KR20010104270A - 적층 전자 부품 - Google Patents

적층 전자 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20010104270A
KR20010104270A KR1020010025739A KR20010025739A KR20010104270A KR 20010104270 A KR20010104270 A KR 20010104270A KR 1020010025739 A KR1020010025739 A KR 1020010025739A KR 20010025739 A KR20010025739 A KR 20010025739A KR 20010104270 A KR20010104270 A KR 20010104270A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mol
electronic component
laminate
inductance
capacitor
Prior art date
Application number
KR1020010025739A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100425993B1 (ko
Inventor
나카무라아키히로
도모노구니사부로
고다마다카시
고노이케다케히로
Original Assignee
무라타 야스타카
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 무라타 야스타카, 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 무라타 야스타카
Publication of KR20010104270A publication Critical patent/KR20010104270A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100425993B1 publication Critical patent/KR100425993B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • C04B35/265—Compositions containing one or more ferrites of the group comprising manganese or zinc and one or more ferrites of the group comprising nickel, copper or cobalt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
    • H01F41/0246—Manufacturing of magnetic circuits by moulding or by pressing powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Magnetic Ceramics (AREA)

Abstract

적층 전자 부품은 복수개의 적층된 자성체 층을 일체로 소결하여 얻은 적층체 및 상기 적층체의 내부에 형성되는 내부 도체를 포함한다. 내부 도체 및 자성체 층은 복수의 인덕턴스 소자 또는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성한다. 자성체 층은 45∼50몰％의 Fe2O3, 0∼33몰％의 ZnO, 6∼20몰％의 CuO 및 나머지로 NiO를 함유하는 주성분과, Mn 화합물(여기에서, Mn 화합물은 MnO로 환산되어, 상기 자성체층의 조성에 0.01∼2.0중량％가 함유됨)을 함유하는 조성을 갖는다.

