JPH106653A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い変調度及び反射率を有し、更に耐光性が
顕著に向上した情報記録媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に、レーザ光により情報の記録が
可能な記録層が設けられ、そして記録層上に金属反射層
が設けられてなる情報記録媒体において、記録層が、下
記の一般式（Ｉ）： 【化１】 ［但し、Ｒ¹¹、Ｒ¹²は、アルコキシ基を除く置換基を有
していても良いアルキル基を表わし、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、
Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶は、置換基を有していても良いアルキル基を
表わし、Ｚ¹ 、Ｚ² は、置換又は無置換のベンゼン環又
ナフタレン環を形成するのに必要な原子群を表わし、Ｙ
¹¹は臭素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^n-は陰イオンを
表わし、そしてｎは１、２または３を表わす］により表
わされるシアニン系色素化合物を含むことを特徴とする
情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高エネルギー密度
のレーザ光を用いて情報の書き込みが可能な情報記録媒
体、及び該情報記録媒体の製造に有用な色素化合物に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光により情報の記録が可能な情報
記録媒体（光ディスク）は、ＣＤ−Ｒあるいは追記型Ｃ
Ｄと呼ばれ、例えばコンピュータ用ディスクメモリーと
して広く使用されている。ＣＤ−Ｒの基本構造は、ポリ
マーからなる基板上にレーザ光により情報の記録が可能
な記録層が設けられたものである。その記録層として
は、Ｔｅ、Ｉｎ等の金属からなる層、そしてシアニン色
素等の色素からなる層が一般的である。色素記録層は、
金属のように蒸着法でなく、塗布により容易に形成で
き、金属記録層に比べて高感度であるが、反射率が低
く、記録ピットを再生した場合に高いＣ／Ｎや変調度を
得られ難いとの問題がある。反射率が高いと、高い変調
度が得られ易く、市販のＣＤプレーヤで再生が可能とな
る等、再生に於て種々の利点がある。

【０００３】反射率が高く、高変調度を可能にする色素
記録層を有するＣＤ−Ｒとして、特開昭６４−４０３８
２号公報に、ベンゾインドレニン骨格（インドレニン環
にベンゼンが縮合した構造）を有するシアニン系色素か
らなる記録層が基板上に設けられた記録媒体が開示され
ている。この記録媒体は、変調度についてはかなり改善
されているが、その反射率は高いとは言えない。

【０００４】特開平４−１７５１８８号公報には、特定
のベンゾインドレニン骨格を有するシアニン系色素の記
録層上に反射層を設けて反射率を向上させたＣＤ−Ｒ
が、開示されている。このシアニン系色素は、二個のベ
ンゾインドレニン環を結ぶペンタメチン鎖の中央の炭素
に、メチル、エチル又はベンジルが付いた特定の構造を
有するものである。このような特定の構造の色素からな
る記録層とその上に設けられる金属反射層の組み合わせ
により、変調度及び反射率が向上している。しかしなが
ら、本発明者の検討によると、記録媒体の長期の保存を
考えた場合、即ち情報の保存信頼性を考慮するとその色
素記録層は耐光性が充分ではないことが判明した。

【０００５】特開平３−３０９８７号公報には、ベンゾ
インドレニン環がペンタメチン鎖で繋がったシアニン系
色素で、ベンゾインドレニン環の窒素原子にアルコキシ
アルキルが付き、且つペンタメチン鎖の中央の炭素にハ
ロゲンあるいはアルキルが付いた色素からなる記録層を
有するＣＤ−Ｒが、開示されている。このＣＤ−Ｒは耐
久性（繰り返しの再生）の改善を目的としている。特開
平５−３２５２５２号公報には、インドレニン環又はベ
ンゾインドレニン環がペンタメチン鎖で繋がったシアニ
ン系色素で、インドレニン環の窒素原子にアルキル又は
ヒドロキシアルコキシアルキルが付き、且つペンタメチ
ン鎖の中央の炭素にメチル又は塩素が付いた色素からな
る記録層とその上に設けられた反射層とを有するＣＤ−
Ｒが、開示されている。このＣＤ−Ｒは変調度、感度の
向上を目的としている。

【０００６】本発明者の検討によれば、上記特開平３−
３０９８７号公報及び特開平５−３２５２５２号公報に
記載されている特定の色素の記録層の上に反射層を設け
て得られるＣＤ−Ｒは、変調度及び反射率は向上してい
るが、耐光性がまだ充分とはいえないことが、明らかと
なった。即ち、このようなＣＤ−Ｒは、情報の記録後、
長時間日光等の光に曝された場合、繰り返しの再生操作
を行なった場合、あるいは長期間保存後において、再生
不良が発生する場合があることが判明した。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、高い変調度及び反射率を有し、更に耐光性が顕
著に向上した情報記録媒体を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、レ
ーザ光により情報の記録が可能な記録層が設けられ、そ
して該記録層上に金属反射層が設けられてなる情報記録
媒体において、該記録層が、下記の一般式（Ｉ）：

