JP2000218940A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層と反射層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌ
ｅ）が広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容量は０．６
５ＧＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報
記録媒体に対する高密度化及び大容量化への要求は高ま
っている。

【０００３】記録及び再生用レーザーの短波長化により
ビームスポットを小さくすることができ、高密度な光記
録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利用
される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０
ｎｍ、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍの赤色半導体レーザー
が実用化されている〔例えば、日経エレクトロニクス、
Ｎｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動
画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶ
Ｄは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記
型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎ
ｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号〕、
それに対応した追記型光記録媒体の開発も行われてい
る。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
又は変化しやすいものはピット間及び半径方向への影響
が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。
従来のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる青色
半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、消衰
係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラーレ
ートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・再生
ができない。従って、記録層に用いる化合物には青色半
導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切な化
合物を選択する必要がある。しかし、実際に提案されて
いる有機色素化合物の例は、特開平４−７４６９０号公
報記載のシアニン色素化合物や、特開平７−３０４２５
６号公報あるいは特開平７−３０４２５７号公報に記載
のポルフィリン色素化合物など、ごく限られた例しかな
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シアニ
ン色素は一般に耐光性が低いために、媒体を長期保存し
た時に、時として再生が不可能となる場合がある。ま
た、上記公報記載のポルフィリン化合物は、特開平７−
３０４２５６号公報あるいは特開平７−３０４２５７号
公報の実施例に記載されるように、単独で光記録媒体の
記録層に使用した場合にはレーザー光による書き込みが
不可能であることなど、記録層に用いる化合物としては
充分に満足いく性能を有するとは言い得ない。さらに、
該公報等における光記録媒体では、有機色素に配位する
置換基を有する単分子あるいは高分子化合物を混合して
使用することが必須であり、また、特開平７−３０４２
５７号公報の実施例欄に記載のサンプルディスクのよう
に記録層が白濁する場合があるため、組成比を設定する
必要があるなど、媒体の製造が煩雑であり、生産性の向
上に未だ余地が残されていた。そのため、超高密度の記
録と長期保存安定性に優れた媒体を作成するのに適した
光記録媒体容色素の開発が急務となっている。

【０００７】本発明の目的は、波長４００ｎｍ〜５００
ｎｍの範囲から選択されるレーザー光で良好な記録及び
再生が可能な超高密度記録に適した化合物を記録層に有
する光記録媒体を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記
録層及び反射層を有する光記録媒体において、記録層中
に一般式（１）

【０００９】

【化２】

【００１０】〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴はそれぞれ独
立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアル
キル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、ア
ルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ
基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アルキルアミ
ノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルケ
ニルアミノ基を表し、Ｒ ²とＲ³及び／又はＲ³とＲ⁴は連
結して環を形成してもよい。Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵
はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキ
ル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラ
ルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、アルキルアミノ基、アラルキル
アミノ基、アリールアミノ基、アルケニルアミノ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカ
ルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニル
オキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ア
ラルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニ
ル基、アルケニルアミノカルボニル基、複素環基、アル
キルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールア
ゾ基を表し、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
置換又は無置換のアルコキシカルボニル基、アラルキル
オキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
ルケニルオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニ
ル基、アラルキルアミノカルボニル基、アリールアミノ
カルボニル基、アルケニルアミノカルボニル基を表
す。〕で示される化合物を含有する光記録媒体であり、
特には、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録及び再生が可能である新規
な光記録媒体に関するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１２】この光記録媒体は基板１、記録層２、反射
層３及び保護層４が順次積層している４層構造を有して
いる。これを図１に示すように単板で用いてもよく、図
２に示すようにＤＶＤのように接着層５で貼り合わせて
も良い。

【００１３】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１４】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示される化合
物を含有するものである。

【００１５】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示される化合物について、以下に具体例を詳細に述べ
る。

【００１６】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｑ¹、
Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵、Ｙで示される基としては、ポリカ
ーボネート、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン基板
などへの塗布による加工性の良好な基を選択して用いる
ことができる。

【００１７】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る基として、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などのハロゲン原子又はシアノ基が挙げ
られる。

【００１８】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルキル基としては、直鎖又は分岐
又は環状の無置換アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキ
シ基、シアノ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキ
シ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボ
ニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルケニルオ
キシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、ジ
アルキルアミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホン
アミノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル
基、複素環基等の置換基群より選択した置換基で置換し
たアルキル基などが挙げられる。

【００１９】置換又は無置換の直鎖又は分岐又は環状の
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−
メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプ
ロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メ
チルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペ
ンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチ
ルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメ
チルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジ
メチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチ
ル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブ
チル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル
−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル
基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、
２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，
５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキ
シル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，
５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル
基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチ
ルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、
１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチル
オクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデ
シル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テト
ラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘ
プチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメ
チルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシ
ル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル
基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基
などの炭素数１〜１５の無置換アルキル基；