Description

적층 전자 부품{Laminated electronic component}
본 발명은 적층 전자 부품에 관한 것으로, 상세히하면, 복수개의 적층되는 자성체층을 일체 소결하여 얻은 적층체를 구비하고, 이 적층체의 내부에 복수개의 인덕턴스 소자, 또는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자가 구성되는 적층 전자 부품에 관한 것이다.
각종의 페라이트 재료는 우수한 전자사진(electrophotographic) 특성에 의해 각종 자기 코어 재료로서, 또는 모놀리식 인덕터(monolithic inductor) 등의 적층 전자 부품을 구성하는 재료로서 사용되고 있다.
특히, 모놀리식 인덕터 등의 적층 전자 부품에서는, 내부도체의 재료로서 은 또는 은을 주성분으로 하는 재료가 사용되므로, 적층 전자 부품에 형성되는 적층체를 구성하는 자성체층은 내부도체에 함유되는 Ag와 동시에 소결되어야 한다. 따라서, 자성체층을 구성하는 페라이트 재료로서 Ag의 융점(960℃) 이하의 온도에서 소결될 수 있는 Ni-Cu-Zn계 페라이트 재료가 일반적으로 사용되고 있다.
Ni-Cu-Zn계 페라이트 재료로 구성된 복수개의 적층된 자성체층과 Ag을 함유하는 내부도체를 동시에 소성하여 얻은 모놀리식 인덕터 등의 적층 전자 부품에서,내부도체는 저성체층으로 피복되고, 자속의 누설이 발생하지 않으며, 아울러, 누화(crosstalk)를 억제한다. 따라서, 이것은 고밀도 패키징(packaging) 및 우수한 견고성에 적합하다는 이점을 가지고 있고, 다양한 분야에 사용되고 있다.
최근에 각종 전자장치가 소형·경량화, 고성능화 및 다기능화됨에 따라서, 전자장치에 사용되는 전자부품에 소형·경량화 및 고성능화의 요구가 커지며, 아울러 그 성능의 보장에 대한 신뢰성이 높을 것이 요구된다.
특히, 신뢰성에 관해서는, 각종의 전자장치를 다양한 환경하에서 사용한다는 가정하에서, 예를 들어, 고온, 고습에서도 그의 특성을 유지한다는 것이 중요하다.
그러나, 복수개의 인덕턴스 소자, 또는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 적층 전자 부품과 같이, 전위차가 발생하는 구조를 가지고 있는 적층 전자 부품에 종래의 페라이트 재료를 사용하는 경우에는, 상술한 바와 같은 고온, 고습 등의 심각한 환경하에서 사용시에 내부도체의 마이그레이션(migration)이 발생하기 쉽고, 절연저항이 쉽게 저하한다는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결할 수 있는 적층 전자 부품을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 전자 부품으로서의 인덕터 어레이의 외형을 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 인덕터 어레이에 형성된 적층체의 내부 구조를 도시하는 평면도이고, 적층체를 구성하는 복수개의 자성체층들 사이의 특정 계면을 따른 단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 전자 부품으로서의 LC 필터의 외형을 도시하는 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 LC 필터의 등가 회로도이다.
도 5는 도 3에 도시된 LC 필터를 구성하는 적층체의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1 인덕터 어레이
2, 22 적층체
3, 26 자성체층
4∼7, 27 인덕턴스 도체
8∼15, 32∼34 외부단자 전극
21 LC 필터
23 인덕턴스 소자
24, 25 커패시턴스 소자
28∼31 커패시터 전극
본 발명은, 복수개의 적층되는 자성체층을 일체 소결하여 얻은 적층체; 및 상기 적층체의 내부에 형성된 내부 도체를 포함하는 적층 전자 부품에 관한 것이다. 본 발명에서, 내부도체 및 자성체층은 인덕터 또는 커패시터 등의 적어도 1개의 전기 소자; 또는 복수개의 인덕턴스 소자, 또는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자 등의 복수개의 전기 소자를 구성한다. 상술한 기술적인 문제점들을 해결하기 위해서는, 간단히 말하면, 자성체층의 조성에서 주성분이 되는 Ni-Cu-Zn계 페라이트에 특정량의 Mn 화합물을 첨가하는 것을 특징으로 한다.
