JP2002160452A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長３００〜５００ｎｍのレーザーで良好な
記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に記録層として有機色素層を有す
る光記録媒体において、該有機色素層に、トリアジン系
化合物を少なくとも一種含有する光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に可視レーザーの１種である青色レー
ザー光により記録・再生可能である化合物含有の追記型
光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が広く普及している。
ＣＤ−Ｒの記録容量は６８０ＭＢ程度であるが、情報量
の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密度化お
よび大容量化への要求は高まっている。

【０００３】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８
０ｎｍ、６６０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤
色半導体レーザーが実用化されている〔例えば、日経エ
レクトロニクスＮｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１
０月１１日号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時
間以上の動画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されて
いる。ＤＶＤは再生専用媒体であるため、この容量に対
応する追記型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んで
いる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色領域に発振波長を有する
半導体レーザーの開発も急速に進んでおり〔例えば、日
経エレクトロニクスＮｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９
８年１月２６日号〕、それに対応した追記型光記録媒体
の開発も行われている。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、青色半導体レーザー波長を
用いて記録する場合、記録層の屈折率も低く、消衰係数
も適度な値ではないため、記録特性の高いものが得られ
ない。そのため、記録層に用いる化合物には青色半導体
レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切な化合物
を選択する必要がある。現在のところ、青色半導体レー
ザー記録用の有機色素化合物の例として、特開平４−７
４６９０号公報および特開平６−４０１６１号公報記載
のシアニン系色素化合物や、特開平７−３０４２５６号
公報、特開平７−３０４２５７号公報、特開平８−１２
７１７４号公報、特開平１１−１０１９５３号公報、特
開平１１−１４４３１２号公報に記載のポルフィリン系
色素化合物の他、特開平４−７８５７６号公報および特
開平４−８９２７９号公報記載のポリエン系色素化合
物、特開平１１−３４４８９号公報記載のスチリル系色
素化合物、特開平１１−７８２３９号公報記載のインジ
ゴイド系色素化合物、特開平１１−１０５４２３号公報
記載のシアノエテン系色素化合物、特開平１１−１１０
８１５号公報記載のスクアリリウム系色素化合物などが
提案されている。

【０００６】また、記録層形成用の有機色素としてポル
フィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層お
よび銀を主体とする金属反射層の２層が構成された特開
平１１−５３７５８号公報記載の光記録媒体や、青色レ
ーザーに感応するシアニン系色素などを含有した青色感
応色素層ならびに赤色感応色素層または赤外感応色素層
を有することで、２波長領域の記録を可能とする特開平
１１−２０３７２９号公報記載の光記録媒体等、層構造
を改良した各種光記録媒体も提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】最近の状況として、波
長４００〜４１０ｎｍの青紫色半導体レーザーが開発さ
れ、該レーザーでの光記録による１５〜３０ＧＢ容量の
超高密度記録が可能であることから、該波長レーザーに
最適な追記型光記録媒体開発の動きが活発化している
〔例えば、日経エレクトロニクスＮｏ．７３６、ｐ．３
３、１９９９年２月８日号、同Ｎｏ．７４１、ｐ．２
８、１９９９年４月１９日号、同Ｎｏ．７４８、ｐ．１
９、１９９９年７月２６日号、同Ｎｏ．７５１、ｐ．１
１７、１９９９年９月６日号、同Ｎｏ．７７２、ｐ．５
７、２０００年６月１９日号、同Ｎｏ．７７４、ｐ．１
４１、２０００年７月１７日号、同Ｎｏ．７８０、ｐ．
４９、２０００年１０月９日号〕。しかしながら、前述
の青色半導体レーザー用光記録媒体では波長４００〜４
１０ｎｍのレーザー光に対して十分に適応していないの
が実情である。すなわち、前述の有機色素を使用した媒
体では、記録した信号の再生について、搬送波と雑音の
比（Ｃ／Ｎ）が必ずしも良好な値でないために、信号の
読み出しが必ずしも満足に行えないなどの問題を有して
いることをわれわれは見いだした。この問題を克服し、
波長４００〜４１０ｎｍのレーザー光で高密度記録・再
生可能な光記録媒体の開発が急務となっていた。

【０００８】本発明の目的は、青色半導体レーザー光、
殊に波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される
可視領域のレーザー光で良好な記録および再生が可能な
超高密度記録に適した記録層を有する光記録媒体を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上の記録層に記録
用色素を含有する光記録媒体において、該記録用色素
として、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示さ
れる化合物を少なくとも１種用いる光記録媒体、および
波長３００〜５００ｎｍ、特に波長４００〜５００ｎ
ｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択
されるレーザー光により記録および再生が可能である前
記の光記録媒体に関するものである。

【００１０】

【化３】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ独立に置換基を有し
ていても良い芳香環を表し、且つ、少なくとも一つの環
がジ置換アミノ基により置換された芳香環を表す。〕

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、光記録媒体の記録層中
に記録用色素としてトリアジン系化合物を少なくとも１
種含有することを特徴とする光記録媒体に関し、波長３
００〜５００ｎｍ、特に波長４００ｎｍ〜５００ｎｍ、
更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択され
るレーザー光に対して記録および再生が可能である新規
な光記録媒体に関するものである。

【００１２】本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録
して再生することのできる光記録媒体を示すものであ
る。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層
を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。

【００１３】本発明の光記録媒体は、例えば、図１に示
すような基板１、記録層２、反射層３、及び保護層４が
順次積層している４層構造を有しているか、図２に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、図２に示す
媒体は、基板１上に記録層２が形成されており、その上
に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に
接着層５を介して保護層４が貼り合わされている構造を
有しているものである。但し、記録層２の下、又は上に
別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があって
も構わない。また、図３に示すように基板１、反射層
３、記録層２、保護層４の順に積層し、保護層側から記
録再生する構造であっても良い。また、特開平１０−３
２６４３５号公報記載のように光透過層の厚みが、再生
系のレーザー光源波長λ、および、対物レンズの開口数
Ｎ．Ａ．により規定された媒体構造であっても構わな
い。また、本発明の光記録媒体は、必要に応じて特開平
１１−２０３７２９号公報記載のように記録層を２種以
上有する構造であっても構わない。

【００１４】基材の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形してもよい。必要に応じて、基板表面に案内溝やピ
ットを形成することもある。このような案内溝やピット
は、基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の
上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１５】通常、光ディスクとして用いる場合は、厚
さ１．２ｍｍ程度、直径８０ｍｍ乃至１２０ｍｍ程度の
円盤状であってもよく、中央に直径１５ｍｍ程度の穴が
開いていても構わない。

