KR20010110442A - 진공펌프라인에서 중합된 ｔｅｏｓ 축적을 조절하기 위한방법 및 장치 - Google Patents

진공펌프라인에서 중합된 ｔｅｏｓ 축적을 조절하기 위한방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

진공펌프라인 SiO2CVD공정에서 반응노 유출물로부터의 TEOS중합을 조절하기 위한 TEOS 트랩은 TEOS 가수분해반응에서, TEOS 트랩을 통해 흐르는 비가수분해된 TEOS, 에틸렌, 그리고 다른 기상 부산물을 허용하고, 수반하는 제거와 처분에 대한 TEOS 트랩에서 가수분해반응에 의해 형성된 고상과 액상의 SiO2-풍부 분자들을 보유하는 동안, 유출물로 부터 TEOS와 물분자들을 흡착하고 보유하는, 실질적으로 모든 물분자들을 소모하기에 충분하게 긴 분자종-선택적 흐름방해매체를 포함한다. 분자종-선택적 흐름매개방해매체는 TEOS와 물흐름 방해하는 기능과, 고상과 액상 TEOS 고분자 포획기능을 수행하는 표면밀도를 만들기 위해 다수의 흡착표면을 가지고 있다.

Description

진공펌프라인에서 중합된 ＴＥＯＳ 축적을 조절하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING POLYMERIZED TEOS BUILD-UP IN VACUUM PUMP LINES}
이산화규소(SiO2)의 박막은 화학증착(CVD) 공정으로 반도체 장치를 위해 규소웨이퍼 및 다른 기판상에 부착되는데, 여기서 규소과 산소원자종을 포함하는 공급물질이 진공실에서 반응하여 이산화규소를 생산한다. 여기에 참조문헌으로 포함되는 미국특허 제5,827,370호에 자세히 기술된대로, TEOS로 알려진 테트라에틸오르토규산염 또는 테트라에톡시실란기체(Si(OC2H5)4)는 반도체장치를 위한 그것의 뛰어난 트렌치/비어(via) 충전능력, 낮은 입자수준, 그리고 결과의 고충전 품질로 인해 공급물질로 종종 사용된다. TEOS는 또한 실란기체 보다 사용하기에 더 안전하게 만드는 높은 자동점화온도를 가지고 있다.
전형적인 CVD공정에서, 진공펌프는 반응챔버과 연결되어 있고, 규소웨이퍼나 다른 기판은 챔버에 위치하며 챔버는 비워지고 가열된다. TEOS를 포함한 공급가스 는 그 다음 비워진 반응챔버안으로 공급되는데, 그곳에서 TEOS의 일부는 열분해에 의해 원자종으로 해리되는데, 이들은 SiO2와 수증기(H2O)를 포함하는 다른분자들로 재결합한다. SiO2는 기판상에 부착되는 한편, 나머지 부분적으로 중합된 TEOS, H2O와 다른 기체상 분자들(주로 에틸렌(C2H4)과 헬륨(He2) 또는 질소(N2)와 같은 어떤 운반체 또는 희석가스)은 진공펌프에 의해 반응챔버 밖으로 유출물로서 끌어내어진다. 산소(O2) 또는 오존(O3)은 가끔 노에서 반응온도를 감소시키는데 사용된다.
진공펌프는 펌프라인이라고 불리는 파이프부분에 의해 반응챔버에 연결되고, 반응챔버와 진공펌프사이의 펌프라인내에 종종 하나 또는 그 이상의 밸브와 다른 구성요소가 있다. TEOS분자들은 수증기의 존재하에서 매우 불안정하며, 펌프라인에서 형성하고 밸브와 다른 구성요소를 막고 진공펌프에 해를 미치는 긴 고분자사슬로 쉽게 가수분해한다.
긴 환형 노즐조립체가 반응챔버의 유출TEOS, 수증기, 그리고 다른 부산물 사이에 질소(N2) 경계층을 제공하는 미국 특허 제 5,827,370호의 장치를 만드는 기체경계층에 의해 제공된 가상의 벽은 그들 유출물부산물을 반응챔버로부터, TEOS와 수증기가 펌프라인의 안쪽 표면에서 중합되기 전에 펌프라인에서 하류를 촉진하는데 효과적이다. 그러나, 여전히 그런 중합된 재료들(고화 혹은 액화된 TEOS고분자)은 그런물질에 의해서 막히고/혹은 해를 입을수 있는 펌프라인에서 진공펌프와 밸브 또는 다른 구성요소에 도달하기 전에 제거되어야 한다. 많은 트랩들이 그런 제거를 시도해왔다. 미국 특허번호 제 5,827,370호는 그 특허 내의 가상의 벽이나 경계층의 하류의 일반적인 방식의 그런 트랩을 나타낸다. 그러나, 그런 트랩은 너무 빨리 막히거나 효과적으로 TEOS와 수증기분자들을 제거하지 못하거나, 혹은 두가지 이유 모두로 인해 매우 만족스럽지 못했고 그것들은 가능하다고 해도 매우 청소하기가 어려우며, 아직 비싸고 교체에 시간이 소모된다. 결과적으로 반응챔버로 부터 하류의 중합된 TEOS에 의해 발생된 문제들을 다루는데 여전히 많은 가동휴지시간, 노동, 그리고 비용이 요구된다
본 발명은 일반적으로 진공펌프라인, 밸브, 그리고 이산화규소 저장 챔버로 부터, 하류의 다른 구성요소들에서 중합된 TEOS의 축적을 조절하는데 관련되어 있고, 좀더 구체적으로는 가수분해 되지않은 TEOS, 에틸렌, 유출물내의 기체상부산물을 매체를 통과하도록 허용하고 후의 제거와 처분을 위해 가수분해 반응에 의해 형성된 고상 및 액상의 중합된 TEOS를 포획하면서 TEOS의 가수분해에서 실질적으로 모든 물분자를 소비하기에 충분히 오래 TEOS와 물분자를 흡착 및 유지하기 위한 분자종-선택적 흐름방해매체를 함유하는 트랩에 관계된다.
구체예에 포함되고 그 일부를 형성하는 첨부된 도면은 발명의 원리를 설명하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 바람직한 구체예를 나타낸다.
도면에서:
도 1은 이산화규소 저장 반응챔버의 펌프라인에서 바람직한 장착으로 본 발명의 TEOS 트랩의 바람직한 구체예의 단면선도이다.
도 2는 예비단계가 특별히 형성 및 제작된 예비단계의 대신에 일반적인 파이프 T-부품에 의해 제공되는 도 1의 TEOS 트랩의 바람직한 구체예의 변형물의 단면선도이다.
도 3은 분자종-선택적 흐름방해매체를 드러내기 위해 하우징의 일부를 파단하고, 안쪽 중심과 보유장치를 드러내기 위해 분자종-선택적 흐름방해매체의 일부를 파단한 도 2에서 보여진 바람직한 구체예 TEOS 트랩의 주요단계의 등각도이다.
도 4는 도 2와 3에서 보여진 TEOS 트랩의 주요단계의 정면도이다.
도 5는 도 4의 절단선 5-5를 따라 취한 도 2와 3에서 보인 TEOS 트랩의 평면도이다.
도 6은 도 4의 절단선 6-6을 따라 취한 도 2와 3에서 보인 TEOS 트랩의 저면도이다.
도 7은 저단부캡이 제거될때 트랩의 저면도인, 도 4의 절단선7-7을 따라 취한 TEOS 트랩의 단면도이다.
도 8은 도 4의 절단선8-8을 따라 취한 TEOS 트랩의 수직단면도이다.
도 9는 도 4의 절단선9-9을 따라 취한 TEOS 트랩의 횡단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 바람직한 분자종-선택적 흐름방해매체부분의 등각도이다.
도 11은 도 1, 2, 8, 및 10에 보여진 바람직한 구체예의 메시분자종-선택적 흐름방해매체에서 와이어의 단편의 확대도이다.
도 12는 본 발명에 따른 바람직한 구체예 분자종-선택적 흐름방해매체에 사용되는 섞여짜여진 금속직물메시의 단일층의 정면도이다.
도 13은 함께 적층된 도 11의 섞여짜여진 금속직물메시의 2중층의 정면도이다.
도 14는 함께 적층된 도 11의 섞여짜여진 금속직물메시의 4중층의 정면도이다.
도 15는 함께 적층된 이중층을 만들기 위해 여러번 접혀진 도 11의 섞여 짜여진 금속직물메시 스트립의 선도이다.
도 16은 본 발명의 분자종-선택적 흐름방해매체를 위해 원통모양으로 섞여짜여진 금속직물의 다중층을 만들기위한 기술을 예시하기 위한, 도 15에 예시된대로 접혀진후 말아서, 원통으로 함께 적층된 4중층을 만든 섞여짜여진 금속직물시트의 투시선도이다.
도 17은 함께 적층된 금속스크린의 다수의 원통형층들로 이루어지는 또다른 구체예의 분자종-선택적 흐름방해매체의 등각선도이다.
도 18은 함께 적층된 구멍낸 금속박의 다수의 원통형층들로 구성된 또 다른 구체예의 분자종-선택적 흐름방해매체의 등각선도이다.
도 19는 원통형으로 형성된 구멍을 내고 접혀진 금속박으로 구성된 또 다른 구체예의 분자종-선택적 흐름방해매체의 등각선도이다.
도 20은 원통형 모양으로 방사상으로 배향된 여러개의 긴 금속박으로 구성된 또 다른 구체예의 분자종-선택적 흐름방해매체의 등각선도이다.
도 21은 도 2의 예비단계 없이 펌프라인에서 대체방식으로 장착된 도 3의 주요단계 TEOS 트랩의 정면선도이다.
도 22는 본 발명에 따른 또다른 구체예의 TEOS 트랩의 수직단면도이다.
따라서, TEOS가 공급원기체로 사용되는 SiO2박막부착시스템에서 일어나는 반응챔버로부터 하류의 중합된 TEOS를 처리하는데 필요한 시간, 노동력, 그리고 비용을 줄이는 것이 본 발명의 일반적인 목적이다.
또한, 진공펌프의 상류의 펌프라인으로 부터 중합된 TEOS의 제거를 위한 개선된 방법과 장치를 제공하는 것도 본 발명의 목적이다.
본 발명의 좀더 구체적인 목적은 펌프라인에서 중합된 TEOS의 조제물의 진공펌프의 상류에서의 제거를 촉진하는 것이다.
본 발명의 한층더 구체적인 목적은 진공 펌프에 도달하는 반응챔버유출물에 남아있는 TEOS가 진공펌프 구성요소들과 내표면들에서 중합되어 형성되지 않도록 진공 펌프로 부터 상류의 유출물에서 실질적으로 모든 사용가능한 수증기 분자를 소모하기위해 TEOS분자들의 가수분해를 촉진하는 것이다.
본 발명의 또 다른 구체적인 목적은 최소한의 가동휴지시간과 노동력으로 청소하기에 쉽고 값싼 중합된 TEOS를 위한 트랩을 제공하는 것이다.
