JPH029408A - ダストトラップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はダストトラップ装置に係り、特に半導体熱処理
装置の反応ガス排気系に使用されるダストトラップ装置
に関する。

（従来の技術） 従来より、半導体デバイスの製造工程における熱拡散工
程や成膜工程では、熱処理装置が使用されている。

この熱処理装置は、真空を保持する反応容器内に被処理
物例えば半導体ウェハを収容し、反応容器内を真空装置
により所定の真空度として、処理内容に応じた反応ガス
により所定の温度条件下で処理を行う装置である。

このような熱処理装置では、使用済みの反応ガス即ち排
気ガス中に含まれる塵埃が、ロータリーポンプや油拡散
ポンプ等の真空装置やバルブ機構等の排気下流側機器に
進入してこれら機器に悪影響を与えることのないように
、反応容器と真空装ｇｌｒ：Ｊの排気系にダストトラッ
プ機構が取付けられている。

従来用いられているダストトラップ装置、例えば反応ガ
スにＡ　ｓ　Ｈ３を使用するＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　
Ｏｒｇａｎｉｃ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ　）装置に使用されるダストトラップ
装置では、Ａｓの粉体を除去するために７０〜３００μ
厘程度の濾過メツシュが使用されている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来のダストトラップ装置では
、粒径の小さなダストを除去する場合には、濾過メツシ
ュのメツシュサイズを小さくしなければならず、このよ
うにメツシュサイズを小さくするとトラップ効率は向上
するものの、濾過装置の交換や洗浄等のメンテナンスを
頻繁に行わなければならず、作業効率の低下を招く原因
となるという問題があった。また、メツシュサイズを大
きくすると、ダストトラップ装置の下流側にある真空装
置やバルブ機構等にダストが進入し、これら下流側機器
を劣化させるという問題が生じた。

本発明は、上述した間居点を解決するためになされたも
ので、トラップ効率が高く、かつ保守性に優れたダスト
トラップ装置を提供することを目的とする。

［発明の構成Ｊ （課題を解決するための手段） 本発明のダストトラップ装置は、真空を保持する反応容
器とこの反応容器内の雰囲気ガスを吸引する真空機構間
に介挿し、前記吸引ガス中の塵埃を繊維状濾過部材によ
り除去するように構成したことを特徴とするものである
。

繊維状濾過部材としては、石英ガラスウールが好適であ
る。

（作　用） 反応容器からの排気ガスに含まれる塵埃を、繊維状濾過
部材により除去する構成とすることで、トラップ効率お
よび保守性に優れたダストトラップ装置が得られる。

（実施例） 以下、本発明をＭＯＣＶＤ装置に適用した一実施例につ
いて図を参照して説明する。

真空を保持する例えば石英ガラスからなる円筒状の縦型
反応容器１の外周には、高周波加熱機構２が周設されて
いる。

また反応容器１内の中央部には、被処理物例えば半導体
ウェハ３を搭載してこれを均熱するカーボングラファイ
ト等からなるサセプタ４が配設されており、上記高周波
加熱機構２により、このサセプタ４が加熱されて、半導
体ウェハ３が所定の温度例えば５００〜８００℃に加熱
される。また、サセプタ４はウェハ回転機構５に接続さ
れており、半導体ウェハ３を例えば１０ｒｐ■で回転さ
せながら処理を行うように構成されている。

処理に際しては、反応ガス源６から処理に応じた反応ガ
ス例えばＡｊ！　　Ｇａ　　　Ａｓを結晶成長ｘ　　　
１−ｘ させるのであればトリメチルガリウム、アルシンおよび
トリメチルアルミニウムの各ガスを反応容器１上端部に
設けられたガス導入ロアから導入する。また、処理済み
のガス即ち排気ガスａは、排気口８よりダストトラップ
機構９を経て真空装置１０へと導かれる。処理中は、常
時真空装置１０にて真空引きすることで、反応容器１内
の真空度を一定に保持することがきる。

ダストトラップ機構９は、排気ガス中に含まれる塵埃、
特にＡｓ粉などの粒径の大きなものを除去して、排気下
流側にある真空装置１０や図示を省略したバルブ機構へ
の塵埃の進入を阻止するためのものである。

第２図は、このダストトラップ機構９の構造を示す図で
、ケーシング１１内には排気上流側の配管１２に接続さ
れた３００μｍサイズの円筒状濾過メツシュ１３が挿入
されており、この濾過メツシュ１３とケーシング１１間
に繊維状濾過部材例えば石英ガラスウール１４が充填さ
れている。

このダストトラップ機構９では、反応容器１からの排気
ガスａは、まず、濾過メツシュ１３を通過して粒径約３
００μｍ程度の塵埃が除去され、この後、石英ガラスウ
ール１４により例えば粒径７０〜３００μ−程度の塵埃
が除去されて、排気系の下流側へと排出される。

このように、排気ガスを石英ガラスウール１４等の繊維
状濾過部材を通す構成とすることで、塵埃のトラップ効
率が向上し、ダストトラップ機構９の下流側機器類例え
ば真空装置１０や図示を省略したバルブ機構等への塵埃
による悪影響を防止できる。

ところで、上；己塵埃による影響を最も受けるもとして
真空装置１０があり、例えばロータリーポンプを用いた
場合には、ポンプ作動オイルの寿命が短くなる。このオ
イル寿命は、処理条件により異なるが、例えば半導体レ
ーザ素子等の結晶成長では、反応ガスを１処理当り３０
〜６０分間流し、処理能力が７００Ｊ２１■ｉｎのロー
タリーポンプで真空引きした場合、従来の濾過メツシュ
のみのダストトラップ機構では、約３回の処理でポンプ
オイルを交換しなければならなかったが、本例のダスト
トラップ機構９を使用したところ、オイル交換なしで６
０回の処理が可能であった。

また、石英ガラスウール１４は使い捨て型であるため、
充填方式をカートリッジ式にすることで、メンテナンス
性も向上する。

繊維状濾過部材の構造は、上述実施例の構造に限られず
、例えば第３図に示すように、ケーシング１１に挿入し
た濾過メツシュ２１内に、石英ガラスウール２２を充填
する構造としてもよい。

このダストトラップ機構では、導入した排気ガスａは、
まず石英ガラスウール２２で濾過された後、濾過メツシ
ュ２１でさらに濾過されて、排気下流側へと排出される
。このように濾過メツシュ２１内に繊維状濾過部材を充
填する構成とすることで、充填材の破損等による飛散を
防止できる。

尚、上述各実施例とも、繊維状濾過部材として石英ガラ
スウールを用いたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、耐蝕性、耐熱性に優れ、化学的に不活性なもの
であればいずれのものでもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のダストトラップ装置によ
れば、トラップ効率の向上が可能となり、装置下流側機
器の塵埃による負荷を減少できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用したＭＯＣＶＤ装置の構成を示す
図、第２図は実施例のダストトラップ装置の構造を示す
断面図、第３図は他の実施例のダストトラップ装置の構
造を示す断面図である。 １・・・・・・反応容器、３・・・・・・半導体ウェハ
、６・・・・・・反応ガス源、９・・・・・・ダストト
ラップ機構、１０・・・・・・真空装置、１１・・・・
・・ケーシング、１３・・・・・・濾過メツシュ、１４
・・・・・・石英ガラスウール。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空を保持する反応容器とこの反応容器内の雰囲気ガス
   を吸引する真空機構間に介挿し、前記吸引ガス中の塵埃
   を繊維状濾過部材により除去するように構成したことを
   特徴とするダストトラップ装置。