JP2000280621A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層と反射層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は明細書記載の置換基を表し、Ｘ¹〜
Ｘ³はＯ、Ｓ又は 【化２】 （式中、Ｙは水素原子、置換または無置換のアルキル
基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基を表す）
で示される置換または無置換のイミノ基を表す〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（CD-Recordable）が広く普及
している。ＣＤ−Ｒの記録容量は０．６５ＧＢ程度であ
るが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対す
る高密度化および大容量化への要求は高まっている。

【０００３】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８
０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動
画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶ
Ｄは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記
型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎ
ｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号、日
経エレクトロニクス、Ｎｏ．７３６、ｐ．３３、１９９
９年２月８日号〕、それに対応した追記型光記録媒体の
開発も行われている。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる
青色半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、
消衰係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラ
ーレートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・
再生ができない。従って、記録層に用いる化合物には青
色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切
な化合物を選択する必要がある。しかし、実際に提案さ
れている有機色素化合物の例は、特開平４−７４６９０
号公報記載のシアニン色素化合物や、特開平７−３０４
２５６号公報あるいは特開平７−３０４２５７号公報に
記載のポルフィリン色素化合物など、ごく限られた例し
かない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シアニ
ン色素は一般に耐光性が低いために、媒体を長期保存し
た時に、時として再生が不可能となる場合がある。ま
た、上記公報記載のポルフィリン化合物は、特開平７−
３０４２５６号公報あるいは特開平７−３０４２５７号
公報の実施例に記載されるように、単独で光記録媒体の
記録層に使用した場合にはレーザー光による書き込みが
不可能であることなど、記録層に用いる化合物としては
充分に満足いく性能を有するとは言い得ない。さらに、
該公報等における光記録媒体では、有機色素に配位する
置換基を有する単分子あるいは高分子化合物を混合して
使用することが必須であり、また、特開平７−３０４２
５７号公報の実施例欄に記載のサンプルディスクのよう
に記録層が白濁する場合があるため、組成比を設定する
必要があるなど、媒体の製造が煩雑であり、生産性の向
上に未だ余地が残されていた。こうしたことから、超高
密度の記録と長期保存安定性に優れた媒体を作成するの
に適した光記録媒体用色素の開発が急務となっている。

【０００７】本発明の目的は、波長４００ｎｍ〜５００
ｎｍの範囲から選択されるレーザー光で良好な記録およ
び再生が可能な超高密度記録に適した化合物を記録層に
有する光記録媒体を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記
録層および反射層を有する光記録媒体において、記録層
中に一般式（１）

【０００９】

【化３】

【００１０】〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ⁷、Ｒ⁸はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、
アリールオキシ基、アルケニル基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、アルキルアミノ基、アラルキル
アミノ基、アリールアミノ基、アルケニルアミノ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカ
ルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニル
オキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ア
ラルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニ
ル基、アルケニルアミノカルボニル基、複素環基、アル
キルスルホニル基、ジアルキルアミノスルホニル基を表
し、Ｚ¹およびＺ²はそれぞれ独立に、水素原子、置換ま
たは無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、
アルコキシ基、アラルキルオキシ基を表し、Ｘ¹、Ｘ²、
Ｘ³はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子または

【００１１】

【化４】

【００１２】（式中、Ｙは水素原子、置換または無置換
のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル
基を表す。）で示される置換または無置換のイミノ基を
表す。〕で示される化合物を含有する光記録媒体であ
り、特には、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して記録および再生が可能であ
る新規な光記録媒体に関するものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１４】この光記録媒体は基板１、記録層２、反射
層３および保護層４が順次積層している４層構造を有し
ている。これを図１に示すように単板で用いてもよく、
図２に示すようにＤＶＤのように接着層５で貼り合わせ
ても良い。

【００１５】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１６】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示される化合
物を含有するものである。

【００１７】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示される化合物について、以下に具体例を詳細に述べ
る。

【００１８】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される基としては、ポリカーボネー
ト、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン基板などへの
塗布による加工性の良好な基を選択して用いることがで
きる。

【００１９】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される基として、水素原子、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子またはシアノ基が挙げられる。

【００２０】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルキル
基としては、直鎖または分岐または環状の無置換アルキ
ル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、アルコ
キシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキ
シカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アル
コキシカルボニルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジ
アルキルアミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホン
アミノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル
基、複素環基等の置換基群より選択した置換基で置換し
たアルキル基などが挙げられる。

【００２１】置換または無置換の直鎖または分岐または
環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓ
ｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル
基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シク
ロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル
基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１
−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，
３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、
２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル
基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、
２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２
−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル
基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−エチ
ル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘ
プチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル
基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、
２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，
５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキ
シル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，
５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル
基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチ
ルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、
１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチル
オクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデ
シル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テト
ラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘ
プチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメ
チルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシ
ル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル
基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基
などの炭素数１〜１５の無置換アルキル基；

【００２２】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、４−ヒドロキシブチル基、２−
ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ
−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキ
シプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル
基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピ
ル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチ
ル基、４−ヒドロキシデカリル−２−オキシ基などのヒ
ドロキシ基で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；ヒ
ドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル
基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）
−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−
ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ
−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシ
ブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ
基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；ヒドロキシ
メトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキ
シエチル基、［２’−（２’−ヒドロキ−１’−メチル
エトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル
基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエト
キシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、
［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）
−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒド
ロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１
０のアルキル基；

【００２３】シアノメチル基、２−シアノエチル基、４
−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル
基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−
３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプ
ロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル
基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などの
シアノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００２４】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチル
ペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）
エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ
−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチル
ヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ
−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキ
シ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、
（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、
（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；

