KR102620767B1 - 정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법 - Google Patents

정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102620767B1
KR102620767B1 KR1020230039862A KR20230039862A KR102620767B1 KR 102620767 B1 KR102620767 B1 KR 102620767B1 KR 1020230039862 A KR1020230039862 A KR 1020230039862A KR 20230039862 A KR20230039862 A KR 20230039862A KR 102620767 B1 KR102620767 B1 KR 102620767B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
processing
lithographic
collected data
applying
Prior art date
Application number
KR1020230039862A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230047981A (ko
Inventor
요스케 다카라다
유스케 미우라
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20230047981A publication Critical patent/KR20230047981A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102620767B1 publication Critical patent/KR102620767B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70533Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45028Lithography
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Abstract

정보 처리 장치는, 복수의 처리 조건을 적용함으로써 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에 의해 리소그래피 처리가 실행되는 상태에서 수집된 복수의 수집 데이터를 취득하도록 구성되는 취득 유닛과, 취득된 데이터를 처리 조건에 기초하여 분류하도록 구성되는 분류 유닛과, 수집 데이터가 처리 조건에 기초하여 특정된 허용 범위 내에 들어가는지의 여부를 판정함으로써 상기 취득된 수집 데이터에서 이상이 발생했는지를 판정하도록 구성되는 판정 유닛을 포함한다.

Description

정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법{INFORMATION PROCESSING APPARATUS, JUDGEMENT METHOD, NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM, LITHOGRAPHY SYSTEM, CALCULATION METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR MANUFACTURING AN ARTICLE}
본 발명은 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스, 미세-전자 기계 시스템(MEMS) 또는 플랫-패널 디스플레이 등의 물품의 제조에서, 기판 상에 형성하는 패턴의 미세화의 진행으로 인해, 리소그래피 장치의 성능, 즉 해상력, 중첩 정밀도, 및 생산성의 향상에 대한 요구가 높아지고 있다.
리소그래피 장치의 성능의 향상에 대한 요구를 충족시키기 위해서는, 리소그래피 장치의 성능의 저하를 초래할 수 있는 이상을 해결할 필요가 있다.
일본 특허 출원 공개 공보 제2011-54804호는, 엔지니어의 수동 조작을 필요로 하지 않고 반도체 제조 장치의 이상을 자동적으로 해결하는 것을 가능하게 하는 반도체 제조 장치의 관리 방법을 개시하고 있다. 이 방법에서, 복수의 반도체 제조 장치 중에서 반도체 집적 회로의 불량의 원인이 되는 반도체 제조 장치를 특정하고, 반도체 제조 장치는 반도체 제조 장치의 내부 상태가 정상 상태인지의 여부에 대해서 판정된다. 그리고, 내부 상태가 정상 상태가 아닌 경우, 반도체 제조 장치의 내부 상태를 정상 상태로 복귀시키는 입력을 제어하는 처리를 실행한다.
일본 특허 출원 공개 공보 제2011-54804호에 기재된 방법에서는, 주성분 분석을 채용함으로써, 반도체 제조 장치의 내부 상태를 설명하는 장치 파라미터로서의 장비 엔지니어링 시스템(equipment engineering system)(EES) 데이터로부터 주성분 벡터를 산출한다. 그리고, 주성분 벡터가 속하는 주성분 공간에서, 주성분 벡터가 정상 상태를 나타내는 영역에 속하는지의 여부를 판정하는 처리가 실행된다. 그러나, 정상 상태를 나타내는 영역은 반도체 제조 장치에 적용되는 처리 조건에 따라 상이한 경우가 있다. 즉, EES 데이터가 취득될 때에 반도체 제조 장치에 적용되는 처리 조건에 따라, 내부 상태가 정상 상태인지의 여부를 판정하기 위해 사용되는 정상 상태를 나타내는 영역의 범위가 변화할 수 있다. 따라서, 처리 조건을 고려해서 정상 상태를 나타내는 영역을 결정하지 않으면, 반도체 제조 장치의 내부 상태가 정상 상태인지의 여부를 정확하게 판정하는 것이 어려워질 것이다.
본 발명은 리소그래피 장치에 발생하는 이상을 정확하게 판정할 수 있는 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 정보 처리 장치는, 복수의 처리 조건을 적용함으로써 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에 의해 리소그래피 처리를 실행하는 상태에서 수집되는 복수의 수집 데이터를 취득하도록 구성되는 취득 유닛과, 상기 처리 조건에 기초하여 상기 취득된 데이터를 분류하도록 구성되는 분류 유닛과; 상기 수집 데이터가 상기 처리 조건에 기초하여 특정된 허용 범위 내에 들어가는지의 여부를 판정함으로써 상기 취득된 수집 데이터에서 이상이 발생했는지를 판정하도록 구성되는 판정 유닛을 포함한다.
첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 본 발명의 추가적인 특징이 명확해질 것이다.
도 1은 리소그래피 시스템을 도시하는 블록도이다.
도 2는 노광 장치를 도시하는 개략도이다.
도 3은 정보 처리 장치의 하드웨어 구성을 도시하는 블록도이다.
도 4는 진단 장치의 중앙 처리 유닛(CPU)의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 5는 노광 장치의 이상을 판정하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 로트 데이터를 도시하는 블록도이다.
도 7은 로트 데이터가 축적되는 축적 데이터를 도시하는 블록도이다.
도 8은 축적 데이터에 축적된 기준 데이터를 도시하는 블록도이다.
도 9는 동기 정밀도 데이터와 허용 범위를 도시하는 도면이다.
도 10은 동기 정밀도 데이터와 복수의 허용 범위를 도시하는 도면이다.
도 11은 검지된 이상과 유지보수 방법 사이의 관계의 일례를 도시하는 테이블이다.
도 12는 유지보수 방법을 결정하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 13은 이력 정보를 도시하는 테이블이다.
도 14는 동기 정밀도의 이상의 요인을 도시하는 블록도이다.
도 15는 요인 분석을 채용함으로써 유지보수 방법을 결정하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 16a, 도 16b, 도 16c 및 도 16d는 웨이퍼 스테이지에서 발생하는 편차의 파형을 도시하는 파형 차트이다.
도 17은 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 관계를 도시하는 테이블이다.
도 18은 복수의 진단 장치와 집중 관리 장치로 구성되는 리소그래피 시스템을 도시하는 블록도이다.
이하 본 발명의 예시적인 실시예를 첨부 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 각 도면에서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복하는 설명은 생략한다.
제1 예시적인 실시예에서는, 복수의 리소그래피 장치와 진단 장치를 포함하는 리소그래피 시스템에 대해서 설명한다. 도 1은 리소그래피 시스템을 도시하는 블록도이다. 본 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템(100)은, 웨이퍼(기판)에 패턴을 각각 형성하는 리소그래피 장치(200 내지 203)와, 리소그래피 장치의 이상을 판정하여 리소그래피 장치의 유지보수를 실행하기 위한 유지보수 방법을 결정하는 진단 장치(300)를 포함한다. 리소그래피 장치의 유지보수를 실행하기 위한 유지보수 방법은 리소그래피 장치의 이상을 해소하기 위해서 실행되는 방법이다. 예를 들어, 후술하는 웨이퍼 스테이지의 위치에 관한 오차에 의해 발생하는 이상이 판정되는 경우, 리소그래피 장치를 유지하기 위해서 웨이퍼 스테이지의 진동을 저감하기 위한 유지보수 방법이 실행될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는, 패턴이 형성된 레티클(즉, 마스크 또는 원판)에 광을 조사하고, 레티클로부터의 광에 의해 웨이퍼의 샷 영역에 패턴을 투영하는 노광 장치를 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 리소그래피 장치는, 웨이퍼 위에 공급된 임프린트재를 몰드(즉, 원판)에 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써 몰드의 형상이 전사된 조성물을 형성하는 임프린트 장치를 포함할 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는, 하전 입자 광학계를 통해서 하전 입자 빔(예를 들어, 전자빔 또는 이온빔)에 의해 기판에 패턴을 묘화하여 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치를 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 리소그래피 장치는, 감광 매체를 기판 상에 도포하는 도포 장치 또는 기판 상의 전사 패턴을 현상하는 현상 장치 같은, 디바이스 등의 물품의 제조에서 노광 장치 등의 상술한 장치에 의해 실행되는 처리 이외의 처리를 실행하는 제조 장치를 포함할 수 있다. 또한, 도 1에서는, 리소그래피 장치(200 내지 203)가 배치되어 있지만, 리소그래피 장치의 수는 4개로 한정되는 것은 아니다.
이어서, 리소그래피 장치(200 내지 203)의 일례로서 노광 장치에 대해서 설명한다. 노광 장치는 패턴이 형성된 레티클로부터 조사되는 광으로 웨이퍼를 노광한다. 도 2는 리소그래피 장치의 일례로서의 노광 장치를 도시하는 개략도이다. 본 예시적인 실시예에 따른 노광 장치(204)는, 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 동기하여 구동하면서 노광 처리를 행하는 스텝-앤드-스캔 방식 노광 장치(스캐너)로서 설명된다. 그러나, 노광 장치(204)는 스캐너에 한정되지 않고, 웨이퍼 스테이지가 정지 상태에 있는 상태에서 웨이퍼에 대해 노광 처리를 실행하는 스텝-앤드-리피트 방식 노광 장치(스테퍼)일 수 있다. 도 2의 예에서는, 노광 장치(204)는 광원(7), 조명 광학계(8), 레티클 스테이지(2), 투영 광학계(3), 웨이퍼 스테이지(6), 웨이퍼 척(5) 및 제어 유닛(16)을 포함한다. 노광 장치(204)는 레이저 간섭계(9 및 10), 포커스 센서(11), 웨이퍼 반송 유닛(12), 레티클 반송 유닛(14) 및 얼라인먼트 스코프(15)를 더 포함한다. 또한, 도 2에서는, 투영 광학계(3)의 광축에 평행한 방향을 Z 축 방향으로서 규정하고, Z 축 방향에 수직한 평면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향을 각각 X 축 방향 및 Y 축 방향으로서 규정한다.
