-2-메틸헥실기,
페로세닐-3-메틸헥실기, 페로세닐-4-메틸헥실기, 페로세닐-5-메틸헥실기,
페로세닐-2,4-디메틸펜틸기, 페로세닐-n-옥틸기, 페로세닐-2-에틸헥실기,
페로세닐-2,5-디메틸헥실기, 페로세닐-2,5,5-트리메틸펜틸기,
페로세닐-2,4-디메틸헥실기, 페로세닐-2,2,4-트리메틸펜틸기,
페로세닐-3,5,5-트리메틸헥실기, 페로세닐-n-노닐기, 페로세닐-n-데실기,
코발토세닐메틸기, 코발토세닐에틸기, 코발토세닐-n-프로필기,
코발토세닐-iso-프로필기, 코발토세닐-n-부틸기, 코발토세닐-iso-부틸기,
코발토세닐-sec-부틸기, 코발토세닐-t-부틸기, 코발토세닐-n-펜틸기,
코발토세닐-iso-펜틸기, 코발토세닐-2-메틸부틸기, 코발토세닐-1-메틸부틸기,
코발토세닐네오펜틸기, 코발토세닐-1,2-디메틸프로필기,
코발토세닐-1,1-디메틸프로필기, 코발토세닐시클로펜틸기, 코발토세닐-n-헥실기, 코발토세닐-4-메틸펜틸기, 코발토세닐-3-메틸펜틸기, 코발토세닐-2-메틸펜틸기,
코발토세닐-1-메틸펜틸기, 코발토세닐-3,3-디메틸부틸기,
코발토세닐-2,3-디메틸부틸기, 코발토세닐-1,3-디메틸부틸기,
코발토세닐-2,2-디메틸부틸기, 코발토세닐-1,2-디메틸부틸기,
코발토세닐-1,1-디메틸부틸기, 코발토세닐-3-에틸부틸기,
코발토세닐-2-에틸부틸기, 코발토세닐-1-에틸부틸기,
코발토세닐-1,2,2-트리메틸부틸기, 코발토세닐-1,1,2-트리메틸부틸기,
코발토세닐-1-에틸-메틸프로필기, 코발토세닐시클로헥실기, 코발토세닐-n-헵틸기, 코발토세닐-2-메틸헥실기, 코발토세닐-3-메틸헤실기, 코발토세닐-4-메틸헥실기,
코발토세닐-5-메틸헥실기, 코발토세닐-2,4-디메틸펜틸기, 코발토세닐-n-옥틸기,
코발토세닐-2-에틸헥실기, 코발토세닐-2,5-디메틸헥실기,
코발토세닐-2,5,5-트리메틸펜틸기, 코발토세닐-2,4-디메틸헥실기,
코발토세닐-2,2,4-트리메틸펜틸기, 코발토세닐-3,5,5-트리메틸헥실기,
코발토세닐-n-노닐기, 코발토세닐-n-데실기,
닉켈로세닐메틸기, 닉켈로세닐에틸기, 닉켈로세닐-n-프로필기,
닉켈로세닐-iso-프로필기, 닉켈로세닐-n-부틸기, 닉켈로세닐-iso-부틸기,
닉켈로세닐-sec-부틸기, 닉켈로세닐-t-부틸기, 닉켈로세닐-n-펜틸기,
닉켈로세닐-iso-펜틸기, 닉켈로세닐-2-메틸부틸기, 닉켈로세닐-1-메틸부틸기,
닉켈로세닐네오펜틸기, 닉켈로세닐-1,2-디메틸프로필기,
닉켈로세닐-1,1-디메틸프로필기, 닉켈로세닐시클로펜틸기, 닉켈로세닐-n-헥실기, 닉켈로세닐-4-메틸펜틸기, 닉켈로세닐-3-메틸펜틸기, 닉켈로세닐-2-메틸펜틸기,
닉켈로세닐-1-메틸펜틸기, 닉켈로세닐-3,3-디메틸부틸기,
닉켈로세닐-2,3-디메틸부틸기, 닉켈로세닐-1,3-디메틸부틸기,
닉켈로세닐-2,2-디메틸부틸기, 닉켈로세닐-1,2-디메틸부틸기,
닉켈로세닐-1,1-디메틸부틸기, 닉켈로세닐-3-에틸부틸기,
닉켈로세닐-2-에틸부틸기, 닉켈로세닐-1-에틸부틸기,
닉켈로세닐-1,2,2-트리메틸부틸기, 닉켈로세닐-1,1,2-트리메틸부틸기,
닉켈로세닐-1-에틸-2-메틸프로필기, 닉켈로세닐시클로헥실기,
닉켈로세닐-n-헵틸기, 닉켈로세닐-2-메틸헥실기, 닉켈로세닐-3-메틸헥실기,
닉켈로세닐-4-메틸헥실기, 닉켈로세닐-5-메틸헥실기,
닉켈로세닐-2,4-디메틸펜틸기, 닉켈로세닐-n-옥틸기,
닉켈로세닐-2-에틸헥실기, 닉켈로세닐-2,5-디메틸헥실기,
닉켈로세닐-2,5,5-트리메틸펜틸기, 닉켈로세닐-2,4-디메틸헥실기,
닉켈로세닐-2,2,4-트리메틸펜틸기, 닉켈로세닐-3,5,5-트리메틸헥실기,
닉켈로세닐-n-노닐기, 닉켈로세닐-n-데실기,
디클로로티타노세닐메틸기, 트리클로로티타늄시클로펜타디에닐메틸기, 비스(트리플루오로메탄술폰에이토)티타노센메틸기, 디클로로지르코노세닐메틸기,
디메틸지르코노세닐메틸기, 디에톡시지르코노세닐메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)크로뮴-메틸기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로몰리브데넘-메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄-메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오븀-메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)루테늄-메틸기, 비스(시클로펜타디에닐)바나듐-메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐-메틸기 등의 탄소수 11 내지 20의
메탈로세닐-알킬기;
페로세닐메톡시메틸, 페로세닐메톡시에틸기, 페로세닐메톡시프로필기,
페로세닐메톡시부틸기, 페로세닐메톡시펜틸기, 페로세닐메톡시헥실기,
페로세닐메톡시헵틸기, 페로세닐메톡시옥틸기, 페로세닐메톡시노닐기,
페로세닐메톡시데실기, 페로세닐에톡시메틸기, 페로세닐에톡시에틸기,
페로세닐에톡시프로필기, 페로세닐에톡시부틸기, 페로세닐에톡시펜틸기,
페로세닐에톡시헥실기, 페로세닐에톡시헵틸기, 페로세닐에톡시옥틸기,
페로세닐에톡시노닐기, 페로세닐에톡시데실기, 페로세닐프로폭시메틸기,
페로세닐프로폭시에틸기, 페로세닐프로폭시프로필기, 페로세닐프로폭시부틸기,
페로세닐프로폭시펜틸기, 페로세닐프로폭시헥실기, 페로세닐프로폭시헵틸기,
페로세닐프로폭시옥틸기, 페로세닐프로폭시노닐기, 페로세닐프로폭시데실기,
페로세닐부톡시메틸기, 페로세닐부톡시에틸기, 페로세닐부톡시프로필기,
페로세닐부톡시부틸기, 페로세닐부톡시펜틸기, 페로세닐부톡시헥실기,
페로세닐부톡시헵틸기, 페로세닐부톡시옥틸기, 페로세닐부톡시노닐기,
페로세닐부톡시데실기, 페로세닐데실옥시메틸기, 페로세닐데실옥시에틸기,
페로세닐데실옥시프로필기, 페로세닐데실옥시부틸기, 페로세닐데실옥시펜틸기,
페로세닐데실옥시헥실기, 페로세닐데실옥시헵틸기, 페로세닐데실옥시옥틸기,
페로세닐데실옥시노닐기, 페로세닐데실옥시데실기,
코발토세닐메톡시메틸기, 코발토세닐메톡시에틸기,
코발토세닐메톡시프로필기, 코발토세닐메톡시부틸기, 코발토세닐메톡시펜틸기,
코발토세닐메톡시헥실기, 코발토세닐메톡시헵틸기, 코발토세닐메톡시옥틸기,
코발토세닐메톡시노닐기, 코발토세닐메톡시데실기, 코발토세닐에톡시메틸기,
코발토세닐에톡시에틸기, 코발토세닐에톡시프로필기, 코발토세닐에톡시부틸기,
코발토세닐에톡시펜틸기, 코발토세닐에톡시헥실기, 코발토세닐에톡시헵틸기,
코발토세닐에톡시옥틸기, 코발토세닐에톡시노닐기, 코발토세닐에톡시데실기,
코발토세닐프로폭시메틸기, 코발토세닐프로폭시에틸기,
코발토세닐프로폭시프로필기, 코발토세닐프로폭시부틸기,
코발토세닐프로폭시펜틸기, 코발토세닐프로폭시헥실기, 코발토세닐프로폭시헵틸기, 코발토세닐프로폭시옥틸기, 코발토세닐프로폭시노닐기, 코발토세닐프로폭시데실기, 코발토세닐부톡시메틸기, 코발토세닐부톡시에틸기, 코발토세닐부톡시프로필기,
코발토세닐부톡시부틸기, 코발토세닐부톡시펜틸기, 코발토세닐부톡시헥실기,
코발토세닐부톡시헵틸기, 코발토세닐부톡시옥틸기, 코발토세닐부톡시노닐기,
코발토세닐부톡시데실기, 코발토세닐데실옥시메틸기, 코발토세닐데실옥시에틸기,
코발토세닐데실옥시프로필기, 코발토세닐데실옥시부틸기,
코발토세닐데실옥시펜틸기, 코발토세닐데실옥시헥실기, 코발토세닐데실옥시헵틸기, 코발토세닐데실옥시옥틸기, 코발토세닐데실옥시노닐기, 코발토세닐데실옥시데실기,
닉켈로세닐메톡시메틸기, 닉켈로세닐메톡시에틸기,
닉켈로세닐메톡시프로필기, 닉켈로세닐메톡시부틸기, 닉켈로세닐메톡시펜틸기,
닉켈로세닐메톡시헥실기, 닉켈로세닐메톡시헵틸기, 닉켈로세닐메톡시옥틸기,
닉켈로세닐메톡시노닐기, 닉켈로세닐메톡시데실기, 닉켈로세닐에톡시메틸기,
닉켈로세닐에톡시에틸기, 닉켈로세닐에톡시프로필기, 닉켈로세닐에톡시부틸기,
닉켈로세닐에톡시펜틸기, 닉켈로세닐에톡시헥실기, 닉켈로세닐에톡시헵틸기,
닉켈로세닐에톡시옥틸기, 닉켈로세닐에톡시노닐기, 닉켈로세닐에톡시데실기,
닉켈로세닐프로폭시메틸기, 닉켈로세닐프로폭시에틸기,
닉켈로세닐프로폭시프로필기, 닉켈로세닐프로폭시부틸기,
닉켈로세닐프로폭시펜틸기, 닉켈로세닐프로폭시헥실기, 닉켈로세닐프로폭시헵틸기, 닉켈로세닐프로폭시옥틸기, 닉켈로세닐프로폭시노닐기, 닉켈로세닐프로폭시데실기, 닉켈로세닐부톡시메틸기, 닉켈로세닐부톡시에틸기, 닉켈로세닐부톡시프로필기,
닉켈로세닐부톡시부틸기, 닉켈로세닐부톡시펜틸기, 닉켈로세닐부톡시헥실기,
닉켈로세닐부톡시헵틸기, 닉켈로세닐부톡시옥틸기, 닉켈로세닐부톡시노닐기,
닉켈로세닐부톡시데실기, 닉켈로세닐데실옥시메틸기, 닉켈로세닐데실옥시에틸기, 닉켈로세닐데실옥시프로필기, 닉켈로세닐데실옥시부틸기,
닉켈로세닐데실옥시펜틸기, 닉켈로세닐데실옥시헥실기, 닉켈로세닐데실옥시헵틸기, 닉켈로세닐데실옥시옥틸기, 닉켈로세닐데실옥시노닐기, 닉켈로세닐데실옥시데실기,
디클로로티타노세닐메톡시메틸기,
트리클로로타타늄시클로펜타디에닐메톡시에틸기,
비스(트리플루오로메탄술폰에이토)티타노센메톡시프로필기,
디클로로지르코노세닐메톡시부틸기, 디메틸지르코노세닐메톡시펜틸기,
디에톡시지르코노세닐메톡시메틸기, 비스(시클로펜타디에닐)크로뮴-메톡시헥실기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄-메톡시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오뮴-메톡시옥틸기,
비스(시클로펜타디에닐)니오븀-메톡시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)바나듐-메톡시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐-메톡시에틸기, 오스모세닐메톡시에틸기 등의 탄소수 12 내지 30의 메탈로세닐알킬옥시-알킬기;
페로센카르보닐옥시메틸기, 페로센카르보닐옥시에틸기,
페로센카르보닐옥시프로필기, 페로센카르보닐옥시부틸기,
페로센카르보닐옥시펜틸기, 페로센카르보닐옥시헥실기, 페로센카르보닐옥시헵틸기, 페로센카르보닐옥시옥틸기, 페로센카르보닐옥시노닐기, 페로센카르보닐옥시데실기,
코발토센카르보닐옥시메틸기, 코발토센카르보닐옥시에틸기,
코발토센카르보닐옥시프로필기, 코발토센카르보닐옥시부틸기,
코발토센카르보닐옥시펜틸기, 코발토센카르보닐옥시헥실기,
코발토센카르보닐옥시헵틸기, 코발토센카르보닐옥시옥틸기,
코발토센카르보닐옥시노닐기, 코발토센카르보닐옥시데실기,
닉켈로센카르보닐옥시메틸기, 닉켈로센카르보닐옥시에틸기,
닉켈로센카르보닐옥시프로필기, 닉켈로센카르보닐옥시부틸기,
닉켈로센카르보닐옥시펜틸기, 닉켈로센카르보닐옥시헥실기,
닉켈로센카르보닐옥시헵틸기, 닉켈로센카르보닐옥시옥틸기,
닉켈로센카르보닐옥시노닐기, 닉켈로센카르보닐옥시데실기,
디클로로티타노세닐카르보닐옥시메틸기,
트리클로로티타늄시클로펜타디에닐카르보닐옥시에틸기,
비스(트리플루오로메탄술폰에이트)티타노센카르보닐옥시메톡시프로필기,
디클로로지르코노센카르보닐옥시부틸기, 디메틸지르코노센카르보닐옥시펜틸기,
디에톡시지르코노센카르보닐옥시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)크로뮴카르보닐옥시헥실기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄카르보닐옥시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오븀카르보닐옥시옥틸기,
비스(시클로펜타디에닐)니오븀카르보닐옥시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)바나듐카르보닐옥시메틸기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐카르보닐옥시에틸기,
비스(시클로펜타디에닐)오스뮴카르보닐옥시에틸기 등의 탄소수 12 내지 30의
메탈로세닐카르보닐옥시-알킬기.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아랄킬기의 예로서는, 상기한
알킬기와 같은 치환기를 가진 아랄킬기이며, 바람직하게는 벤질기, 니트로벤질기,
시아노벤질기, 히드록시벤질기, 메틸벤질기, 트리플루오로메틸벤질기,
나프틸메틸기, 니트로나프틸메틸기, 시아노나프틸메틸기, 히드록시나프틸메틸기, 메틸나프틸메틸기, 트리플루오로메틸나프틸메틸기, 플루오렌-9-일에틸기 등의 탄소수 7 내지 15의 아랄킬기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아릴기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아릴기이며, 바람직하게는 페닐기, 니트로페닐기,
시아노페닐기, 히드록시페닐기, 메틸페닐기, 트리플루오로메틸페닐기, 나프틸기, 니트로나프틸기, 시아노나프틸기, 히드록시나프틸기, 메틸나프틸기,
트리플루오로메틸나프틸기, 메톡시카르보닐페닐기,
4-(5'-메틸벤족사졸-2'-일)페닐기, 디부틸아미노카르보닐페닐기 등의 탄소수 6 내지 15의 아릴기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알케닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 알케닐기이며, 바람직하게는 비닐기, 프로페닐기,
1-부테닐기, iso-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 2-메틸-1-부테닐기,
3-메틸-1부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 2,2-디시아노비닐기,
2-시아노-2-메틸카르복실비닐기, 2-시아노-2-메틸술폰비닐기, 스티릴기,
4-페닐-2-부테닐기 등의 탄소수 2 내지 10의 알케닐기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알콕시기의 예로서는,
메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, sec-부톡시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 1-메틸펜틸옥시기,
2-메틸펜틸옥시기, 3-메틸펜틸옥시기, 4-메틸펜틸옥시기, 1,1-디메틸부톡시기,1,2-디메틸부톡시기, 1,3-디메틸부톡시기, 2,3-디메틸부톡시기,
1,1,2-트리메틸프로폭시기, 1,2,2-트리메틸프로폭시기, 1-에틸부톡시기,
2-에틸부톡시기, 1-에틸-2-메틸프로폭시기, 시클로헥실옥시기,
메틸시클로펜틸옥시기, n-헵틸옥시기, 1-메틸헥실옥시기, 2-메틸헥실옥시기,
3-메틸헥실옥시기, 4-메틸헥실옥시기, 5-메틸헥실옥시기, 1,1-디메틸펜틸옥시기, 1,2-디메틸펜틸옥시기, 1,3-디메틸펜틸옥시기, 1,4-디메틸펜틸옥시기,
2,2-디메틸펜틸옥시기, 2,3-디메틸펜틸옥시기, 2,4-디메틸펜틸옥시기,
3,3-디메틸펜틸옥시기, 3,4-디메틸펜틸옥시기, 1-에틸펜틸옥시기,
2-에틸펜틸옥시기, 3-에틸펜틸옥시기, 1,1,2-트리메틸부톡시기,
1,1,3-트리메틸부톡시기, 1,2,3-트리메틸부톡시기, 1,2,2-트리메틸부톡시기, 1,3,3-트리메틸부톡시기, 2,3,3-트리메틸부톡시기, 1-에틸-1-메틸부톡시기, 1-에틸-2-메틸부톡시기, 1-에틸-3-메틸부톡시기, 2-에틸-1-메틸부톡시기,
2-에틸-3-메틸부톡시기, 1-n-프로필부톡시기, 1-이소프로필부톡시기, 1-이소프로필-2-메틸프로폭시기, 메틸시클로헥실옥시기, n-옥틸옥시기,
1-메틸헵틸옥시기, 2-메틸헵틸옥시기, 3-메틸헵틸옥시기, 4-메틸헵틸옥시기,