【００２０】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数１〜１０のアルキル基；２−ヒドロキシエチル
基、２−ヒドロキシメチル基、４−ヒドロキシエチル
基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒ
ドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３
−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシ
プロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキ
シプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロ
キシブチル基、４−ヒドロキシデカリル−２−オキシ基
などのヒドロキシ基で置換した炭素数１〜１０のアルキ
ル基；ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキ
シエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエ
トキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ
−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’
−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒ
ドロキシブトキシシクロヘキシルオキシ基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキ
−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エ
トキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒ
ドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシ
エチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシ
エトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基
などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭
素数３〜１０のアルキル基；

【００２１】シアノメチル基、２−シアノエチル基、４
−シアノエチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル
基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−
３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプ
ロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル
基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などの
シアノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−
ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペントキシエチル
基、１，３−ジメチルブトキシエチル基、２−エチルヘ
キシルオキシエチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、
３，５，５−トリメチルヘキシルオキシエチル基、２−
メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシエチル基、３
−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシエチル
基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシ
ブチル基、３，３，３−トリフルオロプロポキシエチル
基、３，３，３−トリクロロプロポキシエチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエ
チル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオ
キシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエト
キシ基、１，２−ジメチルプロポキシエトキシエチル
基、３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシエトキシ
エチル基、２−メトキシ−１−メチルエトキシエチル
基、２−ブトキシ−１−メチルエトキシエチル基、２−
（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチ
ルエチル基、３，３，３−トリフルオロプロポキシエト
キシエチル基、３，３，３−トリクロロプロポキシエト
キシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した
炭素数３〜１５のアルキル基；メトキシメトキシメトキ
シメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エト
キシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエト
キシエチル基、シクロヘキシルオキシ、プロポキシプロ
ポキシプロポキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキ
シエトキシエトキシエチル基、２，２，２−トリクロロ
エトキシエトキシエトキシエチル基などのアルコキシア
ルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜１５のアル
キル基；

【００２２】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、１，３−ジ
オキソ−２−シクロヘキシル基、２−オキソ−５−ｔ−
ブチル−１−シクロヘキシル基等のアシル基で置換した
炭素数２〜１０のアルキル基；ホルミルオキシメチル
基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル
基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル
基、２−エチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシヘキシル基、３−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオ
キシエチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２
〜１５のアルキル基；ホルミルオキシメトキシメチル
基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
２−エチルヘキサノイルオキシエトキシエチル基、３，
５，５−トリメチルヘキサノイルオキシブトキシエチル
基、３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシエトキ
シエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシ
エチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエチ
ル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数
３〜１５のアルキル基；アセトキシメトキシメトキシメ
チル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピ
オニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキ
シエトキシエトキシエチル基、２−エチルヘキサノイル
オキシエトキシエトキシエチル基、３，５，５−トリメ
チルヘキサノイルオキシオキシエトキシエトキシエチル
基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシエトキシ
エチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエト
キシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ
基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；

【００２３】メトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、ｐ−エチルシクロヘ
キシルオキシカルボニルシクロヘキシル基、２，２，
３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニルメチル
基、２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニ
ルメチル基などのアルコキシカルボニル基で置換した炭
素数３〜１５のアルキル基；フェノキシカルボニルメチ
ル基、フェノキシカルボニルエチル基、４−ｔ−ブチル
フェノキシカルボニルエチル基、ナフチルオキシカルボ
ニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基な
どのアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜
１５のアルキル基；ベンジルオキシカルボニルメチル
基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオ
キシカルボニルメチル基、４−シクロヘキシルオキシベ
ンジルオキシカルボニルメチル基などの炭素数９〜１５
のアラルキルオキシカルボニル基；ビニルオキシカルボ
ニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリ
ルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニル
メチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換し
た炭素数４〜１０のアルキル基；メトキシカルボニルオ
キシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エ
トキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニル
オキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカ
ルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエト
キシカルボニルオキシエチル基などの炭素数３〜１５の
アルコキシカルボニルオキシ基で置換したアルキル基；
メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシ
カルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニ
ルオキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリ
クロロエトキシエトキシカルボニルオキシエチル基など
のアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した
炭素数４〜１５のアルキル基；

【００２４】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数３〜２０のアルキル基；

【００２５】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数３〜１０のアルキル基；メチルスルホンア
ミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチル
スルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチ
ル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキル
スルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチ
ル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエ
チル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニル
エチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、
２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメ
チル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホ
ニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭
素数２〜１０のアルキル基；ベンゼンスルホニルメチル
基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニル
プロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンス
ルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トル
エンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル
基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニル
エチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンス
ルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換し
た炭素数７〜１２のアルキル基；チアジアゾリノメチル
基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリ
ジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル
基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、イン
ドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カル
バゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭素数２〜
１３のアルキル基等が挙げられる。

【００２６】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアラルキル基の例としては、前記に
挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキル基
であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロベンジル基、
シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベン
ジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチ
ル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基、フルオレ
ン−９−イルエチル基などの炭素数７〜１５のアラルキ
ル基等が挙げられる。

【００２７】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアリール基の例としては、前記に挙
げたアルキル基と同様な置換基を有するアリール基であ
り、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル基、シア
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル
基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル基、ニト
ロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチル
基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナフチル
基、メトキシカルボニルフェニル基、４−（５’−メチ
ルベンゾキサゾール−２’−イル）フェニル基、ジブチ
ルアミノカルボニルフェニル基などの炭素数６〜１５の
アリール基等が挙げられる。

