JP3652017B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光による情報の記録及び再生が可能な光記録媒体であって、特に基板上に予めプリピットが形成された再生専用領域と、及びプリグルーブが形成された記録可能領域とからなり、両領域共に市販ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有する光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
記録された情報が市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生することができる記録可能光記録媒体は、例えば、日経エレクトロニクス、No.465，P.107,1989年１月23日号や、Optical Data Storage 1989,Technical Digest Series Vol.1 45( 1989 )等において提案されている。この光記録媒体は〔図１〕に示すように、基板１上に、色素を含有する記録層２、反射層３、保護層４をこの順に形成したものである。
そして記録層に、シアニン色素やフタロシアニン色素、アゾ色素などを用いた媒体は、記録可能なコンパクトディスク（以下、ＣＤ−Ｒと略す）と称して、現在、市場に供されている。
【０００３】
ＣＤ−Ｒは、その色素用いた記録層に７７０〜８３０ｎｍの波長の半導体レーザー光を高パワーで照射すると、該記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で情報を記録する。この記録層に、低パワーのレーザー光を照射し、その反射光の変化を読みとることにより情報を再生することができる。そして該ＣＤ−Ｒに於いてはその記録に際しての回転速度の制御と時間の管理のために、プリグルーブのトラックに略正弦曲線状のウォブリングを施し、且つ、ウォブリング周期を周波数変調することによりディスクの絶対アドレスとして時間情報（ＡＴＩＰ：Absolute Time In Pre-groove ）を記録している。そして、このグルーブからなるウォブリングトラックから得られる再生信号のウォブリング信号強度とノイズ比（以下、ピットが記録されてない部位のものをＷＣＮＲｂ、ピットが記録された部位のものをＷＣＮＲａと略す）は、ＷＣＮＲｂで３６ｄＢ以上、ＷＣＮＲａで２６ｄＢ以上が必要とされている。従って、これらの特性を満足するようにＣＤ−Ｒでは媒体設計がなされている。
【０００４】
一方、市販されている通常のＣＤ、すなわち再生専用のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体は、上記のような記録層は有しない。情報は基板表面にプレピットとして基板成形時に形成し、その上に反射層、保護層が成膜されている。そして回転速度の制御や時間情報はピットから得られ、プレピットからなるトラックはウォブリングしていない。
【０００５】
最近、上記ＣＤやＣＤ−ＲＯＭのように予め基板上にプリピットが形成された再生専用領域（以下、ＲＯＭ領域と略す）と上記ＣＤ−Ｒのようにプリグルーブが形成された記録可能領域（以下、ＲＡＭ領域と略す）とを組み合わせた光記録媒体が提案されている( 例えば、特開平3 ー241538 、特開平4 ー243019 ）。
【０００６】
この光記録媒体は、オレンジブック規格ではハイブリッドディスクと称され、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の各種特性はオレンジブックに規格化されている。
【０００７】
このハイブリッドディスクのＲＯＭ領域は上記した市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体とは次の２点で大きく異なる。そのため、ＲＯＭ領域の下記の特性が十分に得られず問題となっている。すなわち：
１．ＲＡＭ領域のプリグルーブ上だけでなく、ＲＯＭ領域のプレピット上にも色素を含有する記録層が設けられている。その色素層の存在のため、市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体と同じプリピット形状では十分な変調度が得られない。
２．ハイブリッドディスクにおいては、記録時の回転速度の制御とその時間管理をＲＯＭ領域からＲＡＭ領域に渡り連続して同じ方法で行うために、ＲＡＭ領域と同じように、ＲＯＭ領域のプレピットからなるトラックもウォブリングさせ、且つ上記ＡＴＩＰ情報を記録し、上記ＣＤ−ＲのＷＣＮＲａの規格を満足しなければならない。
【０００８】
このようにハイブリッドディスクに於いては、ＲＯＭ領域の構成が、上記１．及び２．の点で、従来のＣＤやＣＤ−ＲＯＭとは大きく異なるために、ＲＯＭ領域の変調度の確保とＡＴＩＰ情報の記録のために、ＲＯＭ領域の困難な設計を行わなければならなかった。例えば、プリピットからなるトラックの形状及び該プリピットトラックのウォブリングの振幅等の因子を考慮する必要がある。
【０００９】
そして、上記プリピットトラックの形状とウォブリング振幅に関してはいくつかの提案がなされている。
【００１０】
特開平4 ー146537 にはＲＯＭ領域の変調度を獲得するためのプリピットの形状として、その深さが150 〜400nm 、その半価幅を0.2 〜1.4 μm と非常に広い範囲が開示されている。確かに、上記の広い範囲のプリピット形状であっても、ＲＯＭ領域の変調度を満足するだけでよければ、記録層の膜厚をコントロールすることにより可能である。しかしながら、ＲＡＭ領域のサーボ信号特性や、記録特性等のオレンジブックに決められている種々の特性をすべて満足することは難しい。特に未記録部のプリグルーブを光が横断する際の信号であるラジアルコントラスト（ＲＣｂ）を確保するためには、グルーブの深さを比較的深くしなければならない。そして深いプリグルーブの場合に、優れた記録特性を維持するように、記録層の膜厚をコントロールするように記録層を塗布することが要請される。その場合、ＲＯＭ領域のプリピット形状によっては、上記の広い範囲に渡っては十分な変調度は得られないことを我々は見いだした。更に、該公報には、ＲＯＭ領域のプレピットトラックのウォブリングに関しては何も開示されていない。
【００１１】
一方、ＲＯＭ領域のＡＴＩＰ情報を得るために、特開平4 ー243019 には、ＲＯＭ領域のプリピットトラックをウォブルリングさせ、且つプリピットトラックのウォブリング振幅をＲＡＭ領域のプリグルーブトラックのウォブリング振幅よりも大きくすることにより、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａを向上させている。そして、ＲＯＭ領域のプリピットトラックのウォブリング振幅とＲＡＭ領域のプリグルーブトラックのウォブリング振幅の差は、１０ｎｍ以上、好ましくは１６〜３６ｎｍであり、プリピットトラックの振幅としては６６〜１０６ｎｍが開示されている。そして該公開公報記載の実施例においては、ＲＯＭ領域のプリピットの幅が０．６μm で深さが１１０ｎｍ、プリピットトラックのウォブリング振幅が４３ｎｍ、ＲＡＭ領域のプリグルーブの幅が０．６μm , 深さが８０ｎｍ、ウォブリング振幅が３０ｎｍの媒体が開示されている。この条件では、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さが浅いために、ＲＣｂが小さく、且つＲＯＭ領域のプリピットの深さが浅いために大きな変調度が得られないといった問題が生じることを我々は見いだした。又、記録層の色素としてに該公開公報記載のように、シアニン色素を用いた場合には、上記条件でＷＣＮａの値は得られるが、シアニン色素以外のより好ましい色素、例えばフタロシアニン系色素を記録層に用いた場合には、プリピットトラックのウォブリング振幅を１０６ｎｍにしても十分なＷＣＮＲａは得られないことを我々は見いだした。
【００１２】
また、特開平5 ー36087においては、ＲＯＭ領域のプリピットとプリピットの間にプリピットの深さより浅いプリグルーブを設け、且つこのプリピットとプリグルーブからなるトラックをウォブリングさせることによりＷＣＮＲａを向上させている。この提案によると、該プリピットの深さが８０〜１４０ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍであり、該プリピットとプリピットの間の浅いプリグルーブの深さが３０〜１００ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍになるように設計されている。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さは３０〜１００ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍとなっている。しかしながら、我々が検討したところによると、この条件では、ＲＯＭ領域のプリピットの深さが浅すぎて上記したように良好な変調度が得られない。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さが浅すぎてＲＣｂがとれない。
【００１３】
ハイブリッドディスクにおいては、当然のことながら、上記したようなＲＯＭ領域の変調度やＷＣＮＲａに加えて、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域共にその他の特性もオレンジブック規格を満足することが要請される。そして、これら種々の特性は、お互いにトレードオフの関係にあるものが多く、上記した従来技術ではすべての特性において規格を満足することは困難であった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、プリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成されたＲＡＭ領域とからなる基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に設けられているハイブリッドディスクにおいて、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のＡＴＩＰ情報が良好に読み取れて、しかもＲＯＭ及びＲＡＭ領域共にオレンジブック規格を満足する良好な記録再生特性を有する光記録媒体を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案するに至った。すなわち、この課題は以下の発明によって解決される。