5-메틸헵틸옥시기, 6-메틸헵틸옥시기, 1,1-디메틸헥실옥시기,
1,2-디메틸헥실옥시기, 1,3-디메틸헥실옥시기, 1,4-디메틸헥실옥시기,
1,5-디메틸헥실옥시기, 2,2-디메틸헥실옥시기, 2,3-디메틸헥실옥시기,
2,4-디메틸헥실옥시기, 2,5-디메틸헥실옥시기, 3,3-디메틸헥실옥시기,
3,4-디메틸헥실옥시기, 3,5-디메틸헥실옥시기, 4,4-디메틸헥실옥시기,
4,5-디메틸헥실옥시기, 1-에틸헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기,
3-에틸헥실옥시기, 4-에틸헥실옥시기, 1-n-프로필펜틸옥시기,
2-n-프로필펜틸옥시기, 1-이소프로필펜틸옥시기, 2-이소프로필펜틸옥시기,
1-에틸-1-메틸펜틸옥시기, 1-에틸-2-메틸펜틸옥시기, 1-에틸-3-메틸펜틸옥시기,
1-에틸-4-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-1-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-2-메틸펜틸옥시기,
2-에틸-3-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-4-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-1-메틸펜틸옥시기,
3-에틸-2-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-3-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-4-메틸펜틸옥시기, 1,1,2-트리메틸펜틸옥시기, 1,1,3-트리메틸펜틸옥시기, 1,1,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,2,2-트리메틸펜틸옥시기, 1,2,3-트리메틸펜틸옥시기, 1,2,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,3,4-트리메틸펜틸옥시기, 2,2,3-트리메틸펜틸옥시기, 2,2,4-트리메틸펜틸옥시기, 2,3,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,3,3-트리메틸펜틸옥시기, 2,3,3-트리메틸펜틸옥시기, 3,3,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,4,4-트리메틸펜틸옥시기, 2,4,4-트리메틸펜틸옥시기, 3,4,4-트리메틸펜틸옥시기, 1-n-부틸부톡시기, 1-이소부틸부톡시기,
1-sec-부틸부톡시기, 1-tert-부틸부톡시기, 2-tert-부틸부톡시기,
1-n-프로필-1-메틸부톡시기, 1-n-프로필-2-메틸부톡시기,
1-n-프로필-3-메틸부톡시기, 1-이소프로필-1-메틸부톡시기,
1-이소프로필-2-메틸부톡시기, 1-이소프로필-3-메틸부톡시기,
1,1-디에틸부톡시기, 1,2-디에틸부톡시기, 1-에틸-1,2-디메틸부톡시기,
1-에틸-1,3-디메틸부톡시기, 1-에틸-2,3-디메틸부톡시기,
2-에틸-1,1-디메틸부톡시기, 2-에틸-1,2-디메틸부톡시기,
2-에틸-1,3-디메틸부톡시기, 2-에틸-2,3-디메틸부톡시기,
1,1,3,3-테트라메틸부톡시기, 1,2-디메틸시클로헥실옥시기,
1,3-디메틸시클로헥실옥시기, 1,4-디메틸시클로헥실옥시기,
에틸시클로헥실옥시기, n-노닐옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, n-데실옥시기,
n-운데실옥시기, n-도데실옥시기, 1-아다만틸옥시기, n-펜타데실옥시기 등의 탄소수 1 내지 15의 직쇄, 분기 또는 환형상의 무치환알콕시기;
메톡시메톡시기, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, n-프로폭시에톡시기,
이소프로폭시에폭시기, n-부톡시에톡시기, 이소부톡시에톡시기,
tert-부톡시에톡시기, sec-부톡시에톡시기, n-펜틸옥시에톡시기,
이소펜틸옥시에톡시기, tert-펜틸옥시에톡시기. sec-펜틸옥시에톡시기,
시클로펜틸옥시에톡시기, n-헥실옥시에톡시기, 에틸시클로헥실옥시에톡시기,
n-노닐옥시에톡시기, (3,5,5-트리메틸헥실옥시)에톡시기,
(3,5,5-트리메틸헥실옥시)부톡시기, n-데실옥시에톡시기, n-운데실옥시에톡시기, n-도데실옥시에톡시기, 3-메톡시프로폭시기, 3-에톡시프로폭시기,
3-(n-프로폭시)프로폭시기, 2-이소프로폭시프로폭시기, 2-메톡시부톡시기,
2-에톡시부톡시기, 2-(n-프로폭시)부톡시기, 4-이소프로폭시부톡시기,
데칼릴옥시에톡시기, 아다만틸옥시에톡시기 등의 탄소수 2 내지 15의
알콕시-알콕시기;
메톡시메톡시메톡시기, 에톡시메톡시메톡시기, 프로폭시메톡시메톡시기,
부톡시메톡시메톡시기, 메톡시에톡시메톡시기, 에톡시에톡시메톡시기,
프로폭시에톡시메톡시기, 부톡시에톡시메톡시기, 메톡시프로폭시메톡시기,
에폭시프로폭시메톡시기, 프로폭시프로폭시메톡시기, 부톡시프로폭시메톡시기,
메톡시부톡시메톡시기, 에톡시부톡시메톡시기, 프로폭시부톡시메톡시기,
부톡시부톡시메톡시기, 메톡시메톡시에톡시기, 에톡시메톡시에톡시기,
프로폭시메톡시에톡시기, 부톡시메톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기,
에톡시에톡시에톡시기, 프로폭시에톡시에톡시기, 부톡시에톡시에톡시기,
메톡시프로폭시에톡시기, 에톡시프로폭시에톡시기, 프로폭시프로폭시에톡시기,
부톡시프로폭시에톡시기, 메톡시부톡시에톡시기, 에톡시부톡시에톡시기,
프로폭시부톡시에톡시기, 부톡시부톡시에톡시기, 메톡시메톡시프로폭시기,
에톡시메톡시프로폭시기, 프로폭시메톡시프로폭시기, 부톡시메톡시프로폭시기,
메톡시에톡시프로폭시기, 에톡시에톡시프로폭시기, 프로폭시에톡시프로폭시기,
부톡시에톡시프로폭시기, 메톡시프로폭시프로폭시기, 에톡시프로폭시프로폭시기, 프로폭시프로폭시프로폭시기, 부톡시프로폭시프로폭시기, 메톡시부톡시프로폭시기, 에톡시부톡시프로폭시기, 프로폭시부톡시프로폭시기, 부톡시부톡시프로폭시기,
메톡시메톡시부톡시기, 에톡시메톡시부톡시기, 프로폭시메톡시부톡시기,
부톡시메톡시부톡시기, 메톡시에톡시부톡시기, 에톡시에톡시부톡시기,
프로폭시에톡시부톡시기, 부톡시에톡시부톡시기, 메톡시프로폭시부톡시기,
에톡시프로폭시부톡시기, 프로폭시프로폭시부톡시기, 부톡시프로폭시부톡시기,
메톡시부톡시부톡시기, 에톡시부톡시부톡시기, 프로폭시부톡시부톡시기,
부톡시부톡시부톡시기, (4-에틸시클로헥실옥시)에톡시에톡시기,
(2-에틸-1-헥실옥시)에톡시프로폭시기,
[4-(3,5,5-트리메틸헥실옥시)부톡시]에톡시기 등의 탄소수 3 내지 15의 직쇄, 분기 또는 환형상의 알콕시알콕시-알콕시기;
메톡시카르보닐메톡시기, 에톡시카르보닐메톡시기,
n-프로폭시카르보닐메톡시기, 이소프로폭시카르보닐메톡시기,
(4'-에틸시클로헥실옥시)카르보닐메톡시기 등의 탄소수 3 내지 10의
알콕시카르보닐-알콕시기;
아세틸메톡시기, 에틸카르보닐메톡시기, 옥틸카르보닐메톡시기,
페나실옥시기 등의 탄소수 3 내지 10의 아실-알콕시기;
아세틸옥시메톡시기, 아세틸옥시에톡시기, 아세틸옥시헥실옥시기,
부타노일옥시시클로헥실옥시기 등의 탄소수 3 내지 10의 아실옥시-알콕시기;
메틸아미노메톡시기, 2-메틸아미노에톡시기,
2-(2-메틸아미노에톡시)에톡시기, 4-메틸아미노부톡시기,
1-메틸아미노프로판-2-일옥시기, 3-메틸아미노프로폭시기,
2-메틸아미노-2-메틸프로폭시기, 2-에틸아미노에톡시기,
2-(2-에틸아미노에톡시)에폭시기, 3-에틸아미노프로폭시기,
1-에틸아미노프로폭시기, 2-이소프로필아미노에톡시기, 2-(n-부틸아미노)에톡시기, 3-(n-헥실아미노)프로폭시기, 4-(시클로헥실아미노)부틸옥시기 등의 탄소수 2 내지 10의 알킬아미노-알콕시기;
메틸아미노메톡시메톡시기, 메틸아미노에톡시에톡시기,
메틸아미노에톡시프로폭시기, 에틸아미노에톡시프로폭시,
4-(2'-이소부틸아미노프로폭시)부톡시기 등의 탄소수 3 내지 10의
알킬아미노알콕시-알콕시기;
디메틸아미노메톡시기, 2-디메틸아미노에톡시기,
2-(2-디메틸아미노에톡시)에톡시기, 4-디메틸아미노부톡시기,
1-디메틸아미노프로판-2일옥시기, 3-디메틸아미노프로폭시기,
2-디메틸아미노-2-메틸프로폭시기, 2-디에틸아미노에톡시기,
2-(2-디에틸아미노에톡시)에톡시기, 3-디에틸아미노프로폭시기,
1-디에틸아미노프로폭시기, 2-디이소프로필아미노에톡시기,
2-(디-n-부틸아미노)에톡시기, 2-피페리딜에톡시기,
3-(디-n-텍실아미노)프로폭시 등의 탄소수 3 내지 15의 디알킬아미노-알콕시기;
디메틸아미노메톡시메톡시기, 디메틸아미노에톡시에톡시기,
디메틸아미노에톡시프로폭시기, 디에틸아미노에톡시프로폭시기,
4-(2'-디이소부틸아미노프로폭시)부톡시기 등의 탄소수 4 내지 15의
디알킬아미노알콕시-알콕시기; 및
메틸티오메톡시기, 2-메틸티오에톡시기, 2-에틸티오에톡시기,
2-n-프로필티오에톡시기, 2-이소프로필티오에톡시기, 2-n-부틸티오에톡시기,
2-이소부틸티오에톡시기, (3,5,5-트리메틸헥실티오)헥실옥시기 등의 탄소수 2 내지 15의 알킬티오-알콕시기;
등을 들 수 있고, 바람직하게는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기,
iso-프로폭시기, n-부톡시기, iso-부톡시기, sec-부톡시기, t-부톡시기,
n-펜톡시기, iso-펜톡시기, 네오펜톡시기, 2-메틸부톡시기, 2-에틸헥실옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 데칼릴옥시기, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기,
메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기 등의 탄소수 1 내지 10의 알콕시기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아랄킬옥시기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아랄킬옥시기이며, 바람직하게는 벤질옥시기,
니트로벤질옥시기, 시아노벤질옥시기, 히드록시벤질옥시기, 메틸벤질옥시기,
트리플루오로메틸벤질옥시, 나프틸메톡시기, 니트로나프틸메톡시기,
시아노나프틸메톡시기, 히드록시나프틸메톡시기, 메틸나프틸메톡시기,
트리플루오로메틸나프틸메톡시기, 플루오렌-9-일에폭시기 등의 탄소수 7 내지 15의 아랄킬옥시기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아릴옥시기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아릴옥시기이며, 바람직하게는 페녹시기,
2-메틸페녹시기, 4-메틸페녹시기, 4-t-부틸페녹시기, 2-메톡시페녹시기,
4-iso-프로필페녹시기, 나프톡시기, 페로세닐옥시기, 코발토세닐옥시기,
닉켈로세닐옥시기, 옥타메틸페로세닐옥시기, 옥타메틸코발토세닐옥시기,
옥타메틸닉켈로세닐옥시기 등의 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알케닐옥시기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 알케닐옥시기이며, 바람직하게는 비닐옥시기,
프로페닐옥시기, 1-부테닐옥시기, iso-부테닐옥시기, 1-펜테닐옥시기,
2-펜테닐옥시기, 2-메틸-1-부테닐옥시기, 3-메틸-1-부테닐옥시기,
2-메틸-2-부테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 2,2-디시아노비닐옥시기,
2-시아노-2-메틸카르복실비닐옥시기, 2-시아노-2-메틸술폰비닐옥시기,
스티릴옥시기, 4-페닐-2-부테닐옥시기, 신나밀옥시기 등의 탄소수 2 내지 10의
알케닐옥시기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알킬티오기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 알킬티오기이며, 바람직하게는 메틸티오기,
에틸티오기, n-프로필티오기, iso-프로필티오기, n-부틸티오기, iso-부틸티오기, sec-부틸티오기, t-부틸티오기, n-펜틸티오기, iso-펜틸티오기, 네오펜틸티오기, 2-메틸부틸티오기, 메틸카르복실에틸티오기, 2-에틸헥실티오기,
3,5,5-트리메틸헥실티오기, 테칼릴티오기 등의 탄소수 1 내지 10의 알킬티오기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아랄킬티오기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아랄킬티오기이며, 바람직하게는 벤질티오기,
니트로벤질티오기, 시아노벤질티오기, 히드록시벤질티오기, 메틸벤질티오기,
트리플루오로메틸벤질티오기, 나프틸메틸티오기, 니트로나프틸메틸티오기,
시아노나프틸메틸티오기, 히드록시나프틸메틸티오기, 메틸나프틸메틸티오기,
트리플루오로메틸나프틸메틸티오기, 플로오렌-9-일에틸티오기 등의 탄소수 7 내지 12의 아랄킬티오기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아릴티오기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아릴티오기이며, 바람직하게는, 페닐티오기,
4-메틸페닐티오기, 2-메톡시페닐티오기, 4-t-부틸페닐티오기, 나프틸티오기,
페로세닐티오기, 코발토세닐티오기, 닉켈로세닐티오기, 옥타메틸페로세닐티오기, 옥타메틸코발토세닐티오기, 옥타메틸닉켈로세닐티오기 등의 탄소수 6 내지 10의 아릴티오기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알케닐티오기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 알케닐티오기이며, 바람직하게는, 비닐티오기,
알릴티오기, 부테닐티오기, 헥산디에닐티오기, 시클로펜타디에닐티오기,
스티릴티오기, 시클로헥세닐티오기, 데센일티오기 등의 탄소수 2 내지 10의
알케닐티오기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아실기의 예로서는, 상기한
알킬기와 같은 치환기를 가진 아실기이며, 바람직하게는, 포르밀기,
메틸카르보닐기, 에틸카르보닐기, n-프로필카르보닐기, iso-프로필카르보닐기,
n-부틸카르보닐기, iso-부틸카르보닐기, sec-부틸카르보닐기, t-부틸카르보닐기, n-펜틸카르보닐기, iso-펜틸카르보닐기, 네오펜틸카르보닐기,
2-메틸부틸카르보닐기, 벤조일기, 메틸벤조일기, 에틸벤조일기, 톨릴카르보닐기,프로필벤조일기, 4-t-부틸벤조일기, 니트로벤질카르보닐기,
3-부톡시-2-나프토일기, 신나모일기, 페로센카르보닐기,
1-메틸페로센-1'-카르보닐기 등의 탄소수 1 내지 15의 아실기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아실옥시기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아실옥시기이며, 바람직하게는, 포르밀옥시기,
메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, n-프로필카르보닐옥시기,
iso-프로필카르보닐옥시기, n-부틸카르보닐옥시기, iso-부틸카르보닐옥시기,
