KR20010049650A - 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판 위에 텅스텐-기초및/또는 몰리브데늄-기초 층의 증착 방법, 및 이와 같이코팅된 기판 - Google Patents

유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판 위에 텅스텐-기초및/또는 몰리브데늄-기초 층의 증착 방법, 및 이와 같이코팅된 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명의 주제는, 금속 할라이드(metal halide) 및/또는 유기금속 화합물 형태인 적어도 하나의 텅스텐 및/또는 몰리브덴 전구물질(precursor), 및 수소 또는 실란(silane)과 같은 적어도 하나의 환원제(reducing agent)에 의해 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판(1) 위에 화학 증기 증착(chemical vapour deposition)에 의해서 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 적어도 하나의 층(3)을 증착하는 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명의 주제는, 이와 같이 얻어진 기판 및 이것의 응용, 특히 글레이징, 거울 또는 방출 스크린을 제조하기 위한 응용에 관한 것이다.

Description

유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판 위에 텅스텐-기초 및/또는 몰리브데늄-기초 층의 증착 방법, 및 이와 같이 코팅된 기판{PROCESS FOR DEPOSITING A TUNGSTEN-BASED AND/OR MOLYBDENUM-BASED LAYER ON A GLASS, CERAMIC OR GLASS-CERAMIC SUBSTRATE, AND SUBSTRATE THUS COATED}
본 발명은, 견고한 기판, 특히 유리 또는 유리-세라믹 기판과 같이 투명하거나 또는 반투명한 기판, 또는 세라믹으로 제조된 타입의 거의 투명하지 않거나 또는 투명하지 않은 기판 및, 따라서 일반적으로 전기적으로 절연성이고 질의 저하 없이 열 처리를 견딜 수 있는 기판에 관한 것이다.
본 발명이 비록 이와 같은 응용(다른 응용들은 하기에서 상세하게 설명될 것이다)에 한정되지는 않지만, 이것은 다른 무엇보다도 전자 장치의 제조, 특히 방출 스크린의 제조 및 보다 특별하게는 플라즈마-스크린 타입의 "평면" 스크린이라고 불리는 것의 제조에 대해 설명될 것이다.
기본적으로 플라즈마 스크린은 스크린의 전면과 후면으로 구성된 2개의 유리 기판으로 구성되고, 이 위에 기판 작용층이 증착된다(deposited). 기판의 반대면에 증착되는 이러한 층들은 특히 전극, 유전재(dielectric material)의 최소 코팅 및 인광체(phosphor)를 포함하고, 이러한 성분은 스크린의 작동에 필수적이다.
그러므로 본 발명은, 적당한 에칭(etching) 처리 후에 전극을 형성할 수 있는 전기 전도층이 제공되는 기판의 제조, 가장 특별하게는 은과 구리와 같이 매우 전도성이 큰 금속으로 제조된 층을 사용하는 기판에 관한 것이다.
전해에 의해 구리와 은을 증착하는 것이 알려져 있는데, 이것은 상대적으로 두꺼운 금속층(예를 들어 1 내지 5μm의 두께)을 얻는 것이 가능하기 때문에 매력적인 기술이고, 플라즈마 스크린에서 요구되는 수준의 전도성을 얻기 위해 필요하다. 그러나, 코팅될 기판 자체가 처음부터 충분히 전도성이 있다면, 이 기술은 알맞은 제조 시간에 실행될 수 있을 뿐이다. 일반적으로, 적어도 플라즈마 스크린의 전면에 대해서는, 유리 기판과 금속 전극 사이에 불순물이 첨가된 산화 금속으로 제조된 투명 전기 전도층을 삽입하기 위한 설비가 제공되고, 층 자체는 또한 금속 전극의 패턴과는 상이한 패턴으로 에칭될 것이다. 예를 들어, 이러한 투명층은 플루오르가 첨가된 산화 주석 F:SnO2또는 주석이 첨가된 산화 인듐 ITO으로 제조된다. 이것이 사용되는 두께에서, 이러한 두께는 이것의 투명성을 유지하기 위해 선택되고, 이러한 층은 만족스러운 조건에서 전해(electrolysis)를 허용할만큼 충분한 전도성이 없는 것으로 밝혀졌다.
그러므로 본 발명의 목적은, 다른 금속 전도층이 전해에 의해 증착될 수 있도록 하기 위해, 특히 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 타입의 절연 기판 표면을 "제조"하도록 작용할 수 있는 새로운 전도층을 개발함으로써 이러한 결점을 해결하는 것이다.
일차적으로 본 발명의 주제는, 금속 할라이드(metal halide) 및/또는 유기금속 화합물 형태인 적어도 하나의 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo) 전구물질(precursor), 및 수소 또는 실란(silane)과 같은 적어도 하나의 환원제(reducing agent)에 의해 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판(1) 위에 화학 증기 증착(chemical vapour deposition)에 의해서 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 적어도 하나의 층(3)을 증착하는 방법이다.
바람직하게 할라이드는 WCl6또는 MoCl5과 같은 클로라이드(chloride), 또는 MoF5와 같은 플루어라이드(fluoride)이다.
특히 유기금속 화합물은 W(C0)6와 같은 금속 카르보닐, 또는 부타디엔 텅스텐 또는 비스-벤젠-텅스텐(bis-benzene-tungsten)과 같은 알킬-텅스텐 또는 알릴-텅스텐 화합물이 될 수 있다.
텅스텐과 몰리브덴은 많은 이점을 갖는다: 일차적으로, 이것은 구리 또는 은보다는 전도성이 약하지만 우수한 전기 전도체이다. 그러므로 이것은 본 발명에 따른 층, 구리 또는 은 타입의 가능한 제 2 전도층으로 구성된 전극의 필수 부분을 형성하고, 구리 또는 은이 단독으로 갖게 될 전기 전도성을 증가시키는데 기여한다.
게다가 이러한 W 또는 Mo 층들은, 금속 할라이드에 의해 대기압에서 증기상의 열분해 증착(또한 화학 증기 증착 또는 CVD라고 불리는)에 의한 증착에 아주 알맞고, 이것의 분해 온도는 특히 유리 타입인 본 발명에서 구현된 기판에 적합하다. CVD에 의한 증착은, 일반적으로 기판에 잘 부착되고 매우 내구성이 큰, 유리한 무엇이 되는 층을 얻을 수 있도록 한다.