예를 들어, 광원(7)으로서는, 고압 수은 램프, 아르곤-플루오라이드(ArF) 엑시머 레이저 디바이스 또는 크립톤-플루오라이드(KrF) 엑시머 레이저 디바이스가 사용될 수 있다. 또한, 광원(7)은 노광 장치(204)의 챔버의 내측에 배치되어야 하는 것은 아니고 외부에 배치될 수 있다. 광원(7)으로부터 사출되는 광이 조명 광학계(8)를 통해 레티클(1)(즉, 원판 또는 마스크)(도시되지 않음)을 조명한다. 감광재가 도포되는 웨이퍼(4)(즉, 기판) 상에 전사되는 패턴이 레티클(1) 상에 묘화되며, 레티클(1)은 레티클 스테이지(2)에 장착된다. 레티클 스테이지(2)는 레티클 척(도시되지 않음)을 통해 레티클(1)을 흡착 및 보유지지한다. 예를 들어, 레티클 스테이지(2)는 리니어 모터(도시되지 않음)에 의해 이동가능하도록 구성된다.
투영 광학계(3)는, 레티클(1)에 묘화된 패턴의 상을 웨이퍼 척(5)에 적재된 웨이퍼(4) 위에 투영한다(즉, 노광 처리). 패턴의 상이 웨이퍼(4) 위에 투영될 때에, 투영 배율(예를 들어, 1/4 배율)로 반전 및 축소된 상이 투영 광학계(3)를 통해서 웨이퍼(4) 위에 투영된다. 패턴의 상이 투영되는 영역을 샷 영역이라 칭한다. 웨이퍼(4) 상에는 복수의 샷 영역이 설정되어 있으며, 투영이 샷 영역 위에 순차적으로 및 반복적으로 실행된다.
웨이퍼 스테이지(6)는 리니어 모터(도시되지 않음)에 의해 구동되며 X 방향 및 Y 방향으로 이동된다. 웨이퍼 척(5)은 웨이퍼 스테이지(6) 상에 탑재되어 웨이퍼(4)를 보유지지한다. 웨이퍼 스테이지(6)는 웨이퍼 척(5)의 위치를 Z 방향, θ 방향, ωX 방향 및 ωY 방향에서 고정하며, 여기서 θ는 X-Y 평면에서의 웨이퍼의 각도이고, ωX는 Y-Z 평면에서의 웨이퍼의 각도이며, ωY는 X-Z 평면에서의 웨이퍼의 각도이다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼 척(5)에 의해 보유지지된 웨이퍼(4)는 웨이퍼 스테이지(6) 및 웨이퍼 척(5)을 구동함으로써 이동된다.
레이저 간섭계(9)는 레티클 스테이지(2)의 Y 방향의 위치 및 레티클 스테이지(2)의 배향을 계측한다. 레이저 간섭계(9)는, 마찬가지로 레티클 스테이지(2)의 X 방향의 위치를 계측하기 위한 레이저 간섭계(도시되지 않음)를 포함한다. 또한, 레이저 간섭계(10)는, 웨이퍼(4)가 탑재되는 웨이퍼 스테이지(6)의 Y 방향의 위치 및 웨이퍼 스테이지(6)의 배향을 계측한다. 또한, 레이저 간섭계(10)는 마찬가지로 웨이퍼 스테이지(6)의 X 방향의 위치를 계측하는 레이저 간섭계(도시되지 않음)를 포함한다. 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)의 위치는, 레이저 간섭계(9 및 10)에 의해 계측된 위치에 기초하여, 후술하는 제어 유닛(16)에 의해 제어된다.
포커스 센서(11)는, 웨이퍼(4)에 대하여 광(복수의 빔)을 투사하는 투광계(11a)와, 웨이퍼(4)에서 반사된 광을 수광하는 수광계(11b)와, 수광계(11b)로부터의 광을 검출해서 제어 유닛(16)에 검출 신호를 출력하는 검출 유닛(도시되지 않음)을 포함한다. 투광계(11a)와 수광계(11b)는 투영 광학계(3)의 광 사출부 부근을 사이에 두도록 배치된다. 투광계(11a)는 웨이퍼(4)에 광을 비스듬히 사출하고, 수광계(11b)는 반사된 광을 그 반대 측에서 취한다. 포커스 센서(11)에 의해 검출된 검출 신호에 기초하여, 후술하는 제어 유닛(16)은 웨이퍼(4)의 Z 방향의 위치를 계측하고, 웨이퍼 스테이지(6)에 의해 이동되는 웨이퍼(4)의 이동을 제어한다.
웨이퍼 반송 유닛(12)은 웨이퍼(4)를 반송한다. 웨이퍼 반송 유닛(12)은 웨이퍼(4)를 수납하는 웨이퍼 수납 용기(도시되지 않음)로부터 웨이퍼 스테이지(6)에 웨이퍼(4)를 반송한다. 또한, 웨이퍼 반송 유닛(12)은 웨이퍼 스테이지(6)로부터 웨이퍼 수납 용기에 웨이퍼(4)를 반송한다.
레티클 반송 유닛(14)은 레티클(1)을 반송한다. 레티클 반송 유닛(14)은 레티클(1)을 수납하는 레티클 수납 용기(도시되지 않음)로부터 레티클 스테이지(2)에 레티클(1)을 반송한다. 또한, 레티클 반송 유닛(14)은, 레티클 스테이지(2)로부터 레티클 수납 용기에 레티클(1)을 반송한다.
얼라인먼트 스코프(15)는, 웨이퍼 척(5)에 의해 보유지지된 웨이퍼(4)의 위치결정(얼라인먼트)을 행하기 위해서, 웨이퍼(4) 상에 형성된 마크를 촬상하여 디지털 화상 신호를 취득한다. 얼라인먼트 스코프(15)는, 웨이퍼(4)로부터의 반사광의 밝기(콘트라스트)에 대응하는 콘트라스트 화상 신호(즉, 콘트라스트)를 출력하는 이미지 센서(도시되지 않음)와 이미지 센서로부터 취득된 콘트라스트 화상 신호를 디지털 화상 신호로 변환하는 아날로그-대-디지털(A/D) 변환 유닛(도시되지 않음)을 포함한다. 후술하는 제어 유닛(16)은, 취득된 디지털 화상 신호를 사용해서 웨이퍼(4) 상에 형성된 마크의 위치를 검출하고, 검출한 마크의 위치에 기초하여 웨이퍼 스테이지(6)를 제어하여 웨이퍼(4)의 위치결정을 행한다.
제어 유닛(16)은, 노광 장치(204)의 각 유닛의 동작 제어 및 조정 제어를 실행함으로써 웨이퍼(4)를 노광하는 처리를 제어한다. 제어 유닛(16)은, 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 등의 프로그래머블 로직 디바이스(PLD), 주문형 집적 회로(ASIC), 및 프로그램이 내장되는 컴퓨터의 전부 또는 일부의 조합으로 구성되는 정보 처리 장치이다. 또한, 제어 유닛(16)은 복수의 정보 처리 장치로 구성될 수 있다. 또한, 제어 유닛(16)은, 노광 장치(204)의 다른 부분과 일체로 공통인 하우징 내에 배치될 수 있거나 또는 노광 장치(204)의 다른 부분과 별도로 별도의 하우징 내에 배치될 수 있다. 또한, 제어 유닛(16)은, 후술하는 저장 장치로부터 취득되는 처리 조건을 적용하여 웨이퍼(4)의 노광 처리(리소그래피 처리)를 실행하도록 제어를 행한다. 예를 들어, 노광 처리에 적용되는 처리 조건은 웨이퍼 반송 유닛(12)에 의해 웨이퍼(4)를 웨이퍼 스테이지(6)에 반송하는 속도 또는 경로를 특정하는 반송 조건을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 노광 처리에 적용되는 처리 조건은 웨이퍼(4)가 웨이퍼 스테이지(6)에 의해 위치결정될 때의 허용 오차를 특정하는 위치결정 조건을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 노광 처리에 적용되는 처리 조건은 포커스 센서(11)에 의해 계측을 실행할 때의 광의 조사 기간 및 조사 타이밍을 특정하는 계측 조건을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 노광 처리에 적용되는 처리 조건은 웨이퍼(4)를 노광할 때의 레티클(1)의 식별자, 웨이퍼(4) 상의 샷 영역의 레이아웃, 및 조명 모드를 특정하는 노광 조건을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 노광 처리에 적용되는 처리 조건은, 노광 장치(204) 내측의 온도 및 기압을 특정하는 환경 조건, 노광 장치(204)의 모델, 및 소프트웨어의 버전 등의 정보를 포함하는 셋업 조건을 포함할 수 있다.