【０００９】

【化５】 ［但し、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、アルコキシ
基を除く置換基を有していても良いアルキル基を表わ
し、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ独立に、置
換基を有していても良いアルキル基を表わし、Ｒ¹³とＲ
¹⁴及び／又はＲ¹⁵とＲ¹⁶は、互いに連結して環を形成し
ても良く、Ｙ¹¹は臭素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^n-
は陰イオンを表わし、ｎは１、２または３を表わし、そ
してＺ¹ 及びＺ² は、Ｃ＝Ｃと共に置換又は無置換のベ
ンゼン環又ナフタレン環を形成するのに必要な原子群を
表わす（但し、Ｚ¹ 及びＺ² は、同時にベンゼン環を形
成するのに必要な原子群を表わすことはない）］により
表わされるシアニン系色素化合物からなることを特徴と
する情報記録媒体にある。

【００１０】上記本発明の情報記録媒体の好ましい態様
は、下記の通りである。 １）一般式（Ｉ）のＲ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、アルキルチオ
基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルコ
キシカルボニル基、アルケニル基、アリール基あるいは
アリーロキシカルボニル基で置換されたアルキル基を表
わす。 ２）Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に炭素原子数１〜４
の無置換のアルキル基またはアルコキシカルボニル基あ
るいはアリーロキシカルボニル基で置換されたアルキル
基を表わす。 ３）Ｚ¹ とＣ＝Ｃにより形成される環、及びＺ² とＣ＝
Ｃにより形成される環の、少なくとも一方は、ナフタレ
ン環である。 ４）Ｘ^n-はＣｌＯ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-または金属錯体イ
オンを表わす。 ５）ｎは１を表わす。 ６）シアニン系色素化合物が、下記の一般式（II）：

【００１１】

【化６】 ［但し、Ｒ²¹及びＲ²²は、それぞれ独立に、アルコキシ
基を除く置換基を有していても良いアルキル基（好まし
くは、無置換のアルキル基又はハロゲン原子、アルキル
チオ基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、ア
ルコキシカルボニル基、アルケニル基、アリール基ある
いはアリーロキシカルボニル基で置換されたアルキル
基）を表わし、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵及びＲ²⁶は、それぞれ
独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表わ
し、Ｙ²¹は臭素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^m-は陰イ
オンを表わし、そしてｍは１、２または３を表わす］に
より表わされる化合物である。 ７）記録層が、さらに下記の一般式(III) 又は(IV)：

【００１２】

【化７】 ［但し、Ｒ³¹は置換基を有していても良いアルキル基を
表わし、そしてＱ^- は陰イオンを表わす］

【００１３】

【化８】 ［但し、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、それぞれ独立に
置換基を表わし、ａ、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０
〜５の整数を表わし、Ｍは金属原子を表わし、そしてＬ
¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 及びＬ⁴ はそれぞれ独立に硫黄原子、酸
素原子又は窒素原子を表わす］により表わされる化合物
を含む。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の情報記録媒体は、以下に
述べるような方法により製造することができる。本発明
の情報記録媒体の基板は、従来の情報記録媒体の基板と
して用いられている各種の材料から任意に選択すること
ができる。基板材料としては、例えばガラス；ポリカー
ボネート；ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニ
ル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン
およびポリエステルなどを挙げることができ、所望によ
りそれらを併用してもよい。なお、これらの材料はフィ
ルム状としてまたは剛性のある基板として使うことがで
きる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価
格などの点からポリカーボネートが好ましい。

【００１５】記録層が設けられる側の基板表面には、平
面性の改善、接着力の向上および記録層の防止の目的
で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料としては
たとえば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メ
タクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルア
ミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスル
ホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニ
ル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミ
ド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネート等の高分子物質；およびシランカップリン
グ剤などの表面改質剤を挙げることができる。下塗層
は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液
を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップ
コート、エクストルージョンコートなどの塗布法により
基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあ
り、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

【００１６】また、基板（または下塗層）上には、トラ
ッキング用溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸
（グルーブ）が形成されていることが好ましい。このグ
ルーブは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形
あるいは押出成形する際に直接基板上に形成されること
が好ましい。またグルーブ形成を、プレグルーブ層が設
けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材料と
しては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリ
エステルおよびテトラエステルのうちの少なくとも一種
のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混
合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成は、
例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上に上
記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混合
液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せたの
ち、基板または母型を介して紫外線を照射するにより塗
布層を硬化させて基板と塗布相とを固着させる。次い
で、基板を母型から剥離することにより得ることができ
る。

