JPH10190013A

JPH10190013A - ダイオード装置

Info

Publication number: JPH10190013A
Application number: JP8357673A
Authority: JP
Inventors: Yohei Ishikawa; 容平石川; Koichi Sakamoto; 孝一坂本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-12-26
Filing date: 1996-12-26
Publication date: 1998-07-21

Abstract

(57)【要約】【課題】キャパシタンスやインダクタンス等の寄生成
分をなくすことにより、高周波用ダイオードの特性劣化
やばらつき等を低減させる。【解決手段】カソード側電極板２３と、アノード側電
極板２５ａ及びスロット用電極板２５ｂ，２５ｃとの間
にスロット線路３０ａ，３０ｂを形成する。アノード側
電極板２５ａとスロット用電極板２５ｂ，２５ｃは、薄
膜キャパシタンス２８を介して接続する。スロット線路
３０ａ，３０ｂ内には活性領域３２が形成され、カソー
ド側電極板２３から延出したカソード電極３４を活性領
域にオーミック接合させ、アノード側電極板２５ａから
延出したアノード電極３３を活性領域３２にショットキ
ー接合してダイオード素子３１を形成する。しかして、
スロット線路３０ａから入力したＲＦ信号とスロット線
路３０ｂから入力したＬＯ信号をミキシングして、アノ
ード側電極板２５ａから取り出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はダイオード装置に関
する。特に、準ミリ波及びミリ波領域で使用されるダイ
オード素子に、スロットタイプの入出力構造を備えたダ
イオード装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】変調、逓倍、整流用などのミリ波及び準
ミリ波の回路モジュールには、高周波用ダイオードが用
いられている。図１は現在よく使用されている高周波用
ダイオード１を示す斜視図である。これはショットキー
バリアダイオード（ＳＢＤ）であって、上面中央部にア
ノード電極２が形成され、下面にはカソード電極３が設
けられている。しかして、この高周波用ダイオード１
は、下面のカソード電極３を回路基板のボンディングパ
ッド４上にダイボンドされ、上面のアノード電極２をボ
ンディングワイヤ５によって回路基板のボンディンブパ
ッド６に接続される。そして、高周波信号（以下、ＲＦ
信号という）はボンディングワイヤ５を通してアノード
電極２に入力し、カソード電極６からボンディングパッ
ド４を通して出力される。

【０００３】しかし、このような高周波帯（特に、ミリ
波帯）で使用される高周波用ダイオード１にあっては、
よく知られているように、信号がボンディングワイヤ５
を伝搬するとき、ボンディングワイヤ５の寄生インダク
タンスによって高周波特性が劣化させられる。さらに、
ボンディングワイヤ５は、長さやボンディング位置がば
らつくため、高周波特性のばらつきを増大させている。

【０００４】また、図２に示す高周波用ダイオード（シ
ョットキーバリアダイオード）１１は、アノード電極１
２に導通したバンプ電極１３とカソード電極１４に導通
したバンプ電極１５を上面に設けたものであり、回路基
板上にフェースダウンでフリップチップ実装されるよう
になっている。

【０００５】このような高周波用ダイオード１１では、
高周波特性のばらつきは減少するが、高周波特性の劣化
は解決されない。すなわち、このような構造の高周波用
ダイオード１１では、アノード電極１２のすぐ近くにカ
ソード電極１４が位置しているので、アノード及びカソ
ード電極１２，１４間に寄生キャパシタンスが存在し、
高周波特性を劣化させている。さらに、アノード電極１
２及びカソード電極１４からバンプ電極１３，１５まで
引き延ばした配線部分１６，１７と回路基板との間に寄
生キャパシタンスが生じるので、寄生インダクタンスが
減少しても寄生キャパシタンスが増加し、高周波特性劣
化の本質的解決には至らなかった。

【０００６】このように従来の高周波用ダイオードで
は、高周波特性の劣化を抑えることがきわめて困難で、
素子製造の歩留りを低下させていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は叙上の従来例
の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、キャパシタンスやインダクタンス等の寄生成分
をなくすことにより、高周波用ダイオードの特性劣化や
ばらつき等を低減させることにある。