최종적으로, 이러한 W 또는 Mo 층은 이것이 접촉하게 될 수 있는 재료에 특히 적합한 것으로 밝혀졌다: 이것은 특히 유리로 제조된 표면과 F:SnO2또는 ITO 타입의 산화 금속으로 제조된 표면에 잘 코팅된다. 게다가, 몰리브덴과 텅스텐은 구리 또는 은과 매우 유사한 금속이다. 특히, 이것은 유사한 결정 격자(crystal lattice)를 갖는다. 또한 W와 Mo 층은, 구리 또는 은 층에 핵형성 자리(nucleation site)를 제공하고, 이들 표면에 매우 만족스럽게 증착되며, 이 표면에 매우 강하게 부착된다.
끝으로, 텅스텐과 몰리브덴은, 보통 전해적으로(electrolytically) 구리를 증착하는데 사용되는 전해 용액(electrolysis solution)에 견디는 금속이고, 일반적으로 이러한 용액은 매우 산성이다(1 정도의 pH). 그러나 예상외로, 이것은 만일 필요하다면 공지된 화학 에칭 기술, 특히 왕수(aqua regia)와 하이드로플루오르산(hydrofluoric acid)으로 구성된 산화 용액을 사용해서 에칭될 수 있다.
유리하게도, 구현된 기판이 유리로 제조되면, W 또는 Mo 층은 특히 플로팅 챔버(floating chamber) 내 플로트 라인(float line) 상의 유리 리본(ribbon of glass)에 직접 증착될 수 있다. 그러므로 WCl6-타입의 전구물질은 600 내지 630℃의 온도에서 분해되고, WF6의 경우에는 일반적으로 더 낮은 온도에서 유리 리본이 라인 상에서(on the line) 이것의 치수 안정성(dimensional stability)을 얻는다. 플로트 배쓰(float bath)의 기압(atmosphere)은 이것이 약간 감소한다는 점에서 유리하다.
몰리브덴과 텅스텐의 다른 이점은, 고온에서 거의 산화되지 않는다는 것이다: 만일 층이 플로팅 챔버 내의 유리 리본에 증착된다면, 유리 리본이 레어(lehr)를 통과하는 동안 층들은 산화되지 않는다(거의 되지 않는다).
제 1 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 층은 이것의 운반 기판(carrier substrate), 특히 유리에 직접 증착될 수 있다.
제 2 실시예에 따르면, 층은 미리 기판에 증착된 적어도 하나의 다른 층에 증착될 수 있다. 상술된 바와 같이, 이것은 플루오르-첨가 산화 주석 F:SnO2또는 안티몬-첨가 산화 주석 Sb:SnO2, 알루미늄 첨가 산화 아연 Al:ZnO 또는 주석-첨가 산화 인듐 ITO과 같은 불순물이 첨가된 산화 금속의 투명 전도층이 될 수 있다. 또한 이러한 층들은 공지된 방식으로 화학 증기 증착 또는 미세한 분말 상에서의 열분해(pyrolysis in the pulverulent phase)에 의해 증착될 수 있다(예를 들어, CVD에 의한 F:SnO2층의 증착에 대해서는 특허 EP-158,399, EP-357,263과 WO 88/00588을 참조하고, 분말의 열 분해에 의한 F:SnO2층의 증착에 대해서는 특허 EP-573,325와 WO 94/25410을 참조한다). 그러므로 2개의 연속층은, 기판이 유리 기판일 때 플로트 라인 위에 열분해적으로 증착될 수 있다. 물론, 다른 기능을 제공하고 및/또는 금속 층의 전기 전도성에 기여하는 다른 타입의 층을 삽입하거나 또는 다른 타입의 층을 첨가하는 것이 가능하다. 그러므로 이것은, 예를 들어 특허 EP-518,755에서 설명된 것과 같은, SiO2또는 실리콘 옥시카바이드(silicon oxycarbide) 또는 옥시나이트라이드(oxynitride)에 기초한 층과 같은 "장벽(barrier)" 층(예를 들어 유리의 알칼리 금속에 장벽으로 작용하는)으로 작용할 수 있고, 화학 증기 증착에 의해 미리 플로트 유리의 리본에 증착될 수 있다.
상술된 바와 같이, 유리하게 본 발명에 따른 W-기초 또는 Mo-기초층을 W 또는 Mo과 다른 금속 또는 금속 합금, 특히 구리 또는 은과 같이 이러한 2개의 금속보다 전도성이 우수한 금속으로 제조된 층으로 적어도 부분적으로 도포하기 위한 설비가 준비된다. 이 층은 전해에 의해 만족스럽게 증착될 수 있고, 연속 단계로 수 마이크론의 두께까지가 전기 전도성의 레벨과 핵형성 자리의 존재 및 이러한 층에 의해서 제공되는 우수한 접착에 의해 W 또는 Mo 층에 의한 기판에 주어진다. 전해 증착은 DC 모드 또는 펄스-전류 모드(pulsed-current mode)에서 실행될 수 있다.
후자의 경우에, 보호층(protective layer), 특히 산화 분해(oxidative degradation)를 방지하는 층으로 이러한 구리 또는 은층을 다시 도포하는 것이 바람직하다. 또한 이러한 보호층에 의해 방지되는 분해의 위험은 플라즈마 스크린 제조에 사용되는 저-용융점 에나멜(low-melting-point enamel) 층의 연속 증착 때문일 수 있다. 바람직한 보호층은 상대적으로 얇고 금속으로 제조되는데, 특히 Ni, Cr, Ti, Ta, Nb, Pd 및 Zr로부터 선택되는 적어도 하나의 금속, 특히 NiCr 합금으로 제조된다.
금속층은 그 아래층(subjacent layer)과의 전기적인 접촉이 있다는 것이 확실하므로 바람직하다. 금속층은 공지된 방법으로 적당한 금속 타깃(target)을 사용해서 스퍼터링(sputtering), 특히 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)에 의해 증착되거나 또는 이것이 보호하는 층과 같은 전해에 의해 증착될 수 있다.