【００２８】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルケニル基の例としては、前記に
挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニル基
であり、好ましくは、ビニル基、プロペニル基、１−ブ
テニル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペンテニル基、２
−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メ
チル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、
２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２−メチルカ
ルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メチルスルホン
ビニル基、スチリル基、４−フェニル−２ブテニル基な
どの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。

【００２９】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルコキシ基の例としては、メトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、
イソペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、
ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、
ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ基、
２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキ
シ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，１−ジメチル
ブトキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、１，３−ジ
メチルブトキシ基、２，３−ジメチルブトキシ基、１，
１，２−トリメチルプロポキシ基、１，２，２−トリメ
チルプロポキシ基、１−エチルブトキシ基、２−エチル
ブトキシ基、１−エチル−２−メチルプロポキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、メチルシクロペンチルオキシ
基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘキシルオキシ
基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メチルヘキシル
オキシ基、４−メチルヘキシルオキシ基、５−メチルヘ
キシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチルオキシ基、
１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，３−ジメチル
ペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ
基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、２，３−ジメ
チルペンチルオキシ基、２，４−ジメチルペンチルオキ
シ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ基、３，４−ジ
メチルペンチルオキシ基、１−エチルペンチルオキシ
基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチル
オキシ基、１，１，２−トリメチルブトキシ基、１，
１，３−トリメチルブトキシ基、１，２，３−トリメチ
ルブトキシ基、１，２，２−トリメチルブトキシ基、
１，３，３−トリメチルブトキシ基、２，３，３−トリ
メチルブトキシ基、１−エチル−１−メチルブトキシ
基、１−エチル−２−メチルブトキシ基、１−エチル−
３−メチルブトキシ基、２−エチル−１−メチルブトキ
シ基、２−エチル−３−メチルブトキシ基、１−ｎ−プ
ロピルブトキシ基、１−イソプロピルブトキシ基、１−
イソプロピル−２−メチルプロポキシ基、メチルシクロ
ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１−メチル
ヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ基、３−
メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチルオキシ
基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘプチル
オキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、１，２
−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルヘキシ
ルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ基、１，
５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメチルヘキ
シルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキシ基、
２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジメチル
ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオキシ
基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−ジメ
チルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシルオキ
シ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エチル
ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−
エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキシ
基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プロ
ピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオキ
シ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチル
−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メチ
ルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチル
オキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、
２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エチル
−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−メチ
ルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペンチル
オキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、
３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エチル
−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−メチ
ルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペンチル
オキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ基、
１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，２
−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−トリメチ
ルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペンチル
オキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、
２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，４
−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−トリメチ
ルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペンチル
オキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、
３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，４，４
−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−トリメチ
ルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペンチル
オキシ基、１−ｎ−ブチルブトキシ基、１−イソブチル
ブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブトキシ基、１−ｔｅ
ｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチルブトキ
シ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブトキシ基、１−
ｎ−プロピル−２−メチルブトキシ基、１−ｎ−プロピ
ル−３−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−１−メ
チルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルブトキ
シ基、１−イソプロピル−３−メチルブトキシ基、１，
１−ジエチルブトキシ基、１，２−ジエチルブトキシ
基、１−エチル−１，２−ジメチルブトキシ基、１−エ
チル−１，３−ジメチルブトキシ基、１−エチル−２，
３−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，１−ジメチ
ルブトキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブトキシ
基、２−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、２−エ
チル−２，３−ジメチルブトキシ基、１，２−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシルオキシ
基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ
基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デ
シルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシル
オキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペンタデカ
ニルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状
の無置換アルコキシ基；

【００３０】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、３，５，５
−トリメチルヘキシルオキシエトキシ基、３，５，５−
トリメチルヘキシルオキシブトキシ基、ｎ−デシルオキ
シエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキシ基、ｎ−
ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプロポキシ
基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プロポキ
シ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキシ基、
２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ基、２
−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロポキシ
ブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマンチル
オキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した炭素数
２〜１５のアルコキシ基；

【００３１】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、４−エチルシクロへキシルオキシエトキシエトキシ
基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシプロ
ポキシ基、４−（３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シブトキシエトキシ基等の、アルコキシアルコキシ基で
置換した直鎖、分岐又は環状の炭素数３〜１５のアルコ
キシ基；

【００３２】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、４’−
エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ基等の
アルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１０のア
ルコキシ基；アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基等のアシル基
で置換した炭素数３〜１０のアルコキシ基；アセチルオ
キシメチル基、アセチルオキシエチル基、アセチルオキ
シヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキシル
オキシ基などのアシルオキシ基で置換した炭素数３〜１
０のアルコキシ基；２−ジメチルアミノメトキシ基、２
−ジメチルアミノエトキシ基、２−（２−ジメチルアミ
ノエトキシ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブトキシ
基、１−ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、
３−ジメチルアミノプロポキシ基、２−ジメチルアミノ
−２−メチルプロポキシ基、２−ジエチルアミノエトキ
シ基、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エトキシ
基、３−ジエチルアミノプロポキシ基、１−ジエチルア
ミノプロポキシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ
基、２−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピ
ペリジルエトキシ基、４−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）
プロピル基等のジアルキルアミノ基で置換した炭素数３
〜１５のアルコキシ基；ジメチルアミノメトキシメトキ
シ基、ジメチルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルア
ミノエトキシプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプ
ロポキシ基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキ
シ）ブトキシオキシ基等のジアルキルアミノアルコキシ
基で置換した炭素数４〜１５のアルコキシ基；

