TWI401580B - A component processing system, an information display method, and a recorded recording medium, an exposure apparatus, a measurement and inspection apparatus - Google Patents

A component processing system, an information display method, and a recorded recording medium, an exposure apparatus, a measurement and inspection apparatus Download PDF

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TWI401580B
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鈴木博之
安川浩司
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尼康股份有限公司
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Description

元件處理系統、資訊顯示方法、及記錄有程式之記錄媒體、曝光裝置、測定、檢查裝置
本發明係關於具備製造半導體元件、液晶顯示元件、CCD(Charge Coupled Device:電荷耦合元件)等攝像元件、電漿顯示器元件、薄膜磁頭等元件時所使用之曝光裝置等元件處理裝置的元件處理系統、顯示該元件處理裝置所使用之各種資訊的資訊顯示方法、程式、以及為了使電腦系統執行該資訊顯示方法而將該程式儲存成能以電腦系統讀出之狀態的記錄媒體。
為提升曝光裝置等元件處理裝置之使用率,係於具有複數條生產線之系統中導入診斷系統、裝置支援系統等。此種診斷系統、裝置支援系統,係經由網絡來從各裝置收集各種資料,例如於伺服器裝置等解析該等資料以進行狀況掌握等,並進行控制參數等之調整。具體而言,此種裝置支援系統,係(1)分析掌握裝置之使用狀況、(2)以統計方法解析裝置資料之傾向,顯示解析結果並利用於異常分析(例如參照專利文獻1)。
【專利文獻1】日本專利第336436號公報
然而,上述之習知系統,並未研究元件處理裝置所使用之資料收集條件、對所收集資料進行統計處理之處理條件、顯示所收集資料或統計處理之處理結果時的顯示條件、以及報告之通知條件。因此,雖能收集預定資料來進行既定統計處理,將所收集資料或統計處理之結果以預定顯示形式來顯示,並通知預定內容之報告,但使用者卻無法例如為了分析掌握元件處理裝置之運作狀況來自由地進行其他資料的收集等。
欲改變上述各種條件時,例如,使用者須對元件處理裝置之製造廠商提出控制參數之設定變更或程式變更的要求,元件處理裝置之製造廠商即根據該要求來進行元件處理裝置之控制參數設定變更或程式變更。然而,使用者之變更要求係依使用者而異,或即使同一使用者亦有可能頻繁地改變變更要求,因此元件處理裝置製造廠商難以應付使用者所有之要求。
當使用者無法適切掌握元件處理裝置之使用狀況時,根據診斷等對曝光處理之處理、亦即反饋等控制之時序即會延遲。換言之,產生問題至獲得處理為止之時間會變長,而無法有效率地進行元件等之製造。又,視情況不同,亦有可能持續製造出不良元件而造成晶圓等材料之損失增加。近年來,半導體元件之生產線已開始使用300mm晶圓之生產線,此種生產線,被要求能極力防止不良情形產生、或即使產生不良時亦能更快速地因應。
本發明有鑑於上述情形,目的係提供元件處理系統、資訊顯示方法、以及程式,其藉由使用者可改變元件處理裝置所使用之資料收集條件、對所收集資料進行統計處理之處理條件、以及顯示所收集資料或統計處理之處理結果時之顯示條件等各種條件,而可更正確地掌握元件處理裝置之運作狀況,其結果即能迅速地對應不良情形等產生之情形。
本發明採用了對應實施形態所示之各圖的下述構成。不過,付加於各要素之包含括弧的符號僅係該要素之例示,而並非限定各要素。
為解決上述課題,本發明之第1觀點的元件處理系統(1),具備至少一個元件處理裝置(10~50),其特徵在於:具備支援裝置(61),該支援裝置,具有:資料收集條件設定部(231),係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;資料顯示條件設定部(233),係依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件;資料收集部(210,220),係從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件與以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件一致的資料;以及顯示部,係根據以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件,來顯示以該資料收集部收集之該資料。
根據本發明,係從元件處理裝置,收集和以資料收集條件設定部設定之收集條件與以資料顯示條件設定部設定之顯示條件一致的資料,並根據以資料顯示條件設定部設定之顯示條件來顯示該資料。
為解決上述課題,本發明第2觀點之元件處理系統(1),具備至少一個元件處理裝置(10~50),其特徵在於:具備支援裝置(61),該支援裝置,具有:資料收集條件設定部(231),係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;統計處理條件設定部(232),係依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件;資料收集部(210,220),係從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件與以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部(250),係根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係顯示以該統計處理部進行之處理結果。
根據本發明,係從元件處理裝置,收集和以資料收集條件設定部設定之收集條件與以統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料,並根據以統計處理條件設定部設定之處理條件來對所收集之資料進行統計處理。