특히, 자성체층은 45∼50몰％의 Fe2O3, 0∼33몰％의 ZnO, 6∼20몰％의 CuO 및 나머지로 NiO를 함유하는 주성분과, Mn 화합물(여기에서, Mn 화합물은 MnO로 환산되어, 자성체층의 조성에 0.01∼2.0중량％가 함유됨)을 함유하는 조성을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 내부 도체가 Ag을 함유하는 경우에, 특히 유리하게 적용된다.
본 발명에 따른 적층 전자 부품을 다양한 특정 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 적층 전자 부품에서, 내부도체는 복수개의 내부도체 및 복수개의 와부단자 전극으로 형성되고, 각 내부도체는 적층체의 외면에 복수개의 각 내부도체의 각 단부에 전기적으로 접속된다. 또한, 내부도체는 내부도체와 적어도 한 쌍의 대향하는 커패시터 전극으로 형성된다.
본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이, Mn 화합물은 MnO로 환산되어, 자성체층의 조성에 0.01∼2.0중량％가 함유된다. 그러므로, 내부도체에 Ag을 사용할 때에 마이그레이션이 거의 발생하지 않으며, Ag을 함유하는 내부도체와 동시에 소결가능한 소결 온도에서 우수한 소결 상태를 달성하게 되며, 이에 의해 고온 및 고습의 환경하에서 신뢰성이 우수한 적층 전자 부품을 얻게 된다.
따라서, 본 발명은 복수개의 인덕턴스 소자로 구성된 모놀리식 전자 부품, 예를 들어, 내부도체가 복수개의 인덕턴스 도체 및 이 복수개의 각 인덕턴스 도체의 양 단부에 전기적으로 접속되는 복수개의 외부단자 전극으로 구성되는 모놀리식 전자 부품에 적용될 수 있다. 또는 본 발명은 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자로 구성된 모놀리식 전자 부품, 예를 들어, 내부도체가 복수개의 인덕턴스 도체 및 적어도 한 쌍의 대향하는 커패시터 전극으로 구성되는 모놀리식 전자 부품에 적용될 수 있다.
본 발명을 설명하기 위해서, 본 명세서에 바람직한 여러 형태의 도면을 도시하였지만, 본 발명이 이 도면으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 그 외의 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 하기 기술로부터 명확해질 것이다.
이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 적층 전자 부품으로서의 인덕터 어레이(1)의 외형을 도시하는 사시도이다. 인덕터 어레이(1)에는 적층체가 형성된다. 도 2는 이 적층체(2)의 내부 구조를 도시하는 평면도이고, 적층체(2)를 구성하는 복수개의 자성체층들(3) 사이의 특정 계면을 따른 단면도를 도시한다.
적층체(2)는 도 2에 도시된 복수개의 자성체층(3)을 적층시켜 일체 소결함으로써 얻게 된다.
인덕터 어레이(1)는 복수개의 인덕턴스 소자를 구성하고, 적층체(2)의 내부에는 내부도체로서의 인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7)가 형성된다. 이들 인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7)는 적층체(2)의 내부에서 자성체층들(3) 사이의 계면을 따라서 서로에 대해서 평행하게 대략 선형으로 연장하고 있다.
또한, 각각의 인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7)의 양단에는 외부단자 전극(8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15)이 접속되도록 형성되어 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 전자 부품으로서의 LC 필터(21)의 외형을 도시하는 사시도이다. 도 4는 도 3에 도시된 LC 필터(21)의 등가 회로도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, LC 필터(21)에는 적층체(2)가 형성된다. 도 5는 적층체(22)의 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이 LC 필터(21)는 인덕턴스 소자(23) 및 2개의 커패시턴스 소자(24, 25)를 포함하고 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 적층체(22)는 복수개의 적층된 자성체층(26)을 일체 소결하여 얻는다.