▲１▼ 予めプリピットが形成された再生専用領域と、プリグルーブが形成された記録可能領域とからなる基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、( １ )該再生専用領域にはプリピットからなるトラック上に重ねてプリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリングトラックが略正弦曲線状に形成されており、該プリピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、該プリピットと該浅いプリグルーブからなるトラックのウォブリング振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、上記プリグルーブの深さと上記ウォブリング振幅の積が３１００以上であり、且つ、( ２ )記録可能領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
【００１６】
▲２▼ 記録層に用いられる色素が構造式（１）〔化２〕に示されるフタロシアニン色素からなることを特徴とする▲１▼記載の光記録媒体。
【００１７】
【化２】
〔式（１）において、Ｍは２個の水素、又は２価以上の金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物を表し、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4は酸素又は硫黄原子を、Ｚ1、Ｚ
2、Ｚ3、Ｚ4は４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水素基を、Ｘ1
、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はハロゲンを、ｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4は、１又は２を、ｍ
1、ｍ2、ｍ3、ｍ4は０〜３の整数を表す。〕
▲３▼ 該再生専用領域のプリピットの深さが、２７０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、ウォブリング振幅が２８ｎｍ以上９９ｎｍ以下であり、該プリグルーブの深さとウォブリング振幅の積が３３００以上であることを特徴とする▲１▼又は▲２▼記載の光記録媒体。
【００１８】
▲４▼ 該記録可能領域のプリグルーブの深さが１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることを特徴とする▲１▼〜▲３▼のいずれかに記載の光記録媒体。
【００１９】
▲５▼ 該再生専用領域のプリピット部とプリピットとプリグルーブからなるトラック間部における光路長の差が０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波長）以上０．４０λ以下であることを特徴とする▲１▼〜▲４▼のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２０】
本発明に従えば、ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域のウォブリング再生信号であるＷＣＮＲａが均一で、十分に大きく、且つＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域ともにオレンジブック規格を満足した優れたハイブリッドディスクを提供することが可能となるのである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の具体的構成について以下に説明する。
【００２２】
本発明の光記録媒体は、プリピットのトラック上に重ねてプリピットより浅いプリグルーブからなるウォブリングトラックが形成されているＲＯＭ領域と、プリグルーブからなるウォブリングトラックが形成されているＲＡＭ領域とが設けられた基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に形成された構造を有している。そしてＲＯＭ領域のプリピットや同じトラック上のプリピットとプリピット間、及びＲＡＭ領域のプリグルーブは、特定の形状を有するものである。
【００２３】
先ずＲＡＭ領域のプリグルーブの形状は、深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ未満の場合はＲＣｂが小さくなり、サーボ不良が発生する。また、プリグルーブの深さが２５０ｎｍより大きくなるとＲＣｂは大きくなるが反射率が低くなり、記録後の信号を良好に再生することができない。このＲＣｂと反射率の点からは、プリグルーブの深さは１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下が好ましく、１７０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が更に好ましい。又プリグルーブの半値幅（プリグルーブの深さの１／２の深さに於ける幅）は０．３μｍ〜０．６μｍ程度である。又、該プリグルーブはウォブリングしているが、ウォブリング振幅は２５ｎｍ以上、３６ｎｍ以下が好ましい。ウォブリング振幅が２５ｎｍ未満の場合は未記録時のウォブリング信号（ＷＣＮＲｂ）が小さくなり、ＡＴＩＰ情報を良好に再生することができなかったり、最悪の場合、記録不能になる恐れがある。また、該ウォブリング振幅が３６ｎｍを越えるとＷＣＮＲｂが大きくなりすぎて逆に市販のＣＤ−Ｒレコーダーでサーボ不良となり、最悪の場合、記録不能になることがある。又、記録信号のジッターが大きくなりエラーが増加し好ましくない。
【００２４】
次にＲＯＭ領域のプリピットの形状は、深さは２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、が好ましく、２７０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下が更に好ましい。又、その半値幅（ピット深さの１／２の深さにおけるピットの幅）は０．４μｍ以上０．６μｍ以下が好ましい。このプリピットの幅が０．４μｍ未満や、深さが２５０ｎｍ未満の場合は変調度が小さく、エラーレートが大きくなり信号を再生できないことがある。又、深さが３５０ｎｍを越える場合は、変調度は大きくなる傾向であるが、基板の成形の際の転写性が悪くなるといった問題が生じ、好ましくない。
【００２５】
本発明に於いてはＲＯＭ領域のプリピットからなるトラック上に重ねてプリピットよりも浅いプリグルーブを形成する（すなわち、同一トラック上の隣合うプレピットとプレピットの間にプリグルーブを形成する）。その浅いプリグルーブの形状は、深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、半値幅が０．１μｍ以上０．４μｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が更に好ましい。該深さが３０ｎｍ未満の場合はＷＣＮＲａが小さくなり、１７０ｎｍを越える場合は反射率と変調度が小さくなり好ましくない。又、該プリピットトラックはウォブリングしているが、そのウォブリングの振幅は２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、且つプリピットのトラック上に重ねて形成されたプリグルーブの深さ（Ｄ）とプリピットのウォブリング振幅（Ａ）の積Ｄ×Ａが３１００以上が好ましく、ウォブリング振幅は２８ｎｍ〜９９ｎｍ、且つＤ×Ａは３３００以上が更に好ましい。ウォブリング振幅が２５ｎｍ未満の場合や上記Ｄ×Ａが３１００未満の場合は、ＷＣＮＲａが大きくならず、ＡＴＩＰ情報を良好に読むことができなくなり、該振幅が１１０ｎｍを越える場合は、再生時のジッターが悪化し、再生エラーが発生し好ましくない。
【００２６】
本発明における上記プリピットの断面形状は略台形であることが好ましい。これは上記したようにプリピットの深さがプリグルーブより深くなるためレジスト膜厚でプリピットの深さの設定が可能であり、スタンパー製造が容易なことによる。一方、ＲＯＭ領域やＲＡＭ領域のプリグルーブの断面形状は、スタンパー製造上、略Ｖ字形であることが好ましい。
【００２７】
このような基板を作製するためのスタンパー製造におけるスタンパー原盤は次のように作るのが望ましい。即ち、ガラス基板上にフォトレジスト膜をプリピットの深さに相当する厚さに形成する。これにレーザー光を露光することによりプリピットまたはプリグルーブをカッティングする。プリピットのカッティングにおいてはフォトレジスト膜の厚さ方向全部に照射されるように強いレーザーパワーで露光し、ピット間プリグルーブはフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光し、レーザパワーを変化させてカッティングを行う。一方、プリグルーブのカッティングにおいてはプリグルーブの深さに対応するようにフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光を行う。この際レーザー光はＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域共にそれぞれの振幅でウォブリングさせる。露光後、現像を行うことによりプリピットはガラス基板面が露出し、断面形状が略台形状をしており、プリグルーブはガラス基板面まで現像されず、レーザービームの強度分布に対応した断面形状が略Ｖ字形になっている。このようなスタンパーのカッティング方法は既に技術的に確立されているものである。
