JPH1022129A - 積層型インピーダンス素子 - Google Patents
積層型インピーダンス素子Info
- Publication number
- JPH1022129A JPH1022129A JP8188389A JP18838996A JPH1022129A JP H1022129 A JPH1022129 A JP H1022129A JP 8188389 A JP8188389 A JP 8188389A JP 18838996 A JP18838996 A JP 18838996A JP H1022129 A JPH1022129 A JP H1022129A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波数領域において高いインピーダンスを
持つ積層型インピーダンス素子を供すること。 【解決手段】 組成が、ＢａＯ：１０〜３０ｍｏｌ％、
Ｆｅ2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ％、ＭｅＯ：８〜２５ｍｏ
ｌ％、ただし、ＭｅＯ＝ＺｎＯ＋ＭｎＯで、ＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯに対するＭｎＯのモル比が０.０５〜０.４である酸
化物磁性材料からなる磁性体層と導電体層を積層する。
持つ積層型インピーダンス素子を供すること。 【解決手段】 組成が、ＢａＯ：１０〜３０ｍｏｌ％、
Ｆｅ2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ％、ＭｅＯ：８〜２５ｍｏ
ｌ％、ただし、ＭｅＯ＝ＺｎＯ＋ＭｎＯで、ＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯに対するＭｎＯのモル比が０.０５〜０.４である酸
化物磁性材料からなる磁性体層と導電体層を積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器に適
用される積層型インピーダンス素子に関し、特にインピ
ーダンスの高周波特性を改良した積層型インピーダンス
素子に関する。
用される積層型インピーダンス素子に関し、特にインピ
ーダンスの高周波特性を改良した積層型インピーダンス
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、電子機器の小型化と高周波化に伴
い、ＥＭＩ対策が重要性を増している。一般に、インピ
ーダンス素子では、目的とする周波数のノイズをインピ
ーダンス特性によって遮断し、ＥＭＩ対策としている。
すなわち、信号系に対して直列にインピーダンス素子
を装着してノイズを遮断する、パワーアンプ等のアク
ティブ素子の電流ライン系に対しても、直列にインピー
ダンス素子を装着して、アクティブ素子から信号周波数
のノイズが電流ラインに漏洩することを抑制するという
ことが一般的に行われている。
い、ＥＭＩ対策が重要性を増している。一般に、インピ
ーダンス素子では、目的とする周波数のノイズをインピ
ーダンス特性によって遮断し、ＥＭＩ対策としている。
すなわち、信号系に対して直列にインピーダンス素子
を装着してノイズを遮断する、パワーアンプ等のアク
ティブ素子の電流ライン系に対しても、直列にインピー
ダンス素子を装着して、アクティブ素子から信号周波数
のノイズが電流ラインに漏洩することを抑制するという
ことが一般的に行われている。
【０００３】近年、電子機器の小型化が進むにつれ、電
子部品の小型化の要求が高まっており、その要求に答え
るため、インピーダンス素子に代表される電子部品の主
流は、積層型のものに移りつつある。プリント配線基板
上等に実装する形で使用される積層型インピーダンス素
子は、通常、Ｎｉ−Ｚｎ系軟磁性フェライト粉末と結合
剤からなる磁性体層と、導電性粉末と結合剤からなる導
電体層とを交互に積層した後、同時焼結することにより
作製されている。
子部品の小型化の要求が高まっており、その要求に答え
るため、インピーダンス素子に代表される電子部品の主
流は、積層型のものに移りつつある。プリント配線基板
上等に実装する形で使用される積層型インピーダンス素
子は、通常、Ｎｉ−Ｚｎ系軟磁性フェライト粉末と結合
剤からなる磁性体層と、導電性粉末と結合剤からなる導
電体層とを交互に積層した後、同時焼結することにより
作製されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】今日のように信号周波
数が高周波化してきた場合、当然、より高い周波数域に
おいても大きいインピーダンスを持つインピーダンス素
子が必要となる。しかしながら、現状のＮｉ−Ｚｎ系軟
磁性フェライトを用いた積層インピーダンス素子のイン
ピーダンスの周波数特性は、１００ＭＨｚ付近で最大値
をとり、より高周波では減少し、数百ＭＨｚ以上の周波