도 3은 정보 처리 장치의 하드웨어 구성을 도시하는 블록도이다. 정보 처리 장치의 하드웨어 구성 요소 각각은 프로그램에 기초하여 기능한다. 도 3의 예에서는, 중앙 처리 유닛(CPU)(301)이 프로그램에 기초하여 제어를 실행하기 위한 연산을 행하고 버스(308)에 연결된 각 구성 요소를 제어하는 처리 장치이다. 리드 온리 메모리(ROM)(302)는 데이터 판독 전용의 메모리이며, 내부에 프로그램 및 데이터가 저장된다. 랜덤 액세스 메모리(RAM)(303)는 데이터 판독 및 기입용의 메모리이며, 프로그램 및 데이터를 저장하기 위해 사용된다. RAM(303)은, CPU(301)에 의해 취득된 연산 결과 등의 데이터를 일시적으로 저장하기 위해 사용된다. 저장 장치(304) 또한 프로그램 및 데이터를 저장하기 위해 사용된다. 저장 장치(304)는 또한 정보 처리 장치의 오퍼레이팅 시스템(OS)의 프로그램 및 데이터를 일시적으로 저장하는 영역으로서 사용된다. 저장 장치(304)의 데이터 입력/출력 속도는 RAM(303)에 비하여 느리지만, 저장 장치(304)에는 대용량의 데이터를 저장할 수 있다. 저장 장치(304)는, 저장된 데이터를 장기간 동안 참조할 수 있도록, 데이터를 영속적인 데이터로서 저장할 수 있는 불휘발성 저장 장치인 것이 바람직하다. 저장 장치(304)는 주로 하드 디스크 드라이브(HDD) 같은 자기 저장 장치로 구성되지만, 저장 장치(304)는 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 메모리 카드 등의 외부 매체가 장착되는, 데이터를 판독 및 기입하는 장치일 수 있다. 입력 장치(305)는 정보 처리 장치에 문자 및 데이터를 입력하기 위한 장치이며, 키보드 및 마우스가 이에 대응한다. 표시 장치(306)는 정보 처리 장치의 조작에 필요한 정보 또는 처리 결과를 표시하기 위한 장치이며, 음극선 관 모니터 또는 액정 모니터가 이에 대응한다. 통신 장치(307)는, 정보 처리 장치가 네트워크에 연결되어 전송 제어 프로토콜/인터넷 프로토콜(TCP/IP) 등의 통신 프로토콜을 사용하여 데이터 통신을 행하고 다른 정보 처리 장치와 서로 통신을 행하는 경우에 사용된다. 또한, 정보 처리 장치는 고속으로 연산 처리를 행할 수 있도록 그래픽 프로세서 유닛(GPU)(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
이어서, 진단 장치(300)에 대해서 설명한다. 진단 장치(300)는 예를 들어 도 3의 예에서 나타내는 구성을 포함하는 정보 처리 장치이다. 진단 장치(300)는 데이터 통신을 행하도록 통신 장치(307)를 통해서 복수의 노광 장치(204)에 연결된다. 도 4는 진단 장치(300)의 CPU의 구성을 도시하는 블록도이다. 진단 장치(300)의 CPU는, 취득 유닛(401), 축적 유닛(402), 이상 판정 유닛(403), 유지보수 유닛(404) 및 출력 유닛(405)을 포함한다.
이어서, 진단 장치(300)에 의해 노광 장치(204)에서 이상을 판정하는 방법에 대해서 설명한다. 도 5는 노광 장치(204)의 이상을 판정하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 먼저, 단계 S501에서, 취득 유닛(401)은 노광 장치(204)로부터 로트 데이터를 취득한다. 또한, 취득 유닛(401)은, 로트 데이터와 함께, 노광 장치(204)를 특정하는 정보(예를 들어, 노광 장치(204)를 나타내는 식별자(ID))와 로트 데이터가 취득되었을 때에 적용되는 처리 조건을 특정하는 정보(예를 들어, 처리 조건을 나타내는 ID)를 취득한다.
여기서, 로트 데이터에 대해서 설명한다. 도 6은 로트 데이터의 일례를 나타내는 도면이다. 노광 장치(204)가 웨이퍼(4)의 노광 처리를 실행하는 경우, 복수의 웨이퍼(4)(예를 들어, 25개의 웨이퍼(4))를 포함하는 "로트"의 단위로 노광 처리를 실행한다. 또한, 동일한 로트에 속하는 복수의 웨이퍼(4)에 대하여 노광 처리를 행하는 경우, 동일한 처리 조건이 적용된다. 또한, 웨이퍼(4) 상의 노광 영역으로서 복수의 샷 영역(예를 들어, 100개의 샷 영역)의 레이아웃이 미리 결정되고, 노광 장치(204)는 웨이퍼(4) 상의 복수의 샷 영역에 대하여 노광 처리를 반복해서 실행한다. 도 6의 예에서는, 1개의 로트는 25개의 웨이퍼(4)를 포함하며, 각각의 웨이퍼(4)에 대해 100개의 샷 영역이 설정된다. 그러나, 웨이퍼(4) 또는 샷 영역의 수는 이것으로 한정되지 않는다.
로트 데이터는, 상술한 하나의 로트에 속하는 복수의 웨이퍼(4)에 동일한 처리 조건을 적용함으로써 노광 처리를 행하는 경우에 수집되는 데이터의 모임이다. 로트 데이터는 계층적인 구조를 가지며, 웨이퍼(4)의 복수의 샷 영역에 대하여 노광 처리를 행할 때에 수집된 수집 데이터가 각각의 웨이퍼(4) 또는 각각의 샷 영역마다 분류되어 저장된다. 또한, 도 6의 예에서는, 동기 정밀도 데이터 및 조도 데이터가 각각의 샷 영역마다 분류되어 저장되며, 스테이지 편차 데이터 및 얼라인먼트 계측 데이터가 각각의 웨이퍼(4)마다 분류되어 저장된다. 여기서, 예를 들어, 동기 정밀도 데이터는, 대상 샷 영역을 노광하기 위해서 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)를 Y 축 방향으로 동기해서 구동하는 기간에 발생하는, 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)의 상대적인 위치의 오차를 나타내는 데이터이다. 또한, 동기 정밀도 데이터는, 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)가 동기되어 구동되는 기간 동안 수집된, 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)의 후술하는 스테이지 편차 데이터에 기초하여 제어 유닛(16)에 의해 취득된다. 동기 정밀도 데이터의 증가는 중첩 성능 또는 촬상 성능에 영향을 주기 때문에, 동기 정밀도 데이터를 감시함으로써 노광 장치(204)의 이상을 판정할 수 있다. 또한, 조도 데이터는 샷 영역이 노광되는 기간 동안 샷 영역에 입사하는 광의 강도를 나타내는 값이다. 예를 들어, 조도 데이터는, 샷 영역을 노광하는 기간 동안, 조명 광학계(8) 내에 배치되는, 광 강도를 계측하는 광량 센서(도시되지 않음)에 의해 취득된 계측 결과에 기초하여, 제어 유닛(16)에 의해 취득된다. 또한, 스테이지 편차 데이터는, 웨이퍼(4)의 노광 기간에 레티클 스테이지(2) 및 웨이퍼 스테이지(6) 중 적어도 어느 하나가 수집될 때 발생하는 목표 위치와 계측 위치 사이의 편차를 나타내는 값이다. 스테이지 편차 데이터는, 레이저 간섭계(9 및 10)에 의해 취득된 계측 결과에 기초하여 제어 유닛(16)에 의해 취득된다. 또한, 얼라인먼트 계측 데이터는, 대상 웨이퍼(4) 상에 형성된 마크를 촬상함으로써 취득된 디지털 화상 신호의 파형 데이터 또는 디지털 화상 신호의 평가(즉, 파형 데이터의 대칭성 또는 디지털 화상 신호의 콘트라스트)를 나타내는 데이터를 포함할 수 있다. 얼라인먼트 계측 데이터는 얼라인먼트 스코프(15)에 의해 취득된 계측 결과에 기초하여 제어 유닛(16)에 의해 취득된다. 또한, 수집 데이터는 동기 정밀도 데이터, 조도 데이터, 스테이지 편차 데이터 및 얼라인먼트 계측 데이터에 한정되지 않는다. 예를 들어, 수집 데이터는, 시계열 데이터일수 있거나, 또는 시계열 데이터로부터 취득된 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값 및 표준 편차 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 수집 데이터는 주성분 분석을 통해 취득된 주성분 벡터를 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 또한, 로트 데이터는, 노광 장치(204)의 제어 유닛(16)에 의해, 노광 장치(204)의 각 유닛 및 디바이스로부터 수집되며, 통신 장치(307)를 통해서 진단 장치(300)에 출력된다. 여기서, 제어 유닛(16)은, 1개의 로트 데이터를 진단 장치(300)에 출력할 수 있거나 또는 복수의 로트 데이터를 통합하여 진단 장치(300)에 출력할 수 있다. 또한, 제어 유닛(16)은, 로트 데이터를 저장 장치(304)에 저장할 수 있고 저장 장치(304)에 저장된 로트 데이터를 출력할 수 있다. 또한, 제어 유닛(16)은, 로트 데이터와 함께, 노광 장치(204)를 특정하는 정보 또는 로트 데이터가 수집되었을 때에 적용된 처리 조건을 특정하는 정보를 출력할 수 있다.
도 5를 다시 참고하면, 단계 S502에서, 축적 유닛(402)은, 취득 유닛(401)에 의해 취득된 로트 데이터를 축적 데이터(즉, 제1 정보)에 축적하고, 로트 데이터를 진단 장치(300)의 저장 장치(304)에 저장한다. 또한, 축적 유닛(402)은, 취득 유닛(401)으로부터 노광 장치(204)를 특정하는 정보 및 처리 조건을 특정하는 정보를 취득하고, 로트 데이터를 각각의 노광 장치(204) 또는 각각의 처리 조건마다 분류하여 축적한다. 즉, 축적 유닛(402)은, 취득된 로트 데이터와 연관된 노광 장치와 동일한 노광 장치 및 취득된 데이터와 연관된 처리 조건과 동일한 처리 조건의 데이터에 취득된 로트 데이터를 축적한다.
여기서, 복수의 노광 장치(204)로부터 취득된 로트 데이터가 축적된 축적 데이터에 대해서 설명한다. 도 7은 로트 데이터가 축적되는 축적 데이터의 일례를 나타내는 도면이다. 축적 데이터는 계층적인 구조를 갖고, 복수의 노광 장치(204)로부터 취득된 로트 데이터가 각각의 노광 장치 또는 각각의 처리 조건마다 분류되어 축적된다. 동일한 처리 조건하에서 1개의 노광 장치(204)에 의해 복수의 로트에 대해 노광 처리가 실행되는 경우에, 동일한 처리 조건에 대하여 복수의 로트 데이터가 축적될 수 있다. 또한, 축적 데이터에는, 동일한 처리 조건하에서 축적되는 복수의 로트 데이터의 통계값을 포함하는 기준 데이터(제2 정보)가 축적된다. 또한, 도 7에 도시된 예는 4개의 노광 장치(204) 및 10개의 처리 조건을 포함하지만, 노광 장치 또는 처리 조건의 수는 이것으로 한정되지 않는다.
