JP3662056B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光による情報の記録及び再生が可能な光記録媒体であって、特に基板上に設けられたプリピット部及びプリグルーブ部からなる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる光記録媒体（ハイブリッドディスク）については、例えば、特開平４−２４３０１９や特開平５−３６０８７に記載されている。
上記公報に記載されているように、ＲＯＭ領域におけるプリピット列からなるトラックと、ＲＡＭ領域におけるプリグルーブとからなるトラックは、絶対時間情報等を記録しておくために周波数変調したウォブリング・トラックになっている。
【０００３】
ハイブリッドディスクの記録装置は、この絶対時間情報（ＡＴＩＰと呼ぶ）を読み取り、追記可能領域の記録開始位置から記録を行うしくみになっている。従って、前記ハイブリッドディスクにおいてはＲＯＭ領域でも追記可能なＲＡＭ領域でも同様にＡＴＩＰ情報を読み取れるようにしなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プリピット領域ではウォブルが断続的であるために、記録可能領域と同じだけウォブリングさせても追記可能領域と同様なＣ／Ｎが得られずに、ＡＴＩＰ情報の読み取りエラーが生じるといった問題があり、解決が望まれていた。その目的のためにいくつかの提案がされている。
【０００５】
例えば、特開平４−２４３０１９では、プリピット列のトラックのウォブリング振幅をプリグルーブのトラックのウォブリング振幅よりも大きく設定することによりＣ／Ｎを向上させ、ＡＴＩＰ情報の読み取りエラーをなくすとする。
また、特開平５−３６０８７では、ＲＯＭ領域のプリピット列のウォブリングトラックに沿って、プリピットより浅いウォブリング・プリグルーブを設けることによりＣ／Ｎを向上させている。
【０００６】
即ち、両提案はいずれもプリピットをウォブリングさせていることに特徴がある。しかしながら、再生用の光ヘッドはウォブリング・プリピットのうねり（一般に２２．０５ｋＨｚ）に追従できず、まっすぐに進むことことにより、ウォブリング・プリピットを斜めに横切ったりするために、再生信号に時間軸方向のゆらぎを生じさせてしまうといった欠点がある。通常、この時間軸方向のゆらぎのことをジッターと呼んでおり、ジッターが大きいと、再生信号のデータ読み取りエラーが生じてしまい、最悪の場合、再生不能になる恐れがある。
そこで、プリピット領域でのＡＴＩＰ情報が読み取れて、且つ、信号のジッターが低く、データ読み取りエラーの小さいハイブリッドディスクが望まれているのである。
本発明は前記問題点を解決するものであり、ＲＯＭ領域のＡＴＩＰ信号のＣ／Ｎを向上させるとともにプリピット部のジッターを低く抑えたハイブリッドディスクを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、以下の技術的事項により特定される。
（１） 予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねて該プリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成されていることを特徴とする光記録媒体。
（２） ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である（１）記載の光記録媒体。
（３） ＲＯＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）記載の光記録媒体。
（４） 色素層がフタロシアニン色素よりなる（１）〜（３）の何れかに記載の光記録媒体。
（５） 反射層がＡｕを主成分とする金属からなる（１）〜（４）の何れかに記載の光記録媒体。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に従えば、プリピット部とプリグルーブ部のウォブリング再生信号のＣ／Ｎが均一で、且つ、プリピット部の再生信号のジッターが低いハイブリッドディスクを提供することが可能となる。
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の光記録媒体は、基本的に、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねてプリグルーブからなるウォブリング・トラックが形成されているＲＯＭ領域と、プリグルーブからなるウォブリング・トラックのみが形成されているＲＡＭ領域とが設けられた基板上に記録層、反射層、保護層がこの順に形成された構造を有していることを特徴とする。
ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域は必要に応じて２つ以上設けてもよく、ＲＯＭ領域が外周側にＲＡＭ領域が内周側にあってもよい。
【００１０】
プリグルーブからなるウォブリング・トラックは周波数変調信号を示すようにウォブリングされており、内周から絶対時間の管理を行うようにしている。
【００１１】
本発明におけるＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング振幅は特定の条件を満足することが好ましい。即ち、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング振幅は２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあることである。より好ましくは、プリグルーブのウォブリング振幅が３０〜８０ｎｍの範囲にある。さらに好ましくは３０〜４０ｎｍの範囲にある。
【００１２】
プリグルーブのウォブリング振幅が２５ｎｍよりあまり小さくなると、再生信号のＣ／Ｎが小さすぎて、絶対時間のデータの読み取りエラーが生じ易くなり、最悪の場合、読み取り不能になる恐れがある。また、プリグルーブのウォブリング振幅が１００ｎｍよりあまり大きくなると、ピット列のうねりが大きいことにより再生信号のジッターが大きくなり、データの読み取りエラーが発生し、最悪の場合、信号再生不能になる恐れがある。
【００１３】
本発明におけるプリピット及びプリグルーブは、特定の形状を有するものであることが好ましい。即ち、ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅（ピット深さの１／２の深さにおけるピットの幅）が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるものが好ましく、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるものが好ましい。より好ましくは、ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．５μｍ以上０．６μｍ以下、深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．３μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下、深さが１８０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下である。プリグルーブの半価幅や深さが上記範囲外であるとプリピットと同様に変調度やサーボ信号が小さくなり、オレンジブック規格を満足できない場合がある。
【００１４】
上記プリピットの断面形状は略台形であることが望ましい。これは上記プリグルーブより深くなるためレジスト膜厚でプリピットの深さの設定が可能であり、スタンパー製造が容易なことによる。一方、上記プリグルーブの断面形状は略Ｖ字形であることが望ましい。これはプリグルーブが深溝であるとオレンジブック規格を満足する反射率が得られないため、プリピットの深さよりも浅くする必要がある。そのため、スタンパー製造上、プリグルーブ形状は略Ｖ字形であることが好ましい。
【００１５】