【００２８】
本発明の基板の材質としては、記録光及び再生光の波長で透明で、光学異方性の小さいものであればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用されるが、透明性や基板の成形の容易性などを考慮するとポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂が最も適している。
【００２９】
本発明においては、基板の上に色素を含有する記録層を成膜する。記録層の膜厚は通常３０〜３００ｎｍ程度であるが、この記録層の膜厚は種々の特性上非常に重要である。ＲＯＭ領域の記録層の膜厚は、プリピット部と、プリピットトラックとプリピットトラックの間（ＲＯＭ領域のランド部）、及びＲＡＭ領域のプリグルーブ部とプリグルーブ間（ＲＡＭ領域のランド部）で異なる。
【００３０】
本発明のＲＯＭ領域におけるプリピット部の変調度は、プリピットトラックの形状だけでなく、プリピット部とランド部の記録層の膜厚にも依存する。このことを〔図２〕を用いて詳しく説明する。〔図２〕（ａ）はＲＯＭ領域を、〔図２〕（ｂ）はＲＡＭ領域をそれぞれ半径方向に切断した媒体の断面図を表す。
【００３１】
〔図２〕において基板１上のＲＯＭ領域にはプリピット６とランド部８が、ＲＡＭ領域にはプリグルーブ５とランド部１０が形成されている。そして記録層２は後記するように、色素を有機溶剤に溶解して調製した色素塗布溶液を、スピンコーティング法等により塗布し乾燥することにより形成されたものである。色素溶液を塗布する方法で記録層( 色素層 )を成膜すると、プリピット５及びプリグルーブ６に色素が埋まるためにプリピット６のピット底部７の記録層２の膜厚ｔpは基板１のランド部８の記録層２の膜厚ｔplよりも十分大きくなる。プリピットの深さをｄpとすると反射層３と記録層２の界面におけるプリピットの深さδpは、数式（１）〔数１〕のように表される。
【００３２】
【数１】
δp＝ｄp＋ｔpl−ｔp （１）
プリピット底部７とランド部８での光路長の差（Ｌp ）は、数式（２）〔数２〕で表される。
【００３３】
【数２】
但し、ｎsは基板１の屈折率であり、ｎdは記録層( 色素層 )２の屈折率の実数部である。
【００３４】
市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭのようにプリピットの上に直接反射層が成膜されている場合、該ピット部とランド部との光路長の差（Ｌp）がλ／４の際に変調度が最大になる。本発明のようにプレピット部にも色素層が成膜された場合でも、プリピットの深さが浅い場合は略該光路長の差（Ｌp）がλ／４近辺で変調度は最大になる。しかして、本発明のように、プレピットの深さが深い場合は、色素層表面のへこみにより光が散乱を受けるため、最大の変調度を与える光路長差がλ／４近辺から外れ、本発明に於いてはプリピット部とランド部における光路長の差は０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波長）以上０．４０λ以下が好ましい。
【００３５】
本発明における記録層に用いられる色素としては、ＣＤ−Ｒに用いられる公知のシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素等の色素が挙げられるが、記録特性や耐久性の点から構造式（１）〔化３〕に示されるフタロシアニン色素が好ましい。
【００３６】
【化３】
〔式（１）において、Ｍは２個の水素、又は２価以上の金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物を表し、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4は酸素又は硫黄原子を、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水素基を、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はハロゲンを、ｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4は、１又は２を、ｍ1、ｍ2、ｍ3、ｍ4は０〜３の整数を表す。〕
【００３７】
式（１）で表されるフタロシアニン色素におけるＭの具体例としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｄ等の２価の金属、ＶＯ等の金属酸化物やＡｌＣｌ、ＡｌＢｒ、ＧａＣｌ、ＩｎＢｒ、ＴｉＣｌ、ＴｉＢｒ等の金属のハロゲン化物等が挙げられる。一方、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は、炭素数が４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水素基であるが、具体的には、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基等の飽和炭化水素や、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、ドデセニル基、フェニル基、メチルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基等の不飽和炭化水素基が挙げられる。これらの炭化水素基は直鎖状でも分岐状であってもよい。又、これらの炭化水素基は、ハロゲン、アミノ基、エーテル基等で置換されていてもよい。アミノ基やエーテル基で置換されている場合でも置換基中の全ての炭素原子数は４〜１２個である。又、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4で表されるハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３８】
フタロシアニンを構成するベンゼン環に結合している前記置換基Ｘ1〜Ｘ4及び置換基Ｙ1〜Ｙ4の置換位置は特に限定するものではなく、又、置換基の種類及び数は一分子中の４つのベンゼン環で同じでも異なっていてもよい。
【００３９】
上記式（１）で表されるフタロシアニン色素の中で、反射率、記録特性等からＹ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4の置換位置は、ベンゼン環のα位、且つｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4が１のフタロシアニン色素が好ましい。
【００４０】
好ましいフタロシアニン色素の具体例としては、構造式（２）〜（４）〔化４〕、構造式（５）〜（７）〔化５〕、構造式（８）〜（１０）〔化６〕が挙げられる。さらに詳しくは、特開平３−６２８７８、特開平３−１４１５８２、特開平３−２１５４６６に記載されている色素が挙げられ、これらに記載される方法で合成することができる。すなわち、対応する置換基を有するフタロジニトリルまたはジアミノジイソインドリンと、例えば1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン(DBU) の存在下、対応する金属誘導体とアルコールやクロルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼンのごとき高沸点溶媒中で加熱反応することにより合成できる。
【００４１】
【化４】
【００４２】
【化５】
【００４３】
【化６】
また、上記フタロシアニン色素は、必要に応じて、２種類以上のフタロシアニン色素を混合して用いてもよい。また、その他のナフタロシアニン色素や他の種類の有機色素や燃焼促進剤、消光剤、紫外線吸収剤、樹脂バインダー、メタロセン化合物等を混合して用いても良い。
【００４４】
本発明における記録層は、上記色素を有機溶剤に溶解してスピンコート法やキャスト法等の塗布法により成膜する。この際色素を溶解する溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン等の環状炭化水素系溶媒；四塩化炭素、ジクロロメタン、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノール等のハロゲン化炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒などが挙げられる。これらの有機溶剤は単独でも、あるいは２種類以上混合して用いてもよい。
【００４５】
また、必要に応じて記録層は１層だけでなく複数の色素層を多層形成させることも可能である。
記録層の上に厚さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属又はこれら金属の合金が挙げられる。このなかでもＡｕやＡｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として特に好ましい。
【００４６】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層などの中間層を設けることもできる。
中間層に用いられる材料としては再生光の波長で屈折率が大きいものが望ましい。例えば、無機材料としては、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3などがあり、これらの材料を単独であるいは複数混合して用いてもよい。有機材料としては、シアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素等の公知の色素やポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシスチレンなどの高分子化合物が挙げられる。