기준 데이터의 일례에 대해서 설명한다. 도 8은 축적 데이터에 축적된 기준 데이터의 일례를 나타내는 도면이다. 기준 데이터는, 로트 데이터에 포함되는 각각의 수집 데이터마다 수집 데이터의 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값, 표준 편차 및 허용 범위를 포함한다. 본 예시적인 실시예에서, 허용 범위는 수집 데이터의 이상을 판정하기 위해 사용되며, 수집 데이터가 허용 범위를 벗어나는 경우에 이상이 판정된다. 또한, 기준 데이터는 최빈값, 변동 계수, 또는 분산 등의 다른 통계값을 포함할 수 있다. 또한, 기준 데이터에 포함되는 데이터는 시계열 데이터일 수 있다. 또한, 로트 데이터의 경우와 마찬가지로, 각각의 웨이퍼 또는 각각의 샷 영역마다 기준 데이터에 데이터가 포함될 수 있다.
다시 도 5를 참고하면, 단계 S503에서, 이상 판정 유닛(403)은 축적 유닛(402)에 의해 축적된 로트 데이터 및 기준 데이터를 사용하여 이상을 판정한다. 로트 데이터에 포함되는 복수의 데이터 중 동기 정밀도 데이터를 사용하는 이상 판정 방법을 일례로서 설명한다. 도 9는 동기 정밀도 데이터와 허용 범위의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9에서, 처리 조건 1하에서의 동기 정밀도 데이터(E1)가 검정색 도트로 표현되며, 처리 조건 2하에서의 동기 정밀도 데이터(E2)가 검은색 삼각형으로 표현된다. 또한, 값(m1 및 m2)은 각각 동기 정밀도 데이터(E1 및 E2)의 중앙값을 나타낸다. 예를 들어, 처리 조건 1 및 2하에서, 노광 조건에 포함되는 웨이퍼(4) 상의 샷 영역의 레이아웃이 서로 상이하고, 그래서 동기 정밀도 데이터(E1)와 동기 정밀도 데이터(E2) 사이에서 차이가 발생한다. 예를 들어, 처리 조건 1하에서의 레이아웃에서의 샷 영역의 수가 100이고, 처리 조건 2하에서의 레이아웃에서의 샷 영역의 수가 50인 것으로 한다. 이 경우, 샷 영역의 크기가 서로 상이하기 때문에, 노광 처리를 실행할 때에 구동되는 레티클 스테이지(2) 및 웨이퍼 스테이지(6)의 경로, 속도, 및 가속도가 상이하다. 처리 조건 1을 적용해서 노광 처리를 행하는 경우, 레티클 스테이지(2) 또는 웨이퍼 스테이지(6)의 가속 및 감속을 반복하는 빈도가 증가하고, 그래서 레티클 스테이지(2) 또는 웨이퍼 스테이지(6)의 가속 및 감속을 반복하는 간격이 짧아진다. 따라서, 처리 조건 1을 적용해서 노광 처리를 실행하는 경우, 레티클 스테이지(2) 및 웨이퍼 스테이지(6)의 편차가 증가한다. 상술한 바와 같이, 동기 정밀도 데이터는 스테이지 편차 데이터로부터 획득되기 때문에, 동기 정밀도 데이터(E1)의 중앙값(m1)은 동기 정밀도 데이터(E2)의 중앙값(m2)보다 커지는 경향이 있다. 따라서, 도 9에 도시하는 바와 같이, 처리 조건 1 및 2하에서 동기 정밀도 데이터는 서로 상이하다. 또한, 중앙값(m1 및 m2) 각각은 동일한 처리 조건하에서 동일한 노광 장치의 기준 데이터에 포함되는 값이다. 또한, 중앙값(m1 및 m2)은 축적 데이터에 축적된 복수의 로트 데이터가 갱신될 때 갱신될 수 있다. 도 9에 나타내는 동기 정밀도 데이터에서, 동기 정밀도 데이터의 허용 범위가 값(r1) 이상 값(r4) 이하의 범위로서 설정되는 경우, 동기 정밀도 데이터(E1-1 및 E2-1)는 이상으로서 판정되지만 동기 정밀도 데이터(E1-2 및 E2-2)는 정상으로서 판정된다. 그러나, 각각의 처리 조건마다 동기 정밀도 데이터를 관찰하면, 동기 정밀도 데이터(E1-2 및 E2-2)는 각각 중앙값(m1 및 m2)으로부터 크게 벗어나고, 그래서 동기 정밀도 데이터(E1-2 및 E2-2)는 이상 동기 정밀도 데이터로서 판정되어야 한다. 따라서, 이상 판정 유닛(403)은, 동기 정밀도 데이터(E1)의 허용 범위를 값(r1) 이상 값(r2) 이하로 설정하고 동기 정밀도 데이터(E2)의 허용 범위를 값(r3) 이상 값(r4) 이하의 범위로 설정함으로써 동기 정밀도 데이터(E1-2 및 E2-2)를 이상으로서 판정할 수 있다. 즉, 이상 판정 유닛(403)은 각각의 처리 조건마다 허용 범위를 설정함으로써 적절하게 이상을 판정할 수 있다. 또한, 허용 범위를 설정하기 위한 값(r1, r2, r3 및 r4)은 미리 설정될 수 있다. 또한, 허용 범위를 설정하는 값(r1, r2, r3 및 r4)은 중앙값(m1 및 m2)에 대한 차이에 기초하여 설정될 수 있다. 더 구체적으로는, 각각의 값(r1, r2, r3 및 r4)은 r1 = m1 - a, r2 = m1 + b, r3 = m2 - c, 및 r4 = m2 + d로서 설정될 수 있다(값 a, b, c 및 d는 미리결정된 정의 값이다). 또한, 허용 범위를 설정하는 값(r1, r2, r3 및 r4)은 중앙값(m1 및 m2)에 대한 비율에 기초하여 설정될 수 있다. 더 구체적으로는, 각각의 값(r1, r2, r3, 및 r4)은 r1 = em1, r2 = fm1, r3 = gm2, 및 r4 = hm2로서 설정될 수 있다(값 e, f, g, 및 h는 0 < e < 1, f > 1, 0 < g < 1, 및 h > 1의 조건을 각각 만족하는 미리결정된 정의 값이다). 또한, 허용 범위를 설정하기 위한 값(r1, r2, r3 및 r4)은 축적 데이터에 기초한 연산을 통해 취득될 수 있다. 예를 들어, 허용 범위를 설정하기 위한 값(r1, r2, r3 및 r4)은 축적 데이터의 로트 데이터 중에서 정상이라고 판정된 데이터로부터 산출된 표준 편차에 기초하여 설정될 수 있다. 더 구체적으로는, 각각의 값(r1, r2, r3, 및 r4)은 r1 = m1 - σ1, r2 = m1 + σ1, r3 = m2 - σ2, 및 r4 = m2 + σ2로서 설정될 수 있다(값 σ1 및 σ2는 표준 편차이다). 또한, 허용 범위를 중앙값(m1 및 m2)을 기준으로 하여 설정하지만, 최대값, 최소값, 또는 평균값 등의 다른 통계값을 기준으로 사용할 수 있다. 또한, 기준 데이터는 로트 데이터가 취득되는 노광 장치와 동일한 노광 장치로부터 동일한 처리 조건하에서 취득되는 기준 데이터로서 설명되지만, 기준으로서의 노광 장치는 동일한 처리 조건하에서 로트 데이터가 취득되는 노광 장치와 상이한 노광 장치일 수 있다. 또한, 본 예시적인 실시예의 동기 정밀도 데이터에 대해서 설명했지만, 로트 데이터에 복수의 수집 데이터가 포함되는 경우에는 각각의 수집 데이터마다 이상이 판정된다.
다시 도 5를 참고하면, 단계 S504에서, 단계 S503의 판정의 결과로서 이상이 판정되는 경우(단계 S504에서 예), 처리는 단계 S505로 진행한다. 이상이 판정되지 않는 경우(단계 S504에서 아니오), 처리는 단계 S506으로 진행한다. 단계 S505에서, 이상 판정 유닛(403)은, 이상으로서 판정된 로트 데이터가 취득된 노광 장치(204)를 특정하는 정보를 진단 장치(300)의 저장 장치(304)에 저장한다. 또한, 이상 판정 유닛(403)은, 노광 장치(204)를 특정하는 정보와 함께, 이상으로서 판정된 로트 데이터의 처리 조건 및 이상으로서 판정된 수집 데이터(예를 들어, 동기 정밀도 데이터) 등의 관련 데이터를 진단 장치(300)의 저장 장치(304)에 저장한다.
단계 S506에서, 축적 유닛(402)은, 이미 축적되어 있는 복수의 로트 데이터와 새롭게 축적된 로트 데이터에 기초하여 기준 데이터를 갱신한다. 예를 들어, 갱신하는 데이터가 통계값에 기초하는 경우에는, 축적 유닛(402)은 이미 축적되어 있는 복수의 로트 데이터와 새롭게 축적된 로트 데이터에 기초하여 통계값을 산출하고 기준 데이터를 갱신한다. 또한, 이상을 판정해야 할 복수의 수집 데이터가 있는 경우에는, 단계 S501 내지 S506의 처리를 수집 데이터의 수만큼 반복해서 행한다.
또한, 단계 S503에서, 이상 판정 유닛(403)은 복수의 허용 범위를 설정함으로써 점진적인 레벨로 분류된 이상을 판정할 수 있다. 도 10은 동기 정밀도 데이터와 복수의 허용 범위의 예를 나타내는 도면이다. 도 10에서, 처리 조건 1하에서의 동기 정밀도 데이터(E1)에 대하여, 허용 범위를 설정하는 값(r31, r32, r41 및 r42)을 사용하여 복수의 허용 범위가 설정된다. 이상 판정 유닛(403)은, 값(r32) 이상 값(r41) 이하의 허용 범위 내에 있는 동기 정밀도 데이터(E1n)(검정색 도트로 표시됨)를 정상으로서 판정한다. 또한, 이상 판정 유닛(403)은, 값(r31) 이상 값(r32) 이하의 허용 범위 및 값(r41) 이상 값(r42) 이하의 허용 범위 내에 있는 동기 정밀도 데이터(E1w)(검정색 삼각형으로 표시됨)를 약간의 이상으로서 판정한다. 또한, 이상 판정 유닛(403)은, 값(r31) 미만의 범위 및 값(r42) 초과의 범위에 있는 동기 정밀도 데이터(E1e)(크로스 마크로 표시됨)를 상당한 이상으로서 판정한다. 이러한 구성에 의해, 이상 판정 유닛(403)은 단계적인 레벨로 분류된 이상을 판정할 수 있다. 예를 들어, 허용 범위를 설정하기 위한 값(r31, r32, r41 및 r42)은, 도 9에 도시된 허용 범위를 설정하기 위한 각각의 값의 경우와 마찬가지로, 미리 설정될 수 있거나 또는 연산을 통해 취득될 수 있다. 예를 들어, 허용 범위를 설정하기 위한 값(r31, r32, r41 및 r42)은, 축적 데이터의 로트 데이터 중에서 정상이라고 판정된 데이터로부터 산출된 표준 편차에 기초하여 설정될 수 있다. 예를 들어, 각각의 값(r31, r32, r41, 및 r42)은 r31 = m1 - iσ1, r32 = m1 - jσ1, r41 = m1 + jσ1, 및 r42 = m1 + iσ1으로서 설정될 수 있으며, 여기서 값 σ1은 표준 편차이고, 값 i 및 j는 조건 i > j를 만족하는 정의 값이다.