발명의 부가적인 목적들, 장점들, 그리고 신규한 특징들은 뒤따를 설명 부분에서 일부 제시될 것이고 일부는 뒤따를 내용의 검토로 당업자들에게 명백해질 것이며, 또는 발명을 실시하여 알게 될 것이다. 목적들과 이점들은 특히 첨부되어있는 특허청구범위에서 구체적으로 지적한 조합과 수단에 의해 실현되고 달성될 것이다.
앞서기술한 목적 그리고 다른 목적을 이루기위해 그리고 본 발명의 목적과 일치하여, 지금까지 구현되고 광범위하게 기술된 대로, 본 발명의 방법은 유출물에서 가수분해 되지 않은 TEOS, 에틸렌, 및 다른 비극성기체상의 부산물을 머무르도록 허용하고, 트랩에서 가수분해반응에 의해 형성된 고체 및/또는 액상의 SiO2-풍부중합된 TEOS를 보유하면서 TEOS 가수분해 반응에서 실질적으로 모든 물분자를 소모할 충분한 시간동안 흡착표면상에 반응노 유출물로부터 TEOS와 물분자를 흡착 및 보유하는 것을 포함한다. 본 발명에 따른 앞서 말한 목적, 그리고 다른 목적을 이루기 위한 장치는 극성 TEOS와 물분자를 흡착하고 비극성 에틸렌과 다른 비극성 분자를 흡착하지 않는 분자종-선택적 흐름방해매체를 가진 TEOS 트랩을 포함할 것이다. 예비적인 단계는 분자종-선택적 흐름방해매체를 함유하는 주요단계아래의 저장소에서 고체 및/또는 액상의 TEOS중합체를 포획하거나 보유하는데 또한 이용될 수 있다. 본 발명의 장치는 또한 TEOS 트랩에서 TEOS의 가수분해와 결과되는 중합을 향상시키는 물질과 구조를 형성하는 흡착표면밀도와 난류를 제공하는 분자종-선택적 흐름방해매체의 바람직한 다른 구체예를 포함한다.
본 발명실시를 위한 최상의 방식
본 발명에 따른 TEOS 트랩(10)은 반도체 이산화규소(SiO2)의 박막(16)을 반도체 장치의 제조에서 기판(18)상에 부착시키는 저압화학증기침전(LP CVD)챔버 또는, 노(14)에 대한 진공 시스템의,종종 전방라인이라 불리우는, 펌프라인(12)에 통상 사용되는 대로 장착된 것으로서 도 1에 선도로 보여준다. 그런 공정에서는, 진공펌프(도 1에 보여지지않음)는 펌프라인(12)에 연결되고 LP CVD노(14)를 매우 낮은 압력으로 비우는데 사용되고, SiO2전체 침전공정을 통하여, 전형적으로 약 100-500mtorr의 범위로, 종종 약 150mtorr의 범위로, 노(14)내에 그런 진공을 유지하는데 사용된다. 노(14)의 내부는 또한 TEOS분자가 열분해 또는 산화될 수 있는 적어도 650℃, 보통은 약 650-750℃의 온도로 가열된다. 그러므로, TEOS가스가 공급가스입구(20)를 통해 100-500mtorr의 진공 650-750℃ 노(14)로 이송될때 그것은 그것의 원자종으로 열분해되거나 산소에 반응하고 일련의 가수분해반응이 일어나 기판(18)에서 SiO2의 박막을 형성한다.
그러나, 기판(18) 또는 노(14)에서 모든 TEOS가 SiO2로 분해 또는 가수분해되는것은 아니다. 진공펌프는 새로운 TEOS흐름이 공급기체입구(20)로 흐를때 진공을 유지하기 위해 연속적으로 조작되야 하기 때문에, 열분해/산화반응에서 생성된 실질적인 양의 TEOS(그들중의 대부분은 부분적으로 중합된다)는 물론 수증기(H2O)와 다른 분자들은 흐름 화살표(22)에 의해 표시된 대로 노(14) 밖으로 끌어내지고 진공시스템의 펌프라인(12)으로 들어간다. TEOS의 가수분해와 SiO2의 형성은 노(14)의 기체출구(24)에서 끝나지 않는다. 반대로, 가수분해는 펌프라인(12)에서 계속되고, 체크되지 않는다면 펌프라인(12)은 물론 감시와 제어목적을 위한펌프라인(12)에서 종종 필요되는 압력계(보여지지 않음)와 밸브(보여지지 않음) 및 같은 다른 구성요소들을 막을수 있는 펌프라인(12)내의 중합된 TEOS분자의 축적을 일으킬수 있다. 중합된 TEOS는 중합된 분자의 사슬길이에 따라 기체, 액체,또는 고체형태로도 형성될 수 있음을 주의해야 한다. 부가적으로, 만일 그런 중합(가수분해) 반응이 진공펌프 내부에서 일어난다면, 펌프의 수명은 현저히 감소될 것이다.
TEOS 트랩(10)은 펌프라인(12)은 물론 압력계, 밸브, 다른 구성요소 에서 그리고 진공펌프에서 트랩(10)에 있는 SiO2-풍부중합된TEOS의 이러한 축적(40)에 대한 이상적인 상태를 조성함에 의해, 그것으로 인해 펌프라인(12)으로 부터의 노 유출물(22)내의, TEOS분자와 물분자의 기상의 혼합물을 그것이 하류를 촉진시키는 문제를 일으키기 전에, 제거함에 의해 SiO2-풍부 중합TEOS의 이러한 축적을 방지하도록 설계되었다. TEOS 트랩(10)은 노 출구(24)로부터 유출물 흐름(22)을 출구(24)내 또는 근처에서 침전이나 축적없이 멀리 인도하기에 효과적인 미국특허 제 5,827,370호의 가상의 벽구멍(30)과 조합되어 사용될때 특히 효과적이다. 그러나, 그런 가상적인 벽이나 경계층장치(30)는 본 발명의 TEOS 트랩의 구조나 기능에 불필요하다.
비록 필수적이지는 않더라도, 펌프라인(12)에서 본 발명의 TEOS 트랩(10)의 바람직한 장착이 도 1에 예시되어 있는데, 거기에서 TEOS 트랩(10)은 가장 효과적이고 완벽한 TEOS제거가 일어나는 주요단계 트랩장치(11)가, 아래에 더욱 자세히기술될 것 처럼 고상 보다는 액상일 경향이 많은, 다소 덜 반응한 TEOS고분자 물질(42)을 제거하고/또는 보유하는데 효과적인 예비단계 트랩장치(44)에 장착되어 있는 것으로 나타나있다. 그러나, 필수적으로 주요단계(11)는 유출물내의 에틸렌과 다른 분자들을 제지하지 않고 매체(70)를 통과시키면서 선택적으로 TEOS와 수증기의 흐름을 방해하고 도 1의 축적(40)에 의해 예시된 대로 매체(70)의 표면에 액상과 고상으로 성장되거나 축적되는 TEOS를 가수분해하는 대한 거의 이상적인 표면상태를 제공하는 많은 미소표면(아래에 좀더 상세히 기술됨)을 가진 분자종-선택적흐름방해매체(70)을 함유한다. 예비단계(44)는 또한 약간의 넓은 내표면들(45)을 갖는데, 여기서 이러한 고분자TEOS축적이 일부 일어 날수 있으나, 예비단계(44)의 주요 기능은 예비단계(44)의 내표면들(45)에서 가수분해하는 액상및/또는 고상의 TEOS고분자물질(41) 뿐만 아니라 트랩(10)을 막지않는 방식으로 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에서 떨어져 나오는 액상TEOS고분자 물질(42)도 모으는 것이다. 그와같은 액상TEOS고분자물질은 관(46)의 바닥에 부착되어 있는 저장소(58)에 모인다. 따라서 본 발명에따라 예비적인 단계(44)는 주요단계(11)의 효과적인 작동에 필수적이지 않은 한편, 그것은 TEOS 트랩의 용량을 극적으로 증가시킨다.
도 1에 보여진 대로, TEOS 트랩(10)의 예비단계(44)는 수직관 부분(46)과 주요단계(11)에 대한 입구로서 작용하는 상향분기 부분(59)을 가질 수 있다. 예비단계(44)에 대한 입구(48)는 관 부분(46)의 수직축에 실질적으로 수직인 수평축에 있는 예비단계(44)로 들어간다. 저장소(58)는 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로부터 떨어지는 대부분 액체인 고분자TEOS(42)를 모으고 보유하기 위한 수직관부분(46)의 하부끝(49)에 장착한다. 분기 부분의 정상둘레의 플랜지(57)는 예비트랩단계(44)에 주요트랩단계(11)를 장착하기 위해 주요트랩부분(11)의 바닥둘레의 유사한 플랜지(82)와 짝을 이룬다.
예비단계(44)는 다르게 구조적으로 변형되어 만들어질 수 있다. 예를들면 수직관(46)은 상향분기 부분(59)이 필요 없도록 주요트랩단계(11)의 원통형 하우징(80)의 지름에 같은 정도로 더 큰 지름을 가질수 있다.
좀더 다양한 조립과 설치를 위해, TEOS 트랩(10)은 주요단계(11)가 표준관 연결 플랜지(53)를 가지고 있는 입구 부속품(50)이 있는 도 2에 보여진대로 만들어 질 수 있다. 예비단계는 가상벽장치(30)와 주요트랩단계(11)의 입구부품(50)의 플랜지(53)에 상부끝(54)을 연결할 수 있는 수직관 부분(46)을 함유하는 케이싱파이프부분(31)에 연결할 수 있는 수평 입구(48)가 있는 파이프 T-부품(52)에 의해 형성될 수 있다. 저장소(58)는 T부품(52)의 하부 끝(56)에 부착될 수 있다. 도 2에 보여진대로, 주요트랩단계(11)의 입구 부품(50)은 분자종-선택적 흐름방해매체위의 중합된 TEOS축적(42)의 액상부분(42)이 트랩 챔버(60)밖으로 흐를수 있고 T-부품(52)의 하부끝(56)에 있는 저장소(58)에서 포획될 수 있도록 바람직하게는 수직으로 배향된 T부품(52)의 정상끝(54)에 부착되어 있다. 이 T-부품(52)장착은 그것에 의하여 TEOS 트랩(10)에서 형성된 이러한 액상의 중합된 TEOS(42)의 어떤것도 가상벽장치로 역류하거나 가상벽장치(30)를 막는것을 방지할 수 있다. T-부품(52)에 의해 쉽고 값싸게 형성되는 TEOS 트랩(10)의 이 예비단계는 TEOS 트랩(30)용량을 극적으로 증가시킨다. 물론 만일 가상벽장치(30)가 사용되지 않는다면, T-부품(54)의 입구(48)는 노 출구(24)또는 펌프라인(12)의 어떤 다른 관부분이나 구성요소에 직접적으로 연결될 수 있다.
