KR102901552B1 - 방향성 전기 강판의 제조 방법 - Google Patents

방향성 전기 강판의 제조 방법

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Abstract

인히비터를 효과적으로 순화함으로써 자기 특성이 우수한 방향성 전기 강판을 안정적으로 제조하는 방법을 제안한다. 방향성 전기 강판의 제조 방법은, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 중 어느 1 종 이상을 소정량 함유하는 강 슬래브를 사용하고, 어닐링 분리제를, MgO : 100 질량부에 대해서 금속 화합물 : 1 ∼ 10 질량부 첨가하여, 금속 화합물의 입자경 : 1 ㎛ 이상의 입자의 비율을 강판 표면에 있어서 0.0010 개/㎛2 이하로 하여 도포한다.

Description

방향성 전기 강판의 제조 방법
본 발명은 방향성 전기 강판의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta 를 인히비터로서 사용했을 경우에 있어서, 그 순화를 촉진하여, 자기 특성이 우수한 방향성 전기 강판을 안정적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
방향성 전기 강판은, 주로 변압기 등의 철심에 사용되는 연자성 재료로서, 그 자기 특성으로서, 저철손이며, 또한 고자속 밀도일 것이 요구된다. 이러한 방향성 전기 강판은, 2 차 재결정 현상을 이용하여, Goss 방위로 불리는｛110｝＜001＞ 방위를 강판 조직에 집적함으로써 제조된다.
그리고, 이러한 Goss 방위의 집적도를 높이는 방법으로서, 인히비터로 불리는 석출물, 예를 들어, MnS, MnSe, 및 AlN 을 이용하여, 2 차 재결정을 제어하는 것이 일반적이다.
그런데, 최근, 에너지 절약화를 목적으로 하여, 보다 저철손이며, 또한 고자속 밀도인 방향성 전기 강판의 수요가 높아지고 있다. 이러한 방향성 전기 강판을 제조하는 방법으로서, 예를 들어, 특허문헌 1 및 2 에는, Nb 등을 인히비터로서 사용하는 방법이 제안되어 있다. Nb 등은 입 성장의 억제력을 강화하여, Goss 방위의 집적도를 높일 수 있다.
여기에서, 인히비터는 강 중에서 배제 (순화) 할 필요가 있지만, 인히비터의 순화를 촉진하는 방법으로서, 예를 들어, 특허문헌 3 에는, 순화 어닐링에 있어서의 질소 분압을 저감함으로써, 질소의 순화를 촉진하는 방법이 제안되어 있다.
일본 공개특허공보 평6-25747호 일본 공개특허공보 2008-115421호 일본 공개특허공보 평9-143562호
전술한 바와 같이, 인히비터를 사용했을 경우, 인히비터는 제품에 잔존하면, 자벽 이동을 방해하여 철손을 증대시킨다. 따라서, 마무리 어닐링시에, 2 차 재결정 어닐링을 실시한 후, 고온에서 순화 어닐링을 실시함으로써, 이것을 분해하여, 강 중으로부터 배제 (순화) 할 필요가 있다.
그러나, 특허문헌 1 및 2 에 기재된 방법과 같이, Ti, Zr, Hf, V, Nb 또는 Ta (이하, Nb 등이라고도 칭한다) 를 인히비터로서 사용했을 경우, 이것들을 순화시킬 수 없다는 문제가 있었다. 즉, 고온에서 분해된 Nb 등이 다시 석출되고, 이 석출물이 철손을 증대시켜 버린다는 문제가 있었다.
또, 상기 특허문헌 3 에 기재된 방법에서는, 질소를 순화시킬 수 있어도, 역시 Nb 등을 순화시킬 수는 없어, 철손이 증대된다는 문제가 남아 있었다.
본 발명은 상기한 문제를 유리하게 해결하는 것으로서, 특히 Nb 등의 인히비터를 효과적으로 순화함으로써, 자기 특성이 우수한 방향성 전기 강판을 안정적으로 제조하는 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
발명자들은 상기한 문제를 해결하기 위해서, 예의 검토를 거듭한 결과, 금속 화합물을 균일하게 분산시킨 어닐링 분리제를 사용하여 마무리 어닐링을 행함으로써, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 의 산화가 촉진되고, 그 순화가 촉진되는 것을 새롭게 알아내었다.
본 발명은 이러한 지견에 기초하여, 더욱 검토하여 완성된 것이다. 즉, 본 발명의 구성 요지는 아래와 같다.
