JPH09120586A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH09120586A
JPH09120586A JP8190487A JP19048796A JPH09120586A JP H09120586 A JPH09120586 A JP H09120586A JP 8190487 A JP8190487 A JP 8190487A JP 19048796 A JP19048796 A JP 19048796A JP H09120586 A JPH09120586 A JP H09120586A
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Hideki Umehara
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 再生専用領域のプリピットの深さが２
５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該ピット間のプリグルー
ブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、ウォブリング
・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、ピッ
ト間プリグルーブの深さとウォブリング・トラックの振
幅の積が３１００以上であり、且つ、記録可能領域のプ
リグルーブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下に形
成した、光記録媒体。 【効果】 本発明に従えば、オレンジブック規格を満
足する良好な信号特性を有するハイブリッドディスクを
提供することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光による情
報の記録及び再生が可能な光記録媒体であって、特に基
板上に予めプリピットが形成された再生専用領域と、及
びプリグルーブが形成された記録可能領域とからなり、
両領域共に市販ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤ
ーと互換性を有する光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録された情報が市販のＣＤプレーヤー
やＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生することができる記録
可能光記録媒体は、例えば、日経エレクトロニクス、N
o.465，P.107,1989年１月23日号や、Optical Data Stor
age 1989,Technical Digest Series Vol.1 45( 1989 )
等において提案されている。この光記録媒体は〔図１〕
に示すように、基板１上に、色素を含有する記録層２、
反射層３、保護層４をこの順に形成したものである。そ
して記録層に、シアニン色素やフタロシアニン色素、ア
ゾ色素などを用いた媒体は、記録可能なコンパクトディ
スク（以下、ＣＤ−Ｒと略す）と称して、現在、市場に
供されている。
【０００３】ＣＤ−Ｒは、その色素用いた記録層に７７
０〜８３０ｎｍの波長の半導体レーザー光を高パワーで
照射すると、該記録層が物理的あるいは化学的変化を起
こし、ピットの形で情報を記録する。この記録層に、低
パワーのレーザー光を照射し、その反射光の変化を読み
とることにより情報を再生することができる。そして該
ＣＤ−Ｒに於いてはその記録に際しての回転速度の制御
と時間の管理のために、プリグルーブのトラックに略正
弦曲線状のウォブリングを施し、且つ、ウォブリング周
期を周波数変調することによりディスクの絶対アドレス
として時間情報（ＡＴＩＰ：Absolute Time In Pre-gro
ove ）を記録している。そして、このグルーブからなる
ウォブリングトラックから得られる再生信号のウォブリ
ング信号強度とノイズ比（以下、記録前をＷＣＮＲｂ、
記録後をＷＣＮＲａと略す）は、ＷＣＮＲｂ（記録前）
で３６ｄＢ以上、ＷＣＮＲａ（記録後）で２６ｄＢ以上
が必要とされている。従って、これらの特性を満足する
ようにＣＤ−Ｒでは媒体設計がなされている。
【０００４】一方、市販されている通常のＣＤ、すなわ
ち再生専用のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体は、上記のような
記録層は有しない。情報は基板表面にプレピットとして
基板成形時に形成し、その上に反射層、保護層が成膜さ
れている。そして回転速度の制御や時間情報はピットか
ら得られ、プレピットからなるトラックはウォブリング
していない。
【０００５】最近、上記ＣＤやＣＤ−ＲＯＭのように予
め基板上にプリピットが形成された再生専用領域（以
下、ＲＯＭ領域と略す）と上記ＣＤ−Ｒのようにプリグ
ルーブが形成された記録可能領域（以下、ＲＡＭ領域と
略す）とを組み合わせた光記録媒体が提案されている(
例えば、特開平3 ー241538 、特開平4 ー243019 ）。
【０００６】この光記録媒体は、オレンジブック規格で
はハイブリッドディスクと称され、ＲＯＭ領域及びＲＡ
Ｍ領域の各種特性はオレンジブックに規格化されてい
る。
【０００７】このハイブリッドディスクのＲＯＭ領域は
上記した市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭ媒体とは次の２点で
大きく異なる。そのため、ＲＯＭ領域の下記の特性が十
分に得られず問題となっている。すなわち： １．ＲＡＭ領域のプリグルーブ上だけでなく、ＲＯＭ領
域のプレピット上にも色素を含有する記録層が設けられ
ている。その色素層の存在のため、市販のＣＤやＣＤ−
ＲＯＭ媒体と同じプリピット形状では十分な変調度が得
られない。 ２．ハイブリッドディスクにおいては、記録時の回転速