위에서 언급된대로 TEOS 트랩(10)은 SiO2와 중합된 TEOS의 축적에 대한 이상적인 상태를 제공하기 위해 설계되었다. 바람직한 TEOS 트랩(10)구조와 작동을 올바르게 인식하기 위해, 예를들면 다른구조와 조작원리의 트랩을 이용할 수 있는 반도체 제작 공정의 질화규소와 다른 유출물과는 훨씬 다른 TEOS 침전과 축적(40)의 독특한 성질과 특성을 이해하는 것이 도움이 된다. TEOS의 침전과 축적의 독특한 성질과 특성때문에, 펌프라인(12)에서 직면하는 문제들과, 좀더 구체적으로는, 펌프라인(12)에서의 그런 축적을 포획하고 방지하지는 문제들은 독특하다. 침전은 펌프라인(12)의 다른 지점에서 다르다. 단단한 고체 침전물은 노 출구(24)에서 바로 형성하는 경향이 있고, 이어서 노출구(24)로부터 약간 멀리 떨어져서 눈송이같은 침전물, 그 다음엔 쉽게 깨질수 있는 빛나는 유리 결정, 그리고 심지어는 노출구(24)로부터 더욱 멀리 떨어져서 액상 TEOS고분자를 형성하는 경향이 있다.
질화규소 LP CVD시스템 에서 발견되는 염화암모늄과 같은 휘발성 부산물과는 다르게 TEOS시스템 펌프라인(12)에서 침전물은, 일반적인 염화규소 LP CVD공정에서 예를들면 염화암모늄과 다른 부산물을 포획하기위해 사용되는 작동원리인 열로 승화 또는 단순히 열제거에 의한 고화가 될 수 없는, 이산화규소-풍부중합TEOS이다. 따라서, 냉수및 열 교환기가 침전과 CVD유출물에서 기체상분자를 부착및 포획하도록 하기 위해 사용되는 미국 특허 제5,820,641호에 기술된 것과 같은 트랩들은TEOS CVD시스템에서는 작동하지 않는다. 반대로, TEOS시스템 유출물에서 침전과 축적은 펌프라인 내부의 TEOS와 수증기 사이의 표면 화학반응에 의해 주로 형성된다. 만일 TEOS와 물사이의 표면반응이 피해질 수 있다면, TEOS분자들 자체는 물론 수증기분자들 자체 또한 펌프라인에서 어떤 축적도 일으키지 않을것이며, 진공펌프를 직접 통과하지도 않을 것이며, 펌프라인(12)또는 그 장치에서 어떤 문제없이 배출되지 않을것이다. 그러나,TEOS분자들은 도 1과 2의 가상벽장치(30)에 의해 지연될 수 있지만, 제거되진 않는 이산화규소-풍부중합TEOS침전과 축적을 생성할 수 있는, 일련의 느린반응에서 TEOS분자들을 가수분해 하는 물분자들의 존재하에선 불안정하다. 그러므로 본 발명의 TEOS 트랩은 그런 반응에 특히 이로운 상태를 창조하는 처분할 수 있는 매체(70)에서 물과 TEOS의 그런 표면반응을 촉진한다.
전형적인 펌프라인에서 다른 원자 또는 분자와 적극적으로 반응을 하지 않는 비활성 분자들은 노 출구(24)로 부터 그들을 배출시키지 않는 진공펌프로 매우 빠르게 움직인다(수 초미만). 만일 TEOS분자와 수증기 분자가 비활성 분자들만큼 빠르게 시스템을 통해 움직인다면, 이산화규소-풍부중합TEOS의 침전과 축적은 물분자와 TEOS분자들의 가수분해는 배출되기 전에 상당한 고체 또는 액체 중합 TEOS를 생성하기에는 너무 느릴것이기 때문에 현저하지 않을것이다. 그러나,펌프라인에서 TEOS와 물분자의 체류시간은 실제로 매우 길다. TEOS와 물분자는 모두 매우 극성이므로 특히 금속표면과 같은 표면에 아주 쉽게 흡착한다. 펌프라인파이프 및 다른 구성요소의 내부표면에서 TEOS와 물분자 모두의 그러한 물리적 흡착은 펌프라인에서 고상과와 일부 액상형성물의 이산화규소-풍부중합TEOS축적을 생성하는, 느린 화학 가수분해 반응이 여러단계로 진행하여 완결되기에 충분히 오랫동안 펌프에서 그것들을 유지시키는 경향이 있다. 이들 화학반응은, 중합된 TEOS물질의 화학반응속도, 부산물, 및 특성이 온도의 변화에 따라 다양하지만, 높은 온도는 물론 낮은 온도에서도 일어난다.
위에서 언급된대로 TEOS는 뛰어난 열안정성을 보이지만, LP CVD노(14)에서와 같이, 그것이 750℃까지 가열될때 열분해하기 시작한다. TEOS(Si(OC2H5)4) 의 열분해(분해)는 아래와 같은 화학양론식에 의해 기술될 수 있다.
여기에서 SiO2는 하나의 이산화규소분자이고, 4C2H4는 4개의 에틸렌 분자들이며, 2H2O는 두개의 물분자들이다. LP CVD노(14)의 기판(18)에서 SiO2의 박막(16)의 침전은 물론 TEOS 트랩(10)에서 SiO2-풍부중합된 TEOS트랩(10)의 형성에서도 이들 물분자들은 중요한 역할을 한다(사실, 10개의 물분자가 만일 산소가 650℃보다 높은 온도에서 TEOS분자들을 산화하는데 사용된다면 발생될 것이다.) 어쨋든 위의 이 기상반응식(1)은 SiO2박막(16)을 생산하기 위해 노(14)에서 일어나는 주요반응식이 아니다. 사실 대부분의 TEOS분자들은 열분해 되지 않지만 화학식 1의 열분해 반응에서 생성되는 물분자들에 의해 가수분해된다. 높은 온도에서 TEOS의 이 가수분해는 다음과 같이 표현될 수 있다. :
위의 화학식 2에 보여진 바와 같이 하나의 물분자에 의한 2개의 TEOS분자들의 가수분해는 중합된 TEOS분자, 및 두개의 에틸렌분자들과 함께 2개의 물분자를 생성한다. 그러므로 노에서 이산화규소의 고온가수분해는 노에서 SiO2박막(16)의 높은 침전율을 가능케 할 뿐만아니라 유출물(22)에서 전달되는 많은 양의 수증기가 펌프라인(12)안으로 운반되게 하는 많은 양의 물분자를 생산한다.
화학식 2로부터 두개의 Si - OR결합 (여기에서 R은 에탄올 알콜 라디칼 C2H5이다)은 가수분해 공정동안 동시에 두개의 에틸렌(C2H4)과 두개의 물분자를 방출하면서 좀 더 안정한 Si - O - Si결합을 형성하기 위해 함께 결합(중합)될 수 있다. 중합된 TEOS의 이 고온 가수분해가 거의 완결되었을때, 즉 단지 약간남아 있거나 또는 에탄올 알콜라디칼이 중합된 TEOS에 남겨졌을때, 중합된 TEOS는 고화될 것이고, 기판(18)위에 양호한, 높은 품질의 SiO2막(16)을 형성할 것이다.
이들 같은 높은 온도 가수분해 반응은, 노 출구(24)에서,출구에서의 온도가 거의 노(14)내부 온도와 같이 높기 때문에, 같은 굳기, 밀도, 중합된 TEOS,그리고 이산화규소조차도 형성할 수 있다. 그러한 출구(24)에서의 단단하고 농축된 중합 TEOS축적은 얇은 조각으로 되지 않아서 노(14)로 상류되어 이동하여 기판(18)에 부착되는 박막(16)을 오염시키므로, 그것은 끌이나 망치로 제거되어야 할것이다.
펌프라인(12)에서의 온도가 노 출구(24)로 부터 더 멀리있는 하류일수록 감소함에 따라 식(2)대신에 우세한 가수분해 반응은:
물을 소모하지만, 새로운 물분자는 생성하지는 않는 식이 된다. 점점더 커지는 중합TEOS 사슬은 다음과 같은 부가적인 가수분해 반응에 의해 생성된다.:
그리고:
그리고 계속 중합 TEOS분자사슬은 커진다.
펌프라인(12)에서 하류를 촉진하는 낮은 온도에서 식(3),(4),(5)와 등등에 의해 생성되는 펄프라인(12)내의 먼쪽에 있는 중합된 TEOS는 밀도, 투명도가 낮고 더욱 수정같아지고, 깨지기 쉬워진다. 더욱 낮은 온도에서 형성되는 약간의 중합 TEOS는 계속 진척되는 가수분해가 그것을 고화시킬때까지 잠시동안은 다소 액체이다. 그 반응들은 너 높은 온도들에서 빠르지만 필연적으로, 더 낮은 온도들은 중합TEOS축적을 줄이지 못한다. 반대로, 더 낮은 온도들은 펌프라인(12)의 내표면에서 TEOS와 물분자들의 흡착을 증가시키는데, 더 느린 가수분해 반응들은 중합TEOS고체축적을 생산할 충분한 시간이 있다.
위에서 언급된대로, 경계층 노출구(24)와 노출구(24)로 부터의 연장하류에 위치한 가상벽 또는 장치(30)는, 슬리브관(32)의 내표면에서 TEOS와 물분자의 흡착을 막기위한 가열재킷(34)에 의해 유지(그렇지 않으면 그것들은 과다시간 가수분해로 중합TEOS축적을 생성할 것이다)되는 높은온도에서 단편화된 슬리브관(32)의 내부 주위변의 가상 질소(N2)벽을 생성하기 위해 질소(N2)주입을 사용한다. 그러므로, 기체TEOS와 물분자를 많이 가진 기상 유출물은 흐름 화살표(36,38)에 나타난 대로, 매우 적은 중합 TEOS침전 또는 축적을 형성하면서 노 출구(24)로부터 슬리브관(32)을 통해 TEOS 트랩(10)안으로 계속 흐른다. 본 발명에 따른 TEOS 트랩(10)은 기상의 유출물에서, TEOS와 물분자의 흐름을 선택적으로 방해하기 위해서, 고갈을 진행시키기 위한 느린 표면가수분해반응을 위해 충분히 길게 제작되었고 그럼에 의해서 고화 또는 액화된 중합TEOS에있는 유출물에서 모든 사용가능한 수증기를 소모할 수 있고, 그리고 TEOS 트랩(10)에서 그런 고화 혹은 액화된 중합TEOS를 보유하기 위해 제작되었다. TEOS 트랩(10)에서 그러한 가수분해반응들에 의해 모든 물분자가 소모되었기때문에, TEOS 트랩(10)의 유출물하류에 남아있는 TEOS분자들은 진공펌프와 다른 구성요소들을 아무런 해를 입지않고 또한 축적없이 통과할 것이다. 왜냐하면, 낮은 온도에서 고체 또는 액체 중합TEOS를 생성하는 가수분해반응 (3),(4),(5) 그리고 등등은 물분자들 없이는 일어나지 않을 것이기 때문이다. 그러므로 TEOS 트랩(10)은 트랩입구(60)과 트랩출구(62)사이의 챔버(60)에 위치한 분자종-선택적 흐름방해매체(70)을 가지고 있기 때문에 노 유출물은 흐름화살표 (64),(65),(66),(67),(68) 그리고 (69) 에 의해 나타난 것처럼 분자종-선택적 흐름방해매체(70)을 통해 흐른다. 이 발명에 따른 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 주요한 목적은 표면들에서 TEOS와 물분자들의 흡착을 증가시키는 것인데, 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 펌프라인(12)를 통한 TEOS와 물분자들의 운동을 실질적으로 느리게하며, 위에서 기술된 고갈을 위한 진행을 위한 가수분해반응을 촉진하고 허용할 즉, 실질적으로 화학식 3,4,5 등에 따른 TEOS의 낮은 온도에서의 가수분해반응에서 실질적으로 모든 물분자를 소모할만큼의 충분한 시간동안 표면에서 TEOS와 물분자를 보유한다.