또한 본 발명의 주제는 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판 위에 구리 및/또는 은에 기초한 금속층을 전해적으로 증착하는 방법으로, 선택적으로는 특히 불순물이 첨가된 산화 금속으로 제조된 투명 전기 전도층, 특히 상술된 타입으로 제조된 투명 전기 전도층으로 미리 도포된다. 기판의 표면이 충분히 전도성 있도록 도포하고, 적어도 미리 텅스텐 또는 몰리브덴에 기초한 금속층을 본 금속의 전구물질 및 상술되었던 환원제에 의한 화학 증기 증착에 의해 도포시킴으로써, 전해가 실행될 수 있다.
그러므로 본 발명의 W 또는 Mo층은 전해 방법의 모든 이점을 사용할 수 있도록 하고, 이러한 방법은 마이크론-두께의 층을 증착하는데 매우 적합하다. 게다가 전해적으로 증착된 층들은, 일반적으로 스퍼터링 타입의 진공 증착 기술에서 직면할 수 있는 핀홀 타입(pinhole type)의 결점을 포함하지 않는다. 또한 이러한 방법의 비용은 진공 증착 방법보다 훨씬 저렴하다. 또한, 전해 배쓰에 기판을 담그기 전 기판의 적절한 선택적 매스킹(masking)에 의해, 바람직한 패턴의 층들은 증착과 분리된 에칭 단계 없이 직접 얻어질 수 있다.
증착 후, 상기 언급된 층 중 적어도 하나는, 특히 전극을 형성하기 위해 구현된 응용에 대해 한정된 패턴으로 에칭될 수 있다.
또한 본 발명의 주제는 유리, 또 다른 세라믹 또는 유리-세라믹 기판과 같이 견고하고 투명 기판인데, 특히 화학 증기 증착에 의해 증착된 텅스텐 및/또는 몰리브덴에 기초한 금속층을 포함하는 층 및, 다음으로 특히 전해에 의해 증착될 수 있는 구리 및/또는 은에 기초한 금속층이 제공된다. 이러한 것들은 상술된 방법에 의해 얻어지는 기판일 수 있다.
또한 열분해 이외의 증착 기술에 의해 W 및/또는 Mo 층을 증착시키는 것은 본 발명의 범위내이다. 특히 이러한 것은 스퍼터링 타입, 선택적으로 마그네트론 스퍼터링의 진공 증착 기술일 수 있다. 특히 이 경우에, 구현된 기판은 더 이상 무기 기판(inorganic substrate)이 아니라 폴리메틸 메타크릴레이트 PMMA로 제조되거나 또는 폴리카보네이트(polycarbonate)로 제조된 견고하고 투명 기판과 같은, 하나 이상의 중합체에 기초한 유기 기판이다.
상술된 바와 같이 상기 기판에는, 특히 W-기초 또는 Mo-기초 금속층 아래에 있는 다른 작용층(functional layer)이 제공된다. 예를 들어, 이러한 것은 상술된 바와 같이 불순물이 첨가된 산화 금속 타입의 투명 전기 전도층일 수 있다. 사실상, 방출 스크린을 위한 제조 기술에서, 구리- 또는 은-타입의 금속 전극 아래, 특히 "전(前)"면 위에 에칭에 의해 얻어지지만 투명 전도층에 기초하는 다른 일련의 전극을 제공하는 것이 공지되어 있다. 근본적으로 이들의 역할은, 전면과 후면의 마주보는 2개의 전극 사이에서 스트라이크 전압(strike voltage)을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 2개의 유리 패널 사이의 플라즈마 방전(plasma discharge)을 균질하게 만드는 것이다. 이러한 전기 전도층은 열분해적으로 증착될 뿐만 아니라 스퍼터링, 특히 특별한 금속 합금으로 제조된 타깃을 사용해서 산화 조건에서의 반응 스퍼터링(reactive sputtering)에 의해 증착될 수 있다. 이것의 두께는 최소 50nm 및 특히 최대 500nm로 선택되는 것이 바람직하다. F:SnO2의 경우에는 100nm 내지 400nm이고, ITO의 경우에는 50nm 내지 120nm인 것이 바람직하다.
또한 은-기초 또는 구리-기초 층에는, 크롬 Cr, 니켈 Ni, 티타늄 Ti, 탄탈륨 Ta, 니오븀 Nb, 팔라듐 Pd 및 지르코늄 Zr을 포함하는 그룹에 속하는 적어도 하나의 금속에 기초하는 보호층이 제공된다. 특히, 이러한 것은 NiCr 합금 또는 강철 타입의 합금, 또는 크롬 합금이다. 이것의 두께는 적당한 것이 바람직하다: 이것은 최소 10nm 내지 최대 300nm인 것이 특히 바람직하고, 30nm 내지 200nm로 선택되는 것이 바람직하다. 이것은, 두께가 이것의 보호 역할을 달성하기 위해서는 충분히 두꺼워야 하지만, 단지 비용과 증착 시간 때문이라면 제한되어야 하기 때문이다.
W 또는 Mo 층의 두께는 최소 30nm, 특히 최대 500nm인 것이 바람직하고, 50nm 내지 300nm, 예를 들어 70nm 내지 130nm인 것이 바람직하다. 여기에서, 두께는 전해를 실행하는데 필요한 전도성 수준에 의해 결정되고, 이 수준은 특히 10 ohms/□ 이하의 표면 저항에 해당하는, 약 5×10 ohms.cm의 저항도(resistivity)로 평가될 수 있다.
구리 또는 은층에 대해서, 이것의 두께는 일반적으로 0.1 내지 10 μm, 예를 들어 0.5 내지 5 μm, 특히 1.5 내지 3 μm이다.
본 발명의 명세서 내에서, "층"이라는 용어는 일반적으로, 직접 또는 다른 층/작용재를 통해 기판을 도포하고, 최종 제품에서 사용되기 전에 연속적으로 변환되도록 의도될 수 있는 연속적인 코팅을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 그러므로, 여기에서 W, Mo 및 Cu 또는 Ag에 기초한 금속층들은 전극으로 작용하기 위해 연달아 에칭될 수 있다. 만일 이러한 층이 존재한다면, 이와 동일한 것이 이것의 보호층과 불순물이 첨가된 산화 금속층에 적용된다. 그러므로, 본 발명은 전극이 여전히 연속층의 형태로 있는 절반 완성된 "중간(intermediate)" 제품에 적용될 뿐만 아니라, 전극이 원하는 패턴으로 있는 "완성(finished)" 제품에도 적용된다.