数帯域の信号を除去する場合には、問題となる。
数が高周波化してきた場合、当然、より高い周波数域に
おいても大きいインピーダンスを持つインピーダンス素
子が必要となる。しかしながら、現状のＮｉ−Ｚｎ系軟
磁性フェライトを用いた積層インピーダンス素子のイン
ピーダンスの周波数特性は、１００ＭＨｚ付近で最大値
をとり、より高周波では減少し、数百ＭＨｚ以上の周波
数帯域の信号を除去する場合には、問題となる。
【０００５】本発明の課題は、上記した問題点を解決
し、高周波数領域において高いインピーダンスを持つ積
層型インピーダンス素子を提供することである。
し、高周波数領域において高いインピーダンスを持つ積
層型インピーダンス素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ＢａＯ：１０〜３０ｍｏ
ｌ％、Ｆｅ2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ％、ＭｅＯ：８〜２
５ｍｏｌ％、ただし、ＭｅＯ＝ＺｎＯ＋ＭｎＯで、Ｚｎ
Ｏ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比が０.０５〜０.４、
で示される酸化物磁性材料により形成する磁性体層と、
導電体層を印刷法により交互に積層し、磁性体内部に導
電体のコイルを形成した積層型インピーダンス素子は、
数百ＭＨｚ以上の周波数帯域で高いインピーダンスを有
する。
ｌ％、Ｆｅ2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ％、ＭｅＯ：８〜２
５ｍｏｌ％、ただし、ＭｅＯ＝ＺｎＯ＋ＭｎＯで、Ｚｎ
Ｏ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比が０.０５〜０.４、
で示される酸化物磁性材料により形成する磁性体層と、
導電体層を印刷法により交互に積層し、磁性体内部に導
電体のコイルを形成した積層型インピーダンス素子は、
数百ＭＨｚ以上の周波数帯域で高いインピーダンスを有
する。
【０００７】一般に、積層型インピーダンス素子のイン
ピーダンスの周波数特性は、低周波では増加し、１００
ＭＨｚ付近で最大値を示し、より高周波では減少する。
ピーダンスの周波数特性は、低周波では増加し、１００
ＭＨｚ付近で最大値を示し、より高周波では減少する。
【０００８】インピーダンスがこのような周波数特性を
持つ理由は、以下のように説明される。低周波では、イ
ンピーダンス素子自体のインダクタンス成分が支配的な
ため、周波数が増加すると、インピーダンスが増加す
る。１００ＭＨｚ付近でインダクタンス成分とインピー
ダンス素子自体が有する構造的なキャパシタンス成分の
共振点でインピーダンスのピークとなる。より高周波で
は、キャパシタンス成分が支配的となり、周波数の増加
と共に、インピーダンスが低下する。
持つ理由は、以下のように説明される。低周波では、イ
ンピーダンス素子自体のインダクタンス成分が支配的な
ため、周波数が増加すると、インピーダンスが増加す
る。１００ＭＨｚ付近でインダクタンス成分とインピー
ダンス素子自体が有する構造的なキャパシタンス成分の
共振点でインピーダンスのピークとなる。より高周波で
は、キャパシタンス成分が支配的となり、周波数の増加
と共に、インピーダンスが低下する。
【０００９】このキャパシタンス成分は、導電体層間の
浮遊容量や、外部より導電体層と導通をとるために形成
される外部電極と導電体層との間の浮遊容量である。こ
れらの浮遊容量は、通常の磁性体層に用いられているＮ
ｉ−Ｚｎ系軟磁性フェライトの比誘電率がＧＨｚオーダ
ーまで１０〜２０程度の一定の誘電率を持っているた
め、１００ＭＨｚ以上の高周波でのインピーダンスに対
する影響が大きくなっている。
浮遊容量や、外部より導電体層と導通をとるために形成
される外部電極と導電体層との間の浮遊容量である。こ
れらの浮遊容量は、通常の磁性体層に用いられているＮ
ｉ−Ｚｎ系軟磁性フェライトの比誘電率がＧＨｚオーダ
ーまで１０〜２０程度の一定の誘電率を持っているた
め、１００ＭＨｚ以上の高周波でのインピーダンスに対
する影響が大きくなっている。
【００１０】本発明のインピーダンス素子を構成する酸
化物磁性材料は、軟磁性六方晶フェライトである。特
に、軟磁性六方晶フェライトの中で、Ｂａ2Ｍｅ2Ｆｅ12
Ｏ22(Ｍｅは二価の金属元素)で示されるＹ型構造を示す
ものにおいて、ＭｅをＺｎとし、その一部をＭｎで置換
したものは、軟磁性六方晶フェライトの中では比較的高
い比透磁率が得られ、比誘電率が周波数特性が増加する
に従い減少し、１００ＭＨＺ付近では１に近い値とな
る。この組成のフェライトをインピーダンス素子の磁性
体層に用いることにより、上記の浮遊容量を減少させる
ことが可能となり、１００ＭＨｚ以上の高周波における
インピーダンスの減少を抑制することが可能となる。
化物磁性材料は、軟磁性六方晶フェライトである。特