위에 기술된것과 같은 가수분해반응은 TEOS 트랩(10)내의 분자종-선택적 흐름방해매체(40)에서 고체축적(40)으로 굳혀진 중합 TEOS분자사슬을 생성하고, 적지만, 약간의 액상중합TEOS(42)을 형성한다. 중합된 TEOS축적(40)과 액상 중합TEOS(42)는 효과적으로 실질적으로 모든 TEOS분자를 가진 모든 사용가능한 물분자를 소모한다. 그럼에 의해 도 1의 흐름화살표(66),(67),(68),(69)에 예시된 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로부터 유출물 흐름하류가 실질적으로 물분자가 없게 하기 위해 유출물 흐름으로부터 그들을 제거한다. 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로 부터의 물분자가 없는 하류로 인해 유출물 흐름(66),(67),(68),(69)에 남아 있는 TEOS분자들은 중합TEOS분자사슬으로 가수분해될 수 없기 때문에 기체형태로 남을것이고, 펌프라인(12), 진공펌프, 그리고 고화나 침전없는 다른 구성요소들의 잔류를 통해 흐를 것이다.
효과적인 TEOS와 물분자 흐름억제를 극대화하기 위해, 즉 수초로 부터 TEOS 트랩(10)에있는 TEOS와 물분자의 거주시간을 증가시키기위해, 식 (3),(4),(5)와 등등..의 식의 가수분해 반응이 일어나기에 충분한 시간으로 기체상의 분자가 트랩입구(50)와 트랩출구(62)사이의 거리를 가로지르도록하고, 바람직하게는 본 발명에 따르는 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 조합된 특징들을 가진다. 첫째, 그것은 극성분자, 즉 TEOS와 물분자,의 흡착을 위해 횡두께 t를 가로지르는 고체 표면적을 가진 횡두께 t를 가질것이다. 둘째, 비록 절대적으로 필요한 것은 아닐지라도, 매체(70)은 표면적에 인접한 기체의 경계층을 깨뜨리는 난류를 일으킬 것이다. 그럼에 의해 TEOS와 물분자들이 표면에 접촉과 흡수할 가능성을 증가시켜, 실질적으로 모든 물과 TEOS분자들이 위에 기술된 표면 화학가수분해반응 (3),(4),(5)를 촉진하기 위한 매체(70)의 표면에서의 충분한 체류시간을 얻는다. 셋째, 위에서 기술된 목적들을 위해 많은 표면적을 제공하고 난류를 형성하는 반면 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 그럼에도 불구하고 노(14)에서 필요한 진공을 유지하기 위해 진공펌프의 능력을 방해하지 않도록 유출물에서 비극성기체분자들에 대한 높은 흐름전도성을 가져야한다. 넷째, 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 TEOS필터(10)를 막음이 없이 중합TEOS축적의 실질적인 부피를 유지하기 위해 큰 수집용량을 가져야 한다. 마지막으로, 우선 분자종-선택적 흐름방해매체(70)를 쉽게 제거와 처분할 수있고, 청소는 빠르고, 쉽고, 저렴해야 한다.
금속(선호되게는 스텐레스강)메시의 횡두께 t를 구성하는 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 위에 기술된 바람직한 표면구조와 기능을 제공한다. 그러한 금속메시는, 예를들면 섞어짜여진 금속 와이어 또는 실을 가진 또는 짜여진 금속 스크린 또는 함께 얇은 조각으로 잘려진 팽창된 금속 시트 또는 어떤 다른 많은 얽혀진 또는 필요한 횡두께를 얻기위해 그리고 유출물이 흡수된 물분자와 반응하기 위해 필요되는 실질적인 모든 TEOS분자들과 함께 유출물에서 실질적인 모든 물분자들을 흡수하기 위해 보내야 하는 표면 면적 밀도를 생성하기 위해 만은 얽힌 또는 정열된 금속 마이크로 표면을 가진 어떤 다른 물질을 가진것을 포함하는 다양한 구조를 가진 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 바람직한 횡두께 t와 표면적밀도를 가진 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 메시보다 난류형성과 비흡착기체에 대한 높은 전도성을 유기하는데 덜 효과적이긴 하지만, 구멍이 나고/또는 단편화된 금속박의 수많은 배열에 의해 제공될 수 있다. 그러한 메시 그리고 박 흐름방해매체(70)의 예들은 아래에 좀더 상세하게 기술되어 있다.
물론 위에 기술된대로 흡수된 TEOS와 물분자들의 표면화학가수분해반응이 진행됨에 따라 메시 또는 박표면의 고체 중합TEOS결과물의 축적은 도 1과2에 예시된대로 분자종 선택적 흐름방해매체(70)을 막기 시작할것이다. 최초 축적(40)은 통상 TEOS 트랩(10)의 가장 가까운 입구(도 1의(59), 도2의 (50)에서 일어난다. TEOS와 물분자를 충분히 가진 유출물이 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에 그 부분에 처음 접촉하기 때문이다. 축적(40)이 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 가장 가까운 입구(59), (50)를 막을때, 도 1과 2의 흐름 화살표(64),(65)에 지시된것처럼, 유출물흐름은 지난 축적(40)을 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 막히지 않은 부분으로 이동한다. 물론 유출물 흐름(64),(65)이 분자종-선택적흐름방해매체(70)위로 점점 더 멀리 이동함에 따라, 축적(40)은 점점더 분자종-선택적 흐름방해매체(70)위로 확장한다. 그러므로 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 분자종-선택적 흐름방해매체(70)이 유출물 흐름으로 부터 TEOS와 물분자를 흡수할 용량이 감소되거나 비흡착기체의 전도가 감소되는 단계까지 축적(40)으로 막히기 전에 반응노(14)가 상당한 시간동안 작동될 수 있는 충분히 큰 부피의 축적(40)을 수용할 수 있는 충분한 높이와 직경을 가지고 있다. 그러한 높이와 직경은 물론 유출물의 TEOS와 수증기의 농축과 필요한 서비스전에 노(14)를 작동하기 위해 필요한 시간에 달려있다. 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 중합된TEOS의 축적(40)이 TEOS와 물분자들을 흡수하거나 비흡착기체를 유도하기 위한 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 용량을 감소시키는 그런 부피까지 축적되기 전에 계는 닫힐수 있고 막히거나 부분적으로 막힌 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 TEOS 트랩(10)으로 부터 단지 제거될 수 있고 새로운 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로 대체될 수 있다. 바람직한 구체예의 선택적 흐름방해매체(70)과 TEOS 트랩(10)의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에 대한 장착장치의 구조는 아래에 좀더 자세히 기술될 것이다.
도 3-9에 묘사된대로 TEOS 트랩(10)의 주요한 단계는 아래에 좀더 자세히 묘사될 실질적인 원통형구조를 선호한다. 어쨋든 많은 다른 모양과 구조가 본 발명의 이론에 따라 사용될 수 있는데, 그것은 충분한 횡두께와 흡착표면에 중합된 TEOS분자사슬을 생성하기 위해 TEOS분자들과 가수분해반응에서 실질적으로 모든 흡착된 물을 소모하기 위해 유출물로 부터 충분한 TEOS분자들과 함께 TEOS반응노 유출물에 있는 실질적인 모든 수증기를 흡수하기 위해 흡착표면의 충분한 밀도를 가진 입구와 출구 사이에 분자종 선택적 흐름방해매체를 포함하는, 광범위하게 기술된, 어떤 구조이다.
이제 도 3-9에 관하여 설명하면, 바람직한 구체예의 TEOS 트랩(10)에 대한 주요한 단계(11)는 긴, 챔버(60)를 덮는 깡통의 형태로 실질적인 원통형하우징(80)을 가지고 있다. 하우징의 입구끝(82)은 입구개구(51)와 도 2에서 보여진 T-부품과 같은 펌프라인(12)에서 관부품에 연결에 적합한 적당한 플랜지(53)를 갖는 제거 가능한 입구부품(50)에 의해 둘러싸여졌다. 계속 도 3-8을 계속 참조하여 적당한 플랜지(84)는 입구부품(50)에 유사한 플랜지(57)을 봉인하고 짝을 맺어주기 위해 하우징(80)의 입구끝(82)에 부착된다. 가스킷(86)은 단단한 봉합진공제공을 돕기위한 연결플랜지(57),(84) 사이에 위치될 수 있다. 도 7에 보여진 예인 적합한 조임쇠(83) 또는 다른 적당한 조임쇠가, 당업자에겐 일상적으로 그리고 잘 알려진 대로, 두 플랜지(57),(85)를 함께 짜내고 보유하는데 사용될 수 있다. 도 1의 바람직한 주요단계(44)에 대해 빗나가는 입구부분(59)은 위에 기술된 대로 플랜지(84)와 짝짓기 위한 플랜지(57)를 가지고 있다.
도 3-8에 보여진 대로, 하우징(80)의 출구끝(88)은 적당한 관부품플랜지(92)의 경계를 짓고, 출구개구(94)를 갖는 출구관(62)을 갖는 끝벽(90)에 의해 둘러싸여 있다.
확실하게 필수적이진 않지만, 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 바람직한 구조는 높이h, 횡 두께 t, 바깥지름 D 그리고 내부지름 d(도 8을보라)인 원통형이다. 하우징(80)에서 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에 장착을 위한 받침대(100)는 바깥관(62)의 내벽의 정반대편 그리고/또는 끝판(90)에 부착된 U모양 유도장치(102)를 구성하고 분자종-선택적 흐름방해매체(70)와 대략 같거나 약간적은 너비를 가지고 있다. 또한 브래킷(100)은 유도 스트랜드(102)로 부터 아래쪽으로 인접하는 끝(106)으로 부터 펼쳐나온 긴 대(104)를 포함하고 하우징(80)의 입구끝(82)근처 꿰어진 말단 끝(108)근처 에서 끝난다. 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 위쪽끝(71)은 하우징(80)에서 평행하게 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 중심에 두고 보유하는 유도 스트랜드(102) 주변을 미끄러지고, 끝벽(90)에 접경하는다. 유지판(110)은 대의 아래끝(108)에 장착되고, 날개 너트(112)에 의해 대(104)의 꿰어질수 있는 아랫끝을 나사로 고정되어 조여지고 유지되는, 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 아래쪽끝(72)을 가진다. 그러므로 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 끝벽(90)과 유지판(110)에 의해 수직으로 세워진다, 한편 그것은 유도 스트랜드(102)에 의해 중심부에 놓여지고, 나란하게 놓여진다. 유도 스트랜드(102)는 도 3, 5, 그리고 9에 보여진듯이 선호적으로 U모양 스트랜드하거나, TEOS 트랩(10)의 바깥열개(94)에 맞물리지 않는 다른 구조이다.