이어서, 진단 장치(300)에 의해 이상으로서 판정된 로트 데이터가 취득되는 노광 장치(204)를 유지하는 유지보수 방법을 결정하는 방법에 대해서 설명한다. 유지보수 유닛(404)은, 이상 판정 유닛(403)에 의해 이상으로 판정된 로트 데이터가 취득되는 노광 장치(204)를 유지하는 유지보수 방법을 결정한다. 여기서, 수집 데이터에서 판정된 이상과 유지보수 방법 사이의 관계에 대해서 설명한다. 도 11은 판정된 이상과 유지보수 방법 사이의 관계를 도시하는 테이블이다. 예를 들어, 동기 정밀도 데이터에서 판정된 동기 정밀도의 이상에 대해서는, 필터 조정 또는 제어 파라미터 조정이 유지보수 방법으로서 선택될 수 있다. 필터 조정은 웨이퍼 스테이지(6) 또는 레티클 스테이지(2)에서 발생하는 진동을 저감하기 위한 유지보수 방법이며, 웨이퍼 스테이지(6) 또는 레티클 스테이지(2)를 제어하기 위한 명령값으로부터 소정의 주파수 성분의 진동을 제거하는 필터를 조정하는 유지보수 방법이다. 제어 파라미터 조정은, 제어 유닛(16)에 의해 웨이퍼 스테이지(6) 또는 레티클 스테이지(2)의 구동 특성에 관한 제어 파라미터를 조정하는 유지보수 방법이다.
또한, 조도 데이터에서 판정된 조도의 이상에 대해서는, 슬릿 조정 또는 광축 조정이 유지보수 방법으로서 선택될 수 있다. 슬릿 조정은, 웨이퍼(4) 상의 샷 영역을 노광할 때에 노광 광이 균일하게 조사되도록 조명 광학계(8)에 포함되는 슬릿을 조정하는 유지보수 방법이다. 광축 조정은, 조명 광학계(8)의 광축 내측 및 외측의 텔레센트릭 상태를 조정하는 유지보수 방법이다.
또한, 얼라인먼트 계측 데이터에서 판정된 얼라인먼트 계측의 이상에 대해서는, 샘플 샷 탐색, 얼라인먼트 조명계 최적화, 또는 템플릿 갱신이 유지보수 방법으로서 선택될 수 있다. 샘플 샷 탐색은, 제어 유닛(16)이 웨이퍼 스테이지(6)를 구동해서 얼라인먼트 스코프(15)를 통해 웨이퍼(4)를 관찰함으로써 지정된 웨이퍼(4) 상의 대체 위치에서의 다른 얼라인먼트 마크를 탐색해서 위치결정을 실행하는 유지보수 방법이다. 또한, 얼라인먼트 조명계 최적화는, 얼라인먼트 마크의 검출 정밀도를 증가시키도록 얼라인먼트 조명계를 조정하는 유지보수 방법이다. 템플릿 갱신은, 템플릿 매칭을 통해 얼라인먼트 마크를 검출할 때에 제어 유닛(16)에 의해 상관도를 향상시키도록 템플릿을 자동으로 갱신하는 유지보수 방법이다.
도 12는 유지보수 방법을 결정하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 단계 S1201에서, 유지보수 유닛(404)은 이상으로 판정된 수집 데이터에 대응하는 유지보수 방법을 이력 정보(제3 정보)에서 검색한다. 여기서, 이력 정보에 대해서 설명한다. 도 13은 이력 정보의 일례를 도시하는 테이블이다. 이력 정보는, 수집 데이터에 기초하여 판정된 이상 종류, 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집된 일시, 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집된 노광 장치, 및 수집 데이터가 수집될 때에 적용된 처리 조건 1 또는 2와 같은 정보를 포함할 수 있다. 이력 정보는, 이상을 해소하기 위해서 실행된 유지보수 방법 및 실행된 유지보수 방법이 이상을 해소하는지의 여부를 나타내는 실행 결과(즉, "성공" 또는 "실패") 같은 정보를 더 포함할 수 있다. 즉, 이력 정보에는, 과거에 노광 장치에서 발생한 이상에 대하여 실행된 유지보수 방법과 그 유지보수 방법의 실행 결과에 대한 정보가, 노광 장치 및 처리 조건에 대한 정보와 함께 기록되어 있다. 또한, 이력 정보는, 로트 데이터의 경우와 마찬가지로, 진단 장치(300)의 취득 유닛(401)에 의해 취득되고, 축적 유닛(402)에 의해 축적된다.
다시 도 12를 참고하면, 단계 S1201에서, 유지보수 유닛(404)은, 이력 정보 중에서, 동일한 처리 조건하에서 동일한 노광 장치에서 발생하는 동일한 이상에 대해 실행된 유지보수 방법 중에서 실행 결과로서 "성공"을 기재하는 데이터를 검색 조건으로 사용하여 유지보수 방법을 검색한다. 예를 들어, 도 13에 도시하는 바와 같이, 처리 조건 1을 적용함으로써 노광 처리가 실행될 때 노광 장치(1)에서 동기 정밀도의 이상이 발생한 것으로 상정한다. 이 경우, 유지보수 유닛(404)은, 이력 정보 중에서, 처리 조건 1하에서 노광 장치(1)에서 발생하는 동기 정밀도의 이상에 대해 실행된 유지보수 방법의 실행 결과로서 "성공"을 기재하는 데이터를 검색 조건으로 사용하여 유지보수 방법을 검색한다. 도 13에 도시된 예에서는, 제1 열에 기재된 데이터가 검색 조건에 맞는 데이터이고, 그래서 필터 조정이 유지보수 방법으로서 선택된다. 여기서, 검색 조건에 맞는 데이터가 존재하는 경우에는, 최근 일시를 갖는 데이터에 포함되는 유지보수 방법 또는 복수의 데이터에서 더 많은 횟수로 성공한 유지보수 방법이 검색 조건에 맞는 유지보수 방법으로서 우선하여 선택될 수 있다. 또한, 이때, 동일한 이상, 동일한 노광 장치, 및 동일한 처리 조건을 포함하는 데이터가 검색 조건으로서 설명되었지만, 이들 항목, 즉 이상, 노광 장치, 및 처리 조건 중 적어도 하나가 동일한 데이터를 검색 조건으로서 설정할 수 있다.
단계 S1202에서, 유지보수 유닛(404)은 검색 조건에 맞는 유지보수 방법이 존재하는지의 여부를 판정한다. 유지보수 유닛(404)이 검색 조건에 맞는 유지보수 방법이 존재한다고 판정하는 경우(단계 S1202에서 예), 처리는 단계 S1203으로 진행한다. 단계 S1203에서, 유지보수 유닛(404)은, 검색된 유지보수 방법을 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집된 노광 장치의 유지보수 방법으로서 결정한다. 또한, 단계 S1202에서, 유지보수 유닛(404)이 검색 조건에 맞는 유지보수 방법이 존재하지 않는다고 판정하는 경우(단계 S1202에서 아니오), 처리는 단계 S1204로 진행한다.
단계 S1204에서, 유지보수 유닛(404)은, 미리결정된 이상과 유지보수 방법 사이의 관계를 나타내는 정보 중에서, 판정된 이상에 대응하는 유지보수 방법을 검색한다. 예를 들어, 도 11에 도시하는 관계가 미리 결정되어 있을 경우, 필터 조정 및 제어 파라미터 조정이 동기 정밀도의 이상에 대응하는 유지보수 방법으로서 검색된다. 복수의 유지보수 방법이 검색된 경우, 미리설정된 디폴트 유지보수 방법이 선택될 수 있다. 예를 들어, 디폴트 유지보수 방법으로서 제어 파라미터 조정이 설정되어 있는 경우, 제어 파라미터 조정이 유지보수 방법으로서 선택된다. 또한, 이력 정보에 저장되어 있고 더 자주 실행된 유지보수 방법이 선택될 수 있다. 예를 들어, 도 12의 예에서는, 동기 정밀도의 이상에 대하여 가장 자주 실행되는 유지보수 방법으로서의 필터 조정이 유지보수 방법으로서 선택된다. 단계 S1205에서, 유지보수 유닛(404)은 검색 조건에 맞는 유지보수 방법이 존재하는지의 여부를 판정한다. 유지보수 유닛(404)이 검색 조건에 맞는 유지보수 방법이 존재한다고 판정하는 경우(단계 S1205에서 예), 처리는 단계 S1206으로 진행한다. 단계 S1206에서, 유지보수 유닛(404)은, 검색된 유지보수 방법을 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집되는 노광 장치의 유지보수 방법으로서 결정한다. 또한, 단계 S1205에서, 유지보수 유닛(404)이 검색 조건에 맞는 유지보수 방법이 존재하지 않는다고 판정하는 경우(단계 S1205에서 아니오), 처리는 종료된다.