【００１６】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、トリアジン化合物、特に一般
式（１）で示される化合物を記録用色素として少なくと
も１種含有するものである。ここで、記録用色素とは、
レーザー光の照射によりそれ自体が熱分解、昇華などが
誘発され、記録層の変化、或いは形状変化（ピット形
成）などにより反射率の変化する部分を形成できる色素
である。本発明の光記録媒体は、特に波長４００ｎｍ〜
５００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レ
ーザー波長に対して記録・再生が可能であり、中でも、
波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される記録
レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好な信
号特性が得られる光記録媒体である。

【００１７】本発明記載の一般式（１）で表される化合
物は、置換基の選択により吸収波長を任意に選択できる
ため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な
光学定数を満足することのできる極めて有用な記録用色
素である。

【００１８】以下、本発明について、さらに詳細に述べ
る。本発明記載の一般式（１）で表される化合物につい
て、環Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基を有していても良い
芳香環について、具体的な置換基の例としては、水素原
子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリー
ルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリ
ールチオ基等が挙げられる。

【００１９】また、芳香環上の各置換基は、隣接する置
換基と互いに結合してよく、具体的には脂肪族縮合、あ
るいは芳香族縮合による環の形成が挙げられる。

【００２０】本発明において、一般式（１）で表される
化合物としては、下記一般式（２）で例示される化合物
が好ましい例として挙げられる。

【００２１】

【化４】

【００２２】〔式中、置換基Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立
に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、アラル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチ
オ基、アリールチオ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²の各置換基
は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても
良い脂環、芳香環または複素環を形成してもよく、置換
基Ｌ¹〜Ｌ⁶はそれぞれ独立に、置換または無置換のアル
キル基、アラルキル基、アリール基を表し、Ｌ¹〜Ｌ⁶の
各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を
有しても良い脂環または複素環を形成してもよい。ま
た、Ｌ¹とＲ¹、Ｌ²とＲ²、Ｌ³とＲ³、Ｌ⁴とＲ⁴、Ｌ⁵と
Ｒ⁵、Ｌ⁶とＲ⁶は、互いに結合して置換基を有しても良
い脂環または複素環を形成してもよい。〕

【００２３】本発明の一般式（２）で表される化合物に
おいて、Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ
−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル
基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、
１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチ
ル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、
３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル
基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチ
ル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブ
チル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基１−
エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、
１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メ
チルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、
２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メ
チルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメ
チルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル
基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメ
チルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、
ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、
４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシ
ル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチル
オクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチル
オクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチ
ルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘ
プチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，
５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−
２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−
２，２−ジメチルプロピル基などの炭素数１〜１５の無
置換の直鎖、分岐または環状のアルキル基；

【００２４】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換され
た炭素数１〜１０のアルキル基；

【００２５】ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチ
ル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチ
ル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−
ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−
３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキ
シプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオ
キシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒド
ロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒド
ロキシ基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基；ヒ
ドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル
基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）
−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−
ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ
−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシ
ブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ
基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；ヒドロキ
シメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエト
キシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキシ−１’−メ
チルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチ
ル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエ
トキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、
［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）
−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒド
ロキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜
１０のアルキル基；

【００２６】シアノメチル基、２−シアノエチル基、３
−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ
−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプ
ロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−
ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シ
クロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−
シアノブチル基などのシアノ基で置換された炭素数２〜
１０のアルキル基；メトキシメチル基、エトキシメチル
基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシ
エチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブ
トキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−
メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブト
キシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル
基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリ
メチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル
−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、（２
−エトキシ−１−メチル）エチル基、３−メトキシブチ
ル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル
基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基な
どのアルコキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルキ
ル基；

【００２７】メトキシメトキシメチル基、メトキシエト
キシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシ
エトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロ
ヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロ
ポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エ
トキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブ
トキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチ
ルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエ
トキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチ
ルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−ト
リフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，
３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１５のア
ルキル基；メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキ
シエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキ
シエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シク
ロヘキシルオキシエチル基、プロポキシプロポキシプロ
ポキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキ
シ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリク
ロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基などのアルコ
キシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数４〜１
５のアルキル基；

【００２８】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジ
オキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−
ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で
置換された炭素数２〜１０のアルキル基；ホルミルオキ
シメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシ
エチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル
基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エ
チル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキ
シ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチ
ル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのア
シルオキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルキル
基；ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエト
キシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、
バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサ
ノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリ
メチルヘキサノイルオキシ）ブトキシエチル基、（３，
５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチ
ル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエ
チル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエ
チル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換された炭
素数３〜１５のアルキル基；

【００２９】アセトキシメトキシメトキシメチル基、ア
セトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシ
エトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）
エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２
−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチ
ル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエト
キシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ
基で置換された炭素数５〜１５のアルキル基；メトキシ
カルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブ
トキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル
基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニル
エチル基、（ｐ−エチルシクロヘキシルオキシカルボニ
ル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフル
オロプロポキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，
３−テトラクロロプロポキシカルボニル）メチル基など
のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１５
のアルキル基；

【００３０】フェノキシカルボニルメチル基、フェノキ
シカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカ
ルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル
基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリー
ルオキシカルボニル基で置換された炭素数８〜１５のア
ルキル基；ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジ
ルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボ
ニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオ
キシカルボニル）メチル基などの炭素数９〜１５のアラ
ルキルオキシカルボニル基で置換された炭素数９〜１５
のアルキル基；ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニ
ルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニル
メチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアル
ケニルオキシカルボニル基で置換された炭素数４〜１０
のアルキル基；

【００３１】メトキシカルボニルオキシメチル基、メト
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオ
キシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキ
シ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカル
ボニルオキシ）エチル基などの炭素数３〜１５のアルコ
キシカルボニルオキシ基で置換されたアルキル基；メト
キシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカル
ボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシエ
トキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−ト
リクロロエトキシエトキシカルボニルオキシ）エチル基
などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換
された炭素数４〜１５のアルキル基；

【００３２】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基で置換
された炭素数３〜２０のアルキル基；

【００３３】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換された炭素数３〜１０のアルキル基；メチルスルホン
アミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチ
ルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエ
チル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキ
ルスルホンアミノ基で置換された炭素数２〜１０のアル
キル基；

