JP2002137547A - 光記録媒体およびポルフィセン化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長３００〜５００ｎｍおよび／または５０
０〜７００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可
能な追記型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 金属錯体化していてもよいポルフィセン
化合物より、少なくとも１種以上の化合物を選択して記
録層に含有してなる光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、染料、顔料、光電
機能材料、及び記録・記憶材料として、殊に青色および
／または赤色レーザー光により情報の記録・再生が可能
な大容量追記型光記録媒体の記録用色素として有用なポ
ルフィセン化合物に関するものである。また、本発明
は、該ポルフィセン化合物を含有してなる光記録媒体に
関する。

【０００２】加えて、本発明は、特に波長４００〜４１
０ｎｍの青紫色レーザーで記録を施す高密度記録可能な
記録層を有する光情報記録媒体に関する。

【０００３】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が提案・開発されてい
ることは公知であり、音楽再生用や情報端末用として広
く普及している。

【０００４】この光記録媒体の記録・再生には一般に７
７０ｎｍ〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーを用いて
おり、基板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモ
ードで信号記録が行われる。すなわち、記録層にレーザ
ー光が照射されると、有機色素は光吸収により熱を発生
し、この発生した熱により記録層にピットが形成され
る。そして、記録信号は、レーザー光を照射したとき
の、当該ピットが形成された部分とされていない部分と
の反射率の違いによって検知される。

【０００５】そして、レッドブックやオレンジブック等
のＣＤの規格に準拠しているため、ＣＤプレーヤーやＣ
Ｄ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有するという特徴を有
する。しかし上記の既存媒体の記録容量は６８０ＭＢ程
度であり、動画の記録を考慮すると容量が十分でなく、
情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密
度化・大容量化の要求が高まっている。

【０００６】記録媒体の高密度化を行う手段としては、
記録・再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レ
ンズの開口数（Ｎ．Ａ．：Numerical Aperture）を大き
くすることにより、ビームスポットを小さくすることが
挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される
波長６８０ｎｍ、６７０ｎｍ、６６０ｎｍ、６５０ｎ
ｍ、６３５ｎｍ等の短波長レーザーが実用化されてき
た。こうして半導体レーザーの短波長化、対物レンズの
開口数大化、データ圧縮技術等により、動画記録及び大
容量の情報の記録を可能にした光記録媒体の作製が可能
となり、そこで上記レーザーに対応した追記型光記録媒
体として開発されたのが、追記型のデジタル多目的ディ
スク（以下、ＤＶＤ−Ｒと略す）である。ＤＶＤ−Ｒ
は、３．９ＧＢあるいは４．７ＧＢの記録容量を有する
一度書き込み可能な光記録媒体であり、この容量に合っ
た記録特性良好な光ディスクの開発が更に要望されてい
る。その際に用いられている赤色レーザーの波長は、５
５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは６３５ｎｍ〜６６０
ｎｍ前後であり、この状況の中で提案されている光記録
媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カル
コゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等が
ある。これらの中で、安価かつプロセス上容易であると
いう点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考
えられる。

【０００７】色素を記録層とし、且つ反射率を大きくす
るために、記録層の上に反射層を設けた追記可能な光記
録媒体は、例えば、Optical Data Storage 1989 Techni
calDigest Series Vol. 1, 45(’89)に開示されて以
来、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を
用いた追記型コンパクトディスク(Compact Disc Record
able: CDR)媒体として広く市場に供されている。これら
の媒体は７８０ｎｍの半導体レーザーで記録することが
でき、且つ、７８０ｎｍの半導体レーザーを搭載し、市
場に広く普及している市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−Ｒ
ＯＭプレーヤーで再生できるという特徴を有している。

【０００８】又、最近では、ＣＤよりも高密度でＴＶ品
質並の動画の記録・再生が可能な光記録媒体としては、
発振波長６３５〜６６０ｎｍの赤色半導体レーザーで記
録を施し、普及しつつある市販のＤＶＤビデオプレーヤ
ーやＤＶＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生できる、片面４．
７ＧＢ容量のＤＶＤ−Ｒ媒体が市場に供給され始めてい
る。該ＤＶＤ−Ｒ媒体も、シアニン系色素、アゾ系色素
などを記録層に用い、反射層を設けた積層構造を採用し
ており、０．６ｍｍ厚の基板を２枚貼り合わせたディス
ク構造を特徴としている。

【０００９】さらに、将来的にはより高密度な記録が求
められることが予想され、その情報量は１５〜３０ＧＢ
にも達すると予想される。その記録密度を実現する為の
手段として、より波長の短いレーザーを使用することは
避けられない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に
用いる記録用色素としては、３００ｎｍ〜５００ｎｍの
波長範囲において良好な記録特性を有する色素が望まれ
る。

【００１０】ところで、有機色素を記録層としたＤＶＤ
−Ｒよりも高密度記録可能な媒体に関して、特開平１０
−３０２３１０号公報には、発振波長６８０ｎｍ以下の
レーザーを用い、記録容量８ＧＢ異常の密度を達成した
との開示がある。該公報の提案では、１０〜１７７μｍ
厚さの光透過層越しに０．７以上の高開口数を有する対
物レンズで６８０ｎｍ以下のレーザー光を収束すること
で、８ＧＢ以上の大容量記録を達成している。

【００１１】その一方で、ここ近年、青色レーザーとし
てＧａＮ系材料を用いた４１０ｎｍのレーザーや、半導
体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長４２５ｎ
ｍのＳＨＧレーザーが開発されてきており〔例えば、日
経エレクトロニクス、Ｎｏ．７０８、ｐ．１１７、１９
９８年１月２６日号〕、このようなレーザーに合わせた
青色半導体レーザー対応色素の開発が現在展開されてい
る。

【００１２】更に、１９９９年初頭から発振波長３９０
〜４３０ｎｍの青紫色発光のＧａＮ系半導体レーザーが
試供（日亜化学工業）されるに当たり、片面１５ＧＢ以
上の更なる高密度容量を有するＨＤＴＶ(high definiti
on television)放送並の画質で、２時間程度の動画の記
録が可能となる媒体（以下、ＨＤ−ＤＶＤ−Ｒ媒体と称
す）の検討が始められている。この様な高密度容量を有
するＨＤ−ＤＶＤ−Ｒ媒体では、現行放送並の画質であ
れば６時間程度の録画も可能であるため、家庭用ＶＴＲ
に代わる新しい記録メディアとしても注目されている。
すでに、相変化系の無機記録膜を用いた提案として、日
経エレクトロニクス１９９９年９月６日号（Ｎｏ．７５
１）の１１７頁に技術概要が紹介されている。

【００１３】現在まで、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色
レーザーで記録できる色素として、例えば、特開平４−
７４６９０号公報および特開平６−４０１６１号公報記
載のシアニン系色素化合物や、特開平７−３０４２５６
号公報、特開平７−３０４２５７号公報、特開平８−１
２７１７４号公報ならびに特開平１１−３３４２０７号
公報に記載のポルフィリン系色素化合物の他、特開平４
−７８５７６号公報および特開平４−８９２７９号公報
記載のポリエン系色素化合物、特開平１１−３３４２０
４号公報および特開平１１−３３４２０５公報記載のア
ゾ系色素化合物、特開平１１−３０４２０６号公報記載
のジシアノビニルフェニル色素化合物、特開２０００−
４３４２３号公報のクマリン化合物、特開２０００−１
６３７９９のピリミジン化合物等が挙げられる。

【００１４】また、記録層形成用の有機色素としてポル
フィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層お
よび銀を主体とする金属反射層の２層が構成された特開
平１１−５３７５８号公報に記載の光記録媒体や、媒体
構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシ
アニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならび
に赤色レーザー感応色素層を有することで、２波長領域
の記録を可能とする特開平１１−２０３７２９号公報記
載の光記録媒体や、青色レーザー用色素および赤色レー
ザー用色素の２種の色素を混合することで２波長領域の
記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特
開平１１−７８２３９号公報記載の光記録媒体、シアノ
エテン系色素を用いた特開平１１−１０５４２３号公報
記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用い
た特開平１１−１１０８１５号公報記載の光記録媒体な
どが提案されている。

【００１５】一方、４００〜５００ｎｍの青色領域で有
機色素膜を記録に行う例として、特開平７−３０４２５
６号公報、特開平７−３０４２５７号公報では、ポルフ
ィリン系化合物の中心金属に配位する分子化合物および
高分子、あるいは中心金属を配位する分子構造を側鎖に
有する高分子と混合することで、該ポルフィリン系化合
物のソーレー(Soret)帯を長波長側にシフトさせて、４
８８ｎｍのＡｒレーザーに対応させると共に、スピンコ
ーティングによる成膜を可能ならしめて製造コストの低
減を図る提案がなされている。又、特開平４−７８５７
６号公報、特開平４−８９２７９号公報などに開示のポ
リエン系色素化合物は、本発明者らの検討によれば、光
安定性が悪く、実用化にはクエンチャーのブレンド等の
工夫が必要である。

【００１６】更には、両方の波長領域レーザーに対して
記録可能な光記録媒体として、特開平１０−１０１９５
３号公報に記載のポルフィリン系化合物や、特開平１１
−１４４３１２号公報に記載のテトラアザポルフィリン
系色素化合物を用いた光記録媒体等がある。すなわち、
ポルフィリン系化合物ならびに類似構造を有するアザポ
ルフィリン系色素については，可視領域の長波長側にＱ
バンドと称する吸収、ならびにソーレー帯と称する可視
領域の短波長側領域にも強い吸収を有する特徴があり、
用途として染料、顔料、光電機能材料等、幅広く利用さ
れているポルフィリン等の環状有機化合物について、該
公報では、ＤＶＤ−Ｒ用色素として、かつ、１５〜３０
ＧＢ対応の高密度の記録が可能な光記録媒体用色素とし
ての特性を有する化合物として提案されている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】最近の状況として、波
長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの青紫色半導体レーザーの実
用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量
追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良
好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。

【００１８】しかしながら、前述の青色半導体レーザー
用光記録媒体では波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍのレーザ
ー光に対して十分に適応していないのが実情である。す
なわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した
信号の再生について、搬送波と雑音の比（Ｃ／Ｎ）が必
ずしも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずし
も満足に行えないなどの問題を我々は見い出した。この
問題を克服し、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍのレーザー
光で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務と
なっていた。さらに、デジタル動画像の記録再生用媒体
として要望の強い４．７ＧＢ容量ＤＶＤ−Ｒに対応する
場合には、該媒体の記録層中に、レーザー波長６３５ｎ
ｍ〜６６０ｎｍに感応する有機色素を有することが必須
である。そのためには上述の青色レーザー波長専用の記
録用色素のみでは目的を達しえない。

【００１９】さらには、青色レーザー波長領域ならびに
赤色レーザー波長領域の２波長領域での記録・再生が可
能な特開平１１−２０３７２９号公報記載の光記録媒体
は記録層を多層とすること、特開平１１−７８２３９号
公報、特開平１１−１０５４２３号公報、特開平１１−
１１０８１５号公報記載の光記録媒体は、記録用色素を
必ず２種以上用いなければならないなど媒体作製が煩雑
であり、記録特性も未だ改善の余地がある。また、特開
平１１−１０１９５３号公報および特開平１１−１４４
３１２号公報に記載の光記録媒体は、４００ｎｍ〜４１
０ｎｍおよび６３５ｎｍ〜６６０ｎｍの双方の波長範囲
から選択される各々のレーザー光での記録再生について
は未だ最適化には至っていないのが現状である。

【００２０】本発明者らは、追記型光記録媒体に適した
記録材料について検討したところ、次の２点の知見を得
た。 （１）大容量追記型光記録媒体は、記録の書き込み及び
読み出しに３００〜５００ｎｍ及び／または５００〜７
００ｎｍのレーザー光を利用するので記録材料としては
レーザー波長近傍における吸光係数、屈折率、反射率の
制御が重要である。 （２）上記のように、該レーザーを用いた大容量追記型
光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高
速記録特性を有する色素の開発が望まれているにもかか
わらず、両波長領域のレーザー光に対して記録・再生が
可能な記録材料として前述の色素化合物は、今だ十分な
特性が得られておらず、改善の余地があるのが現状であ
る。また、記録膜形成が簡便なスピンコート法等の塗布
法による媒体製造の際には、有利な特性の１つとして、
塗布溶媒への高溶解性を有することが挙げられ、この点
についても配慮することが必要である。

【００２１】また一般に、記録容量の増大を図るには、
より高密度に記録を行う必要があり、そのため、記録に
使用する光学ビームを絞るための対物レンズの開口数を
高め、光学系のレーザー波長をより短波長化することが
必須となる。ところが、絞り込んだ光学ビームは回折限
界でその最小のビーム径が定められる。