출력 유닛(405)은, 단계 S1203 또는 S1206에서 유지보수 유닛(404)에 의해 결정된 유지보수 방법을 실행하기 위한 명령(커맨드)을 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집되는 리소그래피 장치(즉, 노광 장치)에 출력한다. 명령을 수신한 리소그래피 장치는 명령에 응답하여 유지보수 방법을 실행한다. 또한, 단계 S1205에서, 유지보수 유닛(404)이 유지보수 방법이 존재하지 않는다고 판정하는 경우에는(단계 S1205에서 아니오), 출력 유닛(405)은 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집되는 리소그래피 장치가 에러 또는 경고를 출력하게 하는 명령을 출력할 수 있다. 또한, 유지보수 유닛(404)이 단계 S1205에서 유지보수 방법이 존재하지 않는다고 판정하는 경우, 출력 유닛(405)은 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집되는 리소그래피 장치가 유지보수를 수동으로 실행하기 위한 수순을 출력하게 하는 명령을 출력할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 예시적인 실시예에서는, 리소그래피 장치에 적용된 각각의 처리 조건마다 축적된 데이터에 기초하여 이상을 판정함으로써, 리소그래피 장치에 발생하는 이상을 정확하게 판정할 수 있다. 또한, 실행된 유지보수 방법과 그 실행 결과에 대한 정보를 포함하는 이력 정보에 기초하여 판정된 이상에 대하여 유지보수 방법을 결정함으로써, 이상을 해결할 수 있는 유지보수 방법을 실행할 수 있다.
제2 예시적인 실시예에서는, 이상의 요인 분석을 사용해서 유지보수 방법을 결정하는 처리의 예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에서 설명되지 않는 구성은 제1 예시적인 실시예의 것과 유사할 수 있다.
이상 판정 유닛(403)에 의해 판정된 이상의 요인 분석에 대해서 설명한다. 본 예시적인 실시예에서는, 동기 정밀도의 이상이 검출된 이상의 예로서 설명된다. 도 14는 이상과 이상의 요인 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 먼저, 동기 정밀도의 이상의 요인이 웨이퍼 스테이지(6)의 이상의 요인과 레티클 스테이지(2)의 이상의 요인으로 분류된다. 초기 위치의 이상, 진동의 발생, 및 이물의 부착이 웨이퍼 스테이지(6)의 이상의 요인으로서 고려된다. 초기 위치의 이상은 각 샷 영역에 대해서 노광 처리를 개시할 때의 웨이퍼 스테이지(6)의 초기 위치의 오차가 허용 범위를 초과하고 있는 상태를 지칭한다. 또한, 진동의 발생은 웨이퍼 스테이지(6)에서 진동이 발생하는 상태를 지칭한다. 또한, 이물의 부착은 이물이 기판 또는 웨이퍼 척(5)에 부착되어 있는 상태를 지칭한다. 레티클 스테이지(2)의 이상의 요인에 대해서도 마찬가지일 수 있다.
이어서, 요인 분석에 의해 특정된 요인에 대해서 유지보수를 실행하는 유지보수 방법에 대해서 설명한다. 도 15는 요인 분석을 사용해서 유지보수 방법을 결정하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 단계 S1501에서, 유지보수 유닛(404)은 이상으로서 판정된 수집 데이터를 취득한다. 이때, 판정된 이상이 동기 정밀도의 이상이며, 취득된 수집 데이터가 스테이지 편차 데이터인 것으로 상정한다.
여기서, 노광 장치(204)가 스캐너인 경우에서의 스테이지 편차 데이터에 대해서 설명한다. 도 16a 내지 도 16d는 웨이퍼 스테이지(6)의 편차의 파형의 일례를 각각 나타내는 그래프이다. 도 16a 내지 도 16d의 그래프 각각에서, 종축은 편차를 나타내며 횡축은 시간을 나타낸다. 도 16a 내지 도 16d의 그래프 각각은 웨이퍼(4) 상의 복수의 샷 영역에 대해 노광 처리가 순차적으로 실행되는 기간 동안의 편차의 파형을 나타낸다. 도 16a 내지 도 16d 각각에서, 점선에 의해 규정된 구간은 샷 영역에 대해 노광 처리가 실행되는 기간 A 및 노광 처리가 실행되지 않는 기간 B을 나타낸다. 기간 A에서 주사 노광 처리가 행해지기 때문에, 웨이퍼 스테이지(6)는 균일한 속도로 구동되어 이동된다. 또한, 기간 B에서는, 노광 영역을 다음 샷 영역으로 이동시키기 위해서, 웨이퍼 스테이지(6)가 가속된 속도로 구동되어 이동된다. 도 16a는 웨이퍼 스테이지(6)가 정상적으로 제어되어, 동기 정밀도에서 이상이 발생하지 않는 상태를 도시하는 그래프이다. 도 16b는 초기 위치의 이상으로 인해 동기 정밀도에서 이상이 발생하는 상태를 도시하는 그래프이다. 이상의 요인이 초기 위치의 이상인 경우, 기간 A의 개시 시에 큰 편차가 발생한다. 도 16c는 진동의 발생에 의해 동기 정밀도에서 이상이 발생하는 상태를 도시하는 그래프이다. 이상의 요인이 진동의 발생인 경우, 편차의 파형이 전체 기간에 걸쳐 큰 진폭으로 진동한다. 또한, 도 16d는 웨이퍼 척(5)에 이물이 부착되어 있는 상태를 도시하는 그래프이며, 그래서 이물의 부착에 의해 동기 정밀도에서 이상이 발생한다. 이상의 요인이 기판인 경우, 편차의 파형에서 불규칙적으로 큰 변화가 발생한다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼 스테이지(6)의 편차의 파형은 동기 정밀도의 이상의 요인에 따라 특징을 갖고, 그래서 진단 장치(300)는 웨이퍼 스테이지(6)의 편차의 파형 특징으로부터 동기 정밀도의 이상의 요인을 추정할 수 있다.
다시 도 15를 참조하면, 단계 S1502에서, 유지보수 유닛(404)은 수집 데이터를 분석하고 발생하고 있는 이상의 요인을 추정한다. 이상의 요인을 추정하는 방법으로서, 상관 계수를 이용한 요인 추정 또는 주파수 해석을 이용한 요인 추정 등의 공지된 기술을 이용할 수 있다. 또한, 수집된 수집 데이터에 대한 정보를 사용하여, 결정 트리, 랜덤 포레스트, 서포트 벡터 머신, 또는 신경망 등의 방법을 채용할 수 있다. 단계 S1503에서, 유지보수 유닛(404)은, 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 관계에 대한 정보(제4 정보)에서, 추정된 요인에 대응하는 유지보수 방법을 검색한다.
이어서, 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 관계에 대해서 설명한다. 도 17은 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 관계를 도시하는 테이블이다. 단계 S1502에서, 초기 위치의 이상이 요인으로서 추정되는 경우, 제어 파라미터 조정이 유지보수 방법에 대응한다. 또한, 진동의 발생이 요인으로서 추정되는 경우, 필터 조정이 유지보수 방법에 대응한다. 또한, 이물의 부착이 요인으로서 추정되는 경우, 척 클리닝이 유지보수 방법에 대응한다. 도 17에 있어서의 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 관계가 일례이며, 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 관계는 도 17에 도시된 예로 한정되지 않는다.
다시 도 15를 참고하면, 단계 S1504에서, 유지보수 유닛(404)은 추정 요인에 대응하는 유지보수 방법이 존재하는지의 여부를 판정한다. 유지보수 방법이 존재하는 경우에는(단계 S1504에서 예), 처리는 단계 S1505로 진행한다. 유지보수 방법이 존재하지 않는 경우(단계 S1504에서 아니오), 처리는 종료된다. 단계 S1505에서, 유지보수 유닛(404)은 검색된 유지보수 방법을 이상으로서 판정된 수집 데이터가 수집되는 노광 장치의 유지보수 방법으로서 결정한다.
본 예시적인 실시예에 따라 웨이퍼 스테이지(6)에 대해서 설명하였지만, 레티클 스테이지(2)에 대해서도 마찬가지로 유지보수 방법이 결정될 수 있다. 또한, 본 예시적인 실시예에서 설명되는 유지보수 방법의 결정 방법은 제1 예시적인 실시예에서 설명된 유지보수 방법의 결정 방법 대신에 실행될 수 있거나, 또는 본 예시적인 실시예의 유지보수 방법의 결정 방법은 제1 예시적인 실시예에서 설명된 유지보수 방법의 결정 방법과 조합하여 실행될 수 있다. 이 경우, 2개의 결정 방법을 통해 결정된 유지보수 방법에 대해 우선순위를 설정함으로써 유지보수 방법이 결정될 수 있다. 대안적으로, 복수의 유지보수 방법이 노광 장치(204)에 출력될 수 있고, 그래서 유지보수 방법은 노광 장치(204)에 의해 선택될 수 있다.
상술한 바와 같이, 유지보수 방법은 리소그래피 장치의 이상의 요인을 추정함으로써 결정되며, 그래서 이상을 해결할 수 있는 유지보수 방법이 결정될 수 있다.
이어서, 제3 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템에 대해서 설명한다. 또한, 이하에서 설명하지 않은 구성은 제1 또는 제2 예시적인 실시예의 구성과 마찬가지이다.
본 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템은 복수의 진단 장치 및 집중 관리 장치를 포함한다. 도 18은 복수의 진단 장치와 집중 관리 장치를 포함하는 리소그래피 시스템의 일례를 도시하는 블록도이다. 본 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템(101)은, 리소그래피 장치(210 내지 217)와, 리소그래피 장치(210 내지 217)의 이상을 판정해서 리소그래피 장치(210 내지 217)를 유지하기 위한 유지보수 방법을 결정하는 제1 및 제2 진단 장치(310 및 311)와, 집중 관리 장치(312)를 포함한다. 리소그래피 장치(210 내지 213)는 제1 진단 장치(310)에 연결되며, 리소그래피 장치(214 내지 217)는 제2 진단 장치(311)에 연결된다. 제1 진단 장치(310) 및 제2 진단 장치(311)는 집중 관리 장치(312)에 연결된다. 도 18에서, 리소그래피 장치(210 내지 217)가 배치되지만, 리소그래피 장치의 수는 8개로 한정되지 않는다. 또한, 도 18에서는, 제1 진단 장치(310) 및 제2 진단 장치(311)가 배치되지만, 진단 장치의 수는 2개로 한정되지 않는다.