【００１７】プレグルーブ層の層厚は一般に０．０５〜
１００μｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍ
の範囲である。基板上に設けられるプレグルーブの深さ
は３００〜２０００Åの範囲のものが、その半値幅は、
０．２〜０．９μｍの範囲にあることが好ましい。ま
た、プレグルーブ層の深さを１５００〜２０００Åの範
囲にすることにより反射率をほとんど低下させることな
く感度を向上させることができ、特に好ましい。従っ
て、このような光ディスク（深いプレグルーブの基板に
一般式（Ｉ）の色素の記録層および反射層が形成された
光ディスク）は、高い感度を有することから、低いレー
ザーパワーでも記録が可能となり、これにより安価な半
導体レーザの使用が可能となる、あるいは半導体レーザ
の使用寿命を延ばすことができる等の利点を有する。

【００１８】基板上には、色素記録層が設けられる。本
発明の色素記録層は、下記の一般式（Ｉ）で表わされる
シアニン系色素化合物を含むことを特徴としている。

【００１９】

【化９】 ［但し、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、アルコキシ
基を除く置換基を有していても良いアルキル基を表わ
し、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ独立に、置
換基を有していても良いアルキル基を表わし、Ｒ¹³とＲ
¹⁴及び／又はＲ¹⁵とＲ¹⁶は、互いに連結して環を形成し
ても良く、Ｙ¹¹は臭素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^n-
は陰イオンを表わし、ｎは１、２または３を表わし、そ
してＺ¹ 及びＺ² は、Ｃ＝Ｃと共に置換又は無置換のベ
ンゼン環又ナフタレン環を形成するのに必要な原子群を
表わす（但し、Ｚ¹ 及びＺ² は、同時にベンゼン環を形
成するのに必要な原子群を表わすことはない）］

【００２０】Ｒ¹¹及びＲ¹²は、置換されていてもよい炭
素原子数１〜６のアルキル基が一般的であり、置換され
ていても良い炭素原子数１〜４のアルキル基が好まし
い。アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子（例、
Ｆ，Ｃｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキ
シ）、アルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチ
オ）、アシル基（例、アセチル、プロピオニル）、アシ
ルオキシ基（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）、
ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル）、アルケニル基
（例、ビニル）、アリール基（例、フェニル、ナフチ
ル）、アリーロキシカルボニル基（例、ナフトキシカル
ボニル）を挙げることができる。ハロゲン原子、アルコ
キシ基あるいはアリーロキシカルボニル基で置換された
炭素原子数１〜６のアルキル基、または無置換の炭素原
子数１〜６のアルキル基が好ましく、特に無置換の炭素
原子数１〜４のアルキル基が好ましい。

【００２１】Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、置換されて
いてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基が一般的であ
り、無置換の炭素原子数１〜４のアルキル基が好まし
く、特にメチル基、エチル基が好ましい。Ｒ¹³とＲ¹⁴、
及びＲ¹⁵とＲ¹⁶は、それぞれ互いに連結して環を形成し
ても良い。アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子
（例、Ｆ，Ｃｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エト
キシ）、アルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチ
オ）、アシル基（例、アセチル、プロピオニル）、アシ
ルオキシ基（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）、
ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル）、アルケニル基
（例、ビニル）、アリール基（例、フェニル、ナフチ
ル）を挙げることができる。

【００２２】Ｙ¹¹は臭素原子であることが好ましい。

【００２３】Ｚ¹ とＣ＝Ｃ、あるいはＺ² とＣ＝Ｃによ
り形成される環は、置換又は無置換のベンゼン環又ナフ
タレン環であるが、少なくとも一方がナフタレン環であ
ることが好ましく、特に共にナフタレン環であることが
好ましい。ベンゼン環及びナフタレン環としては、無置
換のものが好ましい。上記ベンゼン環又ナフタレン環の
置換基としては、置換又は無置換のアルキル基、置換又
は無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、シアノ基及びニトロ基を挙げることができる。

【００２４】Ｘ^n-で表わされる陰イオンの例としては、
ハライドイオン（Ｃｌ^- 、Ｂｒ^- 、Ｉ^- など）、スルホ
ネートイオン（ＣＨ₃ ＳＯ₃ ^-、ＣＦ₃ ＳＯ₃ ^-、ｐ−トル
エンスルホナートイオン、ナフタレン−１，５−ジスル
ホネートイオンなど）、ＣｌＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、
下記の金属錯体イオン：