に、軟磁性六方晶フェライトの中で、Ｂａ2Ｍｅ2Ｆｅ12
Ｏ22(Ｍｅは二価の金属元素)で示されるＹ型構造を示す
ものにおいて、ＭｅをＺｎとし、その一部をＭｎで置換
したものは、軟磁性六方晶フェライトの中では比較的高
い比透磁率が得られ、比誘電率が周波数特性が増加する
に従い減少し、１００ＭＨＺ付近では１に近い値とな
る。この組成のフェライトをインピーダンス素子の磁性
体層に用いることにより、上記の浮遊容量を減少させる
ことが可能となり、１００ＭＨｚ以上の高周波における
インピーダンスの減少を抑制することが可能となる。
【００１１】軟磁性六方晶フェライトの組成を、Ｂａ
Ｏ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｆｅ2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ
％、ＭｅＯ：８〜２５ｍｏｌ％、ただし、ＭｅＯ＝Ｚｎ
Ｏ＋ＭｎＯで、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比
が０.０５〜０.４と限定した理由は、軟磁性六方晶フェ
ライトの中でも、Ｂａ2Ｍｅ2Ｆｅ12Ｏ22で示されるＹ型
構造が、ほぼ単層で得られ、同時に高インピーダンスに
必要な高い透磁率と１００ＭＨｚ付近で１に近い比誘電
率が得られるためである。
Ｏ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｆｅ2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ
％、ＭｅＯ：８〜２５ｍｏｌ％、ただし、ＭｅＯ＝Ｚｎ
Ｏ＋ＭｎＯで、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比
が０.０５〜０.４と限定した理由は、軟磁性六方晶フェ
ライトの中でも、Ｂａ2Ｍｅ2Ｆｅ12Ｏ22で示されるＹ型
構造が、ほぼ単層で得られ、同時に高インピーダンスに
必要な高い透磁率と１００ＭＨｚ付近で１に近い比誘電
率が得られるためである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な構成を実
施例を用いて説明する。
施例を用いて説明する。
【００１３】（実施例１）高純度のＦｅ2Ｏ3、ＢａＣＯ
3、ＺｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3、ＢａＯ、ＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯ換算として、表１に示す組成となるように秤量し
た。なお、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比は
０.３と一定とした。これに、水、分散剤を一定量加え
ボールミルにて２０時間混合し、ろ過した。次に、この
粉末を大気中１２００℃で２時間予焼を行い、ボールミ
ルにて２０時間解砕し、粉末を得た。この粉末に、バイ
ンダー、溶剤を添加し、混合物を混練して磁性体層用ペ
ーストを作製した。次に、導電体層用粉末として平均粒
径０.５μｍのＡｇ粉末及びＰｄ粉末を８:２の割合と
し、バインダー、溶剤を添加し、混合物を混練して導電
体層用ペーストを作製した。
3、ＺｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3、ＢａＯ、ＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯ換算として、表１に示す組成となるように秤量し
た。なお、ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比は
０.３と一定とした。これに、水、分散剤を一定量加え
ボールミルにて２０時間混合し、ろ過した。次に、この
粉末を大気中１２００℃で２時間予焼を行い、ボールミ
ルにて２０時間解砕し、粉末を得た。この粉末に、バイ
ンダー、溶剤を添加し、混合物を混練して磁性体層用ペ
ーストを作製した。次に、導電体層用粉末として平均粒
径０.５μｍのＡｇ粉末及びＰｄ粉末を８:２の割合と
し、バインダー、溶剤を添加し、混合物を混練して導電
体層用ペーストを作製した。
【００１４】（表１） ※は、本発明範囲外の組成を示す。 ＺｎＯ＋ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比は０.３で一定である。
【００１５】次に、作製した磁性体層用ペーストを印刷
法により所定の厚さ（０.５ｍｍ）に積層した。その上
に導電体層用ペーストと磁性体層用ペーストを用いて
５.５ターンの導電体の積層巻線を形成するように印刷
積層を行った。この時、一層の積層厚は、磁性体層で約
３０μｍ、導電体層では約１５μｍで行った。その上に
磁性体層用ペーストを印刷法により、所定の厚さ（０.