적층체(22)의 내부에는 내부도체로서 인덕턴스 도체(27)가 형성되어 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 인덕턴스 도체(27)는 복수개의 자성체층(26)에 걸쳐서 연장하게 형성되고, 도 5에 도시된 도체막 및 도 5에 도시되지 않은 비아홀(via hole) 도체는 서로 접속하여 전체적으로 코일 형상을 형성한다. 인덕턴스 도체(27) 및 이에 연관된 자성체층(26)은 상기 인덕턴스 소자(23)를 제공한다.
또한, 적층체(22)의 내부에는 내부도체로서 적어도 한 쌍의 커패시터 전극(28, 29, 30, 31)이 형성되어 있다. 이들 커패시터 전극(28, 29, 30, 31) 및이에 연관된 자성체층(26)은 상기 커패시턴스 소자(24, 25)를 제공한다.
보다 상세히하면, 커패시터 전극(28, 31)은 커패시터 전극(29, 30) 양쪽과 대향하고 있다. 한쪽 커패시턴스 소자(24)는 커패시터 전극(29)과 커패시터 전극(28, 31)과의 대향에 의해 형성되고, 다른쪽 커패시턴스 소자(25)는 커패시터 전극(30)와 커패시터 전극(28, 31)과의 대향에 의해 형성된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 적층체(22)의 외면의 양단에는 외부단자 전극(32, 33)이 형성되어 있다. 적층체(22)의 외면의 양 측면 중에서 적어도 한쪽 측면의 일부에는 외부단자 전극(34)이 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 적층체(22)의 양 측면에는 각각 외부단자 전극(34)이 형성되어 있다.
상기 인덕턴스 도체(27)의 한쪽 단부와 커패시터 전극(28)은 외부단자 전극(32)에 전기적으로 접속되어 있다. 상기 인덕턴스 도체(27)의 다른쪽 단부와 커패시터 전극(30)은 외부단자 전극(33)에 전기적으로 접속되어 있다. 상기 2개의 커패시터 전극(28, 30)은 모두 외부단자 전극(34)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 4에 도시된 등가 회로는 LC 필터(21)에 의해 형성된다.
상기 인덕터 어레이(1) 및 LC 필터(21)에 형성된 적층체(2, 22)를 각각 구성하는 자성체층(3, 26)에서, 다음의 조성을 이용하여도 된다.
자성체층(3, 26)의 조성은 주성분으로 Fe2O3, CuO 및 NiO를 함유하고, 필요에 따라 ZnO를 함유하여도 된다. 보다 상세히하면, 주성분은 45∼50몰％의 Fe2O3, 0∼33몰％의 ZnO(0몰％도 포함됨), 6∼20몰％의 CuO 및 그 나머지로 NiO를 함유한다.
Fe2O3의 함유량이 45몰％ 미만이면 투자율이 저하되는 반면에, Fe2O3의 함유량이 50몰％를 초과하면 소결이 불충분하다는 결과를 초래한다. Fe2O3의 함유량은 47.5∼49.8몰％의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.
ZnO의 함유량이 33몰％를 초과하면 퀴리(Curie) 온도가 100℃ 이하이기 때문에 실제 사용시의 온도 범위에서 자기 특성이 저하되는 결과를 초래한다. ZnO의 함유량은 0∼31.0몰％의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.
CuO의 함유량이 6몰％ 미만이면 소결이 불충분한 반면에, CuO의 함유량이 20몰％를 초과하면 품질계수 Q가 저하되는 결과를 초래한다. CuO의 함유량은 6.0∼16.0몰％의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.
자성체층(3, 26)의 조성은 상술한 주성분에 부가하여, Mn 화합물이 첨가되는 특징이 있다. 이 Mn 화합물은 MnO로 환산되어 조성에 0.01∼2.0중량％가 함유되도록 첨가된다. Mn 화합물의 함유량이 이 범위를 벗어날 때에, 초기의 절연저항 및 소정 시간의 경과 후의 절연저항이 저하된다.
상술한 인덕터 어레이(1) 및 LC 필터(21)에서, 내부도체로서의 인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7) 및 커패시터 전극(28, 29, 30, 31)의 도전 성분은 Ag 또는 Ag를 주성분으로 하는 성분으로 이루어지는 것이 바람직하다.