このような基板を作製するためのスタンパー製造におけるスタンパー原盤は次のように作るのが望ましい。即ち、ガラス基板上にフォトレジスト膜をプリピットの深さに相当する厚さに形成する。これにレーザー光を露光することによりプリピットまたはプリグルーブをカッティングする。プリピットのカッティングにおいてはフォトレジスト膜の厚さ方向全部に照射されるように強いレーザーパワーで露光する。一方、プリグルーブのカッティングにおいてはプリグルーブの深さに対応するようにフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光を行う。露光後、現像を行うことによりプリピットはガラス基板面が露出し、断面形状が略台形をしており、プリグルーブはガラス基板面まで現像されず、レーザービームの強度分布に対応した断面形状が略Ｖ字形になっている。
【００１６】
また、ＲＯＭ領域においてプリピットのトラック上にプリグルーブからなるウォブリング・トラックを設けるには２つの露光用レーザービームを用いる。即ち、プリピットをカッティングするための強いパワーのレーザービーム (１) とウォブリング・プリグルーブをカッティングするための弱いパワーのレーザービーム (２) をスタンパー原盤露光面上で重ねるように光学系を調整し、レーザービーム (２) をＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の全域にわたってウォブリングさせながら連続照射することによりプリグルーブを形成し、ＲＯＭ領域においてはプリグルーブに重ねてレーザービーム (１) をＥＦＭ変調に対応してパルス照射することによりプリピットを形成する。このようなスタンパーのカッティング方法はそれ自身既に技術的には確立されているものである。
【００１７】
基板の材質としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明なものであればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。透明性や基板成形性などを考慮するとポリカーボネート樹脂が最も適している。
【００１８】
基板の上には膜厚１０〜２００ｎｍの記録層を形成する。
本発明における記録層はプリピット部及びプリグルーブ部において特定の形状を有するものである。以下に図１を用いて詳しく説明する。
図１においてプラスチックからなる基板１の表面に色素からなる色素層２が形成され、色素層２の上に金属からなる反射層３、さらに反射層３の上に保護層４が形成されている。基板１上にはプリピット６及びプリグルーブ５が形成されている。色素層２は通常色素を有機溶剤に溶解して調製した色素塗布溶液をスピンコーティング法により塗布し乾燥することにより形成されたものである。前述したように色素溶液を塗布する方法を用いるとプリピット６及びプリグルーブ５に色素が埋まるためにプリピット６のピット底部７の色素層２の膜厚ｔpは基板１のプリピット間部８の色素層２の膜厚ｔplよりも大きくなっている。プリピットの深さをｄpとすると反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの深さδp
は、以下〔数１〕のように表される。
【００１９】
【数１】
δp＝ｄp＋ｔpl−ｔp
プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌp ）は、以下の式〔数２〕で表される。
【００２０】
【数２】
但し、ｎsは基板１の屈折率であり、ｎdは色素層２の屈折率である。
【００２１】
通常、色素層の屈折率（ｎd ）は基板の屈折率（ｎs ）より大きく、プリピットの深さ（ｄp ）が従来のものよりも深くなるため、プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌp ）は大きくなる。
【００２２】
本発明における光記録媒体では、プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌp ）は、０．２０λ以上０．４０λ以下、好ましくは０．２５λ以上０．３５λ以下になるように構成されている。Ｌpが小さすぎ０．２０λ未満ではピット底部とピット間部の光路長差が小さすぎ、また、Ｌpが大きすぎて０．４０λを越えると逆にピット底部とピット間部の光路長差が大きすぎて、変調度が小さくなりオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する良好な信号特性が得られない。
【００２３】
一方、プリグルーブ底部９とプリグルーブ間部１０での光路長の差（Ｌg）は以下の式〔数３〕で表される。
【００２４】
【数３】
但し、ｄgはプリグルーブの深さ、δgは反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブの深さ（δg＝ｄg＋ｔgl−ｔg）、ｔglはプリグルーブ間部１０での色素層２の膜厚、ｔgはプリグルーブ底部９での色素層２の膜厚である。
【００２５】
本発明における光記録媒体では、プリグルーブ底部９とプリグルーブ間部１０での光路長の差（Ｌg ）は、０．１５λ以下、好ましくは０．１０λ以下小さくなるように構成されている。Ｌgが大きすぎて０．１５λを越えると光路長が大きすぎて、反射率が低下し、オレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足することができない。
【００２６】
本発明における記録層は、フタロシアニン色素、特に置換基を有し、中心に金属原子をもつ有機溶媒に可溶なフタロシアニン色素を用いることが好ましい。この置換基としては、水素や塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、置換または無置換のアルキル基、アリール基、不飽和アルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、不飽和アルコキシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、不飽和アルキルチオ基、カルボン酸エステル基、カルボン酸アミド基、シリル基、アミノ基等が挙げられる。これらは、対応するフタロジニトリル誘導体を有機溶媒中で対応する中心金属化合物とそれ自体公知の方法により反応させて得られる。
【００２７】
前記置換基のより具体的な例としては、
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の一級アルキル基；イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミノ基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソブルニル基、アダマンタン基等のシクロアルキル基等が；
アリール基としては、フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニルナフチル基等が；
また、不飽和アルキル基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキセン基、オクテン基、ドデセン基、シクロヘキセン基、ブチルヘキセン基等が挙げられる。
【００２８】
なお、これらのアルキル基、アリール基、不飽和アルキル基はヒドロキシル基やハロゲン基等で置換されてもよく、また、酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アルキル基、アリール基で置換されても良い。酸素を介して置換されているアルキル基やアリール基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、メトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ポリオキシエチレン基、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基等が；
硫黄を介して置換されているアルキル基やアリール基としてはメチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基、メチルチオフェニル基、ブチルチオフェニル基等が；