중합TEOS축적(40)때문에 분자종 선택흐름매체가 막힌때와 같이, 분자종-선택적 흐름방해매체(70)를 떼어내기 위해, TEOS 트랩(10)은 첫째로 펌프라인(12)으로부터 떼어내 진다. (도 1과 2를 보라). 그런다음, 죔쇠(83)가 제거된다. 그래서 입구부품(도 1의 (59)와 도2의 (50))이 하우징(80)의 입구끝(82)로부터 떼어내 질수 있다(도 8을 보라). 다음으로, 날개너트(112)와 유지판(110)이 제거되고분자종-선택적 흐름방해매체(70)가 유도 스트랜드(102)로 부터 미끄러질수 있고 실(60)으로부터 떼어내질수 있다. 새로운 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 이과정을 거스름에 의해 장착될 수있다.
이 설명에 사용된듯이 용어들, "더 위의" 그리고 "더 낮은" 또는 "꼭대기" 그리고 "바닥",은 단지 편의상임은 말할 필요도 없다. "더 위의" 그리고 "더 낮은" 또는 "꼭대기" 그리고 "바닥"은 도 1,3, 그리고 7에 보인듯인 TEOS 트랩(10)의 바람직한 수직의 장착순환에 관련한다. 분명히, TEOS 트랩(10) 특히, TEOS 트랩(10)의 주요단계(11)는 본 발명의 기판의 변화없이 수평면으로, 윗면을 아래로, 또는 그 사이 어떤 자세와 같이 다른 장착위치에 사용될 수 있다.
중합TEOS의 대부분은 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 상류표면(75)과 하류표면(76)사이의 횡두께 t내 미세표면(73)에서 발생될 것이다. 어쨋든 약간량의 축적(40)은 상류표면(75)로부터 방사상으로 바깥쪽으로 확장될 것이다. 그러므로 하우징(80)과 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는, 도 1의 흐름화살표 (64),(65)에 지시된대로, 유출물가 하우징(80)의 입구끝(82) 가까이의 축적(40)에 의해 제지되지 않고 계속될 수 있도록 분자종-선택적 흐름방해매체(70)과 하우징(80)사이의 충분히 넓은 고리모양의 공간(61)을 남기기 위해 크기가 조절되야 한다. 예를들면, 한계에 대한 것이 아니라, 약 15cm의 내경을 가진 하우징(80)과 약 13cm의 외경 D를 가진 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 이 목적을 위해 만족적이다. 중심공간(63)을 만드는 것은, 실질적으로 모든 수증기가 분자종-선택적 흐름방해매체(70)내의 중합된 TEOS에서 유출물로부터 제거되어 분자종-선택적흐름방해매체(70)로 부터 TEOS분자들하류를 가수분해와 중합하기에 더이상 유용하지 않기 때문에 나쁘지 않다. 그러므로, 진공펌프로의 하류 관놓기에 일치하도록 크기되어 질 수 있는 외부 열개(94)의 직경에 대략 일치하는 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 내경 d에 의해, 예를들어 약 7.3cm정도, 정의되는 중심크기(63)가 적당하다. 위에서 간단하게 언급된대로 본 발명에 따른 분자종-선택적 흐름방해매체(70)는 미세표면에서 고체 또는 액체중합 TEOS를 분자 사슬을 생성하는 가수분해 반응에서 실질적으로 모든 물분자를 소모하기위해 유출물로부터 실질적으로 모든 물분자와 충분한 TEOS분자들을 흡수하기에 충분한 밀도의 미세표면을 구성하는 두께 t를 가지고 있다. 동시에 미세표면(73)은 반응노(14)에서 필요한 진공을 유지하기 위한 진공펌프의 능력을 억제할 정도로 조밀하진 않다. 다른 말로, 에틸렌(C2H4), 헬륨(He), 또는 질소(N2)와 같은 실질적으로 비극성인, 그래서 미세표면(73)에서 흡착되지 않는, 유출물에서 기체분자는 분자 종선택흐름방해매체(70)를 통해 실질적으로 제지 되지 않고 통과할 수 있을 것이다.
분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 바람직한 구체예는, 도 1-9의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에 그리고 좀더 자세하게는 도 10의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 확대된 부분과 그리고 메시(74)의 금속와이어부분(78)의 도 11의 더욱 확대된 모습에서 예시된대로, 금속 미세표면(73)의 미로나 얽힘을 형성하기 위해 서로 얽혀지거나 섞여짜여진 금속 와이어로 만들어진 곱슬하게된 금속천의 다중층의 메시(74)로 이루어져 있다.
도 10에 보인대로, 바람직한 구체예 분자종-선택적 흐름방해매체(70)를 형성하는 메시(74)는 얽혀 짜여지거나 섞여짜여진 금속선(78)의 느슨한 얽힘으로 구성되어 있다. 여기에서 쓰인 "얽힘"이라는 말은 와이어가 정돈된 방식이나 양식으로 구성되거나 스트랜드로 매어짐을 암시하는게 아니라 경로나 방향의 변화에 관계없이 매체(70)를 통해 기체가 곧장 흐르는 것을 실질적으로 방해하는 방식으로 모양되어지고 위치되었음을 암시한다. 도 11의 와이어(78)중 하나의 예시적인 단편에 의해 보여졌듯이, 각각의 와이어는 와이어(78)의 표면(73)을 분자종-선택적 흐름방해매체(70)의 전체의 상류표면 또는 면(75)과 하류표면 또는 면(76)으로부터 구별하기 위해 이 서술에서 미세표면(73)이라 불리는 표면(73)을 가지고 있다. 분자종 선택흐름 방해매체(70)의 횡두께 t는 상류표면 또는 면(75)와 하류표면 또는 면(76)사이의 근소한 거리에 의해 정의 되지만, 상류표면 또는 면(75)과 하류표면 또는 면(76)사이의 메시(74)의 횡두께 t에서 많은 미세표면(73)을 가진 많은 와이어(78)부분이 있다. 하류면(76)의 두꺼운 계기와이어막(79)은 메시(74)가 장착되고 지지하는 단단한 하우징을 제공한다. 도 3-9에 보여진 바람직한 구체예의 분자종-선택적 흐름방해매체막하우징(79)은 위에 기술된대로 TEOS 트랩(10)의 주요단계(11)의 실(63)에 위치한 원통형모양내의 막틀(79)에 장착된 메시(74)를 가진 원통형이다.
도 1과 2의 흐름화살표(64),(65)와 도 1, 2, 그리고 10의 흐름화살표(66)에 보여진 대로, TEOS와 수증기를 많이 가진 노(14)로 부터의 유출물는 TEOS와 수증기분자가 그러한 TEOS중합이 진공펌프를 향한 하류를 일으키는 것을 막기 위해 TEOS 트랩(10)에 의해 보유되는 고상과 액상(40),(42)으로의 충분한 반응과 중합을 위해 보유되는 분자종 선택흐름매체(70)를 통해 지도된다. 위에서 설명된대로, TEOS중합은 메시(74)를 형성하는 금속와이어(78)의 미세표면(73)에서의 느린 화학반응의 가수분해에 의해 일어난다. 매체(70)에서 이러한 느린 가수분해반응을 촉진하기위해 기체TEOS와 수증기분자는 펌프라인(12)(도 1)을 통해 제지되지 않은 기체흐름에 일어나는것보다 긴 시간동안 서로 가까운 근접으로 유지되어야 한다. 그러므로, 비싼 손실과 붕괴를 일으킬수 있는 TEOS 트랩으로부터의 표면하류에서의 고체와 기상 TEOS중합체의 형성을 막기위해, 그러한 가수분해 소모와 결과적인 중합에 요구되는 모든 TEOS분자들과 함께 고체와 기체 TEOS고분자를 형성하는 가수분해 반응에서, 유출물흐름(66)에서 실질적인 모든 물분자의 포획과, 보유, 그리고 소모를 허용하기 위해 매체(70)의 횡두께(t)내에 충분한 미세표면적(73)이 있어야 한다. 물분자를 제거한 매체(70)로 부터 나타나는 유출류는 비록 실질적인 TEOS분자들이 유출류에 남아있더라도 하류 구성요소들에 해를 미칠수 있는 고상 또는 액상 TEOS 중합체 형성을 진척시키지 못한다.
위에서 간단하게 설명된대로, 메시(74)의 금속와이어(78)의 미세표면(73)은, 모두 극성인, 따라서 그런 흡착에 도움이 되는, TEOS와 물분자를 흡착하며, 보유한다. 반면, 위에서 기술된 가수분해 반응의 에틸렌 부산물은 물론 헬륨, 질소, 그리고 다른 비극성 희석 또는 운반기체와 같은 비극성 분자들은 매체(70)을 통해 실질적으로 제지 되지 않고 통과한다. 바람직한 구체예의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에서, 유출물이 통해서 흘러야하는 와이어(78)의 얽힘은 TEOS와 물분자들이 미세표면(73)에 접촉하고 흡착될 수있는 실질적인 가능성을 증가시키는 미세표면(73)에 인접한 기체의 경계층을 파괴하거나 붕괴하는 경향이 있는 난류를 형성한다. 동시에 와이어(78)의 얽힘은 실질적인 모든 물분자와 충분한 TEOS분자들이 흡착될 뿐만아니라, 고상과 액상의 TEOS고분자를 만들기위한 가수분해 반응의 진전을 수용하기 위한 충분히 긴시간 동안 미세표면(73)에 보유되도록 상류표면(75)과 하류표면(76)간의 횡두께(t)에서 충분한 미세표면(73) 면적을 제공한다. 불충분한 미세표면(73)은 충분한 물과 TEOS분자들을 흡수 불가능할 뿐만아니라, 유출물 흐름으로 탈착하기 전에 고상 또는 액상TEOS고분자로 진척시키기 위한 가수분해반응(2),(3),(4) 등을 위해 충분히 오래 흡착된 물과 TEOS분자들을 보유하지 못할 것이다. 물론, 매체의 두께(t)에 너무 많은 미세표면(73)은 비극성 기체 분자들의 흐름을 방해할 것이다. 그러므로 위에 기술된대로, 진동펌프가 노에서 필요한 진공을 유지하는 능력을 방해한다.