인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7) 및 커패시터 전극(28, 29, 30, 31)에 Ag을 사용하는 경우에, 동시에 소결시키기 위해서, 적층체(2, 22)를 준비하는 소성 단계시의온도는 통상 850∼950℃ 정도로 설정된다. 따라서, 자성체층(3, 26)이 이러한 소결 온도에서 충분히 소결될 수 있는 조성을 함유하고 있어야 하며, 이로 인해 원하는 자기 특성을 얻고, 또한 신뢰성이 유지된다.
자성체층(3, 26)의 조성을 상술한 바와 같이 선택함으로써, 예를 들어 850∼950℃의 소성 온도에서 우수한 소결성을 얻게 되고, 또한 인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7) 및 커패시터 전극(28, 29, 30, 31)에 함유된 Ag의 마이그레이션이 거의 발생하지 않는다.
따라서, 도 1 및 도 2에 도시된 인덕터 어레이(1)에서 복수개의 인덕턴스 도체(4, 5, 6, 7)들 사이에서의 절연저항, 도 3 내지 도 5에 도시된 LC 필터(21)에서 인덕턴스 도체(27)와 커패시터 전극(28, 29, 30, 31) 사이, 및 각 커패시터 전극(28, 29, 30, 31) 상호간의 절연저항을 높은 값으로 유지할 수 있어서, 인덕터 어레이(1) 및 LC 필터(21)에 신뢰성이 강화되는 결과를 얻는다.
본 발명은 도면에 도시된 인덕터 어레이(1) 및 LC 필터(21) 등의 모놀리식 전자 부품뿐만 아니라, 복수개의 적층된 자성체층을 일체 소결하여 얻은 적층체를 구비하고, 이 적층체에 내부도체가 형성되며, 이 내부도체 및 자성체층이 복수개의 인덕턴스 소자, 또는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하는 모놀리식 전자 부품, 및 임의의 구조의 모놀리식 전자 부품에도 적용될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 효과를 확인하기 위해 실시되는 실험예에 대해서 설명할 것이다.
[실험예]
1. 시료의 제작
주성분으로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 각 산화물의 원료 분말을 칭량하고, 이들 분말에 MnO 분말을 첨가하여, 이 혼합물을 20시간 동안 볼밀(ball mill)에서 습식 혼합하였다. 그 다음에, 건조 후에, 750℃에서 하소하였다. 그 다음에는, 이 하소 재료를 24시간 동안 볼밀에서 습식-분쇄하며, 바인더(binder)를 첨가하여 슬러리를 형성하였다. 다음으로, 닥터 블레이드법(doctor blade process)에 의해 페라이트 그린시트를 준비하였다.
이 페라이트 그린시트를 사용하여, 도 1 및 도 2에 도시된 인덕터 어레이(1)와 실질적으로 동일한 구조를 가지는 인덕터 어레이 및 일반적인 모놀리식 커패시터를 각각 준비하였다.
인덕터 어레이에서는, Ag 도전 성분을 함유하는 복수개의 인덕턴스 도체를 페라이트 그린시트 상에 인쇄에 의해 형성하였고, 이 페라이트 그린시트 상에 인덕턴스 도체가 형성되지 않은 또 다른 페라이트 그린시트를 적층시켰다. 이 적층체를 압착하여, 그린 적층체를 제작하였다. 그 다음에, 이 그린 적층체를 소정 크기로 절단한 후에, 이 절단된 그린 적층체를 920℃의 온도에서 2시간 동안 소결하여, 소결 적층체를 형성하였다. 다음으로, 이 적층체의 외면 상에 외부단자 전극을 형성하여, 복수개의 인덕턴스 소자를 가지는 인덕터 어레이를 준비하였다.
모놀리식 커패시터에서는, 복수개의 페라이트 그린시트의 각각의 위에, Ag 도전 성분을 함유하는 커패시터 전극을 인쇄에 의해 형성하였고, 이들 그린시트를적층시키며, 그 위에 커패시터 전극이 형성되지 않은 페라이트 그린시트를 적층시켜, 이들 적층체의 상하면을 압착하여, 그린 적층체를 제작하였다. 다음으로, 이 그린 적층체를 소정 크기로 절단한 후에, 이 절단된 그린 적층체를 920℃의 온도에서 2시간 동안 소결하여, 소결 적층체를 형성하였다. 다음으로, 이 적층체의 외면 상에 외부단자 전극을 형성하여, 시료로서 모놀리식 커패시터를 제작하였다.
2. 신뢰성 시험
상기 인덕터 어레이 및 모놀리식 커패시터 각각에 대해서, 내습 부하 시험(온도: 85℃, 상대 습도: 85％, 인가 전계 강도: 2㎸/㎜) 및 고온 부하 시험(온도: 125℃, 인가 전계 강도: 2㎸/㎜)을 실시하여, 0∼2,000 시간 동안의 어떤 시점에서의 절연저항을 구하였다.