【０００８】

【発明の開示】請求項１に記載のダイオード装置は、半
導体基板上に形成された電極板間に信号入出力用スロッ
ト線路が設けられ、当該スロット線路において半導体基
板に活性領域が形成され、前記スロット線路を挟む各電
極板から延出されたアノード電極及びカソード電極をそ
れぞれ前記活性領域に接合させてダイオード素子が形成
されていることを特徴としている。

【０００９】ここで、前記スロット線路及び前記ダイオ
ード素子は、請求項２に記載の実施態様のように、それ
ぞれ複数設けられていてもよい。

【００１０】本発明のダイオード装置にあっては、半導
体基板上に形成された活性層、アノード電極及びドレイ
ン電極によってダイオード素子が構成されており、高周
波信号は半導体基板上のスロット線路を通じて電磁波の
形態で伝搬して入出力される。

【００１１】従って、このダイオード装置にあっては、
ダイオード素子の信号入出力部における寄生インダクタ
ンスや寄生キャパシタンス等を小さくすることができ、
ダイオード装置における高周波特性の劣化を防止するこ
とができる。また、ダイオード装置と外部のマイクロス
トリップ線路との接続も容易にすることができる。よっ
て、従来の高周波用ダイオードが抱えていた課題である
寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスが本質的に発
生しにくく、高周波用のダイオード装置が本来持つ高周
波特性を最大限に発揮できる。

【００１２】さらに、このダイオード装置では、スロッ
ト線路以外の大部分を電極板で覆うことができるので、
ミリ波デバイスで問題となる不要な表面波も抑圧するこ
とができる。

【００１３】請求項３に記載の実施態様は、請求項１又
は２に記載のダイオード装置において、前記電極板のう
ち少なくとも１つの電極板が、キャパシタンスを介して
結合された複数の部分に分割されていることを特徴とし
ている。

【００１４】この実施態様にあっては、電極板を複数の
部分に分割してキャパシタンスで結合することにより、
スロット線路を構成する電極板を高周波的にはグランド
状態に保ったままで、ダイオード素子に直流バイアス電
圧を印加することができる。

【００１５】請求項４に記載の実施態様は、請求項１、
２又は３に記載のダイオード装置において、活性領域の
両側に設けられた前記スロット線路からそれぞれ信号を
入力し、両信号のミキシング信号をいずれかの電極板か
ら取り出すようにしたことを特徴としている。

【００１６】このような実施態様によれば、本発明のダ
イオード素子を整流用などだけでなく、ミキシング用に
も用いることができる。しかも、入力信号とミキシング
信号とを別々の電極から入出力できるので、ダイオード
装置を実装する回路基板側で分離回路を省略できる、回
路モジュール全体を小型化できる利点がある。

【００１７】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）図３は本発明の一実施形態によるダ
イオード装置２１を示す平面図であって、シングル型の
ミリ波用ミキサーダイオードとして用いられるものであ
る。また、図４は図３のＸ１部拡大斜視図、図５は図４
のＸ２−Ｘ２線断面図、図６は図３のＸ３−Ｘ３線断面
図、図７は図３のＸ４−Ｘ４線断面図である。

【００１８】半絶縁性ＧａＡｓ基板２２の表面の一部領
域には活性領域（ｎ型ＧａＡｓ領域）３２が形成されて
おり、活性領域３２を挟んで一方領域にはカソード側電
極板２３が設けられ、他方領域にはアノード側電極板２
５ａとスロット用電極板２５ｂ，２５ｃが設けられてい
る。カソード側電極板２３は、ＧａＡｓ基板２２のほぼ
左右全幅にわたって延びており、カソード側電極板２３
の左右両端部の下面では、ＧａＡｓ基板２２にバイアホ
ール２４が設けられており、カソード側電極板２３の左
右両端部はそれぞれバイアホール２４を介してＧａＡｓ
基板２２の下面に導通している。