度の制御とその時間管理をＲＯＭ領域からＲＡＭ領域に
渡り連続して同じ方法で行うために、ＲＡＭ領域と同じ
ように、ＲＯＭ領域のプレピットからなるトラックもウ
ォブリングさせ、且つ上記ＡＴＩＰ情報を記録し、上記
ＣＤ−ＲのＷＣＮＲａの規格を満足しなければならな
い。
【０００８】このようにハイブリッドディスクに於いて
は、ＲＯＭ領域の構成が、上記１．及び２．の点で、従
来のＣＤやＣＤ−ＲＯＭとは大きく異なるために、ＲＯ
Ｍ領域の変調度の確保とＡＴＩＰ情報の記録のために、
ＲＯＭ領域の困難な設計を行わなければならなかった。
例えば、プリピットからなるトラックの形状及び該プリ
ピットトラックのウォブリングの振幅等の因子を考慮す
る必要がある。
【０００９】そして、上記プリピットトラックの形状と
ウォブリング振幅に関してはいくつかの提案がなされて
いる。
【００１０】特開平4 ー146537 にはＲＯＭ領域の変調度
を獲得するためのプリピットの形状として、その深さが
150 〜400nm 、その半価幅を0.2 〜1.4 μm と非常に広
い範囲が開示されている。確かに、上記の広い範囲のプ
リピット形状であっても、ＲＯＭ領域の変調度を満足す
るだけでよければ、記録層の膜厚をコントロールするこ
とにより可能である。しかしながら、ＲＡＭ領域のサー
ボ信号特性や、記録特性等のオレンジブックに決められ
ている種々の特性をすべて満足することは難しい。特に
未記録部のプリグルーブを光が横断する際の信号である
ラジアルコントラスト（ＲＣｂ）を確保するためには、
グルーブの深さを比較的深くしなければならない。そし
て深いプリグルーブの場合に、優れた記録特性を維持す
るように、記録層の膜厚をコントロールするように記録
層を塗布することが要請される。その場合、ＲＯＭ領域
のプリピット形状によっては、上記の広い範囲に渡って
は十分な変調度は得られないことを我々は見いだした。
更に、該公報には、ＲＯＭ領域のプレピットトラックの
ウォブリングに関しては何も開示されていない。
【００１１】一方、ＲＯＭ領域のＡＴＩＰ情報を得るた
めに、特開平4 ー243019 には、ＲＯＭ領域のプリピット
トラックをウォブルリングさせ、且つプリピットトラッ
クのウォブリング振幅をＲＡＭ領域のプリグルーブトラ
ックのウォブリング振幅よりも大きくすることにより、
ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａを向上させている。そして、Ｒ
ＯＭ領域のプリピットトラックのウォブリング振幅とＲ
ＡＭ領域のプリグルーブトラックのウォブリング振幅の
差は、１０ｎｍ以上、好ましくは１６〜３６ｎｍであ
り、プリピットトラックの振幅としては６６〜１０６ｎ
ｍが開示されている。そして該公開公報記載の実施例に
おいては、ＲＯＭ領域のプリピットの幅が０．６μm で
深さが１１０ｎｍ、プリピットトラックのウォブリング
振幅が４３ｎｍ、ＲＡＭ領域のプリグルーブの幅が０．
６μm , 深さが８０ｎｍ、ウォブリング振幅が３０ｎｍ
の媒体が開示されている。この条件では、ＲＡＭ領域の
プリグルーブの深さが浅いために、ＲＣｂが小さく、且
つＲＯＭ領域のプリピットの深さが浅いために大きな変
調度が得られないといった問題が生じることを我々は見
いだした。又、記録層の色素としてに該公開公報記載の
ように、シアニン色素を用いた場合には、上記条件でＷ
ＣＮａの値は得られるが、シアニン色素以外のより好ま
しい色素、例えばフタロシアニン系色素を記録層に用い
た場合には、プリピットトラックのウォブリング振幅を
１０６ｎｍにしても十分なＷＣＮＲａは得られないこと
を我々は見いだした。
【００１２】また、特開平5 ー36087においては、ＲＯＭ
領域のプリピットとプリピットの間にプリピットの深さ
より浅いプリグルーブを設け、且つこのプリピットとプ
リグルーブからなるトラックをウォブリングさせること
によりＷＣＮＲａを向上させている。この提案による
と、該プリピットの深さが８０〜１４０ｎｍ、半値幅が
０．２〜０．６μｍであり、該プリピットとプリピット
の間の浅いプリグルーブの深さが３０〜１００ｎｍ、半
値幅が０．２〜０．６μｍになるように設計されてい
る。また、ＲＡＭ領域のプリグルーブの深さは３０〜１
００ｎｍ、半値幅が０．２〜０．６μｍとなっている。
しかしながら、我々が検討したところによると、この条
件では、ＲＯＭ領域のプリピットの深さが浅すぎて上記
したように良好な変調度が得られない。また、ＲＡＭ領
域のプリグルーブの深さが浅すぎてＲＣｂがとれない。
【００１３】ハイブリッドディスクにおいては、当然の
ことながら、上記したようなＲＯＭ領域の変調度やＷＣ
ＮＲａに加えて、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域共にその他
の特性もオレンジブック規格を満足することが要請され
る。そして、これら種々の特性は、お互いにトレードオ
フの関係にあるものが多く、上記した従来技術ではすべ
ての特性において規格を満足することは困難であった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プリ
ピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成
されたＲＡＭ領域とからなる基板上に、色素を含有する
記録層、反射層、保護層がこの順に設けられているハイ
ブリッドディスクにおいて、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域
のＡＴＩＰ情報が良好に読み取れて、しかもＲＯＭ及び
ＲＡＭ領域共にオレンジブック規格を満足する良好な記
録再生特性を有する光記録媒体を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至った。すなわち、この課題は以下の発明によって解
決される。 予めプリピットが形成された再生専用領域と、プリ