【００２５】

【化１０】

【００２６】及びリン酸イオン（例、ＰＦ₆ ^-、

【００２７】

【化１１】 を挙げることができる。特にＣｌＯ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、Ｂ
Ｆ₄ ^-、

【００２８】

【化１２】 が好ましいが、合成の中間段階で使用されるＩ^- やトル
エンスルホナートイオンが微量混入していても良い。ま
た、Ｘ^n-で表わされる陰イオンは、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、
Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｚ¹ 、Ｚ² 又はＹ¹¹の置換基とし
て、スルホナート基等の陰イオンの形で存在して、分子
内塩を形成していても良い。ｎは１が好ましい。

【００２９】上記一般式（Ｉ）で表わされるシアニン系
色素化合物は、下記の一般式（II）で表わされる化合物
であることが好ましい。

【００３０】

【化１３】 ［但し、Ｒ²¹及びＲ²²は、それぞれ独立に、アルコキシ
基を除く置換基を有していても良いアルキル基（好まし
くは、無置換のアルキル基又はハロゲン原子、アルキル
チオ基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、ア
ルコキシカルボニル基、アルケニル基、アリール基ある
いはアリーロキシカルボニル基で置換されたアルキル
基）を表わし、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵及びＲ²⁶は、それぞれ
独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表わ
し、Ｙ²¹は臭素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^m-は陰イ
オンを表わし、そしてｍは１、２または３を表わす］に
より表わされる化合物である。

【００３１】Ｒ²¹及びＲ²²の好ましい例としては、一般
式（Ｉ）のＲ¹¹及びＲ¹²の例を挙げることができる。Ｒ
²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵及びＲ²⁶はの好ましい例は、一般式
（Ｉ）のＲ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶の例を挙げることが
できる。Ｙ²¹の好ましい例としては、一般式（Ｉ）のＹ
¹¹の例を、Ｘ^m-の好ましい例としては、Ｘ^n-の例を挙げ
ることができる。ｍは１であることが好ましい。

【００３２】上記一般式（Ｉ）（一般式(II)を含む）で
表わされるシアニン色素化合物の例を次に記載する。

【００３３】

【化１４】

【００３４】

【化１５】

【００３５】

【化１６】

【００３６】

【化１７】

【００３７】

【化１８】

【００３８】

【化１９】

【００３９】

【化２０】

【００４０】

【化２１】

【００４１】

【化２２】

【００４２】

【化２３】

【００４３】

【化２４】

【００４４】

【化２５】

【００４５】本発明の情報記録媒体の記録層は、さらに
記録層の耐光性を向上させるために一重項酸素クエンチ
ャーとして知られている種々の化合物を含有することが
好ましい。クエンチャーの例としては、下記の一般式(I
II) 又は(IV)で表わされる化合物を挙げることができ
る。

【００４６】

【化２６】 ［但し、Ｒ³¹は置換基を有していても良いアルキル基を
表わし、そしてＱ^- は陰イオンを表わす］

【００４７】

【化２７】 ［但し、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、それぞれ独立に
置換基を表わし、ａ、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０
〜５の整数を表わし、Ｍは金属原子を表わし、そしてＬ
¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 及びＬ⁴ はそれぞれ独立に硫黄原子、酸
素原子又は窒素原子を表わす（但し、ａ、ｂ、ｃ及びｄ
が２以上の場合、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴で表わされ
るそれぞれの複数の置換基は互いに異なっていていも良
い）］

【００４８】一般式(III) において、Ｒ³¹は、置換され
ていてもよい炭素数１〜８のアルキル基が一般的であ
り、無置換の炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。ア
ルキル基の置換基としては、ハロゲン原子（例、Ｆ，Ｃ
ｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ）、アル
キルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ）、アシル基
（例、アセチル、プロピオニル）、アシルオキシ基
（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）、ヒドロキシ
基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル）、アルケニル基（例、ビニ
ル）、アリール基（例、フェニル、ナフチル）を挙げる
ことができる。これらの中で、ハロゲン原子、アルコキ
シ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基が好ま
しい。Ｑ^- の陰イオンの例としては、上記Ｘ^n-の例を挙
げることができるが、ＣｌＯ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、Ｓ
ｂＦ₆ ^-が好ましい。