【００３４】メチルスルホニルメチル基、エチルスルホ
ニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスル
ホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルス
ルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチ
ル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロピル）ス
ルホニルメチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプ
ロピル）スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル
基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；ベンゼン
スルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベ
ンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチ
ル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニ
ルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエン
スルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キ
シレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピ
ル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスル
ホニル基で置換された炭素数７〜１２のアルキル基；チ
アジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノ
メチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチ
ル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホ
リノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾ
リノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で
置換された炭素数２〜１３のアルキル基；

【００３５】フェロセニルメチル基、フェロセニルエチ
ル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−
ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フ
ェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ
−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニ
ル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル
基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル
−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、
フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセ
ニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシク
ロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロ
セニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メ
チルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル
基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニ
ル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３
−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチル
ブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、
フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニ
ル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エ
チルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フ
ェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，
２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，
２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−
２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル
基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２
−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシ
ル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセ
ニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−
ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、
フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−
２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，
５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジ
メチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメ
チルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチ
ルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセ
ニル−ｎ−デシル基、

【００３６】コバルトセニルメチル基、コバルトセニル
エチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルト
セニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブ
チル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルト
セニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチ
ル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニ
ル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチル
ブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバ
ルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−
ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチ
ルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバ
ルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メ
チルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル
基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルト
セニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，
３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメ
チルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチ
ル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コ
バルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセ
ニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３
−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル
基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセ
ニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニ
ル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル
−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニル
シクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、
コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニ
ル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチ
ルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル
基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コ
バルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−
エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチル
ヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチル
ペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチ
ル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシ
ル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル
−ｎ−デシル基、

【００３７】ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニル
エチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロ
セニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブ
チル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロ
セニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチ
ル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニ
ル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチル
ブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッ
ケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−
ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチ
ルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッ
ケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メ
チルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル
基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロ
セニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，
３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメ
チルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチ
ル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニ
ッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセ
ニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３
−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル
基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセ
ニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニ
ル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル
−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニル
シクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、
ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニ
ル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチ
ルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル
基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニ
ッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−
エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチル
ヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチル
ペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチ
ル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシ
ル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル
−ｎ−デシル基、

【００３８】ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロ
ロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフ
ルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロ
ジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチ
ル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シク
ロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペン
タジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シク
ロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビ
ス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基
などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のア
ルキル基；

【００３９】フェロセニルメトキシメチル基、フェロセ
ニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル
基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメト
キシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フ
ェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシ
オクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセ
ニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル
基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエト
キシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェ
ロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘ
キシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセ
ニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル
基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロ
ポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フ
ェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポ
キシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フ
ェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポ
キシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、
フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポ
キシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロ
セニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピ
ル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブ
トキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、
フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキ
シオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロ
セニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメ
チル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセ
ニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキ
シブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フ
ェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシ
ルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチ
ル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニ
ルデシルオキシデシル基；

【００４０】コバルトセニルメトキシメチル基、コバル
トセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプ
ロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルト
セニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘ
キシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバル
トセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシ
ノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルト
セニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチ
ル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセ
ニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチ
ル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセ
ニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオク
チル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセ
ニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチ
ル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセ
ニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシ
ブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバ
ルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロ
ポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル
基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニ
ルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル
基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニル
ブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル
基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニ
ルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチ
ル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセ
ニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル
基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセ
ニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキ
シプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、
コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニ
ルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキ
シヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル
基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセ
ニルデシルオキシデシル基；

【００４１】ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケ
ロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプ
ロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロ
セニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘ
キシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケ
ロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシ
ノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロ
セニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチ
ル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセ
ニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチ
ル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセ
ニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオク
チル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセ
ニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチ
ル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセ
ニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシ
ブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッ
ケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロ
ポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル
基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニ
ルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル
基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニル
ブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル
基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニ
ルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチ
ル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセ
ニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル
基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキ
シプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、
ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニ
ルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキ
シヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル
基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセ
ニルデシルオキシデシル基；

【００４２】ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、
トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル
基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセン
メトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシ
ブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル
基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、
ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメト
キシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロ
ニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタ
ジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル
基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニル
アルキルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキ
ル基；

【００４３】フェロセンカルボニルオキシメチル基、フ
ェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボ
ニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブ
チル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェ
ロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボ
ニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオ
クチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェ
ロセンカルボニルオキシデシル基、

【００４４】コバルトセンカルボニルオキシメチル基、
コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセン
カルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニル
オキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチ
ル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバ
ルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカ
ルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオ
キシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル
基、

【００４５】ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、
ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセン
カルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニル
オキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチ
ル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッ
ケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカ
ルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオ
キシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル
基、

【００４６】ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメ
チル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボ
ニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホ
ナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル
基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、
ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジ
エトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス
（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキ
シル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニ
ウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、
ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオ
キシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウ
ムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、
ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオ
キシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で
置換した炭素数１２〜３０のアルキル基；等が挙げられ
る。

【００４７】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアラルキ
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアラルキル基であり、好ましくは、ベンジ
ル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキ
シベンジル基、メチルベンジル基、トリフルオロメチル
ベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル
基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチ
ル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナ
フチルメチル基、フルオレン−９−イルエチル基などの
炭素数７〜１５のアラルキル基等が挙げられる。

【００４８】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアリール
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアリール基であり、好ましくは、フェニル
基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシ
フェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフ
ェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフ
チル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、ト
リフルオロメチルナフチル基、メトキシカルボニルフェ
ニル基、４−（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−
イル）フェニル基、ジブチルアミノカルボニルフェニル
基などの炭素数６〜１５のアリール基等が挙げられる。