５ｍｍ）に積層した。全体の積層厚さは約１.３ｍｍで
ある。
法により所定の厚さ（０.５ｍｍ）に積層した。その上
に導電体層用ペーストと磁性体層用ペーストを用いて
５.５ターンの導電体の積層巻線を形成するように印刷
積層を行った。この時、一層の積層厚は、磁性体層で約
３０μｍ、導電体層では約１５μｍで行った。その上に
磁性体層用ペーストを印刷法により、所定の厚さ（０.
５ｍｍ）に積層した。全体の積層厚さは約１.３ｍｍで
ある。
【００１６】以上のようにして作製した積層体を所望の
大きさに切断し、１０５０℃で４時間保持して焼結し
た。この焼結済みの積層体に導電体の積層巻線のリード
が露出している面にＡｇを主成分とした導電性ペースト
を塗布し、約４００℃で焼き付けを行い、外部電極を形
成した。
大きさに切断し、１０５０℃で４時間保持して焼結し
た。この焼結済みの積層体に導電体の積層巻線のリード
が露出している面にＡｇを主成分とした導電性ペースト
を塗布し、約４００℃で焼き付けを行い、外部電極を形
成した。
【００１７】上記のように作製した積層インピーダンス
素子の１００ＭＨｚにおけるインピーダンスの測定結果
を表１の最後の欄に示す。又、本発明範囲内のＦｅ
2Ｏ3：６０ｍｏｌ％、ＢａＯ：２０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：
１４ｍｏｌ％、ＭｎＯ：６ｍｏｌ％の組成（表１のNo.
1）と本発明範囲外のＦｅ2Ｏ3：５５ｍｏｌ％、Ｂａ
Ｏ：１９ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１８.２ｍｏｌ％、Ｍｎ
Ｏ：７．２ｍｏｌ％の組成（表１のNo.3）のインピーダ
ンスの周波数特性を代表例として、図１に示す。図１に
おいて、実線（Ａ）がＮｏ.１を、一点破線（Ｂ）がＮ
ｏ.３を示している。
素子の１００ＭＨｚにおけるインピーダンスの測定結果
を表１の最後の欄に示す。又、本発明範囲内のＦｅ
2Ｏ3：６０ｍｏｌ％、ＢａＯ：２０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：
１４ｍｏｌ％、ＭｎＯ：６ｍｏｌ％の組成（表１のNo.
1）と本発明範囲外のＦｅ2Ｏ3：５５ｍｏｌ％、Ｂａ
Ｏ：１９ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１８.２ｍｏｌ％、Ｍｎ
Ｏ：７．２ｍｏｌ％の組成（表１のNo.3）のインピーダ
ンスの周波数特性を代表例として、図１に示す。図１に
おいて、実線（Ａ）がＮｏ.１を、一点破線（Ｂ）がＮ
ｏ.３を示している。
【００１８】表１及び図１より、本発明範囲外の組成
（Ｎｏ.３）の場合、１００ＭＨｚにおけるインピーダ
ンスが範囲内の組成（Ｎｏ.１）と比較して低いことが
判る。
（Ｎｏ.３）の場合、１００ＭＨｚにおけるインピーダ
ンスが範囲内の組成（Ｎｏ.１）と比較して低いことが
判る。
【００１９】（実施例２）高純度のＦｅ2Ｏ3、ＢａＣＯ
3、ＺｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3、ＢａＯ、ＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯ換算として、Ｆｅ2Ｏ3：６０ｍｏｌ％、ＢａＯ：２
０ｍｏｌ％、ＺｎＯ＋ＭｎＯ：２０ｍｏｌ％とし、Ｚｎ
ＯとＭｎＯのモル比を変化させて各々秤量した。これら
の組成において、実施例１と同様に、積層インピーダン
ス素子を作製した。得られた積層インピーダンス素子の
１００ＭＨｚにおけるインピーダンスとＺｎＯ＋ＭｎＯ
に対するＭｎＯのモル比の関係を図２に示す。
3、ＺｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4をＦｅ2Ｏ3、ＢａＯ、ＺｎＯ＋Ｍ
ｎＯ換算として、Ｆｅ2Ｏ3：６０ｍｏｌ％、ＢａＯ：２
０ｍｏｌ％、ＺｎＯ＋ＭｎＯ：２０ｍｏｌ％とし、Ｚｎ
ＯとＭｎＯのモル比を変化させて各々秤量した。これら
の組成において、実施例１と同様に、積層インピーダン
ス素子を作製した。得られた積層インピーダンス素子の
１００ＭＨｚにおけるインピーダンスとＺｎＯ＋ＭｎＯ
に対するＭｎＯのモル比の関係を図２に示す。
【００２０】図２より、本発明範囲外の組成の場合、１
００ＭＨｚにおけるインピーダンスが範囲内と比較して
低下し、劣化していることが判る。
００ＭＨｚにおけるインピーダンスが範囲内と比較して
低下し、劣化していることが判る。
【００２１】（比較例）高純度のＦｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，Ｃ
ｕＯを各々４５ｍｏｌ％、４９ｍｏｌ％、６ｍｏｌ％、
となるように秤量し、秤量した原料に水、分散剤を一定
量加え、ボールミルにて２０時間混合し、ろ過した。次
に、この粉末を大気中８００℃で２時間予焼を行い、ボ
ールミルにて３時間解砕し、粉末を得た。この粉末を用
いて実施例１と同様に、積層インピーダンス素子を作製
した。この際に作製した素子を実施例１と同様の評価を
行った。インピーダンスの周波数特性を図１に点線
（Ｃ）で示す。
ｕＯを各々４５ｍｏｌ％、４９ｍｏｌ％、６ｍｏｌ％、
となるように秤量し、秤量した原料に水、分散剤を一定
量加え、ボールミルにて２０時間混合し、ろ過した。次
に、この粉末を大気中８００℃で２時間予焼を行い、ボ
ールミルにて３時間解砕し、粉末を得た。この粉末を用
いて実施例１と同様に、積層インピーダンス素子を作製
した。この際に作製した素子を実施例１と同様の評価を
行った。インピーダンスの周波数特性を図１に点線
（Ｃ）で示す。
【００２２】図１より、上記実施例１と比較し、１００
ＭＨｚ以上のインピーダンスが低下し、高周波ＥＭＩ対
策部品として劣っていることが判る。
ＭＨｚ以上のインピーダンスが低下し、高周波ＥＭＩ対
策部品として劣っていることが判る。