【００１９】また、アノード側電極板２５ａの後端部下
面では、図７に示すように、ＧａＡｓ基板２２にバイア
ホール２６が設けられており、ＤＣ電源用のアノード側
電極板２５ａはバイアホール２６を介してＧａＡｓ基板
２２の下面に導通している。アノード側電極板２５ａの
両側には、ＲＦ信号用のスロット用電極板２５ｂ，２５
ｃが配設されており、スロット用電極板２５ｂ，２５ｃ
も、ＧａＡｓ基板２２に設けられているバイアホール２
７を介してＧａＡｓ基板２２の下面に導通している。さ
らに、図６に示すように、アノード側電極板２５ａの両
側部とスロット用電極板２５ｂ，２５ｃとは絶縁体層
（誘電体層）２９を介して重なり合っており、アノード
側電極板２５ａとスロット用電極板２５ｂ，２５ｃとに
よって薄膜キャパシタ２８が構成されている。ここで、
薄膜キャパシタ２８の容量は、ＲＦ信号に対して通過特
性となるような値が選択されている（例えば、ＲＦ信号
が約６０Ｈｚでは、０.３ｐＦ以上）。従って、アノー
ド側電極板２５ａとスロット用電極板２５ｂ，２５ｃと
は、直流的には絶縁状態となっているが、高周波的には
薄膜キャパシタ２８を介してほぼ短絡状態となってい
る。

【００２０】また、実装状態においては、後述のよう
に、バイアホール２４，２７はグランドに接続され、カ
ソード側電極板２３及びスロット用電極板２５ｂ，２５
ｃは高周波的には接地状態となる。一方、アノード側電
極板２５ａには、バイアホール２６を介して直流バイア
ス電圧が印加される。

【００２１】図４及び図５に示すように、ＧａＡｓ基板
２２表面の活性領域３２はメサ型に形成されており、ア
ノード側電極板２５ａから活性領域３２の上面に向けて
アノード電極３３が延出されており、アノード電極３３
の先端は活性領域３２にショットキー接合している。ま
た、カソード側電極板２３から延出されたカソード電極
３４は２股状に形成されており、アノード電極３３を挟
むようにして活性領域３２の両側面及び上面にオーミッ
ク接合している。しかして、この活性領域３２にショッ
トキー接合するアノード電極３３とオーミック接触する
カソード電極３４とによって、ダイオード素子（ショッ
トキーバリアダイオード）３１が構成されている。

【００２２】上記カソード側電極板２３とスロット用電
極板２５ｂ，２５ｃとの間には、ほぼ一定幅のスロット
線路３０ａ，３０ｂが構成されており、ダイオード素子
３１の左右両側からはスロット線路３０ａ，３０ｂを通
して電磁波の形態の高周波信号が入力される。例えば、
ミキシング用に用いる場合には、一方のスロット線路３
０ａにはＲＦ信号が入力され、他方のスロット線路３０
ｂには局部発振信号（以下、ＬＯ信号という）が入力さ
れる。

【００２３】ダイオード素子３１は、バイアホール２６
を通してアノード側電極板２５ａに印加される直流バイ
アス電圧によって動作状態を制御される。すなわち、ス
ロット用電極板２５ｂとカソード側電極板２３の間のス
ロット線路３０ａからＲＦ信号が入力され、スロット用
電極板２５ｃとカソード側電極板２３との間のスロット
線路３０ｂからＬＯ信号が入力されているとき、直流バ
イアス電圧を調整してダイオード素子３１がオン状態と
なるようにしてあれば、スロット線路３０ａ，３０ｂを
伝搬してきたＲＦ信号及びＬＯ信号によりダイオード素
子３１に電流が流れ、ＲＦ信号とＬＯ信号とのミキシン
グが行なわれる。例えば、ＲＦ信号の周波数が６０ＧＨ
ｚ、ＬＯ信号の周波数が６１ＧＨｚの時、ミキシングさ
れた中間周波信号（以下、ＩＦ信号という）は１ＧＨｚ
となる。ここで、薄膜キャパシタ２８の容量を０.５ｐ
Ｆ程度にしておくと、薄膜キャパシタ２８は、ＲＦ信号
及びＬＯ信号に対しては低インピーダンス（通過特性）
となるが、ＩＦ信号に対しては薄膜キャパシタ２８は高
インピーダンス（阻止特性）となる。従って、ＲＦ信号
及びＬＯ信号は、スロット線路３０ａ，３０ｂ内をスロ
ット用電極板２５ｂ，２５ｃからアノード側電極板２５
ａへと伝搬してダイオード素子３１に達するが、ダイオ
ード素子３１で発生したＩＦ信号はスロット線路３０
ａ，３０ｂ（スロット用電極板２５ｂ，２５ｃ）へは伝
搬せず、アノード側電極板２５ａから出力される。