窒素を介して置換されているアルキル基やアリール基としてはジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、ジメチルアミノフェニル基、ジブチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【００２９】
一方、フタロシアニン色素の中心金属としては、２価の金属が好ましく、具体的には、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｄ、Ｒｕ等が挙げられる。
【００３０】
また、上記フタロシアニン色素は必要に応じて、該フタロシアニンの作用を害しない範囲において、２種類以上のフタロシアニン色素を混合して用いてもよく、同じく、光吸収剤や燃焼促進剤、消光剤、紫外線吸収剤、接着剤、樹脂バインダー等の添加剤を混合あるいは置換基として導入してもよい。
【００３１】
光吸収剤は、記録光の波長に吸収があり、フタロシアニン色素膜の感度を高めるためのものであり、有機色素が望ましい。例えば、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素、ペンタメチンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などがよく用いられているが、中でもナフタロシアニン系色素、は吸収波長領域の面から特に望ましい。これらの色素は、さらに複数混合して用いることも可能である。
【００３２】
燃焼促進剤の例としては、金属系アンチノッキング剤である四エチル鉛、四メチル鉛などの鉛系化合物やシマントレン（Ｍｎ（Ｃ5Ｈ5）（ＣＯ）3）などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物である鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル金属錯体が挙げられる。中でもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、チタノセン及びそれらの誘導体は良好な燃焼促進効果がある。鉄系金属化合物としては、メタロセンの他にギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテン酸鉄、ステアリン酸鉄、酪酸鉄などの有機酸鉄化合物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一、第二鉄、臭化第一、第二鉄などのハロゲン化鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さらには、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる鉄系金属化合物は有機溶剤に可溶で、且つ、耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望ましい。特にアセチルアセトナート鉄錯体や鉄カルボニル錯体などは良好な溶解性が得られるという点で非常に好ましい。上記燃焼促進剤は、必要に応じて置換基を導入したり、複数混合したり、バインダー等の添加物質を加えてもよい。
これらの色素はスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板上に成膜される。本発明において、ピット部及びグルーブ部において特定の形状の色素膜を形成するためにはスピンコート法が最も適している。
【００３３】
スピンコート法においては色素を溶解あるいは分散させた塗布溶液を用いるが、この際溶媒は基板にダメージを与えないものを選ばなくてはならない。例えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン等の環状炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノール等のハロゲン化炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系溶媒；ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒などが挙げられる。これらの有機溶剤は単独でも、あるいは２種類以上混合して用いてもよいことはもちろんである。
【００３４】
フタロシアニン系色素膜の形成においては、上記塗布溶媒の中では、ｎ−オクタン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなど、沸点が１２０〜１４０℃程度の有機溶媒を単独で用いたり、あるいはこれらにジオキサンやキシレン、トルエン、プロピルシクロヘキサンなどを体積比率で０．１〜１０％程度混合した塗布溶剤が好ましく用いられる。
【００３５】
好ましい塗布条件としては、例えば、温度２４℃±１℃の環境下で最初に低速回転（１００〜１０００ｒｐｍ）で１〜１０秒間色素溶液を塗布した後、直ちに高速回転（２０００〜５０００ｒｐｍ）で１０〜６０秒間乾燥することである。これにより、均一な色素膜が形成できる。
また、必要に応じて記録層は１層だけでなく複数の色素を多層形成させることもある。
【００３６】
記録層の上には厚さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。このなかでもＡｕやＡｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分としているものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【００３７】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。中でもスパッタリング法は、最もよく用いられている手法である。また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層などの中間層を設けることもできる。
【００３８】
中間層に用いられる材料としては再生光の波長で屈折率が大きいものが望ましい。例えば、無機材料としては、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3などがあり、これらの材料を単独であるいは複数混合して用いてもよい。有機材料としては、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などの色素やポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、スチレンーアクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシスチレンなどの高分子化合物が挙げられる。
【００３９】
さらに、反射層の上に保護層を形成させることもできる。保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。なかでもＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、無機物質としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ4、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良いし、１層だけでなく多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。
【００４０】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかでもスピンコート法が好ましい。
【００４１】
以上のごとくして作製された光記録媒体は、オレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する信号特性が得られ、従来より市販されているＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも良好に再生することが可能となる。
【００４２】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明の技術的範囲はこれによりなんら限定的に解釈されるものではない。
〔実施例１〕