グルーブが形成された記録可能領域とからなる基板上
に、色素を含有する記録層、反射層、保護層がこの順に
設けられている光記録媒体において、( １ )該再生専用
領域にはプリピットからなるトラック上に重ねてプリピ
ットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリングトラ
ックが略正弦曲線状に形成されており、該プリピットの
深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該浅いプリグル
ーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、該プリピッ
トと該浅いプリグルーブからなるトラックのウォブリン
グ振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、上記プリグルー
ブの深さと上記ウォブリング振幅の積が３１００以上で
あり、且つ、( ２ )記録可能領域のプリグルーブの深さ
が１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを特徴とす
る光記録媒体。
【００１６】 記録層に用いられる色素が構造式
（１）〔化２〕に示されるフタロシアニン色素からなる
ことを特徴とする記載の光記録媒体。
【００１７】
【化２】 〔式（１）において、Ｍは２個の水素、又は２価以上の
金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物を表し、Ｙ1、
Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4は酸素又は硫黄原子を、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、
Ｚ4は４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水
素基を、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はハロゲンを、ｌ1、ｌ2、
ｌ3、ｌ4は、１又は２を、ｍ1、ｍ2、ｍ3、ｍ4は０〜３
の整数を表す。〕 該再生専用領域のプリピットの深さが、２７０ｎｍ
以上３４０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの深さが３５
ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、ウォブリング振幅が２８ｎｍ
以上９９ｎｍ以下であり、該プリグルーブの深さとウォ
ブリング振幅の積が３３００以上であることを特徴とす
る又は記載の光記録媒体。
【００１８】 該記録可能領域のプリグルーブの深さ
が１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることを特徴とす
る〜のいずれかに記載の光記録媒体。
【００１９】 該再生専用領域のプリピット部とプリ
ピットとプリグルーブからなるトラック間部における光
路長の差が０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波
長）以上０．４０λ以下であることを特徴とする〜
のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２０】本発明に従えば、ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域
のウォブリング再生信号であるＷＣＮＲａが均一で、十
分に大きく、且つＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域ともにオレ
ンジブック規格を満足した優れたハイブリッドディスク
を提供することが可能となるのである。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。
【００２２】本発明の光記録媒体は、プリピットのトラ
ック上に重ねてプリピットより浅いプリグルーブからな
るウォブリングトラックが形成されているＲＯＭ領域
と、プリグルーブからなるウォブリングトラックが形成
されているＲＡＭ領域とが設けられた基板上に、色素を
含有する記録層、反射層、保護層がこの順に形成された
構造を有している。そしてＲＯＭ領域のプリピットや同
じトラック上のプリピットとプリピット間、及びＲＡＭ
領域のプリグルーブは、特定の形状を有するものであ
る。
【００２３】先ずＲＡＭ領域のプリグルーブの形状は、
深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。ＲＡ
Ｍ領域のプリグルーブの深さが１３０ｎｍ未満の場合は
ＲＣｂが小さくなり、サーボ不良が発生する。また、プ
リグルーブの深さが２５０ｎｍより大きくなるとＲＣｂ
は大きくなるが反射率が低くなり、記録後の信号を良好
に再生することができない。このＲＣｂと反射率の点か
らは、プリグルーブの深さは１５０ｎｍ以上２３０ｎｍ
以下が好ましく、１７０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が更に
好ましい。又プリグルーブの半値幅（プリグルーブの深
さの１／２の深さに於ける幅）は０．３μｍ〜０．６μ
ｍ程度である。又、該プリグルーブはウォブリングして
いるが、ウォブリング振幅は２５ｎｍ以上、３６ｎｍ以
下が好ましい。ウォブリング振幅が２５ｎｍ未満の場合
は未記録時のウォブリング信号（ＷＣＮＲｂ）が小さく
なり、ＡＴＩＰ情報を良好に再生することができなかっ
たり、最悪の場合、記録不能になる恐れがある。また、
該ウォブリング振幅が３６ｎｍを越えるとＷＣＮＲｂが
大きくなりすぎて逆に市販のＣＤ−Ｒレコーダーでサー
ボ不良となり、最悪の場合、記録不能になることがあ