【００４９】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルコキ
シ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔ
ｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、
１−メチルペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキ
シ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチ
ルオキシ基、１，１−ジメチルブトキシ基、１，２−ジ
メチルブトキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，
３−ジメチルブトキシ基、１，１，２−トリメチルプロ
ポキシ基、１，２，２−トリメチルプロポキシ基、１−
エチルブトキシ基、２−エチルブトキシ基、１−エチル
−２−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
メチルシクロペンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ
基、１−メチルヘキシルオキシ基、２−メチルヘキシル
オキシ基、３−メチルヘキシルオキシ基、４−メチルヘ
シルオキシ基、５−メチルヘキシルオキシ基、１，１−
ジメチルペンチルオキシ基、１，２−ジメチルペンチル
オキシ基、１，３−ジメチルペンチルオキシ基、１，４
−ジメチルペンチルオキシ基、２，２−ジメチルペンチ
ルオキシ基、２，３−ジメチルペンチルオキシ基、２，
４−ジメチルペンチルオキシ基、３，３−ジメチルペン
チルオキシ基、３，４−ジメチルペンチルオキシ基、１
−エチルペンチルオキシ基、２−エチルペンチルオキシ
基、３−エチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメ
チルブトキシ基、１，１，３−トリメチルブトキシ基、
１，２，３−トリメチルブトキシ基、１，２，２−トリ
メチルブトキシ基、１，３，３−トリメチルブトキシ
基、２，３，３−トリメチルブトキシ基、１−エチル−
１−メチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルブトキ
シ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、２−エチル
−１−メチルブトキシ基、２−エチル−３−メチルブト
キシ基、１−ｎ−プロピルブトキシ基、１−イソプロピ
ルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルプロポキ
シ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオ
キシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−メチルヘプ
チルオキシ基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−メチ
ルヘプチルオキシ基、５−メチルヘプチルオキシ基、６
−メチルヘプチルオキシ基、１，１−ジメチルヘキシル
オキシ基、１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３
−ジメチルヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシ
ルオキシ基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，
２−ジメチルヘキシルオキシ基、２，３−ジメチルヘキ
シルオキシ基、２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、
２，５−ジメチルヘキシルオキシ基、３，３−ジメチル
ヘキシルオキシ基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ
基、３，５−ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−ジメ
チルヘキシルオキシ基、４，５−ジメチルヘキシルオキ
シ基、１−エチルヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシ
ルオキシ基、３−エチルヘキシルオキシ基、４−エチル
ヘキシルオキシ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ
基、２−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、１−イソプロ
ピルペンチルオキシ基、２−イソプロピルペンチルオキ
シ基、１−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、１−
エチル−２−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−３
−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−４−メチルペ
ンチルオキシ基、２−エチル−１−メチルペンチルオキ
シ基、２−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、２−
エチル−３−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−４
−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−１−メチルペ
ンチルオキシ基、３−エチル−２−メチルペンチルオキ
シ基、３−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、３−
エチル−４−メチルペンチルオキシ基、１，１，２−ト
リメチルペンチルオキシ基、１，１，３−トリメチルペ
ンチルオキシ基、１，１，４−トリメチルペンチルオキ
シ基、１，２，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，
２，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，４−ト
リメチルペンチルオキシ基、１，３，４−トリメチルペ
ンチルオキシ基、２，２，３−トリメチルペンチルオキ
シ基、２，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，
３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，３−ト
リメチルペンチルオキシ基、２，３，３−トリメチルペ
ンチルオキシ基、３，３，４−トリメチルペンチルオキ
シ基、１，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，
４，４−トリメチルペンチルオキシ基、３，４，４−ト
リメチルペンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブトキシ
基、１−イソブチルブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブ
トキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メチ
ルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブトキシ
基、１−ｎ−プロピル−３−メチルブトキシ基、１−イ
ソプロピル−１−メチルブトキシ基、１−イソプロピル
−２−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−３−メチ
ルブトキシ基、１，１−ジエチルブトキシ基、１，２−
ジエチルブトキシ基、１−エチル−１，２−ジメチルブ
トキシ基、１−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、
１−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、２−エチル
−１，１−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，２−
ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，３−ジメチルブ
トキシ基、２−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、
１，１，３，３−テトラメチルブトキシ基、１，２−ジ
メチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシク
ロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシル
オキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニル
オキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、
ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ド
デシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペン
タデシルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は
環状の無置換アルコキシ基；

【００５０】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，
５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブトキシ基、ｎ−
デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキ
シ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプ
ロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プ
ロポキシ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキ
シ基、２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ
基、２−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換され
た炭素数２〜１５のアルコキシ基；

【００５１】メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブ
トキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ
基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシ
メトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプ
ロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、
プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシ
メトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブ
トキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブ
トキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ
基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシ
エトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロ
ポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ
基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキ
シエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブト
キシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ
基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシ
エトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメ
トキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、
プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプ
ロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシ
エトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ
基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキ
シプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プ
ロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシ
プロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキ
シブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキ
シ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキ
シブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキ
シメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、
メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキ
シ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエト
キシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エト
キシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブト
キシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブト
キシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポ
キシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ
基、（４−エチルシクロへキシルオキシ）エトキシエト
キシ基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシ
プロポキシ基、〔４−（３，５，５−トリメチルヘキシ
ルオキシ）ブトキシ〕エトキシ基等の、アルコキシアル
コキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルコキシ基；

【００５２】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、（４’
−エチルシクロヘキシルオキシ）カルボニルメトキシ基
等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１
０のアルコキシ基；アセチルメトキシ基、エチルカルボ
ニルメトキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基、フェ
ナシルオキシ基等のアシル基で置換された炭素数３〜１
０のアルコキシ基；

【００５３】アセチルオキシメトキシ基、アセチルオキ
シエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ブタ
ノイルオキシシクロヘキシルオキシ基などのアシルオキ
シ基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；メチ
ルアミノメトキシ基、２−メチルアミノエトキシ基、２
−（２−メチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−メチ
ルアミノブトキシ基、１−メチルアミノプロパン−２−
イルオキシ基、３−メチルアミノプロポキシ基、２−メ
チルアミノ−２−メチルプロポキシ基、２−エチルアミ
ノエトキシ基、２−（２−エチルアミノエトキシ）エト
キシ基、３−エチルアミノプロポキシ基、１−エチルア
ミノプロポキシ基、２−イソプロピルアミノエトキシ
基、２−（ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、３−（ｎ−
ヘキシルアミノ）プロポキシ基、４−（シクロヘキシル
アミノ）ブチルオキシ基等のアルキルアミノ基で置換さ
れた炭素数２〜１０のアルコキシ基；

【００５４】メチルアミノメトキシメトキシ基、メチル
アミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロ
ポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、４−
（２’−イソブチルアミノプロポキシ）ブトキシ基等の
アルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数３〜１
０のアルコキシ基；ジメチルアミノメトキシ基、２−ジ
メチルアミノエトキシ基、２−（２−ジメチルアミノエ
トキシ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブトキシ基、
１−ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−
ジメチルアミノプロポキシ基、２−ジメチルアミノ−２
−メチルプロポキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ
基、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エトキシ基、
３−ジエチルアミノプロポキシ基、１−ジエチルアミノ
プロポキシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、
２−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリ
ジルエトキシ基、３−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロ
ポキシ基等のジアルキルアミノ基で置換された炭素数３
〜１５のアルコキシ基；