【００４７】
さらに、反射層の上に保護層を形成させることもできる。保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。ＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、無機物質としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ4 、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2 等が挙げられる。
【００４８】
このようにして作製された光記録媒体はオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する信号特性が得られ、従来より市販されているＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも良好に再生することが可能となる。
尚、本発明に於いてはＲＯＭ領域とＲＡＭ領域は必要に応じて２つ以上設けてもよく、ＲＯＭ領域が外周側にＲＡＭ領域が内周側にあってもよい。
【００４９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、これらはあくまで本発明の技術的意義を説明ための具体的な実施の一態様であり、本発明の技術的範囲がこれにより限定的に解釈されるものではない。
【００５０】
〔実施例１〕
直径４６ｍｍ〜８０ｍｍのＲＯＭ領域にトラックピッチ１．６μｍのプリピットとプリグルーブからなるウォブリングトラック〔プリピットの深さ（ｄp）：３００ｎｍ、幅（ｗp）：０．５０μｍ、プリピット間のプリグルーブの深さ（Ｄ）：１００ｎｍ、幅（Ｗ）：０．２５μｍ、ウォブリング振幅（Ａ）：６６ｎｍ〕と、直径８０ｍｍ〜１１８ｍｍのＲＡＭ領域にトラックピッチ１．６μｍのウォブリングプリグルーブ〔深さ（ｄg）：１８５ｎｍ、幅（ｗg）：０．４５μｍ、ウォブリング振幅：３３ｎｍ）が形成された円盤状のポリカーボネート基板〔外径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、屈折率（ｎs）１．５８〕を射出成形により製作した。
【００５１】
一方、構造式（２）に示されるフタロシアニン色素０．２５ｇをエチルシクロヘキサンに３％ｏ−キシレンを添加した塗布溶媒１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。
この色素溶液を上記基板上にスピンコート法により、基板の回転数７５０ｒｐｍで５秒間塗布した後、回転数３０００ｒｐｍで１０秒間乾燥して、色素を含有する記録層を形成した後、７０℃で２時間加熱乾燥し残留溶媒を除去した。このときの記録膜の屈折率の実数部（ｎd ）は２．２０であった。このときの色素の平均膜厚は約１００ｎｍであった。
【００５２】
この色素層の上にバルザース社製スパッタ装置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。
【００５３】
サンプルのＲＡＭ領域をパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００を用いて、グルーブ部及びランド部の反射電位（Ｉg及びＩl）を測定し、以下の数式（３）〔数３〕を用いて、ＲＣｂを計算した。
【００５４】
【数３】
ＲＣｂ＝２×（Ｉl−Ｉg）／（Ｉl＋Ｉg） （３）
【００５５】
サンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤ−Ｒライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いてＥＦＭ信号を記録した。記録後、ＣＤプレーヤー（フィリップス製ＣＤ９２０ＪＴ）を用いて、ＲＯＭ領域及び記録後のＲＡＭ領域の信号を再生し、反射率（Ｒｔｏｐ）及び最も長いピットである１１Ｔの変調度（Ｉ１１／Ｉｔｏｐ）、ＣＤデコーダーによりエラー率（ＢＬＥＲ）、及びタイムインターバルアナライザーによりジッター（ｊｉｔｔｅｒ）測定を行った。また、前記ＤＤＵ−１０００を用いてトラッキングエラー信号をスペクトラム・アナライザーに入力して、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａを、また、ＡＴＩＰデコーダーを用いて、絶対時間の読み取りエラー率（以下、ＡＴＥＲと略す）を測定した。
【００５６】
また、サンプルのＲＯＭ領域のプレピット底部とランド部の光路長差（Ｌp）を算出するために、基板上に記録層を形成した上に厚さ１０ｎｍ程度のＡｕスパッタ膜を形成したものを用いて、プレピット部の記録層の窪み（δp）を走査型トンネル顕微鏡を用いて測定した。そして前記数式（２）より、Ｌpを計算した。評価結果を〔表１〕にまとめた。
【００５７】
〔実施例２〜６及び比較例１〜６〕
〔表１〕に示したＲＯＭ領域のプリピット形状とＲＡＭ領域のプリグルーブ形状を有する基板を用いる以外は実施例１と同じ方法で媒体を作り、評価を行った。
結果は〔表１〕にまとめた。比較例１、３、５及び６は、ＲＡＭ領域に記録できなかった。この記録できなかった理由を調べたところ、比較例１はＲＡＭ領域のＲＣｂが小さすぎるために、記録トラックへのアクセスが不能であった。また、比較例３、５及び６は、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａが小さすぎ、ＲＯＭ領域の時間情報が読めなくなり、時間の管理ができなくなったためと推定された。
【００５８】
〔実施例７〕
実施例１において、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンに２％ｏ−キシレンを添加したものを用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。
結果は〔表１〕にまとめた。
【００５９】
〔実施例８〕
実施例１において、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンに１％プロピルシクロヘキサンを添加したものを用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６０】
〔実施例９〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリグルーブ幅を０．２７μｍ、深さを１２０ｎｍ、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンを用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６１】
〔実施例１０〕
実施例６において、前記の構造式（３）〔化４〕に示されるフタロシアニン色素（II）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６２】
〔実施例１１〕
実施例６において、前記の構造式（４）〔化４〕に示されるフタロシアニン色素（III ）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６３】
〔実施例１２〕
実施例６において、前記の構造式（９）〔化６〕に示されるフタロシアニン色素（IV）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６４】
〔実施例１３〕
実施例６において、前記の構造式（１０）〔化６〕に示されるフタロシアニン色素（Ｖ）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、（１）再生専用領域のプリピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該ピット間のプリグルーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、ウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、ピット間プリグルーブの深さとウォブリング・トラックの振幅の積が３１００以上であり、且つ、（２）記録可能領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にすることにより、オレンジブック規格を満足する良好な信号特性を有するハイブリッドディスクを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体の断面構造図
【符号の説明】
１ 基板
２ 記録層
３ 反射層
４ 保護層
５ プリグルーブ
６ プリピット
７ プリピット底部
８ プリピット間部
９ プリグルーブ底部
１０ プリグルーブ間部
ｄp プリピットの深さ
ｔp プリピット底部上の色素膜厚
ｔpl プリピット間部上の色素膜厚
δp 反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの深さ
ｄg プリグルーブの深さ
ｔg プリグルーブ底部上の色素膜厚
ｔgl プリグルーブ間部上の色素膜厚
δg 反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブの深さ
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光による情報の記録及び再生が可能な光記録媒体であって、特に基板上に予めプリピットが形成された再生専用領域と、及びプリグルーブが形成された記録可能領域とからなり、両領域共に市販ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有する光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