따라서, 본 발명의 중대한 특징은 약 2.5in2/in3내지 13.5in2/in3(1.0cm2/cm3내지 5.4cm2/cm3), 바람직하게는 약 6.5in2/in3(2.6cm2/cm3)의 범위의 미세표면(73) 밀도(표면적/단위부피)를 제공하기 위해 메시(74)에 충분한 와이어(78)를 위치시키는 것이다. 다른 말로, 메시(74)의 각 입방인치 부피에서, 2.5in2내지 13.5in2바람직하게는 약 6.5in2의 미세표면(73)이 있다. 도 11에 보여진대로, 메시(74)에서, 원통형 와이어(78)에 대한 미세 표면(73) 면적 As는 다음식에 의해 정의 될 수 있다. :
여기에서, (dia)는 와이어(78)의 지름이고 l은 메시(74)의 부피내의 와이어(78)의 길이이다.
위에서 기술된 미세표면적As밀도범위들을 가진 충분한 난류를 형성하기위해, 약 0.007인치에서 0.015인치(180에서 380마이크론) 좀더 바람직하게는 0.011인치(280마이크론)의 범위의 직경(dia.)인 와이어(78)로 구성된 메시(74)를 사용하는 것이 바람직하다. 스텐레스강 와이어(78)가 바람직하지만, 구리, 청동, 그리고 알미늄과 같은 다른 금속들 또한, 메시(74)내의 세라믹 스트랜드 또는 실처럼, 물과 TEOS분자들의 만족할 만한 흡착을 제공할 것이다. 원형의 단면을 가진 와이어(78)는 대개 그 유용성으로 인해 바람직한 반면에 평평하거나 또는 다른 단면을 가진 와이어(78)의 스트립들이 위에 기술된 범위내의 미세표면밀도를 제공하기위해 사용될 수 있다.
단일층의 주름진 와이어직물(120)의 예가 도 12에 보여졌는데, 거기서 와이어(78)의 스트랜드들은 열린, 단일층 금속직물(120)을 형성하기 위해 서로 섞어 짜여졌다. 더많은 미세표면(73) 밀도가 도 13에 보여진 듯이 그런 금속직물(120)의 다중층을 쌓거나, 적층함에 의해 추가될 수 있다. 4중층 금속직물(120) 층들을 쌓거나 적층함에 의해 도 14에 예시된 대로 좀더 큰 미세표면(73) 밀도가 될 수 있다.
분자종-선택적 흐름방해매체(70)에 대한 바람직한 구체예 메시(74)는, 그러므로, 원하는 미세표면(73) 밀도가 얻어질때 까지 금속직물(120)의 층들을 함께 쌓음에 의해 매우 쉽게 만들어 질 수 있다. 예를들어, 제한을 위한 것은 아니나 금속직물(120)의 긴 스트립은 도 15에서 보여진 대로 도 13에서 보여진 것에 유사한 두배의 밀도쌓음을 형성하기 위해 그 자체에 접힐 수 있다. 도 15에서 각각 주름진 볼록 및 오목 굴곡(121,122)으로 표시한 것과 같이, 금속직물(120)은 직물(120)에 3차원깊이를 증가시키기 위해 주름질 수 있다. 더우기, 주름진 굴곡(121,122)이 도 15에 보인듯이 대각선으로 형성될때, 두개의 금속직물층이 주름지지 않을 때 보다 더 적은 미세표면밀도를 생성하는 두층(123,124)의 복합체의 삼차원 깊이를 유지하기 위해, 상층(123)의 오목 굴곡(122)은 바닥층(124)의 오목 굴곡에 대해 가교를 이룬다. 그러므로 복합체메시(74)의 미세표면밀도는 볼록 굴곡(121)으로 부터 인접 오목 굴곡(122)의 예리함이나 깊이의 함수일 수 있다. 도 15의 접힌 복합체 금속 직물(120)은 상기한 것처럼 도 3, 8,그리고 10의 메시(74)의 원하는 두께 t를 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로 만들기 위해 필요한 만큼 여러번 도 16에 예시된 대로 말아질 수 있다. 물론, 완성된 매체(70)은 도 16에 보여진 것 보다 좀더 단단하게 싸여진 금속직물(120)을 가질 수 있고, 바람직하게는 위에 기술되고 도 3, 8 그리고 10에 보인것 처럼, 뻣뻣하고, 무거운 계기스크린프레임(79)주변에 싸여질 수 있다. 어쨋든 도 16의 금속직물(120)의 랩은 본 발명에 따른 분자종-선택적 흐름방해매체(70)을 만들기 위한 한가지 방법과 구조를 예시한다.
본 발명에 따른 분자종-선택적 흐름방해매체의 바람직한 크기의 예는 도 3, 8, 그리고 9에 보인것처럼, 약 6-20인치의 범위, 바람직하게는 약 8.5인치의 높이 (h), 약 3-6인치의 범위, 바람직하게는 약 4.8인지의 외경(D), 그리고 약 2-5인치의 범위, 바람직하게는 약 2.9인치의 내경을 가진 원통형이 될 수 있다. 그러한 매체(70)크기는 위에 기술된 범위의 미세표면 밀도를 가지고, 물과 TEOS분자들에 대한 흡착용량, 비극성 분자들의 콘덕턴스, 그리고 매우 효율적이고 경제적이기에 충분한 작동시간을 위한 전형적인 SiO2저장노들로 부터 유출물에 대한 하류 TEOS고분자 형성을 막기 위한 TEOS분자들에 대한 충분한 축적(40)용량을 제공하는 약 0.5-2인치, 바람직하게는 약 1인치의 범위의 두께(t)를 제공한다.
또 다른 구조의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 도 17에 보여졌는데, 여기에서 매체의 와이어 미세표면은 금속스크린의 다중층들(130,131,132,133,134, 및 135)에 의해 제공된다. 스크린은, 도 17에서 보인듯이, 짜여진 와이어나, 익스팬디드메탈(엇갈린 절단이나 슬릿으로 찍어낸 다음 펼쳐진 금속) 또는 다른 스크린 구조일 수 있다. 스크린 와이어의 크기와 층들(130,131,132,133,134,135)의 간격은 위에서 기술된 바람직한 미세표면밀도를 제공하기 위해 선택될 수 있다.
바람직한 매체(70)이 위에서 기술된 서로 꼬아지거나 섞여 짜여진 와이어 직물(120)메시(74)에 의해, 위에서 기술된 스크린층들(130-135)에 의해, 또는 어떤 다른 금속와이어나 실 매체에 의해 제공된 와이어 미세표면(73)을 포함하는 반면,다른 금속구조들도 본 발명의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)에 요구되는 금속표면을 형성하기 위해 또한 사용될 수 있다. 예를들어 금속박, 필수적이진 않지만, 바람직하게는 스테인레스강 금속박이 또한 사용될 수 있다. 위에서 기술된 원하는 범위안의 미세표면밀도를 만들기위해 (보여지진 않았지만) 함께 구겨지고 다발진 금은사나 "고드름"장식으로 통상 사용되는 금속박조각에 유사한 조각진 금속박의 스트립은 본 발명의 목적을 위한 효율적인 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로 기능할 수 있다.
반면, 위에서 기술된 매체(70)구조만큼 바람직하지는 않으나, 금속박 시트표면들도 또한 본 발명에 따른 매체(70)의 분자종-선택적 흐름방해기능을 제공할 수 있다. 예를들어, 매체(70)은 박 시트(140)를 통해 구멍낸 구멍(146)을 통해 에틸렌, 헬륨, 질소, 그리고 다른 비극성 분자들을 통과시키면서, TEOS와 물분자들을 흡착하고 보유할 수 있는 각층상의 표면적(145)을 제공하는 구멍낸 박(140)의 다수의 동심원층들(141,142,143,144)을 절충할 수 있다. 층들의 래디얼 수와 층들(141,142,143,144) 사이의 간격은 물론 각 시트(140)의 구멍(146)크기와 밀도는 위에서 기술된 바람직한 표면이나 미세표면 밀도범위 내에서 표면적(146) 밀도(면적/단위부피)을 제공하기 위해 선택될 수 있다. 그러나, 표면들에 인접한 기체흐름의 경계층들을 파괴하는 난류는 위에서 기술된 메시들 보다 얻기 힘들다. 예시된 다수의 층들(141,142,143,144)의 번호는 단지 예시적이며, 본 발명은 그 수에 한정되지 않는다.
다른 구멍낸 금속박 매체(70)이 도 19에 보여진다. 이 구체예에서금속박(150)은 부채꼴로 접혀지고, 원통형의 분자종-선택적 흐름방해매체(70)로 형성된다. 접힘(151)의 상류표면 (152,153)과 하류표면(154,155)은 위에서 기술된 가수분해 반응에 대한 TEOS와 물분자들을 흡착하고 보유하는데 요구되는 흡착표면을 제공하는 반면, 에틸렌, 헬륨, 질소, 그리고 다른 비극성분자들은 박(150)에 구멍낸 구멍 (156)을 통과한다. 다시, 경계층 파괴하는 난류를 만들고 유지하는 것은 위에서 기술된 메시의 구체예에 비해 이 박과 구체예는 비효율적이다.
또 다른 금속박 매체(70)에서는, 다수의 긴 박엽(160)이 원통형으로, 와이어(163,164)에 의해, 반대표면(161,162)이 방사상으로 펼쳐져 있으면서 위치해 있다. 다시, 에틸렌과 다른 비극성 기체분자들처럼, TEOS와 물분자 흡착기능을 제공하는 표면(161,162)은 박엽(160) 사이를 통과하는 한편, 표면(161,162)에 인접한 결과적인 경계층을 가진 박편상 비-난류 기체흐름은 위에서 기술된 메시에서 보다 이 구체예에서 덜 효과적인 흡착을 한다.
몇몇의 존재하는 반응챔버 설비는 사후시판 TEOS 트랩(10)의 설비를 위한 많은 여지를 가지고 있지 않다. 그런 환경에서는, 변형이 이루어 질 수 있다. 예를 들면, 도 21에 예시된대로, TEOS 트랩(10)의 주요단계(11)는 노(14)의 출구(24)에 직접적으로 연결될 수 있다. 주로 예비단계(44,52)에 의해 제공되는 여분의 용량을 가지지 않기 때문에 예비단계(44,52)를 가진 도 1과 2에 보여진것 만큼 바람직하지 않은 반면, 도 21에 예시된 그런 설비는 TEOS고분자조절과 제거에 여전히 매우 효과적이다.