【００２２】ところで、記録はビーム強度がある閾値を
超えたところで成されるので、図６（ａ）に示すよう
に、絞り込んだビームスポットよりも小さな記録ピット
が得られる。この記録ピットの周囲はビームの強度ピー
クのすそ野にあたるが、より短波長化が進む現況では、
記録ピットの周囲でも記録層の光化学反応を助長し、殊
に、前述の青紫色レーザーの波長領域では、有機化合物
の光化学反応が容易に生じる波長領域となるため、記録
時にはピットエッジが劣化し、信号特性が悪化するとい
う問題がある。すなわち、図６（ｂ）に示すように、本
来矩形波に対応して形成せねばならない記録情報（図６
（ｂ）の実線）が、ピットエッジの劣化によりブロード
な波形（図６（ｂ）の破線部）となってしまう。又、記
録時と同一の青紫色レーザー波長で再生を行うと、再生
光のような微弱な光照射でも光反応が促進され、再生の
度に劣化が進むという問題もあり、前記特開平７−３０
４２５６号公報、特開平７−３０４２５７号公報でも、
記録光と再生光とを異なる波長、実質的には、再生光を
記録光よりも長波長とする対策を講じねばならなくな
り、結果として、十分な高密度化の要求に応えられない
のが現状である。又、記録波長と再生光波長を異ならし
めることは、記録装置と再生装置を個別に用意するか、
１つの装置に２つの光学系及びその制御系を設けなけれ
ばならず、光記録媒体としての用途が限定されたり、装
置の大型化、コストの増大を招き、汎用性の乏しいもの
となってしまう。また、従来、ＣＤ−Ｒなどの光記録媒
体においては、有機色素膜の融点、昇華点、相転移点或
いは熱分解点などの物性上の明確な熱的閾値を境に記録
のオン・オフが成されてきたものに対し、青紫色レーザ
ー励起による光劣化モードの介在は、このコントラスト
を曖昧にし、とりわけ光学ビームよりも小さい細密記録
ピットを形成せねばならない高密度記録系においては、
著しく記録信号品位を損なう懸念があった。

【００２３】本発明の目的は、光による情報の記録・再
生に最適な色素化合物を創出し、該化合物を用いること
で、優れた光記録および再生が可能な光記録媒体を提供
することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、

【００２５】（１）： 金属錯体化していてもよいポル
フィセン化合物より、少なくとも１種以上の化合物を選
択して記録層に含有してなる光記録媒体；

【００２６】（２）： 基板上に記録層として有機色素
層を有する光記録媒体において、該有機色素層中に、上
記化合物より少なくとも１種以上の化合物を選択して含
有する前記光記録媒体；

【００２７】（３）： 前記化合物が一般式（１）で表
される前記光記録媒体

【００２８】

【化７】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、
Ｘ⁴、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Ｍは２個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい２〜４価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕；

【００２９】（４）： 前記化合物が一般式（２）で表
される前記光記録媒体

【００３０】

【化８】

【００３１】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、Ｍ¹は２個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい２〜４価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕

【００３２】（５）： 前記化合物が一般式（３）で表
される前記光記録媒体

【００３３】

【化９】

【００３４】〔式中、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、Ｍ²はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および／または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する２〜４価の金属原子を表す。〕；

【００３５】（６）： 波長３００ｎｍ〜５００ｎｍお
よび／または５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体；

【００３６】（７）： 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍお
よび／または６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体；

【００３７】（８）： 波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍお
よび／または６３５ｎｍ〜６６０ｎｍの範囲から選択さ
れるレーザー光に対して記録および再生が可能である前
記光記録媒体；

【００３８】（９）： 一般式（１）で表される化合物

【００３９】

【化１０】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有
していてもよいピロール環を表し、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、
Ｘ⁴、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
ン基を表し、Ｍは２個の水素原子、置換基または配位子
を有していてもよい２〜４価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子を表す。〕；

【００４０】（１０）： 一般式（２）で表される前記
化合物

【００４１】

【化１１】

【００４２】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、Ｍ¹は２個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい２〜４価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕

【００４３】（１１）： 一般式（３）で表される前記
化合物。

【００４４】

【化１２】

【００４５】〔式中、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、Ｍ²はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および／または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する２〜４価の金属原子を表す。〕に関
する。

【００４６】

【発明の実施の形態】本発明は、光記録媒体の記録層中
に金属錯体化していてもよいポルフィセン化合物を含有
することを特徴とする光記録媒体に関し、特に波長３０
０ｎｍ〜５００ｎｍおよび／または５００ｎｍ〜７００
ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜５００ｎｍおよび／また
は６００ｎｍ〜７００ｎｍ、殊に波長４００ｎｍ〜４１
０ｎｍおよび／または６３５ｎｍ〜６６０ｎｍの範囲か
ら選択されるレーザー光により記録および再生が可能で
ある新規な光記録媒体に関するものである。ここで、金
属錯体化してもよいポルフィセン化合物とは、環中心金
属及び／又は環置換基に含まれる金属元素が錯体化して
いても良いことを意味する。

【００４７】本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録
して再生することのできる光記録媒体を示すものであ
る。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層
を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。尚、以
下の説明では、光記録媒体として、光ディスクであっ
て、支持基板上に例えば案内溝と、この案内溝上に反射
膜と有機色素を主成分とする記録層を有し、波長３００
〜５００ｎｍの紫外・青色レーザー光を照射して信号の
記録再生を行う媒体に関して説明するが、本発明の光記
録媒体は、この様な形状や構成に限定されるものではな
く、カード状、シート状等その他各種の形状のもの、
又、反射層を有さないもの、更に将来開発されるであろ
うより短波長のレーザーでの記録再生にも適用し得るも
のである。

【００４８】本発明の光記録媒体は、例えば、図１に示
すような基板１、記録層２、反射層３、及び保護層４が
順次積層している４層構造を有しているか、図２に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板１上に
記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３
が設けられており、さらにその上に接着層５を介して保
護層４が貼り合わされている。但し、記録層２の下また
は上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層が
あっても構わない。また、図３に示すように基板１、反
射層３、記録層２、保護層４の順に積層し、保護層側か
ら記録再生する構造であっても良い。また、特開平１０
−３２６４３５号公報記載のように光透過層の厚みが、
光学系のＮ．Ａ．及びレーザー波長λにより規定された
媒体構造であっても構わない。また、本発明の光記録媒
体は、必要に応じて特開平１１−２０３７２９号公報記
載のように記録層を２種以上有する構造であっても構わ
ない。

【００４９】また、本発明を光ディスクに適用した例と
して、図４に示すような、基板１１、記録層１２、反射
層１３及び保護層１４がこの順で積層され、更に接着層
を兼ねる保護層１４上にダミー基板１５を貼り合わせた
ものが挙げられる。もちろん、基板１５の無い構成であ
っても良く、基板１１と記録層１２の間、記録層１２と
反射層１３の間、反射層１３と保護層１４との間、保護
層１４とダミー基板１５との間に、他の層が存在してい
ても良い。図４の光ディスクにおいては、基板１１側か
ら記録再生が行われる。

【００５０】又、別の実施形態として、特開平１０−３
０２３１０号公報に開示の構成、例えば、図５に示すよ
うに、案内溝の形成された支持基板１１’上に、反射層
１３’、有機色素を主成分とする記録層１２’がこの順
で成膜され、この記録層１２’上に任意に形成される透
明保護層１４’を介して光透過層１５’が形成され、情
報の記録及び再生は、光透過層１５’側から実施され
る。尚、逆に光透過層１５’側に案内溝を形成し、その
上に透明保護層１４’、記録層１２’、反射層１３’を
積層し、支持基板１１’と貼り合わせる構成としても良
い。

【００５１】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、金属錯体化していてもよいポ
ルフィセン化合物、好ましくは一般式（１）、更に好ま
しくは一般式（２）、特に好ましくは一般式（３）で示
される化合物を少なくとも１種含有するものである。そ
して波長３００ｎｍ〜５００ｎｍおよび／または５００
ｎｍ〜７００ｎｍから選択される記録レーザー波長およ
び再生レーザー波長に対して記録・再生が可能である。
中でも、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍおよび／または６
００ｎｍ〜７００ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０
ｎｍおよび／または６３５ｎｍ〜６６０ｎｍの範囲から
選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に
対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光
安定性も良く、高品位な信号特性が得られる光記録媒体
である。

【００５２】本発明記載の一般式（１）、更に好ましく
は一般式（２）、特に好ましくは一般式（３）で表され
る化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状
態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光
の波長において、記録層に必要な光学定数を満足するこ
とのできる極めて有用な有機色素である。

【００５３】以下、本発明について、さらに詳細を述べ
る。

【００５４】本発明記載の一般式（１）で表される化合
物について、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで示される置換基を有し
ていてもよいピロール環について、具体的な置換基の例
としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、メル
カプト基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モ
ノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置
換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘ
テロアリール基またはヘテロアリールオキシ基等が挙げ
られる。

【００５５】また、一般式（１）のポルフィセン骨格の
Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴で示される、置換基を有していても
よいメチン基の具体的な例としては、それぞれ式
（４）、式（５）、式（６）、式（７）

【００５６】

【化１３】 〔式中、Ｇ¹、Ｇ²、Ｇ³、Ｇ⁴は前記ピロール環上に置換
しても良い各置換基と同等の意味を示す。〕で示される
置換していてもよいメチン基等が挙げられる。

【００５７】また、ピロール環上に置換する上記の置換
基、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴で表されるメチン基上の置換基
においては、連結基を介してピロール環上の各置換基同
士あるいはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上
の置換基とが連結してもよく、具体的には脂肪族縮合あ
るいは、芳香族縮合による環の形成、または連結基がヘ
テロ原子、あるいは金属錯体残基等のヘテロ原子を含む
複素環の形成等が挙げられる。

【００５８】さらに一般式（１）で表されるＭは２個の
水素原子あるいは置換基を有していてもよい２〜４価の
金属原子または半金属原子を表す。金属原子または半金
属原子の具体的な例としては、２価の金属原子、置換基
を有する３価あるいは４価の金属原子または半金属原
子、オキシ金属原子等が挙げられる。

【００５９】本発明においては、一般式（１）で示され
る化合物としては、一般式（２）で例示される化合物が
好ましい例として挙げられる。

【００６０】

【化１４】

【００６１】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、Ｍ¹は２個の水素原子、
置換基または配位子を有していてもよい２〜４価の金属
原子または半金属原子、オキシ金属原子を表す。〕

【００６２】本発明の一般式（２）で表される化合物に
おいて、Ｒ¹〜Ｒ¹²の具体例としては、水素原子；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子；ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ
基、カルボキシル基、メルカプト基等が挙げられる。

【００６３】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルキル
基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブ
チル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル
基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペ
ンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル
基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチ
ル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブ
チル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチル
ブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、
１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル
基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２
−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４
−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−
ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキ
シル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−ト
リメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、
２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリ
メチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−
エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシ
ル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，
５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル
基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、
６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル
基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル
基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘ
プチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、
１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１
−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの
炭素数１〜１５の無置換の直鎖、分岐または環状のアル
キル基；

【００６４】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数１〜１０のアルキル基；

【００６５】ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチ
ル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチ
ル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−
ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−
３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキ
シプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオ
キシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒド
ロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒド
ロキシル基で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；

【００６６】ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシ
エトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メ
チルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フ
ルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−
（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル
基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロ
キシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；

【００６７】ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒ
ドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−
ヒドロキ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエト
キシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−
１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］
エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒ
ドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシ
エチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置
換した炭素数３〜１０のアルキル基；

【００６８】シアノメチル基、２−シアノエチル基、３
−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ
−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプ
ロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−
ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シ
クロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−
シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１
０のアルキル基；

【００６９】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチル
ペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）
エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ
−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチル
ヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ
−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキ
シ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、
（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、
（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などの
アルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；

【００７０】メトキシメトキシメチル基、メトキシエト
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロ
ポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エ
トキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブ
トキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチ
ルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエ
トキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチ
ルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−ト
リフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，
３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアル
キル基；

【００７１】メトキシメトキシメトキシメチル基、メト
キシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエト
キシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シ
クロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポ
キシプロポキシプロポキシエチル基、（２，２，２−ト
リフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、
（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシ
エチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置
換した炭素数４〜１５のアルキル基；

【００７２】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジ
オキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−
ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で
置換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００７３】ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチ
ル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシ
エチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキ
サノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメ
チルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロ
ブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキ
シ）エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２
〜１５のアルキル基；

【００７４】ホルミルオキシメトキシメチル基、アセト
キシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエ
チル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチ
ルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，
５−トリメチルヘキサノイル）オキシブトキシエチル
基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エ
トキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）
エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）
エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置
換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００７５】アセトキシメトキシメトキシメチル基、ア
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）
エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２
−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチ
ル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエト
キシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ
基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；

【００７６】メトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル
基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチルシクロ
ヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，
２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニル）メ
チル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカ
ルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル基で置
換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００７７】フェノキシカルボニルメチル基、フェノキ
シカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカ
ルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル
基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリー
ルオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアル
キル基；

【００７８】ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベン
ジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカル
ボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジル
オキシカルボニル）メチル基などのアラルキルオキシカ
ルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアルキル基；

【００７９】ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニル
オキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメ
チル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル
基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニル
オキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０のアルキ
ル基；

【００８０】メトキシカルボニルオキシメチル基、メト
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオ
キシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキ
シ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカル
ボニルオキシ）エチル基などのアルコキシカルボニルオ
キシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００８１】メトキシメトキシカルボニルオキシメチル
基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフ
ルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、
（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニ
ルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニ
ルオキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；

【００８２】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数３〜２０のアルキル基；

【００８３】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数３〜１０のアルキル基；

【００８４】メチルスルホンアミノメチル基、メチルス
ルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル
基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホ
ンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置
換した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００８５】メチルスルホニルメチル基、エチルスルホ
ニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスル
ホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルス
ルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチ
ル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホ
ニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピル
スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換
した炭素数２〜１０のアルキル基；

【００８６】ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンス
ルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベ
ンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル
基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニル
プロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンス
ルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシ
レンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル
基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数７〜１
２のアルキル基；

【００８７】チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル
基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミ
ダゾリジノメチル基、オキサゾリルメチル基、トリアゾ
リノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチ
ル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチ
ル基などの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアルキ
ル基；