【００２５】メトキシメトキシメチル基、メトキシエト
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロ
ポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシエト
キシ）エチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブ
トキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチ
ルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエ
トキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチ
ルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−ト
リフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，
３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアル
キル基；メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシ
エトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシ
エチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシ、プロポキシプロポキシプロポキシ基、
（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキ
シエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エト
キシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアル
コキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；

【００２６】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、１，３−ジ
オキソ−２−シクロヘキシル基、２−オキソ−５−ｔ−
ブチル−１−シクロヘキシル基等のアシル基で置換した
炭素数２〜１０のアルキル基；ホルミルオキシメチル
基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル
基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル
基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、
（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル
基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘ
キシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、
（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのアシルオ
キシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；

【００２７】ホルミルオキシメトキシメチル基、アセト
キシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエ
チル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチ
ルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ブトキシエチル
基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エ
トキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）
エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）
エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置
換した炭素数３〜１５のアルキル基；アセトキシメトキ
シメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチ
ル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、
バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチ
ルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、
（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキ
シエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキ
シ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオ
ニルオキシ）エトキシエトキシエチル基などのアシルオ
キシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数５〜１５
のアルキル基；メトキシカルボニルメチル基、エトキシ
カルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メ
トキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、ｐ−エチルシクロヘ
キシルオキシカルボニルシクロヘキシル基、（２，２，
３，３−テトラフルオロプロポキシ）カルボニルメチル
基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシ）カル
ボニルメチル基などのアルコキシカルボニル基で置換し
た炭素数３〜１５のアルキル基；フェノキシカルボニル
メチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−
ブチルフェノキシ）カルボニルエチル基、ナフチルオキ
シカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエ
チル基などのアリールオキシカルボニル基で置換した炭
素数８〜１５のアルキル基；ベンジルオキシカルボニル
メチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネ
チルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシル
オキシベンジルオキシ）カルボニルメチル基などのアラ
ルキルオキシカルボニル基で置換した炭素数９〜１５の
アルキル基；

【００２８】ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニル
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケ
ニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０のア
ルキル基；メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキ
シカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキ
シエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
（２，２，２−トリフルオロエトキシ）カルボニルオキ
シエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）カル
ボニルオキシエチル基などのアルコキシカルボニルオキ
シ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；メトキシ
メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシ
カルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニ
ルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシ
エチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エト
キシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリク
ロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基など
のアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した
炭素数４〜１５のアルキル基；メチルアミノメチル基、
エチルアミノメチル基、ｎ−ブチルアミノメチル基、ｎ
−ヘキシルアミノメチル基、ｎ−オクチルアミノメチル
基、ｎ−デシルアミノメチル基、イソアミルアミノメチ
ル基、メトキシメチルアミノメチル基、メトキシエチル
アミノメチル基、エトキシメチルアミノメチル基、エト
キシエチルアミノメチル基、プロポキシエチルアミノメ
チル基、ブトキシエチルアミノメチル基、（２−シクロ
ヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、メチルアミノ
エチル基、エチルアミノエチル基、ｎ−ブチルアミノエ
チル基、ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ｎ−オクチルア
ミノエチル基、ｎ−デシルアミノエチル基、イソアミル
アミノエチル基、メトキシメチルアミノエチル基、メト
キシエチルアミノエチル基、エトキシメチルアミノエチ
ル基、エトキシエチルアミノエチル基、プロポキシエチ
ルアミノエチル基、ブトキシエチルアミノエチル基、
（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、
メチルアミノプロピル基、エチルアミノプロピル基、ｎ
−ブチルアミノプロピル基、ｎ−ヘキシルアミノプロピ
ル基、ｎ−オクチルアミノプロピル基、ｎ−デシルアミ
ノプロピル基、イソアミルアミノプロピル基、メトキシ
メチルアミノプロピル基、メトキシエチルアミノプロピ
ル基、エトキシメチルアミノプロピル基、エトキシエチ
ルアミノプロピル基、プロポキシエチルアミノプロピル
基、ブトキシエチルアミノプロピル基、（２−シクロヘ
キシルオキシエチル）アミノプロピル基、メチルアミノ
ブチル基、エチルアミノブチル基、ｎ−ブチルアミノブ
チル基、ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ｎ−オクチルア
ミノブチル基、ｎ−デシルアミノブチル基、イソアミル
アミノブチル基、メトキシメチルアミノブチル基、メト
キシエチルアミノブチル基、エトキシメチルアミノブチ
ル基、エトキシエチルアミノブチル基、プロポキシエチ
ルアミノブチル基、ブトキシエチルアミノブチル基、
（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等
のモノアルキルアミノ基が置換した炭素数２〜１４のア
ルキル基；

【００２９】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数３〜２０のアルキル基；

【００３０】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数３〜１０のアルキル基；メチルスルホンア
ミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチル
スルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチ
ル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキル
スルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチ
ル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエ
チル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニル
エチル基、（２−エチルヘキシル）スルホニルエチル
基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロピル）スル
ホニルメチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロ
ピル）スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基
で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；ベンゼンスル
ホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼ
ンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル
基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニル
エチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンス
ルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシ
レンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル
基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホ
ニル基で置換した炭素数７〜１２のアルキル基；チアジ
アゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチ
ル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル
基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリ
ノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリ
ノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置
換した炭素数２〜１３のアルキル基等が挙げられる。