【００５５】ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメ
チルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキ
シプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ
基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブト
キシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換された
炭素数４〜１５のアルコキシ基；メチルチオメトキシ
基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエトキ
シ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イソプロ
ピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、
２−イソブチルチオエトキシ基、（３，５，５−トリメ
チルヘキシルチオ）ヘキシルオキシ基等のアルキルチオ
基で置換された炭素数２〜１５のアルコキシ基；

【００５６】フェロセニルメトキシ基、フェロセニルエ
トキシ基、フェロセニルプロポキシ基、フェロセニルブ
トキシ基、フェロセニルペンチルオキシ基、フェロセニ
ルヘキシルオキシ基、フェロセニルヘプチルオキシ基、
フェロセニルオクチルオキシ基、フェロセニルノニルオ
キシ基、フェロセニルデシルオキシ基、コバルトセニル
メトキシ基、コバルトセニルエトキシ基、コバルトセニ
ルプロポキシ基、コバルトセニルブトキシ基、コバルト
セニルペンチルオキシ基、コバルトセニルヘキシルオキ
シ基、コバルトセニルヘプチルオキシ基、コバルトセニ
ルオクチルオキシ基、コバルトセニルノニルオキシ基、
コバルトセニルデシルオキシ基、

【００５７】ニッケロセニルメトキシ基、ニッケロセニ
ルエトキシ基、ニッケロセニルプロポキシ基、ニッケロ
セニルブトキシ基、ニッケロセニルペンチルオキシ基、
ニッケロセニルヘキシルオキシ基、ニッケロセニルヘプ
チルオキシ基、ニッケロセニルオクチルオキシ基、ニッ
ケロセニルノニルオキシ基、ニッケロセニルデシルオキ
シ基、ジクロロチタノセニルメトキシ基、トリクロロチ
タンシクロペンタジエニルメトキシ基、ビス（トリフル
オロメタンスルホナト）チタノセンメトキシ基、ジクロ
ロジルコノセニルメトキシ基、ジメチルジルコノセニル
メトキシ基、ジエトキシジルコノセニルメトキシ基、ビ
ス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシ基、ビス
（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシ
基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメト
キシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメト
キシ基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメト
キシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジ
ウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミ
ウムメトキシ基などのメタロセニル基で置換した炭素数
１１〜２０のアルコキシ基；等が挙げられ、好ましく
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓ
ｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペント
キシ基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、２
−メチルブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、
３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオ
キシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メ
トキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ
基、フェロセニルメトキシ基などの炭素数１〜１１のア
ルコキシ基が挙げられる。

【００５８】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアラルキ
ルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアラルキルオキシ基であり、好まし
くは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シ
アノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジル
オキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキ
シ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチル
メトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロ
メチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエト
キシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等が
挙げられる。

【００５９】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアリール
オキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアリールオキシ基であり、好ましく
は、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチ
ルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メ
トキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ
基、ナフトキシ基などの炭素数６〜１０のアリールオキ
シ基が挙げられる。

【００６０】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアルキル
チオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルチオ基であり、好ましくは、メ
チルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓ
ｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチ
ルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、
ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペ
ンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボ
キシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，
５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基な
どの炭素数１〜１０のアルキルチオ基が挙げられる。

【００６１】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアラルキ
ルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアラルキルチオ基であり、好ましく
は、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベ
ンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベン
ジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフ
チルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シア
ノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチ
オ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチ
ルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチル
チオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等が挙
げられる。

【００６２】Ｒ¹〜Ｒ¹²の置換または無置換のアリール
チオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアリールチオ基であり、好ましくは、フェ
ニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシ
フェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフ
チルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などが
挙げられる。

【００６３】式（２）で示される化合物中、アミノ基の
置換基Ｌ¹〜Ｌ⁶の例としては、前述のアルキル基；前述
のアラルキル基；前述のアリール基；と同様のアルキル
基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。

【００６４】置換基Ｌ¹〜Ｌ⁶で置換した各アミノ基の好
ましい例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブ
チルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘ
キシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシ
エチル）アミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、
ビス（プロポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエ
チル）アミノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ
基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ
−（２−シアノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオ
キシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキ
ルアミノ基；

【００６５】ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ
基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−
イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２
０のジアラルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基など
の炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基；Ｎ−フェネ
チル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチル
アミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアミノ基等の置換
基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基より選択した炭素数３〜１４のジ置換アミノ基が
挙げられる。

【００６６】Ｒ¹とＲ⁷、Ｒ²とＲ⁸、Ｒ³とＲ⁹、Ｒ⁴とＲ
¹⁰、Ｒ⁵とＲ¹¹、Ｒ⁶とＲ¹²において、隣接する基同士が
結合して形成した、置換していてもよい脂環について、
−Ｒ ¹−Ｒ⁷−、−Ｒ²−Ｒ⁸−、−Ｒ³−Ｒ⁹−、−Ｒ⁴−
Ｒ¹⁰−、−Ｒ⁵−Ｒ¹¹−、−Ｒ ⁶−Ｒ¹²−の具体的な骨格
の例としては、式（３）または式（４）または式（５）

【００６７】

【化５】

【００６８】（式中、ｒ¹〜ｒ²⁰は各々独立に水素原
子、フッ素原子等のハロゲン原子、Ｒ¹〜Ｒ¹²で示され
るアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ
基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基と同様のア
ルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ
基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、ｎ¹〜
ｎ³は０または１を表す。）で表される骨格等が挙げら
れる。好ましくは−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−等が挙げら
れる。

【００６９】Ｒ¹とＲ⁷、Ｒ²とＲ⁸、Ｒ³とＲ⁹、Ｒ⁴とＲ
¹⁰、Ｒ⁵とＲ¹¹、Ｒ⁶とＲ¹²において、隣接する基同士が
結合して形成した、置換していてもよい芳香環につい
て、−Ｒ¹−Ｒ⁷−、−Ｒ²−Ｒ⁸−、−Ｒ³−Ｒ⁹−、−Ｒ
⁴−Ｒ¹⁰−、−Ｒ⁵−Ｒ¹¹−、−Ｒ⁶−Ｒ¹²−の具体的な
骨格の例としては、式（６）