【００８８】フェロセニルメチル基、フェロセニルエチ
ル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−
ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フ
ェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ
−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニ
ル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル
基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル
−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、
フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセ
ニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシク
ロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロ
セニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メ
チルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル
基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニ
ル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３
−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチル
ブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、
フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニ
ル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エ
チルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フ
ェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，
２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，
２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−
２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル
基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２
−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシ
ル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセ
ニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−
ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、
フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−
２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，
５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジ
メチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメ
チルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチ
ルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセ
ニル−ｎ−デシル基、

【００８９】コバルトセニルメチル基、コバルトセニル
エチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルト
セニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブ
チル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルト
セニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチ
ル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニ
ル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチル
ブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバ
ルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−
ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチ
ルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバ
ルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メ
チルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル
基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルト
セニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，
３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメ
チルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチ
ル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コ
バルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセ
ニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３
−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル
基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセ
ニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニ
ル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル
−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニル
シクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、
コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニ
ル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチ
ルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル
基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コ
バルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−
エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチル
ヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチル
ペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチ
ル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル
−ｎ−デシル基、

【００９０】ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニル
エチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロ
セニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブ
チル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロ
セニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチ
ル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニ
ル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチル
ブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッ
ケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−
ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチ
ルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッ
ケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メ
チルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル
基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロ
セニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，
３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメ
チルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチ
ル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニ
ッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセ
ニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３
−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル
基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセ
ニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニ
ル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル
−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニル
シクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、
ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニ
ル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチ
ルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル
基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニ
ッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−
エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチル
ヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチル
ペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチ
ル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル
−ｎ−デシル基；

【００９１】ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロ
ロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフ
ルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロ
ジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチ
ル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シク
ロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペン
タジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シク
ロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビ
ス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基
などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のア
ルキル基；

【００９２】フェロセニルメトキシメチル基、フェロセ
ニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル
基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメト
キシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フ
ェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシ
オクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセ
ニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル
基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエト
キシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェ
ロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘ
キシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセ
ニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル
基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロ
ポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フ
ェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポ
キシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フ
ェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポ
キシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、
フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポ
キシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロ
セニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピ
ル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブ
トキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、
フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキ
シオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロ
セニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメ
チル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセ
ニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキ
シブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フ
ェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシ
ルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチ
ル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニ
ルデシルオキシデシル基；

【００９３】コバルトセニルメトキシメチル基、コバル
トセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプ
ロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルト
セニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘ
キシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバル
トセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシ
ノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルト
セニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチ
ル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセ
ニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチ
ル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセ
ニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオク
チル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセ
ニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチ
ル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセ
ニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシ
ブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバ
ルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロ
ポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル
基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニ
ルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル
基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニル
ブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル
基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニ
ルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチ
ル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセ
ニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル
基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセ
ニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキ
シプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、
コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニ
ルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキ
シヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル
基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシデシル基；

【００９４】ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケ
ロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプ
ロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロ
セニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘ
キシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケ
ロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシ
ノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロ
セニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチ
ル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセ
ニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチ
ル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセ
ニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオク
チル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセ
ニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチ
ル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセ
ニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシ
ブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッ
ケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロ
ポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル
基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニ
ルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル
基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニル
ブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル
基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニ
ルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチ
ル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセ
ニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル
基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキ
シプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、
ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニ
ルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキ
シヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル
基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシデシル基；

【００９５】ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、
トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル
基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセン
メトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシ
ブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル
基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、
ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメト
キシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロ
ニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタ
ジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル
基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニル
アルキルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキ
ル基；

【００９６】フェロセンカルボニルオキシメチル基、フ
ェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボ
ニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブ
チル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェ
ロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボ
ニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオ
クチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェ
ロセンカルボニルオキシデシル基；

【００９７】コバルトセンカルボニルオキシメチル基、
コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセン
カルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニル
オキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチ
ル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバ
ルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカ
ルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオ
キシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル
基、

【００９８】ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、
ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセン
カルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニル
オキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチ
ル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッ
ケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカ
ルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオ
キシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル
基、

【００９９】ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメ
チル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボ
ニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホ
ナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル
基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、
ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジ
エトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキ
シル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニ
ウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、
ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオ
キシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウ
ムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、
ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオ
キシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で
置換した炭素数１２〜３０のアルキル基等が挙げられ
る。

【０１００】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換の表される
置換基を有していてもよいアラルキル基の例としては、
前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有してもよい
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、フェネ
チル基、３−フェニルプロピル基、１−ナフチルメチル
基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２
−ナフチルエチル基、ビベンジル基、２−アントラニル
メチル基、フルオレン−９−イル基、フルオレン−９−
イルメチル基、フルオレン−９−イルエチル基等の炭素
数７〜１５の無置換アラルキル基；４−エチルベンジル
基、４−ｐ−イソプロピルベンジル基、４−ｔ−ブチル
ベンジル基、トリルメチル基、トリルエチル基、２，３
−ジメチルベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、
２，５−ジメチルベンジル基、２，６−ジメチルベンジ
ル基、２，４，６−トリメチルベンジル基、２，３−ジ
メチルフェニルエチル基、２，４−ジメチルフェニルエ
チル基、２，５−ジメチルフェニルエチル基、２，６−
ジメチルフェニルエチル基、２，４，６−トリメチルフ
ェニルエチル基、ｐ−イソプロピルフェニルエチル基、
ｔ−ブチルフェニルエチル基、４−ｔ−ブチルフェニル
エチル基等、９−メチルフルオレン−９−イル基、９−
エチルフルオレン−９−イル基、９−プロピルフルオレ
ン−９−イル基、９−ブチル−フルオレン−９−イル基
のアルキル基が置換した炭素数８〜１７のアラルキル
基；２−クロロベンジル基、３−クロロベンジル基、４
−クロロベンジル基、２−ブロモベンジル基、３−ブロ
モベンジル基、４−ブロモベンジル基、２−フルオロベ
ンジル基、３−フルオロベンジル基、４−フルオロベン
ジル基、２−トリフルオロメチルベンジル基、３−トリ
フルオロメチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベ
ンジル基、２−クロロナフチルメチル基、３−クロロナ
フチルメチル基、４−クロロナフチルメチル基、２−ク
ロロフェニルエチル基、３−クロロフェニルエチル基、
４−クロロフェニルエチル基、２−ブロモフェニルエチ
ル基、３−ブロモフェニルエチル基、４−ブロモフェニ
ルエチル基、２−フルオロフェニルエチル基、３−フル
オロフェニルエチル基、４−フルオロフェニルエチル
基、２−クロロナフチルエチル基、３−クロロナフチル
エチル基、４−クロロナフチルエチル基、２−トリフル
オロメチルナフチルエチル基、３−トリフルオロメチル
ナフチルエチル基、４−トリフルオロメチルナフチルエ
チル基等のハロゲン原子が置換した炭素数７〜１２のア
ラルキル基；２−メトキシベンジル基、３−メトキシベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、２−エトキシベン
ジル基、３−エトキシベンジル基、４−エトキシベンジ
ル基、２−ｎ−プロポキシベンジル基、３−ｎ−プロポ
キシベンジル基、４−ｎ−プロポキシベンジル基、２−
イソプロポキシベンジル基、３−イソプロポキシベンジ
ル基、４−イソプロポキシベンジル基、２−ｎ−ブトキ
シベンジル基、３−ｎ−ブトキシベンジル基、４−ｎ−
ブトキシベンジル基、２−イソブトキシベンジル基、３
−イソブトキシベンジル基、４−イソブトキシベンジル
基、２−ｔ−ブトキシベンジル基、３−ｔ−ブトキシベ
ンジル基、４−ｔ−ブトキシベンジル基、２−メトキシ
フェニルエチル基、３−メトキシフェニルエチル基、４
−メトキシフェニルエチル基、２−エトキシフェニルエ
チル基、３−エトキシフェニルエチル基、４−エトキシ
フェニルエチル基、２−ｎ−プロポキシフェニルエチル
基、３−ｎ−プロポキシフェニルエチル基、４−ｎ−プ
ロポキシフェニルエチル基、２−イソプロポキシフェニ
ルエチル基、３−イソプロポキシフェニルエチル基、４
−イソプロポキシフェニルエチル基、２−ｎ−ブトキシ
フェニルエチル基、３−ｎ−ブトキシフェニルエチル
基、４−ｎ−ブトキシフェニルエチル基、２−イソブト
キシフェニルエチル基、３−イソブトキシフェニルエチ
ル基、４−イソブトキシフェニルエチル基、２−ｔ−ブ
トキシフェニルエチル基、３−ｔ−ブトキシフェニルエ
チル基、４−ｔ−ブトキシフェニルエチル基等のアルコ
キシ基が置換した炭素数８〜１２のアラルキル基；ニト
ロベンジル基、ニトロフェネチル基、ニトロナフチルメ
チル基、ニトロナフチルエチル基等のニトロ基が置換し
た炭素数７〜１２のアラルキル基；シアノベンジル基、
シアノフェネチル基、シアノナフチルメチル基、シアノ
ナフチルエチル基等のシアノ基が置換した炭素数７〜１
２のアラルキル基；ヒドロキシベンジル基、ヒドロキシ
フェネチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、ヒドロキ
シナフチルエチル基等のヒドロキシ基が置換した炭素数
７〜１２のアラルキル基等が挙げられる。

【０１０１】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換の表される
置換基を有していてもよいアリール基の例としては、前
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有してもよいア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ナフチル
基、アンスラニル基、フルオランテニル基、ピレニル
基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、フェナントレ
ニル基等の炭素数６〜２０の無置換アリール基；ニトロ
フェニル基、ニトロナフチル基、ニトロアンスラニル
基、ニトロフルオランテニル基、ニトロピレニル基、ニ
トロペリレニル基、ニトロトリフェニレニル基、ニトロ
フェナントレニル基等の炭素数６〜２０のニトロアリー
ル基；シアノフェニル基、シアノナフチル基、シアノア
ンスラニル基、シアノフルオランテニル基、シアノピレ
ニル基、シアノペリレニル基、シアノトリフェニレニル
基、シアノフェナントレニル基等の炭素数６〜２０のシ
アノアリール基；ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナ
フチル基、ヒドロキシアンスラニル基、ヒドロキシフル
オランテニル基、ヒドロキシピレニル基、ヒドロキシペ
リレニル基、ヒドロキシトリフェニレニル基、ヒドロキ
シフェナントレニル基等の炭素数６〜２０のヒドロキシ
アリール基；２−メチルフェニル基、３−メチルフェニ
ル基、４−メチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニ
ル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチル
フェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジ
メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，
６−ジメチルフェニル基、２，３，４−トリメチルフェ
ニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，
６−トリメチルフェニル基、２，４，５−トリメチルフ
ェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，
４，５−トリメチルフェニル基、２−エチルフェニル
基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシル
フェニル基、シクロヘキシルフェニル基、オクチルフェ
ニル基、２−メチル−１−ナフチル基、３−メチル−１
−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、５−メチ
ル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチル基、７
−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル
基、１−メチル−２−ナフチル基、３−メチル−２−ナ
フチル基、４−メチル−２−ナフチル基、５−メチル−
２−ナフチル基、６−メチル−２−ナフチル基、７−メ
チル−２−ナフチル基、８−メチル−２−ナフチル基、
２−エチル−１−ナフチル基、ｎ−デシルナフチル基等
の、アルキル基が置換した炭素数７〜２０のアリール
基；クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロ
ロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル
基、ヨードフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオ
ロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオ
ロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオ
ロメチルフェニル基、トリフルオロメチルナフチル基、
６−（パーフルオロデシルオキシ）ナフチル基等の、ハ
ロゲン原子が置換した炭素数６〜２０のアリール基；３
−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，
３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニ
ル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメト
キシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，
５−ジメトキシフェニル基、３，６−ジメトキシフェニ
ル基、２，３，４−トリメトキシフェニル基、２，３，
５−トリメトキシフェニル基、２，３，６−トリメトキ
シフェニル基、２，４，５−トリメトキシフェニル基、
２，４，６−トリメトキシフェニル基、３，４，５−ト
リメトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、プロ
ポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ヘキシルオキ
シフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、オク
チルオキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル
基、３−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１
−ナフチル基、５−メトキシ−１−ナフチル基、６−メ
トキシ−１−ナフチル基、７−メトキシ−１−ナフチル
基、８−メトキシ−１−ナフチル基、１−メトキシ−２
−ナフチル基、３−メトキシ−２−ナフチル基、４−メ
トキシ−２−ナフチル基、５−メトキシ−２−ナフチル
基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２
−ナフチル基、８−メトキシ−２−ナフチル基、２−エ
トキシ−１−ナフチル基、デカリノキシナフチル基等
の、アルコキシ基が置換した炭素数７〜２０のアリール
基；フェノキシフェニル基、ナフトキシナフチル基等
の、アリールオキシ基で置換した炭素数１２〜２０のア
リール基；メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル
基、メチルチオナフチル基、デシルチオナフチル基等の
アルキルチオ基で置換した炭素数７〜２０のアリール
基；フェニルチオフェニル基、ナフチルチオナフチル基
等の、アリールチオ基で置換した炭素数１２〜２０のア
リール基；Ｎ−メチルアミノフェニル基、Ｎ−エチルア
ミノフェニル基、Ｎ−デシルアミノナフチル基、Ｎ−フ
ェニルアミノフェニル基、Ｎ−トリルアミノフェニル基
等の、Ｎ−モノアルキルアミノ基またはモノアリールア
ミノ基で置換したアリール基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
フェニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノフェニル基、Ｎ−
フェニル−Ｎ−メチルアミノフェニル基、Ｎ−トリル−
Ｎ−エチルアミノフェニル基、Ｎ−クロロフェニル−Ｎ
−シクロヘキシルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジトリル
アミノフェニル基等の、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基ま
たはＮ，Ｎ−ジアリールアミノ基またはＮ−アリール−
Ｎ−アルキルアミノ基で置換した炭素数８〜２０のアリ
ール基；メトキシカルボニルフェニル基、エトキシカル
ボニルフェニル基、デシルオキシカルボニルフェニル基
等のアルコキシカルボニル基で置換した炭素数２〜１７
のアリール基；フェノキシカルボニルフェニル基、ナフ
チルオキシカルボニルフェニル基、トリルオキシカルボ
ニルフェニル基等のアリールオキシカルボニル基で置換
した炭素数１３〜１７のアリール基；ジメチルアミノカ
ルボニルフェニル基、ジエチルアミノカルボニルフェニ
ル基、ジプロピルアミノカルボニルフェニル基、ジブチ
ルアミノカルボニルフェニル基等のジアルキルアミノカ
ルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアリール基；４
−（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−イル）フェ
ニル基などの炭素数６〜２０のアリール基等が挙げられ
る。