1. 질량％ 로, C : 0.01 ∼ 0.1 ％, Si : 2.0 ∼ 5.0 ％ 및 Mn : 0.01 ∼ 1 ％ 를 함유하고, 추가로 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 중 어느 1 종, 또는 2 종 이상을 합계로 0.0010 ∼ 0.0100 ％ 함유하며, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물인 강 슬래브에, 열간 압연을 실시하고, 1 회, 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2 회 이상의 냉간 압연을 실시한 후, 탈탄 어닐링을 실시하고, 이어서 어닐링 분리제를 도포하여, 마무리 어닐링을 실시하는 일련의 공정으로 이루어지는 방향성 전기 강판의 제조 방법으로서,
상기 어닐링 분리제는, MgO : 100 질량부에 대해서 금속 화합물 : 1 ∼ 10 질량부 첨가하고, 상기 금속 화합물 중 입자경 : 1 ㎛ 이상의 입자의 비율을, 강판 표면에 있어서 0.0010 개/㎛2 이하로 하여 도포하는 것을 특징으로 하는 방향성 전기 강판의 제조 방법.
2. 상기 금속 화합물이, Ti, Cr, Mo, W, Mn, Zn, Sn, Pb, Sb 및 Bi 중에서 선택된 적어도 1 종의 산화물, 수산화물, 질산염 및 황산염 중 어느 1 종 이상인 것을 특징으로 하는, 상기 1 에 기재된 방향성 전기 강판의 제조 방법.
3. 상기 강 슬래브가, 추가로 질량％ 로, B : 0.0001 ∼ 0.005 ％, N : 0.002 ∼ 0.01 ％, Al : 0.004 ∼ 0.04 ％, P : 0.005 ∼ 0.1 ％, S : 0.002 ∼ 0.03 ％, Cr : 0.01 ∼ 0.5 ％, Ni : 0.01 ∼ 1.5 ％, Cu : 0.01 ∼ 0.5 ％, Se : 0.002 ∼ 0.03 ％, Mo : 0.005 ∼ 0.1 ％, Sn : 0.005 ∼ 0.5 ％, Sb : 0.005 ∼ 0.5 ％, 및 Bi : 0.001 ∼ 0.05 ％ 중 어느 1 종, 또는 2 종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는, 상기 1 또는 2 에 기재된 방향성 전기 강판의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 특히 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 중 어느 1 종 또는 2 종 이상을 인히비터로서 사용했을 경우여도, 금속 화합물을 균일하게 분산시킨 어닐링 분리제를 사용하여 마무리 어닐링을 행함으로써, 그 순화를 촉진하여, 자기 특성이 우수한 방향성 전기 강판을 안정적으로 제조할 수 있다.
도 1 은, 10 s-1 및 15 s-1 의 전단 속도로 교반했을 경우의 SnO2 의 분산 상태를 비교한 도면이다.
이하, 본 발명을 개발하는 계기가 된 실험에 대해서 설명한다.
질량％ 로, C : 0.03 ％, N : 0.004 ％, Al : 0.007 ％, Si : 3.2 ％, Mn : 0.06 ％ 를 함유하고, 추가로 인히비터 성분으로서 Nb : 0.0070 ％ 를 함유하며, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 강 슬래브를, 1380 ℃, 30 분간의 조건에서 가열하고, 추가로 열간 압연을 실시한 후, 냉간 압연을 실시하고, 이어서, 1050 ℃, 1 분간의 조건에서 중간 어닐링을 실시하고, 추가로 다시 냉간 압연을 실시하여 0.23 ㎜ 두께의 냉연판으로 하였다. 이러한 냉연판에, 습(濕)수소 분위기 중, 840 ℃, 2 분간의 조건에서 탈탄 어닐링을 실시하였다.
그 후, 상기 탈탄 어닐링 후의 11 장의 냉연판에 대해서, 표 1 에 나타내는 바와 같이, 그 중 6 장의 냉연판에 MgO : 100 질량부에 대해서, SnO2 를 5 질량부 첨가한 어닐링 분리제를 적용하고, 나머지 5 장의 냉연판에는 MgO 에 의한 어닐링 분리제를 적용하였다. 어느 어닐링 분리제도 전단 속도를 바꾸어 교반하고 나서 냉연판의 표면에 도포하고, 850 ℃, 50 시간의 조건에서 2 차 재결정 어닐링을 실시한 후, 건(乾)수소 분위기 중, 1200 ℃, 5 시간의 조건에서 순화 어닐링을 실시하고, 추가로 인산염을 주체로 하는 코팅을 도포하여, 850 ℃, 1 분간의 조건에서 평탄화 어닐링을 실시하여 시험편으로 하였다. 그 후, 이러한 시험편의 자기 측정을 행하고, 추가로, 이러한 시험편으로부터 피막을 제거한 후, Nb 의 분석을 행하였다.