【００３１】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアラルキ
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアラルキル基であり、好ましくは、ベンジ
ル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキ
シベンジル基、メチルベンジル基、トリフルオロメチル
ベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル
基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチ
ル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナ
フチルメチル基、フルオレン−９−イルエチル基などの
炭素数７〜１５のアラルキル基等が挙げられる。

【００３２】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアリール
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアリール基であり、好ましくは、フェニル
基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシ
フェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフ
ェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフ
チル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、ト
リフルオロメチルナフチル基、メトキシカルボニルフェ
ニル基、４−（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−
イル）フェニル基、ジブチルアミノカルボニルフェニル
基などの炭素数６〜１５のアリール基等が挙げられる。

【００３３】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルケニ
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルケニル基であり、好ましくは、ビニル
基、プロペニル基、１−ブテニル基、ｉｓｏ−ブテニル
基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、２−メチル
−１−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、２−
メチル−２−ブテニル基、２，２−ジシアノビニル基、
２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニル基、２−シ
アノ−２−メチルスルホンビニル基、スチリル基、４−
フェニル−２−ブテニル基などの炭素数２〜１０のアル
ケニル基が挙げられる。

【００３４】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルコキ
シ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔ
ｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、
１−メチルペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキ
シ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチ
ルオキシ基、１，１−ジメチルブトキシ基、１，２−ジ
メチルブトキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，
３−ジメチルブトキシ基、１，１，２−トリメチルプロ
ポキシ基、１，２，２−トリメチルプロポキシ基、１−
エチルブトキシ基、２−エチルブトキシ基、１−エチル
−２−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
メチルシクロペンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ
基、１−メチルヘキシルオキシ基、２−メチルヘキシル
オキシ基、３−メチルヘキシルオキシ基、４−メチルヘ
キシルオキシ基、５−メチルヘキシルオキシ基、１，１
−ジメチルペンチルオキシ基、１，２−ジメチルペンチ
ルオキシ基、１，３−ジメチルペンチルオキシ基、１，
４−ジメチルペンチルオキシ基、２，２−ジメチルペン
チルオキシ基、２，３−ジメチルペンチルオキシ基、
２，４−ジメチルペンチルオキシ基、３，３−ジメチル
ペンチルオキシ基、３，４−ジメチルペンチルオキシ
基、１−エチルペンチルオキシ基、２−エチルペンチル
オキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、１，１，２−
トリメチルブトキシ基、１，１，３−トリメチルブトキ
シ基、１，２，３−トリメチルブトキシ基、１，２，２
−トリメチルブトキシ基、１，３，３−トリメチルブト
キシ基、２，３，３−トリメチルブトキシ基、１−エチ
ル−１−メチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルブ
トキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、２−エ
チル−１−メチルブトキシ基、２−エチル−３−メチル
ブトキシ基、１−ｎ−プロピルブトキシ基、１−イソプ
ロピルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルプロ
ポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−メチル
ヘプチルオキシ基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−
メチルヘプチルオキシ基、５−メチルヘプチルオキシ
基、６−メチルヘプチルオキシ基、１，１−ジメチルヘ
キシルオキシ基、１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、
１，３−ジメチルヘキシルオキシ基、１，４−ジメチル
ヘキシルオキシ基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ
基、２，２−ジメチルヘキシルオキシ基、２，３−ジメ
チルヘキシルオキシ基、２，４−ジメチルヘキシルオキ
シ基、２，５−ジメチルヘキシルオキシ基、３，３−ジ
メチルヘキシルオキシ基、３，４−ジメチルヘキシルオ
キシ基、３，５−ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−
ジメチルヘキシルオキシ基、４，５−ジメチルヘキシル
オキシ基、１−エチルヘキシルオキシ基、２−エチルヘ
キシルオキシ基、３−エチルヘキシルオキシ基、４−エ
チルヘキシルオキシ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキ
シ基、２−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、１−イソプ
ロピルペンチルオキシ基、２−イソプロピルペンチルオ
キシ基、１−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、１
−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−
３−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−４−メチル
ペンチルオキシ基、２−エチル−１−メチルペンチルオ
キシ基、２−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、２
−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−
４−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−１−メチル
ペンチルオキシ基、３−エチル−２−メチルペンチルオ
キシ基、３−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、３
−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、１，１，２−
トリメチルペンチルオキシ基、１，１，３−トリメチル
ペンチルオキシ基、１，１，４−トリメチルペンチルオ
キシ基、１，２，２−トリメチルペンチルオキシ基、
１，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，４
−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，４−トリメチ
ルペンチルオキシ基、２，２，３−トリメチルペンチル
オキシ基、２，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、
２，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，３
−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，３−トリメチ
ルペンチルオキシ基、３，３，４−トリメチルペンチル
オキシ基、１，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、
２，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、３，４，４
−トリメチルペンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブトキ
シ基、１−イソブチルブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチル
ブトキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メ
チルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブトキ
シ基、１−ｎ−プロピル−３−メチルブトキシ基、１−
イソプロピル−１−メチルブトキシ基、１−イソプロピ
ル−２−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−３−メ
チルブトキシ基、１，１−ジエチルブトキシ基、１，２
−ジエチルブトキシ基、１−エチル−１，２−ジメチル
ブトキシ基、１−エチル−１，３−ジメチルブトキシ
基、１−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、２−エ
チル−１，１−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，
２−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，３−ジメチ
ルブトキシ基、２−エチル−２，３−ジメチルブトキシ
基、１，１，３，３−テトラメチルブトキシ基、１，２
−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノ
ニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ
基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ
−ドデシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−
ペンタデカニルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分
岐又は環状の無置換アルコキシ基；