直径４６ｍｍ〜８０ｍｍのＲＯＭ領域にトラックピッチ１．６μｍ、プリピット（半価幅（Ｗp）：０．６０μｍ、深さ（ｄp）：４００ｎｍ）、プリピット・トラック上に重ねてウォブリング・プリグルーブ（半価幅（Ｗp）：０．３０μｍ、深さ（ｄp）：１００ｎｍ、振幅：３５ｎｍ）が形成され、直径８０ｍｍ〜１１８ｍｍのＲＡＭ領域にトラックピッチ１．６μｍ、ウォブリング・プリグルーブ（半価幅（Ｗg）：０．４０μｍ、深さ（ｄg）：２１０ｎｍ、ウォブリング振幅：３０ｎｍ）が形成された円盤状のポリカーボネート基板（外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ、屈折率（ｎs）１．５８）を用いた。
【００４３】
一方、下記式（１）〔化１〕に示されるフタロシアニン色素( 但し、X=4.0 ) ０．２５ｇをエチルシクロヘキサンに３％ｏ−キシレンを添加した塗布溶媒１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。
【００４４】
【化１】
この色素溶液を上記基板上にスピンコート法により、基板の回転数７５０ｒｐｍで５秒間塗布した後、回転数３０００ｒｐｍで１０秒間乾燥して、色素層を形成した後、７０℃で２時間加熱乾燥し残留溶媒を除去した。このときの色素膜の屈折率（ｎd）は２．２０であった。このときの色素の平均膜厚は約１００ｎｍであった。
【００４５】
この色素層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。
【００４６】
サンプルのグルーブ部を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、７８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００を用いて、信号を再生し、デジタルオシロスコープにより反射率と１１Ｔ信号の変調度を測定し、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＣＤデコーダーを用いて、エラー率を測定した。また、ヒューレット−パッカード社製タイム・インターバル・アナライザー（ＴＩＡ）を用いてジッター測定を行った。
また、トラッキングエラー信号をスペクトラム・アナライザーに入力して、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のＣ／Ｎ（Ｃ：キャリヤー、Ｎ：ノイズ）を測定した。また、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＡＴＩＰデコーダーを用いて、絶対時間の読み取りエラー率を測定した。
【００４７】
〔実施例２〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．７０μｍ、深さを４５０ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．６０μｍ、深さを１５０ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．３５μｍ、深さを２２０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのプリグルーブ部を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、プリピット及び記録後のプリグルーブ部の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００４８】
〔実施例３〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．５５μｍ、深さを３５０ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．３５μｍ、深さを２００ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００４９】
〔実施例４〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．５０μｍ、深さを３００ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．３２μｍ、深さを１７０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、プリピット及び記録後のプリグルーブ部の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００５０】
〔比較例１〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを４００ｎｍにし、プリグルーブを設けずにプリピット列を振幅３５ｎｍでウォブリングさせた。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１１０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００５１】
〔比較例２〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを２００ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．４０μｍ、深さを８０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００５２】
〔比較例３〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを２００ｎｍにし、プリグルーブを設けずにプリピット列を振幅３５ｎｍでウォブリングさせた。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブ幅を０．３５μｍ、深さを５０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
これらの結果を〔表１〕にまとめた。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねて該プリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成されているものとすることにより、さらに、より好ましくは、該ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下にし、プリピット・トラック上に重ねてウォブリング・プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にし、該ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブの半価幅を０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にすることにより、オレンジブック規格を満足する良好な信号特性を有するハイブリッドディスクを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体の断面構造図
【符号の説明】
１ 基板
２ 記録層
３ 反射層
４ 保護層
５ プリグルーブ
６ プリピット
７ プリピット底部
８ プリピット間部
９ プリグルーブ底部
１０ プリグルーブ間部
ｄp プリピットの深さ
ｔp プリピット底部上の色素膜厚
ｔpl プリピット間部上の色素膜厚
δp 反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの深さ
ｄg プリグルーブの深さ
ｔg プリグルーブ底部上の色素膜厚
ｔgl プリグルーブ間部上の色素膜厚
δg 反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブの深さ
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光による情報の記録及び再生が可能な光記録媒体であって、特に基板上に設けられたプリピット部及びプリグルーブ部からなる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる光記録媒体（ハイブリッドディスク）については、例えば、特開平４−２４３０１９や特開平５−３６０８７に記載されている。