sec-부틸카르보닐옥시기, t-부틸카르보닐옥시기, n-펜틸카르보닐옥시기,
iso-펜틸카르보닐옥시기, 네오펜틸카르보닐옥시기, 2-메틸부틸카르보닐옥시기,
벤조일옥시기, 메틸벤조일옥시기, 에틸벤조일옥시기, 톨릴카르보닐옥시기,
프로필벤조일옥시기, 4-t-부틸벤조일옥시기, 니트로벤질카르보닐옥시기,
3-부톡시-2-나프토일옥시기, 신나모일옥시기, 페로센카르보닐옥시기, 1-메틸페로센-1'-카르보닐옥시기, 코발토센카르보닐옥시기,
닉켈로센카르보닐옥시기 등의 탄소수 2 내지 16의 아실옥시기 등을 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 1치환 아미노기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 1치환 아미노기이며, 바람직하게는, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 프로필아미노기, 부틸아미노기, 펜틸아미노기, 헥실아미노기, 헵틸아미노기,
옥틸아미노기, (2-에틸헥실)아미노기, 시클로헥실아미노기,
(3,5,5-트리메틸헥실)아미노기, 노닐아미노기, 데실아미노기 등의 탄소수 1 내지10의 모노알킬아미노기;
벤질아미노기, 페네틸아미노기, (3-페닐프로필)아미노기,
(4-에틸벤질)아미노기, (4-이소프로필벤질)아미노기, (4-메틸벤질)아미노기,
(4-에틸벤질)아미노기, (4-알릴벤질)아미노기, [4-(2-시아노에틸)벤질]아미노기, [4-(2-아세톡시에틸)벤질]아미노기 등의 탄소수 7 내지 10의 모노아랄킬아미노기;
아닐리노, 나프틸아미노기, 톨루이디노기, 크실리디노기, 에틸아닐리노기, 이소프로필아닐리노기, 메톡시아닐리노기, 에톡시아닐리노기, 클로로아닐리노기, 아세틸아닐리노기, 메톡시카르보닐아닐리노기, 에톡시카르보닐아닐리노기,
프로폭시카르보닐아닐리노기, 4-메틸아닐리노기, 4-에틸아닐리노기,
페로세닐아미노기, 코발토세닐아미노기, 닉켈로세닐아미노기,
지르코노세닐아미노기, 옥타메틸페로세닐아미노기, 옥타메틸코발토세닐아미노기, 옥타메틸닉켈로세닐아미노기, 옥타메틸지르코노세닐아미노기 등의 탄소수 6 내지 10의 모노아릴아미노기;
비닐아미노기, 알릴아미노기, 부테닐아미노기, 펜테닐아미노기,
헥세닐아미노기, 시클로헥세닐아미노기, 시클로펜타디에닐아미노기,
옥타디에닐아미노기, 아다만테닐아미노기 등의 탄소수 2 내지 10의
모노알케닐아미노기; 및
포르밀아미노기, 메틸카르보닐아미노기, 에틸카르보닐아미노기,
n-프로필카르보닐아미노기, iso-프로필카르보닐아미노기, n-부틸카르보닐아미노기 , iso-부틸카르보닐아미노기, sec-부틸카르보닐아미노기, t-부틸카르보닐아미노기,n-펜틸카르보닐아미노기, iso-펜틸카르보닐아미노기, 네오펜틸카르보닐아미노기, 2-메틸부틸카르보닐아미노기, 벤조일아미노기, 메틸벤조일아미노기,
에틸벤조일아미노기, 톨릴카르보닐아미노기, 프로필벤조일아미노기,
4-t-부틸벤조일아미노기, 니트로벤질카르보닐아미노기,
3-부톡시-2-나프토일아미노기, 신나모일아미노기, 페로센카르보닐아미노기,
1-메틸페로센-1'-카르보닐아미노기, 코발토센카르보닐아미노기,
닉켈로센카르보닐아미노기 등의 탄소수 1 내지 16의 모노아실아미노기를 포함하는 1치환 아미노기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 2치환 아미노기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 2개 가진 2치환 아미노기이며, 바람직하게는, 디메틸아미노기,
디에틸아미노기, 메틸에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기,
디-n-헥실아미노기, 디시클로헥실아미노기, 디옥틸아미노기,
비스(메톡시에틸)아미노기, 비스(에톡시에틸)아미노기,
비스(프로폭시에틸)아미노기, 비스(부톡시에틸)아미노기,
디(아세틸옥시에틸)아미노기, 디(히드록시에틸)아미노기,
N-에틸-N-(2-시아노에틸)아미노기, 디(프로피오닐옥시에틸)아미노기 등의 탄소수 2 내지 16의 디알킬아미노기;
디벤질아미노기, 디페네틸아미노기, 비스(4-에틸벤질)아미노기,
비스(4-이소프로필벤질)아미노기 등의 탄소수 14 내지 20의 디아랄킬아미노기;
디페닐아미노기, 디톨릴아미노기, N-페닐-N-톨릴아미노기 등의 탄소수 12 내지 14의 디아릴아미노기;
디비닐아미노기, 디알릴아미노기, 디부테닐아미노기, 디펜테닐아미노기,
디헥세닐아미노기, 비스(시클로펜타디에닐)아미노기, N-비닐-N-알라아미노기 등의 탄소수 4 내지 12의 디알케닐아미노기;
디포르밀아미노기, 디(메틸카르보닐)아미노기, 디(에틸카르보닐)아미노기, 디(n-프로필카르보닐)아미노기, 디(iso-프로필카르보닐)아미노기,
디(n-부틸카르보닐)아미노기, 디(iso-프로필카르보닐)아미노기,
디(sec-부틸카르보닐)아미노기, 디(t-부틸카르보닐)아미노기,
디(n-펜틸카르보닐)아미노기, 디(iso-펜틸카르보닐)아미노기,
디(네오펜틸카르보닐)아미노기, 디(2-메틸부틸카르보닐)아미노기,
디(벤조일)아미노기, 디(메틸벤조일)아미노기, 디(에틸벤조일)아미노기,
디(톨릴카르보닐)아미노기, 디(프로필벤조일)아미노기,
디(4-t-부틸벤조일)아미노기, 디(니트로벤질카르보닐)아미노기,
디(3-부톡시-2-나프토일)아미노기, 디(신나모일)아미노기, 숙신이미노기 등의 탄소수 2 내지 30의 디아실아미노기; 및
N-페닐-N-알릴아미노기, N-(2-아세틸옥시에틸)-N-에틸아미노기,
N-톨릴-N-메틸아미노기, N-비닐-N-메틸아미노기, N-벤질-N-알릴아미노기,
N-메틸-N-페로세닐아미노기, N-에틸-N-코발토세닐아미노기,
N-부틸-N-닉켈로세닐아미노기, N-헥실-옥타메틸페로세닐아미노기,
N-메틸-옥타메틸코발토세닐아미노기, N-메틸-옥타메틸닉켈로세닐아미노기 등의, 치환 또는 무치환의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기로부터 선택된 2개의 치환기를 가지는 동시에, 탄소수 3 내지 24를 가진 2치환 아미노기 등을 포함하는 2치환 아미노기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알콕시카르보닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 알콕시카르보닐기이며, 바람직하게는,
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로폭시카르보닐기,
iso-프로폭시카르보닐기, n-부톡시카르보닐기, iso-부톡시카르보닐기,
sec-부톡시카르보닐기, t-부톡시카르보닐기, n-펜톡시카르보닐기,
iso-펜톡시카르보닐기, 네오펜톡시카르보닐기, 2-펜톡시카르보닐기,
2-에틸헥실옥시카르보닐기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시카르보닐기,
데칼릴옥시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기, 클로로에톡시카르보닐기,
히드록시메톡시카르보닐기, 히드록시에톡시카르보닐기 등의 탄소수 2 내지 11의
알콕시카르보닐기;
메톡시메톡시카르보닐기, 메톡시에톡시카르보닐기, 에톡시에톡시카르보닐기, 프로폭시에톡시카르보닐기, 부톡시에톡시카르보닐기, 펜톡시에톡시카르보닐기,
헥실옥시에톡시카르보닐기, 부톡시부톡시카르보닐기, 헥실옥시부톡시카르보닐기, 히드록시메톡시메톡시카르보닐기, 히드록시에톡시에톡시카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 11의 알콕시카르보닐기;
메톡시메톡시메톡시카르보닐기, 메톡시에톡시에톡시카르보닐기,
에톡시에톡시에톡시카르보닐기, 프로폭시에톡시에톡시카르보닐기,
부톡시에톡시에톡시카르보닐기, 펜톡시에톡시에톡시카르보닐기,
헥실옥시에톡시에톡시카르보닐기 등의 탄소수 4 내지 11의 알콕시카르보닐기;
페로세닐메톡시카르보닐기, 페로세닐에톡시카르보닐기,
페로세닐프로폭시카르보닐기, 페로세닐부톡시카르보닐기,
페로세닐펜틸카르보닐기, 페로세닐헥실옥시카르보닐기,
페로세닐헵틸옥시카르보닐기, 페로세닐옥틸옥시카르보닐기,
페로세닐노닐옥시카르보닐기, 페로세닐데실옥시카르보닐기:
코발토세닐메톡시카르보닐기, 코발토세닐에톡시카르보닐기,
코발토세닐프로폭시카르보닐기, 코발토세닐부톡시카르보닐기,
코발토세닐펜틸옥시카르보닐기, 코발토세닐헥실옥시카르보닐기,
코발토세닐헵틸옥시카르보닐기, 코발토세닐옥틸옥시카르보닐기,
코발토세닐노닐옥시카르보닐기, 코발토세닐데실옥시카르보닐기,
닉켈로세닐메톡시카르보닐기, 닉켈로세닐에톡시카르보닐기,
닉켈로세닐프로폭시카르보닐기, 닉켈로세닐부톡시카르보닐기,
닉켈로세닐펜틸옥시카르보닐기, 닉켈로세닐헥실옥시카르보닐기,
닉켈로세닐헵틸옥시카르보닐기, 닉켈로세닐옥틸옥시카르보닐기,
닉켈로세닐노닐옥시카르보닐기, 닉켈로세닐데실옥시카르보닐기,
디클로로티타노세닐메톡시카르보닐기,
트리클로로티타늄시클로펜타디에닐메톡시카르보닐기,
비스(트리플루오로메탄술폰에이트)티타노센메톡시카르보닐기,
디클로로지르코노세닐메톡시카르보닐기, 디메틸지르코노세닐메톡시카르보닐기,
디에톡시지르코노세닐메톡시카르보닐기,
비스(시클로펜타디에닐)크로뮴에톡시카르보닐기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄메톡시카르보닐기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오븀메톡시카르보닐기,
비스(시클로펜타디에닐)바나듐메톡시카르보닐기,
비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐메톡시카르보닐기,
비스(시클로펜타디에닐)오스뮴메톡시카르보닐기 등의 탄소수 11 내지 20의
메탈로세닐-치환 알콕시카르보닐기를 포함하는 알콕시카르보닐기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아랄킬옥시카르보닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아랄킬옥시카르보닐기이며, 바람직하게는, 벤질옥시카르보닐기, 니트로벤질옥시카르보닐기, 시아노벤질옥시카르보닐기, 히드록시벤질옥시카르보닐기, 메틸벤질옥시카르보닐기,
트리플루오로메틸벤질옥시카르보닐기, 나프틸메톡시카르보닐기,
니트로나프틸메톡시카르보닐기, 시아노나프틸메톡시카르보닐기,
히드록시나프틸메톡시카르보닐기, 메틸나프틸메톡시카르보닐기,
트리플루오로메틸나프틸메톡시카르보닐기, 플루오렌-9-일에톡시카르보닐기 등의 탄소수 8 내지 16의 아랄킬옥시카르보닐기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 아릴옥시카르보닐기이며, 바람직하게는,
페녹시카르보닐기, 2-메틸페녹시카르보닐기, 4-메틸페녹시카르보닐기,
4-t-부틸페녹시카르보닐기, 2-메톡시페녹시카르보닐기,
4-iso-프로필페녹시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기, 페로세닐옥시카르보닐기,
코발토세닐옥시카르보닐기, 닉켈로세닐옥시카르보닐기,
지르코노세닐옥시카르보닐기, 옥타메틸페로세닐옥시카르보닐기,
옥타메틸코발토세닐옥시카르보닐기, 옥타메틸닉켈로세닐옥시카르보닐기,
옥타메틸지르코노세닐옥시카르보닐기 등의 탄소수 7 내지 11의 아릴옥시카르보닐기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 알케닐옥시카르보닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 알케닐옥시카르보닐기이며, 바람직하게는, 비닐옥시카르보닐기, 프로페닐옥시카르보닐기, 1-부테닐옥시카르보닐기,
iso-부테닐옥시카르보닐기, 1-펜테닐옥시카르보닐기, 2-펜테닐옥시카르보닐기,
시클로펜타디에닐옥시카르보닐기, 2-메틸-1-부테닐옥시카르보닐기,
3-메틸-1-부테닐옥시카르보닐기, 2-메틸-2-부테닐옥시카르보닐기,
2,2-디시아노비닐옥시카르보닐기, 2-시아노-2-메틸카르복실비닐옥시카르보닐기,
2-시아노-2-메틸술폰비닐옥시카르보닐기, 스티릴옥시카르보닐기,
4-페닐-2-부테닐옥시카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 11의 알케닐옥시카르보닐기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 1치환 아미노카르보닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 1치환 아미노카르보닐기이며, 바람직하게는,
메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기,
부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기,
헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, (2-에틸헥실)아미노카르보닐기,
시클로헥실아미노카르보닐기, (3,5,5,-트리메틸헥실)아미노카르보닐기,
노닐아미노카르보닐기, 데실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2 내지 11의
모노알킬아미노카르보닐기;
벤질아미노카르보닐기, 페네틸아미노카르보닐기,
(3-페닐프로필)아미노카르보닐기, (4-에틸벤질)아미노카르보닐기,
(4-이소프로필벤질)아미노카르보닐기, (4-메틸벤질)아미노카르보닐기,
(4-에틸벤질)아미노카르보닐기, (4-알릴벤질)아미노카르보닐기,
[4-(2-시아노에틸)벤질]아미노카르보닐기,
[4-(2-아세톡시에틸)벤질]아미노카르보닐기 등의 탄소수 8 내지 11의
모노아랄킬아미노카르보닐기;
아닐리노카르보닐기, 나프틸아미노카르보닐기, 톨루이디노카르보닐기,
크실리디노카르보닐기, 에틸아닐리노카르보닐기, 이소프로필아닐리노카르보닐기,메톡시아닐리노카르보닐기, 에톡시아닐리노카르보닐기, 클로로아닐리노카르보닐기, 아세틸아닐리노카르보닐기, 메톡시카르보닐아닐리노카르보닐기,
에톡시카르보닐아닐리노카르보닐기, 프로폭시카르보닐아닐리노카르보닐기,
4-메틸아닐리노카르보닐기, 4-에틸아닐리노카르보닐기 등의 탄소수 7 내지 11의
모노아릴아미노카르보닐기; 및
비닐아미노카르보닐기, 알릴아미노카르보닐기, 부테닐아미노카르보닐기,
펜테닐아미노카르보닐기, 헥세닐아미노카르보닐기, 시클로헥세닐아미노카르보닐기, 옥타디에닐아미노카르보닐기, 아다만테닐아미노카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 11의 모노알케닐아미노카르보닐기 등의 1치환 아미노카르보닐기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 2치환 아미노카르보닐기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 2치환 아미노카르보닐기이며, 바람직하게는,
디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 메틸에틸아미노카르보닐기,
디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기, 디-n-헥실아미노카르보닐기, 디시클로헥실아미노카르보닐기, 디옥틸아미노카르보닐기, 피롤리디노카르보닐기,
피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기, 비스(메톡시에틸)아미노카르보닐기, 비스(에톡시에틸)아미노카르보닐기, 비스(프로폭시에틸)아미노카르보닐기,