또한, 자기 측정은 JISC2550 의 규정에 준하고, 또, 성분 분석은 발광 분광 분석을 이용하여 행하였다. 또한, SnO2 를 첨가하지 않은 어닐링 분리제를 사용한 경우에도 상기 측정 등과 동일하게 측정 등을 행하였다.
각각의 측정 등의 결과를 표 1 에 병기한다.
동표에 나타낸 바와 같이, SnO2 를 첨가한 경우에 있어서, 특히 15 s-1 이상의 전단 속도로 교반하면, Nb 가 10 질량ppm (0.0010 질량％) 미만으로 되어, 순화가 촉진되었다.
이 순화 촉진의 상세한 이유는 명확하지는 않지만, 발명자들은 아래와 같이 생각하고 있다.
즉, 2 차 재결정 어닐링에서는, Nb 는 NbN 으로서 석출되어, 인히비터에 의한 강판 조직의 입 성장을 억제하는 힘을 강화하는 것이 알려져 있지만, 보다 고온의 순화 어닐링에서는, 이것이 분해되고, N 과 Nb 가 각각 고용된다. 여기에서, 이러한 순화 어닐링시에, SnO2 가 첨가되면, SnO2 보다 Nb2O5 가 안정되기 때문에, 강판의 표층에서는, 아래의 반응이 일어남으로써, Nb 가 산화되어 순화가 진행되는 것으로 생각된다.
4Nb ＋ 5SnO2 → 2Nb2O5 ＋ 5Sn
또, 이러한 산화 반응의 결과, Nb 의 활량 구배가 일어나고, Nb 가 확산됨으로써, Nb 는 Nb2O5 로서 피막, 및 어닐링 분리제 중에 받아들여지는 형태로, 그 순화가 촉진된다고 생각된다.
또한, SnO2 의 분산 상태를 평가하기 위해서, 강판에 어닐링 분리제를 도포하여, 베이킹한 후, 주사형 전자 현미경을 사용하여, 그 표면을, 750 ㎛2 정도 크기의 시야를 10 시야 정도 선택하고, 배율 : 2000 배의 조건에서 관찰하였다.
어닐링 분리제에 SnO2 를 첨가 후, 10 s-1 및 15 s-1 의 전단 속도로 교반했을 경우의 SnO2 의 분산 상태를 각각 관찰한 결과를, 도 1 에 나타낸다.
동 도면에 나타내는 바와 같이, 전단 속도가 느릴 경우, 입자경이 1 ㎛ 이상인 SnO2 입자가 여기 저기에서 확인되었다. 한편, 전단 속도가 빠를 경우, 이와 같은 입자는 거의 확인되지 않았다. 구체적으로는, 10 s-1 의 전단 속도로 교반했을 경우, 입자경이 1 ㎛ 이상인 SnO2 입자의 비율이 0.0080 개/㎛2 정도인 것에 비해서, 15 s-1 의 전단 속도로 교반했을 경우, 그 비율은 0.0010 개/㎛2 이하로 되었다.
이 결과로부터, SnO2 를 첨가 후의 교반에 있어서, 전단 속도가 느릴 경우에는, SnO2 가 응집되고, 그 분포에 불균일이 발생되어, 입자경이 1 ㎛ 이상인 SnO2 입자의 비율이 0.0010 개/㎛2 이하로 되지 않았다. 그 때문에, Nb 의 산화가 불균일해져, 그 순화가 촉진되지 않았다고 생각된다.
다음으로, 본 발명에 있어서의 어닐링 분리제의 성분 조성에 대해서 설명한다.
본 발명에 있어서, SnO2 와 같은 금속 화합물은 강판의 순화를 촉진하기 위해서 중요한 성분이지만, 함유량이, MgO : 100 질량부에 대해서, 1 질량부 미만이면 충분한 효과가 얻어지지 않는다. 그 한편으로, 10 질량부를 초과하면, MgO 의 비율이 저감되어, 피막 특성, 나아가서는 자기 특성을 열화시킨다. 그 때문에, 본 발명에서는 1 ∼ 10 질량부의 범위로 한정하였다.