上記公報に記載されているように、ＲＯＭ領域におけるプリピット列からなるトラックと、ＲＡＭ領域におけるプリグルーブとからなるトラックは、絶対時間情報等を記録しておくために周波数変調したウォブリング・トラックになっている。
【０００３】
ハイブリッドディスクの記録装置は、この絶対時間情報（ＡＴＩＰと呼ぶ）を読み取り、追記可能領域の記録開始位置から記録を行うしくみになっている。従って、前記ハイブリッドディスクにおいてはＲＯＭ領域でも追記可能なＲＡＭ領域でも同様にＡＴＩＰ情報を読み取れるようにしなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プリピット領域ではウォブルが断続的であるために、記録可能領域と同じだけウォブリングさせても追記可能領域と同様なＣ／Ｎが得られずに、ＡＴＩＰ情報の読み取りエラーが生じるといった問題があり、解決が望まれていた。その目的のためにいくつかの提案がされている。
【０００５】
例えば、特開平４−２４３０１９では、プリピット列のトラックのウォブリング振幅をプリグルーブのトラックのウォブリング振幅よりも大きく設定することによりＣ／Ｎを向上させ、ＡＴＩＰ情報の読み取りエラーをなくすとする。
また、特開平５−３６０８７では、ＲＯＭ領域のプリピット列のウォブリングトラックに沿って、プリピットより浅いウォブリング・プリグルーブを設けることによりＣ／Ｎを向上させている。
【０００６】
即ち、両提案はいずれもプリピットをウォブリングさせていることに特徴がある。しかしながら、再生用の光ヘッドはウォブリング・プリピットのうねり（一般に２２．０５ｋＨｚ）に追従できず、まっすぐに進むことことにより、ウォブリング・プリピットを斜めに横切ったりするために、再生信号に時間軸方向のゆらぎを生じさせてしまうといった欠点がある。通常、この時間軸方向のゆらぎのことをジッターと呼んでおり、ジッターが大きいと、再生信号のデータ読み取りエラーが生じてしまい、最悪の場合、再生不能になる恐れがある。
そこで、プリピット領域でのＡＴＩＰ情報が読み取れて、且つ、信号のジッターが低く、データ読み取りエラーの小さいハイブリッドディスクが望まれているのである。
本発明は前記問題点を解決するものであり、ＲＯＭ領域のＡＴＩＰ信号のＣ／Ｎを向上させるとともにプリピット部のジッターを低く抑えたハイブリッドディスクを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、以下の技術的事項により特定される。
（１） 予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねて該プリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成されていることを特徴とする光記録媒体。
（２） ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である（１）記載の光記録媒体。
（３） ＲＯＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）記載の光記録媒体。
（４） 色素層がフタロシアニン色素よりなる（１）〜（３）の何れかに記載の光記録媒体。
（５） 反射層がＡｕを主成分とする金属からなる（１）〜（４）の何れかに記載の光記録媒体。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に従えば、プリピット部とプリグルーブ部のウォブリング再生信号のＣ／Ｎが均一で、且つ、プリピット部の再生信号のジッターが低いハイブリッドディスクを提供することが可能となる。
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の光記録媒体は、基本的に、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねてプリグルーブからなるウォブリング・トラックが形成されているＲＯＭ領域と、プリグルーブからなるウォブリング・トラックのみが形成されているＲＡＭ領域とが設けられた基板上に記録層、反射層、保護層がこの順に形成された構造を有していることを特徴とする。
ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域は必要に応じて２つ以上設けてもよく、ＲＯＭ領域が外周側にＲＡＭ領域が内周側にあってもよい。
【００１０】
プリグルーブからなるウォブリング・トラックは周波数変調信号を示すようにウォブリングされており、内周から絶対時間の管理を行うようにしている。
【００１１】
本発明におけるＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング振幅は特定の条件を満足することが好ましい。即ち、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング振幅は２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあることである。より好ましくは、プリグルーブのウォブリング振幅が３０〜８０ｎｍの範囲にある。さらに好ましくは３０〜４０ｎｍの範囲にある。
【００１２】
プリグルーブのウォブリング振幅が２５ｎｍよりあまり小さくなると、再生信号のＣ／Ｎが小さすぎて、絶対時間のデータの読み取りエラーが生じ易くなり、最悪の場合、読み取り不能になる恐れがある。また、プリグルーブのウォブリング振幅が１００ｎｍよりあまり大きくなると、ピット列のうねりが大きいことにより再生信号のジッターが大きくなり、データの読み取りエラーが発生し、最悪の場合、信号再生不能になる恐れがある。
【００１３】
本発明におけるプリピット及びプリグルーブは、特定の形状を有するものであることが好ましい。即ち、ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅（ピット深さの１／２の深さにおけるピットの幅）が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるものが好ましく、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるものが好ましい。より好ましくは、ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．５μｍ以上０．６μｍ以下、深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．３μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下、深さが１８０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下である。プリグルーブの半価幅や深さが上記範囲外であるとプリピットと同様に変調度やサーボ信号が小さくなり、オレンジブック規格を満足できない場合がある。
【００１４】
上記プリピットの断面形状は略台形であることが望ましい。これは上記プリグルーブより深くなるためレジスト膜厚でプリピットの深さの設定が可能であり、スタンパー製造が容易なことによる。一方、上記プリグルーブの断面形状は略Ｖ字形であることが望ましい。これはプリグルーブが深溝であるとオレンジブック規格を満足する反射率が得られないため、プリピットの深さよりも浅くする必要がある。そのため、スタンパー製造上、プリグルーブ形状は略Ｖ字形であることが好ましい。
【００１５】
このような基板を作製するためのスタンパー製造におけるスタンパー原盤は次のように作るのが望ましい。即ち、ガラス基板上にフォトレジスト膜をプリピットの深さに相当する厚さに形成する。これにレーザー光を露光することによりプリピットまたはプリグルーブをカッティングする。プリピットのカッティングにおいてはフォトレジスト膜の厚さ方向全部に照射されるように強いレーザーパワーで露光する。一方、プリグルーブのカッティングにおいてはプリグルーブの深さに対応するようにフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光を行う。露光後、現像を行うことによりプリピットはガラス基板面が露出し、断面形状が略台形をしており、プリグルーブはガラス基板面まで現像されず、レーザービームの強度分布に対応した断面形状が略Ｖ字形になっている。