【００７０】

【化６】

【００７１】（式中、ｒ²¹〜ｒ²⁴は各々独立に水素原
子、ｒ¹〜ｒ²⁰で示されるアルキル基、アラルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリ
ールオキシ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリール
オキシ基を表す。）で表される骨格等が挙げられる。好
ましくは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−
Ｃ（ＣＨ₃）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＣＨ₂Ｃ
Ｈ₃）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＣＨ〔ＣＨ₃〕₂）
＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＯＣＨ₃）＝ＣＨ−等が
挙げられる。

【００７２】Ｒ¹とＲ⁷、Ｒ²とＲ⁸、Ｒ³とＲ⁹、Ｒ⁴とＲ
¹⁰、Ｒ⁵とＲ¹¹、Ｒ⁶とＲ¹²において、隣接する基同士が
結合して形成した、置換していてもよい複素環につい
て、−Ｒ¹−Ｒ⁷−、−Ｒ²−Ｒ⁸−、−Ｒ³−Ｒ⁹−、−Ｒ
⁴−Ｒ¹⁰−、−Ｒ⁵−Ｒ¹¹−、−Ｒ⁶−Ｒ¹²−で表される
複素鎖の骨格としては、窒素原子、酸素原子、または硫
黄原子などのヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して
組み合わせて連結した鎖状骨格であり、好ましくは、鎖
を構成する連結原子数５〜６の複素鎖が挙げられる。好
適に用いられる複素鎖の具体的な骨格の例として、好ま
しくは、−ＯＣＨ ₂ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−、−Ｏ
ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣ（ＣＨ₃）₂Ｏ−、−ＳＣＨ₂ＣＨ₂Ｓ
−、−ＣＨ₂ＳＣＨ₂−、−ＳＣＨ₂Ｓ−、−ＣＨ₂ＳＳＣ
Ｈ₂−、−Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₃）−、
−ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂
ＣＨ₃）−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₃）−Ｎ（Ｃ
Ｈ₃）−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−Ｎ（Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂−等が挙げられる。

【００７３】Ｌ¹〜Ｌ⁶において、隣接する基同士が結合
して形成した、置換していてもよい複素環について、−
Ｌ¹−Ｌ²−、−Ｌ³−Ｌ⁴−、−Ｌ⁵−Ｌ⁶−で表される複
素鎖の骨格としては、窒素原子、酸素原子、または硫黄
原子などのヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して組
み合わせて連結した鎖状骨格であり、好ましくは、鎖を
構成する連結原子数５〜６の複素鎖が挙げられる。好適
に用いられる複素鎖の具体的な骨格の例としては、式
（７）または式（８）

【００７４】

【化７】

【００７５】（式中、ｒ²⁵〜ｒ⁴⁸は各々独立に水素原
子、ｒ¹〜ｒ²⁰で示されるアルキル基、アラルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリ
ールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、ア
リールチオ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリール
オキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリー
ルチオ基を表し、Ｙは、酸素原子、硫黄原子、前述のア
ルキル基、アラルキル基、アリール基と同様のアルキル
基、アラルキル基、アリール基により置換された窒素原
子を表し、ｎ⁴〜ｎ⁷は０または１を表す。）で表される
骨格等が挙げられる。

【００７６】隣接する基であるＬ¹とＲ¹、Ｌ²とＲ²、Ｌ
³とＲ³、Ｌ⁴とＲ⁴、Ｌ⁵とＲ⁵、Ｌ⁶とＲ⁶が各々連結して
形成される複素環において、連結基−Ｌ¹−Ｒ¹−、−Ｌ
²−Ｒ²−、−Ｌ³−Ｒ³−、−Ｌ⁴−Ｒ⁴−、−Ｌ⁵−Ｒ
⁵−、−Ｌ⁶−Ｒ⁶−の具体的な骨格の例としては、式
（９）または式（１０）

【００７７】

【化８】

【００７８】（式中、ｒ⁴⁹〜ｒ⁶⁰は各々独立に、水素原
子、ｒ¹〜ｒ²⁰で示されるアルキル基、アラルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリ
ールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、ア
リールチオ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリール
オキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリー
ルチオ基を表し、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、前述のア
ルキル基、アラルキル基、アリール基と同様のアルキル
基、アラルキル基、アリール基により置換された窒素原
子を表し、ｎ⁸は０または１を表す。）で表される骨格
等が挙げられる。好ましくは−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、−
ＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−、−ＣＨ
₂ＳＣＨ₂−、−Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ ₂ＣＨ₂−等が挙げら
れる。

【００７９】本発明の光記録媒体に用いられる一般式
（２）の化合物の合成方法としては、例えばChem. Eur.
J. 1997, 3, No.11 pp1765-1773、Angew. Chem. Int.
Ed. 2000, 39, No.8 pp1436-1439に記載されている方
法、あるいは当該技術分野に属する通常の知識を有する
者にとって上記の他の公知の多数の文献に記載されてい
る方法によって合成することができる。具体的な合成法
の例としては、例えば、式（１１）

【００８０】

【化９】

【００８１】〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｌ¹、Ｌ²は
前記と同じ意味を表し、Ｘは、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表す。〕で
示されるアニリン誘導体を溶媒中または無溶媒で、必要
に応じて冷却しながら、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−
ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアル
キルリチウムを作用させて、リチオ化し、次いで、フッ
化シアヌル、塩化シアヌル、臭化シアヌル、ヨウ化シア
ヌルなどのハロゲノシアヌルと反応させることで、式
（１２）

【００８２】

【化１０】 〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｌ¹、Ｌ²は前記と同じ意
味を表す。〕で表される〔本発明の一般式（２）に相当
する〕化合物を容易に得ることができる。

【００８３】また、式（１２）の化合物を得る過程で、
副生物として、式（１３）および式（１４）の化合物を
得ることができる。

【００８４】

【化１１】

【００８５】

【化１２】

【００８６】〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｌ¹、Ｌ
²は、前記と同じ意味を表し、Ｘ’はフッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表
す。〕ここで、式（１５）

【００８７】

【化１３】

【００８８】〔式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｌ³、Ｌ⁴
およびＸは、前記と同じ意味を表す。〕で示されるアニ
リン誘導体を溶媒中または無溶媒で、必要に応じて冷却
しながら、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウ
ム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム
を作用させて、リチオ化し、次いで、式（１３）または
式（１４）と反応させることで、式（１６）または式
（１７）

【００８９】

【化１４】

【００９０】

【化１５】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰、Ｌ¹〜Ｌ⁴は前記と同じ
意味を表す。〕で表される本発明の一般式（２）に相当
する化合物を容易に得ることができる。