【００４９】一般式(III) の化合物の例を、式中のＲ³¹
とＱ^- の例を示すことにより、下記に記載する。 (III) −１：Ｒ³¹＝ＣＨ₃ 、 Ｑ^- ＝ＣｌＯ₄ ^- (III) −２：Ｒ³¹＝Ｃ₂ Ｈ₅ 、 Ｑ^- ＝ＣｌＯ₄ ^- (III) −３：Ｒ³¹＝n-Ｃ₃ Ｈ₇ 、 Ｑ^- ＝ＣｌＯ₄ ^- (III) −４：Ｒ³¹＝n-Ｃ₄ Ｈ₉ 、 Ｑ^- ＝ＣｌＯ₄ ^- (III) −５：Ｒ³¹＝n-Ｃ₅ Ｈ₁₁、 Ｑ^- ＝ＣｌＯ₄ ^- (III) −６：Ｒ³¹＝n-Ｃ₄ Ｈ₉ 、 Ｑ^- ＝ＳｂＦ₆ ^- (III) −７：Ｒ³¹＝n-Ｃ₄ Ｈ₉ 、 Ｑ^- ＝ＢＦ₄ ^- (III) −８：Ｒ³¹＝n-Ｃ₄ Ｈ₉ 、 Ｑ^- ＝ＡｓＦ₆ ^-

【００５０】上記一般式(IV)において、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ
⁴³及びＲ⁴⁴で表わされる基の例としては、アルキル基、
アルコキシル基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基、ジアルキルアミノ基及びハロゲン原子を
挙げることができる。ａ、ｂ、ｃ及びｄは０〜２の整数
であることが好ましい。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｕ又はＣｏであ
ることが好ましく、特にＮｉであることが好ましい。Ｌ
¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 及びＬ⁴ は硫黄原子であることが好まし
い。上記一般式(IV)で表わされる好ましい例を下記に示
す。

【００５１】

【化２８】

【００５２】

【化２９】

【００５３】クエンチャーの例としては、さらに下記の
一般式(V) で表わされる化合物も挙げることができる。

【００５４】

【化３０】 ［但し、Ａ⁺ は非金属陽イオン（例、テトラアンモニウ
ムイオン）を表わし、Ｍは遷移金属原子（例、銅原子、
ニッケル原子）を表わし、そしてＺ⁵⁰及びＺ⁵¹は、それ
ぞれ置換されていても良い５ないし６員環の芳香族環ま
たはヘテロ環（例、ベンゼン環、２−チオクソ−１，３
−ジチオール環）を完成するための原子団を表わす］

【００５５】一般式(V) で表わされる化合物の例を下記
に示す。

【００５６】

【化３１】

【００５７】記録層の形成は、上記色素、さらに所望に
よりクエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗布液
を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜
を形成したのち乾燥することにより行なうことができ
る。色素層塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、セロソ
ルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケト
ン；ジクロルメタン、１、２−ジクロルエタン、クロロ
ホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドな
どのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒ
ドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテ
ル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ｎ−ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコ
ール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなど
のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエー
テル類などを挙げることができる。上記溶剤は使用する
色素の溶解性を考慮して単独または二種以上併用して適
宜用いることができる。塗布液中にはさらに酸化防止
剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を目
的に応じて添加してもよい。

【００５８】結合剤を使用する場合に結合剤の例として
は、たとえばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラ
ン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；およびポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソ
ブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合
体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタ
クリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコー
ル、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹
脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等
の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙
げることができる。記録層の材料として結合剤を併用す
る場合に、結合剤に対する色素の比率は一般に０．０１
〜９９％（重合比）の範囲にあり、好ましくは１．０〜
９５％（重量比）の範囲にある。このようにして調製さ
れる塗布量の濃度は一般に０．０１〜１０％（重量比）
の範囲にあり、好ましくは０．１〜５％（重量比）の範
囲にある。

【００５９】塗布方法としては、スプレー法、スピンコ
ート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート
法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げる
ことができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録層
の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好まし
くは５０〜３００ｎｍの範囲にある。また、記録層は基
板の片面のみならず両面に設けられていてもよい。

【００６０】本発明の情報記録媒体は、上記記録層の上
に、情報の再生時における反射率の向上の目的で、反射
層が設けられる。反射層の材料である光反射性物質はレ
ーザ光に対する反射率が高い物質であり、その例として
は、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐ
ｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはス
テンレス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ま
しいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａ
ｌおよびステンレス鋼である。これらの物質は単独で用
いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、または合
金として用いてもよい。反射層は、たとえば上記光反射
性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティ
ングすることにより記録層の上に形成することができ
る。反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範
囲にあり、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。

【００６１】また、反射層の上には、記録層などを物理
的および化学的に保護する目的で保護層が設けられても
よい。この保護層は、基板の記録層が設けられていない
側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよ
い。保護層に用いられる材料の例としては、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ₂ 、ＭｇＦ₂ 、ＳｎＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の無機物
質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の
有機物質を挙げることができる。保護層は、たとえばプ
ラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着層を反
射層上および／または基板上にラミネートすることによ
り形成することができる。あるいは真空蒸着、スパッタ
リング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当
な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を
塗布し、乾燥することによっても形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当
な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗
布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成
することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防
止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に
応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１
〜１００μｍの範囲にある。