【０１０２】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルケニ
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有してもよいアルケニル基であり、好ましくは、
ビニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ｉｓｏ−ブ
テニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、２−
メチル−１−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル
基、２−メチル−２−ブテニル基、２，２−ジシアノビ
ニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニル
基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニル基、スチリ
ル基、４−フェニル−２−ブテニル基などの炭素数２〜
１０のアルケニル基が挙げられる。

【０１０３】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルコキ
シ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔ
ｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、
１−メチルペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキ
シ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチ
ルオキシ基、１，１−ジメチルブトキシ基、１，２−ジ
メチルブトキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，
３−ジメチルブトキシ基、１，１，２−トリメチルプロ
ポキシ基、１，２，２−トリメチルプロポキシ基、１−
エチルブトキシ基、２−エチルブトキシ基、１−エチル
−２−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
メチルシクロペンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ
基、１−メチルヘキシルオキシ基、２−メチルヘキシル
オキシ基、３−メチルヘキシルオキシ基、４−メチルヘ
キシルオキシ基、５−メチルヘキシルオキシ基、１，１
−ジメチルペンチルオキシ基、１，２−ジメチルペンチ
ルオキシ基、１，３−ジメチルペンチルオキシ基、１，
４−ジメチルペンチルオキシ基、２，２−ジメチルペン
チルオキシ基、２，３−ジメチルペンチルオキシ基、
２，４−ジメチルペンチルオキシ基、３，３−ジメチル
ペンチルオキシ基、３，４−ジメチルペンチルオキシ
基、１−エチルペンチルオキシ基、２−エチルペンチル
オキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、１，１，２−
トリメチルブトキシ基、１，１，３−トリメチルブトキ
シ基、１，２，３−トリメチルブトキシ基、１，２，２
−トリメチルブトキシ基、１，３，３−トリメチルブト
キシ基、２，３，３−トリメチルブトキシ基、１−エチ
ル−１−メチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルブ
トキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、２−エ
チル−１−メチルブトキシ基、２−エチル−３−メチル
ブトキシ基、１−ｎ−プロピルブトキシ基、１−イソプ
ロピルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルプロ
ポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−メチル
ヘプチルオキシ基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−
メチルヘプチルオキシ基、５−メチルヘプチルオキシ
基、６−メチルヘプチルオキシ基、１，１−ジメチルヘ
キシルオキシ基、１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、
１，３−ジメチルヘキシルオキシ基、１，４−ジメチル
ヘキシルオキシ基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ
基、２，２−ジメチルヘキシルオキシ基、２，３−ジメ
チルヘキシルオキシ基、２，４−ジメチルヘキシルオキ
シ基、２，５−ジメチルヘキシルオキシ基、３，３−ジ
メチルヘキシルオキシ基、３，４−ジメチルヘキシルオ
キシ基、３，５−ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−
ジメチルヘキシルオキシ基、４，５−ジメチルヘキシル
オキシ基、１−エチルヘキシルオキシ基、２−エチルヘ
キシルオキシ基、３−エチルヘキシルオキシ基、４−エ
チルヘキシルオキシ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキ
シ基、２−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、１−イソプ
ロピルペンチルオキシ基、２−イソプロピルペンチルオ
キシ基、１−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、１
−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−
３−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−４−メチル
ペンチルオキシ基、２−エチル−１−メチルペンチルオ
キシ基、２−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、２
−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−
４−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−１−メチル
ペンチルオキシ基、３−エチル−２−メチルペンチルオ
キシ基、３−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、３
−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、１，１，２−
トリメチルペンチルオキシ基、１，１，３−トリメチル
ペンチルオキシ基、１，１，４−トリメチルペンチルオ
キシ基、１，２，２−トリメチルペンチルオキシ基、
１，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，４
−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，４−トリメチ
ルペンチルオキシ基、２，２，３−トリメチルペンチル
オキシ基、２，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、
２，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，３
−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，３−トリメチ
ルペンチルオキシ基、３，３，４−トリメチルペンチル
オキシ基、１，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、
２，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、３，４，４
−トリメチルペンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブトキ
シ基、１−イソブチルブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチル
ブトキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メ
チルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブトキ
シ基、１−ｎ−プロピル−３−メチルブトキシ基、１−
イソプロピル−１−メチルブトキシ基、１−イソプロピ
ル−２−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−３−メ
チルブトキシ基、１，１−ジエチルブトキシ基、１，２
−ジエチルブトキシ基、１−エチル−１，２−ジメチル
ブトキシ基、１−エチル−１，３−ジメチルブトキシ
基、１−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、２−エ
チル−１，１−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，
２−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，３−ジメチ
ルブトキシ基、２−エチル−２，３−ジメチルブトキシ
基、１，１，３，３−テトラメチルブトキシ基、１，２
−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチル
シクロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキ
シルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノ
ニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ
基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ
−ドデシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−
ペンタデシルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐
又は環状の無置換アルコキシ基；

【０１０４】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎーブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃーブトキシエトキシ基、ｎーペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃーペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，
５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブトキシ基、ｎ−
デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキ
シ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプ
ロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プ
ロポキシ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキ
シ基、２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ
基、２−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換され
た炭素数２〜１５のアルコキシ基；

【０１０５】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、（４−エチルシクロへキシルオキシ）エトキシエト
キシ基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシ
プロポキシ基、〔４−（３，５，５−トリメチルヘキシ
ルオキシ）ブトキシ〕エトキシ基等の、アルコキシアル
コキシ基で置換された直鎖、分岐または環状の炭素数３
〜１５のアルコキシ基；

【０１０６】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、（４’
−エチルシクロヘキシルオキシ）カルボニルメトキシ基
等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１
０のアルコキシ基；

【０１０７】アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基、フェナシル
オキシ基等のアシル基で置換された炭素数３〜１０のア
ルコキシ基；

【０１０８】アセチルオキシメトキシ基、アセチルオキ
シエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ブタ
ノイルオキシシクロヘキシルオキシ基などのアシルオキ
シ基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；

【０１０９】メチルアミノメトキシ基、２−メチルアミ
ノエトキシ基、２−(２−メチルアミノエトキシ)エトキ
シ基、４−メチルアミノブトキシ基、１−メチルアミノ
プロパン−２−イルオキシ基、３−メチルアミノプロポ
キシ基、２−メチルアミノ−２−メチルプロポキシ基、
２−エチルアミノエトキシ基、２−(２−エチルアミノ
エトキシ)エトキシ基、３−エチルアミノプロポキシ
基、１−エチルアミノプロポキシ基、２−イソプロピル
アミノエトキシ基、２−（ｎ−ブチルアミノ）エトキシ
基、３−（ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキシ基、４−
（シクロヘキシルアミノ）ブチルオキシ基等のアルキル
アミノ基で置換された炭素数２〜１０のアルコキシ基；

【０１１０】メチルアミノメトキシメトキシ基、メチル
アミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロ
ポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、４−
（２’−イソブチルアミノプロポキシ）ブトキシ基等の
アルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数３〜１
０のアルコキシ基；

【０１１１】ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチル
アミノエトキシ基、２−(２−ジメチルアミノエトキシ)
エトキシ基、４−ジメチルアミノブトキシ基、１−ジメ
チルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメチル
アミノプロポキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メチル
プロポキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−
(２−ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、３−ジエチ
ルアミノプロポキシ基、１−ジエチルアミノプロポキシ
基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、２−（ジ−
ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリジルエトキ
シ基、３−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキシ基等
のジアルキルアミノ基で置換された炭素数３〜１５のア
ルコキシ基；

【０１１２】ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメ
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換された
炭素数４〜１５のアルコキシ基；

【０１１３】メチルチオメトキシ基、２−メチルチオエ
トキシ基、２−エチルチオエトキシ基、２−ｎ−プロピ
ルチオエトキシ基、２−イソプロピルチオエトキシ基、
２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、２−イソブチルチオエ
トキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルチオ）ヘ
キシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換された炭素数
２〜１５のアルコキシ基；等が挙げられ、好ましくは、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−
プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、
ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ
基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、２−メ
チルブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ
基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基な
どの炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。

【０１１４】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアラルキ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ基であり、
好ましくは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ
基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキ
シ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベ
ンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチル
メトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナ
フチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフ
ルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イ
ルエトキシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ
基等が挙げられる。

【０１１５】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアリール
オキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいアリールオキシ基であり、好ま
しくは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−
メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２
−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノ
キシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバル
トセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメ
チルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニ
ルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基など
の炭素数６〜１８のアリールオキシ基が挙げられる。

【０１１６】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルケニ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有してもよいアルケニルオキシ基であり、
好ましくは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、１
−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−
ペンテニルオキシ基、２−ペンテニルオキシ基、２−メ
チル−１−ブテニルオキシ基、３−メチル−１−ブテニ
ルオキシ基、２−メチル−２−ブテニルオキシ基、シク
ロペンタジエニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオ
キシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオ
キシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ
基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２−ブテニルオ
キシ基、シンナミルオキシ基などの炭素数２〜１０のア
ルケニルオキシ基が挙げられる。

【０１１７】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルキル
チオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアルキルチオ基であり、好ましく
は、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ
基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓ
ｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチル
チオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ
基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メ
チルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチ
オ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリ
ルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキルチオ基が挙げ
られる。

【０１１８】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアラルキ
ルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいアラルキルチオ基であり、好ま
しくは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シア
ノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチル
ベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、
ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、
シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチ
ルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロ
メチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエ
チルチオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等
が挙げられる。

【０１１９】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアリール
チオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有してもよいアリールチオ基であり、好ましく
は、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−
メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ
基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセ
ニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェ
ロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、
オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数６〜１０
のアリールチオ基などが挙げられる。

【０１２０】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルケニ
ルチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアルケニルチオ基であり、好まし
くは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、
ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ
基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニ
ルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基などが
挙げられる。

【０１２１】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアシル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有してもよいアシル基であり、好ましくは、ホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プ
ロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、
ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル
基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニ
ル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカ
ルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブ
チルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル
基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピ
ルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロ
ベンジルカルボニル基、３−ブトキシ−２−ナフトイル
基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、１−メ
チルフェロセン−１’−カルボニル基などの炭素数１〜
１５のアシル基が挙げられる。

【０１２２】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアシルオ
キシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有してもよいアシルオキシ基であり、好ましく
は、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エ
チルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキ
シ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチ
ルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキ
シ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチル
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ
基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチ
ルカルボニルオキシ基、２−メチルブチルカルボニルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ
基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキ
シ基、プロピルベンゾイルオキシ基、４−ｔ−ブチルベ
ンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ
基、３−ブトキシ−２−ナフトイルオキシ基、シンナモ
イルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、１−メ
チルフェロセン−１’−カルボニルオキシ基、コバルト
センカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキ
シ基などの炭素数２〜１６のアシルオキシ基が挙げられ
る。

【０１２３】Ｒ¹〜Ｒ¹²のモノ置換アミノ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有しても
よい置換基でモノ置換されたアミノ基であり、好ましく
は、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ
基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミ
ノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、（２−エ
チルヘキシル）アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、
（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノ基、ノニル
アミノ基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０のモノ
アルキルアミノ基；

【０１２４】ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、
（３−フェニルプロピル）アミノ基、（４−エチルベン
ジル）アミノ基、（４−イソプロピルベンジル）アミノ
基、（４−メチルベンジル）アミノ基、（４−エチルベ
ンジル）アミノ基、（４−アリルベンジル）アミノ基、
〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノ基、〔４
−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノ基などの
炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基；

【０１２５】アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジ
ノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピル
アニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基、４−メチルアニ
リノ基、４−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ
基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ
基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニ
ルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オ
クタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジル
コノセニルアミノ基など、炭素数６〜１０のモノアリー
ルアミノ基；