記録された情報が市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生することができる記録可能光記録媒体は、例えば、日経エレクトロニクス、No.465，P.107,1989年１月23日号や、Optical Data Storage 1989,Technical Digest Series Vol.1 45( 1989 )等において提案されている。この光記録媒体は〔図１〕に示すように、基板１上に、色素を含有する記録層２、反射層３、保護層４をこの順に形成したものである。
そして記録層に、シアニン色素やフタロシアニン色素、アゾ色素などを用いた媒体は、記録可能なコンパクトディスク（以下、ＣＤ−Ｒと略す）と称して、現在、市場に供されている。
【０００３】
ＣＤ−Ｒは、その色素用いた記録層に７７０〜８３０ｎｍの波長の半導体レーザー光を高パワーで照射すると、該記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で情報を記録する。この記録層に、低パワーのレーザー光を照射し、その反射光の変化を読みとることにより情報を再生することができる。そして該ＣＤ−Ｒに於いてはその記録に際しての回転速度の制御と時間の管理のために、プリグルーブのトラックに略正弦曲線状のウォブリングを施し、且つ、ウォブリング周期を周波数変調することによりディスクの絶対アドレスとして時間情報（ＡＴＩＰ：Absolute Time In Pre-groove ）を記録している。そして、このグルーブからなるウォブリングトラックから得られる再生信号のウォブリング信号強度とノイズ比（以下、ピットが記録されてない部位のものをＷＣＮＲｂ、ピットが記録された部位のものをＷＣＮＲａと略す）は、ＷＣＮＲｂで３６ｄＢ以上、ＷＣＮＲａで２６ｄＢ以上が必要とされている。従って、これらの特性を満足するようにＣＤ−Ｒでは媒体設計がなされている。
【０００４】
一方、市販されている通常のＣＤ、すなわち再生専用のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体は、上記のような記録層は有しない。情報は基板表面にプレピットとして基板成形時に形成し、その上に反射層、保護層が成膜されている。そして回転速度の制御や時間情報はピットから得られ、プレピットからなるトラックはウォブリングしていない。
【０００５】
最近、上記ＣＤやＣＤ−ＲＯＭのように予め基板上にプリピットが形成された再生専用領域（以下、ＲＯＭ領域と略す）と上記ＣＤ−Ｒのようにプリグルーブが形成された記録可能領域（以下、ＲＡＭ領域と略す）とを組み合わせた光記録媒体が提案されている( 例えば、特開平3 ー241538 、特開平4 ー243019 ）。
【０００６】
この光記録媒体は、オレンジブック規格ではハイブリッドディスクと称され、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の各種特性はオレンジブックに規格化されている。
【０００７】
このハイブリッドディスクのＲＯＭ領域は上記した市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体とは次の２点で大きく異なる。そのため、ＲＯＭ領域の下記の特性が十分に得られず問題となっている。すなわち：
１．ＲＡＭ領域のプリグルーブ上だけでなく、ＲＯＭ領域のプレピット上にも色素を含有する記録層が設けられている。その色素層の存在のため、市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体と同じプリピット形状では十分な変調度が得られない。
２．ハイブリッドディスクにおいては、記録時の回転速度の制御とその時間管理をＲＯＭ領域からＲＡＭ領域に渡り連続して同じ方法で行うために、ＲＡＭ領域と同じように、ＲＯＭ領域のプレピットからなるトラックもウォブリングさせ、且つ上記ＡＴＩＰ情報を記録し、上記ＣＤ−ＲのＷＣＮＲａの規格を満足しなければならない。
【０００８】
このようにハイブリッドディスクに於いては、ＲＯＭ領域の構成が、上記１．及び２．の点で、従来のＣＤやＣＤ−ＲＯＭとは大きく異なるために、ＲＯＭ領域の変調度の確保とＡＴＩＰ情報の記録のために、ＲＯＭ領域の困難な設計を行わなければならなかった。例えば、プリピットからなるトラックの形状及び該プリピットトラックのウォブリングの振幅等の因子を考慮する必要がある。
【０００９】
そして、上記プリピットトラックの形状とウォブリング振幅に関してはいくつかの提案がなされている。
【００１０】
特開平4 ー146537 にはＲＯＭ領域の変調度を獲得するためのプリピットの形状として、その深さが150 〜400nm 、その半価幅を0.2 〜1.4 μm と非常に広い範囲が開示されている。確かに、上記の広い範囲のプリピット形状であっても、ＲＯＭ領域の変調度を満足するだけでよければ、記録層の膜厚をコントロールすることにより可能である。しかしながら、ＲＡＭ領域のサーボ信号特性や、記録特性等のオレンジブックに決められている種々の特性をすべて満足することは難しい。特に未記録部のプリグルーブを光が横断する際の信号であるラジアルコントラスト（ＲＣｂ）を確保するためには、グルーブの深さを比較的深くしなければならない。そして深いプリグルーブの場合に、優れた記録特性を維持するように、記録層の膜厚をコントロールするように記録層を塗布することが要請される。その場合、ＲＯＭ領域のプリピット形状によっては、上記の広い範囲に渡っては十分な変調度は得られないことを我々は見いだした。更に、該公報には、ＲＯＭ領域のプレピットトラックのウォブリングに関しては何も開示されていない。
【００１１】
一方、ＲＯＭ領域のＡＴＩＰ情報を得るために、特開平4 ー243019 には、ＲＯＭ領域のプリピットトラックをウォブルリングさせ、且つプリピットトラックのウォブリング振幅をＲＡＭ領域のプリグルーブトラックのウォブリング振幅よりも大きくすることにより、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａを向上させている。そして、ＲＯＭ領域のプリピットトラックのウォブリング振幅とＲＡＭ領域のプリグルーブトラックのウォブリング振幅の差は、１０ｎｍ以上、好ましくは１６〜３６ｎｍであり、プリピットトラックの振幅としては６６〜１０６ｎｍが開示されている。そして該公開公報記載の実施例においては、ＲＯＭ領域のプリピットの幅が０．６μm で深さが１１０ｎｍ、プリピットトラックのウォブリング振幅が４３ｎｍ、ＲＡＭ領域のプリグルーブの幅が０．６μm , 深さが８０ｎｍ、ウォブリング振幅が３０ｎｍの媒体が開示されている。この条件では、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さが浅いために、ＲＣｂが小さく、且つＲＯＭ領域のプリピットの深さが浅いために大きな変調度が得られないといった問題が生じることを我々は見いだした。又、記録層の色素としてに該公開公報記載のように、シアニン色素を用いた場合には、上記条件でＷＣＮａの値は得られるが、シアニン色素以外のより好ましい色素、例えばフタロシアニン系色素を記録層に用いた場合には、プリピットトラックのウォブリング振幅を１０６ｎｍにしても十分なＷＣＮＲａは得られないことを我々は見いだした。
【００１２】
また、特開平5 ー36087においては、ＲＯＭ領域のプリピットとプリピットの間にプリピットの深さより浅いプリグルーブを設け、且つこのプリピットとプリグルーブからなるトラックをウォブリングさせることによりＷＣＮＲａを向上させている。この提案によると、該プリピットの深さが８０〜１４０ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍであり、該プリピットとプリピットの間の浅いプリグルーブの深さが３０〜１００ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍになるように設計されている。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さは３０〜１００ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍとなっている。しかしながら、我々が検討したところによると、この条件では、ＲＯＭ領域のプリピットの深さが浅すぎて上記したように良好な変調度が得られない。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さが浅すぎてＲＣｂがとれない。
【００１３】
ハイブリッドディスクにおいては、当然のことながら、上記したようなＲＯＭ領域の変調度やＷＣＮＲａに加えて、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域共にその他の特性もオレンジブック規格を満足することが要請される。そして、これら種々の特性は、お互いにトレードオフの関係にあるものが多く、上記した従来技術ではすべての特性において規格を満足することは困難であった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、プリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成されたＲＡＭ領域とからなる基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に設けられているハイブリッドディスクにおいて、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のＡＴＩＰ情報が良好に読み取れて、しかもＲＯＭ及びＲＡＭ領域共にオレンジブック規格を満足する良好な記録再生特性を有する光記録媒体を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案するに至った。すなわち、この課題は以下の発明によって解決される。
