JPH07335953A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07335953A JPH07335953A JP6151735A JP15173594A JPH07335953A JP H07335953 A JPH07335953 A JP H07335953A JP 6151735 A JP6151735 A JP 6151735A JP 15173594 A JP15173594 A JP 15173594A JP H07335953 A JPH07335953 A JP H07335953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- metal layer
- layer
- support plate
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄層化されてた半導体基板部分を支持板から外
すことなく、オーミック電極などの熱処理が可能な製造
方法を提供する。 【構成】化合物半導体からなる半導体基板１の一主面上
に第１の金属層２を形成し、第２の金属層４を形成した
支持板３を用意し、前記第１の金属層と第２の金属層と
を圧着することで前記支持板上に前記半導体基板を固定
し、前記半導体基板の他の主面を削ることにより薄く
し、前記半導体基板を熱処理し、その後、前記半導体基
板の他の主面上をパターニングするものである
すことなく、オーミック電極などの熱処理が可能な製造
方法を提供する。 【構成】化合物半導体からなる半導体基板１の一主面上
に第１の金属層２を形成し、第２の金属層４を形成した
支持板３を用意し、前記第１の金属層と第２の金属層と
を圧着することで前記支持板上に前記半導体基板を固定
し、前記半導体基板の他の主面を削ることにより薄く
し、前記半導体基板を熱処理し、その後、前記半導体基
板の他の主面上をパターニングするものである
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄層化した半導体基板
を熱処理した後に電極などのパターニングを行う工程を
有するガンダイオードなどの半導体装置の製造方法に関
するものである。
を熱処理した後に電極などのパターニングを行う工程を
有するガンダイオードなどの半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓガンダイオードなどの化合物半
導体を用いたマイクロ波、ミリ波デバイスは、放熱性や
高周波特性を向上するために半導体基板を薄く加工（薄
層化）し、さらに微細なメサ形状に加工することで作製
される。
導体を用いたマイクロ波、ミリ波デバイスは、放熱性や
高周波特性を向上するために半導体基板を薄く加工（薄
層化）し、さらに微細なメサ形状に加工することで作製
される。
【０００３】ＧａＡｓガンダイオードの従来法による作
製工程を図２を用いて以下に説明する。半導体基板１
は、ＧａＡｓからなる基板１ｓと、その表主面上に活性
層とそれをはさむ高濃度不純物層とが成長され厚さ数μ
ｍ程度のＧａＡｓからなるエピタキシャル層１ｅとから
なる。図２（ａ）に示すように、このエピタキシャル層
１ｅの全表面に真空蒸着法により第１のオーミック電極
を形成し、熱処理をすることでオーミック接合を形成す
る。素子間を分離する領域に格子状の凹部１ｇを設け
る。第１のオーミック電極および凹部１ｇ上に数μｍの
厚さのＡｕめっき層からなる金属層１を設ける。次に、
金属層２側を研磨用の支持板３にワックス１１で固定
し、半導体基板１の裏主面を１０μｍ程度の厚さまで研
磨する。
製工程を図２を用いて以下に説明する。半導体基板１
は、ＧａＡｓからなる基板１ｓと、その表主面上に活性
層とそれをはさむ高濃度不純物層とが成長され厚さ数μ
ｍ程度のＧａＡｓからなるエピタキシャル層１ｅとから
なる。図２（ａ）に示すように、このエピタキシャル層
１ｅの全表面に真空蒸着法により第１のオーミック電極
を形成し、熱処理をすることでオーミック接合を形成す
る。素子間を分離する領域に格子状の凹部１ｇを設け
る。第１のオーミック電極および凹部１ｇ上に数μｍの
厚さのＡｕめっき層からなる金属層１を設ける。次に、
金属層２側を研磨用の支持板３にワックス１１で固定
し、半導体基板１の裏主面を１０μｍ程度の厚さまで研
磨する。
【０００４】図２（ｂ）に示すように、この研磨した面
上にフォトレジストマスク５を形成し、第２のオーミッ
ク電極６をリフトオフ法により形成する。その後、図２