【００２４】これに対し、ダイオード素子３１が常にオ
フ（非導通）状態となるように直流バイアス電圧が印加
されていると、ＲＦ信号は右方のスロット線路３０ｂへ
通過すると共にＬＯ信号は左方のスロット線路３０ａへ
通過し、ミキシング信号は出力されない。

【００２５】図８は上記ダイオード装置２１をミキサー
として使用する場合の回路基板４１への実装形態を示
す。回路基板４１は、ミリ波用誘電体基板４２の表面
に、図９のようなパターンで、銅箔のような電極４３，
４４と信号線４５を設けたものであって、グランド電位
の電極４３及び４４間にはスロット線路４６ａ，４６ｂ
が形成され、電極４４，４４間に位置するストライプ状
の信号線４５によってコプレナ線路４７が形成されてい
る。ダイオード装置２１は、図９に２点鎖線で示した位
置に実装され、バイアホール２４によってカソード側電
極板２３が電極４３に接続され、バイアホール２７によ
ってスロット用電極板２５ｂ，２５ｃが電極４４に接続
され、バイアホール２６によってアノード側電極板２５
ａがコプレナ線路４７の信号線４５に接続される。

【００２６】ここで、回路基板４１のスロット線路４６
ａ，４６ｂとダイオード装置２１のスロット線路３０
ａ，３０ｂとは、インピーダンス整合がとられている。
また、ダイオード素子３１のアノード及びカソード電極
３３，３４間には、信号線４５を介して直流バイアス電
圧が印加される。

【００２７】図８における矢印は、回路基板４１及びダ
イオード装置２１のスロット線路４６ａ，４６ｂ，３０
ａ，３０ｂ内における電磁波の伝搬状態を示している。
回路基板４１のスロット線路４６ａを伝搬してきたＲＦ
信号はバイアホール２４，２７を介してダイオード装置
２１のスロット線路３０ａに入り、回路基板４１のスロ
ット線路４６ｂを伝搬してきたＬＯ信号はバイアホール
２４，２７を介してダイオード装置２１のスロット線路
３０ｂに入り、互いに反対側のスロット線路３０ａ，３
０ｂからダイオード素子３１に入力したＲＦ信号とＬＯ
信号は、ダイオード素子３１によりミキシングされる。
ダイオード素子３１がオン状態になっていれば、ダイオ
ード素子３１でミキシングされたＩＦ信号は、アノード
側電極板２５ａから出力され、バイアホール２６を介し
てコプレナ線路４７へと伝搬し、ここから外部へ取り出
される。

【００２８】なお、ダイオード装置２１のスロット線路
３０ａ，３０ｂの幅は、回路基板４１との入出力インピ
ーダンスの整合を考慮して決定される。回路基板４１の
特性インピーダンスには、５０〜１００Ωがよく用いら
れるので、各スロット線路３０ａ，３０ｂの幅を０.１
０〜０.０５ｍｍとすれば、ミリ波帯（４０〜６０ＧＨ
ｚ）で入出力インピーダンスの整合をとることができ
る。また、ダイオード装置２１のＧａＡｓ基板２２の厚
さは、スロット線路３０ａ，３０ｂの接続ロスが少な
く、かつ、バイアホール２４，２６，２７の形成を容易
にするため、０.０５〜０.１３ｍｍが好ましい。