【００３５】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，
５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブトキシ基、ｎ−
デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキ
シ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプ
ロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プ
ロポキシ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキ
シ基、２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ
基、２−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した
炭素数２〜１５のアルコキシ基；

【００３６】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、（４−エチルシクロへキシルオキシ）エトキシエト
キシ基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシ
プロポキシ基、４−（３，５，５−トリメチルヘキシル
オキシブトキシエトキシ基等の、アルコキシアルコキシ
基で置換した直鎖、分岐または環状の炭素数３〜１５の
アルコキシ基；

【００３７】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、４’−
エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ基等の
アルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１０のア
ルコキシ基；アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基等のアシル基
で置換した炭素数３〜１０のアルコキシ基；アセチルオ
キシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチル
オキシヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキ
シルオキシ基などのアシルオキシ基で置換した炭素数３
〜１０のアルコキシ基；

【００３８】メチルアミノメトキシ基、２−メチルアミ
ノエトキシ基、２−(２−メチルアミノエトキシ)エトキ
シ基、４−メチルアミノブトキシ基、１−メチルアミノ
プロパン−２−イルオキシ基、３−メチルアミノプロポ
キシ基、２−メチルアミノ−２−メチルプロポキシ基、
２−エチルアミノエトキシ基、２−(２−エチルアミノ
エトキシ)エトキシ基、３−エチルアミノプロポキシ
基、１−エチルアミノプロポキシ基、２−イソプロピル
アミノエトキシ基、２−（ｎ−ブチルアミノ）エトキシ
基、３−（ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキシ基、４−
（シクロヘキシルアミノ）ブチルオキシ基等のアルキル
アミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルコキシ基；メ
チルアミノメトキシメトキシ基、メチルアミノエトキシ
エトキシ基、メチルアミノエトキシプロポキシ基、エチ
ルアミノエトキシプロポキシ基、４−（２’−イソブチ
ルアミノプロポキシ）ブトキシ基等のアルキルアミノア
ルコキシ基で置換した炭素数３〜１０のアルコキシ基；
ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチルアミノエトキ
シ基、２−(２−ジメチルアミノエトキシ)エトキシ基、
４−ジメチルアミノブトキシ基、１−ジメチルアミノプ
ロパン−２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプロポ
キシ基、２−ジメチルアミノ−２−メチルプロポキシ
基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−(２−ジエチ
ルアミノエトキシ)エトキシ基、３−ジエチルアミノプ
ロポキシ基、１−ジエチルアミノプロポキシ基、２−ジ
イソプロピルアミノエトキシ基、２−（ジ−ｎ−ブチル
アミノ）エトキシ基、２−ピペリジルエトキシ基、３−
（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキシ基等のジアルキ
ルアミノ基で置換した炭素数３〜１５のアルコキシ基；

【００３９】ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメ
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換した炭
素数４〜１５のアルコキシ基；２−メチルチオメトキシ
基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエトキ
シ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イソプロ
ピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、
２−イソブチルチオエトキシ基、（３，５，５−トリメ
チルヘキシルチオ）ヘキシルオキシ基等のアルキルチオ
基で置換した炭素数２〜１５のアルコキシ基；等が挙げ
られ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ
ｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ
基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ネオペ
ントキシ基、２−メチルブトキシ基、２−エチルヘキシ
ルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ
基、デカリルオキシ基などの炭素数１〜１０のアルコキ
シ基が挙げられる。

【００４０】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアラルキ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアラルキルオキシ基であり、好まし
くは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シ
アノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジル
オキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキ
シ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチル
メトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロ
メチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエト
キシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等が
挙げられる。

【００４１】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアリール
オキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアリールオキシ基であり、好ましく
は、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチ
ルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メ
トキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ
基、ナフトキシ基などの炭素数６〜１０のアリールオキ
シ基が挙げられる。

【００４２】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルケニ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルケニルオキシ基であり、好まし
くは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテ
ニルオキシ基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテ
ニルオキシ基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−
１−ブテニルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキ
シ基、２−メチル−２−ブテニルオキシ基、２，２−ジ
シアノビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボ
キシルビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホ
ンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−
２−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基などの
炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基が挙げられる。

【００４３】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルキル
チオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルチオ基であり、好ましくは、メ
チルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓ
ｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチ
ルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、
ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペ
ンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボ
キシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，
５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基な
どの炭素数１〜１０のアルキルチオ基が挙げられる。

【００４４】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアラルキ
ルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアラルキルチオ基であり、好ましく
は、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベ
ンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベン
ジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフ
チルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シア
ノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチ
オ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチ
ルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチル
チオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等が挙
げられる。

【００４５】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアリール
チオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアリールチオ基であり、好ましくは、フェ
ニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシ
フェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフ
チルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などが
挙げられる。

【００４６】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルケニ
ルチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルケニルチオ基であり、好ましくは、
ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサ
ンジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニル
チオ基、デセニルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニ
ルチオ基などが挙げられる。

【００４７】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルキル
アミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアルキルアミノ基であり、好ましく
は、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ
基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミ
ノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチ
ルヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、３，
５，５−トリメチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ
基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０のモノアルキ
ルアミノ基や、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチル
アミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシ
ルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ピロリジノ基、ピペ
リジノ基、モルホリノ基、ビス（メトキシエチル）アミ
ノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポ
キシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ
基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（プロピ
オニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６の
ジアルキルアミノ基が挙げられる。