물론, 예를 들어 증착 작업 중에 적절한 매스크(mask)를 사용해서, 층을 직접 불연속적인 형태로 증착하는 것도 또한 생각할 수 있다.
상술된 기판의 응용은 상당히 다양하고 다수의 전환 단계(conversion step)를 포함한다. 그러므로, 만일 유리-타입 기판이 방출 스크린의 전면으로 사용되도록 의도된다면, 유리하게도 이것은 기판을 도포하도록 배열될 수 있고, 일단 에칭 작업(들)이 완료되면 보호 코팅은 유전재에 기초한 층, 특히 저용융점을 갖는 PbO 타입의 층, 또는 PbO를 포함하거나 포함하지 않을 수 있는 여러 산화물의 혼합물에 기초한 적어도 하나의 층을 포함한다.
한편, 유리-타입 기판이 오히려 방출 스크린의 후면으로 사용되도록 의도된다면, 이것의 에칭층(etched layer)이 제공되는 기판은 적어도 부분적으로 하나 이상의 인광체 코팅으로 연달아 도포된다.
본 발명에 따른 기판은, 이것이 오히려 방출 스크린의 후면으로 사용되도록 여전히 의도된다면, 일반적으로 저용융점을 갖는 유리, 특히 PbO에 기초한 유리로 제조된 벽에 의해 서로 분리된 픽셀(pixel)로 "구분되는(compartmentalized)"것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 텅스텐 또는 몰리브덴 층들은, 기판을 작용시키기 위해 기판상에서 단독으로 사용될 수 있다. 그러므로, 유리-타입의 투명 기판에서 이러한 층들은, 열 보호 글레이징(thermal protection glazing)을 제조하기 위해 열 방사 범위(thermal radiation range)에서, 또는 적당한 수준의 광 투과성(light transmission)를 갖는 글레이징(빌딩 또는 운송수단을 위한 글레이징)을 제조하기 위해 가시 범위(visible range)에서, 기판에 반사 특성(reflection property)을 제공한다.
또한 층들은 글레이징을 거울로 전환할 수도 있다. 또한 이와 동일한 응용은, 이러한 층들이 구리 또는 은층과 결합되고 선택적으로 보호층과 결합될 때 구현될 수 있다.
텅스텐 또는 몰리브덴 층들은 어디에서 전극 또는 전류 리드가 요구되던 간에 보다 일반적으로 사용될 수 있고, 또 선택적으로 구리 또는 은층과 결합될 수 있다. 그러므로, 층들은 안개방지(anti-fogging)/서리방지(anti-frosting) 가열 창(운송수단에 설치된 창) 또는 요리 기구에 사용되는 유리-세라믹 플레이트(glass-ceramic plate), 또는 심지어 가열 거울을 형성하기 위한 저항 가열 성분(resistance heating element)으로 사용될 수 있다. 물론, W/Mo 층의 두께는 층의 응용에 따라 달라질 수 있고, 만일 층이 주 작용을 갖는 기판을 제공한다면 더 두꺼운 층이 도포될 수 있다.
이제 본 발명은, 다음 도면에 의해 도시되는 비제한적인 실시예에 의해 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 플라즈마 스크린(plasma screen)의 작동 원리를 도시하는 다이어그램.
도 2는 스캐닝 전자 현미경으로 찍힌, 본 발명에 따른 텅스텐 층의 사진.
본 발명에 따른 기판의 한 가지 특히 유익한 용도는, 유리 기판을 사용하는 평면-플라즈마-스크린 타입의 방출 스크린에 대한 것이다. 도 1은 이러한 스크린 픽셀의 부분 측면도를 도시함으로써, 플라즈마 스크린이 작용하는 방식을 도식적으로 상기시킨다.
이러한 스크린(1)은 서로 마주보게 하기 위해 설치된 2개의 유리 기판(2와 3)을 포함한다. 기판(3)은 스크린의 전면이 되도록 의도된다. 이것은 구리층(6)과 다음으로 니켈층(7)이 코팅된 텅스텐층(5)으로 도포된 F:SnO2(투명 전극을 형성하는)으로 제조된 에칭층(4)을 갖는다. 이러한 전도층은 "주(main)" 전극을 형성한다. F:SnO2층(4)은 제 1 패턴으로 에칭되고, W/Cu/Ni 층들은 동일하게 제 2 패턴으로 에칭된다. 층 스택(stack)(4 내지 7)은, 예를 들어 PbO 인 저용융점 산화물로 제조된 층(8)을 포함하는 보호 코팅으로 도포되고, 이것은 그 자체가 MgO로 제조된 보호층(9)으로 코팅된다.
기판(2)은 스크린의 후면이 되도록 의도된다. 이것은 니켈층(7')이 제공된 구리층(6')으로 코팅된 텅스텐층(5')을 갖는다. 이것은 전면의 전극에 대해 "어드레스(address)" 전극으로 작용한다. 3개의 모든 층들은 동일한 패턴으로 에칭된다.
층들은 인광체 코팅(10)으로 도포된다. 일반적으로 컬러 플라즈마 스크린(colour plasma screen)의 경우에 사용되는 인광체는, 녹색을 얻기 위해서는 Zn2SiO4, 파랑색을 얻기 위해서는 Eu:BaMgAl14O22및 빨강색을 얻기 위해서는 Eu:Y2O3이다.
각 픽셀은, 예를 들어 PbO-기초 유리로 제조된 유리 프릿(glass frit)으로부터 형성된 벽(11)에 의해 서로 분리된다.
2개의 기판(2, 3) 사이에 생긴 공간(12)은 기체, 예를 들어 네온(neon)과 제논(xenon)의 혼합물로 충진된다. 사용상, 이러한 기체 혼합물은 Xe+과 Ne+이온을 포함하는 플라즈마 방전(13)을 얻기 위해, 전극(5,6,7)과 전극(5',6',7') 사이에 전압을 걸어줌으로써 여기될 수 있다(excited). 이러한 이온들은 인광체(10)를 여기시키는 대략 145nm의 파장을 갖는 UV 광자(photon)(14)를 방출하고, UV 광자는 여기 에너지를 빨강, 초록 또는 파랑 가시광으로 전환시킨다.