【００９１】さらに、式（１６）の化合物を得る過程
で、副生物として、式（１８）の化合物を得ることがで
きる。

【００９２】

【化１６】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰、Ｌ¹〜Ｌ⁴およびＸ’
は、前記と同じ意味を表す。〕

【００９３】ここで、式（１９）

【００９４】

【化１７】

【００９５】〔式中、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｌ⁵、Ｌ⁶
およびＸは、前記と同じ意味を表す。〕で示されるアニ
リン誘導体を溶媒中または無溶媒で、必要に応じて冷却
しながら、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウ
ム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム
を作用させて、リチオ化し、次いで、式（１８）と反応
させることで、本発明の一般式（２）に相当する化合物
を容易に得ることができる。

【００９６】一般式（１）で示される化合物の具体例に
ついては、下記に記載する化合物（１−１）〜（１−２
０）を有する化合物等が挙げられる。

【００９７】

【化１８】

【００９８】

【化１９】

【００９９】

【化２０】

【０１００】

【化２１】

【０１０１】

【化２２】

【０１０２】

【化２３】

【０１０３】本発明の光記録媒体を構成している記録層
の色素は、実質的に１種またはそれ以上のトリアジン系
化合物、特に式（１）の化合物からなるものであり、更
には、所望に応じて、波長２９０ｎｍ〜６９０ｎｍに吸
収極大を持ち、３００ｎｍ〜７００ｎｍでの屈折率が大
きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、
シアニン系化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキ
ノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポ
ルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピ
リリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニ
ウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテ
ン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合
物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チ
アジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化
合物、ジピロメテン系化合物などがあり、複数の化合物
の混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、
０．１質量％〜３０質量％程度である。

【０１０４】記録層を成膜する際に、記録用途とは別目
的に、記録品位、或いは記録特性の向上を図るために、
必要に応じて式（１）で表される化合物に、クエンチャ
ー、化合物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤などを
混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物
を式（１）で表される化合物の置換基として導入するこ
とも可能である。

【０１０５】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【０１０６】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属
系アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その
他の鉛系化合物、シマントレン〔Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（Ｃ
Ｏ）₃〕などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物
の例としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェ
ロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体が
ある。なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、
ニッケロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好
な熱分解促進効果がある。

【０１０７】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【０１０８】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、２種
類以上を混合して用いても良い。

【０１０９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【０１１０】図１または図２のような光記録媒体を作製
する場合、記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐
溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基
板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。

【０１１１】ここで、記録層におけるトリアジン系化合
物、特に一般式（１）で示される化合物の含有量は、記
録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、
通常、３０質量％以上、好ましくは６０質量％以上であ
る。尚、実質的に１００質量％であることも好ましい。

【０１１２】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。

【０１１３】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示され
る化合物を１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％
となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用
いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないもの
を選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノ
ール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコー
ル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂
環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンな
どの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホル
ム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエー
テル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−
２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メ
チルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これ
らは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良
い。

【０１１４】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【０１１５】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【０１１６】記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎ
ｍであるが、好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、
記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合
がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射
率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。

【０１１７】次に記録層の上に、好ましくは１ｎｍ〜３
００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるた
めや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反
射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料
としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｌ、Ａｇ、ＮｉおよびＰｔの金属を単独あるいは
合金にして用いることが可能である。この中でもＡｇ、
Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも必要に応じて下記のものを含んでいても良
い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂ
ｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。ＡｇまたはＡｌを主
成分とするもので反射率の高い反射層が容易に得られる
ものが好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高
屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層
として用いることも可能である。

【０１１８】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０１１９】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、
ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂などが挙げられる。また、有
機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。紫外線硬化
性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液
を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射し
て硬化させることによって形成することができる。紫外
線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
などのアクリレート樹脂を用いることができる。これら
の材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だ
けでなく多層膜にして用いても良い。

【０１２０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０１２１】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
０００μｍの範囲であるが、場合により１μｍ〜１００
μｍ、さらには、５μｍ〜２０μｍとすることができ
る。

【０１２２】保護層の上にさらにレーベル、バーコード
などの印刷を行うこともできる。

【０１２３】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【０１２４】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０１２５】また、図３のような光記録媒体を作製する
場合、基板の上に、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの厚
さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性を
よくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接
着層を設けることができる。反射層の材料としては、再
生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｌ、Ａ
ｇ、ＮｉおよびＰｔの金属を単独あるいは合金にして用
いることが可能である。この中でもＡｇ、Ａｌは反射率
が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必
要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａなどの金属および半金属を
挙げることができる。ＡｇまたはＡｌを主成分とするも
ので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適で
ある。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を
交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いる
ことも可能である。

【０１２６】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０１２７】次に、記録層を反射層の上に成膜する際
に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上さ
せるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層
を設けても良い。

【０１２８】ここで、記録層におけるトリアジン系化合
物、特に一般式（１）で示される化合物の含有量は、記
録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、
通常、３０質量％以上、好ましくは６０質量％以上であ
る。尚、実質的に１００質量％であることも好ましい。

【０１２９】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテ
ン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア
法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬
法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法
などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好まし
い。

【０１３０】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示され
る化合物を１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％
となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用
いるが、この際、溶媒は反射層にダメージを与えないも
のを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノ
ール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタ
ノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコ
ール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロ
ヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または
脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン
などの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホル
ム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエー
テル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−
２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メ
チルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これ
らは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良
い。

【０１３１】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【０１３２】また、反射層にダメージを与えない溶媒を
選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸
着法などが有効である。

【０１３３】記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎ
ｍであるが、好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、
記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合
がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射
率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。

【０１３４】さらに、記録層の上に形成する保護層の材
料としては記録層を外力や雰囲気など、外部からの悪影
響保護するものであれば特に限定しない。無機物質とし
ては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂
などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性
樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後
に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成す
ることができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは
適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液
を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形
成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例え
ば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポ
リエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用い
ることができる。これらの材料は単独であるいは混合し
て用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても
良い。

【０１３５】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０１３６】保護層の膜厚は、一般には０．０１μｍ〜
１０００μｍの範囲であるが、場合により０.１μｍ〜
１００μｍ、さらには、１μｍ〜２０μｍとすることが
できる。

【０１３７】また、基板面に保護シートまたは反射層を
貼り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【０１３８】保護層面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０１３９】本発明の光記録媒体において、媒体全体を
保護する目的で、例えば、フロッピーディスクや光磁気
ディスクなどに見られるようにディスクを保護するケー
ス型の保護ユニットを設置しても構わない。材質はプラ
スチックや、アルミニウムなどの金属を使用することが
できる。