【００４８】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアラルキ
ルアミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアラルキルアミノ基であり、好まし
くは、ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、３−フ
ェニルプロピルアミノ基、４−エチルベンジルアミノ
基、４−イソプロピルベンジルアミノ基、Ｎ−メチルベ
ンジルアミノ基、Ｎ−エチルベンジルアミノ基、Ｎ−ア
リルベンジルアミノ基、Ｎ−（２−シアノエチル）ベン
ジルアミノ基、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ベンジル
アミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ
基や、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビ
ス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプ
ロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０のジ
アラルキルアミノ基が挙げられる。

【００４９】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアリール
アミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアリールアミノ基であり、好ましく
は、アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キ
シリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピルアニリノ
基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ基、クロロ
アニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニル
アニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキ
シカルボニルアニリノ基、Ｎ−メチルアニリノ基、Ｎ−
エチルアニリノ基、Ｎ−メチルトルイジノ基など、炭素
数６〜１０のモノアリールアミノ基、ジフェニルアミノ
基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミ
ノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基が挙
げられる。

【００５０】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルケニ
ルアミノ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルケニルアミノ基であり、好まし
くは、ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミ
ノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シク
ロヘキセニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダ
マンテニルアミノ基、Ｎ−メチルビニルアミノ基、Ｎ−
メチルアリルアミノ基、Ｎ−エチルビニルアミノ基、Ｎ
−エチルアリルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノア
ルケニルアミノ基、ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ
基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘ
キセニルアミノ基などの炭素数４〜１２のジアルケニル
アミノ基が挙げられる。

【００５１】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアシル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアシル基であり、好ましくは、ホルミル基、メ
チルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピル
カルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブ
チルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅ
ｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ
−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル
基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカル
ボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチル
ベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイ
ル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカ
ルボニル基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナ
モイル基などの炭素数１〜１５のアシル基が挙げられ
る。

【００５２】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルコキ
シカルボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基であ
り、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポ
キシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ
−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボ
ニル基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペント
キシカルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−
エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリ
メチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカ
ルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロ
ロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニ
ル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数２
〜１１のアルコキシカルボニル基；メトキシメトキシカ
ルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシ
エトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル
基、ブトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキ
シカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル
基、ブトキシブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシブ
トキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカル
ボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基な
どのアルコキシ基が置換した炭素数３〜１１のアルコキ
シカルボニル基；メトキシメトキシメトキシカルボニル
基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシ
エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエ
トキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボ
ニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアル
コキシアルコキシ基が置換した炭素数４〜１１のアルコ
キシカルボニル基が挙げられる。

【００５３】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアラルキ
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するアラルキルオキシカルボ
ニル基であり、好ましくは、ベンジルオキシカルボニル
基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジ
ルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカル
ボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフ
ルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメ
トキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニ
ル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキ
シナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチルメト
キシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキ
シカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボ
ニル基などの炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボ
ニル基等が挙げられる。

【００５４】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアリール
オキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアリー
ル基と同様な置換基を有するアリールオキシカルボニル
基であり、好ましくは、フェノキシカルボニル基、２−
メチルフェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシ
カルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル
基、２−メトキシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ
−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボ
ニル基などの炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニ
ル基が挙げられる。

【００５５】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルケニ
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するアルケニルオキシカルボ
ニル基であり、好ましくは、ビニルオキシカルボニル
基、プロペニルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキ
シカルボニル基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル
基、１−ペンテニルオキシカルボニル基、２−ペンテニ
ルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ブテニルオキ
シカルボニル基、３−メチル−１−ブテニルオキシカル
ボニル基、２−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル
基、２，２−ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−
シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニ
ル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシカ
ルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、４−フェニ
ル−２−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜
１１のアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。

【００５６】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルキル
アミノカルボニル基の例としては、前記に挙げたアルキ
ル基と同様な置換基を有するアルキルアミノカルボニル
基であり、好ましくはメチルアミノカルボニル基、エチ
ルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、
ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル
基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカル
ボニル基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノ
カルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノ
カルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基
等の炭素数２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル
基；ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカル
ボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルア
ミノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジ
ヘキシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボ
ニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカ
ルボニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペ
ラジノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル
基等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基
が挙げられる。

【００５７】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアラルキ
ルアミノカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するアラルキルアミノカルボ
ニル基であり、好ましくは、ベンジルアミノカルボニル
基、フェネチルアミノカルボニル基、３−フェニルプロ
ピルアミノカルボニル基、４−エチルベンジルアミノカ
ルボニル基、４−イソプロピルベンジルアミノカルボニ
ル基、Ｎ−メチルベンジルアミノカルボニル基、Ｎ−エ
チルベンジルアミノカルボニル基、Ｎ−アリルベンジル
アミノカルボニル基、Ｎ−（２−シアノエチル）ベンジ
ルアミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセトキシエチル）
ベンジルアミノカルボニル基などの炭素数８〜１１のモ
ノアラルキルアミノカルボニル基や、ジベンジルアミノ
カルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス
（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、ビス（４
−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基などの炭
素数１５〜２１のジアラルキルアミノカルボニル基が挙
げられる。

【００５８】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアリール
アミノカルボニル基の例としては、前記に挙げたアルキ
ル基と同様な置換基を有するアリールアミノカルボニル
基であり、好ましくは、アニリノカルボニル基、ナフチ
ルアミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシ
リジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イ
ソプロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカ
ルボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロア
ニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、
メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカ
ルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニル
アニリノカルボニル基、Ｎ−メチルアニリノカルボニル
基、Ｎ−エチルアニリノカルボニル基、Ｎ−メチルトル
イジノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモノアリー
ルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル
基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−
トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５のジ
アリールアミノカルボニル基が挙げられる。