▲１▼ 予めプリピットが形成された再生専用領域と、プリグルーブが形成された記録可能領域とからなる基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、( １ )該再生専用領域にはプリピットからなるトラック上に重ねてプリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリングトラックが略正弦曲線状に形成されており、該プリピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、該プリピットと該浅いプリグルーブからなるトラックのウォブリング振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、上記プリグルーブの深さと上記ウォブリング振幅の積が３１００以上であり、且つ、( ２ )記録可能領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
【００１６】
▲２▼ 記録層に用いられる色素が構造式（１）〔化２〕に示されるフタロシアニン色素からなることを特徴とする▲１▼記載の光記録媒体。
【００１７】
【化２】
2、Ｚ3、Ｚ4は４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水素基を、Ｘ1
、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はハロゲンを、ｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4は、１又は２を、ｍ
1、ｍ2、ｍ3、ｍ4は０〜３の整数を表す。〕
▲３▼ 該再生専用領域のプリピットの深さが、２７０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、ウォブリング振幅が２８ｎｍ以上９９ｎｍ以下であり、該プリグルーブの深さとウォブリング振幅の積が３３００以上であることを特徴とする▲１▼又は▲２▼記載の光記録媒体。
【００１８】
▲４▼ 該記録可能領域のプリグルーブの深さが１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることを特徴とする▲１▼〜▲３▼のいずれかに記載の光記録媒体。
【００１９】
▲５▼ 該再生専用領域のプリピット部とプリピットとプリグルーブからなるトラック間部における光路長の差が０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波長）以上０．４０λ以下であることを特徴とする▲１▼〜▲４▼のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２０】
本発明に従えば、ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域のウォブリング再生信号であるＷＣＮＲａが均一で、十分に大きく、且つＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域ともにオレンジブック規格を満足した優れたハイブリッドディスクを提供することが可能となるのである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の具体的構成について以下に説明する。
【００２２】
本発明の光記録媒体は、プリピットのトラック上に重ねてプリピットより浅いプリグルーブからなるウォブリングトラックが形成されているＲＯＭ領域と、プリグルーブからなるウォブリングトラックが形成されているＲＡＭ領域とが設けられた基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に形成された構造を有している。そしてＲＯＭ領域のプリピットや同じトラック上のプリピットとプリピット間、及びＲＡＭ領域のプリグルーブは、特定の形状を有するものである。
【００２３】
先ずＲＡＭ領域のプリグルーブの形状は、深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ未満の場合はＲＣｂが小さくなり、サーボ不良が発生する。また、プリグルーブの深さが２５０ｎｍより大きくなるとＲＣｂは大きくなるが反射率が低くなり、記録後の信号を良好に再生することができない。このＲＣｂと反射率の点からは、プリグルーブの深さは１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下が好ましく、１７０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が更に好ましい。又プリグルーブの半値幅（プリグルーブの深さの１／２の深さに於ける幅）は０．３μｍ〜０．６μｍ程度である。又、該プリグルーブはウォブリングしているが、ウォブリング振幅は２５ｎｍ以上、３６ｎｍ以下が好ましい。ウォブリング振幅が２５ｎｍ未満の場合は未記録時のウォブリング信号（ＷＣＮＲｂ）が小さくなり、ＡＴＩＰ情報を良好に再生することができなかったり、最悪の場合、記録不能になる恐れがある。また、該ウォブリング振幅が３６ｎｍを越えるとＷＣＮＲｂが大きくなりすぎて逆に市販のＣＤ−Ｒレコーダーでサーボ不良となり、最悪の場合、記録不能になることがある。又、記録信号のジッターが大きくなりエラーが増加し好ましくない。
【００２４】
次にＲＯＭ領域のプリピットの形状は、深さは２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、が好ましく、２７０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下が更に好ましい。又、その半値幅（ピット深さの１／２の深さにおけるピットの幅）は０．４μｍ以上０．６μｍ以下が好ましい。このプリピットの幅が０．４μｍ未満や、深さが２５０ｎｍ未満の場合は変調度が小さく、エラーレートが大きくなり信号を再生できないことがある。又、深さが３５０ｎｍを越える場合は、変調度は大きくなる傾向であるが、基板の成形の際の転写性が悪くなるといった問題が生じ、好ましくない。
【００２５】
本発明に於いてはＲＯＭ領域のプリピットからなるトラック上に重ねてプリピットよりも浅いプリグルーブを形成する（すなわち、同一トラック上の隣合うプレピットとプレピットの間にプリグルーブを形成する）。その浅いプリグルーブの形状は、深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、半値幅が０．１μｍ以上０．４μｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が更に好ましい。該深さが３０ｎｍ未満の場合はＷＣＮＲａが小さくなり、１７０ｎｍを越える場合は反射率と変調度が小さくなり好ましくない。又、該プリピットトラックはウォブリングしているが、そのウォブリングの振幅は２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、且つプリピットのトラック上に重ねて形成されたプリグルーブの深さ（Ｄ）とプリピットのウォブリング振幅（Ａ）の積Ｄ×Ａが３１００以上が好ましく、ウォブリング振幅は２８ｎｍ〜９９ｎｍ、且つＤ×Ａは３３００以上が更に好ましい。ウォブリング振幅が２５ｎｍ未満の場合や上記Ｄ×Ａが３１００未満の場合は、ＷＣＮＲａが大きくならず、ＡＴＩＰ情報を良好に読むことができなくなり、該振幅が１１０ｎｍを越える場合は、再生時のジッターが悪化し、再生エラーが発生し好ましくない。
【００２６】
本発明における上記プリピットの断面形状は略台形であることが好ましい。これは上記したようにプリピットの深さがプリグルーブより深くなるためレジスト膜厚でプリピットの深さの設定が可能であり、スタンパー製造が容易なことによる。一方、ＲＯＭ領域やＲＡＭ領域のプリグルーブの断面形状は、スタンパー製造上、略Ｖ字形であることが好ましい。
【００２７】
このような基板を作製するためのスタンパー製造におけるスタンパー原盤は次のように作るのが望ましい。即ち、ガラス基板上にフォトレジスト膜をプリピットの深さに相当する厚さに形成する。これにレーザー光を露光することによりプリピットまたはプリグルーブをカッティングする。プリピットのカッティングにおいてはフォトレジスト膜の厚さ方向全部に照射されるように強いレーザーパワーで露光し、ピット間プリグルーブはフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光し、レーザパワーを変化させてカッティングを行う。一方、プリグルーブのカッティングにおいてはプリグルーブの深さに対応するようにフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光を行う。この際レーザー光はＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域共にそれぞれの振幅でウォブリングさせる。露光後、現像を行うことによりプリピットはガラス基板面が露出し、断面形状が略台形状をしており、プリグルーブはガラス基板面まで現像されず、レーザービームの強度分布に対応した断面形状が略Ｖ字形になっている。このようなスタンパーのカッティング方法は既に技術的に確立されているものである。
【００２８】
本発明の基板の材質としては、記録光及び再生光の波長で透明で、光学異方性の小さいものであればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用されるが、透明性や基板の成形の容易性などを考慮するとポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂が最も適している。