【００６２】本発明において、情報記録媒体は上述した
構成からなる単板であってもよいが、あるいは更に上記
構成を有する二枚の基板を記録層が内側となるように向
い合わせ、接着剤等を用いて接合することにより、貼り
合せタイプの記録媒体を製造することもできる。あるい
はまた、二枚の円盤状基板のうちの少なくとも一方に上
記構成を有する基板を用いて、リング状内側スペーサと
リング状外側スペーサとを介して接合することにより、
エアーサンドイッチタイプの記録媒体を製造することが
もきる。本発明の情報記録媒体は上記のような方法で製
造することができる。このようにして得られる、反射率
が極めて高くかつ記録再生特性にも優れた光ディスク
で、耐光性においても向上している。すなわち、本発明
の情報記録媒体は反射率が８０％前後と顕著に高いた
め、市販のＣＤプレーヤで再生することができる。従っ
て、高反射率を有しかつ耐光性に優れた光ディスクも得
ることができる。

【００６３】上記本発明の光情報記録方法は、上記情報
記録媒体を用いて、例えば、次のように行われる。ま
ず、情報記録媒体を定線速度（ＣＤフォーマットの場合
は１．２〜１４ｍ／秒）または定角速度にて回転させな
がら、基板側から半導体レーザー光などの記録用の光を
照射する。この光の照射により、記録層と反射層との界
面に空洞を形成（空洞の形成は、記録層または反射層の
変形、あるいは両層の変形を伴って形成される）する
か、基板が肉盛り変形する、あるいは記録層に変色、会
合状態の変化等により屈折率が変化することにより情報
が記録されると考えられる。記録光としては５００ｎｍ
〜８５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザー
ビームが用いられる。上記のように記録された情報の再
生は、情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させ
ながら半導体レーザー光を基板側から照射して、その反
射光を検出することにより行うことができる。以下に、
本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各例は本
発明を制限するものではない。

【００６４】

【実施例】

［実施例１］前記シアニン系色素化合物（Ｉ−１）３ｇ
を、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１０
０ｃｃに溶解し、記録層形成用塗布液を得た。この塗布
液を、表面にスパイラルグルーブ（グルーブピッチ：
１．６μｍ、グルーブ幅：０．４μｍ、グルーブの深
さ：０．１７μｍ）が射出成形により形成されたポリカ
ーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍ
ｍ）のそのグルーブ面に、スピンコートにより塗布し、
記録層（厚さ：グルーブ内において約２００ｎｍ）を形
成した。

【００６５】記録層上に、Ａｕをスパッタして、約１０
０ｎｍの金属反射層を形成した。さらに反射層上に、Ｕ
Ｖ硬化性樹脂（ＵＶ硬化剤３０７０、スリーボンド社
製）を塗布し、紫外線を照射して層厚３μｍの保護層を
形成した。これにより情報記録媒体を得た。

【００６６】［実施例２〜４］実施例１において、前記
シアニン系色素化合物（Ｉ−１）の代わりに表１に示す
シアニン系色素化合物を同量使用した以外は、実施例１
と同様にして情報記録媒体を得た。

【００６７】［比較例１］実施例１において、前記シア
ニン系色素化合物（Ｉ−１）の代わりに下記のシアニン
系色素化合物（化合物Ａ）を同量使用した以外は、実施
例１と同様にして情報記録媒体を得た。

【００６８】

【化３２】

【００６９】［比較例２］実施例１において、前記シア
ニン系色素化合物（Ｉ−１）の代わりに下記のシアニン
系色素化合物（化合物Ｂ）を同量使用した以外は、実施
例１と同様にして情報記録媒体を得た。

【００７０】

【化３３】

【００７１】［比較例３］実施例１において、前記シア
ニン系色素化合物（Ｉ−１）の代わりに下記のシアニン
系色素化合物（化合物Ｃ）を同量使用した以外は、実施
例１と同様にして情報記録媒体を得た。

【００７２】

【化３４】

【００７３】［情報記録媒体の評価］ １）変調度 情報記録媒体に、波長７８０ｎｍの半導体レーザ光を照
射し、グルーブをトラッキングしながら、定線速度１．
４ｍ／秒で、記録レーザパワーを４〜９ｍＷの範囲で種
々変えて、３Ｔと１１ＴのＥＦＭ信号を記録した。レー
ザパワー０．５ｍＷで再生し、最適記録パワーにおける
３Ｔと１１Ｔの変調度を求めた。 ２）反射率 １）の再生時の最適記録パワーにおけるグルーブ（非記
録領域）の反射率を求めた。 ３）耐光性 １）で記録された情報記録媒体にＸｅランプ（１４万ル
ックス）を８時間照射し、照射後の変調度及び反射率を
上記１）及び２）と同様に測定した。