근본적으로 본 발명은 전극(4 내지 7)과 전극(5' 내지 7')에 관한 것이다. 전면(3)과 후면(4) 모두에 대한 이들의 제조는, 다음의 방식으로 실행된다: 3mm 두께의 유리 기판(2,3)은, 예를 들어 특허 WO 96/11887에 기술된 것으로부터 선택되는 화학 조성물을 갖고, 이것은 방출 스크린(일반적으로 1.5mm 내지 3mm의 두께 범위를 갖는 기판이 선택될 수 있다)에 적합하다.
▶ 전면에 대해:
▶ 일차적으로, F:SnO2층(4)은, 공지된 방법으로 MBTCl(모노부틸틴 트리클로라이드) 타입의 금속 전구물질과 플루오르아세트산 타입(fluoroacetic acid type)의 플루오르화된(fluorinated) 전구물질(상술된 특허에서 기술된 바와 같은)을 사용해서, 플로팅 챔버 내의 플로트 유리 리본에 CVD에 의해 연속 증착된다. 층은 300nm의 두께로 증착된다.;
▶ 여전히 플로팅 챔버 내에서, 텅스텐 층은 WCl6으로부터의 CVD와 수소로부터의 CVD에 의해 적당한 비율로 증착된다. 50nm 내지 200nm의 두께가 선택될 수 있다. 예를 들어, 여기에서 150nm의 층이 증착된다. 증착은 바람직하게 610℃ 내지 630℃의 유리 온도에서 실행된다. 사용된 장치는, 상기의 F:SnO2층을 증착시키는데 사용되는 것과 유사한, 종래의 것이다. 고체 형태의 WCl6전구물질은, 증착 전에 7mm의 수은 증기압에서 약 200℃로 가열된 밀봉 챔버(sealed chamber)로 주입된다. 다음으로, 상기 챔버에는 부피 비율이 약 90/10인 N2/H2기체 혼합물의 흐름이 흘러가고, 이 흐름은 WCl6이 증착 장치 내에서 금속 W으로 환원되지 못하도록 방지하기 위해 350℃ 미만으로 유지되는 온도에서, 승화된(sublimed) WCl6증기가 많아지게 된다. WCl6과 비교하면, 수소는 기체 흐름에 충분히 있고, 이것이 전달 노즐(delivery nozzle)로 공급된다. 도 2는 필드-효과 스캐닝 전자 현미경 검사(field-effect scanning electron microscopy)에 의해 분석되는 텅스텐 층의 단면을 도시한다: 층은 이것의 두께에 대해 얽힌 막대(entangled rod)(약 40×500nm2)로 구성되는 것으로 보일 수 있다. 층은 몇몇 경우에 소량의 확인 가능한 산화물(WO3및 H0.23WO3)을 갖는 금속 텅스텐으로 대부분 구성되었다는 것이 X-선 회절법에 의해 도시되어 왔다;
▶ 유리 리본은 일단 라인의 단부에 있으면 잘려지고 적절한 방법으로 처리된다.
그 다음에 F:SnO2와 W 층으로 코팅된 기판은, 예를 들어 1μm 내지 2μm의 두께로 텅스텐 층의 상부에 구리층을 증착하고자 하는 목적으로 전해를 거친다. 전해는 공지된 방법으로 pH 1의 동판 용액(copperplating solution)을 함유하는 전해 배쓰에서 실행된다. 예를 들어, 동판 용액은 다음 방법으로 제조된다: 210그램의 CuSO4.5H2O, 상대 밀도 1.88의 H2SO427ml 및 선택적으로 여러 알려진 참가제가 탈이온수(deionized water) 1리터 기준으로 첨가된다.
텅스텐이 없을 경우, 300nm 두께의 F:SnO2층은 약 20 ohms/□의 표면 저항을 갖는데, 이것은 구리 용액이 만족스럽게 전해되도록 하는데 충분하지 못하다: 구리는 비균질적으로 증착되고 요구되는 두께와 요구되는 품질 모두를 갖지 못한다. 한편, 텅스텐 층을 삽입하는 것은 최대 10 ohms/□인 기판의 표면 저항을 얻을 수 있도록 한다.
텅스텐 두께와 증착 조건에 따라, 텅스텐 층은 약 2 내지 8 ohms/□의 표면 저항을 갖고, 이에 상응하는 저항도는 10-5내지 5×10-5ohms.cm이다: 이러한 전기적 특성은 보다 나은 조건에서 구리가 전해적으로 증착될 수 있도록 하고, 얻어진 구리층은 텅스텐 층에 강하게 부착되며, 이것은 완전히 연속적이고 일반적으로 300 nm 내지 1 μm의 크기를 갖는 그레인으로 구성된다. 증착 조건(배쓰의 성질, 전류 밀도, 첨가제의 존재, 온도)은, 전해적으로 층을 증착하는 기술에서 공지된 바와 같이, 어느 정도 구리층의 형태(morphology)를 조절할 수 있도록 한다. 전해는 종래와 같이 실행되고, 음극(cathode)은 F:SnO2와 W 층으로 이미 코팅된 유리로 구성되며, 양극(anode)은 음극과 동일한 표면적을 갖는 구리판(copper plate)으로 제조된 소모되는 양극이다. 2개의 전극은 약 3cm의 거리만큼 분리되어 서로 마주보게 하기 위해 전해 용액에 담겨진다. 전기 공급이 안정화된다. DC 전류 또는 펄스 전류를 사용하는 것이 가능하다. 선택된 전류 밀도는 약 33mA/cm2(그러나 이것은 다르게, 특히 더 큰 선택, 예를 들어 1 A/cm2까지 선택될 수 있다)이다. 증착 시간은 요구되는 층 두께와 선택된 전류 밀도에 따라 변경된다. 여기서, 약 1.8 μm 두께의 구리층을 얻기 위해서, 약 100초가 필요하다.