【００５９】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルケニ
ルアミノカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するアルケニルアミノカルボ
ニル基であり、好ましくは、ビニルアミノカルボニル
基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボ
ニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルア
ミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル
基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニ
ルアミノカルボニル基、Ｎ−メチルビニルアミノカルボ
ニル基、Ｎ−メチルアリルアミノカルボニル基、Ｎ−エ
チルビニルアミノカルボニル基、Ｎ−エチルビニルアミ
ノカルボニル基などの炭素数３〜１１のモノアルケニル
アミノカルボニル基、ジビニルアミノカルボニル基、ジ
アリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニ
ル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニル
アミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアルケニ
ルアミノカルボニル基が挙げられる。

【００６０】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換の複素環基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有する複素環基であり、好ましくは、フラニル基、ピ
ロリル基、３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オ
キソラニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピ
ラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チ
アゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，
２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル
基、１，３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル
基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、
モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピ
ラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾ
フラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベン
ズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリア
ゾ−ル−２−イル基、ベンゾトリアゾール−１−イル
基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ク
マリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベ
ンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル
基、フェノチアジニル基、フラボニル基、フタルイミド
基、ナフチルイミド基などの無置換複素環基、あるいは
以下の置換基、即ち、

【００６１】フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル
基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオ
ロメチル基等のアルキル基；ベンジル基、フェネチル基
などのアラルキル基；フェニル基、トリル基、ナフチル
基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキ
シフェニル基等のアリール基；メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノ
ニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基等のアル
コキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基；フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、オクテニル基等のアルケ
ニル基；ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオ
キシ基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、
オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；

【００６２】メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基；ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基；フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基；

【００６３】アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル
基等のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニル基；ベンジルオキシ
カルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラ
ルキルオキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、
トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、
キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル
基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキ
シカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；ビニ
ルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブ
テニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボ
ニル基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオ
キシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；
メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル
基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボ
ニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノ
カルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチル
アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，
５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−
エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０
のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチルアミノ
カルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピ
ルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、
ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカル
ボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチル
アミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホ
リノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル
基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜
２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミ
ノカルボニル基；

【００６４】フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ
基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３
−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基；などの置換基により置換した複素環基が挙げら
れる。

【００６５】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のアルキル
スルホニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルキルスルホニル基であり、好
ましくは、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、
ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル
基、ｎ−ブチルスルホニル基、イソブチルスルホニル
基、ｔ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル
基、イソアミルスルホニル基、ｔ−アミルスルホニル
基、シクロペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホ
ニル基、シクロヘキシルスルホニル基、ｎ−ヘプチルス
ルホニル基、ｎ−オクチルスルホニル基、２−エチルヘ
キシルスルホニル基、３，５，５−トリメチルシクロヘ
キシルスルホニル基、ｎ−ノニルスルホニル基、ｎ−デ
シルスルホニル基、デカリルスルホニル基、アダマンチ
ルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、な
どの炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基が挙げられ
る。

【００６６】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される置換または無置換のジアルキ
ルアミノスルホニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有するジアルキルアミノスルホ
ニル基であり、好ましくは、ジメチルアミノスルホニル
基、ジエチルアミノスルホニル基、メチルエチルアミノ
スルホニル基、ジプロピルアミノスルホニル基、ジブチ
ルアミノスルホニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノスルホ
ニル基、ジシクロヘキシルアミノスルホニル基、ジオク
チルアミノスルホニル基、ピロリジノスルホニル基、ピ
ペリジノスルホニル基、モルホリノスルホニル基、ビス
（メトキシエチル）アミノスルホニル基、ビス（エトキ
シエチル）アミノスルホニル基、ビス（プロポキシエチ
ル）アミノスルホニル基、ビス（ブトキシエチル）アミ
ノスルホニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノス
ルホニル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノス
ルホニル基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノス
ルホニル基が挙げられる。

【００６７】式（１）中、Ｚ¹およびＺ²で示される基と
しては、水素原子、または式（１）中のＲ¹、Ｒ²、
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で示される同様の、置換
または無置換のアルキル基；置換または無置換のアラル
キル基；置換または無置換のアリール基；置換または無
置換のアルコキシ基；置換または無置換のアラルキルオ
キシ基；が挙げられる。

【００６８】式（１）中、Ｘ¹、Ｘ²およびＸ³は、それ
ぞれ独立に酸素原子、硫黄原子または、

【００６９】

【化５】

【００７０】で示される置換または無置換のイミノ基で
あり、Ｙで示される基としては、水素原子、または式
（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸で
示される同様の、置換または無置換のアルキル基；置換
または無置換のアラルキル基；置換または無置換のアリ
ール基；置換または無置換のアルケニル基；が挙げられ
る。

【００７１】ここで、式（１）の化合物として、Ｘ¹お
よびＸ³が酸素原子であり、Ｘ²が硫黄原子のものが、特
に好ましい。

【００７２】本発明の一般式（１）で示される化合物の
合成法としては、例えば、式（３）

【００７３】

【化６】

【００７４】〔式中のＺ¹、Ｚ²、Ｘ²は、式（１）中の
Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ²と同一の意を表す。〕で示されるジカル
ボン酸誘導体を１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−
オン、あるいは１−メチル−２−ピロリドンなどのアミ
ド系溶媒中で、塩化チオニルなどを作用させて酸塩化物
を形成した後に、式（４）および／または式（５）