인덕터 어레이에서는, 인접한 2개의 인덕턴스 도체들 사이에 상기 전계를 인가하였다. 모놀리식 커패시터에서는, 대향하는 커패시터 전극들 사이에 상기 전계를 인가하였다. 또한, 상술한 바와 같이 전계가 인가되는 인덕턴스 도체들 사이에서의 절연저항, 또는 커패시터 전극들 사이에서의 절연저항을 동일한 전계를 인가하면서 측정하였다.
3. 실험예 1
상술한 페라이트 그린시트에 함유된 자기 재료로서는, 주성분으로서 49.0몰％의 Fe2O3, 29.0몰％의 ZnO, 9.0몰％의 CuO 및 13몰％의 NiO를 함유하고, 또한 MnO를 0.005∼3.0중량％를 함유하는 다양한 조성을 사용하였다.
(실시예 1 내지 6 및 비교예 1 및 2)
인덕터 어레이에 따른 각 시료에 있어서, 내습 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 1에 나타내고, 고온 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
상기 표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, MnO의 함유량이 0.01∼2.0중량％의 범위 내에 있는 실시예 1∼6에서는, 고온 및 고습에서의 절연저항의 저하가 억제되어, 절연 신뢰성이 우수한 인덕터 어레이를 얻게 된다.
(실시예 7 내지 12 및 비교예 3 및 4)
모놀리식 커패시터에 따른 각 시료에 있어서, 내습 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 3에 나타내고, 고온 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 4에 나타낸다.
상기 표 3 및 표 4에 나타낸 바와 같이, MnO의 함유량이 0.01∼2.0중량％의 범위 내에 있는 실시예 7∼12에서는, 고온 및 고습에서의 절연저항의 저하가 억제되어, 절연 신뢰성이 우수한 모놀리식 커패시터를 얻게 된다.
4. 실험예 2
상술한 페라이트 그린시트에 함유된 자기 재료로서는, 주성분으로서 47.0몰％의 Fe2O3, 12.0몰％의 ZnO, 12.0몰％의 CuO 및 29몰％의 NiO를 함유하고, 또한 MnO를 0.005∼3.0중량％를 함유하는 다양한 조성을 사용하였다.
(실시예 13 내지 18 및 비교예 5 및 6)
인덕터 어레이에 따른 각 시료에 있어서, 내습 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 5에 나타내고, 고온 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 6에 나타낸다.
상기 표 5 및 표 6에 나타낸 바와 같이, MnO의 함유량이 0.01∼2.0중량％의 범위 내에 있는 실시예 13∼18에서는, 고온 및 고습에서의 절연저항의 저하가 억제되어, 절연 신뢰성이 우수한 인덕터 어레이를 얻게 된다.
(실시예 19 내지 24 및 비교예 7 및 8)
모놀리식 커패시터에 따른 각 시료에 있어서, 내습 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 7에 나타내고, 고온 부하 시험에 의한 절연저항의 평가 결과를 표 8에 나타낸다.
상기 표 7 및 표 8에 나타낸 바와 같이, MnO의 함유량이 0.01∼2.0중량％의 범위 내에 있는 실시예 19∼24에서는, 고온 및 고습에서의 절연저항의 저하가 억제되어,
절연 신뢰성이 우수한 모놀리식 커패시터를 얻게 된다.
상술한 실시예에서는, 인덕턴스 소자와 커패시턴스 소자 사이의 절연저항의 저하에 대해서는 평가하지 않았다. 그러나, 이 실험예에서 복수개의 인덕턴스 전극들 사이에서의 절연저항 또는 복수개의 커패시터 전극들 사이에서의 절연저항의 경우와 실질적으로 동일한 평가 결과를 얻게 된다는 것이 확실하게 이해된다.
이제까지는, 본 발명의 바람직한 실시형태들에 대해서 기술하였지만, 본 발명은 하기에 청구되는 특허청구범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명의 바람직한 실시형태들에 기술된 요지를 실시하는 다양한 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 하기의 특허청구범위에 의해서만 제한된다는 것이 이해된다.