구리층의 측정된 저항도는 2×10-6내지 4×10-5ohms.cm, 즉 벌크 구리(bulk copper)의 저항도와 가까운 값인 1.7×10-6ohms.cm으로, 그 층의 품질과 밀도의 증명이 된다.
W/Cu 이중층(bilayer)은, 이것이 유리 기판(3)의 노출면(bare face)과 동일한 면으로부터 관찰될 때, 검은 금속성 외양을 가질 수 있다는 것이 밝혀져 왔다. 이러한 검게 보이는 것(blackening)은, 이것이 스크린에 의해 얻어진 영상의 콘트래스트(contrast)를 증가시키고, 반면에 구리 표면에서 주변광(ambient light)의 광반사를 방지하거나 또는 최소한도로 제한한다는 점에서 장점으로 밝혀져 왔다:
▶ 다음으로, 100nm 니켈층이 공지된 방법으로 니켈 타깃을 이용하여 마그네트론 스퍼터링에 의해 구리층에 증착된다;
▶ 다음으로, F:SnO2층이 제 1 패턴으로 에칭되고, W/Cu/Ni 층들은 염기 또는 산성 매질에서 전자기학 분야에 공지된 어떠한 에칭 방법에 의하거나, 또는 1999년 2월 22일 출원번호 제 99.400427.3호로 출원된 유럽 특허 출원서에서 설명된 바와 같은, 잉크 제트에 의한 프린트 기술을 사용하여 증착된 열-용융성 잉크(heat-meltable ink)에 기초한 매스크를 가능하면 사용하는 플라즈마 에칭에 의해 제 2 패턴으로 에칭된다.;
▶ 다음에, 증착될 것이 있고, 공지된 방법으로 층(8)은 저용융점 산화물로 제조된다.
▶ 후면에 대해서:
▶ 텅스텐 층은 전면에 대한 동일한 방식으로 플로트 유리의 리본에 직접 증착되는데, 이 층은 120nm의 두께를 갖고 전면과 유사한 형태 및 동일한 전기적 특성을 갖는다;
▶ 다음으로, 구리층은 2μm 두께로 전해적으로 증착되고, 이 다음에 니켈층은 전면의 경우와 같이 110nm의 두께로 스퍼터링에 의해 증착된다. 구리층은 전면의 경우와 같이 동일한 품질 및 동일한 전기 성능 특징을 갖는다;
▶ 3개의 층들이 공지된 방법으로 동일한 패턴으로 에칭된다;
▶ 다음에 또 공지된 방법으로, 인광체 코팅이 증착되고, 이어서 벽은 후면을 픽셀로 분할하기 위해 유리 프릿(glass frit)으로 제조된다.
전면과 후면 모두를 형성하기 위해, F:SnO2층을 ITO 층으로 치환하고, 니켈층을 특히 NiCr 또는 Cr 층으로 치환하는 것이 가능하다.
적절한 매스크를 사용해서, 상층은 전해적으로 증착되면서 에칭될 수 있고, 따라서 전극 배열은 직접 생성된다.
니켈(또는 다른 금속)에 기초한 보호층은 또한 구리층의 전해 증착과 유사한 방식으로 전해적으로 증착될 수 있다.
구리층은 다른 매우 전도성이 높은 금속층(Ag, Au 등)으로 치환될 수 있다.
W 층을 에칭하기 위해서, 과산화수소와 수용액 암모니아의 혼합물에 기초한 화학적 에칭 용액이 사용될 수 있다. Cu 층을 에칭하기 위해, 페릭(Fe3+) 설페이트(ferric sulphate)를 포함하는 용액이 사용될 수 있다. 이러한 용액은 에칭될 금속에 특정적이다. 그러므로, 특별한 응용을 원한다면, Cu 층에 대해 하나의 패턴을 에칭하고 W(또는 Mo) 층에 대해서는 다른 패턴을 에칭하는 것이 가능하다.
예를 들어, W(또는 Mo) 층에 이어 구리층이 증착될 수 있어서, 다음에 양쪽 층 모두가 에칭될 수 있다. 또한 W (또는 Mo) 층을 증착하고 에칭하며, 다음으로 구리층을 직접 인접층 패턴에 증착하는 것이 가능하다.
제 2 방법은 에칭 단계 갖는 것을 피하고 구리층을 이것이 필요한 위치에만 전해적으로 증착하는 것이 가능한데, 즉 이 위치에는 에칭된 W 층의 패턴이 있어서 사용되는 구리의 양을 절약한다.
결론적으로, 본 발명에 따른 W(또는 Mo) 층들은 플로트 라인 위의 연속 증착에 아주 적합하다. 이것은 품질이 우수하고 전해적으로 증착된 상부 금속층의 제조에 유리하다. 이것은, 절연 기판 또는 적어도 전기적인 관점에서는 충분히 전도성이 없는 기판 위에 상대적으로 두꺼운 전극을 가질 필요가 있을 때, 이러한 매우 유리한 증착 모드를 사용하는 방법을 개시한다.
수반되는 어떠한 전해 증착에도 관계없이, 이러한 금속층들은 유리 기판에서 60 내지 65%의 광 반사 수준을 얻을 수 있도록 하고, 플로트 라인에서 직접 반사 글레이징 또는 거울을 연속 제조하는 방법을 개시한다.
또한 플로트 유리에서의 대기압 CVD 뿐만 아니라 이에 수반되는 작업, 특히 스퍼터링 또는 감압 CVD에 의해 동일한 기능을 생성하기 위해, 이러한 텅스텐 또는 몰리브덴 층들을 증착하는 것이 유리할 수 있고, 이 때문에 유기 중합체에 기초한 투명 기판과 같이 유리보다 내열성이 약한 기판을 사용하는 것이 가능하도록 한다.