비스(부톡시에틸)아미노카르보닐기, 디(아세틸옥시에틸)아미노카르보닐기,
디(히드록시에틸)아미노카르보닐기, N-에틸-N-(2-시아노에틸)아미노카르보닐기, 디(프로피오닐옥시에틸)아미노카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 17의
디알킬아미노카르보닐기;
디벤질아미노카르보닐기, 디펜틸아미노카르보닐기,
비스(4-에틸벤질)아미노카르보닐기, 비스(4-이소프로필벤질)아미노카르보닐기 등의 탄소수 15 내지 21의 디아랄킬아미노카르보닐기;
디페닐아미노카르보닐기, 디톨릴아미노카르보닐기,
N-페닐-N-톨릴아미노카르보닐기 등의 탄소수 13 내지 15의
디알릴아미노카르보닐기;
디비닐아미노카르보닐기, 디알릴아미노카르보닐기,
디부테닐아미노카르보닐기, 디펜테닐아미노카르보닐기, 디헥세닐아미노카르보닐기, N-비닐-N-알릴아미노카르보닐기 등의 탄소수 5 내지 13의
디알케닐아미노카르보닐기;
N-페닐-N-알릴아미노카르보닐기,
N-(2-아세틸옥시에틸)-N-에틸아미노카르보닐기, N-톨릴-N-메틸아미노카르보닐기, N-비닐-N-메틸아미노카르보닐기, N-벤질-N-알릴아미노카르보닐기 등의, 치환 또는 무치환의 알킬, 아랄킬, 아릴, 알케닐기로부터 선택된 2개의 치환기를 가지는 동시에, 탄소수 4 내지 11을 가진 2치환 아미노카르보닐기 등의
2치환 아미노카르보닐기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 헤테로아릴기이며, 바람직하게는, 푸라닐기,
피롤릴기, 3-피롤리노기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트라아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기,
1,3,4-티아디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라디닐기,
피페라디닐기, 트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프테닐기,
벤지미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조트리아졸-2-일기, 벤조트리아졸-1-일기,
푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로닐릴기, 페노티아지닐기, 플라보닐기,
프탈리미딜기, 나프틸리미딜기 등의 무치환 헤테로아릴기;
또는, 이하의 치환기,
즉 불소, 염소, 브롬원소, 요드원소 등의 할로겐원소;
시아노기;
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기,
데실기, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에틸기, 트리플루오로메틸기 등의
알킬기;
벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기;
페닐기, 톨릴기, 나프탈기, 크실릴기, 메실기, 클로로페닐기,
메톡시페닐기 등의 아릴기;
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기,
헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기,
3,5,5,-트리메틸헥실옥시기, 페로센메톡시기, 보발토센메톡시기, 닉켈로센메톡시기등의 알콕시기;
벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아랄킬옥시기;
페녹시기, 톨릴옥시기, 나프톡시기, 크실릴옥시기, 메시틸옥시기,
클로로페녹시기, 메톡시페녹시기 등의 아릴옥시기;
비닐기, 알릴기, 부테닐기, 부타디에닐기, 펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기,
비닐옥시기, 알릴옥시기, 부테닐옥시기, 부타디에닐옥시기, 펜테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 옥테닐옥시기 등의 알케닐옥시기;
메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기,
헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 메톡시메틸티오기,
에톡시에틸티오기, 에톡시에틸티오기, 트리플루오로메틸티오기 등의 알킬티오기;
벤질티오기, 페네틸티오기 등의 아랄킬티오기;
페닐티오기, 톨릴티오기, 나프틸티오기, 크실릴티오기, 메실티오기,
클로로페닐티오기, 메톡시페닐티오기 등의 아릴티오기;
디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디알킬아미노기;
아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 페로센카르보닐기,
코발토센카르보닐기, 닉켈로센카르보닐기 등의 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 페로센메톡시카르보닐기,
1-메틸페로센-1'-일메톡시카르보닐기, 코발토세닐메톡시카르보닐기,
닉켈로세닐메톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기;
벤질옥시카르보닐기, 페네틸옥시카르보닐기 등의 아랄킬옥시카르보닐기;
페녹시카르보닐기, 톨릴옥시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기,
크실릴옥시카르보닐기, 메실옥시카르보닐기, 클로로페녹시카르보닐기,
메톡시페녹시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기;
비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 부테닐옥시카르보닐기,
부타디에닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시카르보닐기,
펜테닐옥시카르보닐기, 옥테닐옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기;
메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기,
부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기,
헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기,
3,5,5-트리메틸헥실아미노카르보닐기, 2-에틸헥실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2 내지 10의 모노알킬아미노카르보닐기, 및 디메틸아미노카르보닐기,
디에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기,
디펜틸아미노카르보닐기, 디헥실아미노카르보닐기, 디헵틸아미노카르보닐기,
디옥틸아미노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기,
4-메틸피페라디노카르보닐기, 4-에틸피페라디노카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 20의 디알킬아미노카르보닐기를 포함하는 알킬아미노카르보닐기;
푸라닐기, 피롤릴기, 3-피롤리노기, 피롤리디노, 1,3-옥소라닐기,
피라졸릴기, 2-피라졸리닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기,
티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 4H-피라닐기, 피리디닐기, 피페리디닐기, 디옥사닐기,
모르폴리닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라디닐기, 피페라디닐기,
트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프테닐기, 벤지미다졸릴기,
벤조티아졸릴기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로닐릴기, 페노티아디닐기, 플리보닐기 등의 헤테로시클기;
페로세닐기, 코발토세닐기, 닉켈로세닐기, 루테노세닐기, 오스모세닐기,
티타노세닐기 등의 메탈로세닐기;
등으로부터 선택된 치환기에 의해 치환된 헤테로아릴기를 들 수 있다.
R1내지 R12로 표시되는 치환 또는 무치환의 헤테로아릴옥시기의 예로서는, 상기한 알킬기와 같은 치환기를 가진 헤테로아릴옥시기이며, 바람직하게는,
푸라닐옥시기, 피롤릴옥시기, 3-피롤리노옥시기, 피라졸릴옥시기,
이미다졸릴옥시기, 옥사졸릴옥시기, 티아졸릴옥시기, 1,2,3-옥사디아졸릴옥시기, 1,2,3-트리아졸릴옥시기, 1,2,4-트리아졸릴옥시기, 1,3,4-티아디아졸릴옥시기,
피리디닐옥시기, 피리다지닐옥시기, 피리미디닐옥시기, 피라디닐옥시기,
피페라디닐옥시기, 트리아지닐옥시기, 벤조푸라닐옥시기, 인돌릴옥시기,
티오나프테닐옥시기, 벤지미다졸릴옥시기, 벤조티아졸릴옥시기,
벤조트리아졸-2-일옥시기, 벤조트리아졸-1-일옥시기, 푸리닐옥시기,
퀴놀리닐옥시기, 이소퀴놀리닐옥시기, 쿠마리닐옥시기, 신놀리닐옥시기,
퀴녹살리닐옥시기, 디벤조푸라닐옥시기, 카르바졸릴옥시기, 페난트로닐릴옥시기, 페노티아디닐옥시기, 플라보닐옥시기, 프탈리미딜옥시기, 나프틸리미딜옥시기 등의 무치환 헤테로아릴옥시기;
또는, 이하의 치환기, 즉
불소, 염소, 브롬원소, 요드원소 등의 할로겐원소;
시아노기;
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기,
데실기, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에틸기, 트리플루오로메틸기 등의
알킬기;
벤질기, 페닐틸기 등의 아랄킬기;
페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 크실릴기, 메실기, 클로로페닐기, 메톡시페닐기 등의 아릴기;
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기,
헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기,
3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 페로센메톡시기, 코발토센메톡시기, 닉켈로센메톡시기 등의 알콕시기;
벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아랄킬옥시기;
페녹시기, 톨릴옥시기, 나프톡시기, 크실릴옥시기, 메시틸옥시기,
클로로페녹시기, 메톡시페녹시기 등의 아릴옥시기;
비닐기, 알릴기, 부테닐기, 부타디에닐기, 펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기;
비닐옥시기, 알릴옥시기, 부테닐옥시기, 부타디에닐옥시기, 펜테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 옥테닐옥시기 등의 알케닐옥시기;
메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기,
헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 메톡시메틸티오기,
에톡시에틸티오기, 에톡시에틸티오기, 트리플루오로메틸티오기 등의 알킬티오기;
벤질티오기, 페네틸티오기 등의 아랄킬티오기;
페닐티오기, 톨릴티오기, 나프틸티오기, 크실릴티오기, 메실티오기,
클로로페닐티오기, 메톡시페닐티오기 등의 아릴티오기;
디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디알킬아미노기;
아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 페로센카르보닐기,
코발토센카르보닐기, 닉켈로센카르보닐기 등의 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 페로센메톡시카르보닐기,
1-메틸페로센-1'-일메톡시카르보닐기, 코발토세닐메톡시카르보닐기,
닉켈로세닐메톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기;
벤질옥시카르보닐기, 페네틸옥시카르보닐기 등의 아랄킬옥시카르보닐기;
페녹시카르보닐기, 톨릴옥시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기,
크실릴옥시카르보닐기, 메실옥시카르보닐기, 클로로페녹시카르보닐기,
메톡시페녹시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기;
비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 부테닐옥시카르보닐기,
부타디에닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시카르보닐기,
펜테닐옥시카르보닐기, 옥테닐옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기;
에틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기,
부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기,
헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기,
3,5,5-트리메틸헥실아미노카르보닐기, 2-에틸헥실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2 내지 10의 모노알킬아미노카르보닐기; 및 디메틸아미노카르보닐기,
디에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기,
디펜틸아미노카르보닐기, 디헥실아미노카르보닐기, 디헵틸아미노카르보닐기,
디옥틸아미노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기,
4-메틸피페라디노카르보닐기, 4-에틸피페라디노카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 20의 디알킬아미노카르보닐기를 포함하는 알킬아미노카르보닐기;
푸라닐기, 피돌릴기, 3-피롤리노기, 피롤리디노기, 1,3-옥소라닐기,
피라졸릴기, 2-피라졸리닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기,
티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 4H-피라닐기, 피리디닐기, 피페라디닐기, 디옥사닐기,
모르폴리닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라디닐기, 피페라디닐기,
트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프테닐기, 벤지미다졸릴기,
벤조티아졸릴기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로닐릴기, 페노티아지닐기, 플라보닐기 등의 헤테로시클기;
페로세닐기, 코발토세닐기, 닉켈로세닐기, 루테로세닐기, 오스모세닐기,
티타노세닐기 등의 메탈로세닐기;
등으로부터 선택된 치환기에 의해 치환된 헤테로아릴옥시기를 들 수 있다.