【００１６】
また、ＲＯＭ領域においてプリピットのトラック上にプリグルーブからなるウォブリング・トラックを設けるには２つの露光用レーザービームを用いる。即ち、プリピットをカッティングするための強いパワーのレーザービーム (１) とウォブリング・プリグルーブをカッティングするための弱いパワーのレーザービーム (２) をスタンパー原盤露光面上で重ねるように光学系を調整し、レーザービーム (２) をＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の全域にわたってウォブリングさせながら連続照射することによりプリグルーブを形成し、ＲＯＭ領域においてはプリグルーブに重ねてレーザービーム (１) をＥＦＭ変調に対応してパルス照射することによりプリピットを形成する。このようなスタンパーのカッティング方法はそれ自身既に技術的には確立されているものである。
【００１７】
基板の材質としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明なものであればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。透明性や基板成形性などを考慮するとポリカーボネート樹脂が最も適している。
【００１８】
基板の上には膜厚１０〜２００ｎｍの記録層を形成する。
本発明における記録層はプリピット部及びプリグルーブ部において特定の形状を有するものである。以下に図１を用いて詳しく説明する。
図１においてプラスチックからなる基板１の表面に色素からなる色素層２が形成され、色素層２の上に金属からなる反射層３、さらに反射層３の上に保護層４が形成されている。基板１上にはプリピット６及びプリグルーブ５が形成されている。色素層２は通常色素を有機溶剤に溶解して調製した色素塗布溶液をスピンコーティング法により塗布し乾燥することにより形成されたものである。前述したように色素溶液を塗布する方法を用いるとプリピット６及びプリグルーブ５に色素が埋まるためにプリピット６のピット底部７の色素層２の膜厚ｔpは基板１のプリピット間部８の色素層２の膜厚ｔplよりも大きくなっている。プリピットの深さをｄpとすると反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの深さδp
は、以下〔数１〕のように表される。
【００１９】
【数１】
δp＝ｄp＋ｔpl−ｔp
プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌp ）は、以下の式〔数２〕で表される。
【００２０】
【数２】
【００２１】
通常、色素層の屈折率（ｎd ）は基板の屈折率（ｎs ）より大きく、プリピットの深さ（ｄp ）が従来のものよりも深くなるため、プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌp ）は大きくなる。
【００２２】
本発明における光記録媒体では、プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌp ）は、０．２０λ以上０．４０λ以下、好ましくは０．２５λ以上０．３５λ以下になるように構成されている。Ｌpが小さすぎ０．２０λ未満ではピット底部とピット間部の光路長差が小さすぎ、また、Ｌpが大きすぎて０．４０λを越えると逆にピット底部とピット間部の光路長差が大きすぎて、変調度が小さくなりオレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する良好な信号特性が得られない。
【００２３】
一方、プリグルーブ底部９とプリグルーブ間部１０での光路長の差（Ｌg）は以下の式〔数３〕で表される。
【００２４】
【数３】
【００２５】
本発明における光記録媒体では、プリグルーブ底部９とプリグルーブ間部１０での光路長の差（Ｌg ）は、０．１５λ以下、好ましくは０．１０λ以下小さくなるように構成されている。Ｌgが大きすぎて０．１５λを越えると光路長が大きすぎて、反射率が低下し、オレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足することができない。
【００２６】
本発明における記録層は、フタロシアニン色素、特に置換基を有し、中心に金属原子をもつ有機溶媒に可溶なフタロシアニン色素を用いることが好ましい。この置換基としては、水素や塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、置換または無置換のアルキル基、アリール基、不飽和アルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、不飽和アルコキシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、不飽和アルキルチオ基、カルボン酸エステル基、カルボン酸アミド基、シリル基、アミノ基等が挙げられる。これらは、対応するフタロジニトリル誘導体を有機溶媒中で対応する中心金属化合物とそれ自体公知の方法により反応させて得られる。
【００２７】
前記置換基のより具体的な例としては、
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の一級アルキル基；イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミノ基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソブルニル基、アダマンタン基等のシクロアルキル基等が；
アリール基としては、フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニルナフチル基等が；
また、不飽和アルキル基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキセン基、オクテン基、ドデセン基、シクロヘキセン基、ブチルヘキセン基等が挙げられる。
【００２８】
なお、これらのアルキル基、アリール基、不飽和アルキル基はヒドロキシル基やハロゲン基等で置換されてもよく、また、酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アルキル基、アリール基で置換されても良い。酸素を介して置換されているアルキル基やアリール基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、メトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ポリオキシエチレン基、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基等が；
硫黄を介して置換されているアルキル基やアリール基としてはメチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基、メチルチオフェニル基、ブチルチオフェニル基等が；
窒素を介して置換されているアルキル基やアリール基としてはジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、ジメチルアミノフェニル基、ジブチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【００２９】
一方、フタロシアニン色素の中心金属としては、２価の金属が好ましく、具体的には、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｄ、Ｒｕ等が挙げられる。
【００３０】
また、上記フタロシアニン色素は必要に応じて、該フタロシアニンの作用を害しない範囲において、２種類以上のフタロシアニン色素を混合して用いてもよく、同じく、光吸収剤や燃焼促進剤、消光剤、紫外線吸収剤、接着剤、樹脂バインダー等の添加剤を混合あるいは置換基として導入してもよい。