【０１２６】ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニ
ルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ
基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニル
アミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルア
ミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニルアミノ
基；

【０１２７】ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミ
ノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボ
ニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルアミノ基、
ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボ
ニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔ
−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニル
アミノ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオ
ペンチルカルボニルアミノ基、２−メチルブチルカルボ
ニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイル
アミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニ
ルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、４−ｔ−ブ
チルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルア
ミノ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルアミノ基、シン
ナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、１
−メチルフェロセン−１’−カルボニルアミノ基、コバ
ルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニル
アミノ基などの炭素数１〜１６のモノアシルアミノ基等
のモノ置換アミノ基が挙げられる。

【０１２８】Ｒ¹〜Ｒ¹²のジ置換アミノ基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有しても
よい置換基でジ置換されたアミノ基であり、好ましく
は、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチ
ルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、
ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ
基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）アミ
ノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポ
キシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ
基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロ
キシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノ
エチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）ア
ミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基；

【０１２９】ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ
基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−
イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２
０のジアラルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基など
の炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基；ジビニルア
ミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペ
ンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス（シク
ロペンタジエニル）アミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリル
アミノ基などの炭素数４〜１２のジアルケニルアミノ
基；ジホルミルアミノ基、ジ（メチルカルボニル）アミ
ノ基、ジ（エチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−プロ
ピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−プロピルカル
ボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ブチルカルボニル）アミノ
基、ジ（ｉｓｏ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｓ
ｅｃ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルカ
ルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチルカルボニル）ア
ミノ基、ジ（ｉｓｏ−ペンチルカルボニル）アミノ基、
ジ（ネオペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（２−メチ
ルブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ベンゾイル）アミ
ノ基、ジ（メチルベンゾイル）アミノ基、ジ（エチルベ
ンゾイル）アミノ基、ジ（トリルカルボニル）アミノ
基、ジ（プロピルベンゾイル）アミノ基、ジ（４−ｔ−
ブチルベンゾイル）アミノ基、ジ（ニトロベンジルカル
ボニル）アミノ基、ジ（３−ブトキシ−２−ナフトイ
ル）アミノ基、ジ（シンナモイル）アミノ基、コハク酸
イミノ基などの炭素数２〜３０のジアシルアミノ基；

【０１３０】Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−
（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノ基、
Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メ
チルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ
−メチル−フェロセニルアミノ基、Ｎ−エチル−コバル
トセニルアミノ基、Ｎ−ブチル−ニッケロセニルアミノ
基、Ｎ−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ
基、Ｎ−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ
基、Ｎ−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基
など等の置換または無置換のアルキル基、アラルキル
基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有
する炭素数３〜２４のジ置換アミノ基が挙げられる。

【０１３１】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルコキ
シカルボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基
であり、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プ
ロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ
ｓｏ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカ
ルボニル基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペ
ントキシカルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、
２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−
トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキ
シカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、
クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカル
ボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素
数２〜１１のアルコキシカルボニル基；

【０１３２】メトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキ
シカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘ
キシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシ
カルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、
ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置
換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基；メト
キシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシ
エトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカル
ボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、
ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエ
トキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシ
エトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が
置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニル基；

【０１３３】フェロセニルメトキシカルボニル基、フェ
ロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキ
シカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、
フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニ
ルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチル
オキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカル
ボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フ
ェロセニルデシルオキシカルボニル基、コバルトセニル
メトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボ
ニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバ
ルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペン
チルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキ
シカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボ
ニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、
コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキ
シカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル
基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロ
セニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチル
オキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカ
ルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル
基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッ
ケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニル
デシルオキシカルボニル基、

【０１３４】ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル
基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカ
ルボニル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チ
タノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニ
ルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメト
キシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシ
カルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメ
トキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジ
クロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシカルボニル
基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシ
カルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウ
ムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス
（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシカルボニ
ル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０
のアルコキシカルボニル基；等が挙げられる。

【０１３５】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアラルキ
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ベンジルオキシカル
ボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノ
ベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキ
シカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、
トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフ
チルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカ
ルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒ
ドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチ
ルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチル
メトキシカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシ
カルボニル基などの炭素数８〜１６のアラルキルオキシ
カルボニル基等が挙げられる。

【０１３６】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアリール
オキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアリー
ル基と同様な置換基を有してもよいアリールオキシカル
ボニル基であり、好ましくは、フェノキシカルボニル
基、２−メチルフェノキシカルボニル基、４−メチルフ
ェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカル
ボニル基、２−メトキシフェノキシカルボニル基、４−
ｉｓｏ−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシ
カルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバ
ルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシ
カルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オ
クタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメ
チルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチル
ニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジル
コノセニルオキシカルボニル基などの炭素数７〜１１の
アリールオキシカルボニル基が挙げられる。

【０１３７】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルケニ
ルオキシカルボニル基の例としては、前記に挙げたアル
キル基と同様な置換基を有してもよいアルケニルオキシ
カルボニル基であり、好ましくは、ビニルオキシカルボ
ニル基、プロペニルオキシカルボニル基、１−ブテニル
オキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニ
ル基、１−ペンテニルオキシカルボニル基、２−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ
カルボニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボ
ニル基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル
基、２−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、
２，２−ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シア
ノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル
基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシカル
ボニル基、スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル
−２−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１
１のアルケニルオキシカルボニル基が挙げられる。

【０１３８】Ｒ¹〜Ｒ¹²のモノ置換アミノカルボニル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有してもよい置換基でモノ置換されたアミノカルボニ
ル基であり、好ましくは、メチルアミノカルボニル基、
エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル
基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボ
ニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノ
カルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、（２−エ
チルヘキシル）アミノカルボニル基、シクロヘキシルア
ミノカルボニル基、（３，５，５−トリメチルヘキシ
ル）アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、
デシルアミノカルボニル基などの炭素数２〜１１のモノ
アルキルアミノカルボニル基；ベンジルアミノカルボニ
ル基、フェネチルアミノカルボニル基、（３−フェニル
プロピルアミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）
アミノカルボニル基、（４−イソプロピルベンジル）ア
ミノカルボニル基、（４−メチルベンジル）アミノカル
ボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル
基、（４−アリルベンジル）アミノカルボニル基、〔４
−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノカルボニル
基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノ
カルボニル基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルア
ミノカルボニル基；

【０１３９】アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカ
ルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカル
ボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピル
アニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル
基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカ
ルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシ
カルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニル
アニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノ
カルボニル基、４−メチルアニリノカルボニル基、４−
エチルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモ
ノアリールアミノカルボニル基；ビニルアミノカルボニ
ル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカル
ボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニル
アミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニ
ル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテ
ニルアミノカルボニル基、などの炭素数３〜１１のモノ
アルケニルアミノカルボニル基等が挙げられる。

【０１４０】Ｒ¹〜Ｒ¹²のジ置換アミノカルボニル基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有してもよい置換基でジ置換されたアミノカルボニル基
であり、好ましくは、ジメチルアミノカルボニル基、ジ
エチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボ
ニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミ
ノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル
基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチル
アミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリ
ジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス（メ
トキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（エトキシエ
チル）アミノカルボニル基、ビス（プロポキシエチル）
アミノカルボニル基、ビス（ブトキシエチル）アミノカ
ルボニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノカルボ
ニル基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、
Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノカルボニ
ル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノカルボニ
ル基などの炭素数３〜１７のジアルキルアミノカルボニ
ル基；

【０１４１】ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネ
チルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベンジル）
アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピルベンジ
ル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１のジア
ラルキルアミノカルボニル基；ジフェニルアミノカルボ
ニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−
Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５
のジアリールアミノカルボニル基；ジビニルアミノカル
ボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルア
ミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、
ジヘキセニルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−ア
リルアミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアル
ケニルアミノカルボニル基；Ｎ−フェニル−Ｎ−アリル
アミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチ
ル）−Ｎ−エチルアミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ
−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチル
アミノカルボニル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ
カルボニル基等の置換または無置換のアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換
基を有する炭素数４〜１１のジ置換アミノカルボニル基
が挙げられる。

【０１４２】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のヘテロア
リール基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有してもよいヘテロアリール基であり、好ま
しくは、フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピ
ラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾ
リル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３
−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，
３，４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル
基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル
基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾ
チアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−２−イル基、ベン
ゾトリアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミジル基、ナフチルイミジル基
などの無置換ヘテロアリール基；

【０１４３】あるいは以下の置換基、即ち、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリ
メチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバ
ルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアル
コキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基；フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル
基、オクテニル基等のアルケニル基；ビニルオキシ基、
アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；

【０１４４】メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基；ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基；フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基；アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェ
ロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッ
ケロセンカルボニル基等のアシル基；メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカル
ボニル基、１−メチルフェロセン−１’−イルメトキシ
カルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、
ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネチル
オキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル
基；フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基；ビニルオキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル
基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジ
エニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカ
ルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基；

【０１４５】フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ
基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３
−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基；フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロ
セニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセ
ニル基などのメタロセニル基；などの置換基により置換
したヘテロアリール基が挙げられる。

【０１４６】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のヘテロア
リールオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有してもよいヘテロアリールオキシ基
であり、好ましくは、フラニルオキシ基、ピロリルオキ
シ基、３−ピロリノオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イ
ミダゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾリ
ルオキシ基、１，２，３−オキサジアゾリルオキシ基、
１，２，３−トリアゾリルオキシ基、１，２，４−トリ
アゾリルオキシ基、１，３，４−チアジアゾリルオキシ
基、ピリジニルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリ
ミジニルオキシ基、ピラジニルオキシ基、ピペラジニル
オキシ基、トリアジニルオキシ基、ベンゾフラニルオキ
シ基、インドーリルオキシ基、チオナフセニルオキシ
基、ベンズイミダゾリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオ
キシ基、ベンゾトリアゾ−ル−２−イルオキシ基、ベン
ゾトリアゾール−１−イルオキシ基、プリニルオキシ
基、キノリニルオキシ基、イソキノリニルオキシ基、ク
マリニルオキシ基、シンノリニルオキシ基、キノキサリ
ニルオキシ基、ジベンゾフラニルオキシ基、カルバゾリ
ルオキシ基、フェナントロニリルオキシ基、フェノチア
ジニルオキシ基、フラボニルオキシ基、フタルイミジル
オキシ基、ナフチルイミジルオキシ基などの無置換ヘテ
ロアリールオキシ基；

【０１４７】あるいは以下の置換基、即ち、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリ
メチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバ
ルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアル
コキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基など
のアラルキルオキシ基；フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ
基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のア
リールオキシ基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブ
タジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル
基、オクテニル基等のアルケニル基；ビニルオキシ基、
アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキ
シ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキ
シ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；

【０１４８】メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、
メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキ
シエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキ
ルチオ基；ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのア
ラルキルチオ基；フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフ
チルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフ
ェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチ
オ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基；アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェ
ロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッ
ケロセンカルボニル基等のアシル基；メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカル
ボニル基、１−メチルフェロセン−１’−イルメトキシ
カルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、
ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネチル
オキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル
基；フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル
基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニ
ル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカ
ルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリ
ールオキシカルボニル基；ビニルオキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル
基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジ
エニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オク
テニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボ
ニル基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカル
ボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノ
カルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシル
アミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オ
クチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル
基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル
基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数
２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチ
ルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、
ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボ
ニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルア
ミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジ
オクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル
基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカ
ルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭
素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基；

【０１４９】フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ
基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリ
ル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダ
ゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３
−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基；フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロ
セニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセ
ニル基などのメタロセニル基；などの置換基により置換
したヘテロアリールオキシ基が挙げられる。

【０１５０】Ｒ¹〜Ｒ¹²が連結基を介して、それぞれ併
せて環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子など
のヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して組み合わせ
てなる基であり、好ましい連結基の例として、−Ｏ−、
−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、または置換されていてもよい
メチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜
組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基に
より形成する環としては、連結基により連結して鎖状、
面状、もしくは立体状の環が挙げられる。連結した骨格
の好適な例としては、−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＣＨ
₂−、−ＣＨ₂（ＮＯ₂）−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＣＨ₂−、−Ｃ
Ｈ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｃｌ）
−ＣＨ₂−ＣＨ₂−、等の脂肪族縮合環；

【０１５１】−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＮＯ
₂）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ₃）＝ＣＨ−ＣＨ
＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ₃）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ
（ＣＨ₃）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（ＯＣＨ
₃）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＣＨ₃）−、−Ｃ（ＯＣＨ₂Ｃ
Ｈ₂ＣＨ（ＣＨ₃）−（ＯＣＨ₃））＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ
（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）−（ＯＣ
Ｈ₃））−、−Ｃ（ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂）＝Ｃ
（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ（ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ（Ｃ
Ｈ₃）₂）−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ₃）−Ｃ（ＣＨ₃）＝ＣＨ
−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ
〔ＣＨ（ＣＨ₃）₂〕₂｝＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ
｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ₃）₂〕₂｝＝Ｃ（Ｂｒ）−ＣＨ＝
ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ₃）₂〕₂｝＝ＣＨ−
Ｃ（Ｂｒ）＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ₃）₂〕
₂｝＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｂｒ）−、−Ｃ（Ｃ₂Ｈ₅）＝Ｃ
Ｈ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（Ｃ₂Ｈ₅）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ
（Ｃ₂Ｈ₅）−、−ＣＨ＝Ｃ（Ｃ₂Ｈ₅）−Ｃ（Ｃ₂Ｈ₅）＝
ＣＨ−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−等の芳香族
縮合環；

【０１５２】−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ
（ＣＨ₃）−ＣＨ（ＣＨ₃）−Ｏ−、−ＣＯＯ−ＣＨ₂−
ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ₂−Ｃ
Ｈ₂−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ₂−、−ＣＯＮ（ＣＨ₃）−Ｃ
Ｈ₂−ＣＨ₂−、−ＣＯＮ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂−等の鎖状連
結した複素環、あるいは

【０１５３】

【化１５】 （Ｍ’は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＯｓまたはＭ”
Ｒ’₂（Ｍ”はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖを表
し、Ｒ’は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、上述のＲ ¹〜
Ｒ¹²と同様の置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基を示す。）を表す。）
等の金属錯体残基；等の複素環等が挙げられる。

【０１５４】Ｒ¹〜Ｒ¹²が各々隣接する置換基と連結基
を介して連結する際に好適な連結の組合せは、Ｒ¹と
Ｒ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹
とＲ¹²、Ｒ¹²とＲ¹、Ｒ²とＲ³、Ｒ⁴とＲ⁵、Ｒ⁶とＲ⁷、
Ｒ⁸とＲ⁹、Ｒ¹⁰とＲ¹¹等が挙げられる。

【０１５５】Ｍ¹で表される２〜４価の金属原子または
半金属原子としては、周期表IIＡ〜VIIＡ族、VIII族、I
Ｂ〜VIIＢ族の金属原子ならびに半金属原子が挙げられ
る。

【０１５６】２価の金属原子の具体的な例としては、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔ
ｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｒｅ、Ｏｓ等の２価の無置換金属原
子、あるいは配位子として置換または無置換の５員環含
窒素芳香族化合物、６員環含窒素芳香族化合物、縮環含
窒素化合物等の複素環化合物、一酸化炭素、アルコール
等が配位している２価の金属原子が挙げられる。

【０１５７】２価の金属原子に配位している置換または
無置換の５員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピロ
ール、１−メチルピロール、３−メチルピロール、２，
５−ジメチルピロール、ピラゾール、Ｎ−メチルピラゾ
ール、３，５−ジメチルピラゾール、イミダゾール、Ｎ
−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−
メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、
オキサゾール、チアゾール、４−メチルチアゾール、
２，４−ジメチルチアゾール、１，２，３−オキサジア
ゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリ
アゾール、１，３，４−チアジアゾール、２，５−ジメ
チル−１，３，４−チアジアゾール等が挙げられる。

【０１５８】２価の金属原子に配位している置換または
無置換の６員環含窒素芳香族化合物の例としては、ピリ
ジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−
メチルピリジン、２、３−ジメチルピリジン、２、４−
ジメチルピリジン、２、５−ジメチルピリジン、２、６
−ジメチルピリジン、３，４−ジメチルピリジン、３，
５−ジメチルピリジン、２−クロロピリジン、３−クロ
ロピリジン、２−メトキシピリジン、ピリダジン、３−
メチルピリダジン、ピリミジン、４−メチルピリミジ
ン、２−クロロピリミジン、ピラジン、２−メチルピラ
ジン、２，３−ジメチルピラジン、２，５−ジメチルピ
ラジン、２−メトキシピラジン、ｓ−トリアアジン等が
挙げられる。

【０１５９】２価の金属原子に配位している置換または
無置換の縮環含窒素化合物の例としては、インドール、
Ｎ−メチルインドール、２−メチルインドール、３−メ
チルインドール、５−メチルインドール、１，２−ジメ
チルインドール、２，３−ジメチルインドール、４−ク
ロロインドール、５−クロロインドール、６−クロロイ
ンドール、４−メトキシインドール、５−メトキシイン
ドール、６−メトキシインドール、ベンズイミダゾー
ル、２−メチルベンズイミダゾール、５−メチルベンズ
イミダゾール、５，６−ジメチルベンズイミダゾール、
５−クロロベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、２
−メチルベンゾチアゾール、２，５−ジメチルベンゾチ
アゾール、２−クロロベンゾチアゾール、プリン、キノ
リン、２−メチルキノリン、３−メチルキノリン、４−
メチルキノリン、６−メチルキノリン、７−メチルキノ
リン、８−メチルキノリン、２，４−ジメチルキノリ
ン、２，６−ジメチルキノリン、２−クロロキノリン、
６−クロロキノリン、８−クロロキノリン、６−メトキ
シキノリン、イソキノリン、１−メチルキノリン、キノ
キサリン、２−メチルキノキサリン、２，３−ジメチル
キノキサリン、カルバゾール、Ｎ−メチルカルバゾー
ル、アクリジン、９−メチルアクリジン、フェノチアジ
ン等が挙げられる。

【０１６０】２価の金属原子の好適な具体的な例として
は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）、Ｒｕ（ＣＯ）、Ｏｓ（ＣＯ）、Ｒｕ（ＣＯ）（Ｃ
₂Ｈ₅ＯＨ）、Ｃｕ（ピリジン）₂、Ｚｎ（ピリジン）₂、
Ｃｏ（ピリジン）₂、Ｆｅ（Ｎ−メチルイミダゾー
ル）、Ｃｏ（Ｎ−メチルイミダゾール）等の無置換また
は２配位の２価金属原子が挙げられる。

【０１６１】Ｍ¹で表される置換基を有する３価の金属
原子または半金属原子としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｙ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｌａ、Ｔａ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｉ
ｎ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ等の３価の無置換金属原子あるいは
無置換半金属原子に、置換基として前述のＲ¹〜Ｒ¹²で
示されるハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有し
ても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキ
シ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリー
ルチオ基、アミノ基と同様のハロゲン原子、ヒドロキシ
ル基、置換基を有しても良いアルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基、またはアルキ
ル基やアリール基で置換したシリルオキシ基より選択し
て結合した３価の金属原子または半金属原子、あるいは
置換基として前述の置換基と同様のハロゲン原子、置換
基を有しても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリ
ール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリ
ールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテ
ロアリールチオ基、アミノ基より選択して結合した３価
の金属原子または半金属原子に、配位子として置換また
は無置換の５員環含窒素芳香族化合物、６員環含窒素芳
香族化合物、縮環含窒素化合物等の複素環化合物、一酸
化炭素、アルコール等が配位した３価の金属原子が挙げ
られる。

【０１６２】アルキル基やアリール基で置換したシリル
オキシ基の例としては、トリメチルシリルオキシ基、ト
リエチルシリル基等のトリアルキルシリルオキシ基、ト
リフェニルシリルオキシ基等のトリアリールシリルオキ
シ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のアルキルア
リールシリルオキシ基等が挙げられる。

【０１６３】３価の金属原子の好適な具体的な例として
は、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇ
ａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−
Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔ
ｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｉ、Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₅、Ａｌ
−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₅、Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₄（Ｃ
Ｈ₃）、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣ₆Ｈ₅）、Ｍｎ〔ＯＳ
ｉ（ＣＨ₃）₃〕、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｃ₆Ｈ₄Ｆ、Ｆｅ−
Ｃ₆Ｈ₃Ｆ₂、Ｆｅ−Ｃ₆Ｈ₂Ｆ₃、Ｆｅ−Ｃ₆ＨＦ₄、Ｆｅ−
Ｃ₆Ｆ₅、Ｆｅ−Ｃ₆Ｈ₅、Ｆｅ−ＣＨ₃、Ｃｏ−ＣＨ₃、Ｃ
ｏ−Ｃ₆Ｈ₅、Ｍｎ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｃｌ（ビス（Ｎ−メチ
ルイミダゾール））、Ｆｅ−（イミダゾリルオキシ）、
Ｒｕ−Ｃｌ等の１置換の３価金属原子が挙げられる。

【０１６４】３価の半金属原子の好適な具体的な例とし
ては、Ｂ−Ｆ、Ｂ−ＯＣＨ₃、Ｂ−Ｃ₆Ｈ₅、Ｂ−Ｃ₆Ｈ₄
（ＣＨ₃）、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（ＯＣ₆Ｈ₅）、Ｂ〔ＯＳｉ
（ＣＨ₃）₃〕等の１置換の３価の半金属原子が挙げられ
る。

【０１６５】Ｍ¹で表される置換基を有する４価の金属
原子または半金属原子としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚ
ｒ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｓｉ等の４価の無置換金属原子あるい
は無置換半金属原子に、置換基として前述のＲ¹〜Ｒ¹²
で示されるハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有
しても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリール
オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロア
リールチオ基、アミノ基と同様のハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、置換基を有しても良いアルキル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基、またはア
ルキル基やアリール基で置換したシリルオキシ基より選
択して結合した４価の金属原子または半金属原子に、配
位子として置換または無置換の５員環含窒素芳香族化合
物、６員環含窒素芳香族化合物、縮環含窒素化合物等の
複素環化合物、一酸化炭素、アルコール等が配位してい
てもよい４価の金属原子が挙げられる。

【０１６６】４価の金属原子の好適な具体的な例として
は、ＴｉＦ₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ ₂、ＴｉＩ₂、ＣｒＦ
₂、ＣｒＣｌ₂、ＣｒＢｒ₂、ＣｒＩ₂、ＳｎＦ₂、ＳｎＣ
ｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＩ₂、ＺｒＦ₂、ＺｒＣｌ₂、Ｚｒ
Ｂｒ₂、ＺｒＩ₂、ＧｅＦ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、Ｇ
ｅＩ₂、ＭｎＦ₂、ＭｎＣｌ₂、ＭｎＢｒ₂、ＭｎＩ₂、Ｔ
ｉ（ＯＨ）₂、Ｃｒ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（ＯＨ）₂、Ｚｒ
（ＯＨ）₂、Ｇｅ（ＯＨ）₂、Ｍｎ（ＯＨ）₂、ＴｉＡ₂、
ＣｒＡ₂、ＳｎＡ₂、ＺｒＡ₂、ＧｅＡ₂、ＭｎＡ₂、Ｔｉ
（ＯＡ）₂、Ｃｒ（ＯＡ）₂、Ｓｎ（ＯＡ）₂、Ｚｒ（Ｏ
Ａ）₂、Ｇｅ（ＯＡ） ₂、Ｍｎ（ＯＡ）₂、Ｔｉ（Ｓ
Ａ）₂、Ｃｒ（ＳＡ）₂、Ｓｎ（ＳＡ）₂、Ｚｒ（Ｓ
Ａ）₂、Ｇｅ（ＳＡ）₂、Ｍｎ（ＳＡ）₂、Ｔｉ（ＮＨ
Ａ）₂、Ｃｒ（ＮＨＡ）₂、Ｓｎ（ＮＨＡ）₂、Ｚｒ（Ｎ
ＨＡ）₂、Ｇｅ（ＮＨＡ）₂、Ｍｎ（ＮＨＡ）₂、Ｔｉ
（ＮＡ₂）₂、Ｃｒ（ＮＡ₂）₂、Ｓｎ（ＮＡ₂）₂、Ｚｒ
（ＮＡ₂）₂、Ｇｅ（ＮＡ₂）₂、Ｍｎ（ＮＡ₂）₂〔Ａは、
前述のＲ¹〜Ｒ¹²で示されるアルキル基、アリール基、
ヘテロアリール基と同様の置換または無置換のアルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。〕等の２置
換の４価金属原子が挙げられる。

【０１６７】４価の半金属原子の好適な具体的な例とし
ては、ＳｉＦ₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、ＳｉＩ₂、Ｓｉ
（ＯＨ）₂、ＳｉＡ₂、Ｓｉ（ＯＡ）₂、Ｓｉ（ＳＡ）₂、
Ｓｉ（ＮＨＡ）₂、Ｓｉ（ＮＡ₂）₂〔Ａは、前述のＡを
意味する。〕等の２置換の４価半金属原子が挙げられ
る。

【０１６８】Ｍ¹で表されるオキシ金属原子の具体的な
例としては、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＯｓＯ₂等が挙げ
られる。

【０１６９】Ｍ¹として、好ましくは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、ＭｎＣｌ、ＣｏＣｌ、ＦｅＣ
ｌ、Ｆｅ（Ａ）、Ｆｅ（ＯＡ）、Ｃｏ（Ａ）、Ｃｏ（Ｏ
Ａ）、Ｃｕ（ピリジン）₂、Ｚｎ（ピリジン）₂、Ｃｏ
（ピリジン）₂、ＶＯ、ＴｉＯ、ＴｉＡ₂、ＳｉＡ₂、Ｓ
ｎＡ₂、ＲｕＡ₂、ＲｈＡ₂、ＧｅＡ₂、Ｓｉ（ＯＡ）₂、
Ｓｎ（ＯＡ）₂、Ｇｅ（ＯＡ）₂、Ｓｉ（ＳＡ）₂、Ｓｎ
（ＳＡ）₂、Ｇｅ（ＳＡ）₂〔Ａは、前述のＡを意味す
る。〕が挙げられる。

【０１７０】また、本発明においては、一般式（１）で
示される化合物としては、さらに一般式（３）で例示さ
れる化合物が好ましい例として挙げられる。

【０１７１】

【化１６】

【０１７２】〔式中、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキ
シル基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置
換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ
基、ジ置換アミノ基、アルコキシカルボニル基、アラル
キルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカ
ルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ヘテロアリー
ル基またはヘテロアリールオキシ基を表し、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴
の各置換基は隣接する置換基と連結基を介して、それぞ
れ併せて環を形成してもよく、Ｍ²はアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリールオキシ基から選択される置換
基、および／または一酸化炭素、アルコールから選択さ
れる配位子を有する２〜４価の金属原子を表す。〕