【００２３】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
従来のインピーダンス素子と比較し、１００ＭＨｚ以上
の高周波数領域におけるインピーダンスの低下がない積
層型インピーダンス素子を提供でき、高周波ＥＭＩ対策
部品として工業上、極めて有効である。
従来のインピーダンス素子と比較し、１００ＭＨｚ以上
の高周波数領域におけるインピーダンスの低下がない積
層型インピーダンス素子を提供でき、高周波ＥＭＩ対策
部品として工業上、極めて有効である。
【図１】実施例１で得られた積層型インピーダンス素子
のインピーダンスの周波数特性の代表例（実線Ａと一点
破線Ｂ）と、本比較例で得られた積層型インピーダンス
素子のインピーダンスの周波数特性（点線Ｃ）を示す特
性図。
のインピーダンスの周波数特性の代表例（実線Ａと一点
破線Ｂ）と、本比較例で得られた積層型インピーダンス
素子のインピーダンスの周波数特性（点線Ｃ）を示す特
性図。
【図２】実施例２により作製した積層型インピーダンス
素子の１００ＭＨｚにおけるインピーダンスとＺｎＯ＋
ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比の関係を示す特性図。
素子の１００ＭＨｚにおけるインピーダンスとＺｎＯ＋
ＭｎＯに対するＭｎＯのモル比の関係を示す特性図。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＢａＯ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｆｅ
2Ｏ3：５６〜６５ｍｏｌ％、ＭｅＯ：８〜２５ｍｏｌ
％、ただし、ＭｅＯ＝ＺｎＯ＋ＭｎＯで、ＺｎＯ＋Ｍｎ
Ｏに対するＭｎＯのモル比が０.０５〜０.４、で示され
る酸化物磁性材料により形成する磁性体層と、導電体層
を印刷法により交互に積層し、磁性体内部に導電体のコ
イルを形成したことを特徴とする積層型インピーダンス
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8188389A JPH1022129A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 積層型インピーダンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8188389A JPH1022129A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 積層型インピーダンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022129A true JPH1022129A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16222782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8188389A Pending JPH1022129A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 積層型インピーダンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022129A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003342061A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| KR100425993B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2004-04-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 전자 부품 |
| US8710835B2 (en) | 2009-03-19 | 2014-04-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic impedance element and magnetic sensor using the same |
| CN104036908A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-10 | 南京新中磁电技术工程有限公司 | 一种磁性材料 |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP8188389A patent/JPH1022129A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425993B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2004-04-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 전자 부품 |
| JP2003342061A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| US8710835B2 (en) | 2009-03-19 | 2014-04-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic impedance element and magnetic sensor using the same |
| CN104036908A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-10 | 南京新中磁电技术工程有限公司 | 一种磁性材料 |
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