【００３１】
光吸収剤は、記録光の波長に吸収があり、フタロシアニン色素膜の感度を高めるためのものであり、有機色素が望ましい。例えば、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素、ペンタメチンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などがよく用いられているが、中でもナフタロシアニン系色素、は吸収波長領域の面から特に望ましい。これらの色素は、さらに複数混合して用いることも可能である。
【００３２】
燃焼促進剤の例としては、金属系アンチノッキング剤である四エチル鉛、四メチル鉛などの鉛系化合物やシマントレン（Ｍｎ（Ｃ5Ｈ5）（ＣＯ）3）などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物である鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル金属錯体が挙げられる。中でもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、チタノセン及びそれらの誘導体は良好な燃焼促進効果がある。鉄系金属化合物としては、メタロセンの他にギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテン酸鉄、ステアリン酸鉄、酪酸鉄などの有機酸鉄化合物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一、第二鉄、臭化第一、第二鉄などのハロゲン化鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さらには、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる鉄系金属化合物は有機溶剤に可溶で、且つ、耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望ましい。特にアセチルアセトナート鉄錯体や鉄カルボニル錯体などは良好な溶解性が得られるという点で非常に好ましい。上記燃焼促進剤は、必要に応じて置換基を導入したり、複数混合したり、バインダー等の添加物質を加えてもよい。
これらの色素はスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板上に成膜される。本発明において、ピット部及びグルーブ部において特定の形状の色素膜を形成するためにはスピンコート法が最も適している。
【００３３】
スピンコート法においては色素を溶解あるいは分散させた塗布溶液を用いるが、この際溶媒は基板にダメージを与えないものを選ばなくてはならない。例えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン等の環状炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノール等のハロゲン化炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系溶媒；ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒などが挙げられる。これらの有機溶剤は単独でも、あるいは２種類以上混合して用いてもよいことはもちろんである。
【００３４】
フタロシアニン系色素膜の形成においては、上記塗布溶媒の中では、ｎ−オクタン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなど、沸点が１２０〜１４０℃程度の有機溶媒を単独で用いたり、あるいはこれらにジオキサンやキシレン、トルエン、プロピルシクロヘキサンなどを体積比率で０．１〜１０％程度混合した塗布溶剤が好ましく用いられる。
【００３５】
好ましい塗布条件としては、例えば、温度２４℃±１℃の環境下で最初に低速回転（１００〜１０００ｒｐｍ）で１〜１０秒間色素溶液を塗布した後、直ちに高速回転（２０００〜５０００ｒｐｍ）で１０〜６０秒間乾燥することである。これにより、均一な色素膜が形成できる。
また、必要に応じて記録層は１層だけでなく複数の色素を多層形成させることもある。
【００３６】
記録層の上には厚さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。このなかでもＡｕやＡｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分としているものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【００３７】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。中でもスパッタリング法は、最もよく用いられている手法である。また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層などの中間層を設けることもできる。
【００３８】
中間層に用いられる材料としては再生光の波長で屈折率が大きいものが望ましい。例えば、無機材料としては、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3などがあり、これらの材料を単独であるいは複数混合して用いてもよい。有機材料としては、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などの色素やポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、スチレンーアクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシスチレンなどの高分子化合物が挙げられる。
【００３９】
さらに、反射層の上に保護層を形成させることもできる。保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。なかでもＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、無機物質としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ4、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良いし、１層だけでなく多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。
【００４０】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかでもスピンコート法が好ましい。
【００４１】
以上のごとくして作製された光記録媒体は、オレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する信号特性が得られ、従来より市販されているＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも良好に再生することが可能となる。
【００４２】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明の技術的範囲はこれによりなんら限定的に解釈されるものではない。
〔実施例１〕
直径４６ｍｍ〜８０ｍｍのＲＯＭ領域にトラックピッチ１．６μｍ、プリピット（半価幅（Ｗp）：０．６０μｍ、深さ（ｄp）：４００ｎｍ）、プリピット・トラック上に重ねてウォブリング・プリグルーブ（半価幅（Ｗp）：０．３０μｍ、深さ（ｄp）：１００ｎｍ、振幅：３５ｎｍ）が形成され、直径８０ｍｍ〜１１８ｍｍのＲＡＭ領域にトラックピッチ１．６μｍ、ウォブリング・プリグルーブ（半価幅（Ｗg）：０．４０μｍ、深さ（ｄg）：２１０ｎｍ、ウォブリング振幅：３０ｎｍ）が形成された円盤状のポリカーボネート基板（外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ、屈折率（ｎs）１．５８）を用いた。
【００４３】