【００７５】

【化７】

【００７６】

【化８】

【００７７】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｘ¹、Ｘ³は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｘ¹、Ｘ³と同一の意を表
す。〕で示されるアニリン誘導体またはそれらの塩酸
塩、硝酸塩、硫酸塩あるいはリン酸塩などの塩類を反応
させ、必要に応じて、ポリリン酸等の無機酸を用いて反
応物を加熱処理することで、式（１）で示される本発明
記載の化合物を得ることができる。

【００７８】また、式（６）

【００７９】

【化９】

【００８０】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｚ¹、Ｚ²、
Ｘ¹、Ｘ²は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｚ¹、
Ｚ²、Ｘ¹、Ｘ²と同一の意を表す。〕で示されるモノカ
ルボン酸を１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−オ
ン、あるいは１−メチル−２−ピロリドンなどのアミド
系溶媒中で、塩化チオニルなどを作用させて酸塩化物を
形成した後に、式（５）の化合物と反応して、必要に応
じて、ポリリン酸等の無機酸を用いて反応物を加熱処理
するか、あるいは、式（７）

【００８１】

【化１０】

【００８２】〔式中のＲ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、
Ｘ²、Ｘ³は、式（１）中のＲ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、
Ｚ²、Ｘ²、Ｘ³と同一の意を表す。〕で示されるモノカ
ルボン酸を１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−オ
ン、あるいは１−メチル−２−ピロリドンなどのアミド
系溶媒中で、塩化チオニルなどを作用させて酸塩化物を
形成した後に、式（４）の化合物と反応して、必要に応
じて、ポリリン酸等の無機酸を用いて反応物を加熱処理
することで、式（１）で示される本発明記載の化合物を
得ることができる。

【００８３】あるいは、特公平３−３５３１７号公報、
あるいは米国特許第３，１３５，７６２号公報記載の合
成方法に準じて、本発明記載の式（１）の化合物を合成
することができる。

【００８４】さらに、一般式（１）の化合物において、
Ｘ¹が式（２）で示される置換したイミノ基である化合
物については、例えば、式（８）

【００８５】

【化１１】

【００８６】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ²、Ｘ³は、式（１）中のＲ¹、
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ²、
Ｘ³と同一の意を表す。〕で示されるイミノ化合物を、
例えば、ハロゲン化アルキル、アルキルトシレートなど
の適当なアルキル化剤、ハロゲン化アラルキル、アラル
キルトシレートなどの適当なアラルキル化剤、ハロゲン
化アリール、アリールトシレートなどの適当なアリール
化剤、ハロゲン化アルケニル、アルケニルトシレートな
どの適当なアルケニル化剤を用いることで、式（２）の
置換基Ｙがアルキル基、アラルキル基、アリール基また
はアルケニル基を有する本発明記載の化合物を得ること
ができる。

【００８７】同様に、一般式（１）の化合物において、
Ｘ²が式（２）で示される置換したイミノ基である化合
物については、例えば、式（９）

【００８８】

【化１２】

【００８９】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ¹、Ｘ³は、式（１）中のＲ¹、
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ¹、
Ｘ³と同一の意を表す。〕で示されるイミノ化合物を、
例えば、ハロゲン化アルキル、アルキルトシレートなど
の適当なアルキル化剤、ハロゲン化アラルキル、アラル
キルトシレートなどの適当なアラルキル化剤、ハロゲン
化アリール、アリールトシレートなどの適当なアリール
化剤、ハロゲン化アルケニル、アルケニルトシレートな
どの適当なアルケニル化剤を用いることで、式（２）の
置換基Ｙがアルキル基、アラルキル基、アリール基また
はアルケニル基を有する本発明記載の化合物を得ること
ができ、また、一般式（１）の化合物において、Ｘ³が
式（２）で示される置換したイミノ基である化合物につ
いては、例えば、式（１０）

【００９０】

【化１３】

【００９１】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ¹、Ｘ²は、式（１）中のＲ¹、
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｘ¹、
Ｘ²と同一の意を表す。〕で示されるイミノ化合物を、
例えば、ハロゲン化アルキル、アルキルトシレートなど
の適当なアルキル化剤、ハロゲン化アラルキル、アラル
キルトシレートなどの適当なアラルキル化剤、ハロゲン
化アリールなどの適当なアリール化剤、ハロゲン化アル
ケニル、アルケニルトシレートなどの適当なアルケニル
化剤を用いることで、式（２）の置換基Ｙがアルキル
基、アラルキル基、アリール基またはアルケニル基を有
する本発明記載の化合物を得ることができる。

【００９２】一般式（１）で示される化合物の具体例に
ついては、表１に記載する化合物（１−１）〜（１−７
３）のものが挙げられる。

【００９３】

【表１】

【００９４】

【表２】

【００９５】

【表３】

【００９６】

【表４】

【００９７】

【表５】

【００９８】

【表６】

【００９９】

【表７】

【０１００】

【表８】

【０１０１】

【表９】

【０１０２】

【表１０】

【０１０３】

【表１１】

【０１０４】

【表１２】

【０１０５】

【表１３】

【０１０６】また、記録特性などの改善のために、波長
３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ
〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混
合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【０１０７】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。

【０１０８】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【０１０９】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるものであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属
系アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その
他の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（Ｃ
Ｏ）₃］などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物
の例としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェ
ロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体が
ある。なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、
ニッケロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好
な熱分解促進効果がある。

【０１１０】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【０１１１】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。

【０１１２】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【０１１３】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【０１１４】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０
％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ま
しい。