る。又、記録信号のジッターが大きくなりエラーが増加
し好ましくない。
【００２４】次にＲＯＭ領域のプリピットの形状は、深
さは２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、が好ましく、２７
０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下が更に好ましい。又、その半
値幅（ピット深さの１／２の深さにおけるピットの幅）
は０．４μｍ以上０．６μｍ以下が好ましい。このプリ
ピットの幅が０．４μｍ未満や、深さが２５０ｎｍ未満
の場合は変調度が小さく、エラーレートが大きくなり信
号を再生できないことがある。又、深さが３５０ｎｍを
越える場合は、変調度は大きくなる傾向であるが、基板
の成形の際の転写性が悪くなるといった問題が生じ、好
ましくない。
【００２５】本発明に於いてはＲＯＭ領域のプリピット
からなるトラック上に重ねてプリピットよりも浅いプリ
グルーブを形成する（すなわち、同一トラック上の隣合
うプレピットとプレピットの間にプリグルーブを形成す
る）。その浅いプリグルーブの形状は、深さが３０ｎｍ
以上１７０ｎｍ以下、半値幅が０．１μｍ以上０．４μ
ｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が更に
好ましい。該深さが３０ｎｍ未満の場合はＷＣＮＲａが
小さくなり、１７０ｎｍを越える場合は反射率と変調度
が小さくなり好ましくない。又、該プリピットトラック
はウォブリングしているが、そのウォブリングの振幅は
２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、且つプリピットのトラッ
ク上に重ねて形成されたプリグルーブの深さ（Ｄ）とプ
リピットのウォブリング振幅（Ａ）の積Ｄ×Ａが３１０
０以上が好ましく、ウォブリング振幅は２８ｎｍ〜９９
ｎｍ、且つＤ×Ａは３３００以上が更に好ましい。ウォ
ブリング振幅が２５ｎｍ未満の場合や上記Ｄ×Ａが３１
００未満の場合は、ＷＣＮＲａが大きくならず、ＡＴＩ
Ｐ情報を良好に読むことができなくなり、該振幅が１１
０ｎｍを越える場合は、再生時のジッターが悪化し、再
生エラーが発生し好ましくない。
【００２６】本発明における上記プリピットの断面形状
は略台形であることが好ましい。これは上記したように
プリピットの深さがプリグルーブより深くなるためレジ
スト膜厚でプリピットの深さの設定が可能であり、スタ
ンパー製造が容易なことによる。一方、ＲＯＭ領域やＲ
ＡＭ領域のプリグルーブの断面形状は、スタンパー製造
上、略Ｖ字形であることが好ましい。
【００２７】このような基板を作製するためのスタンパ
ー製造におけるスタンパー原盤は次のように作るのが望
ましい。即ち、ガラス基板上にフォトレジスト膜をプリ
ピットの深さに相当する厚さに形成する。これにレーザ
ー光を露光することによりプリピットまたはプリグルー
ブをカッティングする。プリピットのカッティングにお
いてはフォトレジスト膜の厚さ方向全部に照射されるよ
うに強いレーザーパワーで露光し、ピット間プリグルー
ブはフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレーザー
光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光し、レ
ーザパワーを変化させてカッティングを行う。一方、プ
リグルーブのカッティングにおいてはプリグルーブの深
さに対応するようにフォトレジスト膜の厚さ方向の途中
まででレーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワ
ーで露光を行う。この際レーザー光はＲＯＭ領域及びＲ
ＡＭ領域共にそれぞれの振幅でウォブリングさせる。露
光後、現像を行うことによりプリピットはガラス基板面
が露出し、断面形状が略台形状をしており、プリグルー
ブはガラス基板面まで現像されず、レーザービームの強
度分布に対応した断面形状が略Ｖ字形になっている。こ
のようなスタンパーのカッティング方法は既に技術的に
確立されているものである。
【００２８】本発明の基板の材質としては、記録光及び
再生光の波長で透明で、光学異方性の小さいものであれ
ばよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、非晶質
ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子材料
やガラス等の無機材料が利用されるが、透明性や基板の
成形の容易性などを考慮するとポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂が最も適して
いる。
【００２９】本発明においては、基板の上に色素を含有
する記録層を成膜する。記録層の膜厚は通常３０〜３０
０ｎｍ程度であるが、この記録層の膜厚は種々の特性上
非常に重要である。ＲＯＭ領域の記録層の膜厚は、プリ
ピット部と、プリピットトラックとプリピットトラック
の間（ＲＯＭ領域のランド部）、及びＲＡＭ領域のプリ
グルーブ部とプリグルーブ間（ＲＡＭ領域のランド部）
で異なる。
【００３０】本発明のＲＯＭ領域におけるプリピット部
の変調度は、プリピットトラックの形状だけでなく、プ
リピット部とランド部の記録層の膜厚にも依存する。こ
のことを〔図２〕を用いて詳しく説明する。〔図２〕
（ａ）はＲＯＭ領域を、〔図２〕（ｂ）はＲＡＭ領域を
それぞれ半径方向に切断した媒体の断面図を表す。
【００３１】〔図２〕において基板１上のＲＯＭ領域に
はプリピット６とランド部８が、ＲＡＭ領域にはプリグ
ルーブ５とランド部１０が形成されている。そして記録
層２は後記するように、色素を有機溶剤に溶解して調製
した色素塗布溶液を、スピンコーティング法等により塗
布し乾燥することにより形成されたものである。色素溶
液を塗布する方法で記録層( 色素層 )を成膜すると、プ