본 발명에 있어서의 상기 금속 화합물은, 인히비터로서 사용하는 원소에 의해서 분해되는 것으로서, 이러한 금속 화합물 중의 금속이, 산화물, 수산화물, 질산염 및 황산염을 갖고 있는 것이면, 이들 금속 화합물은 어느 것도 바람직하게 사용할 수 있다. 인히비터로서 사용한 원소는, 이러한 금속 화합물의 금속 대신에, 화합물로서 피막, 및 어닐링 분리제 중에 받아들여지는 형태로, 그 순화가 촉진된다고 생각되기 때문이다.
또한, 보다 구체적으로는, 상기 금속 화합물이, Ti, Cr, Mo, W, Mn, Zn, Sn, Pb, Sb 및 Bi 중에서 선택된 적어도 1 종의 산화물, 수산화물, 질산염 및 황산염 중 어느 1 종 이상이다.
또, 본 발명에서는, 이러한 어닐링 분리제에 대해서, 피막 특성, 및 자기 특성의 개선을 목적으로 하여, 종래 공지된 Li, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Ti, V, Fe, Co, Ni, Cu, Sr, Ba, 란타노이드의 산화물, 수산화물, 붕산염, 탄산염, 질산염, 인산염, 황산염, 할로겐화물을 함께 첨가할 수 있다.
또한, 이들 화합물은 단체로 사용해도 되고, 복수로 사용해도 된다. 이러한 화합물을 사용할 경우에는, 함유량으로서, MgO : 100 질량부에 대해서, 0.01 ∼ 15 질량부의 범위가 바람직하다. 0.01 질량부보다 적으면 충분한 효과가 얻어지지 않는 한편으로, 15 질량부보다 많으면 피막 형성이 지나치게 촉진되거나, 전술한 억제력이 지나치게 강화되거나 하여, 자기 특성이 열화된다.
다음으로, 강 슬래브의 성분 조성에 대해서 설명한다.
C 는, 집합 조직을 개선하기 위해서 중요한 원소이지만, 함유량이 0.01 질량％ 미만이면 충분한 효과가 얻어지지 않는 한편으로, 0.1 질량％ 를 초과하면, 탈탄이 곤란해져, 자기 특성을 열화시킨다. 그 때문에, 본 발명에서는 0.01 ∼ 0.1 질량％ 의 범위로 한정하였다.
Si 는, 비저항을 증대시키고, 와전류손을 개선하기 위해서 중요한 원소이지만, 함유량이 2.0 질량％ 미만이면 충분한 효과가 얻어지지 않는 한편으로, 5.0 질량％ 를 초과하면 냉연성을 열화시킨다. 그 때문에, 본 발명에서는 2.0 ∼ 5.0 질량％ 의 범위로 한정하였다.
Mn 은, Si 와 동일하게 비저항을 증대시키고, 와전류손을 개선한다. 또, 열연성을 개선하기 위해서 중요한 원소이지만, 함유량이 0.01 질량％ 미만이면 충분한 효과가 얻어지지 않는 한편으로, 1 질량％ 를 초과하면 γ 변태를 야기하여, 자기 특성을 열화시킨다. 그 때문에, 본 발명에서는 0.01 ∼ 1 질량％ 의 범위로 한정하였다.
Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 는, 상기한 억제력을 강화시켜, 자기 특성을 개선하기 위해서 중요한 원소이지만, 함유량이 합계로 0.0010 질량％ 미만이면 충분한 효과가 얻어지지 않는 한편으로, 0.0100 질량％ 를 초과하면, 그 순화가 곤란해진다. 그 때문에, 본 발명에서는, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 중 어느 1 종, 또는 2 종 이상을 합계로 0.0010 ∼ 0.0100 질량％ 의 범위로 한정하였다.
또, 본 발명에서는, 일반적인 방향성 전기 강판에 사용되는 MnS, MnSe, 및 AlN 등을 인히비터로서 사용할 수 있다. MnS 또는 MnSe 를 사용할 경우, Mn 을 0.01 ∼ 1 질량％, 및, S 를 0.002 ∼ 0.03 질량％ 또는 Se 를 0.002 ∼ 0.03 질량％ 첨가하는 것이 바람직하다. 한편, AlN 을 사용할 경우, Al 을 0.004 ∼ 0.04 질량％, 및 N 을 0.002 ∼ 0.01 질량％ 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 인히비터는 단체로 사용해도 되고, 복수로 사용해도 된다.
그리고 또 상기 성분 외에, 자기 특성의 개선을 목적으로 하여, 질량％ 로, B : 0.0001 ∼ 0.005 ％, P : 0.005 ∼ 0.1 ％, Cr : 0.01 ∼ 0.5 ％, Ni : 0.01 ∼ 1.5 ％, Cu : 0.01 ∼ 0.5 ％, Mo : 0.005 ∼ 0.1 ％, Sn : 0.005 ∼ 0.5 ％, Sb : 0.005 ∼ 0.5 ％, 및 Bi : 0.001 ∼ 0.05 ％ 중 어느 1 종, 또는 2 종 이상을 적절히 첨가해도 된다.
다음으로, 본 발명에 있어서의 방향성 전기 강판의 제조 방법에 대해서 설명한다.
상기 바람직한 성분으로 조정된 강 슬래브에, 공지된 방법에 따라서, 열간 압연을 실시하고, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 실시하여, 1 회, 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2 회 이상의 냉간 압연을 실시하여, 최종 판두께로 하고, 추가로 탈탄 어닐링하고, 이어서, MgO : 100 질량부에 대해서, 금속 화합물을 1 ∼ 10 질량부 첨가한 어닐링 분리제를 도포한다. 여기에서, 본 발명에 있어서, 교반 방식에 대해서, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어, 교반 날개를 사용할 경우에는, 그 회전 속도를 변경함으로써, 또 스태틱 믹서를 사용할 경우에는, 토출 압력을 변경함으로써, 전단 속도를 조정하여 교반하는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 교반시에, 15 s-1 이상의 전단 속도로 교반하는 것이 바람직하다. 이것은, 강판 표면에서 보았을 때, 그 입자경이 1 ㎛ 이상인 금속 화합물의 입자의 비율을 0.0010 개/㎛2 이하로 하기 위해서이다. 또한, 상기 금속 화합물의 입자의 비율은, 0.0005 개/㎛2 이하가 바람직하다. 한편, 그 하한은 특별히 한정되지 않고, 0 개/㎛2 이어도 된다. 또, 상기 전단 속도는, 20 s-1 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 그 상한은 특별히 한정되지 않지만, 공업적으로는 300 s-1 정도이다.
또한, 탈탄 어닐링 후에, 필요에 따라서, 질화 처리를 실시하는 것은 자기 특성 개선에 유리하다.
그 후, 2 차 재결정 어닐링을 실시한 후, 순화 어닐링을 실시하고, 필요에 따라서, 절연 코팅, 평탄화 어닐링, 및 자구 세분화 처리를 실시하여, 최종 제품인 방향성 전기 강판으로 한다.
또한, 본 발명의 제조 방법에서는, 본 명세서에 기재가 없는 항목은, 모두 통상적인 방법을 이용할 수 있다.
실시예
[실시예 1]
질량％ 로, C : 0.03 ％, N : 0.004 ％, Al : 0.007 ％, Si : 3.2 ％, Mn : 0.06 ％, Nb : 0.0050 ％ 를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 강 슬래브에, 1380 ℃, 30 분간의 조건에서 슬래브 가열을 실시하여, 열간 압연을 실시하고, 추가로 냉간 압연을 실시한 후, 1050 ℃, 1 분간의 조건에서 중간 어닐링을 실시하며, 다시 냉간 압연을 실시하여 0.23 ㎜ 의 냉연판으로 하고, 습수소 분위기 중, 840 ℃, 2 분간의 조건에서 탈탄 어닐링하여 탈탄 어닐링판으로 하였다. 이러한 탈탄 어닐링판에 MgO : 100 질량부에 대해서, 금속 화합물로서 표 2 에 기재하는 각종 산화물을 첨가하여 표 2 에 기재하는 전단 속도로 교반한 어닐링 분리제를 도포한 후, 850 ℃, 50 시간의 조건의 2 차 재결정 어닐링, 나아가서는 1200 ℃, 5 시간의 조건의 순화 어닐링을 실시하고, 이어서, 인산염을 주체로 하는 코팅을 도포한 후, 850 ℃, 1 분간의 조건에서 평탄화 어닐링을 실시하여 시험편으로 하였다.
그 후, 이러한 시험편의 자기 측정을 행하고, 추가로 피막을 제거한 후, Nb 의 분석을 행하였다. 또한, 자기 측정은 JISC2550 에 준하고, 성분 분석은 발광 분광 분석법을 이용하여 행하였다.
각각의 측정 및 분석 결과를 표 2 에 병기한다.