제1 진단 장치(310), 제2 진단 장치(311) 및 집중 관리 장치(312)는 제1 예시적인 실시예에서 설명되는 정보 처리 장치이다. 집중 관리 장치(312)는 제1 진단 장치(310) 및 제2 진단 장치(311)를 통해서 리소그래피 장치(210 내지 217)의 로트 데이터를 취득하고, 로트 데이터를 축적 데이터로서 저장 장치(304)에 저장한다. 또한, 집중 관리 장치(312)는, 마찬가지로, 이력 정보를 취득해서 이력 정보를 저장 장치(304)에 저장한다. 집중 관리 장치(312)는, 축적 데이터 및 이력 정보에 기초하여, 기준 데이터, 수집 데이터의 허용 범위를 설정하는 데이터, 이상과 유지보수 방법 사이의 대응을 나타내는 데이터, 및 이상의 요인과 유지보수 방법 사이의 대응을 나타내는 데이터를 취득한다. 집중 관리 장치(312)는, 취득된 기준 데이터 등의 정보를 제1 진단 장치(310) 및 제2 진단 장치(311)에 출력한다. 제1 진단 장치(310) 및 제2 진단 장치(311)는, 집중 관리 장치(312)로부터 취득한 기준 데이터 등의 정보에 기초하여, 리소그래피 장치(210 내지 217)의 이상을 판정하고 유지보수 방법을 결정한다. 제1 및 제2 진단 장치(310 및 311) 각각은, 다른 진단 장치에 연결되어 있는 다른 리소그래피 장치로부터 취득된 로트 데이터 또는 이력 정보에 기초하여 취득된 기준 데이터 등의 정보를 이용할 수 있다.
집중 관리 장치(312)는, 기준 데이터 등의 정보를 정기적으로 제1 진단 장치(310) 및 제2 진단 장치(311)에 출력할 수 있거나, 또는 제1 진단 장치(310) 또는 제2 진단 장치(311)로부터의 요구에 응답하여 정보를 출력할 수 있다.
상술한 바와 같이, 리소그래피 장치에서 발생하는 이상을 정확하게 판정할 수 있고, 이상을 해소하기 위한 유지보수 방법을 실행할 수 있다.
<물품 제조 방법>
본 예시적인 실시예에 따른 물품 제조 방법은 물품, 예를 들어 반도체 디바이스, 자기 저장 매체, 및 액정 디스플레이 등의 디바이스를 제조하는데 바람직하다. 이러한 제조 방법은 노광 장치를 사용하여 감광제가 도포된 기판을 노광하는(즉, 패턴을 기판에 형성하는) 단계와 노광된 기판을 현상하는(즉, 기판을 처리하는) 단계를 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 임프린트 장치를 사용하여, 기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드에 접촉시키고, 몰드의 형상이 전사된 조성물을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은 다른 공지의 단계, 예를 들어 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이 커팅, 본딩, 및 패키징을 포함할 수 있다. 본 예시적인 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 종래의 제조 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
이상 본 발명의 예시적인 실시예를 설명했지만, 본 발명은 상술한 예시적인 실시예로 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능하다. 리소그래피 장치의 일례로서 노광 장치에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.
리소그래피 장치의 일례로서, 기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드에 접촉시켜서 몰드의 형상이 전사된 조성물을 형성하는 임프린트 장치가 또한 제공될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치의 일례로서, 하전-입자 광학계를 통해서 하전-입자 빔(예를 들어, 전자 빔 또는 이온 빔)으로 기판에 묘화를 행하여 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치가 제공될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 디바이스와 같은 물품의 제조에서 전술한 바와 같은 임프린트 장치 등의 장치에 의해 실행되는 처리 이외의 처리를 실행하는, 감광 매체를 기판의 표면 상에 도포하는 도포 장치 또는 패턴이 전사된 기판을 현상하는 현상 장치 등의 제조 장치도 포함할 수 있다.
또한, 제1 내지 제3 예시적인 실시예는 독립적으로 실시될 수 있을뿐만 아니라 제1 내지 제3 예시적인 실시예를 조합하여 실시될 수 있다.
본 발명에 따르면, 리소그래피 장치에서 발생하는 이상을 정확하게 판정할 수 있는 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법을 제공할 수 있다.
다른 실시예
본 발명의 실시예(들)는, 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (24)

  1. 정보 처리 장치이며,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하도록 구성된 취득 유닛과,
    상기 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 제1 허용 범위를 산출하고, 상기 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를 산출하도록 구성된 산출 유닛과,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터가 상기 제1 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터가 상기 제2 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하도록 구성된 판정 유닛을 포함하는, 정보 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 판정 유닛이 상기 제3 수집 데이터 또는 상기 제4 수집 데이터에 이상이 발생했다고 판정한 경우에, 상기 리소그래피 장치를 유지보수하기 위한 유지보수 방법을 결정하도록 구성된 결정 유닛을 더 포함하는, 정보 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 결정 유닛은, 상기 판정 유닛이 상기 제3 수집 데이터 또는 상기 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정한 경우에,
    상기 이상의 종류와,
    상기 제3 수집 데이터 또는 상기 제4 수집 데이터가 수집될 때 실행되는 리소그래피 처리에 적용되는 처리 조건과,
    상기 리소그래피 장치를 유지보수하기 위해 실행된 유지보수 방법과,
    상기 유지보수 방법에 대응하는 실행 결과에 기초하여,
    유지보수 방법을 결정하도록 구성되는, 정보 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 결정 유닛은, 상기 판정 유닛이 상기 제3 수집 데이터 또는 상기 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정한 경우에,
    상기 제3 수집 데이터 또는 상기 제4 수집 데이터에서 발생하는 이상의 요인과,
    상기 리소그래피 장치를 유지보수하기 위해서 실행된 상기 이상의 요인에 대응하는 유지보수 방법에 기초하여,
    유지보수 방법을 결정하도록 구성되는, 정보 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 결정 유닛에 의해 결정된 상기 유지보수 방법을 실행하기 위한 명령을 출력하도록 구성된 출력 유닛을 더 포함하는, 정보 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제3 수집 데이터가 취득된 경우에, 상기 제3 수집 데이터에 기초하여 상기 제1 허용 범위를 갱신하고, 상기 제4 수집 데이터가 취득된 경우에, 상기 제4 수집 데이터에 기초하여 상기 제2 허용 범위를 갱신하도록 구성된 갱신 유닛을 더 포함하는, 정보 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수집 데이터 내지 상기 제4 수집 데이터는 상기 리소그래피 장치에 포함되는 복수의 스테이지의 상대적인 위치의 오차를 나타내는 동기 정밀도 데이터를 포함하는, 정보 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수집 데이터 내지 상기 제4 수집 데이터는 상기 리소그래피 장치에 포함되는 광학계로부터 사출되는 광의 조도를 나타내는 조도 데이터를 포함하는, 정보 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수집 데이터 내지 상기 제4 수집 데이터는 상기 리소그래피 장치에 포함되는 스테이지가 제어되는 경우에 발생하는 목표 위치와 계측 위치 사이의 편차를 나타내는 스테이지 편차 데이터를 포함하는, 정보 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수집 데이터 내지 상기 제4 수집 데이터는 상기 패턴이 형성되는 기판에 형성된 마크를 촬상함으로써 취득되는 화상 신호에 관한 얼라인먼트 계측 데이터를 포함하는, 정보 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 허용 범위는 상기 제1 수집 데이터에 관한 통계값에 기초하여 산출되고,
    상기 제2 허용 범위는 상기 제2 수집 데이터에 관한 통계값에 기초하여 산출되는, 정보 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 허용 범위는, 상기 제1 수집 데이터에 관한 평균값 및 표준 편차, 또는 상기 제1 수집 데이터에 관한 중앙값 및 표준 편차에 기초하여 산출되고,
    상기 제2 허용 범위는, 상기 제2 수집 데이터에 관한 평균값 및 표준 편차, 또는 상기 제2 수집 데이터에 관한 중앙값 및 표준 편차에 기초하여 산출되는, 정보 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 허용 범위는, 상기 제1 수집 데이터에 관한 평균값에 대한 차이, 상기 제1 수집 데이터에 관한 중앙값에 대한 차이, 상기 평균값에 대한 비율, 및 상기 중앙값에 대한 비율, 중 어느 하나에 기초하여 산출되고,
    상기 제2 허용 범위는, 상기 제2 수집 데이터에 관한 평균값에 대한 차이, 상기 제2 수집 데이터에 관한 중앙값에 대한 차이, 상기 평균값에 대한 비율, 및 상기 중앙값에 대한 비율, 중 어느 하나에 기초하여 산출되는, 정보 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 허용 범위 및 상기 제2 허용 범위는 복수의 허용 범위를 포함하고, 단계적인 레벨로 분류된 이상이 판정되는, 정보 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 처리 조건 및 상기 제2 처리 조건은,
    반송 조건과,
    위치결정 조건과,
    계측 조건과,
    노광 조건과,
    셋업 조건
    중 적어도 하나를 포함하는, 정보 처리 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 취득 유닛은 복수의 리소그래피 장치로부터 상기 제1 수집 데이터 및 상기 제2 수집 데이터를 취득하도록 구성되고, 상기 산출 유닛은 상기 복수의 리소그래피 장치의 각각에 대하여 상기 제1 허용 범위 및 상기 제2 허용 범위를 산출하도록 구성되는, 정보 처리 장치.
  17. 정보 처리 장치이며,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하도록 구성된 취득 유닛과,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한 제1 허용 범위를, 상기 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한, 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를, 상기 취득 유닛에 의해 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하도록 구성된 산출 유닛을 포함하는, 정보 처리 장치.
  18. 판정 방법이며,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 제1 허용 범위를 산출하고, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를 산출하는 단계와,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터가 상기 제1 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터가 상기 제2 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하는 단계를 포함하는, 판정 방법.