R1내지 R12의 조합이 환을 형성하는 연결기는 질소, 산소, 유황, 인, 금속, 탄소원자를 가진 반금속 등의 헤테로원자의 적당한 조합이다. 바람직한 연결기의 예로서는, -o-, -s-, -c(=0)- 또는 선택적으로 치환된 메틸렌기, 이미노기 및 금속을 들 수 있다. 이들은 소망하는 환을 형성하기 위하여 적절히 조합할 수 있다. 연결기를 개재해서 형성된 환은 직선이거나, 평탄하거나, 3차원적일 수 있다. 연결 후에 형성된 구조의 적합한 예로서는,
-CH2-CH2-CH2-CH2-, -CH2(NO2)-CH2-CH2-CH2-, CH(CH3)-CH2-CH2-CH2-및
CH(c1)-CH2-CH2- 등의 지방족 축합환;
-CH=CH-CH=CH-, -C(NO2)=CH-CH=CH-, -C(CH3)=CH-CH=CH-, -C(CH3)=CH-CH=CH-, -C(CH3)=CH-CH=C(CH3)-, -C(OCH3)=CH-CH=C(OCH3)-,
-C(OCH2CH2CH(CH3)-(OCH3))=C(C1)-C(C1)=C(OCH2CH2CH(CH3)-(OCH3))-,
-C(OCH2CH2CH(CH3)2)=C(C1)-C(C1)=C(OCH2CH2CH(CH3)2)-,
-CH=C(CH3)-C(CH3)=CH-, -C(C1)=CH-CH=CH-, -C{OCH[CH(CH3)2]2}=CH-CH=CH-,
-C{OCH[CH(CH3)2]2}=C(Br)-CH=CH-, -C{OCH[CH(CH3)2]2}=CH-C(Br)=CH-,
-C{OCH[CH(CH3)2]2}=CH-CH=C(Br)-, -C(C2H5)=CH-CH=CH-, -C(C2H5)=CH-CH=C(C2H5)-,
-CH=C(C2H5)-C(C2H5)=CH-, -C(C1)=CH-CH=CH- 등의 방향족 축합환;
-O-CH2-CH2-O-, -O-CH(CH3)-CH(CH3)-O-, -COO-CH2-CH2-, -COO-CH2-,
-CONH-CH2-CH2-, -CONH-CH2-, -CON(CH3)-CH2-CH2-, -CON(CH3)-CH2- 등의
직쇄 헤테로시클기; 또는
〔식 중, M'은 Fe, Ru, Co, Ni, Os 또는 M＂R'2를 표시하고, 여기서 M＂는 Ti, Zr, Hf, Nb, Mo 또는 V를 표시하고, R'는 CO, F, Cl, Br, I, 또는 R1내지 R12에대해서 위에서 규정된 치환기를 가지는 동시에, 탄소원자수 1 내지 10을 가진
알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아랄킬기, 아랄킬옥시기를 표시한다.〕 등의 금속착체잔류물을 들 수 있다.
연결기를 개재해서 인접한 치환기함께 R1내지 R12의 연결을 형성하는 바람직한 조합의 예로서는, R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, R11과 R12, R12와 R1, R2와 R3, R4와 R5, R6와 R7, R8과 R9, 및 R10과 R11을 들 수 있다.
M1으로 표시되는 2가 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자는 주기율표의 ⅡA족 내지 ⅦA족, Ⅷ족 및 ⅠB족 내지 ⅦB족의 원소로부터 선택될 수 있다.
2가의 금속원자의 예로서는, Cu, Zn, Fe, Co, Ni, Ru, Rn, Pd, Pt, Mn, Sn, Mg, Pb, Hg, Cd, Ba, Ti, Be, Ca, Re 및 Os 등의 2가의 무치환금속; 또는 치환 또는 무치환의 5원환 질소함유 방향족 화합물; 6원환 질소함유 방향족 화합물 또는 축환 질소함유 화합물; 일산화탄소; 또는 알콜 등을 포함하는 복소환기가 리간드로서 배위하고 있는 2가의 무치환금속을 들 수 있다.
2가의 금속원자에 배위하고 있는 치환 또는 무치환의 5원환 질소함유 방향족화합물의 예로서는, 피롤, 1-메틸피롤, 3-메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, 피라졸,
N-메틸피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 이미다졸, N-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸,
4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 4-메틸티아졸,
2,4-디메틸티아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸,
1,3,4-티아디아졸, 2,5-디메틸-1,3,4-티아디아졸 등을 들 수 있다.
2가의 금속원자에 배위하고 있는 치환 또는 무치환의 6원환 질소함유 방향족화합물의 예로서는, 피리딘, 2-메틸피리딘, 3-메틸피리딘, 4-메틸피리딘,
2,3-디메틸피리딘, 2,4-디메틸피리딘, 2,5-디메틸피리딘, 2,6-디메틸피리딘,
3,4-디메틸피리딘, 3,5-디메틸피리딘, 2-클로로피리딘, 3-클로로피리딘,
2-메톡시피리딘, 피리다진, 3-메틸피리다진, 피리미딘, 4-메틸피리미딘,
2-클로로피리미딘, 피라딘, 2-메틸피라딘, 2,3-디메틸피라딘, 2,5-디메틸피라딘, 2-메톡시파라딘, S-트리아진 등을 들 수 있다.
2가의 금속원자에 배위하고 있는 치환 또는 무치환의 축환질소함유 화합물의 예로서는, 인돌, N-메틸인돌, 2-메틸인돌, 3-메틸인돌, 5-메틸인돌,
1,2-디메틸인돌, 2,3-디메틸인돌, 4-클로로인돌, 5-클로로인돌, 6-클로로인돌,
4-메톡시인돌, 5-메톡시인돌, 6-메톡시인돌, 벤지미다졸, 2-메틸벤지미다졸,
5-메틸벤지미다졸, 5,6-디메틸벤지미다졸, 5-클로로벤지미다졸, 벤조티아졸,
2-메틸벤조티아졸, 2,5-디메틸벤조티아졸, 2-클로로벤조티아졸, 푸린, 퀴놀린,
2-메틸퀴놀린, 3-메틸퀴놀린, 4-메틸퀴놀린, 6-메틸퀴놀린, 7-메틸퀴놀린,
8-메틸퀴놀린, 2,4-디메틸퀴놀린, 2,6-디메틸퀴놀린, 2-클로로퀴놀린,
6-클로로퀴놀린, 8-클로로퀴놀린, 6-메톡시퀴놀린, 이소퀴놀린, 1-메틸퀴놀린,
퀴녹살린, 2-메틸퀴녹살린, 2,3-디메틸퀴녹살린, 카르바졸, N-메틸카르바졸,
아크리딘, 9-메틸아크리딘, 페노티아진 등을 들 수 있다.
2가의 금속원자의 예로서는, Cu, Ni, Co, Rh, Zn, Fe, Fe(CO), Ru(CO),OS(CO), Ru(CO)(C2H5OH),Cu(피리딘)2, Zn(피리딘)2, Co(피디딘)2,
Fe(N-메틸이미다졸), Co(N-메틸이미다졸) 등의 무치환 또는 무배위의 금속원자를 들 수 있다.
M1으로 표시되는 치환기를 가진 3가의 금속 또는 반금속원자의 예로서는, Sc, Fi, V, Cr, Mn, Mo, Ag, U, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Nb, Ru, Rh, La, Ta, Ir, Au, In, Tl, Bi, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, B, As 및 Sb가, R1내지 R12에 대해서는 할로겐 원자, 히드록실기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기,
알킬티오기, 아릴티오기, 헤토로아릴티오기; 아미노기에 대해서는 할로겐원자,
히드록실기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기,
알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기,
헤테로아릴티오기, 아미노기; 및 아릴기 또는 알킬기에 의해 치환기를 가지고 있어도 되는
실릴옥시기로부터; 또는 상기 치환기와 같이 할로겐원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기,
알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로아릴티오기, 아미노기로부터 선택된 기에 결합되어 있고, 또한 치환 또는 무치환의 5원환 질소함유 방향족 화합물, 6원환 질소함유 방향족 화합물 및 축환질소함유 화합물 등의 복소환기; 일산화탄소; 및 알콜로부터 선택된 리간드에 결합되는 3가의 금속 또는 반금속원자를 들 수 있다.
알킬기 또는 아릴기에 의해 치환되는 실릴옥시기의 예로서는,
트리메틸실릴옥시기와 트리에틸실릴옥시기 등의 트리알킬실릴옥시기,
트리페닐실릴옥시기 등의 트리아릴실릴옥시기; 및 디메틸페닐실릴옥시기 등의
알킬아릴실릴옥시기를 들 수 있다.
3가의 금속원자의 예로서는, Al-F, Al-Cl, Al-Br, Al-I, Ga-F, Ga-Cl,
Ga-Br, Ga-I, In-F, In-Cl, In-Br, In-I, Ti-F, Ti-Cl, Ti-Br, Ti-I, Al-C6H5,
Al-C6H4(CH3), In-C6H5, In-C6H4(CH3), Mn(OH), Mn(OC6H5), Mn[OSi(CH3)3], Fe-Cl,
Fe-C6H4F, Fe-C6H3F2, Fe-C6H2F3, Fe-C6HF4, Fe-C6F5, Fe-C6H5, Fe-CH3, Co-CH3, Co-C6H5, MnCl, Fe-Cl(bis(N-메틸이미다졸)), Fe-(이미다졸릴옥시) 및 Ru-Cl 등의 1치환 3가 금속원자를 들 수 있다.
3가의 반금속원자의 바람직한 예로서는, B-F, B-OCH3, B-C6H5, B-C6H4(CH3), B-(OH), B-(OC6H5), 및 B[OSi(CH3)3] 등의 1치환 3가 반금속원자를 들 수 있다.
M1으로 표시되는 치환기를 가진 4가의 금속 또는 반금속원자의 예로서는, Ti, Cr, Sn, Zr, Ge, Mn 및 Si가, R1내지 R12에 대해서는 할로겐원자, 히드록실기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 아릴기, 헤테로아닐기, 알콕시기, 아릴옥시기,
헤테로아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기 및 헤테로아릴티오기; 아미노기에 대해서는 할로겐원자, 히드록실기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 아릴기,
헤테로아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기,헤테로아릴티오기 및 아미노기; 및 아릴기 또는 알킬기에 의해 치환기를 가져도 되는 실릴옥시기로부터; 또는 상기 치환기와 같이 할로겐원자, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 헤테로아릴옥시기,
알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로아릴티오기 및 아미노기로부터 선택된 기에 결합되어 있고, 또한 치환 또는 무치환의 5원환 질소함유 방향족, 6원환 질소함유 방향족 화합물 및 축환질소화합물 등의 복소환기; 일산화탄소; 및 알콜로부터 선택된 리간드에 결합되는 3가의 금속 또는 반금속원자를 들 수 있다.
4가의 금속원자의 바람직한 예로서는, TIF2, TiCl2, TiBr2, TiI2, CrF2, CrCl2, CrBr2, CrI2, SnF2, SnCl2, SnBr2, SnI2, ZrF2, ZrCl2, ZrBr2, ZrI2, GeF2, GeCl2, GeBr2, GeI2, MuF2, MnCl2, MnBr2, MnI2, Ti(OH)2, Cr(OH)2, Sn(OH)2, Zr(OH)2, Ge(OH)2, Mn(OH)2, TiA2, CrA2, SnA2, ZrA2, GeA2, MnA2, Ti(OA)2, Cr(OA)2, Sn(OA)2, Zr(OA)2, Ge(OA)2, Mn(OA)2, Ti(SA)2, Cr(SA)2, Sn(SA)2, Zr(SA)2, Ge(SA)2, Mn(SA)2, Ti(NHA)2, Cr(NHA)2, Sn(NHA)2, Zr(NHA)2, Ge(NHA)2, Mn(NHA)2, Ti(NA2)2, Cr(NA2)2, Sn(NA2)2, Zr(NA2)2, Ge(NA2)2, Mn(NA2)2, 〔A는 상기 R1내지 R12로 표시되는 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기와 마찬가지의 치환 또는 무치환의 알킬기, 아릴기 및
헤테로아릴기를 표시한다.〕등의 2치환의 4가 금속원자를 들 수 있다.
4가의 반금속원자의 예로서는, SiF2, SiCl2, SiBr2, SiI2, Si(OH)2, SiA2,Si(OA)2, Si(SA)2, Si(NHA)2및 Si(NA2)2〔A는 상기의 A를 의미한다.〕등의 2치환의 4가 반금속원자를 들 수 있다.
M1으로 표시되는 옥시금속원자의 예로서는 VO, MnO, TiO, OsO2를 들 수 있다.
M1의 바람직한 예로서는, Cu, Ni, Co, Rh, Zn, Fe, MnCl, CoCl, FeCl, Fe(A), Fe(OA), Co(A), Co(OA), Cu(피리딘)2, Zn(피리딘)2, Co(피리딘)2, Vo, TiO, TiA2, SiA2, SnA2, RuA2, RhA2, GeA2, Si(OA)2, Sn(OA)2, Ge(OA)2, Si(SA)2, Sn(SA)2Ge(SA)2[A는 상기의 A를 의미한다]를 들 수 있다.
본 발명의 일반식(1)로 표시되는 바람직한 화합물은 일반식(3):
〔식 중, R13내지 R24는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는 무치환의
알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기,
알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기,
아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
헤테로아릴옥시기를 표시하며; R13내지 R24의 각각은 인접한 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성할 수 있으며; M2는 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴옥시기로 구성되는 기로부터 선택된 치환기 및/또는 일산화탄소 및 알콜로 구성되는 기로부터 선택된 리간드를 가진 2가 내지 4가의 금속원자이다.〕으로 표시된 화합물이다.
본 발명의 일반식(3)으로 표시된 화합물에 있어서의 R13내지 R24의 예로서는, 수소원자; 불소, 염소, 브롬 및 요드 등의 할로겐원자; 니트로기; 시아노기; 히드록실기; 아미노기; 카르복실기; 및 메르캅토기 등을 들 수 있다.
R13내지 R24의 치환 또는 무치환의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기,
알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기,
알케닐옥시카르보닐기, 1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기,
헤테로아릴기 또는 헤테로아릴옥시기는 R1내지 R12의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기,
알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기, 아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기,
아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기,
2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기,
헤테로아릴기 또는 헤테로아릴옥시기로 해도 된다.
R13내지 R24의 조합이 연결기를 개재해서 환을 형성하는 것은 상기 R1내지 R12에서와 마찬가지이다.
M2로 표시되는 치환기 및/또는 리간드를 가진 2가 내지 4가의 금속 또는 반금속원자는 M1의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴옥시기로부터 선택된 치환기 및/또는 일산화탄소 및 알콜로부터 선택된 리간드를 가진 2가 내지 4가 금속원자로 해도 된다.
본 발명에서 사용되는 일반식(1)로 표시되는 화합물은, 한정되지 않지만, 예를 들면, Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 26, 928-931(1987), J. Phys. Chem.,98, 11885-11891(1994) 등에 기재된 방법에 준해서 제조된다. 대표적으로는, 아래와 같은 반응에 의해 제조할 수 있다.
일반식(2) 또는 (3)으로 표시되는 포르피센은 다음과 같이 제조된다. 식(8) 및/또는 식(9)로 표시된 화합물을 무수 테트라히드로푸란 등의 에테르용매속에서 아연과 구리(I)염화물 등의 금속 및/또는 금속염; 피리딘 등의 아민화합물; 4염화 티탄으로부터 발생시킨 저원자가 티탄과 반응시켜, 일반식(10)으로 표시되는 본 발명의 화합물, 식(2) 〔식 중, M1은 2개의 수소원자이다.〕로 표시된 화합물을 얻는다.
〔식 중, R25내지 R36은 식(2)에서의 R1내지 R12와 각각 동일한 기를 표시한다.〕
이 생성물을 에탄올 등의 알콜계 용매 및/또는 디메틸포름아미드,
N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸이미다졸리딘-2-원 등의 아미드용매 등의 유기용매 속에서 금속 또는 반금속의 아세트산염, 황산염, 질산염, 할로겐화염 또는카르보닐화합물 등을 사용해서, 공기 등의 산화제의 존재 또는 비존재하에서 반응시킴으로써 (2) 또는 (3)식으로 표시된 화합물을 얻을 수 있다.
식(2)에 있어서의 할로겐화 중앙금속을 알킬화제 또는 아릴화제에 의해 처리해서, 중앙금속이 알킬기 또는 아릴기에 의해 치환되는 식(2) 또는 (3)으로 표시된 화합물을 얻을 수 있다.
식(2)에서 수소원자인 R1내지 R12의 어느 것에도 질화, 할로겐화, 포르밀화, 아미노화, 카르복시화, 히드록시화, 아실화, 및 적절한 치환기와의 교체를 위한 제거 등의 통상의 합성공정을 실시할 수 있으며, 또한, 필요에 따라서, 환원, 산화, 이성화, 재배열 등의 통상의 합성공정을 실시해서 식(2) 또는 (3)으로 표시된 화합물을 얻을 수 있다.
일반식(2) 및 (3)으로 표시된 프로피센의 예로서는, 표 1에 표시한 화합물(1-1) 내지 (1-64)를 들 수 있으며, 표 1에서는 식(2)에 대한 치환기는 표시되어 있으나, 식(3)에 대한 치환기는 그들에 포함되어 있으며, 대응하는 치환기는 물론 상호 교환가능하다.
(표 중, "＊"는 결합위치를 표시한다.)
(표 중, "＊"는 결합위치를 표시한다.)
(표 중, "＊"는 결합위치를 표시한다.)
(표 중, "＊"는 결합위치를 표시한다.)
본 발명의 광기록매체를 구성하고 있는 기록층의 색소는 실질적으로 (1) 내지 (3)으로 표시되는 화합물로부터 선택된 적어도 1종의 포르피센으로 이루어진 것이며, 또한 필요에 따라서 파장 290㎚ 내지 690㎚으로 흡수극대치를 가지고, 300㎚ 내지 700㎚의 범위의 굴절률이 큰 상기 이외의 화합물과 혼합해도 된다. 이러한 화합물의 예로서는, 시아닌계 화합물, 스콸리리움계 화합물, 나프토퀴논계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 테트라피라포르피라진계 화합물, 인도페놀계 화합물,
피릴리움계 화합물, 티오피릴리움계 화합물, 아즐레니움계 화합물, 트리페닐메탄계 화합물, 키산텐계 화합물, 인다스렌계 화합물, 인디고계 화합물, 티오인디고계 화합물, 멜로시아닌계 화합물, 티아진계 화합물, 아크리딘계 화합물, 옥사진계 화합물, 디피로메텐계 화합물, 옥사졸계 화합물, 아자포르피린계 화합물, 포르피린계 화합물 등이 있다. 이들의 2종 이상의 화합물을 혼합해서 사용해도 되고, 그 혼합비율은 0.1 wt％ 내지 30 wt％ 정도이다.
기록층을 성막할 때에, 필요에 따라서 식(1)로 표시되는 화합물에 켄처(quencher), 열분해 촉진제, 자외선 흡수제, 접착제, 흡열성 또는 흡열분해 화합물 및 용해성 개선 폴리머 등의 첨가제를 첨가해도 된다. 또는, 그와 같은 효과를 가진 화합물을 식(1)로 표시되는 화합물의 치환기로서 도입하는 것도 가능하다.
켄처의 구체예로서는, 아세틸아세토네이트계, 비스디티오-α-디케톤계나
비스(페닐디티올)계 등의 비스(디티올)계, 티오카테콜계, 살리실알데히드옥심계, 티오비스페놀레이트 등의 금속착체가 바람직하다. 또한, 아민계도 적합하다.
화합물 열분해 촉진제로서는, 열감량분석(TG분석) 등에 의해 화합물의 열분해의 촉진을 확인할 수 있는 것이면 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 금속계 안티녹킹계, 메탈로센 화합물, 아세틸아세토네이트계 금속착체 등의 금속화합물을 들 수 있다. 금속계 안티녹킹제의 예로서는, 4에틸납, 그 외의 납계 화합물, 시만트렌[Mn(C5H5)(CO)3] 등의 Mn계 화합물, 또한 메탈로센화합물의 예로서는, 철-비스시클로펜타디에닐착체(페로센)를 비롯해서, Ti, V, Mn, Cr, Co, Ni, Mo, Ru, Rh, Zr, Lu, Ta, W, Os, Ir, Sc, Y 등의 비스시클로펜타디에닐착체가 있다. 그 중에서도 페로센, 루테노센, 오스모센, 닉켈로센, 티타노센 및 그들의 유도체는 양호한 열분해촉진효과가 있다.
기타, 철계 금속화합물로서, 메탈로센 외에, 의산철, 수산철, 리우리르산철, 나프텐산철, 스테아린산철, 초산철 등의 유기산철화합물, 아세틸아세토네이트-철착체, 페난트롤린-철 착체, 비스피리딘-철 착체, 에틸렌디아민-철 착체, 에틸렌디아민 4초산-철 착체, 디에틸렌트리아민-철 착체, 디에틸렌글리콜 디메틸 에테르-철 착체, 디포스피노-철 착체 및 디메틸글리옥시메이토-철 착체 등의 키레이트 철 착체; 카르보닐-철 착체, 시아노-철 착체 및 암민-철 착체 등의 철 착체; 염화제 1철, 염화제 2철, 브롬화제 1철, 브롬화제 2철 등의 할로겐화철; 질산철, 황산철 등의 무기철염류; 및 산화철 등을 들 수 있다. 여기서 사용되는 열분해촉진제는 유기용제에 용해할 수 있고, 또한 내습성, 내열성 및 내광성이 양호한 것이 바람직하다.
흡열성 또는 흡열분해화합물의 예로서는, 일본국 특개평 10-291366호 공보에 기재된 것 및 이 공보에 기재된 치환기를 가진 것 등을 들 수 있다.
상기한 각종 켄처, 열분해촉진제 및 흡열성/흡열분해화합물은, 필요에 따라서, 1종류를 사용해도, 2종류 이상을 혼합해서 사용해도 된다.
또는, 식(1)로 표시되는 화합물에 켄처로서 작용하는 화합물, 열분해촉진제, 자외선흡수제, 또는 접착제를 도입해도 된다.
구체적으로는, 켄처로서 작용하는 화합물잔류물, 열분해촉진제, 자외선흡수제, 접착제 또는 흡열성/흡열분해제는 단일 분자를 형성하기 위해서 적어도 하나의 단일, 2중 또는 3중의 본드를 개재해서 본 발명의 식(1)로 표시된 포르피센잔류물에 화학적으로 결합될 수 있다. 바람직하게는, 식(2)로 표시되는 포르피센화합물의 치환기 R1내지 R12는 식(11):
-(Ln)-(Jn) (11)
〔식 중, Ln은 식(2)로 표시되는 포르피센화합물에 대한 연결기, 예를 들면, 단일 결합 또는 치환기를 가져도 되는 메틸렌기, 메틴기, 아미노기, 이미노기, 또는 산소와 유황중의 적어도 하나에 의해 차단된 1 내지 20원자를 가진 원자체인을 표시하고; Jn은 켄처, 열분해촉진제, 자외선흡수제, 접착제, 흡열성/흡열분해제로서작용하는 R1내지 R12의 어느 것에도 대응하는 화합물잔류물을 표시한다.〕로 표시되는 치환기와는 독립적인 치환기이다. 또는, 식(2)에서 인접하는 치환기의 조합, 예를 들면, R1과 R2, R3와 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, R11과 R12, R12와 R1, R2와 R3, R4와 R5, R6와 R7, R8과 R9, 또는 R10과 R11은 식(12):
-(Lm1)-(Jm)-(Lm2)- (12)
〔식 중, Lm1과 Lm2는 서로 인접하고, 식(2)로 표시되는 포르피센화합물에 대한 연결기, 예를 들면, 단일 결합 또는 치환기를 가져도 되는 메틸렌기, 메틴기, 아미노기, 아미노기, 또는 산소와 유황중의 적어도 하나에 의해 차단되는 1 내지 20원자를 가진 원자체인을 표시하고; Jm은 켄처, 열분해촉진제, 자외선흡수제, 접착제, 또는 흡열성/흡열분해제로서 작용하는 R1내지 R12의 어느 것에도 대응하는 화합물잔류물을 표시한다.〕로 표시되는 모이어티라도 된다.
Ln, Lm1및 Lm2의 원자체인의 바람직한 예로서는, 단일 결합, -C(=O)-OCH2-,
-C(=O)-OCH(CH3)-, -OCH2-, -OCH(CH3)-, -CH2OCH2-, -CH2OCH(CH3)-, -CH(CH3)OCH(CH3)-, -O-C(=O)-, -CH=CH-, -CH=N-, -C(=O)-, -CH=CH-C(=0)O- 및
-C(C=O)CH2CH2C(C=O)-O-를 들 수 있다.
Jn과 Jm의 바람직한 예로서는, 페로센 잔류물, 코발토센 잔류물, 닉켈로센 잔류물, 루테노센 잔류물, 오스모센 잔류물 및 티타노센 잔류물 등의 메탈로센 잔류물을 들 수 있다.
식(11)의 구조의 적합한 예로서는, 다음의 금속착체 잔류물:
〔식 중, M'는 Fe, Ru, Co, Ni, Os 또는 M＂Z'2를 표시하고;M＂는 Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, V를 표시하고; Z'는 CO, F, Cl, Br, I 또는 탄소원자 1 내지 10을 가지며 또한 R1내지 R12에서 규정된 치환기를 가져도 되는 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아랄킬기 또는 아랄킬옥시기를 표시한다.〕를 들 수 있다.
식(12)의 구조의 적합한 예로서는, 다음의 금속착체 잔류물:
〔식 중, M'는 Fe, Ru, Co, Ni, Os 또는 M＂Z'2를 표시하고;M＂는 Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, V를 표시하고; Z'는 CO, F, Cl, Br, I 또는 탄소원자 1 내지 10을 가지며 또한 R1내지 R12에서 규정된 치환기를 가져도 되는 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아랄킬기 또는 아랄킬옥시기를 표시한다.〕를 들 수 있다.
필요에 따라서, 바인더, 레벨링제, 소포체 등의 첨가물질을 첨가해도 된다. 바인더의 바람직한 예로서는, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 니트로셀룰로스, 셀룰로스아세테이트, 케톤수지, 아크릴수지, 폴리스티렌수지, 우레탄수지,
폴리비닐부티랄, 폴리카보네이트, 폴리오레핀 등을 들 수 있다.
기록층을 기판 상에 성막할 때에 기판의 내용제성이나 반사율 및/또는 기록감도 등을 향상시키기 위해서 기판 상에 유기물이나 폴리머로 이루어진 층을 형성해도 된다.
여기서, 기록층에 있어서의 일반식(1)로 표시되는 화합물의 함유량은 기록·재생이 가능한 임의의 양을 선택할 수 있지만, 통상 30wt％ 이상, 바람직하게는 60wt％ 이상이다. 또한, 함유량은 실질적으로 100wt％인 것도 바람직하다.