【００２９】（第２の実施形態）図１０は本発明の別な
実施形態によるダイオード装置５１を示す平面図であ
る。これは、ＧａＡｓ基板２２上にシングル型のミリ波
用ミキサーダイオードを２個並列に並べたバランス型の
ミリ波用ミキサーダイオードである。このダイオード装
置５１にあっては、ＧａＡｓ基板２２上に配置された３
つの電極板５２，５３，５４の間に２組のスロット線路
５９ａ，５９ｂ；６０ａ，６０ｂが並列に形成されてい
る。５２はアノード側電極板、５４はカソード側電極
板、５３はアノード側及びカソード側電極板を兼ねた兼
用電極板であって、アノード側電極板５２と兼用電極板
５３の間に一方のスロット線路５９ａ，５９ｂが形成さ
れ、兼用電極板５３とカソード側電極板５４の間に他方
のスロット線路６０ａ，６０ｂが形成されている。アノ
ード側電極板５２と兼用電極板５３との間のスロット線
路５９ａ，５９ｂにはメサ型の活性領域３２が形成さ
れ、アノード側電極板５２から活性領域３２に延出され
たアノード電極３３は活性領域３２にショットキー接合
し、兼用電極板５３から活性領域３２に延出されたカソ
ード電極３４は活性領域３２にオーミック接合し、図４
と同様なショットキー接合のダイオード素子３１が形成
されている。同様に、兼用電極板５３とカソード側電極
板５４との間のスロット線路６０ａ，６０ｂにもメサ型
の活性領域３２が形成され、兼用電極板５３から活性領
域３２に延出されたアノード電極３３は活性領域３２に
ショットキー接合し、カソード側電極板５４から活性領
域３２に延出されたカソード電極３４は活性領域３２に
オーミック接合し、図４と同様なショットキー接合のダ
イオード素子３１が形成されている。

【００３０】アノード側電極板５２の両端部では、Ｇａ
Ａｓ基板２２にバイアホール５５が形成され、アノード
側電極板５２はバイアホール５５を介してＧａＡｓ基板
２２の下面に導通している。兼用電極板５３の両端部及
びほぼ中央部では、それぞれＧａＡｓ基板２２にバイア
ホール５６，５７が形成され、兼用電極板５３はバイア
ホール５６，５７を介してＧａＡｓ基板２２の下面に導
通している。さらに、カソード側電極板５４の両端部で
も、ＧａＡｓ基板２２にバイアホール５８が形成され、
カソード側電極板５４はバイアホール５８を介してＧａ
Ａｓ基板２２の下面に導通している。

【００３１】図１１はシングルバランス型のミキサーと
して使用する場合の、上記ダイオード装置５１の回路基
板６１への実装形態を示す平面図である。このダイオー
ド装置５１を実装するための回路基板６１は、誘電体基
板４２の表面に、図１２のようなパターンで電極６２〜
６６及び信号線６７を設けたものであって、グランド電
位の電極６２，６３及び６５の間にはＹ字状に分岐した
スロット線路６９ａ，７０ａが形成され、グランド電位
の電極６２及び６４の間、グランド電位の電極６４及び
６６の間にもそれぞれスロット線路６９ｂ，７０ｂが形
成されている。また、電極６５，６６の間に位置するス
トライプ状の信号線６７によってコプレナ線路７１が形
成されており、信号線６７の先端にはパッド部６８が形
成されている。

【００３２】ダイオード装置５１は、図１２に２点鎖線
で示した位置に実装され、バイアホール５５によってア
ノード側電極板５２が電極６２に接続され、バイアホー
ル５６によって兼用電極板５３が電極６３，６４に接続
され、バイアホール５７によって兼用電極板５３が信号
線６７のパッド部６８に接続され、バイアホール５８に
よってカソード側電極板５４が電極６５，６６に接続さ
れる。

【００３３】しかして、Ｙ字状に分岐したスロット線路
６９ａ，７０ａで同相に分かれたＲＦ信号は、ダイオー
ド装置５１の各スロット線路５９ａ，６０ａへ同相で伝
搬して各ダイオード素子３１に入力する。また、スロッ
ト線路６９ｂ，７０ｂからは互いに逆相となるようにし
てＬＯ信号が伝搬し、それぞれダイオード装置５１のス
ロット線路５９ｂ，６０ｂを通って各ダイオード素子３
１に入力される。こうしてダイオード装置５１は、シン
グルバランス構成のミキサーとして動作し、ＲＦ信号と
ＬＯ信号とがミキシングされたＩＦ信号は、中央の兼用
電極板５３からバイアホール５７を経由して回路基板６
１のコプレナ線路７１（信号線６７）から取り出され
る。

【００３４】ここで、２つのスロット線路５９ａ，５９
ｂと６０ａ，６０ｂの間の距離（つまり、兼用電極板５
３の幅）は、両スロット線路５９ａ，５９ｂと６０ａ，
６０ｂを伝搬するＲＦ信号及びＬＯ信号の相互干渉を防
ぎ、また、バイアホール５７を通して信号線６７と接続
するため、０.２ｍｍ以上離す必要がある。また、兼用
電極板５３の下面にあるバイアホール５７は、両スロッ
ト線路５９ｂ，６０ｂが逆相モードで動作することがで
きるよう、アノード側電極板５２の縁とカソード側電極
板５４の縁から等距離の中央部に配置している。

【００３５】なお、ＲＦ信号とＬＯ信号の位相関係は入
れ替えても同様の動作が可能である。すなわち、ＲＦ信
号を逆相となるようにして入力させ、ＬＯ信号を同相と
なるようにして入力させてもよい。

【００３６】（第３の実施形態）また、同上の実施形態
においては、図１３に示すダイオード装置７６のよう
に、兼用電極板（５３）を３つに分割し、分割された各
電極板５３ａ，５３ｂ，５３ｃどうしを薄膜キャパシタ
２８，２８によって容量結合させてもよい。

【００３７】（第４の実施形態）図１４は、第２の実施
形態のダイオード装置５１のスロット線路５９ｂ，６０
ｂと回路基板７７のスロット線路６９ｂ，７０ｂに逆相
でＬＯ信号を入力させるための構成を示す図である。こ
の実施形態に用いられている回路基板７７の表面の電極
パターンは、スロット線路６９ｂ，７０ｂの端部が屈曲
している以外は、図１２の回路基板とほぼ同じである。
回路基板７７の裏面には、ＬＯ信号を発生させるための
発振回路７８と、マイクロストリップライン７９が設け
られている。発振回路７８はマイクロストリップライン
７９の中央部に接続されており、マイクロストリップラ
イン７９の両端は誘電体基板４２を介してスロット線路
６９ｂ，７０ｂの端部と電気的結合している。

【００３８】しかして、発振回路７８から出力されたＬ
Ｏ信号はマイクロストリップライン７９によって２方向
へ出力され、スロット線路６９ｂ、７０ｂへ互いに逆位
相となって伝搬する。

【００３９】（第５の実施形態）図１５は本発明のさら
に別な実施形態によるダイオード装置８１の構成を示す
平面図である。このダイオード装置８１は、例えば半波
整流器として用いられるものであって、ＧａＡｓ基板２
２の表面に形成されたカソード側電極板２３とアノード
側電極板２５間にスロット線路３０ａ，３０ｂが形成さ
れており、カソード側電極板２３から延出されたカソー
ド電極３４をメサ型の活性領域３２にオーミック接合さ
せ、アノード側電極板２５から延出されたアノード電極
３３を活性領域３２にショットキー接合させることによ
り、スロット線路３０ａ，３０ｂを横切るようにして図
４のような構造のダイオード素子３１を設けている。

【００４０】このダイオード装置８１にあっては、直流
バイアス電圧が用いられておらず、アノード側電極板２
５からカソード側電極板２３へと向けてのみ電流が流れ
るので、一方のスロット線路３０ａから入力されたＲＦ
信号は、半波整流されて他方のスロット線路３０ｂから
出力される。

【００４１】（第６の実施形態）図１６は本発明のさら
に別な実施形態によるダイオード装置８２の構成を示す
平面図である。このダイオード装置８２では、カソード
側電極板２３とアノード側電極板２５ａ及びスロット用
電極板２５ｂ，２５ｃとの間にスロット線路３０ａ，３
０ｂが形成されており、カソード側電極板２３から延出
されたカソード電極３４を活性領域３２にオーミック接
合させ、アノード側電極板２５ａから延出されたアノー
ド電極３３を活性領域３２にショットキー接合させるこ
とによりダイオード素子３１を形成している。また、ア
ノード側電極板２５ａとスロット用電極板２５ｂ，２５
ｃとは、薄膜キャパシタ２８を介して容量結合されてお
り、アノード側電極板２５ａには、直流バイアス電圧を
印加できるようになっている。