リピット５及びプリグルーブ６に色素が埋まるためにプ
リピット６のピット底部７の記録層２の膜厚ｔ pは基板
１のランド部８の記録層２の膜厚ｔplよりも十分大きく
なる。プリピットの深さをｄpとすると反射層３と記録
層２の界面におけるプリピットの深さδpは、数式
（１）〔数１〕のように表される。
【００３２】
【数１】δp＝ｄp＋ｔpl−ｔp （１） プリピット底部７とランド部８での光路長の差（Ｌp
）は、数式（２）〔数２〕で表される。
【００３３】
【数２】 Ｌp＝ｎsｄp＋ｎd（ｔpl−ｔp） ＝ｎsｄp＋ｎd（δp−ｄp） （２） 但し、ｎsは基板１の屈折率であり、ｎdは記録層( 色素
層 )２の屈折率の実数部である。
【００３４】市販のＣＤやＣＤ−ＲＯＭのようにプリピ
ットの上に直接反射層が成膜されている場合、該ピット
部とランド部との光路長の差（Ｌp）がλ／４の際に変
調度が最大になる。本発明のようにプレピット部にも色
素層が成膜された場合でも、プリピットの深さが浅い場
合は略該光路長の差（Ｌp）がλ／４近辺で変調度は最
大になる。しかして、本発明のように、プレピットの深
さが深い場合は、色素層表面のへこみにより光が散乱を
受けるため、最大の変調度を与える光路長差がλ／４近
辺から外れ、本発明に於いてはプリピット部とランド部
における光路長の差は０．２６λ（但し、λは再生用レ
ーザ光の波長）以上０．４０λ以下が好ましい。
【００３５】本発明における記録層に用いられる色素と
しては、ＣＤ−Ｒに用いられる公知のシアニン系色素、
フタロシアニン系色素、アゾ系色素等の色素が挙げられ
るが、記録特性や耐久性の点から構造式（１）〔化３〕
に示されるフタロシアニン色素が好ましい。
【００３６】
【化３】 〔式（１）において、Ｍは２個の水素、又は２価以上の
金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物を表し、Ｙ1、
Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4は酸素又は硫黄原子を、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ 3、
Ｚ4は４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水
素基を、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ 3、Ｘ4はハロゲンを、ｌ1、ｌ2、
ｌ3、ｌ4は、１又は２を、ｍ1、ｍ2、ｍ3、ｍ4は０〜３
の整数を表す。〕
【００３７】式（１）で表されるフタロシアニン色素に
おけるＭの具体例としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、
Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｐｂ、Ｃｄ等の２価の金属、ＶＯ等の金属酸化物や
ＡｌＣｌ、ＡｌＢｒ、ＧａＣｌ、ＩｎＢｒ、ＴｉＣｌ、
ＴｉＢｒ等の金属のハロゲン化物等が挙げられる。一
方、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4は、炭素数が４〜１２個の炭素
を有する無置換又は置換炭化水素基であるが、具体的に
は、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロ
ヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基等の飽和炭化水
素や、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、ドデ
セニル基、フェニル基、メチルフェニル基、ブチルフェ
ニル基、ヘキシルフェニル基等の不飽和炭化水素基が挙
げられる。これらの炭化水素基は直鎖状でも分岐状であ
ってもよい。又、これらの炭化水素基は、ハロゲン、ア
ミノ基、エーテル基等で置換されていてもよい。アミノ
基やエーテル基で置換されている場合でも置換基中の全
ての炭素原子数は４〜１２個である。又、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ
3、Ｘ4で表されるハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３８】フタロシアニンを構成するベンゼン環に結
合している前記置換基Ｘ1〜Ｘ4及び置換基Ｙ1〜Ｙ4の置
換位置は特に限定するものではなく、又、置換基の種類
及び数は一分子中の４つのベンゼン環で同じでも異なっ
ていてもよい。
【００３９】上記式（１）で表されるフタロシアニン色
素の中で、反射率、記録特性等からＹ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4
の置換位置は、ベンゼン環のα位、且つｌ1、ｌ2、
ｌ3、ｌ4が１のフタロシアニン色素が好ましい。
【００４０】好ましいフタロシアニン色素の具体例とし
ては、構造式（２）〜（４）〔化４〕、構造式（５）〜
（７）〔化５〕、構造式（８）〜（１０）〔化６〕が挙
げられる。さらに詳しくは、特開平３−６２８７８、特
開平３−１４１５８２、特開平３−２１５４６６に記載
されている色素が挙げられ、これらに記載される方法で
合成することができる。すなわち、対応する置換基を有
するフタロジニトリルまたはジアミノジイソインドリン
と、例えば1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン(D
BU) の存在下、対応する金属誘導体とアルコールやクロ
ルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼン
のごとき高沸点溶媒中で加熱反応することにより合成で
きる。
【００４１】
【化４】
【００４２】
【化５】
【００４３】