Claims (9)

  1. 복수개의 적층되는 자성체층을 일체 소결하여 얻은 적층체; 및
    상기 적층체의 내부에 형성된 적어도 1개의 내부 전기 소자를 포함하는 적층 전자 부품으로서,
    상기 자성체층은 45∼50몰％의 Fe2O3, 0∼33몰％의 ZnO, 6∼20몰％의 CuO 및 나머지로 NiO를 함유하는 주성분과, Mn 화합물(여기에서, Mn 화합물은 MnO로 환산되어, 상기 자성체층의 조성에 0.01∼2.0중량％가 함유됨)을 함유하는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 내부 전기 소자는 Ag을 함유하는 적어도 1개의 도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 내부 전기 소자는 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 내부 전기 소자는 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  5. 복수개의 적층되는 자성체층을 일체 소결하여 얻은 적층체; 및
    상기 적층체의 내부에 형성된 적어도 1개의 내부 도체를 포함하는 적층 전자 부품으로서,
    상기 내부도체 및 자성체층은 복수개의 인덕턴스 소자, 또는 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자를 구성하며,
    상기 자성체층은 45∼50몰％의 Fe2O3, 0∼33몰％의 ZnO, 6∼20몰％의 CuO 및 나머지로 NiO를 함유하는 주성분과, Mn 화합물(여기에서, Mn 화합물은 MnO로 환산되어, 상기 자성체층의 조성에 0.01∼2.0중량％가 함유됨)을 함유하는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 내부 도체는 Ag을 함유하는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  7. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 내부도체는 복수개의 인덕턴스 소자를 구성하고,
    상기 적층체의 외면에는, 복수개의 외부전극이 상기 복수개의 인덕턴스 소자의 각 양 단부에 각각 전기적으로 접속되게 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  8. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 내부도체는 인덕턴스 소자 및 적어도 한 쌍의 대향하는 커패시터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 인덕턴스 소자의 양 단부는 제 1 및 제 2 외부전극에 접속되고, 상기 대향하는 커패시터 전극의 양 단부는 제 1 및 제 3 외부전극에 접속되며, 또 다른 상기 대향하는 커패시터 전극의 양 단부는 제 2 및 제 4 외부전극에 접속되고, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 외부전극은 상기 적층체의 외면에 형성되는 것을 특징으로 하는 적층 전자 부품.
KR10-2001-0025739A 2000-05-12 2001-05-11 적층 전자 부품 KR100425993B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000140143A JP3758464B2 (ja) 2000-05-12 2000-05-12 積層電子部品
JP2000-140143 2000-05-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010104270A true KR20010104270A (ko) 2001-11-24
KR100425993B1 KR100425993B1 (ko) 2004-04-06