【００４２】このダイオード装置８２では、一方のスロ
ット線路３０ａからＲＦ信号が入力され、他方のスロッ
ト線路３０ｂからＲＦ信号が出力されるが、そのとき直
流バイアス電圧の掛け方によってＲＦ信号の伝搬の仕方
が変わる。例えば、ダイオード素子３１に逆バイアスと
なるように直流バイアス電圧を加えてダイオード素子３
１をオフ状態に保ってＲＦ信号を通過させたり、ダイオ
ード素子３１に順バイアスとなるように直流バイアス電
圧を加えてダイオード素子３１をオン状態に保ってＲＦ
信号を遮断したりすることによって、スイッチとして用
いることができる。

【００４３】なお、上記各実施形態においては、ダイオ
ード装置を誘電体基板に接続するための手段としてバイ
アホールを用い、ダイオード装置をフェイスアップで実
装した場合について説明したが、これに限るものでな
く、バンプ電極を用いてフェイスダウンで実装してもよ
い。

【００４４】また、上記各実施形態においては、ｎ型Ｇ
ａＡｓ層からなる活性領域にアノード電極をショットキ
ー接合させると共にカソード電極をオーミック接合させ
たショットキー接合型のダイオード素子を用いている
が、これ以外のダイオード素子を用いてもよい。例え
ば、シリコン基板の表面に形成されたｐｎ接合型のダイ
オード素子でもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の高周波用ダイオードを示す斜視図であ
る。

【図２】従来の別な高周波用ダイオードを示す斜視図で
ある。

【図３】本発明の一実施形態によるダイオード装置を示
す平面図である。

【図４】図３のＸ１部拡大斜視図である。

【図５】図４のＸ２−Ｘ２線断面図である。

【図６】図３のＸ３−Ｘ３線断面図である。

【図７】図３のＸ４−Ｘ４線断面図である。

【図８】同上のダイオード装置を回路基板上に実装した
状態を示す平面図である。

【図９】同上の回路基板を示す平面図である。

【図１０】本発明の別な実施形態によるダイオード装置
を示す平面図である。

【図１１】同上のダイオード装置を回路基板上に実装し
た状態を示す平面図である。

【図１２】同上の回路基板を示す平面図である。

【図１３】本発明のさらに別な実施形態によるダイオー
ド装置を回路基板上に実装した状態を示す平面図であ
る。

【図１４】本発明のさらに別な実施形態によるダイオー
ド装置を回路基板上に実装した状態を示す平面図であ
る。

【図１５】本発明のさらに別な実施形態によるダイオー
ド装置を示す平面図である。

【図１６】本発明のさらに別な実施形態によるダイオー
ド装置を示す平面図である。

【符号の説明】

２２ＧａＡｓ基板２３，５４カソード側電極板２５ａ，２５，５２アノード側電極板５３兼用電極板２５ｂ，２５ｃスロット用電極板２８薄膜キャパシタ３０ａ，３０ｂ，５９ａ，５９ｂ，６０ａ，６０ｂダイ
オード装置のスロット線路３１ダイオード素子３３アノード電極３４カソード電極４１回路基板４６ａ，４６ｂ，６９ａ，６９ｂ，７０ａ，７０ｂ回路
基板のスロット線路４７コプレナ線路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に形成された電極板間に信
号入出力用スロット線路が設けられ、当該スロット線路
において半導体基板に活性領域が形成され、前記スロッ
ト線路を挟む各電極板から延出されたアノード電極及び
カソード電極をそれぞれ前記活性領域に接合させてダイ
オード素子が形成されていることを特徴とするダイオー
ド装置。
【請求項２】前記スロット線路及び前記ダイオード素
子がそれぞれ複数設けられていることを特徴とする、請
求項１に記載のダイオード装置。
【請求項３】前記電極板のうち少なくとも１つの電極
板は、キャパシタンスを介して結合された複数の部分に
分割されていることを特徴とする、請求項１又は２に記
載のダイオード装置。
【請求項４】活性領域の両側に設けられた前記スロッ
ト線路からそれぞれ信号を入力し、両信号のミキシング
信号をいずれかの電極板から取り出すようにしたことを
特徴とする、請求項１、２又は３に記載のダイオード装
置。