【０１１５】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【０１１６】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。なお、必要に応
じて、記録層の化合物を高分子薄膜などに分散して用い
たりすることもできる。

【０１１７】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【０１１８】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が３００ｎｍ
より厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化す
る場合がある。

【０１１９】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【０１２０】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０１２１】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂な
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによ
って形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのま
まもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に
この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させること
によって形成することができる。紫外線硬化性樹脂とし
ては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート
樹脂を用いることができる。これらの材料は単独である
いは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。

【０１２２】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０１２３】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこ
ともできる。また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【０１２４】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０１２５】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約３９０〜４１０ｎｍ
のＧａＮ系半導体レーザー、波長約８５０〜８６０ｎｍ
の赤外線レーザーの第２高調波約４２５〜４３０ｎｍを
発振する半導体レーザーなどがあげられる。本発明で
は、これらから選択される１波長または複数波長におい
て高密度記録および再生が可能となる。

【０１２６】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【０１２７】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１）０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解
し、化合物溶液を調製した。

【０１２８】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で
３時間乾燥して記録層を形成した。

【０１２９】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッ
タガス圧１．０×１０^-3ｔｏｒｒで行った。

【０１３０】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【０１３１】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。

【０１３２】４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッ
ド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．
４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し
た。なお、再生の際はイコライゼーション処理を施し
た。

【０１３３】反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、反射率４７％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッ
ター９．１％であり、良好な値を示した。

【０１３４】また、この記録した媒体について、加速劣
化試験（湿度８５％ＲＨ、８０℃で１００時間）を行
い、試験後の反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、初期値よりの反射率変化１％、エラーレート
変化１ｃｐｓ、ジッター変化０．３％と変化は小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１３５】実施例２〜１０ 記録層に化合物（１−２）〜（１−１０）を用いること
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピッ
トを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれ
の場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１１
ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１３６】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１３７】表２に実施例１〜１０における加速劣化試
験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１３８】

【表１４】

【０１３９】実施例１１〜３０ 記録層に化合物（１−１１）〜（１−３０）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐ
ｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１４０】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１４１】実施例３１ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−３１）０．２ｇを用いた以外は実施
例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピットを書き込
んで記録した後、信号再生を行った。その結果、反射率
４８％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッター９．０％と良
好な値を示した。

【０１４２】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．３％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１４３】実施例３２〜４０ 記録層に化合物（１−３２）〜（１−４０）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１
１ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示し
た。

【０１４４】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１４５】表３に実施例３１〜４０における加速劣化
試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１４６】

【表１５】

【０１４７】実施例４１〜７３ 記録層に化合物（１−４１）〜（１−７３）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１
１ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示し
た。

【０１４８】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１４９】実施例７４ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−１）０．１ｇ、化合物（１−７１）
０．１ｇを用いた以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生
を行った。その結果、反射率４７％、エラーレート９ｃ
ｐｓ、ジッター９．２％と良好な値を示した。

【０１５０】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．３％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１５１】表４に実施例４１、４６、５１、５６、６
１、６６、７１〜７４における加速劣化試験前後の反射
率、エラーレート及びジッター値を示した。

【０１５２】

【表１６】

【０１５３】実施例１〜７４に記載されるように、本発
明の光記録媒体は、いずれも高反射率を有し、記録特性
および耐久性に優れている。

【０１５４】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、波長４００〜５００ｎｍから
選択されるレーザー光による信号記録が可能であり、本
発明の光記録媒体は波長４００〜５００ｎｍから選択さ
れるレーザー光を記録再生に用いる光記録媒体に用いる
ことができる。

【０１５５】比較例１ 化合物（１−１）の代わりに、式（ａ）

【０１５６】

【化１４】

【０１５７】を用いた以外は、実施例１と同様にして、
光記録媒体を作製し、ピットの書き込みを行い、続いて
加速劣化試験を行った。その結果、記録層が褪色して再
生不能となり、この媒体は保存安定性に欠くことが判明
した。

【０１５８】比較例２ 化合物（１−１）の代わりに、式（ｂ）

【０１５９】

【化１５】

【０１６０】を用いた以外は、実施例１と同様にして、
光記録媒体を作製した。この媒体の記録層には、結晶析
出が認められ、ピットの書き込みができず、記録不能で
あり、再生も不能であった。

【０１６１】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光
記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：記録層 ３ ：反射層 ４ ：保護層 ５ ：接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 413/14 Ｃ０７Ｄ 413/14 417/14 417/14 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 FA01 FA12 FB42 4C063 AA03 AA05 BB01 CC26 CC52 CC62 CC75 CC92 DD04 DD26 DD52 DD62 EE10 5D029 JA04 JC17

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および反射層
   を有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）
   で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸はそ
   れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置
   換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
   基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
   シ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキルチ
   オ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル
   チオ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリ
   ールアミノ基、アルケニルアミノ基、アシル基、アルコ
   キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ア
   リールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
   ル基、アルキルアミノカルボニル基、アラルキルアミノ
   カルボニル基、アリールアミノカルボニル基、アルケニ
   ルアミノカルボニル基、複素環基、アルキルスルホニル
   基、ジアルキルアミノスルホニル基を表し、Ｚ¹および
   Ｚ²はそれぞれ独立に、水素原子、置換または無置換の
   アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ
   基、アラルキルオキシ基を表し、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³はそれ
   ぞれ独立に酸素原子、硫黄原子または 【化２】 （式中、Ｙは水素原子、置換または無置換のアルキル
   基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基を表
   す。）で示される置換または無置換のイミノ基を表
   す。〕
2. 【請求項２】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能で
   ある請求項１の光記録媒体。