【化６】 また、上記フタロシアニン色素は、必要に応じて、２種
類以上のフタロシアニン色素を混合して用いてもよい。
また、その他のナフタロシアニン色素や他の種類の有機
色素や燃焼促進剤、消光剤、紫外線吸収剤、樹脂バイン
ダー、メタロセン化合物等を混合して用いても良い。
【００４４】本発明における記録層は、上記色素を有機
溶剤に溶解してスピンコート法やキャスト法等の塗布法
により成膜する。この際色素を溶解する溶媒は基板にダ
メージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、
ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタン等の脂肪族
炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、
ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン等の
環状炭化水素系溶媒；四塩化炭素、ジクロロメタン、
２，２，３，３−テトラフロロ−１−プロパノール等の
ハロゲン化炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、
１−プロパノール、２−プロパノール、ジアセトンアル
コール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、ジブ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系
溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソ
ルブ系溶媒などが挙げられる。これらの有機溶剤は単独
でも、あるいは２種類以上混合して用いてもよい。
【００４５】また、必要に応じて記録層は１層だけでな
く複数の色素層を多層形成させることも可能である。記
録層の上に厚さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜
１５０ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属又はこれら金属の合金が挙げら
れる。このなかでもＡｕやＡｌ、Ａｇは反射率が高く反
射層の材料として特に好ましい。
【００４６】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げら
れる。また、反射率を高めるためや密着性をよくするた
めに記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層などの中
間層を設けることもできる。中間層に用いられる材料と
しては再生光の波長で屈折率が大きいものが望ましい。
例えば、無機材料としては、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃ
ｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3などがあり、これらの材料を単独であ
るいは複数混合して用いてもよい。有機材料としては、
シアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリ
ン系色素、アゾ系色素等の公知の色素やポリスチレン、
ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アク
リル酸エステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルピロリド
ン、ポリパラヒドロキシスチレンなどの高分子化合物が
挙げられる。
【００４７】さらに、反射層の上に保護層を形成させる
こともできる。保護層の材料としては反射層を外力から
保護するものであれば特に限定しない。有機物質として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を
挙げることができる。ＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、
無機物質としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ4 、ＭｇＦ2、Ｓｎ
Ｏ2 等が挙げられる。
【００４８】このようにして作製された光記録媒体はオ
レンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する信号特性が得
られ、従来より市販されているＣＤプレーヤーやＣＤ−
ＲＯＭプレーヤーでも良好に再生することが可能とな
る。尚、本発明に於いてはＲＯＭ領域とＲＡＭ領域は必
要に応じて２つ以上設けてもよく、ＲＯＭ領域が外周側
にＲＡＭ領域が内周側にあってもよい。
【００４９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、これらはあ
くまで本発明の技術的意義を説明ための具体的な実施の
一態様であり、本発明の技術的範囲がこれにより限定的
に解釈されるものではない。
【００５０】〔実施例１〕直径４６ｍｍ〜８０ｍｍのＲ
ＯＭ領域にトラックピッチ１．６μｍのプリピットとプ
リグルーブからなるウォブリングトラック〔プリピット
の深さ（ｄp）：３００ｎｍ、幅（ｗp）：０．５０μ
ｍ、プリピット間のプリグルーブの深さ（Ｄ）：１００
ｎｍ、幅（Ｗ）：０．２５μｍ、ウォブリング振幅
（Ａ）：６６ｎｍ〕と、直径８０ｍｍ〜１１８ｍｍのＲ
ＡＭ領域にトラックピッチ１．６μｍのウォブリングプ
リグルーブ〔深さ（ｄg）：１８５ｎｍ、幅（ｗg）：
０．４５μｍ、ウォブリング振幅：３３ｎｍ）が形成さ
れた円盤状のポリカーボネート基板〔外径：１２０ｍ
ｍ、厚さ：１．２ｍｍ、屈折率（ｎs）１．５８〕を射
出成形により製作した。
【００５１】一方、構造式（２）に示されるフタロシア
ニン色素０．２５ｇをエチルシクロヘキサンに３％ｏ−