  19. 컴퓨터가 판정 방법을 실행하게 하는 프로그램을 저장한 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체이며,
    상기 판정 방법은,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 제1 허용 범위를 산출하고, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를 산출하는 단계와,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터가 상기 제1 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터가 상기 제2 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하는 단계를 포함하는, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
  20. 리소그래피 시스템이며,
    제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 정보 처리 장치와,
    기판에 패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치를 포함하는, 리소그래피 시스템.
  21. 물품을 제조하는 제조 방법이며,
    기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 형성하는 단계에서 상기 패턴이 형성된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 형성하는 단계는,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 제1 허용 범위를 산출하고, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를 산출하는 단계와,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터가 상기 제1 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터가 상기 제2 허용 범위 외에 있는 경우에 해당 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하는 단계를 포함하는, 물품을 제조하는 제조 방법.
  22. 산출 방법이며,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한 제1 허용 범위를, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한, 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하는 단계를 포함하는, 산출 방법.
  23. 컴퓨터가 산출 방법을 실행하게 하는 프로그램을 저장한 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체이며,
    상기 산출 방법은,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한 제1 허용 범위를, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한, 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하는 단계를 포함하는, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
  24. 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 제조 방법이며,
    리소그래피 시스템을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 형성하는 단계에서 상기 패턴이 형성된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 형성하는 단계는,
    패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 실행될 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제1 수집 데이터를 취득하고, 상기 리소그래피 처리의 조건을 미리 설정하는, 상기 제1 처리 조건과는 상이한 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 복수의 리소그래피 처리의 각각에 관한 제2 수집 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 제1 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제3 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한 제1 허용 범위를, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제1 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하고, 상기 제2 처리 조건이 적용되어서 행하여진 리소그래피 처리에 관한 제4 수집 데이터에 이상이 발생하였다고 판정하기 위한, 상기 제1 허용 범위와는 상이한 제2 허용 범위를, 상기 취득하는 단계에서 취득된 상기 제2 수집 데이터가 축적된 데이터에 기초하여 산출하는 단계를 포함하는, 물품을 제조하는 제조 방법.
KR1020230039862A 2018-06-14 2023-03-27 정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법 KR102620767B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-113942 2018-06-14
JP2018113942A JP6808684B2 (ja) 2018-06-14 2018-06-14 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法
KR1020190065220A KR102516180B1 (ko) 2018-06-14 2019-06-03 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190065220A Division KR102516180B1 (ko) 2018-06-14 2019-06-03 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230047981A KR20230047981A (ko) 2023-04-10
KR102620767B1 true KR102620767B1 (ko) 2024-01-02

Family

ID=66821086

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190065220A KR102516180B1 (ko) 2018-06-14 2019-06-03 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법
KR1020230039862A KR102620767B1 (ko) 2018-06-14 2023-03-27 정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190065220A KR102516180B1 (ko) 2018-06-14 2019-06-03 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11347153B2 (ko)
EP (1) EP3582011B1 (ko)
JP (1) JP6808684B2 (ko)
KR (2) KR102516180B1 (ko)
CN (1) CN110609450B (ko)
TW (1) TWI758608B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7246256B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送システム
JP7309639B2 (ja) * 2020-03-13 2023-07-18 キオクシア株式会社 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法
JP2021174349A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 キヤノン株式会社 情報処理装置、表示制御方法、プログラム、基板処理システム、及び物品の製造方法
CN113703289B (zh) * 2021-09-07 2022-06-03 深圳市龙图光电有限公司 光刻机参数状态检测方法、装置、设备及其存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173373A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Renesas Technology Corp 半導体製品の製造システム
US20080294280A1 (en) 2006-01-30 2008-11-27 Nikon Corporation Processing condition determining method and apparatus, display method and apparatus, processing apparatus, measurement apparatus and exposure apparatus, substrate processing system, and program and information recording medium
JP2012138388A (ja) 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp 異常検知装置、方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラム
JP2017207822A (ja) 2016-05-16 2017-11-24 ファナック株式会社 加工セル及び加工セル管理システム

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304913A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Hitachi Ltd リソグラフィ用マスクおよびその製造方法ならびにそのマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JP2001136727A (ja) 1999-11-11 2001-05-18 Canon Inc 多相コイル型リニアモータ、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001244187A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp 保守システム、保守方法、露光装置及び記憶媒体
JP2001338870A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 走査露光装置及び方法、管理装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
TW573234B (en) * 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
JPWO2002061514A1 (ja) * 2001-01-30 2004-06-03 株式会社ニコン 診断装置、情報収集装置、診断システム及び遠隔保全システム
JP2002311561A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Sony Corp パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク
JP4158384B2 (ja) * 2001-07-19 2008-10-01 株式会社日立製作所 半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム
US6909930B2 (en) * 2001-07-19 2005-06-21 Hitachi, Ltd. Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process
JP2003197509A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Nikon Corp 異常検出方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI252516B (en) * 2002-03-12 2006-04-01 Toshiba Corp Determination method of process parameter and method for determining at least one of process parameter and design rule
SG125926A1 (en) * 2002-11-01 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Inspection method and device manufacturing method
JP2004157475A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Toshiba Corp 集積回路のパターン設計方法、露光マスクの作成方法、露光マスク、および集積回路装置の製造方法
JP2004241697A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Renesas Technology Corp 半導体ウェハの製造管理装置
TWI248153B (en) * 2003-12-04 2006-01-21 Promos Technologies Inc Method of adjusting photo error for multi-product
US20080215295A1 (en) * 2004-04-28 2008-09-04 Nikon Corporation Method Of Analysis, Exposure Apparatus, And Exposure Apparatus System
US7266800B2 (en) * 2004-06-04 2007-09-04 Invarium, Inc. Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4730309B2 (ja) 2004-11-30 2011-07-20 株式会社ニコン デバイス処理システム、情報表示方法、プログラム、及び記録媒体
JP4787673B2 (ja) * 2005-05-19 2011-10-05 株式会社Ngr パターン検査装置および方法
US7853920B2 (en) * 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
KR20060131505A (ko) * 2005-06-16 2006-12-20 삼성전자주식회사 노광 설비의 모니터링 시스템 및 이를 구비한 제어 시스템
JP4744980B2 (ja) * 2005-08-25 2011-08-10 株式会社東芝 パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法
JP4947483B2 (ja) 2006-01-16 2012-06-06 株式会社ニコン デバイス製造処理方法、デバイス製造処理システム、プログラム及び記憶媒体
JP4851253B2 (ja) * 2006-07-05 2012-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置、及び描画装置におけるエラー検出方法
US7710572B2 (en) * 2006-11-30 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2010087459A (ja) 2008-09-08 2010-04-15 Toshiba Corp 故障原因特定装置および方法
DE102008054072B4 (de) * 2008-10-31 2017-06-08 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Selbstkorrigierendes Substrathaltesystem für die Fokussteuerung in Belichtungssystemen, Belichtungssystem und Verfahren zum Belichten eines Substrats
JP2011054804A (ja) 2009-09-02 2011-03-17 Toshiba Corp 半導体製造装置の管理方法およびシステム
NL2005414A (en) * 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and patterning device.
CN102985878B (zh) 2010-02-26 2016-06-29 密克罗尼克麦达塔公司 用于执行图案对准的方法和装置
DE102010030755B4 (de) * 2010-06-30 2016-06-16 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Verfahren und System zur Überwachung von Ausreißern in optischen Lithographieprozessen bei der Herstellung von Mikrostrukturbauelementen
WO2012016744A1 (en) * 2010-08-05 2012-02-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
TWI438818B (zh) * 2011-02-22 2014-05-21 Univ Nat Taiwan 電子束微影方法、電子束微影伺服控制方法及系統
US8855400B2 (en) 2012-03-08 2014-10-07 Kla-Tencor Corporation Detection of thin lines for selective sensitivity during reticle inspection using processed images
JP2014093474A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Canon Inc 露光装置の復旧方法、および露光装置
JP6294131B2 (ja) * 2014-04-08 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥レビュー装置、欠陥レビュー方法
US10747830B2 (en) * 2014-11-21 2020-08-18 Mesh Labs Inc. Method and system for displaying electronic information

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173373A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Renesas Technology Corp 半導体製品の製造システム
US20080294280A1 (en) 2006-01-30 2008-11-27 Nikon Corporation Processing condition determining method and apparatus, display method and apparatus, processing apparatus, measurement apparatus and exposure apparatus, substrate processing system, and program and information recording medium
JP2012138388A (ja) 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp 異常検知装置、方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラム
JP2017207822A (ja) 2016-05-16 2017-11-24 ファナック株式会社 加工セル及び加工セル管理システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR102516180B1 (ko) 2023-03-31
US11347153B2 (en) 2022-05-31
TWI758608B (zh) 2022-03-21
JP2019215501A (ja) 2019-12-19
EP3582011A1 (en) 2019-12-18
KR20230047981A (ko) 2023-04-10
JP6808684B2 (ja) 2021-01-06
US20190384182A1 (en) 2019-12-19
KR20190141583A (ko) 2019-12-24
CN110609450A (zh) 2019-12-24
EP3582011B1 (en) 2023-11-29
TW202002121A (zh) 2020-01-01
CN110609450B (zh) 2022-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102620767B1 (ko) 정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법
KR102555175B1 (ko) 패터닝 프로세스용 보정 결정 방법
US20050185164A1 (en) Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same
US10031429B2 (en) Method of obtaining position, exposure method, and method of manufacturing article
US9996916B2 (en) Evaluation method, storage medium, exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article
US10185235B2 (en) Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP7267986B2 (ja) 情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法
US20220171295A1 (en) Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
JP6440498B2 (ja) リソグラフィシステム、リソグラフィ方法、および物品の製造方法
JPS6022319A (ja) 半導体露光装置
CN112309909B (zh) 判断装置、基板处理装置以及物品的制造方法
JP2021006893A (ja) パターン形成方法、パターン形成装置及び物品の製造方法
CN113568276B (zh) 信息处理装置和信息处理方法
KR102573120B1 (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
CN114935878A (zh) 信息处理装置、信息处理方法、物品制造系统和方法
KR20210133151A (ko) 정보처리장치 및 정보처리방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant