KR19990083495A - 건다이오드,엔알디가이드건발진기와그제조방법및실장구조 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 반도체 기판상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 순차 적층된 건 다이오드에 있어서,전기 제2 반도체층상에 배치되고 전기 활성층에 전압을 인가하기 위한 제1, 제2 전극과,그 제1 전극의 주위에서 전기 제2 반도체층 및 전기 활성층을 향해 깍아 내고, 또한 전기 제1 전극이 접속되는 전기 제2 반도체층 및 전기 활성층을 건 다이오드로 기능시키는 영역으로 구획하는 오목부를 갖춘 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 전기 제2 전극과 제1 반도체층과의 사이를 단락하는 도전성막을 전기 오목부 내에 설치한 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 전기 제1, 제2 전극이 기재 전극층과 그 기재 전극층에 연속하고 상면이 거의 같은 레벨의 높이로 형성된 도전성 돌기부로 구성되는 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1, 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 전기 제1 전극의 전기 도전성 돌기부를 대략 중앙부에 형성하고, 그 양쪽에 전기 제2 전극의 도전성 돌기부를 형성한 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1, 2, 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 전기 제1 전극의 면적을 전기 제2 전극의 면적의 1/10 이하로 설정한 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1, 2, 3, 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 전기 제1 전극 및 전기 제1 전극의 주위에서 깎아낸 전기 오목부가 2개 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1, 2, 3, 4, 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 전기 반도체 기판, 전기 제1 반도체층, 전기 활성층 및 제2 반도체층이 갈륨비소, 인듐인 등의 화합물 반도체로부터 되는 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1, 2, 3, 4, 5, 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 전기 제2 전극에 연속하는 전기 제2 반도체층 및 전기 활성층을 단일의 반도체층 또는 도체층으로 치환한 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 제 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 전기 반도체 기판의 이면에 제3 전극을 설치하고, 그 제3 전극과 전기 제1 전극을 전기 활성층에의 전압 인가용으로 하고, 전기 제2 전극을 스페이서용으로 대신한 것을 특징으로 하는 건 다이오드.
- 반도체 기판상에 제1 콘택트층으로 되는 제1 반도체층과, 활성층과, 제2 콘택트층으로 되는 제2 반도체층을 순차로 적층 형성하는 제1 공정과,전기 제2 콘택트층상에 소정 형상의 제1, 제2 전극을 형성하는 제2 공정과,전기 제1, 제2 전극을 마스크로 하여 드라이에칭에 의하여 전기 제2 반도체층 및 활성층을 제거하는 제3 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 전기 제2 공정이 소정 형상의 전기 제1, 제2 전극용 기재 전극층을 형성한 후에, 그 기재 전극층상에 거의 같은 높이의 도전성 돌기부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 제조 방법.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 전기 반도체 기판, 전기 제1 반도체층, 전기 활성층 및 전기 제2 반도체층이 갈륨비소, 인듐인 등의 화합물 반도체로 되는 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 제조 방법.
- 반절연성의 평판 기판의 표면에 신호전극을 형성하고, 이면에 접지전극을 형성한 마이크로 스트립 선로의 그 표면에, 전기 이면의 접지전극에서 비어홀을 개재하여 접속되는 표면 접지전극을 형성하고,전기 신호전극과 전기 표면 접지전극에 청구항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8에 기재한 건 다이오드의 제1, 제2 전극을 각각 접속 탑재하여 구성한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 반절연성의 평판 기판의 표면에 신호전극 및 1쌍의 접지전극을 형성한 동일 평면상 선로의 그 신호전극과 그 접지전극에 청구항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8에 기재한 건 다이오드의 제1, 제2 전극을 각각 접속 탑재하여 구성한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서. 전기 신호전극의 일단이 전기 건 다이오드의 제1 전극이 접속된 개소에서 길이 L로 개방하고, 그 길이 L의 제1 전극 부분을 공진기로 작용시켜서 그 길이 L에 따라 발진주파수를 결정하도록 한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 절연성 기판으로 되는 히트 싱크에 제4, 제5 전극을 형성하고, 전기 청구항 9에 기재된 전기 건 다이오드의 제1 전극을 전기 히트 싱크의 제4 전극에 직접 접속 탑재하고, 전기 건 다이오드의 제2 전극을 전기 히트 싱크의 제5 전극에 직접 접속 탑재한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 반절연성의 평판 기판의 표면에 신호전극을 형성하고, 이면에 방열기대를 겸하는 접지전극을 형성한 마이크로 스트립 선로에, 표면에서 이면의 접지전극에 이르는 구멍을 형성하고, 그 구멍 내에서 전기 청구항 16에 기재된 히트 싱크의 제5 전극을 전기 접지전극에 접속하고, 전기 청구항 16에 기재된 건 다이오드의 제3 전극을 전기 마이크로 스트립 선로의 신호전극에 도전선으로 접속한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 제 13, 14, 15, 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 전기 신호전극, 전기 접지전극 및 전기 건 다이오드에 의하여, 혹은 이것에 유전체 공진기를 부가하므로써 소정 주파수로 발진하는 발진회로를 구성한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 제 18 항에 있어서, 전기 신호전극 내의 전기 발진회로의 전극으로 기능하는 부분을, 적어도 일부가 도체의 평판 기판에 의하여 피복되고, 그 평판 기판의 그 도체 부분을 전기 접지전극에 접속한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 제 13, 14, 15, 16, 17, 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 전기 마이크로 스트립 선로 또는 동일 평면상 선로의 평판 기판의 비저항을 106Ω·㎝ 이상으로 하고, 열전도율을 140 W/mk 이상으로 한 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 제 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 항 또는 제 20 항에 있어서, 전기 마이크로 스트립선로 또는 동일 평면상 선로의 평판 기판이 AlN, Si, SiC, 또는 다이아몬드 중의 적어도 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 건 다이오드의 실장구조.