キシレンを添加した塗布溶媒１０ｍｌに溶解し、色素溶
液を調製した。この色素溶液を上記基板上にスピンコー
ト法により、基板の回転数７５０ｒｐｍで５秒間塗布し
た後、回転数３０００ｒｐｍで１０秒間乾燥して、色素
を含有する記録層を形成した後、７０℃で２時間加熱乾
燥し残留溶媒を除去した。このときの記録膜の屈折率の
実数部（ｎd ）は２．２０であった。このときの色素
の平均膜厚は約１００ｎｍであった。
【００５２】この色素層の上にバルザース社製スパッタ
装置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射
層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパ
ッタガス圧１．０×１０-2Ｔｏｒｒで行った。さらに反
射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化
学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ
６μｍの保護層を形成した。
【００５３】サンプルのＲＡＭ領域をパルステック工業
製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００を用いて、グル
ーブ部及びランド部の反射電位（Ｉg及びＩl）を測定
し、以下の数式（３）〔数３〕を用いて、ＲＣｂを計算
した。
【００５４】
【数３】 ＲＣｂ＝２×（Ｉl−Ｉg）／（Ｉl＋Ｉg） （３）
【００５５】サンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤ−Ｒラ
イター（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いてＥＦ
Ｍ信号を記録した。記録後、ＣＤプレーヤー（フィリッ
プス製ＣＤ９２０ＪＴ）を用いて、ＲＯＭ領域及び記録
後のＲＡＭ領域の信号を再生し、反射率（Ｒｔｏｐ）及
び最も長いピットである１１Ｔの変調度（Ｉ１１／Ｉｔ
ｏｐ）、ＣＤデコーダーによりエラー率（ＢＬＥＲ）、
及びタイムインターバルアナライザーによりジッター
（ｊｉｔｔｅｒ）測定を行った。また、前記ＤＤＵ−１
０００を用いてトラッキングエラー信号をスペクトラム
・アナライザーに入力して、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａ
を、また、ＡＴＩＰデコーダーを用いて、絶対時間の読
み取りエラー率（以下、ＡＴＥＲと略す）を測定した。
【００５６】また、サンプルのＲＯＭ領域のプレピット
底部とランド部の光路長差（Ｌp）を算出するために、
基板上に記録層を形成した上に厚さ１０ｎｍ程度のＡｕ
スパッタ膜を形成したものを用いて、プレピット部の記
録層の窪み（δp）を走査型トンネル顕微鏡を用いて測
定した。そして前記数式（２）より、Ｌpを計算した。
評価結果を〔表１〕にまとめた。
【００５７】〔実施例２〜６及び比較例１〜６〕〔表
１〕に示したＲＯＭ領域のプリピット形状とＲＡＭ領域
のプリグルーブ形状を有する基板を用いる以外は実施例
１と同じ方法で媒体を作り、評価を行った。結果は〔表
１〕にまとめた。比較例１、３、５及び６は、ＲＡＭ領
域に記録できなかった。この記録できなかった理由を調
べたところ、比較例１はＲＡＭ領域のＲＣｂが小さすぎ
るために、記録トラックへのアクセスが不能であった。
また、比較例３、５及び６は、ＲＯＭ領域のＷＣＮＲａ
が小さすぎ、ＲＯＭ領域の時間情報が読めなくなり、時
間の管理ができなくなったためと推定された。
【００５８】〔実施例７〕実施例１において、色素の塗
布溶媒にジメチルシクロヘキサンに２％ｏ−キシレンを
添加したものを用いたこと以外は同様にして媒体を作製
し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００５９】〔実施例８〕実施例１において、色素の塗
布溶媒にジメチルシクロヘキサンに１％プロピルシクロ
ヘキサンを添加したものを用いたこと以外は同様にして
媒体を作製し、評価を行った。結果は〔表１〕にまとめ
た。
【００６０】〔実施例９〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリグルーブ幅を０．２７μｍ、深さを１２０ｎ
ｍ、色素の塗布溶媒にジメチルシクロヘキサンを用いた
こと以外は同様にして媒体を作製し、評価を行った。結
果は〔表１〕にまとめた。
【００６１】〔実施例１０〕実施例６において、前記の
構造式（３）〔化４〕に示されるフタロシアニン色素
（II）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評
価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６２】〔実施例１１〕実施例６において、前記の
構造式（４）〔化４〕に示されるフタロシアニン色素
（III ）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、
評価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６３】〔実施例１２〕実施例６において、前記の
構造式（９）〔化６〕に示されるフタロシアニン色素
（IV）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評
価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６４】〔実施例１３〕実施例６において、前記の
構造式（１０）〔化６〕に示されるフタロシアニン色素
（Ｖ）を用いたこと以外は同様にして媒体を作製し、評
価を行った。結果は〔表１〕にまとめた。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、（１）再