기록층을 형성하는 방법은, 예를 들면, 스핀코트법, 스프레이법, 캐스트법, 슬라이드법, 커튼법, 엑스트루젼법, 와이어법, 그라비야법, 스프레드법, 롤러코트법, 나이프법, 침지법 등의 도포법; 스퍼터법; 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있지만, 스핀코트법이 간편해서 바람직하다.
스핀코트법 등의 도포법을 사용하는 경우에는 일반식(1)로 표시되는 화합물을 1 내지 40 wt％, 바람직하게는 3∼30wt％가 되도록 용매에 용해 또는 분산시킨 도포액을 사용하지만, 이 때, 용매는 기판에 손상을 주지 않는 것을 선택하는 것이바람직하다. 사용할 수 있는 용매의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 옥타플루오로펜탄올, 알릴알콜, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브,
테트라플루오로프로판올 등의 알콜계 용매; 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산 등의 지방족 또는
지환식 탄화수소계 용매; 톨루엔, 크실렌, 벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매;
4염화탄소, 클로로포름, 테트라클로로에탄, 디브로모에탄 등의 할로겐화 탄화수소계 용매; 디에틸에테르, 디부틸에테르, 디이소프로필에테르, 디옥산 등의 에테르계 용매; 아세톤, 3-히드록시-3-메틸-2-부탄온 등의 케톤계 용매; 초산에틸, 유산메틸 등의 에스테르계 용매, 물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 또는 복수 혼합해서 사용해도 된다.
필요에 따라서, 기록층의 화합물을 고분자박막 등에 분산해서 사용할 수 있다.
또한, 기판에 손상을 주지 않는 용매를 선택할 수 없는 경우에는, 스퍼터법, 화학증착법이나 진공증착법 등이 유효하다. 기록층의 막두께는 30㎚ 내지 1000㎚이지만, 바람직하게는 50㎚ 내지 300㎚이다. 기록층의 막두께를 30㎚보다 얇게 하면 열확산이 크기 때문에 기록할 수 없지만, 기록신호에 왜곡이 발생하는데다가 신호진폭이 작아지는 경우가 있다. 막두께가 1000㎚ 보다 두꺼운 경우에는 반사율이 저하하고, 재생신호특성이 악화하는 경우가 있다.
다음에, 기록층의 위에 바람직하게는 50㎚ 내지 300㎚의 두께의 반사층을 형성한다. 반사율 또는 밀착성을 높이기 위해서 기록층과 반사층 사이에 반사증폭층 또는 접착층을 형성할 수 있다. 반사층의 재료로서는 재생광의 파장에서 반사율이 충분히 높은 것, 예를 들면, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta 및 PD등의 금속을 단독 또는 합금으로 해서 사용하는 것이 가능하다. 이들 중에서도 Au, Ag, Al는 반사율이 높아 반사율의 재료로서 적합하다. 청색레이저로 기록·재생을 행하는 경우에는 Al 또는 Ag가 적합하다. 이들 이외에도 하기의 것을 포함하고 있어도 된다. 예를 들면, Mg, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi 등의 금속 및 반금속을 들 수 있다. 또한, Ag 또는 Al을 주성분으로 하는 것은 반사율이 높은 반사층을 용이하게 얻을 수 있기 때문에 적합하다. 금속 이외의 재료로 저굴절률박막과 고굴절률박막을 교호로 적층해서 다층막을 형성하고, 반사층으로서 사용하는 것도 가능하다.
반사층을 형성하는 방법으로서는, 예를들면, 스퍼터법, 이온플레이팅법, 화학증착법, 진공증착법등을 들 수 있다. 또한, 기판의 위 및/또는 반사층의 아래에 반사율의 향상, 기록 특성의 개선, 밀착성의 향상들을 위해서 공지의 무기물질또는 유기물질로 이루어진 중간층 및/또는 접착층을 형성할 수도 있다.
또한, 반사층위에 형성하는 보호층의 재료로서는 반사층을 외력으로부터 보호하는 것이면 특히 한정되지는 않는다. 무기물질로서는 SiO2, Si3N4, MgF2, AlN, SnO2등을 들수 있다. 또한 유기물질로서는, 열가소성수지, 열경화성수지, 전자선경화성수지, 자외선경화성수지 등을 들 수 있다. 열가소성수지, 열경화성수지 등은 적당한 용매에 용해해서 도포액을 조제한 후에 이 도포액을 도포하고, 건조함으로써 막을 형성할 수 있다. 자외선경화성수지는 그대로 또는 적당한 용매에 용해해서 도포액을 조제한 후에 이 도포액을 도포하고, 자외선을 조사해서 경화시킴으로써 막을 형성할 수 있다. 자외선경화수지로서는, 예를들면,
우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트수지를 사용할 수 있다. 이들 재료는 단독으로 또는 혼합해서 사용해도 되고, 1층 뿐만 아니라 다층막으로 해서 사용해도 된다.
보호층의 형성방법으로서는, 기록층과 마찬가지로 스핀코트법이나 캐스트법등의 도포법이나 스퍼터법이나 화학증착법등의 방법을 사용할 수 있지만, 이 중에서도 스핀코트법이 바람직하다.
보호층의 막 두께는 알반적으로 0.1㎛ 내지 100㎛의 범위이지만, 본 발명에 있어서는 3㎛ 내지 30㎛이며, 더 바람직하게는 5㎛ 내지 20㎛이다.
보호층의 위에 라벨 또는 바코드 등의 인쇄를 더 행할 수도 있다.
또한, 반사층면에 보호시트 또는 기판을 접합하거나, 또는 반사층면 상호를 안 쪽으로해서 대향시켜서 광기록매체 2매를 접합하는 등의 수단을 사용해도 된다.
기판의 경면쪽에 표면보호나 먼지등의 부착방지를 위해서 자외선경화성수지, 무기계박막등을 성막해도 된다.
도 3에 표시한 광기록매체의 작성시에 기판상에, 바람직하게는 1㎚ 내지 300㎚의 두께로 반사층이 형성된다. 반사율 또는 빌착성을 높이기 위해서 기록층과 반사층 사이에 반사증폭층 또는 접착층을 형성할 수 있다. 반사층의 재료로서는 재생광의 파장에서 반사율이 충분히 높은 것, 예를들면 Al, Ag, Ni, 및 Pt 등의 금속을 단독 또는 함금으로 해서 사용하는 것이 가능하다. 이들 중에서도 Ag, Al은 반사율이 높아 반사율의 재료로서 적합하다. 청색 레이저로 기록/재생을 행하는 경우에는 Al 또는 Ag가 적합하다. 이들 이외에도 하기의 것을 포함하고 있어도 된다. 예를들면, Mg, Se, Ht, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi, Au, Cu, Ti, Cr, Pd, Ta 등의 금속 및 반금속을 들 수 있다. 또한 Al 또는 Ag을 주성분으로 하는 것은 반사율이 높은 반사층을 용이하게 얻을 수 있기 때문에 적합하다, 금속 이외의 재료로 저굴절률박막과 고굴절률박막을 교호로 적층해서 다층막을 형성하고, 반사층으로서 사용하는 것도 가능하다.
반사층을 형성하는 방법으로서는, 예를들면, 스퍼터법, 이온플레이팅법, 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있다. 또한, 기판의 위 및/또는 반사층의 아래에 반사율의 향상, 기록특성의 개선, 밀착성의 향상 등을 위해서 공지의 무기물질또는 유기물질로 이루어진 중간층 및/또는 접착층을 형성할 수도 있다.
그리고, 반사층 상에 기록층의 성막시에 반사층의 내용매성, 반사율 및/또는 기록감도를 향상시키기 위해서 반사층 위에 유기물질 또는 폴리머로 이루어진 층을 형성할 수도 있다.
기록층에 있어서의 일반식(1)로 표시되는 화합물의 함유량은 기록 및 재생을 행할 수 있는 범위; 통상 30wt%이상, 바람직하게는 60wt% 이상으로부터 적절히 선택할 수 있다. 또한, 함유량은 실질적으로 100wt%인것도 바람직하다.
기록층을 형성하는 방법은 예를 들면, 스핀코트법, 스프레이법, 캐스트법,슬라이드법, 커튼법, 엑스트루젼법, 와이어법, 그라비야법, 스프레드법, 롤러코트법, 나이프법, 침지법 등의 도포법; 스퍼터법; 화학증착법; 진공증착법등을 들 수 있지만, 스핀코트법이 간편해서 바람직하다.
스핀코트법 등의 도포법을 사용하는 경우에는, 일반식(1)로 표시되는 화합물을 1내지 40wt%, 바람직하게는 3~30wt%가 되도록 용매에 용해 또는 분산시킨 도포액을 사용하지만, 이 때, 용매는 기판에 손상을 주지 않는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 사용할 수 있는 용매의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 옥타플루오르팬탄올, 알릴알콜, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브,
테트라플루오로프로판올등의 알콜계 용매; 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산 등의 지방족 또는 지환식 탄화수소계 용매; 톨루엔, 크실렌, 벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 4염화탄소,
클로로포름, 테트라클로로에탄, 디브로모에탄 등의 할로겐화 탄화수소계 용매;
디에틸 에테르, 디부틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디옥산 등의 에테르계 용매; 아세톤, 3-히드록시-3-메틸-2-부탄온 등의 케톤계 용매; 초산에틸, 유산메틸 등의 에스테르계 용매, 물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 또는 복수 혼합해서 사용해도 된다.
필요에 따라서, 기록층의 화합물을 고분자박막 등에 분산해서 사용할 수도 있다.
또한, 기판에 손상을 주지 않는 용매를 선택할 수 없는 경우에는, 스퍼터법, 화학증착법이나 진공증착법 등이 유효하다.
이 매체구조의 경우에 있어서의 기록층의 막두께는 일반적으로 1㎚ 내지 1000㎚, 바람직하게는 5㎚ 내지 300㎚이다. 기록층이 1㎚보다 얇으면, 기록은 행해질 수 없거나, 기록신호는 왜곡될 수 있고 또한 신호진폭은 감소될 수 있다. 이 막이 1000㎚ 보다 두꺼우면, 반사율은 낮아져서 재생신호특성의 열화를 가져오게 된다.
반사층의 위에 형성하는 보호층의 재료로서는 기록층을 외력과 주위분위기 등의 외부의 해로운 영향으로부터 보호하는 것이면 특히 한정되지는 않는다. 보호층의 재료의 예로서는 SiO2, Si3N4, MgF2, AlN 및 SnO2등의 무기물질; 및 열가소성수지, 열경화성수지, 전자선경화성수지, 자외선경화성수지 등의 유기물질을 들 수 있다. 열가소성수지, 열경화성수지 등은 적당한 용매에 용해해서 도포액을 조제한 후에 이 도포액을 도포하고, 건조함으로써 막을 형성할 수 있다. 자외선경화성수지는 그대로 또는 적당한 용매에 용해해서 도포액을 조제한 후에 이도포액을 도포하고, 자외선을 조사해서 경화시킴으로써 막을 형성할 수 있다. 자외선경화수지로서는, 예를들면, 우레탄 아크릴레이트, 에폭시아클레이트,
폴리에스테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트수지를 사용할 수 있다. 이들 재료는 단독으로 또는 혼합해서 사용해도 되고, 1층 뿐만 아니라 다층막으로 해서 사용해도 된다.
보호층의 형성방법으로서는, 기록층과 마찬가지로 스핀코트법이나 캐스트법등의 도포법이나 스퍼터법이나 화학증착법등의 방법을 사용할 수 있지만, 이 중에서도 스핀코트법이 바람직하다.
보호층의 막두께는 알반적으로 0.01㎛ 내지 1000㎛, 때로는 0.1㎛ 내지 100㎛이, 바람직하게는 1㎛ 내지 20㎛이다.
기판 위에 보호시트 또는 반사층을 접합해도 된다, 또는 2매의 기판의 안쪽면을 서로 대향시켜서 광기록매체 2매를 접합해도 된다.
보호층쪽에 표면보호나 먼지등의 부착방지를 위해서 자외선경화수지, 무기계박막등을 성막해도 된다.
본 발명의 광기록매체에서는, 전 매체를 보호하기위해서 플로피디스크 또는 자기광디스크에서 사용되는 디스크를 보호하는 보호유닛의 케이스타입을 사용해도된다. 이 유닛을 플라스틱 또는 알루미늄 등의 금속으로 만들어도 된다.
기판은 기록 및 재생광의 파장에서 기본적으로 투명한 재료로 만들어도 된다. 지지기판은, 기판(11)에 청자색레이저 조사가 행해지는 도 4에 표시한 경우를 고려해서, 아크릴레이트수지, 폴리에틸렌수지, 폴리카보네이트수지,
폴리올레핀수지, 에폭시수지 등의 폴리머 및 글라스 등의 무기물질을 포함하는 투명물질로 만들어도 된다. 한편, 도 5에 표시한 바와같이, 기판(11')에 대향하는 광투과층(15')쪽으로부터 레이저조사가 행해질 때에는, 기판의 재료는 광학적 요건을 만족할 필요가 없어, 넓은 범위의 재료로부터 선택될 수 있다, 기판에서 필요한 기계적 특성 및 기판의 생산성을 고려해서 인젝션 몰딩 또는 주조에 의해서 형성될 수 있는 재료가 바람직하며; 예를들면 아크릴레이트수지, 폴리카보네이트수지, 폴리올레핀수지 등이 바람직하다. 이들 재료는, 예를들면, 인젝션몰딩에 의해 디스크기판으로 형성될 수 있다.
이러한 기판의 상층에는, 서브미크론급의 안내홈 및/또는 프레핏을 나선형으로 또는 동심으로 형성할 수 있다. 이들 안내홈 및 프레핏을 기판작성시에 형성하는 것이 바람직하고, 예를들면 스텀퍼 템플레이트에 의한 인젝션몰딩 또는 포토폴리머에 의한 열전달 프린팅에 의해 형성될 수 있다. 또한 안내홈 및/또는 프레핏은 상기한 방법에 의해 도 5의 광투과층(15')에 형성될 수 있다. 안내홈의 피치 및 깊이는 DVD보다 고밀도로 기록이 행해지는 HD-DVDR에 대해서, 피치에 대해서는 0.25 내지 0.80㎛의 범위, 깊이에 대해서는 20 내지 150㎚의 범위로부터 선택하는것이 바람직하다.
광디스크로서 사용시에 기판은 두께 약 1.2㎜및 직경 약 80 내지 120㎜를 가진 디스크일 수 있으며, 그 중심에 직경 약 15㎜의 개구부를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서의 파장 300㎚ 내지 500㎚ 및 500㎚ 내지 700㎚의 레이저는, 특히 제한은 없지만, 예를 들면, 광범위한 가시광영역에서 파장을 선택할 수 있는 색소레이저나, He-Ne 레이저(633㎚),질소레이저(337㎚) 등의 가스레이저, 파장 445㎚의 헬륨-카드뮴레이저, 파장 457㎚ 또는 488㎚의 아르곤레이저 등의 이온레이저, 파장 400 내지 410㎚의 GaN계 레이저, Cr도프한 LiSnAlF6를 사용한 파장 860㎚의 적외선레이저의 제 2고주파 430㎚을 발진하는 레이저 외, 파장 415, 425, 602, 612, 635, 647, 650, 660, 670, 또는 680㎚ 등의 가시 반도체레이저 등의 반도체레이저 등을 들수 있다. 본 발명에서는 상기의 반도체레이저 등을 기록또는 재생을 행하는 기록층이 감응하는 파장에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 고밀도 기록 및 재생은 각각 상기의 반도체레이저로부터 선택되는 1파장 또는 복수파장에 있어서 가능하게 된다.
(실시예)
본 발명을 실시예를 참조해서 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해 하등 한정되는것은 아니다.
(실시예 1)
일반식(1)로 표시되는 화합물 중, 표 1에 기재한 화합물(1-1)을 폴리카보네이트수지제로 연속한 안내홈(트랙피치:0.74㎛)을 가진 외경 120㎜ø, 두께 0.6㎜의 원반형상의 기판상에 진공증착법에 의해 두께 70㎚가 되도록 성막했다.
이 기록층의 위에 스퍼터장치(CDI-900; 발자스사제)를 사용해서 은을 스퍼터해서 두께 100㎚의 반사층을 형성했다. 스퍼터가스는 이르곤이었다. 스퍼터조건은, 스퍼터파워 2.5㎾, 스퍼터가스압 1.33㎩(1.0×10-2Torr)에서 행했다.
또한, 반사층의 위에 자외선경화수지 SD-17(대일본잉크화학공업제)를 스핀코트한 후, 자외선조사해서 두께 5㎛의 보호층을 형성했다. 또한 보호층 위에 자외선경화수지 SD-301(대일본잉크화학공업제)를 스핀코트한 후, 상기 기판과 마찬가지의 안내홈이 없는 폴리카보네이트수지기판을 적층했다. 이들 기판을 자외선조사에 의해 접합해서 광기록매체를 제작했다.
이상과 같이 해서 기록층이 형성된 광기록매체에 대해서 이하와 같이 평가실험을 행했다.
파장 403㎚, 개구수 0.65의 청색레이저헤드를 탑재한 평가기에 의해 기록주파수 9.7㎒, 기록레이저파워 8.5㎽, 선속9.0m/s, 최단피트 깊이 0.46㎛로서 기록을 행했다. 양호하게 피트가 형성되고, 기록을 할 수 있었다. 기록 후, 동 평가장치에 의해 재생 레이저파워 0.6㎽, 선속 9.0m/s로 재생을 행한바, 피트를 판독 할 수 있었다. 재생을 1000번 이상 반복한 후에도 피트를 판독할 수 있어서, 양호한 재생광 안정성을 나타내고 있다.
또한, 테스트 샘플에 40,000룩스의 Xe광을 100시간 조사하는 내광성 시험을 행했다. 시험 후에도 피트를 판독할 수 있었다.
또한 습도 85% RH, 80℃의 분위기하에서 방치하는 내습열성 시험을 200시간 행했다. 시험 후에도 피트를 판독할 수 있었다.
(실시예 2)
실시예 1에 따라 제작한 광기록매체에 기록레이저파워를 6.5㎽로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 또한, 실시예 1과 마찬가지로 피트를 판독할 수 있었다. 또한, 양호한 재생광 안정성을 나타냈다.
또한 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독할 수 있었다.
(실시예 3)
실시예 1에 따라 제작한 광기록매체에 기록레이저파워를 7.5㎽로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 또한, 피트를 판독할 수 있었다. 또한, 양호한 재생광 안정성을 나타냈다.
또한 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독할 수 있었다.
(실시예 4)
실시예 1에 따라 제작한 광기록매체를 평가함에 있어서, 0.6㎜두께에 대응한 파장 660㎚ 반도체레이저헤드를 탑재한 평가기를 사용하고, 선속 3.5m/s, 기록레이저파워 8㎽에서 최단 피트깊이 0.40㎛가 되도록 기록을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 기록할 수 있었다. 기록 후, 동 평가장치를 사용해서 재생을 행한바, 피트를 판독할 수 있었다. 또한, 양호한 재생광 안정성을 나타냈다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험 후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 5 내지 37)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-2) 내지(1-34)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 또한 피트를 판독 할 수 있었다. 또한, 양호한 재생광 안정성을 나타냈다.
또한, 내광성 시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 38 내지 70)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-2) 내지(1-34)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 실시예 4와 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 또한 피트를 판독 할 수 있었다. 또한, 양호한 재생광 안정성을 나타냈다.
또한, 내광성 시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 71)
기록층에 표 1에 표시한 화합물(1-35)을 디메틸시클로헥산 10mL에 용해하고, 색소용액을 조제했다. 기판은 폴리카보네인트수지제로 연속한 안내홈(트랙피치:0.74㎛)을 가진 외경 120㎜ø, 두께 0.6㎜의 원반형상의 것을 사용했다. 이 기판상에 색소용액을 회전속도 1500min-1로 스핀코트하고, 70℃에서 3시간 건조해서 기록층을 형성했다. 이 기록층 위에 스퍼터장치(CDI-900; 발자스사제)를 사용해서 은을 스퍼터해서 두께 100㎚의 반사층을 형성했다. 스퍼터가스는 이르곤이었다. 스퍼터조건은, 스퍼터파워 2.5㎾, 스퍼터가스압 1.33㎩(1.0×10-2Torr)에서 행했다.
또한 반사층 위에 자외선경화수지 SD-17(대일본잉크화학공업제)를 스핀코트한 후, 자외선 조사해서 두께 5㎛의 보호층을 형성했다. 또한 보호층의 위에 자외선경화수지 SD301(대일본잉크화학공업제)를 스핀코트한 후, 상기 기판과 마찬가지의 폴리카보네이트수지기판을 적층하고, 자외선조사해서 기판을 접합해서, 광기록매체를 제작했다.
다음에, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 또한 피트를 판독 할 수 있었다. 또한, 양호한 재생광안정성을 나타냈다.
또한, 내광성 시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 72 내지 77)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-36) 내지(1-41)을 사용한 것 이외에는 실시예 71과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 그 결과 양호하게 피트를 형성하고, 또한 피트를 판독할 수 있었다. 또한 재생광안정성은 양호했다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 78내지 83)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-36) 내지 (1-41)을 사용한 것 이외에는 실시예 71과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 실시예 4와 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 그 결과 양호하게 피트를 형성하고, 또한 피트를 판독할 수 있었다. 또한 재생광안정성도 양호했다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 84)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-42)을2,2,3,3-테트라 플루오로프로판올 10mL에 용해해서, 색소용액을 조제했다. 기판은 폴리카보네이트수지제로 연속한 안내홈(트랙피치:0.74㎛)을 가진 외경 120㎜ø, 두께 0.6㎜의 원반형상의 것을 사용했다. 이 기판 상에 색소용액을 회전속도 1500min-1로 스핀코트하고, 70℃에서 3시간 건조해서 기록층을 형성했다. 이 기록층 상에 스퍼터장치(CDI-900; 발자스사제)를 사용해서 은을 스퍼터해서 두께 100㎚의 반사층을 형성했다. 스퍼터가스는 이르곤이었다. 스퍼터조건은, 스퍼터파워 2.5㎾, 스퍼터가스압 1.33㎩(1.0×10-2Torr)에서 행했다.
또한 반사층 위에 자외선경화수지 SD-17(대일본잉크화학공업제)를 스핀코트한 후, 자외선조사해서 두께 5㎛의 보호층을 형성했다. 또한 보호층의 위에 자외선경화수지 SD-301(대일본잉크화학공업제)을 스핀코트 한후, 상기 기판과 마찬가지의 폴리카보네이트수지기판을 적층했다. 이들 기판을 자외선조사에 의해 접합해서 광기록매체를 제작했다.
다음에, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 양호하게 피트를 형성했고, 또한 피트를 판독 할 수 있었다. 또한, 재생광안정성은 양호했다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 85)
실시예 84에 따라 광기록매체를 제작하고, 실시예 4와 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 그 결과 양호하게 피트를 형성하고, 또한 피트를 판독할 수 있었다. 또한 재생광안정성은 양호했다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독할 수 있었다.
(실시예 86 내지 97)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-43) 내지 (1-54)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 그 결과 두드러지게 피트를 형성하고, 또한 피트를 고 C/N비로 판독할 수 있었다. 또한 재생광안정성도 매우 양호했다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독 할 수 있었다.
(실시예 98 내지 107)
기록층에 표1에 표시한 화합물(1-55) 내지 (1-64)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. 그 결과 양호하게 피트를 형성하고, 또한 피트를 판독 할 수 있었다. 또한 재생광안정성도 양호하였다.
또한, 내광성시험 및 내습열성시험을 행한 결과, 시험후에도 피트를 판독할 수 있었다.
(비교예 1)
화합물(1-42)의 대신에 식(a):
의 화합물을 사용한 것 이외에는 실시예 84와 마찬가지로 해서 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 기록과 재생을 행했다. C/N비가 20dB이하 정도로 낮아서 기록을 행할 수 없었다.
실시예 1내지 107에 기재된 바와같이, 본 발명의 광기록매체는 청색레이저파장영역 및 적색레이저파장영역의 어느쪽에 있어서도 기록재생이 가능하고, 또한 내광성 및 내습열성도 뛰어나다.
따라서, 본 발명에서 규정하는 구조 가진 화합물을 함유하는 기록층은 파장 300내지 500㎚ 및/또는 500내지 700㎚에서 선택되는 파장의 레이저광에 의한 신호기록이 가능하며, 본 발명의 광기록매체는, 파장 300내지 500㎚ 및/또는 500~700㎚으로부터 선택되는 파장의 레이저광을 기록재생에 사용하는 광기록매체에 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 일반식(1)로 표시되는 화합물을 기록층으로서 사용함으로써 고밀도광기록매체로서 매우 주목되고 있는 파장 300 내지 500㎚ 레이저에서의 기록 및 재생, 및 영화등 2시간 이상의 동화의 녹화용으로 사용되는 파장 500내지 700㎚에서의 기록 및 재생이 가능한 추기형광기록매체를 제공하는 것이 가능하게된다.

Claims (12)

  1. 선택적으로 금속착체화된 포르피센으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물로 이루어진 기록층을 가진 광기록 매체.
  2. 제 1항에 있어서, 기판상에 기록층으로서 유기색소층을 가지며, 이 유기색소층속에 일반식(1)로 표시되는 화합물로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 함유하는 광기록매체.
  3. 제 1항 또는 재 2항에 있어서, 상기 포르피센 화합물은 일반식(1):
    〔식 중, 환 A,B,C,D는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 피롤환을 표시하고; X1,X2,X3,X4는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 메틴기를 표시하고; M은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가지고 있어도 되는 2 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 광기록매체.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 포르피센화합물은 일반식(2):
    〔식 중, R1내지 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실시기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는
    무치환의 알킬기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기,
    아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
    아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
    1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
    헤테로아릴옥시기를 표시하고; 또는 R1내지 R12의 각 치환기는 인접하는 치환기와함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M1은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가져도 되는 2가 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 광기록매체.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 포르피센 화합물은 일반식(3):
    〔식 중, R13내지 R24는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실시, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는
    무치환의 알칼기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기,
    아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
    아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
    1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
    헤테로아릴옥시기를 표시하고; R13내지 R24의 각각은 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M2는 알킬기, 아릴기, 헤테르아릴옥시기로 구성되는 군으로부터 선택된 치환기 및/또는 일산화탄소, 알콜로 구성되는 군으로 부터 선택된 리간드를 가진 2가 내지 4가의 금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 광기록매체.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중의 어느 한 항에 있어서, 파장 300㎚ 내지 500㎚ 및/또는 500㎚ 내지 700㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 대해서 기록 및 재생이 가능한 광기록매체.
  7. 제 6항에 있어서, 파장 400㎚ 내지 500㎚ 및/또는 600㎚ 내지 700㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 대해서 기록 및 재생이 가능한 광기록매체.
  8. 제 7항에 있어서, 파장 400㎚ 내지 410㎚ 및/또는 635㎚ 내지 660㎚의 범위로부터 선택되는 파장을 가진 레이저광에 대해서 기록 및 재생이 가능한 광기록매체.
  9. 일반식(1):
    〔식 중, 환A,B,C,D는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 피롤환을 표시하고; X1,X2,X3,X4는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 메틴기를 표시하고, M은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가지고 있어도 되는 2 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 포르피센 화합물.
  10. 제 9항에 있어서, 일반식(2):
    〔식 중, R1내지 R12는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실시, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는
    무치환의 알칼기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기,
    아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
    아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
    1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
    헤테로아릴옥시기를 표시하고; 또는 R1내지 R12의 각 치환기는 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M1은 2개의 수소원자, 치환기 또는 리간드를 가져도 되는 2가 내지 4가의 금속원자 또는 반금속원자, 옥시금속원자를 표시한다.〕로 표시되는 포르피센 화합물.
  11. 제 10항에 있어서, 일반식(3):
    〔식중, R13내지 R24는 각각 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 카르복실기, 메르캅토기, 치환 또는
    무치환의 알칼기, 아랄킬기, 아릴기, 알케닐기, 알콕시기, 아랄킬옥시기,
    아릴옥시기, 알케닐옥시기, 알킬티오기, 아랄킬티오기, 아릴티오기, 알케닐티오기, 아실기, 아실옥시기, 1치환 아미노기, 2치환 아미노기, 알콕시카르보닐기,
    아랄킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기,
    1치환 아미노카르보닐기, 2치환 아미노카르보닐기, 헤테로아릴기 또는
    헤테로아릴옥시기를 표시하고; R13내지 R24의 각각은 인접하는 치환기와 함께 연결기를 개재해서 환을 형성해도 되며; M2는 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴옥시기로 구성되는 군으로부터 선택된 치환기 및/또는 일산화탄소, 알콜로 구성되는 군으로 부터 선택된 리간드를 가진 2가 내지 4가의 금속원자를 표시한다.〕로 표시되는
    포르피센 화합물.
  12. 제 11항에 있어서, M2은 아릴기를 가진 금속원자인 포르피센 화합물.
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