【００３３】２−メチルチオメトキシ基、２−メチルチ
オエトキシ基、２−エチルチオエトキシ基、２−ｎ−プ
ロピルチオエトキシ基、２−イソプロピルチオエトキシ
基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、２−イソブチルチ
オエトキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ
ヘキシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換した炭素数
２〜１５のアルコキシ基；等が挙げられ、好ましくは、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、
ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ
基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、２−メ
チルブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリル基など
の炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。

【００３４】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアラルキルオキシ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラル
キルオキシ基であり、好ましくは、ベンジルオキシ基、
ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒ
ドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、
トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキ
シ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメト
キシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチ
ルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ
基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜
１５のアラルキルオキシ基等が挙げられる。

【００３５】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアリールオキシ基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリール
オキシ基であり、好ましくは、フェノキシ基、２−メチ
ルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブ
チルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉ
ｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基などの炭素
数６〜１０のアリールオキシ基が挙げられる。

【００３６】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルケニルオキシ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケ
ニルオキシ基であり、好ましくは、ビニルオキシ基、プ
ロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブ
テニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−ペンテ
ニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ基、３
−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−ブ
テニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオキシ基、２
−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシ基、２
−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ基、スチリ
ルオキシ基、４−フェニル−２ブテニルオキシ基などの
炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基が挙げられる。

【００３７】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルキルチオ基の例としては、前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルチ
オ基であり、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ
基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ
−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチ
ルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉ
ｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチ
ルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２
−エチルヘキシル基、３，５，５−トリメチルヘキシル
チオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキ
ルチオ基が挙げられる。

【００３８】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアラルキルチオ基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキ
ルチオ基であり、好ましくは、ベンジルチオ基、ニトロ
ベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベ
ンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメ
チルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナ
フチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒ
ドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチル
チオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フ
ルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２
のアラルキルチオ基等が挙げられる。

【００３９】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアリールチオ基の例としては前記に
挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリールチオ
基であり、好ましくは、フェニルチオ基、４−メチルフ
ェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−
ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の炭素数６〜
１０のアリールチオ基などが挙げられる。

【００４０】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルケニルチオ基の例としては前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニル
チオ基であり、好ましくは、ビニルチオ基、アリルチオ
基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、スチリ
ルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニルチオ基等
の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基などが挙げられ
る。

【００４１】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルキルアミノ基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキル
アミノ基であり、好ましくは、メチルアミノ基、エチル
アミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチ
ルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オ
クチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、シクロ
ヘキシルアミノ基、３，５，５−トリメチルヘキシルア
ミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数
１〜１０のモノアルキルアミノ基や、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロ
ピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ピロリジノ基、ピペ
リジノ基、モルホリノ基、ビス（メトキシエチル）アミ
ノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポ
キシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ
基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（プロピ
オニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１０の
ジアルキルアミノ基が挙げられる。

【００４２】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアラルキルアミノ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラル
キルアミノ基であり、好ましくは、ベンジルアミノ基、
フェネチルアミノ基、３−フェニルプロピルアミノ基、
４−エチルベンジルアミノ基、４−イソプロピルベンジ
ルアミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミ
ノ基や、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、
ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソ
プロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０の
ジアラルキルアミノ基が挙げられる。

【００４３】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアリールアミノ基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリール
アミノ基であり、好ましくは、アニリノ基、ナフチルア
ミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルフェニル
アミノ基、イソプロピルフェニルアミノ基、メトキシフ
ェニルアミノ基、エトキシエチルアミノ基、クロロアニ
リノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルアニ
リノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシカ
ルボニルアニリノ基など、炭素数６〜１０のモノアリー
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、
Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜
１４のジアリールアミノ基が挙げられる。

【００４４】式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る置換又は無置換のアルケニルアミノ基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケ
ニルアミノ基であり、好ましくは、ビニルアミノ基、ア
リルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ
基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、
オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基など
の炭素数２〜１０のモノアルケニルアミノ基、ジビニル
アミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジ
ペンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基などの炭素
数４〜１２のジアルケニルアミノ基が挙げられる。

【００４５】また、Ｒ²とＲ³及び／又はＲ³とＲ⁴は互い
に連結して、次のような環を形成しても良い。

【００４６】

【化３】

【００４７】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、
Ｑ⁴、Ｑ⁵及びＹは、一般式（１）のＲ ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、
Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵及びＹと同じ意味を示し、Ｒ⁵
〜Ｒ¹⁴は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示
す。）

【００４８】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される、ハロゲン原子；置換又は無置換のアルキル
基；置換又は無置換のアラルキル基；置換又は無置換の
アリール基；置換又は無置換のアルケニル基；置換又は
無置換のアルコキシ基；置換又は無置換のアラルキルオ
キシ基；置換又は無置換のアリールオキシ基；置換又は
無置換のアルケニルオキシ基；置換又は無置換のアルキ
ルチオ基；置換又は無置換のアラルキルチオ基；置換又
は無置換のアリールチオ基；置換又は無置換のアルケニ
ルチオ基；置換又は無置換のアルキルアミノ基；置換又
は無置換のアラルキルアミノ基；置換又は無置換のアリ
ールアミノ基；置換又は無置換のアルケニルアミノ基；
としては、式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴で示され
る、ハロゲン原子；置換又は無置換のアルキル基；置換
又は無置換のアラルキル基；置換又は無置換のアリール
基；置換又は無置換のアルケニル基；置換又は無置換の
アルコキシ基；置換又は無置換のアラルキルオキシ基；
置換又は無置換のアリールオキシ基；置換又は無置換の
アルケニルオキシ基；置換又は無置換のアルキルチオ
基；置換又は無置換のアラルキルチオ基；置換又は無置
換のアリールチオ基；置換又は無置換のアルケニルチオ
基；置換又は無置換のアルキルアミノ基；置換又は無置
換のアラルキルアミノ基；置換又は無置換のアリールア
ミノ基；置換又は無置換のアルケニルアミノ基；と同様
の基が挙げられる。

【００４９】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアシル基の例としては、前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアシル基で
あり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボニル基、
エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓ
ｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、
ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニ
ル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニ
ル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカ
ルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイ
ル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリ
ルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチ
ルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブ
トキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基などの炭素
数１〜１５のアシル基が挙げられる。

【００５０】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアルコキシカルボニル基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアルコキシカルボニル基であり、好ましくはメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキ
シカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ
−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル
基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペン
トキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、２
−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシ
カルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ
カルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘ
キシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカルボニル
基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエト
キシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコキシカ
ルボニル基；メトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシ
カルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、
ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置
換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基；メト
キシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカル
ボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、
ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエ
トキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシ
エトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が
置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニル基が挙
げられる。

【００５１】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアラルキルオキシカルボニル
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアラルキルオキシカルボニル基であり、好ま
しくは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジル
オキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル
基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベ
ンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジ
ルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル
基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフ
チルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキ
シカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル
基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニル
基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基などの
炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等が挙
げられる。

【００５２】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基
の例としては、前記に挙げたアリール基と同様な置換基
を有するアリールオキシカルボニル基であり、好ましく
は、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカ
ルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−
ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェ
ノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ
カルボニル基、ナフトキシカルボニル基などの炭素数７
〜１１のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。

【００５３】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアルケニルオキシカルボニル
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルケニルオキシカルボニル基であり、好ま
しくは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシ
カルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓ
ｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキ
シカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、
２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、３−メ
チル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２−メチル−
２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−ジシアノビ
ニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルカル
ボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−
メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオ
キシカルボニル基、４−フェニル−２−ブテニルオキシ
カルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニルオキシ
カルボニル基が挙げられる。

【００５４】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアルキルアミノカルボニル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアルキルアミノカルボニル基であり、好ましく
は、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカル
ボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミ
ノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチ
ルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、
３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、
２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜
１０のモノアルキルアミノカルボニル基；ジメチルアミ
ノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロ
ピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル
基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノ
カルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオク
チルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モ
ルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニ
ル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３
〜２０のジアルキルアミノカルボニル基が挙げられる。

【００５５】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアラルキルアミノカルボニル
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアラルキルアミノカルボニル基であり、好ま
しくは、ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミ
ノカルボニル基、３−フェニルプロピルアミノカルボニ
ル基、４−エチルベンジルアミノカルボニル基、４−イ
ソプロピルベンジルアミノカルボニル基などの炭素数８
〜１１のモノアラルキルアミノカルボニル基や、ジベン
ジルアミノカルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニ
ル基、ビス（４−エチルベンジル）アミノカルボニル
基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニ
ル基などの炭素数１５〜２１のジアラルキルアミノカル
ボニル基が挙げられる。

【００５６】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアリールアミノカルボニル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアリールアミノカルボニル基であり、好ましく
は、アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル
基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカルボニル
基、エチルフェニルアミノカルボニル基、イソプロピル
フェニルアミノカルボニル基、メトキシフェニルアミノ
カルボニル基、エトキシエチルアミノカルボニル基、ク
ロロアニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニ
ル基、メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エト
キシカルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカル
ボニルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモ
ノアリールアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカル
ボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル
−Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１
５のジアリールアミノカルボニル基が挙げられる。

【００５７】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアルケニルアミノカルボニル
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルケニルアミノカルボニル基であり、好ま
しくは、ビニルアミノカルボニル基、アリルアミノカル
ボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペンテニルア
ミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニル基、シ
クロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジエニルア
ミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカルボニル基
などの炭素数３〜１１のモノアルケニルアミノカルボニ
ル基、ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルアミノカ
ルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジペンテ
ニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカルボニ
ル基などの炭素数５〜１３のジアルケニルアミノカルボ
ニル基が挙げられる。

【００５８】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換の複素環基の例としては、前記
に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する複素環基で
あり、好ましくは、フラニル基、ピロリル基、３−ピロ
リノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラ
ゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イ
ミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，
２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリ
ル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チア
ジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペ
リジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダ
ジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニ
ル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリ
ル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベン
ゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノ
リニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリ
ニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナ
ントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基、
フタルイミド基、ナフチルイミド基などの無置換複素環
基、あるいは以下の置換基、即ち、

【００５９】フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル
基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオ
ロメチル基等のアルキル基；ベンジル基、フェネチル基
などのアラルキル基；フェニル基、トリル基、ナフチル
基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキ
シフェニル基等のアリール基；メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノ
ニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基等のアル
コキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキル基；フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフ
トキシ基、キシリルオキシ基、メシルオキシ基、クロロ
フェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキ
シ基；

【００６０】ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジ
エニル基、ペンテニル基、オクテニル基等のアルケニル
基；ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ
基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、オク
テニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；メチルチオ
基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペ
ンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オク
チルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エ
トキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフル
オロメチルチオ基等のアルキルチオ基；ベンジルチオ
基、フェネチルチオ基などのアラルキルチオ基；フェニ
ルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチ
オ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシ
フェニルチオ基等のアリールチオ基；ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基；アセチル基、プロピ
オニル基、ブタノイル基等のアシル基；メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニ
ル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシ
カルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；フェ
ノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフ
トキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、メ
シルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカルボニル
基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリールオキ
シカルボニル基；ビニルオキシカルボニル基、アリルオ
キシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタ
ジエニルオキシカルボニル基、ペンテニルオキシカルボ
ニル基、オクテニルオキシカルボニル基等のアルケニル
オキシカルボニル基；

【００６１】メチルアミノカルボニル基、エチルアミノ
カルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルア
ミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキ
シルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル
基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボ
ニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボ
ニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭
素数２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジ
メチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル
基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカ
ルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシ
ルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル
基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボ
ニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジ
ノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等
の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等の
アルキルアミノカルボニル基；フラニル基、ピロリル
基、３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラ
ニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリ
ジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリ
ル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−
トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，
３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジ
ニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニ
ル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル
基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル
基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダ
ゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニ
ル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基等の複素環基；などの置換基により置換し
た複素環基が挙げられる。

【００６２】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアルキルスルホニル基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルスルホニル基であり、好ましくは、メチルス
ルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホ
ニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチル基スル
ホニル基、イソブチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホ
ニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、イソアミルスルホ
ニル基、ｔ−アミルスルホニル基、シクロペンチルスル
ホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基、シクロヘキシル
スルホニル基、ｎ−ヘプチルスルホニル基、ｎ−オクチ
ルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、
３，５，５−トリメチルシクロヘキシルスルホニル基、
ｎ−ノニルスルホニル基、ｎ−デシルスルホニル基、デ
カリルスルホニル基、アダマンチルスルホニル基、トリ
フルオロメチルスルホニル基、などの炭素数１〜１０の
アルキルスルホニル基が挙げられる。

【００６３】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアリールスルホニル基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアリールスルホニル基であり、好ましくは、フェニル
スルホニル基、トリルスルホニル基、キシリルスルホニ
ル基、イソプロピルフェニルスルホニル基、ｔ−ブチル
フェニルスルホニル基、フルオロフェニルスルホニル
基、クロロフェニルスルホニル基、トリフルオロメチル
フェニルスルホニル基などの炭素数６〜１０のアリール
スルホニル基が挙げられる。

【００６４】式（１）中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵で
示される置換又は無置換のアリールアゾ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リールアゾ基であり、好ましくは、フェニルアゾ基、ト
リルアゾ基、キシリルアゾ基、イソプロピルフェニルア
ゾ基、ｔ−ブチルフェニルアゾ基、フルオロフェニルア
ゾ基、クロロフェニルアゾ基、トリフルオロメチルフェ
ニルアゾ基、シアノフェニルアゾ基、ニトロフェニルア
ゾ基、メトキシフェニルアゾ基、エトキシフェニルアゾ
基、メトキシカルボニルフェニルアゾ基、エトキシカル
ボニルフェニルアゾ基などの炭素数６〜１０のアリール
アゾ基が挙げられる。

【００６５】式（１）中、Ｙで示される、ハロゲン原
子；置換又は無置換のアルコキシカルボニル基；置換又
は無置換のアラルキルオキシカルボニル基；置換又は無
置換のアリールオキシカルボニル基；置換又は無置換の
アルケニルオキシカルボニル基；置換又は無置換のアル
キルアミノカルボニル基；置換又は無置換のアラルキル
アミノカルボニル基；置換又は無置換のアリールアミノ
カルボニル基；置換又は無置換のアルケニルアミノカル
ボニル基；としては、式（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、
Ｑ⁴、Ｑ⁵で示される、ハロゲン原子；置換又は無置換の
アルコキシカルボニル基；置換又は無置換のアラルキル
オキシカルボニル基；置換又は無置換のアリールオキシ
カルボニル基；置換又は無置換のアルケニルオキシカル
ボニル基；置換又は無置換のアルキルアミノカルボニル
基；置換又は無置換のアラルキルアミノカルボニル基；
置換又は無置換のアリールアミノカルボニル基；置換又
は無置換のアルケニルアミノカルボニル基；と同様の基
が挙げられる。

【００６６】本発明の一般式（１）で示される化合物の
合成法としては、例えば、式（２）

【００６７】

【化４】

【００６８】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、式（１）
中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴と同一の意を表す。〕で示され
るサリチルアルデヒド誘導体を、シアノ酢酸、マロノニ
トリルなどの含シアノ化合物とともに、水酸化ナトリウ
ムあるいは水酸化カリウム等のアルカリ水溶液中で混合
して反応し、続いて、塩酸等の酸により反応マスを酸性
化して加熱反応することで、式（３）

【００６９】

【化５】

【００７０】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、式（１）
中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴と同一の意を表す。〕で示され
るクマリン−３−カルボン酸化合物を得、さらに式
（３）の化合物を１，３−ジメチルイミダゾリジン−２
−オン、あるいは１−メチル−２−ピロリドンなどのア
ミド系溶媒中で、塩化チオニルなどを作用させて酸塩化
物を形成した後に、式（４）

【００７１】

【化６】

【００７２】〔式中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵は、式
（１）中のＱ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵と同一の意を表
す。〕のアニリン誘導体と反応して式（５）

【００７３】

【化７】

【００７４】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｑ¹、Ｑ²、
Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵と同一の意を表す。〕で示さ
れる本発明記載のクマリン化合物を得ることができる。

【００７５】また、一般式（１）の化合物において、Ｙ
に置換基を導入するためには、例えば、シアノ化を行
い、その後、異なった置換基に誘導していく方法等があ
る。例えば、シアノ化は、式（５）のクマリン化合物を
「Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｐｉｇｍｅｎｔｓ １巻、３〜１
５頁（１９８０年）」記載のクマリン化合物のシアノ化
を参考に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、１、３−ジメチルイミダゾリジン
−２−オン等のアミド系溶媒中、シアン化ナトリウム、
シアン化カリウム等のシアン化合物を反応させた後、臭
素によって酸化する方法で行う。この方法により、式
（６）

【００７６】

【化８】

【００７７】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｑ¹、Ｑ²、
Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵と同一の意を表す。〕で示さ
れるシアノ基を有する本発明記載のクマリン化合物を得
ることができる。さらに、式（６）の化合物を５０〜９
８％硫酸中で７０〜１００℃に加熱して、シアノ基を加
水分解することで、式（７）

【００７８】

【化９】

【００７９】〔式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｑ¹、Ｑ²、
Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵は、式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵と同一の意を表す。〕で示さ
れるカルボキシル基を有する化合物を得ることができ
る。ここで、式（７）の化合物を、１，３−ジメチルイ
ミダゾリジン−２−オン、又は１−メチル−２−ピロリ
ドンなどのアミド系溶媒中で、塩化チオニルなどを作用
させて酸塩化物を形成した後に、あるいは、式（７）の
化合物を、酸触媒、脱水剤存在下、もしくは無触媒で、
アルコール類、アミン類、フェノール類、又はアニリン
類等で反応することで、式（１）の置換基Ｙがアルコキ
シカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリ
ールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
基、アルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカル
ボニル基、、アラルキルアミノカルボニル基、アルケニ
ルアミノカルボニル基を有する本発明記載のクマリン化
合物を得ることができる。

【００８０】また、別法として、例えば、（７）の化合
物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒
中、炭酸カリウム等のアルカリ性化合物の存在化で、ｐ
−メチルトルエンスルホン酸アルキルエステル、ｐ−メ
チルトルエンスルホン酸アリールエステル、ｐ−メチル
トルエンスルホン酸アラルキルエステル、ｐ−メチルト
ルエンスルホン酸アルケニル等の各種トシレート類や、
ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、ハロゲン化
アラルキル、ハロゲン化アルケニル等の各種ハロゲン化
化合物類と反応することで、式（１）の置換基Ｙがアル
コキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボ
ニル基を有する本発明記載のクマリン化合物を得ること
ができる。

【００８１】一般式（１）で示される化合物の具体例に
ついては、表１に記載する化合物（１−１）〜（１−３
５）のものが挙げられる。

【００８２】

【表１】

【００８３】

【表２】

【００８４】

【表３】

【００８５】

【表４】

【００８６】

【表５】

【００８７】

【表６】

【００８８】また、記録特性などの改善のために、波長
３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ
〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混
合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００８９】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。

【００９０】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【００９１】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（ＣＯ）
₃］などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセ
ン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセン及びそれらの誘導体は良好な熱分解
促進効果がある。

【００９２】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【００９３】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。

【００９４】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【００９５】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００９６】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０
％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ま
しい。