공간이 타이트한 설비를 위한 TEOS 트랩(10)의 또 다른 구체예는 도 22에 예시되어 있다. 이 구체예에서, 하우징(80')은 환형챔버(60)안으로 가로질러서 열려있는 수평 입구(51')를 제공하기 위해 개조되었다. 입구부품(50')은 노 출구 (24)(도 1) 또는 도 2의 가상벽장치(30)를 포함하는 파이프(31)와 같은 다른 펌프라인 구성요소에 연결 위한 표준관 플랜지(53')가 갖춰 질수 있다. 분자종-선택적 흐름방해매체(70)은 위에서 기술된 바와 같을 수 있고, 트랩출구(62)에 인접한 가이드 스트랩(102)도 또한 위에서 기술된 바와 같을 수 있다. 입구 부품(50')은 하우징(80)의 확대된 부분(81')을 포함할 수 있고, 흐름경로의 단면이 증가되도록 추가의 용량을 제공할수 있고, 입구(50')에 직접적으로 인접한 매체(70')에(보이진 않음) SiO2-풍부 TEOS 고분자의 축적이 매체(70)의 다른 부분이 충분히 이용되기 전에 입구(50')나 입구 (50')근처의 환형챔버(60)를 막지않게 될 것이다. 매체(70)의 바닥 끝(72)은 클램프(도 22에 나타나진 않았지만, 도 8의 83에 나타내었다.)에 의한 것과 같은, 플랜지(172)에 의해 트랩하우징(80')의 하부 플랜지(84)에 연결되는 단부캡(170)의 어깨(171)에 장착되어 있다.
손잡이(173)에 의해 단부캡(170)을 잡고 당기기 용이할 수 있는 단부캡(170)을 제거할때, 위에서 기술된대로 매체(70)은 제거되거나 대체될 수 있다.
물론, 본 발명에 따른 TEOS 트랩을 위한 분자종-선택적 흐름방해 매체에 흡착표면을 제공하기 위해 사용될 수 있는 많은 다른 구조와 재료, 그리고 구조와 재료의 조합이 있다. 위에서 기술된대로, 바람직한 범위에서 흡착표면밀도를 가지고, 매체를 통해 흐르는 유출물 기체에서 난류를 형성하는 것들은 본 발명의 목적을 위해 가장 효과적이다.
앞서 말한 설명은 단지 본 발명의 원지들의 예시로서 간주된다. "구성", "구성하는", "포함", "포함하는", 그리고 "포함한다"는 말들이 이 명세서와 뒤따를 청구범위에서 사용될때는 언급된 특징들, 완전물들, 구성요소들, 또는 단계들의 존재를 상세하게 기술하기 위한 것이지만, 그것들이 하나의 또는 그 이상의 다른 특징들, 완전물들, 구성요소들, 단계들 또는 그 조합들의 존재나 부가를 배제하지는 않는다. 더우기, 많은 변형들과 변화들은 당업자들에 쉽게 일어날수 있기 때문에, 위에서 기술되어 보여진 정확한 구조와 공정에 발명을 한정하는 것은 바람직하지 않다. 따라서, 모든 적절한 변형과 대등물은 뒤따를 청구범위에 의해 정의되는 발명의 범주내에 포함될 것이다.

Claims (41)

  1. 가수분해되지 않은 TEOS분자들과 에틸렌 분자들을 유출물에서 계속 흐르도록 허용하고, 트랩에서 가수분해 반응에 의해 형성된 고상 및/또는 액상 TEOS고분자들을 보유하면서, TEOS 가수분해 반응에서 실질적으로 모든 물분자들을 소모하기에 충분히 오래 흡착표면들에서 유출물로부터의 TEOS와 물 분자들을 흡착 및 보유하는 것을 포함하는, SiO2막의 TEOS CVD의 TEOS, 물, 그리고 에틸렌 부산물을 실은 유출물을 운반하는 진공펌프라인에서 중합된 TEOS의 축적을 조절하는 방법.
  2. 극성 TEOS와 물 분자들에 흡착성이고, 비극성 에틸렌과 다른 비극성 분자들에 비흡착성인 물질의 다수의 미세표면을 포함하는 분자종-선택적 흐름방해매체를 통해 상기 유출물을 흐르게 하고;
    고상 및/또는 액상 TEOS고분자들을 형성하기에 충분한 정도로 상기 표면들에 흡착된 상기 TEOS분자들을 가수분해하기에 충분한 시간동안 상기 표면에 함께 흡착된 물분자들과 TEOS분자들을 보유하는 것
    을 포함하는 TEOS, 물, 에틸렌, 그리고 다른 분자들을 실온 유출물이 배출되는 반응노로 부터 하류의 펌프라인에서의 펌프라인 또는 구성요소들에서 TEOS고분자의 축적을 방지하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 약 2.5에서 13.5in2/in3의 범위의 부피내의 미세표면밀도(표면적/단위부피)를 가지고 있는 분자종-선택적 흐름방해매체의 부피를 통해 상기 유출물을 흐르게 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 약 2.5에서 13.5in2/in3의 범위의 미세표면밀도(표면적/단위부피)로 다수의 금속 미세표면들을 포함하는 많은 분자종-선택적 흐름방해매체의 부피를 통해 상기 유출물을 흐르게 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 기체상 에틸렌과 다른 유출물 분자들과 함께 기체상 TEOS와 물 분자들을 실은 반응노 유출물을 운반하는 펌프라인에서 액상 및 고상의 SiO2-풍부 TEOS 고분자의 축적을 방지하기 위한 TEOS 트랩으로서,
    상기 유출물을 챔버에 수용하기에 적당한 입구개구와 출구개구를 가지고 있는, 챔버를 둘러싸는 하우징과;
    상기 입구개구를 통해 상기 챔버 안으로 흘러들어가고 상기 출구개구를 통해 상기 챔버의 밖으로 흘러나는 유출물이 상류측으로 부터 하류측으로 매체를 통해 흘러야하는 방식으로 상기 입구개구와 상기 출구개구 사이의 상기 챔버에 위치된 상류측과 하류측을 가진 분자종-선택적 흐름방해매체를 포함하며, 여기서 상기 매체는 상기 상류측과 상기 하류측 사이의 두께와 부피를 가지며, 상기 부피는 매체를 통한 유출물 흐름에 노출된 물질의 표면들을 가진 다수의 물체를 함유하며 상기 물질의 표면은 극성 TEOS와 물분자들의 선택적 흡착제이고 비극성의 에틸렌분자들의 비흡수제인 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 부피가 약 2.5에서 13.5in2/in3의 범위의 표면밀도(표면적/단위부피)의 선택적인 흡착제 물질의 상기 표면들을 함유하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 부피가 약 6.5in2/in3의 표면밀도(표면적/단위부피)의 선택적인 흡착제 물질의 상기 표면들을 함유하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 물질이 금속인 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 물질이 스텐레스강인 TEOS 트랩.
  10. 제 5 항에 있어서, 상기 물질이 와이어인 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 와이어가 약 0.007에서 0.015인치 범위의 직경을가지고 있는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 와이어가 약 0.11인치 범위의 직경을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  13. 제 5 항에 있어서, 상기 물체가 메시를 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 메시가 금속와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 금속와이어가 금속 직물을 형성하기 위해 얽어짜여 있거나 섞여 짜여지고, 상기 메시가 상기 금속직물의 다중층을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 직물이 교대로 볼록과 오목 굴곡으로 주름져 있는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  17. 제 16 항에 있어서, 이러한 주름진 볼록과 오목 굴곡이 인접 금속직물층의 볼록과 오목 굴곡에 대해 대각선으로 펼쳐지고, 가교되어 있는 것을 특징으로 하는TEOS 트랩.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 금속와이어가 금속스크린을 형성하기 위해 짜여져 있고, 상기 메시는 상기 금속 스크린의 층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 메시는 함께 쌓여 확장된 금속 시트를 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 메시가 조각난 금속박을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  21. 제 5 항에 있어서, 상기 매체가 구멍낸 금속 박을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 매체가 구멍낸 금속박의 다중층을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 매체가 구멍낸 금속 박의 주름잡힌 접힘을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  24. 제 5 항에 있어서, 상기 매체가 상기 시트간의 유출물 흐름을 형성하기 위해 서로 따로 떨어져 배치된 긴 금속박 스트립들을 포함하는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  25. 제 5 항에 있어서, 상기 매체가 외부와 내부를 갖는 중공의 원통모양의 상기 부피를 가지고 형성되고, 상기 상류측은 중공의 원통모양의 외부에 있고, 상기 하류측은 상기 중공의 원통모양의 내부에 있는 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  26. 제 5 항에 있어서, 수직관을 포함하며 상기 수직관에 수평으로 입구개구와 상기 수직관 아래 저장소를 갖는 예비단계를 포함하며 상기 하우징과 상기 매체는 상기 수직관 위에 위치되어, 상기 매체에서 형성된 액상 TEOS가 상기 하우징으로 부터 아래로 그리고 상기 수직관을 통해 상기 저장소로 흐를 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 TEOS 트랩.
  27. 화학증착공정의 기체상 유출물로부터 TEOS를 제거하기 위한 입구와 출구를 가지고 있는 챔버가 있는 트랩으로서,
    기체상 유출물은 물분자와 TEOS분자들을 포함하며, 충분한 시간동안 함께 보유될때 가수분해를 당하여 액화 또는 고화하는 중합된 분자 TEOS를 형성하며, 물분자와 TEOS분자들이 극성이어서, 표면에서 흡착 또는 보유되는 경향이 있고, 상기트랩은 상기 TEOS분자와 상기 물분자가 기체상 에틸렌과 다른 비극성 분자들이 상기 표면위로 실질적으로 제지되지 않고 통과하는 동안 TEOS분자들의 가수분해와 중합을 촉진하기에 충분한 시간동안 흡착 및 보유될 수 있는 다수의 표면을 가진 상기 입구와 상기 출구사이의 상기 챔버에 위치된 분자종-선택적 흐름방해매체를 갖는 것을 특징으로 하는 트랩.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체가 유출물이 입구에서 출구로 흐르기 위해 횡단해야 하는 상류와 하류간의 두께를 갖는 삼차원 부분을 가지며, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체는 상기 두께만큼 넓지 않은 표면을 가진 다수의 스트랜드를 갖는 메시를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 메시가 금속의 스트랜드를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 메시가 분자종-선택적 흐름방해매체의 상기 두께를 형성하기 위해 함께 적층될 와이어 스크린의 다수의 2차원 시트를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 메시가 분자종-선택적 흐름방해매체의 상기 두께를 형성하기 위해 쌓여진 금속의 섞여짜여진 스트랜드를 포함하는 것을 특징으로 하는트랩.
  32. 제 30 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체는 상기 두께를 형성하기위해 금속스크린 기판위에 층으로 만들어진 금속의 섞여짜여진 스트랜드를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  33. 제 30 항에 있어서, 상기 흐름매체는 원통형의 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 트랩.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 챔버를 둘러싸는 하우징을 포함하며, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체는 상기 분자종-선택적 흐름방해매체과 하우징 사이에 환형공간과, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체에 의해 둘러싸인 중심공간을 형성하는 방식으로 상기 챔버내에 위치되며, 상기 입구는 상기 환형 공간에 연결되고 상기 출구는 상기 코어공간에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 트랩.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체는 외경과 상기 외경보다 큰 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 트랩.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 높이는 상기 외경의 적어도 두배인 것을 특징으로 하는 트랩.
  37. 제 35 항에 있어서, 상기 고리모양의 공간이 분자종-선택적 흐름방해매체의 외경보다 적어도 0.5배 큰 외경을 가진 것을 특징으로 하는 트랩.