【０１７３】本発明の一般式（３）で表される化合物に
おいて、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴の具体例としては、水素原子；フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲ
ン原子；ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシル基；アミノ
基；カルボキシル基；メルカプト基等が挙げられる。

【０１７４】Ｒ¹³〜Ｒ²⁴の置換または無置換のアルキル
基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
キシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
ケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、
アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシル基、アシル
オキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコ
キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
ル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカル
ボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロアリールオキ
シ基の例としては、Ｒ¹〜Ｒ¹²と同様のアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ
基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリ
ールチオ基、アルケニルチオ基、アシル基、アシルオキ
シ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アルコキシ
カルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボ
ニル基、ヘテロアリール基またはヘテロアリールオキシ
基が挙げられる。

【０１７５】Ｒ¹³〜Ｒ²⁴が連結基を介して、それぞれ併
せて環を形成する際の連結基としては、Ｒ¹〜Ｒ¹²と同
様の連結基が挙げられる。

【０１７６】Ｍ²で表される置換基および／または配位
子を有する２〜４価の金属原子または半金属原子の例と
しては、前述のＭ¹と同様のアルキル基、アリール基、
ヘテロアリールオキシ基から選択される置換基、および
／または一酸化炭素、アルコールから選択される配位子
を有する２〜４価の金属原子が挙げられる。

【０１７７】本発明に用いられる一般式（１）で示され
る化合物は、限定されないが、例えば、Angew. Chem. I
nt. Ed. Engl. 26, 928-931 (1987)、J. Phys. Chem.,
98,11885-11891 (1994)等に記載の方法に準じて製造さ
れる。代表的には、以下のような反応にて製造すること
ができる。

【０１７８】一般式（２）あるいは一般式（３）で示さ
れるポルフィセンは、下式（８）および／または式
（９）で示される化合物を無水テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒中、亜鉛、塩化銅（Ｉ）等の金属および
／または金属塩、ピリジン等のアミン化合物、四塩化チ
タンから発生させた低原子価チタンまたは三塩化チタン
等のチタン化合物等を必要に応じて用い反応させ、式
（２）のＭ¹が２個の水素原子である式（１０）の本発
明の化合物を得る。

【０１７９】

【化１７】 ［式中、Ｒ²⁵〜Ｒ³⁶は、式（２）のＲ¹〜Ｒ¹²とそれぞ
れ同一の基を表す。］

【０１８０】続いて、エタノール等のアルコール系溶媒
および／またはジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジンー２
−オン等のアミド系溶媒などの有機溶媒中で、金属また
は半金属の酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩またはハロゲン化
塩、カルボニル化合物等を用い、空気などの酸化剤ある
いは非存在下で反応させることにより、式（２）または
式（３）の化合物を得ることができる。また、式（２）
の中心金属がハロゲンを置換基にもつ金属原子につい
て、アルキル化剤あるいはアリール化剤を作用させるこ
とで、中心金属がアルキル基またはアリール基で置換し
た金属原子である式（２）または式（３）の化合物を得
ることができる。

【０１８１】また、式（２）のＲ¹〜Ｒ¹²のうち、任意
の置換基が水素原子のものに関して、たとえば、ニトロ
化、ハロゲン化、ホルミル化、アミノ化、カルボキシル
化、ヒドロキシル化、アシル化、脱離反応、等の定法の
合成法により、選択された水素原子が任意の置換基に置
換され、更に必要に応じて還元、酸化、異性化、転位な
どの定法の合成法を用い、式（２）または式（３）の化
合物を得ることができる。

【０１８２】一般式（２）および一般式（３）で示され
るポルフィセン化合物の具体例については、例えば表−
１に記載する置換基を有する化合物（１−１）〜（１−
６４）等が挙げられる。なお、置換基等の表記は式
（２）に準じて示しているが、式（３）については式
（２）に包含されるものであり、対応する置換基等の読
み替えは自明である。

【０１８３】

【表１】

【０１８４】

【表２】

【０１８５】

【表３】

【０１８６】

【表４】

【０１８７】本発明の光記録媒体を構成している記録層
の色素は、実質的に１種またはそれ以上のポルフィセン
化合物、特に式（１）乃至式（３）の化合物からなるも
のであり、さらに、所望に応じて波長２９０ｎｍ〜６９
０ｎｍに吸収極大を持ち、３００ｎｍ〜７００ｎｍでの
屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具
体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合
物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、
テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール
系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合
物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合
物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、イン
ジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系
化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキ
サジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール
系、アザポルフィリン系、ポルフィリン系などがあり、
複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の
混合割合は、０．１質量％〜３０質量％程度である。

【０１８８】記録層を成膜する際に、必要に応じて式
（１）で表される化合物に、クエンチャー、化合物熱分
解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱性又は吸熱分解
性化合物、あるいは溶解性を向上させる高分子等の添加
剤を混合するか、あるいは、そのような効果を有する化
合物を式（１）で表される化合物の置換基として導入す
ることも可能である。

【０１８９】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【０１９０】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（ＣＯ）
₃］などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセ
ン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。

【０１９１】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【０１９２】吸熱性又は吸熱分解性化合物としては、特
開平１０−２９１３６６号公報記載の化合物、又は、該
公報に記載される置換基を有する化合物等が挙げられ
る。

【０１９３】上述した各種のクエンチャー、化合物熱分
解促進剤及び吸熱性又は吸熱分解性化合物は、必要に応
じて、１種類で用いても、２種類以上を混合して用いて
も良い。

【０１９４】あるいは、クエンチャー能、化合物熱分解
促進能、紫外線吸収能、接着能を有する化合物を式
（１）で表される化合物の置換基として導入することも
可能である。

【０１９５】すなわち、本発明の式（１）のポルフィセ
ン化合物残基に対して、クエンチャー能、化合物熱分解
促進能、紫外線吸収能、接着能、吸熱能又は吸熱分解能
を有する化合物残基が少なくとも一つの単結合、二重結
合、三重結合により、化学結合して一つの分子を形成し
てもよい。好ましくは、式（２）のポルフィセン系化合
物の各置換基Ｒ¹〜Ｒ¹²が式（１１）

【０１９６】−（Ｌⁿ）−（Ｊⁿ） （11） 〔式中、Ｌⁿは式（２）のポルフィセン系化合物への結
合部、すなわち単結合、または置換していてもよいメチ
レン基、メチン基、アミノ基、イミノ基、酸素原子また
は硫黄原子より少なくとも１種を選択して連結した原子
数１〜２０の原子鎖を表し、Ｊⁿはクエンチャー、化合
物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着能、吸熱能又は吸
熱分解能を有するＲ¹〜Ｒ¹²に対応する化合物残基を表
す。〕で表される置換基、または、式（２）の隣接する
置換基の組合せであるＲ¹とＲ²、Ｒ ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶、
Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²、Ｒ¹²とＲ¹、Ｒ²と
Ｒ³、Ｒ⁴とＲ⁵、Ｒ⁶とＲ⁷、Ｒ⁸とＲ⁹、Ｒ¹⁰とＲ¹¹につ
いて、式（１２）

【０１９７】 −（Ｌ^m1）−（Ｊ^m）−（Ｌ^m2）− （12） 〔式中、Ｌ^m1およびＬ^m2は隣り合い、且つ式（２）のポ
ルフィセン系化合物への結合部、すなわち単結合、また
は置換していてもよいメチレン基、メチン基、アミノ
基、イミノ基、酸素原子または硫黄原子より少なくとも
１種を選択して連結した原子数１〜２０の原子鎖を表
し、Ｊ^mはクエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線
吸収剤、接着能、吸熱能又は吸熱分解能を有するＲ¹〜
Ｒ¹²に対応する化合物残基を表す。〕で表される置換基
が挙げられる。

【０１９８】Ｌⁿ、Ｌ^m1、Ｌ^m2の好ましい原子鎖の例と
しては、単結合、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ₂−、−Ｃ（＝
Ｏ）−ＯＣＨ（ＣＨ₃）−、−ＯＣＨ₂−、−ＯＣＨ（Ｃ
Ｈ₃）−、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）
−、−ＣＨ（ＣＨ₃）ＯＣＨ（ＣＨ₃）−、−Ｏ−Ｃ（＝
Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｃ（＝Ｏ）
−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−等が挙げられる。

【０１９９】Ｊⁿ、Ｊ^mの好ましい例としては、フェロセ
ン残基、コバルトセン残基、ニッケロセン残基、ルテノ
セン残基、オスモセン残基、チタノセン残基等のメタロ
セン残基が挙げられる。

【０２００】式（１１）の好適な骨格例としては、以下
の金属錯体残基が挙げられる。

【０２０１】

【化１８】

【０２０２】（Ｍ’は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ
またはＭ”Ｚ’₂（Ｍ”はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｖを表し、Ｚ’は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、上
述のＲ ¹〜Ｒ¹²と同様の置換基を有する炭素数１〜１０
のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基を示す）を
表す。）

【０２０３】また、式（１２）の好適な骨格例として
は、以下の金属錯体残基が挙げられる。

【０２０４】

【化１９】 （Ｍ’は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＯｓまたはＭ”
Ｚ’₂（Ｍ”はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖを表
し、Ｚ’は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、上述のＲ ¹〜
Ｒ¹²と同様の置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ラルキル基、アラルキルオキシ基を示す）を表す。）

【０２０５】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【０２０６】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【０２０７】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、３０質量％以上、好
ましくは６０質量％以上である。尚、実質的に１００質
量％であることも好ましい。

【０２０８】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。

【０２０９】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０質量
％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。

【０２１０】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【０２１１】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【０２１２】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を３０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が１０００ｎ
ｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化
する場合がある。

【０２１３】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、ＴａおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｇ、Ａｌは
反射率が高く反射層の材料として適している。青色レー
ザーでの記録・再生を行う場合には、ＡｌまたはＡｇが
好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良
い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ
などの金属および半金属を挙げることができる。また、
ＡｇまたはＡｌを主成分とするものは反射率の高い反射
層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で
低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜
を形成し、反射層として用いることも可能である。

【０２１４】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０２１５】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、
ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂などが挙げられる。また、有
機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。紫外線硬化
性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液
を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射し
て硬化させることによって形成することができる。紫外
線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
などのアクリレート樹脂を用いることができる。これら
の材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だ
けでなく多層膜にして用いても良い。

【０２１６】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０２１７】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【０２１８】保護層の上にさらにレーベル、バーコード
などの印刷を行うこともできる。

【０２１９】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【０２２０】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０２２１】また、図３のような光記録媒体を作製する
場合、基板の上に、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの厚
さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性を
よくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接
着層を設けることができる。反射層の材料としては、再
生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｌ、Ａ
ｇ、ＮｉおよびＰｔの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもＡｇ、Ａｌは反射率
が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必
要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａなどの金属および半金属を
挙げることができる。ＡｇまたはＡｌを主成分とするも
ので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適で
ある。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を
交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いる
ことも可能である。

【０２２２】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０２２３】次に、記録層を反射層の上に成膜する際
に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上さ
せるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層
を設けても良い。

【０２２４】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量
を選択することができるが、通常、３０質量％以上、好
ましくは６０質量％以上である。尚、実質的に１００質
量％であることも好ましい。

【０２２５】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。

【０２２６】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０質量
％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
反射層にダメージを与えないものを選ぶことが好まし
い。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフ
ルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチル
シクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶
媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水
素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエ
タン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶
媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセ
トン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなど
のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステ
ル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いて
も良く、あるいは、複数混合しても良い。

【０２２７】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【０２２８】また、反射層にダメージを与えない溶媒を
選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸
着法などが有効である。

【０２２９】記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎ
ｍであるが、好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、
記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合
がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射
率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。

【０２３０】さらに、記録層の上に形成する保護層の材
料としては記録層を外力や雰囲気など、外部からの悪影
響から保護するものであれば特に限定しない。無機物質
としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、Ｓｎ
Ｏ₂などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬
化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製し
た後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形
成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもし
くは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗
布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによっ
て形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、
例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂
を用いることができる。これらの材料は単独であるいは
混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用
いても良い。

【０２３１】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０２３２】保護層の膜厚は、一般には０．０１μｍ〜
１０００μｍの範囲であるが、場合により０.１μｍ〜
１００μｍ、さらには、１μｍ〜２０μｍとすることが
できる。

【０２３３】また、基板面に保護シートまたは反射層を
貼り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【０２３４】保護層面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０２３５】本発明の光記録媒体において、媒体全体を
保護する目的で、例えば、フロッピー（登録商標）ディ
スクや光磁気ディスクなどに見られるようにディスクを
保護するケース型の保護ユニットを設置しても構わな
い。材質はプラスチックや、アルミニウムなどの金属を
使用することができる。

【０２３６】基材の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。支持基板の材質
としては、図４に示すように基板１１を通じて青紫色レ
ーザーの照射が行われる場合も加味すると、例えば、ア
クリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料
やガラス等の無機材料などの透明な材料が利用される。
一方、図５に示す構成のように、基板１１’とは逆の光
透過層１５’側からレーザー照射が行われる場合、基板
の材質としては光学的諸要件を満たす必要はなく、より
広範な材料から選択することができる。基板に要求され
る機械的特性、また基板生産性の観点からは、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の
射出成型或いはキャスト成型可能な材料が好ましい。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形してもよい。