Claims (22)

  1. 증착 방법에 있어서,
    금속 할라이드(metal halide) 형태 및/또는 유기금속 화합물 형태인 적어도 하나의 텅스텐 및/또는 몰리브덴 전구물질(precursor)에 의해, 그리고 수소 또는 실란(silane)과 같은 적어도 하나의 환원제(reducing agent)에 의해
    유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판(1) 위에 화학 증기 증착(chemical vapour deposition)에 의해서 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 적어도 하나의 층(3)을 증착하는 증착 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 증착은, 특히 플로팅 챔버(floating chamber) 내 플로트 라인(float line) 상의 유리 리본(ribbon of glass)에서 실행되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 텅스텐-기초 및/또는 몰리브덴-기초층(3)은 상기 유리에 직접 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 텅스텐-기초 및/또는 몰리브덴-기초층(3)은, ITO, F:SnO2, Sb:SnO2또는 Al:ZnO와 같은 불순물이 첨가된 산화 금속 타입(doped metal oxide type)의, 상기 기판(1)에 미리 증착된 적어도 하나의 다른 층(2)에 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 투명 전기 전도층(2)은 열분해적으로(pyrolytically), 특히 화학 증기 증착에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 층(3)은, 텅스텐 또는 몰리브덴과 다른 금속 또는 금속 합금, 특히 구리 또는 은으로 제조된 층(4)으로 적어도 부분적으로 도포되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 금속층(4)은, Ni, Cr, Ti, Ta, Nb, Pd, 및 Zr으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속으로 제조되는 금속 보호층(5)으로 적어도 부분적으로 도포되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  8. 선택적으로 이미 ITO, F:SnO2, Sb:SnO2또는 Al:ZnO 타입의 불순물이 첨가된 산화 금속에 기초한 투명 전기 전도층(2)이 제공된, 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판(1) 위에 구리 및/또는 은에 기초한 금속층을 전해적으로(electrolytically) 증착하는 방법에 있어서,
    상기 층(4)으로 도포될 상기 기판(1)의 표면은, 금속 할라이드 및/또는 유기금속 화합물 형태인 적어도 하나의 텅스텐 및/또는 몰리브덴 전구물질, 및 수소 또는 실란(SiH4)과 같은 적어도 하나의 환원제에 의한 화학 증기 증착에 의해서, 또는 스퍼터링 타입(sputtering type)의 진공 기술(vacuum technique)에 의해서 적어도 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 금속층을 미리 증착시킴으로써 충분히 전기적으로 전도성이 되어 전기분해(electrolysis)를 허용하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층 중 적어도 하나는 일단 상기 기판에 증착되면 에칭되는(etched) 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 W 또는 Mo 층이 에칭되고 다음에 상기 Cu 및/또는 Ag 층이 전해적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  11. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 W 또는 Mo 층 및 Cu 및/또는 Ag 층이 증착되고, 그 다음에 에칭되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  12. 제 8항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 W 층은 과산화수소와 수용액 암모니아의 혼합물을 포함하는 용액으로 에칭되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  13. 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판(1)에 있어서,
    화학 증기 증착, 특히 제 1항 내지 제 9항에 따른 방법에 따라 증착되는 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 금속층(3)이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
  14. 견고한 기판(rigid substrate)(1), 특히 유리, 세라믹, 유리-세라믹 또는 중합체 타입의 근본적으로 투명하고 견고한 기판에 있어서,
    특히, 화학 증기 증착 또는 상기 스퍼터링 타입의 진공 기술에 의해 증착되는, 텅스텐(W) 및/또는 몰리브덴(Mo)에 기초한 금속층(3)이 제공되고, 그 다음으로 특히 전해적으로 증착되는 구리 및/또는 은에 기초한 금속층(4)이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
  15. 제 13항 또는 14항에 있어서,
    상기 기판에는 상기 텅스텐-기초 및/또는 몰리브덴-기초 금속층(3) 밑에는, ITO, F:SnO2, Sb:SnO2또는 Al:ZnO 타입과 같은 상기 불순물이 첨가된 산화 금속의 투명 전기 전도층(2)이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 은-기초 및/또는 구리-기초 금속층(4)은 적어도 하나의 보호층(5), 특히 Ni, Cr, Ti, Ta, Nb, Pd 및 Zr 중 적어도 하나의 금속, 특히 NiCr 합금에 기초한 근본적인 금속층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판.
  17. 제 13항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 텅스텐-기초 또는 몰리브덴-기초층(3)의 두께는 최소 30nm, 특히 최대 500nm, 바람직하게는 50nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 기판.
  18. 제 14항에 있어서, 상기 구리-기초 및/또는 은-기초층(4)의 두께는 최소 0.1μm, 특히 최대 10μm, 바람직하게 0.5 내지 5μm인 것을 특징으로 하는, 기판.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 투명 전기 전도층(2)의 두께는 최소 50nm, 특히 최대 500nm, 만일 F:SnO2층이면 바람직하게 100nm 내지 400nm이고, ITO 층이면 50nm 내지 120nm인 것을 특징으로 하는 기판.
  20. 제 16항에 있어서, 상기 보호층의 두께는 최대 300nm, 특히 최소 10nm, 바람직하게 30nm 내지 200nm로 선택되는 것을 특징으로 하는 기판.
  21. 제 13항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 제공되는 층들(2, 3, 4, 5) 중 적어도 하나는 불연속적인 방식으로, 특히 전극을 형성하고자 에칭되거나 또는 증착되는 것을 특징으로 하는 기판.
  22. 거울의 제조, 태양 보호 글레이징(solar protection glazing)의 제조, 가열 창 또는 가열된 거울 타입의 전극이 제공되는 기판의 제조 및 평면-스크린 타입의 방출 스크린을 제조하기 위해 사용되는 기판의 제조에 응용되는, 1항 내지 12항 중 어느 한 항에 기재된 응용 방법 또는 제 13항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 기재된 응용 기판.