【０１４０】ここで、本発明で言う波長３００〜５００
ｎｍ、さらには４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーは、
特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長
選択のできる色素レーザーや、波長４４５ｎｍのヘリウ
ムカドミウムレーザー、波長４５７ｎｍあるいは４８８
ｎｍのアルゴンレーザー等のイオンレーザー、波長４０
０〜４１０ｎｍのＧａＮ系半導体レーザー等の青紫色半
導体レーザー、ＣｒドープしたＬｉＳｎＡｌＦ₆を用い
た波長８６０ｎｍの赤外線レーザーの第２高調波４３０
ｎｍを発振する半導体レーザー他、波長４１５、４２５
ｎｍ等の可視半導体レーザー等の半導体レーザー等があ
げられる。本発明では、上述のレーザー等を記録または
再生を行う記録層の感応する波長に応じて適宜選択する
ことができる。高密度記録および再生は各々、上述の該
レーザーから選択される１波長または複数波長において
可能となる。記録再生用としては半導体レーザーが通常
用いられる。また、本発明の式（１）のトリアジン系化
合物を記録用色素に用いた光記録媒体では、例えば窒素
レーザー（３３７ｎｍ）等のガスレーザー等、波長４０
０ｎｍ未満のレーザーについても使用可能である。

【０１４１】また、赤色レーザー波長領域や赤外レーザ
ー波長領域に感応する色素を共に用いて記録層を形成し
た場合には、波長５００ｎｍ以上のレーザーを使用し
て、赤色レーザー波長領域や赤外レーザー波長領域に感
応する色素による記録再生を行ってもかまわない。具体
的なレーザーの例としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等のガ
スレーザー、６０２、６１２、６３５、６４７、６５
０、６６０、６７０、６８０ｎｍ等の可視半導体レーザ
ー等の半導体レーザー等が挙げられる。

【０１４２】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【０１４３】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１）をポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラ
ックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に真空蒸着法にて厚さ
７０ｎｍになるように成膜した。

【０１４４】この記録層上にバルザース社製スパッタ装
置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｇをスパッタし、厚さ
１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、ア
ルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー
２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１
０^-2Ｔｏｒｒ）で行った。

【０１４５】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートし
た後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。
更に、保護層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−３０１（大日
本インキ化学工業製）をスピンコートした後、前記基板
と同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂製基板をの
せ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作
製した。

【０１４６】以上のように記録層が形成された光記録媒
体について、以下の評価試験を行った。

【０１４７】波長４０３ｎｍ、開口数０．６５の青色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数
９．７ＭＨｚ、信号パワー８．５ｍＷ、線速９．０ｍ／
ｓ、最短ピット長０．４６μｍで記録を行ったところ、
ピットが形成され、記録できた。記録後、同評価装置に
より、線速９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、ピット
を読み取ることができた。

【０１４８】実施例２〜２０ 記録層に化合物（１−２）〜（１−２０）を用いること
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、実施
例１と同様に記録を行ったところいずれも良好にピット
が形成され、記録できた。また、ピットを読み取ること
ができた。

【０１４９】実施例２１ 化合物（１−２０）０．２ｇをテトラフルオロプロパノ
ール１０ｍｌに溶解し、化合物溶液を調製した。

【０１５０】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０
ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物
溶液を回転速度１５００ｍｉｎ^-1でスピンコートし、７
０℃で２時間乾燥して記録層を形成した。

【０１５１】上記の記録層の形成以外は、実施例１と同
様にして光記録媒体を作製し、記録を行ったところ、ピ
ットが形成され、記録できた。記録後、同評価装置によ
り、線速９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、ピットを
読み取ることができた。

【０１５２】比較例１ 化合物（１−２０）の代わりに、式（ａ）

【０１５３】

【化２４】

【０１５４】の化合物を用いた以外は、実施例２０と同
様にして、光記録媒体を作製し、記録再生評価を行っ
た。その結果、Ｃ／Ｎ比が低く、うまく読み取れなかっ
た。

【０１５５】実施例１〜２１に記載されるように、本発
明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域において、記
録再生が可能であり、記録特性に優れている。

【０１５６】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、波長３００〜５００ｎｍから
選択されるレーザー光による信号記録が可能であり、本
発明の光記録媒体は波長３００〜５００ｎｍから選択さ
れるレーザー光を記録再生に用いる光記録媒体に用いる
ことができる。

【０１５７】

【発明の効果】本発明によれば、トリアジン系化合物、
特に一般式（１）で示される化合物を記録層に用いるこ
とにより、高密度記録可能な波長３００ｎｍ〜５００ｎ
ｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光記録媒
体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図３】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：記録層 ３ ：反射層 ４ ：保護層 ５ ：接着層

フロントページの続き (72)発明者 斉藤 靖典 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 塚原 宇 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 小池 正士 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA43 EA48 FB42 5D029 JA04

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上の記録層に記録用色素を含有する
   光記録媒体において、該記録用色素として、トリアジン
   系化合物を少なくとも一種用いる光記録媒体。
2. 【請求項２】 トリアジン系化合物が下記一般式（１）
   で表される化合物である請求項１に記載の光記録媒体。 【化１】 〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ独立に置換基を有し
   ていても良い芳香環を表し、且つ、少なくとも一つの環
   がジ置換アミノ基により置換された芳香環を表す。〕
3. 【請求項３】 トリアジン系化合物が、下記一般式
   （２）で表される化合物である請求項１または２のいず
   れかに記載の光記録媒体。 【化２】 〔式中、置換基Ｒ¹〜Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水素原
   子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、ア
   リール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリー
   ルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリ
   ールチオ基を表し、Ｒ¹〜Ｒ¹²の各置換基は、隣接する
   置換基と互いに結合して置換基を有しても良い脂環、芳
   香環または複素環を形成してもよく、置換基Ｌ¹〜Ｌ⁶は
   それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、アラ
   ルキル基、アリール基を表し、Ｌ¹〜Ｌ⁶の各置換基は、
   隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い
   複素環を形成してもよい。また、Ｌ¹とＲ¹、Ｌ²とＲ²、
   Ｌ³とＲ³、Ｌ⁴とＲ⁴、Ｌ⁵とＲ⁵、Ｌ⁶とＲ⁶は、互いに結
   合して置換基を有しても良い複素環を形成してもよ
   い。〕
4. 【請求項４】 波長３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光により記録および再生が可能であ
   る請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光により記録および再生が可能であ
   る請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光により記録および再生が可能であ
   る請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録媒体。