【００２９】
本発明においては、基板の上に色素を含有する記録層を成膜する。記録層の膜厚は通常３０〜３００ｎｍ程度であるが、この記録層の膜厚は種々の特性上非常に重要である。ＲＯＭ領域の記録層の膜厚は、プリピット部と、プリピットトラックとプリピットトラックの間（ＲＯＭ領域のランド部）、及びＲＡＭ領域のプリグルーブ部とプリグルーブ間（ＲＡＭ領域のランド部）で異なる。
【００３０】
本発明のＲＯＭ領域におけるプリピット部の変調度は、プリピットトラックの形状だけでなく、プリピット部とランド部の記録層の膜厚にも依存する。このことを〔図２〕を用いて詳しく説明する。〔図２〕（ａ）はＲＯＭ領域を、〔図２〕（ｂ）はＲＡＭ領域をそれぞれ半径方向に切断した媒体の断面図を表す。
【００３１】
〔図２〕において基板１上のＲＯＭ領域にはプリピット６とランド部８が、ＲＡＭ領域にはプリグルーブ５とランド部１０が形成されている。そして記録層２は後記するように、色素を有機溶剤に溶解して調製した色素塗布溶液を、スピンコーティング法等により塗布し乾燥することにより形成されたものである。色素溶液を塗布する方法で記録層( 色素層 )を成膜すると、プリピット５及びプリグルーブ６に色素が埋まるためにプリピット６のピット底部７の記録層２の膜厚ｔpは基板１のランド部８の記録層２の膜厚ｔplよりも十分大きくなる。プリピットの深さをｄpとすると反射層３と記録層２の界面におけるプリピットの深さδpは、数式（１）〔数１〕のように表される。
【００３２】
【数１】
δp＝ｄp＋ｔpl−ｔp （１）
プリピット底部７とランド部８での光路長の差（Ｌp ）は、数式（２）〔数２〕で表される。
【００３３】
【数２】
【００３４】
市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭのようにプリピットの上に直接反射層が成膜されている場合、該ピット部とランド部との光路長の差（Ｌp）がλ／４の際に変調度が最大になる。本発明のようにプレピット部にも色素層が成膜された場合でも、プリピットの深さが浅い場合は略該光路長の差（Ｌp）がλ／４近辺で変調度は最大になる。しかして、本発明のように、プレピットの深さが深い場合は、色素層表面のへこみにより光が散乱を受けるため、最大の変調度を与える光路長差がλ／４近辺から外れ、本発明に於いてはプリピット部とランド部における光路長の差は０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波長）以上０．４０λ以下が好ましい。
【００３５】
本発明における記録層に用いられる色素としては、ＣＤ−Ｒに用いられる公知のシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素等の色素が挙げられるが、記録特性や耐久性の点から構造式（１）〔化３〕に示されるフタロシアニン色素が好ましい。
【００３６】
【化３】
【００３７】
式（１）で表されるフタロシアニン色素におけるＭの具体例としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｄ等の２価の金属、ＶＯ等の金属酸化物やＡｌＣｌ、ＡｌＢｒ、ＧａＣｌ、ＩｎＢｒ、ＴｉＣｌ、ＴｉＢｒ等の金属のハロゲン化物等が挙げられる。一方、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は、炭素数が４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水素基であるが、具体的には、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基等の飽和炭化水素や、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、ドデセニル基、フェニル基、メチルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基等の不飽和炭化水素基が挙げられる。これらの炭化水素基は直鎖状でも分岐状であってもよい。又、これらの炭化水素基は、ハロゲン、アミノ基、エーテル基等で置換されていてもよい。アミノ基やエーテル基で置換されている場合でも置換基中の全ての炭素原子数は４〜１２個である。又、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4で表されるハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３８】
フタロシアニンを構成するベンゼン環に結合している前記置換基Ｘ1〜Ｘ4及び置換基Ｙ1〜Ｙ4の置換位置は特に限定するものではなく、又、置換基の種類及び数は一分子中の４つのベンゼン環で同じでも異なっていてもよい。
【００３９】
上記式（１）で表されるフタロシアニン色素の中で、反射率、記録特性等からＹ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4の置換位置は、ベンゼン環のα位、且つｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4が１のフタロシアニン色素が好ましい。
【００４０】
好ましいフタロシアニン色素の具体例としては、構造式（２）〜（４）〔化４〕、構造式（５）〜（７）〔化５〕、構造式（８）〜（１０）〔化６〕が挙げられる。さらに詳しくは、特開平３−６２８７８、特開平３−１４１５８２、特開平３−２１５４６６に記載されている色素が挙げられ、これらに記載される方法で合成することができる。すなわち、対応する置換基を有するフタロジニトリルまたはジアミノジイソインドリンと、例えば1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン(DBU) の存在下、対応する金属誘導体とアルコールやクロルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼンのごとき高沸点溶媒中で加熱反応することにより合成できる。
【００４１】
【化４】
【化５】
【化６】
【００４４】
本発明における記録層は、上記色素を有機溶剤に溶解してスピンコート法やキャスト法等の塗布法により成膜する。この際色素を溶解する溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン等の環状炭化水素系溶媒；四塩化炭素、ジクロロメタン、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノール等のハロゲン化炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒などが挙げられる。これらの有機溶剤は単独でも、あるいは２種類以上混合して用いてもよい。
【００４５】
また、必要に応じて記録層は１層だけでなく複数の色素層を多層形成させることも可能である。
記録層の上に厚さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属又はこれら金属の合金が挙げられる。このなかでもＡｕやＡｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として特に好ましい。
【００４６】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層などの中間層を設けることもできる。
中間層に用いられる材料としては再生光の波長で屈折率が大きいものが望ましい。例えば、無機材料としては、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3などがあり、これらの材料を単独であるいは複数混合して用いてもよい。有機材料としては、シアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素等の公知の色素やポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシスチレンなどの高分子化合物が挙げられる。
【００４７】
さらに、反射層の上に保護層を形成させることもできる。保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。ＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、無機物質としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ4 、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2 等が挙げられる。
【００４８】
このようにして作製された光記録媒体はオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する信号特性が得られ、従来より市販されているＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも良好に再生することが可能となる。
尚、本発明に於いてはＲＯＭ領域とＲＡＭ領域は必要に応じて２つ以上設けてもよく、ＲＯＭ領域が外周側にＲＡＭ領域が内周側にあってもよい。
【００４９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、これらはあくまで本発明の技術的意義を説明ための具体的な実施の一態様であり、本発明の技術的範囲がこれにより限定的に解釈されるものではない。
【００５０】
〔実施例１〕