一方、下記式（１）〔化１〕に示されるフタロシアニン色素( 但し、X=4.0 ) ０．２５ｇをエチルシクロヘキサンに３％ｏ−キシレンを添加した塗布溶媒１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。
【００４４】
【化１】
【００４５】
この色素層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。
【００４６】
サンプルのグルーブ部を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、７８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００を用いて、信号を再生し、デジタルオシロスコープにより反射率と１１Ｔ信号の変調度を測定し、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＣＤデコーダーを用いて、エラー率を測定した。また、ヒューレット−パッカード社製タイム・インターバル・アナライザー（ＴＩＡ）を用いてジッター測定を行った。
また、トラッキングエラー信号をスペクトラム・アナライザーに入力して、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域のＣ／Ｎ（Ｃ：キャリヤー、Ｎ：ノイズ）を測定した。また、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＡＴＩＰデコーダーを用いて、絶対時間の読み取りエラー率を測定した。
【００４７】
〔実施例２〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．７０μｍ、深さを４５０ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．６０μｍ、深さを１５０ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．３５μｍ、深さを２２０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのプリグルーブ部を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、プリピット及び記録後のプリグルーブ部の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００４８】
〔実施例３〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．５５μｍ、深さを３５０ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．３５μｍ、深さを２００ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００４９】
〔実施例４〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．５０μｍ、深さを３００ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．３２μｍ、深さを１７０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、プリピット及び記録後のプリグルーブ部の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００５０】
〔比較例１〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを４００ｎｍにし、プリグルーブを設けずにプリピット列を振幅３５ｎｍでウォブリングさせた。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１１０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００５１】
〔比較例２〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを２００ｎｍ、ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブ幅を０．４０μｍ、深さを８０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
【００５２】
〔比較例３〕
実施例１において、ＲＯＭ領域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを２００ｎｍにし、プリグルーブを設けずにプリピット列を振幅３５ｎｍでウォブリングさせた。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブ幅を０．３５μｍ、深さを５０ｎｍにすること以外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。
これらの結果を〔表１〕にまとめた。
【００５３】
【表１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねて該プリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成されているものとすることにより、さらに、より好ましくは、該ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下にし、プリピット・トラック上に重ねてウォブリング・プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にし、該ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブの半価幅を０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にすることにより、オレンジブック規格を満足する良好な信号特性を有するハイブリッドディスクを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体の断面構造図
【符号の説明】
１ 基板
２ 記録層
３ 反射層
４ 保護層
５ プリグルーブ
６ プリピット
７ プリピット底部
８ プリピット間部
９ プリグルーブ底部
１０ プリグルーブ間部
ｄp プリピットの深さ
ｔp プリピット底部上の色素膜厚
ｔpl プリピット間部上の色素膜厚
δp 反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの深さ
ｄg プリグルーブの深さ
ｔg プリグルーブ底部上の色素膜厚
ｔgl プリグルーブ間部上の色素膜厚
δg 反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブの深さ
Claims (5)
- 予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからなる基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリングしていないプリピットのトラック上に重ねて該プリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成されていることを特徴とする光記録媒体。
- ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である請求項１記載の光記録媒体。
- ＲＯＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の光記録媒体。
- 色素層がフタロシアニン色素よりなる請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
- 反射層がＡｕを主成分とする金属からなる請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
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