【００７４】得られた結果を表１に示す。

【００７５】

【表１】 表１ ──────────────────────────────────── （Ｘｅ照射前） （Ｘｅ照射後） 色素 変調度 反射率 変調度 反射率 Ｎｏ ３Ｔ １１Ｔ （％） ３Ｔ １１Ｔ （％） ──────────────────────────────────── 実施例１ Ｉ−１ 0.412 0.611 80.8 0.407 0.607 81.2 実施例２ Ｉ−２ 0.404 0.600 90.2 0.401 0.598 90.5 実施例３ Ｉ−15 0.435 0.622 78.1 0.426 0.615 79.4 実施例４ Ｉ−16 0.489 0.973 66.0 0.476 0.961 67.2 ──────────────────────────────────── 比較例１ Ａ 0.327 0.612 76.1 トラッキングできず測定不可 比較例２ Ｂ 0.355 0.608 88.5 トラッキングできず測定不可 比較例３ Ｃ 0.302 0.485 77.0 0.298 0.480 78.3 ────────────────────────────────────

【００７６】［実施例５］実施例１において、前記シア
ニン系色素化合物（Ｉ−１）に対して１０重量％のクエ
ンチャー（前記化合物(III) −４）を加えた以外実施例
１と同様にして記録層形成用塗布液を調製し、その後の
記録層の形成、反射層及び保護層の形成は実施例１と同
様にして情報記録媒体を得た。

【００７７】［実施例６］実施例１において、前記シア
ニン系色素化合物（Ｉ−１）に対して１０重量％のクエ
ンチャー（前記化合物(IV)−１）を加えた以外実施例１
と同様にして記録層形成用塗布液を調製し、その後の記
録層の形成、反射層及び保護層の形成は実施例１と同様
にして情報記録媒体を得た。

【００７８】［比較例４］比較例１において、前記シア
ニン系色素化合物（化合物Ａ）に対して１０重量％のク
エンチャー（前記化合物(III) −４）を加えた以外比較
例１と同様にして記録層形成用塗布液を調製し、その後
の記録層の形成、反射層及び保護層の形成は比較例１と
同様にして情報記録媒体を得た。

【００７９】［比較例５］比較例１において、前記シア
ニン系色素化合物（化合物Ａ）に対して１０重量％のク
エンチャー（前記化合物(IV)−１）を加えた以外比較例
１と同様にして記録層形成用塗布液を調製し、その後の
記録層の形成、反射層及び保護層の形成は比較例１と同
様にして情報記録媒体を得た。

【００８０】［情報記録媒体の評価］ １）変調度 情報記録媒体に、波長７８０ｎｍの半導体レーザ光を照
射し、グルーブをトラッキングしながら、定線速度１．
４ｍ／秒で、記録レーザパワーを４〜９ｍＷの範囲で種
々変えて、３Ｔと１１ＴのＥＦＭ信号を記録した。レー
ザパワー０．５ｍＷで再生し、最適記録パワーにおける
３Ｔと１１Ｔの変調度を求めた。 ２）反射率 １）の再生時の最適記録パワーにおけるグルーブ（非記
録領域）の反射率を求めた。 ３）耐光性Ａ １）で記録された情報記録媒体にＸｅランプ（１４万ル
ックス）を２４時間照射し、照射後の変調度及び反射率
を上記１）及び２）と同様に測定した。 ４）耐光性Ｂ １）で記録された情報記録媒体にＸｅランプ（１４万ル
ックス）を４８時間照射し、照射後の変調度及び反射率
を上記１）及び２）と同様に測定した。

【００８１】得られた結果を表２に示す。

【００８２】

【表２】 表２ ──────────────────────────────────── クエン （Ｘｅ照射前） （Ｘｅ24hr照射後）（Ｘｅ48hr照射後） チャー 変調度 反射率 変調度 反射率 変調度 反射率 Ｎｏ ３Ｔ／１１Ｔ（％） ３Ｔ／１１Ｔ（％） ３Ｔ／１１Ｔ（％） ──────────────────────────────────── 実施例 ５ (III)-4 0.412/0.609 80.8 0.403/0.585 82.5 0.356/0.512 88.2 ６ (IV)-1 0.411/0.607 80.9 0.395/0.578 83.7 0.323/0.501 90.2 ──────────────────────────────────── 比較例 ４ (III)-4 0.322/0.601 76.3 0.198/0.325 97.3 トラッキング不可 ５ (IV)-1 0.320/0.598 76.5 0.212/0.362 96.2 トラッキング不可 ────────────────────────────────────