生専用領域のプリピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０
ｎｍ以下、該ピット間のプリグルーブの深さが３０ｎｍ
以上１７０ｎｍ以下、ウォブリング・トラックの振幅が
２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、ピット間プリグルーブの
深さとウォブリング・トラックの振幅の積が３１００以
上であり、且つ、（２）記録可能領域のプリグルーブの
深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下にすることによ
り、オレンジブック規格を満足する良好な信号特性を有
するハイブリッドディスクを提供することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体の断面構造図
【符号の説明】
１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層 ５ プリグルーブ ６ プリピット ７ プリピット底部 ８ プリピット間部 ９ プリグルーブ底部 １０ プリグルーブ間部 ｄp プリピットの深さ ｔp プリピット底部上の色素膜厚 ｔpl プリピット間部上の色素膜厚 δp 反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの
深さ ｄg プリグルーブの深さ ｔg プリグルーブ底部上の色素膜厚 ｔgl プリグルーブ間部上の色素膜厚 δg 反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブ
の深さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅原 英樹 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 予めプリピットが形成された再生専用領
    域と、プリグルーブが形成された記録可能領域とからな
    る基板上に、色素を含有する記録層、反射層、保護層が
    この順に設けられている光記録媒体において、( １ )該
    再生専用領域にはプリピットからなるトラック上に重ね
    てプリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリ
    ングトラックが略正弦曲線状に形成されており、該プリ
    ピットの深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、該浅い
    プリグルーブの深さが３０ｎｍ以上１７０ｎｍ以下、該
    プリピットと該浅いプリグルーブからなるトラックのウ
    ォブリング振幅が２５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、上記プ
    リグルーブの深さと上記ウォブリング振幅の積が３１０
    ０以上であり、且つ、( ２ )記録可能領域のプリグルー
    ブの深さが１３０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを
    特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項２】 記録層に用いられる色素が構造式（１）
    〔化１〕に示されるフタロシアニン色素からなることを
    特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 【化１】 〔式（１）において、Ｍは２個の水素、又は２価以上の
    金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物を表し、Ｙ1、
    Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4は酸素又は硫黄原子を、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、
    Ｚ4は４〜１２個の炭素を有する無置換又は置換炭化水
    素基を、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4はハロゲンを、ｌ1、ｌ2、
    ｌ3、ｌ4は、１又は２を、ｍ1、ｍ2、ｍ3、ｍ4は０〜３
    の整数を表す。〕
  3. 【請求項３】 該再生専用領域のプリピットの深さが、
    ２７０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下、該浅いプリグルーブの
    深さが３５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、ウォブリング振幅
    が２８ｎｍ以上９９ｎｍ以下であり、該プリグルーブの
    深さとウォブリング振幅の積が３３００以上であること
    を特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 該記録可能領域のプリグルーブの深さが
    １５０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることを特徴とする
    請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
  5. 【請求項５】 該再生専用領域のプリピット部とプリピ
    ットとプリグルーブからなるトラック間部における光路
    長の差が０．２６λ（但し、λは再生用レーザ光の波
    長）以上０．４０λ以下であることを特徴とする請求項
    １〜４のいずれかに記載の光記録媒体。
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