동표에 나타낸 바와 같이, 본 발명을 적용했을 경우, Nb 량이 충분히 저감 (순화) 되면서, 자기 특성이 개선되는 것을 알 수 있다.
[실시예 2]
표 3 에 기재된 각종 성분을 함유하는 강 슬래브에, 1380 ℃, 30 분간의 조건에서 슬래브 가열을 실시하여, 열간 압연을 실시하고, 추가로 냉간 압연을 실시한 후, 1050 ℃, 1 분간의 조건에서 중간 어닐링을 실시하며, 다시 냉간 압연을 실시하여 0.23 ㎜ 의 냉연판으로 하고, 습수소 분위기 중, 840 ℃, 2 분간의 조건에서 탈탄 어닐링하여 탈탄 어닐링판으로 하였다. 이러한 탈탄 어닐링판에, MgO : 100 질량부에 대해서, 금속 화합물로서 MoO3 을 5 질량부 첨가하여 15 s-1 의 전단 속도로 교반한 어닐링 분리제를 도포한 후, 850 ℃, 50 시간의 조건의 2 차 재결정 어닐링, 나아가서는 1200 ℃, 5 시간의 조건의 순화 어닐링을 실시하고, 이어서, 인산염을 주체로 하는 코팅을 도포한 후, 850 ℃, 1 분간의 조건에서 평탄화 어닐링을 실시하여 시험편으로 하였다. 또한, 1 ㎛ 이상의 입자경의 입자의 비율은, 어느 시험편이나 0.0010 [개/㎛2] 이하였다.
그 후, 이러한 시험편의 자기 측정을 행하고, 추가로 피막을 제거한 후, 성분 분석을 행하였다. 또한, 자기 측정은 JISC2550 에 준하고, 성분 분석은 발광 분광 분석법을 이용하여 행하였다.
각각의 측정 및 분석 결과를 표 3 에 병기한다.
동표에 나타낸 바와 같이, 본 발명을 적용했을 경우, 각 원소가 충분히 저감 (순화) 되면서, 자기 특성이 개선되는 것을 알 수 있다.

Claims (3)

  1. 질량％ 로, C : 0.01 ∼ 0.1 ％, Si : 2.0 ∼ 5.0 ％ 및 Mn : 0.01 ∼ 1 ％ 를 함유하고, 추가로 인히비터로서 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta 중 어느 1 종, 또는 2 종 이상을 합계로 0.0010 ∼ 0.0100 ％ 함유하며, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물인 강 슬래브에, 열간 압연을 실시하고, 1 회, 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2 회 이상의 냉간 압연을 실시한 후, 탈탄 어닐링을 실시하고, 이어서 어닐링 분리제를 도포하여, 마무리 어닐링을 실시하는 일련의 공정으로 이루어지고, 상기 마무리 어닐링시에는, 2 차 재결정 어닐링을 실시한 후, 순화 어닐링을 실시하는, 방향성 전기 강판의 제조 방법으로서,
    상기 어닐링 분리제는, MgO : 100 질량부에 대해서 금속 화합물 : 1 ∼ 10 질량부 첨가하고, 상기 금속 화합물 중 입자경 : 1 ㎛ 이상의 입자의 비율을, 강판 표면에 있어서 0.0010 개/㎛2 이하로 하여 도포하고,
    상기 금속 화합물은, Ti, Cr, Mo, W, Mn, Zn, Sn, Pb, Sb 및 Bi 중에서 선택한 적어도 1 종의 산화물, 수산화물, 질산염 및 황산염 중 어느 1 종 이상이고, 또한, 상기 금속 화합물은, 상기 인히비터로서 사용하는 원소에 의해 분해되는 것을 특징으로 하는 방향성 전기 강판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 강 슬래브가, 추가로 질량％ 로, B : 0.0001 ∼ 0.005 ％, N : 0.002 ∼ 0.01 ％, Al : 0.004 ∼ 0.04 ％, P : 0.005 ∼ 0.1 ％, S : 0.002 ∼ 0.03 ％, Cr : 0.01 ∼ 0.5 ％, Ni : 0.01 ∼ 1.5 ％, Cu : 0.01 ∼ 0.5 ％, Se : 0.002 ∼ 0.03 ％, Mo : 0.005 ∼ 0.1 ％, Sn : 0.005 ∼ 0.5 ％, Sb : 0.005 ∼ 0.5 ％, 및 Bi : 0.001 ∼ 0.05 ％ 중 어느 1 종, 또는 2 종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는, 방향성 전기 강판의 제조 방법.
  3. 삭제
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