- 2장의 금속판으로 되는 평행 평판을 사용 주파수의 자유공간 파장의 1/2 이하의 간격으로 배치하고, 그 평행 평판 사이에 유전체 스트립 선로를 끼운 NRD 가이드 회로와 건 다이오드를 조합하여 되는 NRD 가이드 건 발진기에 있어서,신호 선로에 접속된 신호전극 및 그 신호전극에 대하여 절연된 접지전극이 표면에 형성된 절연성 또는 반절연성의 평판 기판과,동일 면에 애노드 전극 및 캐소드 전극이 형성되고, 그 양전극의 한쪽이 전기 평판 기판의 신호전극에 접속되고, 다른 쪽이 전기 접지전극에 접속된 건 다이오드와,전기 평판 기판의 이면을 전기 평행 평판의 한쪽에 대하여 지지하는 히트 싱크를 구비하고,전기 평판 기판의 전기 신호 선로의 선단을 전기 유전체 스트립 선로에 전자적으로 결합시킨 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 22 항에 있어서, 전기 건 다이오드가 접속 탑재된 전기 평판 기판이 전기 평행 평판에 대하여 평행이고, 또한 전기 신호 선로가 전기 유전체 스트립 선로에 대하여 수직방향으로 전자적으로 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 22 항에 있어서, 전기 건 다이오드가 접속 탑재된 전기 평판 기판이 전기 평행 평판에 대하여 평행이고, 또한 전기 신호 선로의 전자파 진행방향이 전기 유전체 스트립 선로의 전자파 진행방향과 동일하고, 전기 신호 선로가 전기 유전체 스트립 선로의 기단부와 전자적으로 결합하고 있는 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서, 전기 건 다이오드가 접속 탑재된 전기 평판 기판의 자세를, 전기 평행 평판에 대하여 평행에서 수직으로 바꾼 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 22, 23, 24 항 또는 제 25 항에 있어서, 전기 신호 선로가 서스펜디드 선로, 마이크로 스트립 선로 또는 동일 평면상 선로인 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 22, 23, 24, 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 전기 평판 기판이 이면에 접지용 전극을 가지고, 그 접지용 전극과 전기 접지전극이 비어홀로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 2장의 금속판으로 되는 평행 평판을 사용 주파수의 자유공간 파장의 1/2 이하의 간격으로 배치하고, 그 평행 평판 사이에 유전체 스트립 선로를 끼운 NRD 가이드회로와 건 다이오드를 조합하여 되는 NRD 가이드 건 발진기에 있어서,신호 선로의 양단에 접속된 2개의 신호전극 및 각각의 신호전극에 대하여 절연된 접지전극이 표면에 형성된 절연성 또는 반절연성의 평판 기판과,동일 면에 애노드 전극 및 캐소드 전극이 형성되고, 그 양전극의 한쪽이 전기 평판 기판의 신호전극에 접속되며, 다른 쪽이 전기 접지전극에 접속된 2개 이상의 건 다이오드와,전기 평판 기판의 이면을 전기 평행 평판에 대하여 지지하는 히트 싱크를 구비하고,전기 평판 기판의 전기 신호 선로의 대략 중앙을 전기 유전체 스트립 선로에 전자적으로 결합시킨 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 28 항에 있어서, 전기 신호 선로의 길이가 그 신호 선로내 파장의 거의 1/2 이거나 그 정수배인 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 전기 건 다이오드가 접속 탑재된 전기 평판 기판이 전기 평행 기판에 대하여 수직이고, 전기 신호 선로의 대략 중앙을 전기 유전체 스트립의 종단부와 전자적으로 결합시킨 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 30 항에 있어서, 전기 건 다이오드가 접속 탑재된 전기 평판 기판의 자세를 전기 평행 평판에 대하여 수직에서 평행으로 바꾼 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 28, 29, 30 항 또는 제 31 항에 있어서, 전기 신호 선로가 서스펜디드 선로 또는 마이크로 스트립 선로 혹은 동일 평면상 선로인 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
- 제 28, 29, 30, 31 항 또는 제 32 항에 있어서, 전기 평판 기판이 이면에 접지용 전극을 가지고, 그 접지용 전극과 전기 접지전극이 비어홀에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 NRD 가이드 건 발진기.
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