Family

ID=18647483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0025739A KR100425993B1 (ko) 2000-05-12 2001-05-11 적층 전자 부품

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6492733B2 (ko)
JP (1) JP3758464B2 (ko)
KR (1) KR100425993B1 (ko)
CN (1) CN100520996C (ko)
FR (1) FR2809233B1 (ko)
GB (1) GB2362155B (ko)
TW (1) TW498358B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10155594A1 (de) * 2001-11-13 2003-05-22 Philips Corp Intellectual Pty Verfrahren zum Herstellen eines aus mehreren Schichten bestehenden mikroelektronischen Substrats
JP2005116666A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁性素子
US7843303B2 (en) * 2008-12-08 2010-11-30 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Multilayer inductor
JP5295027B2 (ja) * 2009-07-24 2013-09-18 京セラ株式会社 積層型誘電体フィルタ
JP6084836B2 (ja) * 2012-12-14 2017-02-22 京セラ株式会社 コイル内蔵配線基板

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL136207C (ko) * 1962-08-16
US4001363A (en) * 1970-03-19 1977-01-04 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a ceramic ferromagnetic object
US5206620A (en) * 1987-07-01 1993-04-27 Tdk Corporation Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part
JPH01228108A (ja) * 1988-03-09 1989-09-12 Tokin Corp Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系酸化物磁性材料とその製造方法
JPH0693589B2 (ja) * 1989-03-23 1994-11-16 株式会社村田製作所 Ｌｃフィルター
JPH02249294A (ja) * 1989-03-23 1990-10-05 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd Ｌｃ内蔵形セラミックス基板
CN1023583C (zh) * 1990-07-14 1994-01-19 机械电子工业部第三十三研究所 低损耗氧化物磁性材料及制造方法
JP3209514B2 (ja) * 1991-12-28 2001-09-17 太陽誘電株式会社 積層チップインダクタの製造方法
KR960012995B1 (ko) * 1993-03-31 1996-09-25 엘지전자 주식회사 단결정 페라이트
JPH08250318A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd フェライト材料およびその製造方法
KR0131840B1 (ko) * 1995-05-31 1998-04-13 김익명 Ni-Cu-Zn계 산화물 자성재료
JP3035479B2 (ja) * 1995-10-18 2000-04-24 株式会社トーキン 積層型インダクタンス素子
JPH09186019A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Kawasaki Steel Corp 積層型磁気素子
JPH1022129A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Tokin Corp 積層型インピーダンス素子
JPH10126192A (ja) * 1996-10-14 1998-05-15 Mitsubishi Materials Corp Ｌｃフィルタ部品
JP3438859B2 (ja) * 1996-11-21 2003-08-18 ティーディーケイ株式会社 積層型電子部品とその製造方法
JPH10228108A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 感光性組成物、感光材料、レリーフパターンの製造法及びポリイミドパターンの製造法
JP3602298B2 (ja) * 1997-07-02 2004-12-15 Ｊｆｅミネラル株式会社 薄型電源用磁気素子
JPH11219812A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Tokin Corp 酸化物磁性材料
US6191934B1 (en) * 1998-10-02 2001-02-20 Sarnoff Corporation & Co., Ltd. High dielectric constant embedded capacitors
KR100274210B1 (ko) * 1998-11-02 2000-12-15 오세종 어레이형 다중 칩 부품
JP2000331835A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Taiyo Yuden Co Ltd 積層電子部品及び回路モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20020005585A1 (en) 2002-01-17
JP2001326121A (ja) 2001-11-22
CN100520996C (zh) 2009-07-29
KR100425993B1 (ko) 2004-04-06
US6492733B2 (en) 2002-12-10
GB2362155A (en) 2001-11-14
CN1324080A (zh) 2001-11-28
GB0110806D0 (en) 2001-06-27
TW498358B (en) 2002-08-11
JP3758464B2 (ja) 2006-03-22
FR2809233B1 (fr) 2003-10-10
FR2809233A1 (fr) 2001-11-23
GB2362155B (en) 2002-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101543752B1 (ko) 복합 페라이트 조성물 및 전자 부품
JP6743836B2 (ja) コモンモードチョークコイル
KR101586137B1 (ko) 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품
US7737803B2 (en) Electric part including a dielectric portion and a magnetic portion
JP7092070B2 (ja) 積層型コイル部品
JP2020194810A (ja) 積層型コイル部品
US4956114A (en) Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part
JP4020886B2 (ja) 複合電子部品及びその製造方法
JP5386496B2 (ja) 複合電子部品
US5206620A (en) Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part
JP6983382B2 (ja) 積層コイル部品
EP0843410A2 (en) Inductance-capacitance composite component
KR100425993B1 (ko) 적층 전자 부품
KR100229768B1 (ko) 복합 기능 소자 및 이의 제조 방법
JP3975051B2 (ja) 磁性フェライトの製造方法、積層型チップフェライト部品の製造方法及びｌｃ複合積層部品の製造方法
US5415945A (en) Dielectric ceramic composition for low temperature sintering
JP2020194811A (ja) 積層型コイル部品
JP3879393B2 (ja) Ｌｃ複合部品
JPH06251995A (ja) 積層ｌｃ部品
JP3606127B2 (ja) フェライト焼結体の製造方法
JPH1092624A (ja) 六方晶ｚ型磁性酸化物焼結体、その製造方法およびインピーダンス素子
JP2904664B2 (ja) 積層ｌｃフィルタ部品
JP2005142331A (ja) 複合コモンモードチョークコイル
KR100232547B1 (ko) 인덕턴스-커패시턴스복합부품 및 인덕턴스-커패시턴스복합칩부품
JPH02232915A (ja) チップ型ｌｃ複合セラミックス部品

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130219

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160317

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170317

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200312

Year of fee payment: 17