【００９７】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００９８】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、ト
ルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶
媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、
ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエ
チルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、３
−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどのケトン
系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶
媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても良
く、あるいは、複数混合しても良い。なお、必要に応じ
て、記録層の化合物を高分子薄膜などに分散して用いた
りすることもできる。

【００９９】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【０１００】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場
合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【０１０１】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にし
て用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａ
ｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ
以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及
び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分と
するものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好
適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上
のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折
率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層とし
て用いることも可能である。

【０１０２】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設
けることもできる。

【０１０３】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂な
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによ
って形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのま
まもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に
この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させること
によって形成することができる。紫外線硬化性樹脂とし
ては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート
樹脂を用いることができる。これらの材料は単独である
いは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。

【０１０４】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０１０５】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【０１０６】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。

【０１０７】また、反射層面に保護シート又は基板を貼
り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【０１０８】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０１０９】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約３９０〜４１０ｎｍ
のＧａＮ系半導体レーザー、波長約８５０〜８６０ｎｍ
の赤外線レーザーの第２高調波約４２５〜４３０ｎｍを
発振する半導体レーザーなどがあげられる。本発明で
は、これらから選択される１波長又は複数波長において
高密度記録及び再生が可能となる。

【０１１０】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【０１１１】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１） ０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解
し、化合物溶液を調製した。

【０１１２】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で
３時間乾燥して記録層を形成した。

【０１１３】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッ
タガス圧１．０×１０^-3ｔｏｒｒで行った。

【０１１４】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【０１１５】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。

【０１１６】４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッ
ド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．
４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し
た。なお、再生の際はイコライゼーション処理を施し
た。

【０１１７】反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、反射率４６％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッ
ター９．２％であり、良好な値を示した。

【０１１８】また、この記録した媒体について、加速劣
化試験（湿度８５％ＲＨ、８０℃で１００時間）を行
い、試験後の反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、初期値よりの反射率変化１％、エラーレート
変化１ｃｐｓ、ジッター変化０．４％と変化は小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１１９】実施例２〜１０ 記録層に化合物（１−２）〜（１−１０）を用いること
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピッ
トを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれ
の場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１１
ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１２０】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１２１】表２に実施例１〜１０における加速劣化試
験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１２２】

【表７】

【０１２３】実施例１１〜３５ 記録層に化合物（１−１１）〜（１−３５）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐ
ｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１２４】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１２５】実施例３６ 実施例（１）で用いた化合物（１−１） ０．２ｇの代
わりに、化合物（１−２３） ０．１ｇ、化合物（１−
２６） ０．１ｇを用いた以外は実施例１と同様にして
光記録媒体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、
信号再生を行った。その結果、反射率４５％、エラーレ
ート１０ｃｐｓ、ジッター９．５％と良好な値を示し
た。

【０１２６】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％、エラーレートの変化は１ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．７％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１２７】実施例１〜３６に記載されるように、本発
明の光記録媒体は、いずれも高反射率を有し、記録特性
及び耐久性に優れている。

【０１２８】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、青色レーザーによる信号記録
が可能であり、本発明の光記録媒体は青色レーザーを記
録再生に用いる光記録媒体に用いることができる。

【０１２９】比較例１ 化合物（１−１）の代わりに、式（ａ）

【０１３０】

【化１０】

【０１３１】を用いた以外は、実施例１と同様にして、
光記録媒体を作成し、ピットの書き込みを行い、続いて
加速劣化試験を行った。その結果、記録層が褪色して再
生不能となり、この媒体は保存安定性に欠くことが判明
した。

【０１３２】比較例２ 化合物（１−１）の代わりに、式（ｂ）

【０１３３】

【化１１】

【０１３４】を用いた以外は、実施例１と同様にして、
光記録媒体を作成した。この媒体の記録層には、結晶析
出が認められ、ピットの書き込みができず、記録不能で
あり、再生も不能であった。

【０１３５】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録及び再生が可能な追記型光記
録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層 ５：接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 FB42 4C062 EE12 EE14 EE28 FF05 5D029 JA04 JC17

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層及び反射層を
   有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）で
   示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴はそれぞれ独立に、水素原
   子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラ
   ルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、
   アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオ
   キシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリール
   チオ基、アルケニルチオ基、アルキルアミノ基、アラル
   キルアミノ基、アリールアミノ基、アルケニルアミノ基
   を表し、Ｒ ²とＲ³及び／又はＲ³とＲ⁴は連結して環を形
   成してもよい。Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴、Ｑ⁵はそれぞれ独
   立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
   置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
   基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキ
   シ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルキルチ
   オ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル
   チオ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリ
   ールアミノ基、アルケニルアミノ基、アシル基、アルコ
   キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ア
   リールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
   ル基、アルキルアミノカルボニル基、アラルキルアミノ
   カルボニル基、アリールアミノカルボニル基、アルケニ
   ルアミノカルボニル基、複素環基、アルキルスルホニル
   基、アリールスルホニル基、アリールアゾ基を表し、Ｙ
   は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換
   のアルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニ
   ル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシ
   カルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アラルキ
   ルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、
   アルケニルアミノカルボニル基を表す。〕
2. 【請求項２】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光に対して記録及び再生が可能であ
   る請求項１の光記録媒体。