KR1020000036035A 1999-06-30 2000-06-28 유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 기판 위에 텅스텐-기초및/또는 몰리브데늄-기초 층의 증착 방법, 및 이와 같이코팅된 기판 KR20010049650A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009029733A2 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Life Biosciences, Inc. Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
KR20190051134A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 한국원자력연구원 은거울 및 이의 제조방법

Families Citing this family (365)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2795745B1 (fr) * 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
EP2094400A2 (en) * 2006-11-15 2009-09-02 Aculon, Inc. Coated substrates, organometallic films and methods for applying organometallic films to substrates
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
EP2549191B1 (de) 2011-07-19 2013-09-11 Paul Baltes Natursteinheizkörper
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) * 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
EP3140838B1 (en) 2014-05-05 2021-08-25 3D Glass Solutions, Inc. Inductive device in a photo-definable glass structure
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
JP6391355B2 (ja) * 2014-08-11 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10070533B2 (en) 2015-09-30 2018-09-04 3D Glass Solutions, Inc. Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN105618712B (zh) * 2015-12-29 2018-01-12 周玉成 一种氧化物陶瓷增强钢铁基复合材料及其制备方法
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
WO2017147511A1 (en) 2016-02-25 2017-08-31 3D Glass Solutions, Inc. 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
WO2017177171A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102572271B1 (ko) * 2017-04-10 2023-08-28 램 리써치 코포레이션 몰리브덴을 함유하는 저 저항률 막들
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102420212B1 (ko) 2017-04-28 2022-07-13 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 Ｒｆ 서큘레이터
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US11342896B2 (en) 2017-07-07 2022-05-24 3D Glass Solutions, Inc. 2D and 3D RF lumped element devices for RF system in a package photoactive glass substrates
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) * 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
EP3724946B1 (en) 2017-12-15 2024-04-17 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate rf filter
AU2018399638B2 (en) 2018-01-04 2021-09-02 3D Glass Solutions, Inc. Impedance matching conductive structure for high efficiency RF circuits
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019146636A1 (ja) * 2018-01-23 2019-08-01 日本板硝子株式会社 被膜付き基板及び被膜付き基板の製造方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP6888105B2 (ja) 2018-04-10 2021-06-16 スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ Ｒｆ集積電力調整コンデンサ
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
KR102475010B1 (ko) 2018-05-29 2022-12-07 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 저 삽입 손실 rf 전송 라인
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102322938B1 (ko) 2018-09-17 2021-11-09 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 접지면을 갖는 고효율 컴팩트형 슬롯 안테나
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN113195783A (zh) * 2018-12-19 2021-07-30 恩特格里斯公司 在还原共反应剂存在下沉积钨或钼层的方法
KR102392858B1 (ko) 2018-12-28 2022-05-03 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 환상형 커패시터 ｒｆ, 마이크로파, 및 ｍｍ 파 시스템들
WO2020139951A1 (en) 2018-12-28 2020-07-02 3D Glass Solutions, Inc. Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2022523689A (ja) 2019-01-28 2022-04-26 ラム リサーチ コーポレーション 金属膜の蒸着
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20210147040A (ko) 2019-04-05 2021-12-06 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 유리 기반의 빈 기판 집적 도파관 디바이스
CA3136642C (en) 2019-04-18 2023-01-03 3D Glass Solutions, Inc. High efficiency die dicing and release
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
US10971455B2 (en) * 2019-05-01 2021-04-06 Qualcomm Incorporated Ground shield plane for ball grid array (BGA) package
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110482873A (zh) * 2019-09-19 2019-11-22 金陵科技学院 金属膜在提高玻璃基底的软化温度中的应用
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
EP4121988A4 (en) 2020-04-17 2023-08-30 3D Glass Solutions, Inc. BROADBAND INDUCTOR
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3785851A (en) * 1971-07-01 1974-01-15 Dart Ind Inc Hot end coating device
JPS5212049A (en) * 1975-07-15 1977-01-29 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Recording and reproducing unit for games
GB1516032A (en) * 1976-04-13 1978-06-28 Bfg Glassgroup Coating of glass
NO157212C (no) * 1982-09-21 1988-02-10 Pilkington Brothers Plc Fremgangsmaate for fremstilling av belegg med lav emisjonsevne.
US4731462A (en) * 1986-07-18 1988-03-15 M&T Chemicals Inc. Organotin compounds containing fluorine useful for forming fluorine-doped tin oxide coating
JP2799875B2 (ja) * 1989-05-20 1998-09-21 株式会社リコー 液晶表示装置
US4995942A (en) * 1990-04-30 1991-02-26 International Business Machines Corporation Effective near neutral pH etching solution for molybdenum or tungsten
US5377045A (en) * 1990-05-10 1994-12-27 The Boc Group, Inc. Durable low-emissivity solar control thin film coating
FR2677639B1 (fr) * 1991-06-14 1994-02-25 Saint Gobain Vitrage Internal Technique de formation par pyrolyse en voie gazeuse d'un revetement essentiellement a base d'oxygene et de silicium.
US5177299A (en) * 1991-12-30 1993-01-05 Uop Recovery of high octane components from isomerates
TW221703B (ko) * 1992-03-04 1994-03-11 Boc Group Inc
JP3415207B2 (ja) * 1992-07-24 2003-06-09 東京エレクトロン株式会社 化学気相成長による金属薄膜形成方法
FR2704545B1 (fr) * 1993-04-29 1995-06-09 Saint Gobain Vitrage Int Vitrage muni d'une couche fonctionnelle conductrice et/ou basse-émissive.
JPH07283219A (ja) * 1994-04-13 1995-10-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法および半導体装 置の製造装置
US5792327A (en) * 1994-07-19 1998-08-11 Corning Incorporated Adhering metal to glass
FR2744116B3 (fr) * 1996-01-31 1998-03-13 Eurokera Substrat destine a equiper un dispositif de cuisson et/ou de maintien en temperature
JPH09245652A (ja) * 1996-03-13 1997-09-19 Dainippon Printing Co Ltd プラズマディスプレイパネルの電極及びその形成方法
JPH1020319A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Canon Inc 配線基板、配線基板の製造方法、該配線基板を用いた液晶素子及び該液晶素子の製造方法
JP3492204B2 (ja) * 1997-08-13 2004-02-03 富士通株式会社 表示装置用電極及びその製造方法
US5904555A (en) * 1998-02-02 1999-05-18 Motorola, Inc. Method for packaging a semiconductor device
US6236440B1 (en) * 1998-07-22 2001-05-22 U.S. Philips Corporation Display device in which one of the two electrodes of a pixel is coated with a dipole material to equalize the electrode work functions
JP4306877B2 (ja) * 1999-05-31 2009-08-05 日本板硝子株式会社 表面に凹凸を有するガラス板の製造方法
FR2795745B1 (fr) * 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009029733A2 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Life Biosciences, Inc. Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
WO2009029733A3 (en) * 2007-08-28 2009-04-23 Life Biosciences Inc Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
KR20190051134A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 한국원자력연구원 은거울 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1065179B1 (fr) 2009-03-11
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