直径４６ｍｍ〜８０ｍｍのＲＯＭ領域にトラックピッチ１．６μｍのプリピットとプリグルーブからなるウォブリングトラック〔プリピットの深さ（ｄp）：３００ｎｍ、幅（ｗp）：０．５０μｍ、プリピット間のプリグルーブの深さ（Ｄ）：１００ｎｍ、幅（Ｗ）：０．２５μｍ、ウォブリング振幅（Ａ）：６６ｎｍ〕と、直径８０ｍｍ〜１１８ｍｍのＲＡＭ領域にトラックピッチ１．６μｍのウォブリングプリグルーブ〔深さ（ｄg）：１８５ｎｍ、幅（ｗg）：０．４５μｍ、ウォブリング振幅：３３ｎｍ）が形成された円盤状のポリカーボネート基板〔外径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、屈折率（ｎs）１．５８〕を射出成形により製作した。
【００５１】
一方、構造式（２）に示されるフタロシアニン色素０．２５ｇをエチルシクロヘキサンに３％ｏ−キシレンを添加した塗布溶媒１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。
この色素溶液を上記基板上にスピンコート法により、基板の回転数７５０ｒｐｍで５秒間塗布した後、回転数３０００ｒｐｍで１０秒間乾燥して、色素を含有する記録層を形成した後、７０℃で２時間加熱乾燥し残留溶媒を除去した。このときの記録膜の屈折率の実数部（ｎd ）は２．２０であった。このときの色素の平均膜厚は約１００ｎｍであった。
【００５２】
この色素層の上にバルザース社製スパッタ装置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。
【００５３】
サンプルのＲＡＭ領域をパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００を用いて、グルーブ部及びランド部の反射電位（Ｉg及びＩl）を測定し、以下の数式（３）〔数３〕を用いて、ＲＣｂを計算した。
【００５４】
【数３】
ＲＣｂ＝２×（Ｉl−Ｉg）／（Ｉl＋Ｉg） （３）
【００５５】
サンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤ−Ｒライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いてＥＦＭ信号を記録した。記録後、ＣＤプレーヤー（フィリップス製ＣＤ９２０ＪＴ）を用いて、ＲＯＭ領域及び記録後のＲＡＭ領域の信号を再生し、反射率（Ｒｔｏｐ）及び最も長いピットである１１Ｔの変調度（Ｉ１１／Ｉｔｏｐ）、ＣＤデコーダーによりエラー率（ＢＬＥＲ）、及びタイムインターバルアナライザーによりジッター（ｊｉｔｔｅｒ）測定を行った。また、前記ＤＤＵ−１０００を用いてトラッキングエラー信号をスペクトラム・アナライザーに入力して、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａを、また、ＡＴＩＰデコーダーを用いて、絶対時間の読み取りエラー率（以下、ＡＴＥＲと略す）を測定した。
【００５６】
また、サンプルのＲＯＭ領域のプレピット底部とランド部の光路長差（Ｌp）を算出するために、基板上に記録層を形成した上に厚さ１０ｎｍ程度のＡｕスパッタ膜を形成したものを用いて、プレピット部の記録層の窪み（δp）を走査型トンネル顕微鏡を用いて測定した。そして前記数式（２）より、Ｌpを計算した。評価結果を〔表１〕にまとめた。
【００５７】
〔実施例２〜６及び比較例１〜６〕
〔表１〕に示したＲＯＭ領域のプリピット形状とＲＡＭ領域のプリグルーブ形状を有する基板を用いる以外は実施例１と同じ方法で媒体を作り、評価を行った。
結果は〔表１〕にまとめた。比較例１、３、５及び６は、ＲＡＭ領域に記録できなかった。この記録できなかった理由を調べたところ、比較例１はＲＡＭ領域のＲＣｂが小さすぎるために、記録トラックへのアクセスが不能であった。また、比較例３、５及び６は、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａが小さすぎ、ＲＯＭ領域の時間情報が読めなくなり、時間の管理ができなくなったためと推定された。
【００５８】
〔実施例７〕
実施例１において、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンに２％ｏ−キシレンを添加したものを用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。
結果は〔表１〕にまとめた。
【００５９】
〔実施例８〕
実施例１において、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンに１％プロピルシクロヘキサンを添加したものを用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６０】
〔実施例９〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリグルーブ幅を０．２７μｍ、深さを１２０ｎｍ、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンを用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６１】
〔実施例１０〕
実施例６において、前記の構造式（３）〔化４〕に示されるフタロシアニン色素（II）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６２】
〔実施例１１〕
実施例６において、前記の構造式（４）〔化４〕に示されるフタロシアニン色素（III ）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６３】
〔実施例１２〕
実施例６において、前記の構造式（９）〔化６〕に示されるフタロシアニン色素（IV）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６４】
〔実施例１３〕
実施例６において、前記の構造式（１０）〔化６〕に示されるフタロシアニン色素（Ｖ）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６５】
【表１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、（１）再生専用領域のプリピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該ピット間のプリグルーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、ウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、ピット間プリグルーブの深さとウォブリング・トラックの振幅の積が３１００以上であり、且つ、（２）記録可能領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にすることにより、オレンジブック規格を満足する良好な信号特性を有するハイブリッドディスクを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体の断面構造図
【符号の説明】
１ 基板
２ 記録層
３ 反射層
４ 保護層
５ プリグルーブ
６ プリピット
７ プリピット底部
８ プリピット間部
９ プリグルーブ底部
１０ プリグルーブ間部
ｄp プリピットの深さ
ｔp プリピット底部上の色素膜厚
ｔpl プリピット間部上の色素膜厚
δp 反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの深さ
ｄg プリグルーブの深さ
ｔg プリグルーブ底部上の色素膜厚
ｔgl プリグルーブ間部上の色素膜厚
δg 反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブの深さ
Claims (4)
- 予めプリピットが形成された再生専用領域と、プリグルーブが形成された記録可能領域とからなる基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、（１）該再生専用領域にはプリピットからなるトラック上に重ねてプリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリングトラックが略正弦曲線状に形成されており、該プリピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、該プリピットと該浅いプリグルーブからなるトラックのウォブリング振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、上記プリグルーブの深さと上記ウォブリング振幅の積が３１００以上、かつ、プリピット部とプリピットとプリグルーブからなるトラック間部における光路長の差が０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波長）以上０．４０λ以下であり、且つ、（２）記録可能領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
- 記録層に用いられる色素が構造式（１）〔化１〕に示されるフタロシアニン色素からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
- 該再生専用領域のプリピットの深さが、２７０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、ウォブリング振幅が２８ｎｍ以上９９ｎｍ以下であり、該プリグルーブの深さとウォブリング振幅の積が３３００以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
- 該記録可能領域のプリグルーブの深さが１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
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