（ｃ）に示すように、ワックス１１を除去して、支持板
３から半導体基板１、金属層２の部分を外して、オーミ
ック接合を形成するための熱処理を行う。その後、再び
支持板３に金属層２側をワックス１２で固定し、先と同
じパターンのフォトレジストマスク５を形成し、第２の
オーミック電極６上にめっきＡｕ層８を選択的に形成す
る。図２（ｅ）に示すように、第２のオーミック電極６
およびめっきＡｕ層８に覆われていない半導体基板１を
選択的にエッチングして、メサ状の素子部９を得る。そ
の後、必要に応じてめっきＡｕ層８を切断して各素子部
９に分割する。
上にフォトレジストマスク５を形成し、第２のオーミッ
ク電極６をリフトオフ法により形成する。その後、図２
（ｃ）に示すように、ワックス１１を除去して、支持板
３から半導体基板１、金属層２の部分を外して、オーミ
ック接合を形成するための熱処理を行う。その後、再び
支持板３に金属層２側をワックス１２で固定し、先と同
じパターンのフォトレジストマスク５を形成し、第２の
オーミック電極６上にめっきＡｕ層８を選択的に形成す
る。図２（ｅ）に示すように、第２のオーミック電極６
およびめっきＡｕ層８に覆われていない半導体基板１を
選択的にエッチングして、メサ状の素子部９を得る。そ
の後、必要に応じてめっきＡｕ層８を切断して各素子部
９に分割する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法では、
半導体基板部分の支持板への固定がワックスなどの耐熱
性の低い材料により行われているため、オーミック電極
などの熱処理時には支持板から半導体基板部分を外す必
要があった。しかし、半導体基板部分は、それ以前に薄
層化されており、取扱いが困難であり、半導体基板部分
を破損する可能性も高い。さらに、再度支持板などに固
定した際に、ワックスの厚さのばらつきなどにより、そ
れ以降の工程におけるパターニング精度は限定されてし
まう。
半導体基板部分の支持板への固定がワックスなどの耐熱
性の低い材料により行われているため、オーミック電極
などの熱処理時には支持板から半導体基板部分を外す必
要があった。しかし、半導体基板部分は、それ以前に薄
層化されており、取扱いが困難であり、半導体基板部分
を破損する可能性も高い。さらに、再度支持板などに固
定した際に、ワックスの厚さのばらつきなどにより、そ
れ以降の工程におけるパターニング精度は限定されてし
まう。
【０００６】本発明は、上記欠点を解決したもので、本
発明の目的は、薄層化された半導体基板部分を支持板か
ら外すことなく、オーミック電極などの熱処理が可能な
製造方法を提供するものである。
発明の目的は、薄層化された半導体基板部分を支持板か
ら外すことなく、オーミック電極などの熱処理が可能な
製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、化合物半導体からなる半導体基板の一主
面上に第１の金属層を形成し、第２の金属層を形成した
支持板を用意し、前記第１の金属層と第２の金属層とを
圧着することで前記支持板上に前記半導体基板を固定
し、前記半導体基板の他の主面を削ることにより薄く
し、前記半導体基板を熱処理し、その後、前記半導体基
板の他の主面上をパターニングするものである。なお、
前記第１および第２の金属層が放熱手段を兼ねる電極と
して用いられることが望ましい。
の製造方法は、化合物半導体からなる半導体基板の一主
面上に第１の金属層を形成し、第２の金属層を形成した
支持板を用意し、前記第１の金属層と第２の金属層とを
圧着することで前記支持板上に前記半導体基板を固定
し、前記半導体基板の他の主面を削ることにより薄く
し、前記半導体基板を熱処理し、その後、前記半導体基
板の他の主面上をパターニングするものである。なお、
前記第１および第２の金属層が放熱手段を兼ねる電極と
して用いられることが望ましい。
【０００８】
【発明の作用及び効果】本発明によれば、半導体基板を
薄層化する以前に金属層の圧着により支持板に固定して
いるので、熱処理などのプロセスを支持板から外すこと
なく行うことができ、薄層化した半導体基板を破損する
こともない。したがって、薄層化された半導体基板から
作製されるマイクロ波、ミリ波用のデバイスなどの微細
な素子部を有する半導体装置を高い歩留まりで量産する
ことが可能となる。
薄層化する以前に金属層の圧着により支持板に固定して
いるので、熱処理などのプロセスを支持板から外すこと
なく行うことができ、薄層化した半導体基板を破損する
こともない。したがって、薄層化された半導体基板から
作製されるマイクロ波、ミリ波用のデバイスなどの微細
な素子部を有する半導体装置を高い歩留まりで量産する
ことが可能となる。
【０００９】さらに、金属層が放熱手段を兼ねる電極と
して用いられる場合に、金属層が保持手段として用いら
れるのみでなく、熱導伝性に優れた放熱媒体および電極
として用いることができるので半導体素子の熱環境を改
善できるとともに効率的な製造が可能となる。
して用いられる場合に、金属層が保持手段として用いら
れるのみでなく、熱導伝性に優れた放熱媒体および電極
として用いることができるので半導体素子の熱環境を改
善できるとともに効率的な製造が可能となる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例であるガンダイオードの製
造工程をその断面図である図１を用いて説明する。半導
体基板１はｎ型低抵抗ＩｎＰ（りん化インジウム）から
なる基板１ｓ（厚さ：０．４ｍｍ）の表主面上に厚さ１
０μｍ程度の動作層１ｅをＭＯＣＶＤ法によりエピタキ
シャル成長する。この動作層１ｅは、ｎ型ＩｎＰからな
り動作部分となる活性層と、それをはさみ電極コンタク
ト層となるｎ+型ＩｎＰからなる高濃度不純物層とから
構成される。素子間を分離する領域に３００μｍ間隔の
格子状で幅２０μｍである凹部（グリット部）１ｇをウ
エットエッチング（Ｂｒ−ＨＢｒ−水系の等方性エッチ
ング剤を用いる）により深さ約１０μｍに形成する。こ
の深さは、動作層１ｅよりも少し厚い程度とする。凹部
（グリット部）１ｇを含む動作層１ｅ上にその全面にオ
ーミック金属を蒸着し、熱処理（３５０℃、２０秒間）
した後、その上に厚さ約３．５μｍの金（Ａｕ）層を電
解めっきすることで第１の金属層２を形成する。
造工程をその断面図である図１を用いて説明する。半導
体基板１はｎ型低抵抗ＩｎＰ（りん化インジウム）から
なる基板１ｓ（厚さ：０．４ｍｍ）の表主面上に厚さ１
０μｍ程度の動作層１ｅをＭＯＣＶＤ法によりエピタキ
シャル成長する。この動作層１ｅは、ｎ型ＩｎＰからな
り動作部分となる活性層と、それをはさみ電極コンタク
ト層となるｎ+型ＩｎＰからなる高濃度不純物層とから
構成される。素子間を分離する領域に３００μｍ間隔の
格子状で幅２０μｍである凹部（グリット部）１ｇをウ
エットエッチング（Ｂｒ−ＨＢｒ−水系の等方性エッチ
ング剤を用いる）により深さ約１０μｍに形成する。こ
の深さは、動作層１ｅよりも少し厚い程度とする。凹部
（グリット部）１ｇを含む動作層１ｅ上にその全面にオ
ーミック金属を蒸着し、熱処理（３５０℃、２０秒間）
した後、その上に厚さ約３．５μｍの金（Ａｕ）層を電
解めっきすることで第１の金属層２を形成する。
【００１１】厚さ０．４ｍｍのガラス基板（コーニング
社製、コーニング７０５９）からなる支持板３の充分平
坦に研磨加工した表面に、ＳＯＧ（東京応化製、OCD ty
pe-7）をスピンコート法により塗布し、ベーキング（４
５０℃、３０分間）することで厚さ２μｍのＳＯＧから
なる酸化シリコン層３ｓを全面に形成する。その表面に
下地金属（Ｔｉ／Ａｕ、厚さ０．１μｍ／２μｍ）を真
空蒸着した後、その上に厚さ約３．０μｍの金（Ａｕ）
層を電解めっきすることで第２の金属層４を形成する。
動作層１ｅの凹部１ｇと同じ３００μｍ間隔の格子状に
幅１０μｍの溝４ｓを設ける。溝４ｓの領域を開口した
マスクを設け、第２の金属層４および酸化シリコン層３
ｓをエッチングにより削除することで溝４ｓが形成され
る。なお、この際支持板３が多少エッチングされてもよ
く、ダイシングソーなどの機械的加工により溝４ｓを形
成することもできる。そして、図１（ａ）に示すよう
に、第１の金属層２と第２の金属層４を凹部１ｇと溝４
ｓの位置がほぼ一致するように密着させ、半導体基板１
と支持板３に２００ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけて、２
７０℃で１０分間保持することで熱圧着する。
社製、コーニング７０５９）からなる支持板３の充分平
坦に研磨加工した表面に、ＳＯＧ（東京応化製、OCD ty
pe-7）をスピンコート法により塗布し、ベーキング（４
５０℃、３０分間）することで厚さ２μｍのＳＯＧから
なる酸化シリコン層３ｓを全面に形成する。その表面に
下地金属（Ｔｉ／Ａｕ、厚さ０．１μｍ／２μｍ）を真
空蒸着した後、その上に厚さ約３．０μｍの金（Ａｕ）
層を電解めっきすることで第２の金属層４を形成する。
動作層１ｅの凹部１ｇと同じ３００μｍ間隔の格子状に
幅１０μｍの溝４ｓを設ける。溝４ｓの領域を開口した
マスクを設け、第２の金属層４および酸化シリコン層３
ｓをエッチングにより削除することで溝４ｓが形成され
る。なお、この際支持板３が多少エッチングされてもよ
く、ダイシングソーなどの機械的加工により溝４ｓを形
成することもできる。そして、図１（ａ）に示すよう
に、第１の金属層２と第２の金属層４を凹部１ｇと溝４
ｓの位置がほぼ一致するように密着させ、半導体基板１
と支持板３に２００ｇ／ｃｍ2程度の荷重をかけて、２
７０℃で１０分間保持することで熱圧着する。
【００１２】そして、基板１の裏主面側から凹部１ｇ底
部に第１の金属層２が露出するまでアルミナ研粒を用い
て研磨する。Ａｕ層はＩｎＰに比べて研磨速度が遅いた
め、凹部１ｇの深さにより厚みを均一にすることができ
る。その後、研磨加工層を除去するため、基板１の裏主
面全面をＢｒ−ＨＢｒ−水系の等方性エッチング剤を用
いて薄く（０．１μｍ程度）ウエットエッチングする。
部に第１の金属層２が露出するまでアルミナ研粒を用い
て研磨する。Ａｕ層はＩｎＰに比べて研磨速度が遅いた
め、凹部１ｇの深さにより厚みを均一にすることができ
る。その後、研磨加工層を除去するため、基板１の裏主
面全面をＢｒ−ＨＢｒ−水系の等方性エッチング剤を用
いて薄く（０．１μｍ程度）ウエットエッチングする。
【００１３】図１（ｂ）に示すように、各素子のほぼ中
央に対応する領域に開口５ｈ（直径５０μｍの円形）を
有するフォトレジストマスク５を形成し、全面にオーミ
ック金属層６を蒸着する。オーミック金属としては、Ａ
ｕＧｅ／Ｔｉ／Ｐｔ（厚さ：１００ｎｍ／２０ｎｍ／１
５０ｎｍ）の多層金属層を用いる。その後、図１（ｃ）
に示すように、このフォトレジストマスク５を溶解除去
することで目的形状のオーミック金属層６を得る。そし
て、そのまま、オーミック接合を形成するために半導体
基板１およびオーミック金属層６を熱処理（３５０℃、
２０秒間）する。
央に対応する領域に開口５ｈ（直径５０μｍの円形）を
有するフォトレジストマスク５を形成し、全面にオーミ
ック金属層６を蒸着する。オーミック金属としては、Ａ
ｕＧｅ／Ｔｉ／Ｐｔ（厚さ：１００ｎｍ／２０ｎｍ／１
５０ｎｍ）の多層金属層を用いる。その後、図１（ｃ）
に示すように、このフォトレジストマスク５を溶解除去
することで目的形状のオーミック金属層６を得る。そし
て、そのまま、オーミック接合を形成するために半導体
基板１およびオーミック金属層６を熱処理（３５０℃、
２０秒間）する。
【００１４】図１（ｄ）に示すように、先のフォトレジ
ストマスク５と同一形状のフォトレジストマスク７を再
度形成して、これをマスクとしてオーミック金属層６上
に電解めっきにより厚さ約１．５μｍのめっきＡｕ層８
をパターニングする。
ストマスク５と同一形状のフォトレジストマスク７を再
度形成して、これをマスクとしてオーミック金属層６上
に電解めっきにより厚さ約１．５μｍのめっきＡｕ層８
をパターニングする。
【００１５】フォトレジストマスク７を取り除いた後、
めっきＡｕ層８が形成されていない基板１の領域を光エ
ッチングにより除去する。この光エッチングは、塩化第
２鉄（ＦｅＣｌ3）水溶液に浸漬し、高圧水銀ランプか
らの近紫外線光（波長４００ｎｍ程度）をめっきＡｕ層
８上から照射して、光の照射されている部分を選択的に
エッチングするものである。これにより、めっきＡｕ層
８の領域以外の基板１部分はほとんど除去されて、第１
の金属層２上にメサ状（台形状）の素子部９が形成され
る。
めっきＡｕ層８が形成されていない基板１の領域を光エ
ッチングにより除去する。この光エッチングは、塩化第
２鉄（ＦｅＣｌ3）水溶液に浸漬し、高圧水銀ランプか
らの近紫外線光（波長４００ｎｍ程度）をめっきＡｕ層
８上から照射して、光の照射されている部分を選択的に
エッチングするものである。これにより、めっきＡｕ層
８の領域以外の基板１部分はほとんど除去されて、第１
の金属層２上にメサ状（台形状）の素子部９が形成され
る。
【００１６】図１（ｅ）に示すように、酸化シリコン層
３ｓおよび第２の金属層４の下地金属Ｔｉ部分をフッ酸
系のエッチング液により取り去る。この際、溝４ｓや凹
部１ｇの空洞部分にその周辺部分からエッチング液が入
り込むため、短時間（室温で約５分）でエッチングが終
了する。その後、第１の金属層２と第２の金属層４を切
断することで各素子部９に分割する。必要に応じて、放
熱側電極となる第１の金属層２および第２の金属層４を
パッケージのヒートシンクに圧着してガンダイオードを
組み立てる。
３ｓおよび第２の金属層４の下地金属Ｔｉ部分をフッ酸
系のエッチング液により取り去る。この際、溝４ｓや凹
部１ｇの空洞部分にその周辺部分からエッチング液が入
り込むため、短時間（室温で約５分）でエッチングが終
了する。その後、第１の金属層２と第２の金属層４を切
断することで各素子部９に分割する。必要に応じて、放
熱側電極となる第１の金属層２および第２の金属層４を
パッケージのヒートシンクに圧着してガンダイオードを
組み立てる。
【００１７】以上の実施例によれば、半導体基板を金属
層により支持板に固定した状態で、半導体基板を薄層化
し、熱処理し、そして、その表面に微細な電極を形成し
ているので、薄層化した基板を外し、再固定する必要が
なく、微細なガンダイオードが再現性よく作製できる。
特に、支持板側の金属層に周辺部までつながる溝を設け
た場合、各素子短時間に簡単に外すころができる。
層により支持板に固定した状態で、半導体基板を薄層化
し、熱処理し、そして、その表面に微細な電極を形成し
ているので、薄層化した基板を外し、再固定する必要が
なく、微細なガンダイオードが再現性よく作製できる。
特に、支持板側の金属層に周辺部までつながる溝を設け
た場合、各素子短時間に簡単に外すころができる。
【００１８】また、本発明は、ガンダイオード以外にイ
ンパットダイオードなどの微細なメサ形状が必要とされ
るマイクロ波ダイオードの作製に特に適しているが、シ
ョットキーゲート型電界効果トランジスタなどの放熱の
ために半導体基板を薄くし、その上に多数の素子部を形
成する製造工程を有する半導体装置の製造にも有用に適
応しうる。
ンパットダイオードなどの微細なメサ形状が必要とされ
るマイクロ波ダイオードの作製に特に適しているが、シ
ョットキーゲート型電界効果トランジスタなどの放熱の
ために半導体基板を薄くし、その上に多数の素子部を形
成する製造工程を有する半導体装置の製造にも有用に適
応しうる。
【図１】本発明の一実施例であるガンダイオードの製造
工程を説明するための断面図である。
工程を説明するための断面図である。
【図２】従来技術であるガンダイオードの製造工程を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
１ 半導体基板 １ｓ ＩｎＰからなる基板 １ｅ 動作層 １ｇ 凹部（グリット部） ２ 第１の金属層 ３ 支持板 （ガラス基板） ３ｓ 酸化シリコン層 ４ 第２の金属層 ４ｓ 溝 ５ フォトレジストマスク ５ｈ 開口 ６ オーミック金属層 ７ フォトレジストマスク ８ めっきＡｕ層 ９ 素子部
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体からなる半導体基板の一主
面上に第１の金属層を形成し、第２の金属層を形成した
支持板を用意し、前記第１の金属層と第２の金属層とを
圧着することで前記支持板上に前記半導体基板を固定
し、前記半導体基板の他の主面を削ることにより薄く
し、前記半導体基板を熱処理し、その後、前記半導体基
板の他の主面上をパターニングすることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１および第２の金属層が放熱手段
を兼ねる電極として用いられることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151735A JPH07335953A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151735A JPH07335953A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335953A true JPH07335953A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15525152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6151735A Pending JPH07335953A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144108A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| KR100523131B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2005-10-19 | 신니혼무센 가부시키가이샤 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및 실장구조 |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP6151735A patent/JPH07335953A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100523131B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2005-10-19 | 신니혼무센 가부시키가이샤 | 건 다이오드, 엔알디 가이드 건 발진기와 그 제조방법 및 실장구조 |
| JP2001144108A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4189342A (en) | Semiconductor device comprising projecting contact layers | |
| US4536469A (en) | Semiconductor structures and manufacturing methods | |
| WO1989006444A2 (en) | Vertical power transistor and fabrication methods | |
| JP3144387B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08107049A (ja) | 電源装置のウェーハボンディングの方法 | |
| US4499659A (en) | Semiconductor structures and manufacturing methods | |
| JPH07335953A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003152138A (ja) | 放熱性に優れた半導体装置 | |
| US4661836A (en) | Fabricating integrated circuits | |
| JP3416930B2 (ja) | ＳｉＣ半導体装置の製造方法 | |
| JP2522159B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| US6048777A (en) | Fabrication of high power semiconductor devices with respective heat sinks for integration with planar microstrip circuitry | |
| JPH11214749A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2810322B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4661834A (en) | Semiconductor structures and manufacturing methods | |
| KR102707144B1 (ko) | 열 유도 휘어짐이 감소된 반도체 구조물 | |
| US5144413A (en) | Semiconductor structures and manufacturing methods | |
| JP2000349088A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH057019A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| RU2003115088A (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя | |
| JPS5842631B2 (ja) | 接合ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP2629600B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2833788B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07321064A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11150113A (ja) | 半導体装置の製造方法 |