【０２３７】また、必要に応じて、これらの基板の表層
には、サブミクロンオーダーの案内溝及び／又はプレピ
ットが螺旋状又は同心円上に形成されていても良い。こ
れら案内溝及びプレピットは、基板形成時に付与されて
いるのが好ましく、スタンパー原盤を用いての射出成型
や、フォトポリマーを用いた熱転写法により付与するこ
とができる。尚、図５における光透過層１５’に案内溝
及び／又はプレピットを形成しても良く、付与する場合
も同様の方法を適用できる。案内溝のピッチ及び深さ
は、ＤＶＤよりも高密度記録を行うＨＤ−ＤＶＤＲの場
合、ピッチとして０．２５〜０．８０μｍ、深さとして
２０〜１５０ｎｍの範囲から選択するのが好ましい。

【０２３８】通常、光ディスクとして用いる場合は、厚
さ１．２ｍｍ程度、直径８０ないし１２０ｍｍ程度の円
盤状であってもよく、中央に直径１５ｍｍ程度の穴が開
いていても構わない。

【０２３９】ここで、本発明で言う波長３００ｎｍ〜５
００ｎｍおよび５００〜７００ｎｍのレーザーは、特に
制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択
のできる色素レーザーや、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（６３３
ｎｍ）、窒素レーザー（３３７ｎｍ）等のガスレーザ
ー、波長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波
長４５７ｎｍあるいは４８８ｎｍのアルゴンレーザー等
のイオンレーザー、波長４００〜４１０ｎｍののＧａＮ
系レーザー、ＣｒドープしたＬｉＳｎＡｌＦ₆を用いた
波長８６０ｎｍの赤外線レーザーの第２高調波４３０ｎ
ｍを発振するレーザー他、波長４１５、４２５、６０
２、６１２、６３５、６４７、６５０、６６０、６７
０、６８０ｎｍ等の可視半導体レーザー等の半導体レー
ザー等が挙げられる。本発明では、上述の半導体レーザ
ー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応
じて適宜選択することができる。高密度記録および再生
は各々、上述の該半導体レーザーから選択される１波長
または複数波長において可能となる。

【０２４０】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【０２４１】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、表−１記載の化
合物（１−１）をポリカーボネート樹脂製で連続した案
内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１
２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、真空
蒸着法にて厚さ７０ｎｍとなるように成膜した。

【０２４２】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いて銀をスパッタし、厚さ
１００nｍの反射層を形成した。スパッタガスにはアル
ゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１
０^-2Ｔｏｒｒ）で行った。

【０２４３】さらに、反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ
−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−３０１（大日本
インキ化学工業製）をスピンコートした後、前記基板と
同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、
紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【０２４４】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のように評価試験を行った。

【０２４５】波長４０３ｎｍ、開口数０．６５の青色レ
ーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数９．７
ＭＨｚ、記録レーザーパワー８．５ｍＷ、線速９．０ｍ
／ｓ、最短ピット長０．４６μｍとして記録を行った。
良好にピットが形成され、記録できた。記録後、同評価
装置により、再生レーザーパワー０．６ｍＷにて線速
９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、ピットを読み取る
ことができた。、再生を繰り返し１０００回以上行った
が、ピットを読み取ることができ、再生光安定性に優れ
ていた。

【０２４６】また、４万ルクスのＸｅ光を１００時間当
てる耐光性試験を行った。試験後も、ピットを読み取る
ことができた。

【０２４７】更に湿度８５％ＲＨ、８０℃の雰囲気下で
放置する耐湿熱性試験を２００時間行った。試験後もピ
ットを読み取ることができた。

【０２４８】実施例２ 実施例１に従い作製した光記録媒体に、記録レーザーパ
ワーを６．５ｍＷとした以外は実施例１と同様に記録と
再生を行った。実施例１と同様に良好にピットを形成
し、ピットを読み取ることができた。また、再生光安定
性に優れていた。

【０２４９】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２５０】実施例３ 実施例１に従い作製した光記録媒体に、記録レーザーパ
ワーを７．５ｍＷとした以外は実施例１と同様に記録と
再生を行った。良好にピットを形成し、ピットを読み取
ることができた。また、再生光安定性に優れていた。

【０２５１】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２５２】実施例４ 実施例１に従い作製した光記録媒体を評価するにあた
り、０．６ｍｍ厚に対応した波長６６０ｎｍ半導体レー
ザーヘッドを搭載した評価機を用いて、線速３．５ｍ／
ｓ、記録レーザーパワー８ｍＷで最短ピット長０．４０
μｍになるように記録を行った。良好にピットを形成
し、記録できた。記録後、同評価装置を用いて再生を行
ったところ、ピットを読み取ることができた。また、再
生光安定性に優れていた。

【０２５３】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２５４】実施例５〜３７ 記録層に表−１に示した化合物（１−２）〜（１−３
４）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、ピットを読み取ることができた。
また、再生光安定性に優れていた。

【０２５５】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２５６】実施例３８〜７０ 記録層に表−１に示した化合物（１−２）〜（１−３
４）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例４と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、また、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。

【０２５７】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２５８】実施例７１ 記録層用に表−１に示した化合物（１−３５）０．２g
をジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し、色素溶液
を調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続し
た案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ)を有する外
径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用い
た。この基板上に色素溶液を回転速度１５００ｍｉｎ^-1
でスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して、記録層を
形成した。この記録層上にバルザース社製スパッタ装置
（ＣＤI−９００）を用いて銀をスパッタし、厚さ１０
０ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴン
ガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５
ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１０^-2Ｔ
ｏｒｒ）で行った。

【０２５９】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−
１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−３０１（大日本
インキ化学工業製）をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。

【０２６０】次に、実施例１と同様に記録と再生を行っ
た。良好にピットを形成し、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。

【０２６１】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２６２】実施例７２〜７７ 記録層に表−１に示した化合物（１−３６）〜（１−４
１）を用いること以外は実施例７１と同様にして光記録
媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。
その結果、良好にピットを形成し、ピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性に優れていた。

【０２６３】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２６４】実施例７８〜８３ 記録層に表−１に示した化合物（１−３６）〜（１−４
１）を用いること以外は実施例７１と同様にして光記録
媒体を作製し、実施例４と同様に記録と再生を行った。
その結果、良好にピットを形成し、ピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性に優れていた。

【０２６５】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２６６】実施例８４ 記録層用に表−１に示した化合物（１−４２）０．２ｇ
を２，２，３−テトラフルオロプロパノール１０ｍｌに
溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカーボネー
ト樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４
μｍ）を有する外径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円
盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回転速度
１５００ｍｉｎ^-1でスピンコートし、７０℃３時間乾燥
して、記録層を形成した。この記録層上にバルザース社
製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いて銀をスパッ
タし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガ
スにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッ
タパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ
（１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ）で行った。

【０２６７】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−
１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更
に、保護層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−３０１（大日本
インキ化学工業製）をスピンコートした後、前記基板と
同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射し
て基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。

【０２６８】次に、実施例１と同様に記録と再生を行っ
た。良好にピットを形成し、ピットを読み取ることがで
きた。また、再生光安定性に優れていた。

【０２６９】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２７０】実施例８５ 実施例８４に従い光記録媒体を作製し、実施例４と同様
に記録と再生を行った。良好にピットを形成し、ピット
を読み取ることができた。また、再生光安定性に優れて
いた。

【０２７１】耐光性試験および耐湿熱性試験後もピット
を読み取ることができた。

【０２７２】実施例８６〜９７ 記録層に表−１に示した化合物（１−４３）〜（１−５
４）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。優
れたピットを形成し、高Ｃ／Ｎ比でピットを読み取るこ
とができた。また、再生光安定性は非常に優れていた。
耐光性試験および耐湿熱性試験後もピットを読み取るこ
とができた。

【０２７３】実施例９８〜１０７ 記録層に表−１に示した化合物（１−５５）〜（１−６
４）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。良
好にピットを形成し、ピットを読み取ることができた。
また、再生光安定性に優れていた。耐光性試験および耐
湿熱性試験後もピットを読み取ることができた。

【０２７４】比較例１ 化合物（１−４２）の代わりに、式（ａ）

【０２７５】

【化２０】

【０２７６】の化合物を用いた以外は、実施例８４と同
様にして、光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録
と再生を行った。Ｃ／Ｎ比が２０ｄＢ以下と低く再生が
困難であった。

【０２７７】実施例１〜１０７に記載されるように、本
発明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域ならびに赤
色レーザー波長領域のいずれにおいても、記録再生が可
能であり、また、耐光性および耐湿熱性とも優れてい
る。

【０２７８】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、波長３００〜５００ｎｍおよ
び／または５００〜７００ｎｍから選択されるレーザー
光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は
波長３００〜５００ｎｍおよび／または５００〜７００
ｎｍから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記
録媒体に用いることができる。

【０２７９】

【発明の効果】本発明によれば、本発明のポルフィセン
化合物を記録層として用いることにより、高密度光記録
媒体として非常に注目されている波長３００〜５００ｎ
ｍレーザー、特に波長４００〜４１０ｎｍ青紫色レーザ
ーでの記録および再生、ならびに映画等２時間以上の動
画の録画用に用いられる波長５００〜７００ｎｍでの記
録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一構成例を示す模式図で
ある。

【図２】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式
図である。

【図３】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す
模式図である。

【図４】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式
図である。

【図５】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す
模式図である。

【図６】本発明の課題を説明する概念図である。

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：記録層 ３ ：反射層 ４ ：保護層 ５ ：接着層 １１ ：基板 １２ ：記録層 １３ ：反射層 １４ ：保護層 １５ ：ダミー基板層 １１’：支持基板 １２’：記録層 １３’：反射層 １４’：透明保護層 １５’：光透過層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 忍 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 塚原 宇 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 西本 泰三 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 小池 正士 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FB45 4C050 PA20 5D029 JA04

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属錯体化していてもよいポルフィセン
   化合物より、少なくとも１種以上の化合物を選択して記
   録層に含有してなる光記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に記録層として有機色素層を有す
   る光記録媒体において、該有機色素層中に、上記化合物
   より少なくとも１種以上の化合物を選択して含有する請
   求項１の光記録媒体。
3. 【請求項３】 ポルフィセン化合物が一般式（１）で表
   される請求項１または２の光記録媒体。 【化１】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有
   していてもよいピロール環を表し、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、
   Ｘ⁴、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
   ン基を表し、Ｍは２個の水素原子、置換基または配位子
   を有していてもよい２〜４価の金属原子または半金属原
   子、オキシ金属原子を表す。〕
4. 【請求項４】 ポルフィセン化合物が一般式（２）で表
   される請求項３の光記録媒体。 【化２】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
   ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
   換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
   ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
   キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
   キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
   ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
   ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
   ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
   キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
   換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
   アリールオキシ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²の各置換基は隣接
   する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
   してもよく、Ｍ¹は２個の水素原子、置換基または配位
   子を有していてもよい２〜４価の金属原子または半金属
   原子、オキシ金属原子を表す。〕
5. 【請求項５】 ポルフィセン化合物が一般式（３）で表
   される請求項４の光記録媒体。 【化３】 〔式中、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
   ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
   換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
   ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
   キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
   キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
   ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
   ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
   ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
   キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
   換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
   アリールオキシ基を表し、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴の各置換基は隣接
   する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
   してもよく、Ｍ²はアルキル基、アリール基、ヘテロア
   リールオキシ基から選択される置換基、および／または
   一酸化炭素、アルコールから選択される配位子を有する
   ２〜４価の金属原子を表す。〕
6. 【請求項６】 波長３００ｎｍ〜５００ｎｍおよび／ま
   たは５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲から選択されるレー
   ザー光に対して記録および再生が可能である請求項1乃
   至５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍおよび／ま
   たは６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲から選択されるレー
   ザー光に対して記録および再生が可能である請求項６に
   記載の光記録媒体。
8. 【請求項８】 波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍおよび／ま
   たは６３５ｎｍ〜６６０ｎｍの範囲から選択されるレー
   ザー光に対して記録および再生が可能である請求項７に
   記載の光記録媒体。
9. 【請求項９】 一般式（１）で表されるポルフィセン化
   合物。 【化４】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有
   していてもよいピロール環を表し、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、
   Ｘ⁴、はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチ
   ン基を表し、Ｍは２個の水素原子、置換基または配位子
   を有していてもよい２〜４価の金属原子または半金属原
   子、オキシ金属原子を表す。〕
10. 【請求項１０】 一般式（２）で表される請求項９の化
    合物。 【化５】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
    ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
    ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
    換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
    ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
    キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
    キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
    ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
    ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
    ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
    キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
    換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
    アリールオキシ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²の各置換基は隣接
    する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
    してもよく、Ｍ¹は２個の水素原子、置換基または配位
    子を有していてもよい２〜４価の金属原子または半金属
    原子、オキシ金属原子を表す。〕
11. 【請求項１１】 一般式（３）で表される請求項１０の
    化合物。 【化６】 〔式中、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
    ゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミ
    ノ基、カルボキシル基、メルカプト基、置換または無置
    換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
    ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
    キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
    キルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、アシ
    ル基、アシルオキシ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
    ノ基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
    ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
    キシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置
    換アミノカルボニル基、ヘテロアリール基またはヘテロ
    アリールオキシ基を表し、Ｒ¹³〜Ｒ²⁴の各置換基は隣接
    する置換基と連結基を介して、それぞれ併せて環を形成
    してもよく、Ｍ²はアルキル基、アリール基、ヘテロア
    リールオキシ基から選択される置換基、および／または
    一酸化炭素、アルコールから選択される配位子を有する
    ２〜４価の金属原子を表す。〕
12. 【請求項１２】 Ｍ²が、アリール基を有する金属原子
    である、請求項１１の化合物。