  38. 제 27 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체가 메시를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  39. 제 27 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체가 금속메시를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  40. 제 27 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체가 스텐레스강 메시를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랩.
  41. 제 22 항에 있어서, 상기 분자종-선택적 흐름방해매체가 상기 챔버로부터 제거될 수 있고, 다른 분자종-선택적 흐름방해매체로 대체될 수 있는 것을 특징으로 하는 트랩.
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6579805B1 (en) * 1999-01-05 2003-06-17 Ronal Systems Corp. In situ chemical generator and method
US6641850B1 (en) * 1999-04-19 2003-11-04 Stewart And Lynda Resnick Revocable Trust Methods of using pomegranate extracts for causing regression in lesions due to arteriosclerosis in humans
FI110311B (fi) * 1999-07-20 2002-12-31 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista
JP2001132638A (ja) * 1999-11-10 2001-05-18 Ebara Corp トラップ装置
US6221164B1 (en) * 2000-01-25 2001-04-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method of in-situ cleaning for LPCVD teos pump
TW496907B (en) * 2000-04-14 2002-08-01 Asm Microchemistry Oy Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film
US6770145B2 (en) * 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
US20030196680A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Dielectric Systems, Inc Process modules for transport polymerization of low epsilon thin films
US20040255862A1 (en) * 2001-02-26 2004-12-23 Lee Chung J. Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films
US7378127B2 (en) 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US6733827B2 (en) * 2001-04-11 2004-05-11 The Procter & Gamble Co. Processes for manufacturing particles coated with activated lignosulfonate
JP3990881B2 (ja) * 2001-07-23 2007-10-17 株式会社日立製作所 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
US6670071B2 (en) * 2002-01-15 2003-12-30 Quallion Llc Electric storage battery construction and method of manufacture
CN101818334B (zh) * 2002-01-17 2012-12-12 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
US6800172B2 (en) * 2002-02-22 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US6814813B2 (en) 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US6858264B2 (en) * 2002-04-24 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US7468104B2 (en) 2002-05-17 2008-12-23 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and deposition method
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
KR100505670B1 (ko) * 2003-02-05 2005-08-03 삼성전자주식회사 부산물 제거용 고온 유체 공급 장치를 구비한 반도체 소자제조 장치
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6824596B2 (en) * 2003-02-19 2004-11-30 Jan Strmen Gas scrubbing device for odorizing equipment operation, service and emergency
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7375035B2 (en) * 2003-04-29 2008-05-20 Ronal Systems Corporation Host and ancillary tool interface methodology for distributed processing
US7429714B2 (en) * 2003-06-20 2008-09-30 Ronal Systems Corporation Modular ICP torch assembly
EP1649076B1 (en) * 2003-06-27 2010-05-19 Sundew Technologies, LLC Apparatus and method for chemical source vapor pressure control
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US20060201426A1 (en) * 2004-05-25 2006-09-14 Lee Chung J Reactor for Producing Reactive Intermediates for Transport Polymerization
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
US7455720B2 (en) * 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
US20060237138A1 (en) * 2005-04-26 2006-10-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes
US20060274474A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Lee Chung J Substrate Holder
US20060275547A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Lee Chung J Vapor Phase Deposition System and Method
US7615061B2 (en) * 2006-02-28 2009-11-10 Arthrocare Corporation Bone anchor suture-loading system, method and apparatus
US20080047578A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for preventing clogging of reaction chamber exhaust lines
DE112009003819T5 (de) 2008-12-23 2012-06-06 Mks Instruments, Inc. Containment- bzw. Sicherheitsbehältersystem für reaktive Chemikalien
KR101071937B1 (ko) * 2009-08-10 2011-10-11 이승룡 질소가스 분사장치
US8632616B2 (en) * 2009-09-08 2014-01-21 Mecs, Inc. Fiber bed assembly for a fiber bed mist eliminator
US8636819B2 (en) * 2009-09-08 2014-01-28 Mecs, Inc. Fiber bed assembly for a fiber bed mist eliminator
US20130146225A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 Mks Instruments, Inc. Gas injector apparatus for plasma applicator
KR20140136594A (ko) * 2013-05-20 2014-12-01 삼성전자주식회사 배기 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 설비
JP6289859B2 (ja) * 2013-10-21 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置及び基板処理装置
TWI588286B (zh) 2013-11-26 2017-06-21 烏翠泰克股份有限公司 經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置
US10927457B2 (en) 2015-03-04 2021-02-23 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus
WO2016182648A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
JP6391171B2 (ja) * 2015-09-07 2018-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体製造システムおよびその運転方法
JP2019514222A (ja) * 2016-04-13 2019-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 排気冷却用装置
US20180292122A1 (en) * 2016-11-14 2018-10-11 Yield Engineering Systems, Inc. System for trapping polymer vapors in process oven vacuum systems
KR102036273B1 (ko) * 2017-12-27 2019-10-24 주식회사 미래보 반도체 공정 부산물 포집장치
US11054174B2 (en) * 2019-01-09 2021-07-06 Milaebo Co., Ltd. Semiconductor process by-product collecting device
CN109929113B (zh) * 2019-01-30 2021-09-10 湖北大学 一种锂电池电极粘结用硅氧烷低聚物及其制备方法
KR20220091744A (ko) 2020-12-24 2022-07-01 삼성전자주식회사 파우더 부산물 억제를 위해 흡착제를 포함하는 배기 가스 처리 시스템
US11123678B2 (en) 2021-05-04 2021-09-21 GPL Odorizers LLC Air filtration device

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1920800A (en) 1931-08-07 1933-08-01 Griscom Russell Co Heat exchanger
US3910347A (en) 1966-06-13 1975-10-07 Stone & Webster Eng Corp Cooling apparatus and process
GB1285088A (en) * 1969-12-18 1972-08-09 Atomic Energy Authority Uk Cold traps for liquid metal
DE2008311C3 (de) 1970-02-23 1974-03-07 Arbeitsgemeinschaft Lentjes-Rekuperator, 4000 Duesseldorf-Oberkassel Wärmetauscher
US3785121A (en) 1972-03-27 1974-01-15 P Phelps Combination gas stripper and cooling tower
US3865929A (en) 1972-10-11 1975-02-11 Du Pont Hydrogen fluoride recovery process
US3956061A (en) 1974-02-19 1976-05-11 Ozark-Mahoning Company Multi-stage processing and concentration of solutions
DE2940412A1 (de) 1979-10-05 1981-04-30 Fa. Carl Still Gmbh & Co Kg, 4350 Recklinghausen Verfahren und anlage zum abkuehlen und abscheiden von chloriden und fluoriden aus ammoniakhaltigem gas
JPS6339960Y2 (ko) * 1981-03-09 1988-10-19
US4613485A (en) 1984-02-17 1986-09-23 Stauffer Chemical Company Pnictide trap for vacuum systems
JPS6369548U (ko) * 1986-10-27 1988-05-10
US4739787A (en) 1986-11-10 1988-04-26 Stoltenberg Kevin J Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices
JPH01198476A (ja) * 1988-02-03 1989-08-10 Nec Yamagata Ltd Ｃｖｄ装置用末反応ガス除去トラップ
JP2686447B2 (ja) 1988-02-26 1997-12-08 東京エレクトロン株式会社 反応装置
JPH01318231A (ja) 1988-06-20 1989-12-22 Tel Sagami Ltd 減圧ｃｖｄ装置
JPH0211143A (ja) 1988-06-28 1990-01-16 Keiko Mitsumoto 寝台装置
JPH029408A (ja) 1988-06-29 1990-01-12 Tokyo Electron Ltd ダストトラップ装置
JPH0225573A (ja) 1988-07-14 1990-01-29 Tel Sagami Ltd 処理装置
JPH0261067A (ja) 1988-08-26 1990-03-01 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JP2913040B2 (ja) 1988-08-26 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
JPH02111403A (ja) 1988-10-20 1990-04-24 Tel Sagami Ltd 冷却トラップ装置
DE3874759D1 (de) 1988-12-13 1992-10-22 Deggendorfer Werft Eisenbau Rohrbuendelreaktor.
DE69000306T2 (de) 1989-02-17 1993-02-25 Jgc Corp Rohrbuendelapparat mit einer zwischenrohrplatte.
JPH0328377A (ja) * 1989-06-26 1991-02-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US5141714A (en) 1989-08-01 1992-08-25 Kabushiki Kaisha Riken Exhaust gas cleaner
JPH03229609A (ja) * 1990-02-01 1991-10-11 Dan Sangyo Kk 乾式ｃｖｄ廃ガス処理装置
JP3171593B2 (ja) 1990-10-09 2001-05-28 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
JPH05154334A (ja) 1991-12-11 1993-06-22 Fujitsu Ltd 半導体製造装置の排気ポンプシステム
US5422081A (en) 1992-11-25 1995-06-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Trap device for vapor phase reaction apparatus
US5472574A (en) * 1993-07-09 1995-12-05 Roark, Sr.; Roger R. Spinning band
JP3027303B2 (ja) * 1994-09-13 2000-04-04 大陽東洋酸素株式会社 原料ガスとしてテトラエトキシシランを使用する化学蒸着装置から排出される排ガスの無害化処理方法及びその装置
TW279242B (en) * 1994-11-29 1996-06-21 Asahi Denka Kogyo Kk The wasted-gas processing method & device for CVD apparatus
JPH08191054A (ja) 1995-01-10 1996-07-23 Kawasaki Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH08319586A (ja) 1995-05-24 1996-12-03 Nec Yamagata Ltd 真空処理装置のクリーニング方法
US5830279A (en) 1995-09-29 1998-11-03 Harris Corporation Device and method for improving corrosion resistance and etch tool integrity in dry metal etching
JPH09130009A (ja) 1995-10-27 1997-05-16 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置とその製造方法
KR100189981B1 (ko) 1995-11-21 1999-06-01 윤종용 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치
US6009827A (en) 1995-12-06 2000-01-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films
US5820641A (en) 1996-02-09 1998-10-13 Mks Instruments, Inc. Fluid cooled trap
US5728602A (en) 1996-06-03 1998-03-17 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor wafer manufacturing process with high-flow-rate low-pressure purge cycles
US5827370A (en) 1997-01-13 1998-10-27 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for reducing build-up of material on inner surface of tube downstream from a reaction furnace
US5776216A (en) 1997-01-14 1998-07-07 Vanguard International Semiconductor Corporation Vacuum pump filter for use in a semiconductor system
US5817566A (en) 1997-03-03 1998-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Trench filling method employing oxygen densified gap filling silicon oxide layer formed with low ozone concentration
US5800616A (en) 1997-12-15 1998-09-01 Sony Corporation Vertical LPCVD furnace with reversible manifold collar and method of retrofitting same
JP5855651B2 (ja) * 2010-07-16 2016-02-09 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 改変を組み込んだ自己組織化ペプチドおよびその使用方法
JP5820641B2 (ja) * 2011-06-30 2015-11-24 富士重工業株式会社 車体構造

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