【００８３】

【発明の効果】本発明は、前記特定のシアニン系化合物
を記録層に用いているため、高い変調度及び反射率を維
持しながら、更に耐光性が顕著に向上した情報記録媒体
を得ることが可能となった。

【手続補正書】

【提出日】平成８年１０月３０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】記録層が設けられる側の基板表面には、平
面性の改善、接着力の向上および記録層の変質防止の目
的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料として
はたとえば、ボリメチルメタクリレート、アクリル酸・
メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重
合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリル
アミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルス
ルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビ
ニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミ
ド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネート等の高分子物質；およびシランカップリン
グ剤などの表面改質剤を挙げることができる。下塗層
は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液
を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップ
コート、エクストルージョンコートなどの塗布法により
基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあ
り、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】プレグルーブ層の層厚は一般に０．０５〜
１００μｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍ
の範囲である。基板上に設けられるプレグルーブの深さ
は３００〜２０００Åの範囲のものが、その半値幅は、
０．２〜０．９μｍの範囲にあることが好ましい。ま
た、プレグルーブ層の深さを１５００〜２０００Åの範
囲にすることにより反射率をほとんど低下させることな
く感度を向上させることができ、特に好ましい。従っ
て、このような光ディスク（深いプレグルーブの基板に
一般式（Ｉ）の色素の記録層および反射層が形成された
光ディスク）は、高い感度を有することから、低いレー
ザパワーでも記録が可能となり、これにより安価な半導
体レーザの使用が可能となる、あるいは半導体レーザの
使用寿命を延ばすことができる等の利点を有する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】Ｘ^ｎ−で表わされる陰イオンの例として
は、ハライドイオン（Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻など）、ス
ルホナートイオン（ＣＨ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、
ｐ−トルエンスルホナートイオン、ナフタレン−１，５
−ジスルホナートイオンなど）、ＣｌＯ_４ ⁻、Ｂ
Ｆ_４ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、下記の金属錯体イオン：

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、レーザ光により情報の記録が
   可能な記録層が設けられ、そして該記録層上に金属反射
   層が設けられてなる情報記録媒体において、該記録層
   が、下記の一般式（Ｉ）： 【化１】 ［但し、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、アルコキシ
   基を除く置換基を有していても良いアルキル基を表わ
   し、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ独立に、置
   換基を有していても良いアルキル基を表わし、Ｒ¹³とＲ
   ¹⁴及び／又はＲ¹⁵とＲ¹⁶は、互いに連結して環を形成し
   ても良く、Ｙ¹¹は臭素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^n-
   は陰イオンを表わし、ｎは１、２または３を表わし、そ
   してＺ¹ 及びＺ² は、Ｃ＝Ｃと共に置換又は無置換のベ
   ンゼン環又ナフタレン環を形成するのに必要な原子群を
   表わす（但し、Ｚ¹ 及びＺ² は、同時にベンゼン環を形
   成するのに必要な原子群を表わすことはない）］により
   表わされるシアニン系色素化合物を含むことを特徴とす
   る情報記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、無置
   換のアルキル基又はハロゲン原子、アルキルチオ基、ア
   シル基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシカ
   ルボニル基、アルケニル基、アリール基あるいはアリー
   ロキシカルボニル基で置換されたアルキル基を表わす請
   求項１に記載の情報記録媒体。
3. 【請求項３】 該シアニン系色素化合物が、下記の一般
   式（II）： 【化２】 ［但し、Ｒ²¹及びＲ²²は、それぞれ独立に、アルコキシ
   基を除く置換基を有していても良いアルキル基を表わ
   し、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵及びＲ²⁶は、それぞれ独立に、置
   換基を有していても良いアルキル基を表わし、Ｙ²¹は臭
   素原子又は沃素原子を表わし、Ｘ^m-は陰イオンを表わ
   し、そしてｍは１、２または３を表わす］により表わさ
   れる化合物である請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 【請求項４】 該記録層が、さらに下記の一般式(III)
   又は(IV)： 【化３】 ［但し、Ｒ³¹は置換基を有していても良いアルキル基を
   表わし、そしてＱ^- は陰イオンを表わす］ 【化４】 ［但し、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³及びＲ⁴⁴は、それぞれ独立に
   置換基を表わし、ａ、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０
   〜５の整数を表わし、Ｍは金属原子を表わし、そしてＬ
   ¹ 、Ｌ² 、Ｌ³ 及びＬ⁴ はそれぞれ独立に硫黄原子、酸
   素原子又は窒素原子を表わす］により表わされる化合物
   を含む層である請求項１に記載の情報記録媒体。