為解決上述課題,本發明第3觀點之元件處理系統(1),具備至少一個元件處理裝置(10~50),其特徵在於:具備支援裝置(61),該支援裝置,具有:資料收集條件設定部(231),係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;資料顯示條件設定部(233),係依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件;統計處理條件設定部(232),係依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件;資料收集部(210,220),係從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件、以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件、以及以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部(250),係根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係根據以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件,來顯示以該資料收集部收集之該資料、以及以該統計處理部進行之處理結果的至少一方。
根據本發明,係從元件處理裝置,收集和以資料收集條件設定部設定之收集條件、以資料顯示條件設定部設定之顯示條件、以及以統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料,根據以統計處理條件設定部設定之處理條件來對所收集之資料進行統計處理,再根據以資料顯示條件設定部設定之顯示條件,來顯示以資料收集部收集之資料、以及以統計處理部進行之處理結果的至少一方。
為解決上述課題,本發明第1觀點之資訊顯示方法,係顯示至少一個元件處理裝置(10~50)所得之資訊,其特徵在於,包含:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的步驟;依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件的步驟;從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件與該顯示條件一致之資料的歩驟;以及根據該顯示條件顯示所收集之該資料的歩驟。
根據本發明,係從元件處理裝置收集和所設定之收集條件與顯示條件一致之資料,根據所設定之顯示條件來顯示該資料。
為解決上述課題,本發明第2觀點之元件處理系統,係顯示至少一個元件處理裝置(10~50)所得之資訊,其特徵在於,包含:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得到之資料的收集條件;依該使用者之指示來設定對該資料施以統計處理之處理條件的步驟;從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件與該顯示條件一致之資料的步驟;根據該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的步驟;以及用以顯示該統計處理之處理結果的步驟。
根據本發明,係從元件處理裝置收集和所設定之收集條件與處理條件一致之資料,根據所設定之處理條件來對所收集之資料進行統計處理,並顯示其處理結果。
為解決上述課題,本發明第3觀點之資訊顯示方法,係顯示至少一個元件處理裝置(10~50)所得之資訊,其特徵在於,包含:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的步驟;依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件的步驟;依該使用者指示來設定對該資料施以統計處理之處理條件的步驟;從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件、該顯示條件、以及該處理條件一致之資料的步驟;依該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的步驟;以及根據該顯示條件來顯示所收集之該資料及該統計處理之處理結果的至少一方的步驟。
根據本發明,係從元件處理裝置收集和所設定之收集條件、顯示條件、以及處理條件一致之資料,根據所設定之處理條件來對所收集之資料進行統計處理,並根據所設定之顯示條件來顯示所收集之資料及統計處理之處理結果的至少一方。
為解決上述課題,本發明第1觀點之記錄有資訊顯示程式之記錄媒體,該資訊顯示程式係顯示至少一個元件處理裝置(10~50)所得之資訊,其特徵在於:該程式,具有:依使用者指示來設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的處理;依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件的處理;從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件與該顯示條件一致之資料的處理;以及根據該顯示條件顯示所收集之該資料的處理。根據本發明,係從元件處理裝置收集和所設定之收集條件與顯示條件一致之資料,根據所設定之顯示條件來顯示該資料。
為解決上述課題,本發明第2觀點之記錄有資訊顯示程式之記錄媒體,該資訊顯示程式係顯示至少一個元件處理裝置(10~50)所得之資訊,其特徵在於:該程式,具有:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的處理;依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件的處理;從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件與該顯示條件一致之資料的處理;根據該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的處理;以及用以顯示該統計處理之處理結果的處理。
根據本發明,係從元件處理裝置收集和所設定之收集條件與處理條件一致之資料,根據所設定之處理條件來對所收集之資料進行統計處理,並顯示其處理結果。
為解決上述課題,本發明第3觀點之記錄有資訊顯示程式之記錄媒體,該資訊顯示程式係顯示至少一個元件處理裝置(10~50)所得之資訊,其特徵在於:該程式,具有:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的處理;依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件的處理;依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件的處理;從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件、該顯示條件、以及該處理條件一致之資料的處理;依該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的處理;以及根據該顯示條件來顯示所收集之該資料及該統計處理之處理結果的至少一方的處理。
根據本發明,係從元件處理裝置收集和所設定之收集條件、顯示條件、以及處理條件一致之資料,根據所設定之處理條件來對所收集之資料進行統計處理,並根據所設定之顯示條件來顯示所收集之資料及統計處理之處理結果的至少一方。
根據本發明,由於使用者可改變元件處理裝置所使用之資料收集條件、對所收集資料進行統計處理之處理條件、以及顯示所收集資料或統計處理之處理結果時之顯示條件等各種條件,因此使用者能收集、顯示、解析所欲之資料,而可更正確地掌握元件處理裝置之運作狀況。其結果即能迅速地對應不良情形等產生之情形。
以下,參照圖式詳細說明本發明一實施形態之元件處理系統、資訊顯示方法、以及程式形態。圖1係顯示本發明一實施形態之元件處理系統構成的方塊圖形態。如圖1所示,本實施形態之顯示元件處理系統1,包含:曝光裝置10、台車20、雷射30、作為檢查裝置之線上測量器40、線外測量器50、裝置支援系統60、以及通訊網路70。
裝置支援系統60,包含:伺服器61、終端裝置62、及遠端終端裝置63。又,通訊網路70,包含:第1網路71、第2網路72、及閘裝置73。此外,元件處理系統1具備複數條元件生產線,而曝光裝置10、台車20、雷射30、及線上測量器40,例如,係與各生產線對應設有複數個。又,線外測量器50係與該等生產線另外分別設置複數個。
首先,依序說明元件處理系統1各部之構成。曝光裝置10-i(i=1~n)(以下僅單表示為曝光裝置10),係將形成於作為光罩之標線片上的所欲圖案像,投影於塗布有感光材料之作為基板的晶圓上,以將該圖案像轉印至晶圓上。本實施形態中,曝光裝置10,係具有離軸方式之對準光學系統的曝光裝置;該光學系統係藉由影像處理來檢測為晶圓既定基準之圖案。
圖2係顯示曝光裝置概略構成的圖。此外,以下說明中,係設定圖2所示之XYZ正交座標系,再參照此XYZ正交座標系來說明各構件的位置關係。此XYZ正交座標系,X軸及Z軸係設定為平行於紙面,Y軸則設定為垂直於紙面之方向。圖中之XYZ座標系,實際上XY平面係設定為平行於水平面,而Z軸則設定為垂直方向。
如圖2所示,曝光裝置10,係由照明光學系統(未圖示)射出之曝光用光EL,透過聚光透鏡101以均一照度分布照射形成於標線片R之圖案區域PA。作為曝光用光EL,例如係使用g線(波長436nm)或i線(波長365nm),或從KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)、F2 雷射(波長193nm)、Kr2 雷射(波長146nm)、或Ar2 雷射(波長126nm)射出之光等。
標線片R係保持於標線片載台102,標線片載台102係被支撐成可在底座103上之二維平面內進行移動及微幅旋轉。控制裝置整體動作之主控制系統115,係透過底座103上之驅動裝置104來控制標線片載台102之動作。此標線片R,係藉由以標線片對準系統(由反射鏡105、物鏡106、標記檢測系統107構成)檢測出形成於其周邊之未圖示標線片對準標記,來使其在投影光學系統PL之光軸AX定位。
透射過標線片R之圖案區域PA內的曝光用光EL,例如射入兩側(單側亦可)遠心之投影光學系統PL而投影於晶圓W上的各照射區域。投影光學系統PL,係在曝光用光EL之波長進行最佳之像差修正,以該波長來使標線片R與晶圓W彼此共軛。又,曝光用光EL係柯勒照明(Kohler illumination),於投影光學系統PL之光瞳EP中心成像為光源像。此外,投影光學系統PL具有複數個透鏡等光學元件。依曝光用光EL之波長,使用石英、螢石等光學材料來作為光學元件之玻璃材料。
晶圓W,係透過晶圓保持具108裝載於晶圓載台109上。於晶圓保持具108上設有使用於基線測量等之基準標記110。晶圓載台109,具有:在與投影光學系統PL之光軸AX垂直的面內二維定位晶圓W的XY載台、將晶圓W定位於與投影光學系統PL之光軸AX平行之方向(Z方向)的Z載台、使晶圓W微幅旋轉之載台、以及使相對Z軸之角度變化以調整晶圓W相對XY平面之傾斜(調平)的載台等。
於晶圓載台109上面之一端安裝有L字型的移動鏡111,在與移動鏡111鏡面相對之位置配置有雷射干涉儀112。圖2係簡化之圖示,實際上移動鏡111係由具有與X軸垂直之反射面的平面鏡、以及具有與Y軸垂直之反射面的平面鏡構成。又,雷射干涉儀112,係由沿X軸對移動鏡111照射雷射光束之兩個X軸用雷射干涉儀、以及沿Y軸對移動鏡111照射雷射光束之Y軸用雷射干涉儀構成,藉由X軸用之一個雷射干涉儀及Y軸用之一個雷射干涉儀來測量晶圓載台109之X座標及Y座標。又,根據X軸用之兩個雷射干涉儀量測的差值,來測量晶圓載台109繞Z軸旋轉之旋轉角。
用以顯示以雷射干涉儀112測量之X座標、Y座標、以及旋轉角的位置測量訊號PDS,係輸出至載台控制器113。載台控制器113,係在主控制系統115之控制下,根據該位置測量訊號PDS透過驅動系統114來控制晶圓載台109之位置。又,位置測量訊號PDS係輸出至主控制系統115。主控制系統115,一邊監測所供應之位置測量訊號PDS、一邊對載台控制器113輸出用以控制晶圓載台109位置之控制訊號。接著,雷射干涉儀112所輸出之位置測量訊號PDS,即輸入後述之雷射步進對準(LSA)運算單元125。
又,曝光裝置10,具有由雷射光源116、射束整形光學系統117、反射鏡118、透鏡系統119、反射鏡120、分光鏡121、物鏡122、反射鏡123、受光元件124、LSA運算單元125、以及投影光學系統PL構成之TTL方式的對準光學系統。雷射光源116,例如係He-Ne(氦-氖)雷射等之光源,為一紅色光(例如波長632.8nm),對塗布於晶圓W上之光阻射出非感光性之雷射光束LB。此雷射光束LB,係透射過包含柱面透鏡等之射束整形光學系統117,並透過反射鏡118、透鏡系統119、反射鏡120、以及分光鏡121而射入物鏡122。透射過物鏡122之雷射光束LB,被設於標線片R下方且傾斜於XY平面方向的反射鏡123反射,而與光軸AX平行射入投影光學系統PL視野之週邊,通過投影光學系統PL之光瞳EP中心垂直照射於晶圓W。
雷射光束LB,藉由射束整形光學系統117之作用,而在物鏡122及投影光學系統PL間之光路中的空間聚光成一狹縫點狀光SPO 。投影光學系統PL,即將此點狀光SPO 再度於晶圓W成像為點SP。反射鏡123係固定成在標線片R之圖案區域PA邊緣的外側、且位於投影光學系統PL之視野內。據此,形成於晶圓W上之狹縫狀點狀光SP即位於圖案區域PA之投影像外側。
欲以此點狀光SP來檢測出晶圓W上之標記時,須使晶圓載台109在XY平面內相對點狀光SP水平移動。當點狀光SP對標記相對掃描時,即會從標記產生正反射光、散射光、繞射光等,視標記與點狀光SP之相對位置使光量逐漸產生變化。此光資訊,係沿雷射光束LB之送光路徑逆向行進,透過投影光學系統PL、反射鏡123、物鏡122、以及分光鏡121後到達受光元件124。受光元件124之受光面,係配置於大致與投影光學系統PL之光瞳EP共軛的光瞳像面EP′,且具有對來自標記之正反射光不感應之區域,僅接收散射光或繞射光。
來自受光元件124之各光電訊號,係與雷射干涉儀112所輸出之位置測量訊號PDS一起輸入LSA運算單元125,而產生標記位置之資訊AP1 。LSA運算單元125,係根據位置測量訊號PDS,將相對點狀光SP掃描晶圓標記時之來自受光元件124光電訊號予以取樣並儲存,藉由解析其波形輸出標記位置之資訊AP1 ,來作為當標記中心與點狀光SP中心一致時之晶圓載台109的座標位置。
此外,圖2所示之曝光裝置,雖僅顯示一組TTL方式之對準系統(116,117,118,119,120,121,122,123,及124),但於與紙面正交之方向(Y軸方向)另外設有一組,係將同樣之點狀光形成於投影像面內。此等兩點狀光之長邊方向的延長線係朝向光軸方向。又,圖2中之TTL方式對準光學系統之光路中所示的實線,係表示與晶圓W之成像關係,虛線則顯示與光瞳EP之共軛關係。
又,曝光裝置10,係於投影光學系統PL之側邊具備離軸方式之對準光學系統(以下稱為對準感測器)。此對準感測器,係對拍攝基板表面之對準標記附近的訊號進行訊號處理(含影像處理)、以檢測出標記位置資訊的FIA(Field Image Alignment)方式對準感測器。曝光裝置10,係使用此對準感測器進行搜尋對準測量及精密對準測量。
搜尋對準測量(此後亦有僅稱「搜尋對準」之情形),係檢測出形成於晶圓W上之複數個搜尋對準標記、並檢測出晶圓相對晶圓保持具108之旋轉量或在XY面內之位置偏移的處理。本實施形態中,作為搜尋對準之訊號處理方法,係使用預先設定之基準圖案(模板)來檢測出與此模板對應之既定圖案的手法(模板匹配手法)。又,精密對準測量(此後有僅稱「精密對準」之情形),係檢測出與照射區域對應而形成之精密對準用對準標記、最終進行各曝光照射之定位的處理。本實施形態中作為精密對準之影像處理方法,係使用抽出標記邊緣來檢測出位置之手法(邊緣測量手法)。
此外,無論是搜尋對準或精密對準,其影像處理方法均不侷限於本實施形態之手法,亦可係模板匹配手法、邊緣測量手法、或其他影像處理方法。上述搜尋對準測量時之觀察倍率與精密對準測量時之觀察倍率,亦可係彼此相等之觀察倍率,或亦可將精密對準時之倍率設定為高於搜尋對準時之倍率。
此對準感測器,具有射出用以照明晶圓W之照射光的鹵素燈126、使鹵素燈126所射出之照明光聚光於光纖128一端的聚光透鏡127、以及引導照明光之光纖128。使用鹵素燈126來作為照明光之光源,其原因係鹵素燈126所射出之照明光波長區為500~800nm,對塗布於晶圓W上之光阻屬不感光之波長範圍,且波長範圍寬廣、可減輕晶圓W表面之反射率波長特性的影響。
從光纖128射出之照明光,通過將塗布於晶圓W上之光阻的感光波長(短波長)區及紅外波長區予以去除的濾光器129,並透過透鏡系統130到達半反射鏡131。被半反射鏡131反射之照明光,藉由反射鏡132反射成與X軸方向大致平行後射入物鏡133,接著被稜鏡134(以不遮蔽投影光學系統PL視野之方式固定於投影光學系統PL的鏡筒下部周邊)反射而垂直照射至晶圓W。
此外,雖省略圖示,但從光纖128之射出端到物鏡133為止之光路中,在物鏡133與晶圓W共軛之位置係設有適當的照明視野光閘。又,物鏡133係設定為遠心系統,於其孔徑光閘(與光瞳相同)之面133a形成有光纖128之射出端的像,以進行柯勒照明。物鏡133之光軸,係在晶圓W上被定為垂直,以避免在檢測標記時因光軸之傾斜產生標記位置的偏移。
來自晶圓W之反射光,透過稜鏡134、物鏡133、反射鏡132、半反射鏡131,並藉由透鏡系統135成像於指標板136上。此指標板136係藉由物鏡133與透鏡系統135配置成與晶圓W共軛,具有分別延伸於X軸方向及Y軸方向之直線狀指標。晶圓W之標記像成像於指標板136,此晶圓W之標記像與指標標記,透過中繼系統137,139及反射鏡138成像於影像感測器140。影像感測器140(光電轉換機構、光電轉換元件)係將射入其攝影面之像轉換成光電訊號(影像訊號、影像資料、資料、訊號),例如使用二維CCD。從影像感測器140輸出之訊號(n維訊號),係與來自雷射干涉儀112之位置測量訊號PDS一起輸入至FIA運算單元141。
FIA運算單元141,係從輸入之影像訊號檢測出對準標記,求出該對準標記相對指標標記之標記像的偏移。接著輸出資訊AP2 ,該資訊AP2 係關於形成於晶圓W之標記像從位置測量訊號PDS所表示之晶圓載台109的停止位置到正確地位於指標標記中心時、晶圓載台109之標記中心檢測位置。
此等曝光裝置10之各構成部,係根據主控制系統115之控制來協同動作。主控制系統115即以此方式來控制曝光裝置10各部。又,主控制系統115,透過如圖1所示之通訊網路70與後述之裝置支援系統60的伺服器61進行通訊。又,記錄於主控制系統115內部之各種日誌檔、測量結果檔、參數設定檔、診斷結果檔、訊號波形檔、以及各種追蹤資料之內容(資料)均發送至伺服器61。
此處,上述各種日誌檔係包含:記錄有在曝光裝置10產生之事件之日誌的事件日誌檔、記錄有在曝光裝置10進行之一連串處理的程序日誌檔、記錄有在曝光裝置10產生之錯誤的錯誤日誌檔、以及記錄有曝光裝置10之運作履歷的運作履歷日誌檔等。此外,上述之測量結果檔,係記錄前述TTL方式對準光學系統及對準感測器等之測量結果的檔案,訊號波形檔係記錄能以此等感測器得到之訊號的檔案。又,主控制系統115,係基於前述資料並根據能以裝置支援系統60之伺服器61得到的控制資訊,來控制動作條件,或停止、中斷動作。以上即係曝光裝置10之概略構成。
台車20係於各生產線依序搬送晶圓W之搬送系統。此台車20例如可藉由元件處理系統1中未圖示之台車伺服器來控制。又,雷射30係對各生產線之曝光裝置10提供曝光用光的光源。線上測量器40,係組裝於曝光裝置10、台車20、以及雷射30等裝置內之感測器,係測量例如裝置環境氣氛之溫度、溼度、氣壓等資訊的感測器。以線上測量器40測得之資料,係輸出至裝置支援系統60中之伺服器61。線外測量器50,係非直接組裝於元件生產線之測量工具,例如係疊合測量裝置、或線寬測定裝置等。
裝置支援系統60,係透過網路70從曝光裝置10、台車20、雷射30、線上測量器40、及線外測量器50等各種裝置來收集各種資料。又,亦可根據所收集之資料來控制元件處理系統1之各生產線的製程。因此,裝置支援系統60之伺服器61,係從曝光裝置10、台車20、雷射30、線上測量器40、及線外測量器50等各裝置收集資料,並將其保存於資料庫來加以管理。
接著,將該保存之資料顯示於CRT(Cathode Ray Tube:陰極射線管)或液晶顯示裝置等顯示裝置(圖示省略),或使用所保存之資料進行統計處理,並於顯示裝置顯示生產線運作狀態之解析及診斷結果。又,根據該結果進行各裝置之自動修正控制、報告之製作/通知等處理。其詳細雖於後述,但本實施形態之伺服器61,係可依作業者(使用者)指示改變來自各裝置之資料收集條件、資料顯示條件、統計處理之處理條件、以及報告之通知條件。
裝置支援系統60中之伺服器61,藉由軟體或硬體來展開例如圖3所示之功能模組,藉此來執行後述之各種裝置支援動作。圖3係顯示裝置支援系統60之伺服器61主要構成的方塊圖。伺服器61之資料收集部210,具有從曝光裝置10收集資料之曝光裝置資料取得部211、從台車20收集資料之台車資料取得部212、從雷射30收集資料之雷射資料取得部213、從線上測量器40收集資料之線上測量器資料取得部214、從線外測量器50收集資料之線外測量器資料取得部215。
藉由此等資料取得部211~215,透過網路70,從以該曝光裝置10為首之元件處理系統1的各裝置收集事件日誌檔、程序日誌檔、錯誤日誌檔、運作履歷日誌檔、測量結果檔、參數設定檔、診斷結果檔、對準等各種訊號波形檔、以及其他各種追蹤資料或日誌檔等。
資料庫引擎220,具有儲存收集部210所收集之資料的資料庫、以及搜尋此資料庫以獲得所需資料之檢索部。儲存於此資料庫引擎220所具有之資料庫內的資料,係適切地被使用於後述應用程式250,並供至曝光裝置之支援處理。又,資料庫引擎220亦利用於後述終端裝置62及遠端終端裝置63。一般而言,由於曝光裝置10與其他處理裝置相較,其產生之資料量相當龐大,因此如何以資料庫引擎220來有效率地管理資料係相當重要的。
又,本實施形態之伺服器61,具備可依使用者指示設定對各裝置所得之資料施以各種處理的條件設定部230。於該條件設定部230設有資料收集條件設定部231、統計處理條件設定部232、圖表顯示條件設定部233、以及報告通知條件設定部234。資料收集條件設定部231,係依使用者指示設定各裝置所得之資料的收集條件。統計處理條件設定部232,係為了分析並掌握各裝置之運作狀況,而依使用者指示設定對所收集資料施以統計處理的處理條件。
又,圖表顯示條件設定部233,係依使用者指示設定將所收集資料或藉由統計處理所求出之資料顯示於顯示裝置的顯示條件。報告通知條件設定部234,係依使用者指示設定用以顯示來自各裝置之資料收集結果、顯示結果、及統計處理結果至少一項之報告的通知條件。此外,於伺服器61設有鍵盤或滑鼠等輸入裝置(圖示省略),上述之使用者之指示即係操作此輸入裝置來輸入。又,亦能操作設於終端裝置62之相同輸入裝置,來將使用者之指示透過網路70輸入至伺服器61。
於上述資料收集條件設定部231、統計處理條件設定部232、及圖表顯示條件設定部233,分別設有用以判定所收集資料之整合性的判定部236,237,238。於此等判定部236~238設有記錄有資料整合性定義之定義檔,判定部236~238即參照各個定義檔來判定資料之整合性。判定此種資料之整合性的原因,係由於在進行資料之顯示時須有過合所設定之顯示條件的複數個資料、在進行資料之統計處理時須有使用於所設定之處理條件的複數個資料,因此需保證在顯示或統計處理時所須資料之齊全。
此處,以資料收集條件設定部231設定之收集條件,例如有資料收集處、所收集資料之種類、資料收集時序(定時、定週期、在各裝置之事件產生時等)、以及為了對所收集資料進行加工而進行運算的運算式(加工方法)等。
以統計處理條件設定部232設定之處理條件,有統計處理之種類、用於統計處理之運算式、作為進行統計處理對象之資料的資料條件、判定統計處理結果之異常及警告至少一方的判定臨限值、以及執行統計處理之時序(定時、定週期、在各裝置之事件產生時等)等。統計處理之種類,有求出獲得資料前之裝置狀態的(通常之)統計處理、或預測獲得資料之時間點後之裝置狀態的預測型統計處理。作為統計處理對象之資料的資料條件,有作為統計處理對象之資料的上限值及下限值、或作為統計處理對象外之資料的上限值及下限值。又,上述判定臨限值,有用以判定為異常之上限臨限值及下限臨限值、或用以判定為警告之上限臨限值及下限臨限值。
以圖表顯示條件設定部233設定之顯示條件,有以圖表顯示資料時之圖表種類、作為顯示對象之資料種類、作為顯示對象之資料群組、作為顯示對象之資料的資料條件、資料之顯示時序、顯示內容之更新時序(定時、定週期、在各裝置之事件產生時等)、以及有無判定臨限值(用以判定顯示內容之異常及警告的至少一方)之設定履歷顯示等。上述圖表種類例如有條狀圖、線狀圖、面積圖、雙軸圖、公差圖、圓形圖、下探圖(Drill-down graph)、散佈圖、三維條狀圖、三維面積圖、以及三維散佈圖。
作為顯示對象之資料的資料條件,有作為統計處理對象之資料的上限值及下限值、或作為統計處理對象外之資料的上限值及下限值。該資料之種類,有所收集之資料、藉由統計運算所得出之資料、或藉由預測型統計運算所得出的資料。上述資料群組,係指相異之複數資料依既定分類基準被分類的狀態。作為以報告通知條件設定部234設定之通知條件,係設定是否將資料之收集結果、顯示結果(圖表)、以及統計處理結果之任一項作為報告來通知。
介面240,係用以進行伺服器61與其他裝置之通訊、或與使用者進行資料或命令之輸入與輸出的介面。具體而言,此介面240具備通訊部241,以提供伺服器61透過通訊網路70而連接於曝光裝置10等之其他裝置來進行資料傳送的通訊環境。又,亦提供遠端網路連接環境,而能進行來自透過通訊網路70而連接之終端裝置62的存取。再者,亦提供能以適當形態進行來自使用者之命令或資料之輸入與輸出的人性化介面環境。
應用程式250,係實現在元件處理系統1用以使伺服器61實際進行曝光裝置10等之裝置支援功能的程式。如圖所示,於本實施形態之伺服器61設有分別實現執行裝置/製程解析功能251、報告通知功能252、e-mail診斷結果通知功能253、自動診斷功能254、PP管理功能255、自動修正控制功能256之應用程式。
裝置/製程解析功能251,係根據以統計處理條件設定部232設定之處理條件,來對儲存於資料庫引擎220之資料庫內的資料進行統計處理,並輸出此統計處理之處理結果。此時,根據以圖表顯示條件設定部233設定之顯示條件,而例如以圖表等形態輸出處理結果。此處理結果係被輸出至伺服器61所具備之顯示裝置、或終端裝置62所具備之顯示裝置,並以圖表顯示。又,裝置/製程解析功能251,例如進行每一處理步驟之處理時間合計、透鏡室之目標氣壓與實際氣壓之合計等,並輸出此等合計結果。
報告通知功能252,係自動產生顯示元件處理系統1之各裝置運作狀態的報告、並加以通知的功能。報告通知功能252,係根據以報告通知條件設定部234設定之通知條件自動產生報告,例如以月、周、或日為單位,將該報告輸往出至預先設定之指既定輸出處。報告內容,例如係MTBF、MTBI、或故障產生主要原因分類之直方圖等用以維持裝置之適切運轉狀態的管理資料。
e-mail診斷結果通知功能253,係透過通訊網路將後述之自動診斷功能254的輸出內容等發送至遠地的遠端終端裝置63。藉此,即可以遠端終端裝置63進行元件處理系統1之各裝置的性能監控、不良情形或故障之掌握、故障部位之判斷等。其結果,可診斷或調整曝光裝置10等裝置。又,藉由定時監控運轉履歷或日誌資料,而亦可進行裝置之預防維護。
自動診斷功能254,係對以資料收集條件設定部231設定之收集條件、及根據以統計處理條件設定部232設定之處理條件所收集的資料進行統計處理,據以自動檢測出裝置運作狀況之異常。例如,進行錯誤件數診斷、維護診斷、以及生產資料診斷等的自動診斷。此處,錯誤件數診斷,係從曝光裝置10之載台、裝載器、對準等之錯誤產生件數來找出裝置問題及不良製程。維護診斷,係藉由監控曝光裝置10之載台、成像系統、照明系統、對準、AF等各種測量結果的變化,來進行維護頻度之最佳化、以及消耗品交換時期之最佳化。又,生產資料診斷,係藉由監控對準測量結果、聚焦控制資料等,來進行製程異常之早期發現與生產不良品之預防。藉由此種自動診斷功能254,即可縮短當機時間,較早期或以適切之時序檢測出生產中之異常,而能削減重製(rework)晶圓之情形。
製程條件(PP)管理功能255,係管理記載有曝光裝置10等裝置之實際處理條件的製程條件。元件處理系統1,係在伺服器61集中管理適用於曝光裝置10之製程條件,而能從伺服器61下載或上傳至各曝光裝置10。又,藉此,PP管理功能255,即可提供使用者能在伺服器61製作製程條件之環境。亦即,PP管理功能255,係提供使用者能透過通訊網路70從辦公室之PC等存取於伺服器61來製作或編輯製程條件的環境、工具等(桌上/製程條件編輯功能)。
又,PP管理功能255,係提供將製程條件最佳化的環境。通常,使用者係根據如前述裝置/製程解析功能251或自動診斷功能254之解析結果或診斷結果,來編輯製程條件並予以最佳化。但編輯製程條件時,有時亦會想確認其他處理條件之妥當性。PP管理功能255提供使用者用以確認此種處理條件之妥當性的模擬環境。更具體而言,PP管理功能255,係根據設定之製程條件提供曝光處理的模擬環境,藉此可進行例如疊合、成像及產能的評估。
自動修正控制功能256,係基於資料收集條件設定部231所設定之收集條件、統計處理條件設定部232所設定之處理條件、以及圖表顯示條件設定部233所設定之顯示條件所收集的資料,據此進行反饋或前饋修正控制,以使裝置之功能及動作穩定。本實施形態之自動修正控制功能256,大致區分為對環境或裝置狀態變化之修正控制、對製程之修正控制的兩項修正控制。
對環境或裝置狀態變化之修正控制,係藉由對溫度、氣壓或溼度等環境之變動、或曝光裝置、台車及雷射等裝置狀態之變化進行修正控制,來謀求裝置性能之穩定。具體而言,例如進行如次之各控制。首先,從氣壓、溫度、及溼度之變化資料預測控制曝光裝置10之聚焦面,以謀求面穩定性之提升(長期聚焦穩定化)。又,從雷射、氣壓、溫度、及溼度之變化資料預測控制最佳曝光量,以謀求晶圓間CD穩定性之提升(晶圓間△CD穩定化)。又,對因PEB溫度不均所引起之晶圓內各照射曝光量不均進行微調(修正),以謀求晶圓內△CD穩定性之提升(晶圓內△CD穩定化)。又,測量裝載器與台車之介面的溫度變化,以預測曝光時之晶圓伸縮量,並加以對準修正,以謀求重疊精度提升(晶圓間重疊穩定化)。
對製程之修正控制,係預測起因於製程之變動、或因曝光裝置、台車、及雷射等裝置組合運用時之變動,據此修正控制各種動作條件,以謀求裝置性能之穩定。具體而言,係進行如次之控制。例如,進行SDM(失真匹配)、GCM(柵格匹配)之修正參數最佳化,以謀求重疊精度提升(機台間重疊精度提升)。又,藉各製程之製程條件(製程程式)算出實際產能、及算出曝光裝置-台車間之實際產能,以特定出產能低落之單元,並提供支援對策(藉產能模擬提高生產性)。又,依每一製程進行對準測量計算之自動選擇,以謀求重疊精度之提升(對準測量計算自動測量)。又,配合光罩圖案進行最佳化之透鏡像差修正控制(透鏡像差修正控制)。
此外,此等應用程式層次功能之操作畫面係以網路瀏覽器所建構,因此不分遠端/本地,無論從任何地方皆可使用所有功能。裝置支援系統60之終端裝置62,例如係在工廠內使用者用在存取於伺服器61之終端裝置。終端裝置62連接於通訊網路70之第一網路71,並透過第一網路71連接於伺服器61。
裝置支援系統60之遠端終端裝置63,例如係從工廠外之辦公室或曝光裝置10之供應商的相關人員用於存取伺服器61之終端裝置。遠端終端裝置63,係透過第二網路72、閘裝置73、及第一網路71、且使用伺服器61之介面240功能連接於伺服器61。以上係裝置支援系統60之構成。
通訊網路70係用以連接元件處理系統1之各裝置的網路。通訊網路70之第一網路71,例如係工廠內之通訊網路,其連接裝置支援系統60之伺服器61、終端裝置62、曝光裝置10、台車20、雷射30、線上測量器40、以及線外測量器50等。又,通訊網路70之第二網路72例如係工廠外之通訊網路、或曝光裝置10之供應商所管理的網路。如圖所示,第二網路72與第一網路71藉由例如具有防火牆功能之閘裝置73來連接。
其次,說明上述各種條件之設定畫面。圖4係顯示收集條件設定畫面之一例。收集條件之設定畫面,如圖4所示,顯示於視窗WD1,此視窗WD1大分為三個顯示區R1~R3。顯示區R3,係依顯示區R2之設定內容使顯示內容隨之改變的區域。於顯示區R1設有用以輸入收集條件登錄名(Plot Name)之輸入欄IB1、以及用以輸入登錄名於輸入欄IB1後輸入對收集條件之描述(Description)的輸入欄IB2。
此處,欲將得自裝置之資料以圖表顯示時,首先須收集顯示該圖表所須的資料,資料之顯示與收集係有密切關聯。詞彙「Plot」雖通常係顯示資料時所使用之詞句,但本實施形態如上所述,由於資料之顯示與收集有密切關聯,因此於收集條件登錄名使用詞彙「Plot」。
於顯示區R2設有用以輸入資料收集處之裝置群組名(Equipment Group Name)的輸入欄IB3、用以輸入資料收集對象之製程條件群組名(Recipe Group Name)的輸入欄IB4、用以輸入為了對所收集之資料施以加工而對資料進行之加工方法(運算)運算式名(Expression Name)的輸入欄IB5、用以輸入計算結果值之計量單位(Unit)的輸入欄IB6、用以輸入運算取樣數(Sampling Point)之輸入欄IB7、以及用以輸入運算取樣期間(Sampling Period)的輸入欄IB8。
於視窗WD1內,劃有底線之文字為超連結,點擊此超連結時會出現另一新視窗。例如,當點擊上述裝置群組名(Equipment Group Name)輸入欄IB3之圖中左側所顯示的超連結時,裝置群組之選單畫面即會顯示於另一新視窗(圖示省略)。同樣地,當點擊製程條件群組名(Recipe Group Name)輸入欄IB4之圖中左側的超連結時,製程條件群組選擇畫面即會顯示於另一新視窗(圖示省略)。在各新視窗內所選擇之內容後即會分別被輸入至IB3,IB4。輸入欄IB3,IB4係輸入「ALL」來作為預設值(Default),當省略對此等輸入欄之輸入時,係會從所有裝置群組及所有製程條件群組收集資料。
又,當點擊運算式名(Expression Name)輸入欄IB5之圖中左側所顯示的超連結時,運算式選單畫面即會顯示於另一新視窗(圖示省略),在此視窗所選擇之運算式即會被輸入至輸入欄IB5。輸入欄IB5係輸入「SINGLE」來作為預設值(Default),當省略對此等輸入欄之輸入時,資料即不進行加工而直接顯示。可輸入輸入欄IB5之代表性運算式如下。
AVE:回覆所指定數字集合之平均值。
MAX:回覆所指定數字集合之最大值。
MIN:回覆所指定數字集合之最小值。
COUNT:回覆所指定數字集合之數目。
STDEV:回覆所指定數字集合之標準差。
RANGE:回覆所指定數字集合之最大值與最小值的差。
SUM:回覆所指定數字集合之總和。
ABSMAX:回覆所指定數字集合之絕對值的最大值。
ABSMIN:回覆所指定數字集合之絕對值的最小值。
ABSAVE:回覆所指定數字集合之絕對值的平均值。
ABSSUM:回覆所指定數字集合之絕對值的總和。
SINGLE:直接回覆所指定之變數。
ABS:回覆所指定數字之絕對值。
SIN:回覆所指定數字(單位弧度)之正弦。
COS:回覆所指定數字(單位弧度)之餘弦。
TAN:回覆所指定數字(單位弧度)之正切。
如求出平均值之「AVE」等,當輸入以一個以上之資料為對象的運算式於輸入欄IB5時,需依輸入內容,收集該資料之範圍即會被輸入欄IB7、IB8任一欄之輸入內容特定。如圖4所示,於輸入欄IB7、IB8附有勾選按鈕,藉由此勾選按鈕來以排他方式選擇輸入欄IB7、IB8的任一項。
於顯示區域R3設有用以輸入作為資料收集/計算對象之資料項目名(Data Item Name)的輸入欄IB9。當點擊此輸入欄IB9之圖中左側所顯示的超連結時,即會於斯視窗顯示聚焦追隨誤差、曝光量控制誤差、同步精度誤差、對準誤差等運算對象項目選單畫面(圖示省略),在此視窗所選擇之項目名即會被輸入至輸入欄IB9。圖4中,雖圖示輸入欄IB9僅顯示一項之狀態,但視用以輸入運算式名(Expression Name)之輸入欄IB5內容,所顯示之輸入欄IB9的數目亦會改變。此外,在圖4雖省略,但亦設有用以規定執行資料收集之時序的執行種類(Execution Type)、以及用以輸入下次執行時間(Next Execution Schedule)之輸入欄。即使不於圖4所示之收集條件設定畫面設定此等,亦可於後述之處理條件設定畫面、或顯示條件設定畫面進行設定。在收集條件設定畫面、與後述之處理條件設定畫面或顯示條件設定畫面兩方設定有執行種類及下次執行時間時,係以在處理條件設定畫面或顯示條件設定畫面所設定之內容為優先。
圖5,係顯示顯示條件設定畫面之一例。顯示條件設定畫面,如圖5所示係顯示於視窗WD2,此視窗WD2亦與上述視窗WD1同樣地大分為R11~R13三個顯示區。於顯示區R11設有用以輸入圖表種類(Chart Type)之輸入欄IB11、用以輸入作為顯示對象資料種類之資料來源區分(Data Source)的輸入欄IB12、用以輸入指定判定臨限值(用以判定統計處理異常/警告)設定履歷之有無(Display Limit History)的輸入欄IB13、用以輸入顯示條件登錄名之圖表名稱(Chart Name)的輸入欄IB14、以及用以輸入4對顯示條件(於輸入欄IB14輸入登錄名)之描述(Description)的輸入欄IB15。
此處,於輸入欄IB11例如輸入作為圖表種類之條狀、線狀、面積、雙軸、公差、圓形、下探、散佈圖、3D條狀、3D面積、以及3D散佈圖。藉由輸入上述之任一項,來顯示條狀圖、線狀圖、面積圖、雙軸圖、公差圖、圓形圖、下探圖、散佈圖、三維條狀圖、三維面積圖、以及三維散佈圖。於輸入欄IB12輸入統計處理、預測型統計處理、以及資料收集中之任一項。藉由輸入此等之任一項,而會顯示藉由統計處理所得之資料、藉由預測型統計處理所得之資料、及所收集資料的任一項。如圖5所示,當輸入「PLOT」時,即會顯示所收集之資料。輸入欄IB13,當輸入欄IB12之輸入內容為統計處理、或預測型統計處理時才有效。
顯示區R12係輸入資料收集條件之區域。於設定顯示條件之畫面設置用以輸入收集條件之顯示區域R12,係如前所述,因資料之顯示與收集有密切關聯之故。於此顯示區R12,設有用以輸入圖表顯示對象之資料的期間之輸入欄IB16、用以輸入屬性資料項目(Data Item)之輸入欄IB17。此處,屬性資料項目,係將運算元件、條件值組合成一個條件,為了限制顯示對象之資料而設定者。例如,當指定“EQPID”=“NSR051”時,即限定為來自裝置名“NSR051”之資料。可輸入於輸入欄IB17之代表性運算式如下。
=:與條件值完全一致LIKE:使用萬用字元“*”或“?*”之模糊檢索IN:與條件值中之任一值一致NOT IN:與條件值中之任一值均不一致<>:條件值以外>:大於條件值(不含條件值)<:小於條件值(不含條件值)>=:大於比條件值(含條件值)<=:小於條件值(含條件值)BETWEEN:在條件值1與條件值2之間(含條件值1與條件值2)
此外,雖於圖5省略圖示,但於顯示區R12亦設有用以輸入資料收集條件名(作為後述之統計處理對像)之資料系列名(Data Series Name)的輸入欄、用以輸入規定資料顯示時序之執行種類(Execution Type)及下次執行時間(Next Execution Schedule)的輸入欄、以及用以輸入集合函數(Set Function,用以進行資料群組化)之輸入欄。此外,當輸入欄IB12為「PLOT」時,上述資料系列名(Data Series Name),係從圖4所示之視窗WD1中輸入欄IB1所設定之收集條件登錄名(Plot Name)來選擇。
於顯示區R13設有複數個輸入欄,以供輸入將資料顯示為圖表時與圖表顯示相關的詳細資料。例如設有用以輸入付於圖表上部之上標題(Head Title)的輸入欄、以及用以輸入付於圖表下部之下標題(Footer Title)的輸入欄。又,當資料例如係以雙軸圖顯示時,係設有用以輸入各軸名稱、刻度間隔等詳細資料的輸入欄。
圖6~圖9係顯示統計處理中處理條件設定畫面之一例。用以設定統計處理之處理條件的設定畫面,如圖6~圖9所示,係顯示於視窗WD3,此視窗WD3亦與上述視窗WD1、視窗WD2同樣地大分為三個顯示區R21~R23。由於顯示於顯示區R23之內容較多,無法以一個圖來顯示顯示區R23之所有內容,因此以複數個圖來圖示視窗WD3。
於顯示區R21設有用以輸入統計處理之登錄名(SPC Name)的輸入欄IB21、用以輸入對統計處理(已輸入登錄名於輸入欄IB21)之描述(Description)的輸入欄IB22、用以輸入統計處理之分類名(SPC Class Name)之輸入欄IB23、以及用以輸入統計處理之區分(SPC Type)的輸入欄IB24。此處,SPC係統計製程管理(Statistic Process Control)之簡稱。當點擊顯示於輸入欄IB23之圖中左側的超連結時,統計處理分類一覽畫面即會顯示於另一新視窗(圖示省略)。當曝光裝置為資料收集對象時,顯示於此視窗之內容即有聚焦、曝光量、同步精度、對準、平坦度等項目。於輸入欄IB24輸入統計處理之種類(求出獲得資料前之裝置狀態的(通常之)統計處理、或預測型統計處理)。
顯示區R22係用以輸入資料收集條件之區域。於統計處理之處理條件設定畫面設置用以輸入收集條件之顯示區域R22,與資料之顯示與收集有密切關聯同樣地,係因資料之統計處理與收集有密切關聯之故。於此顯示區R22設有用以輸入作為統計處理對象之屬性資料項目(Data Item)的輸入欄IB25、用以輸入作為統計處理對象之資料系列名(Data Series Name,即收集條件名)的輸入欄IB26。
輸入於輸入欄IB25之屬性資料項目,係將運算式、條件值組合成一個條件,為了限定作為統計處理對象之資料而設定,作為其運算元件,係可輸入與輸入圖5所示顯示條件之設定畫面輸入欄IB17的運算元件相同的運算元件(「=」、「LIKE」、「IN」等)。當點擊輸入欄IB26之圖中左側所顯示的超連結時,資料收集條件選單即會顯示於另一新視窗(圖示省略)。
顯示區域R23之顯示內容,係藉由使用者操作滑鼠來沿縱(圖中之上下方向)方向移動付於顯示區R23的縱捲軸SL1,而能如圖6~圖9所示進行變更。於此顯示區域R23設有用以輸入判定統計處理之異常/警告之判定臨限值(SPC Limit)的輸入欄IB27(參照圖6、圖7)、用以輸入統計處理檢查規則(SPC Check Rule)之輸入欄IB28(參照圖8、圖9)、用以輸入執行區分(Execution Type)之輸入欄IB29(參照圖9)、用以輸入下次執行時日(Next Execution Schedule)之輸入欄IB30、以及用以輸入統計處理錯誤時之報告通知相關的通知條件之輸入欄IB31(參照圖7)。
輸入於輸入欄IB27之界限臨限值,係設定用以對統計處理結果判定為異常之上限臨限值及下限臨限值、以及對統計處理結果判定為警告之上限臨限值及下限臨限值。於輸入欄IB28選擇輸入預先登錄之統計處理檢查規則。此輸入欄IB28係能選擇輸入複數個統計處理檢查規則。能選擇輸入於輸入欄IB28入代表性統計處理檢查規則如下。以下所示之UCL,LCL係對統計處理結果判定為異常之上限臨限值及下限臨限值,UWL、LWL係對統計處理結果判定為警告之上限臨限值及下限臨限值。依據輸入於輸入欄IB28之統計處理檢查規則,來對統計處理結果判定為異常或警告。
WE1:最終點超過(UCL:Upper Control Limit)值WE2:連續三點中之兩點超過UWL(Upper Warning Limit)值WE3:連續五點中之四點超過+1σ值WE4:八連續點全部超過目標值WE5:最終點低於LCL(Lower Control Limit)值WE6:連續三點中之兩點低於LWL(Lower Warning Limit)值WE7:連續五點中之四點低於-1σ值WE8:八連續點全部低於目標值WE9:十五連續點存在於+/-1σ值內WE10:八連續點不存在於+/-1σ值內
輸入於輸入欄IB29之執行區分,係規定執行統計計算處理之時序,於輸入欄IB29選擇輸入下述方式之任一項來執行統計運算處理,即:不自動執行(Off)、定時執行(Timing)、定週期執行(Cycle)、異動產生時執行(處理事件)。選擇輸入定時執行(Timing)時,須輸入執行時間與每日、每週之禮拜幾、以及每月之哪一天中的任一項。選擇輸入定週期執行(Cycle)時,須輸入執行時間間隔(分單位)。又,輸入亦動產生時執行(Transaction)時,當點擊超連結(Transaction Name)後,異動一覽畫面即會顯示於另一新視窗(圖示省略),以選擇顯示於此視窗之異動的內容。
於輸入欄IB30輸入下次(或初次)執行統計計算處理之時日。當在輸入欄IB29選擇輸入定時執行(Timing)時,即會在輸入欄IB30輸入之下次執行時日之後之指定時間自動執行資料收集。當在輸入欄IB29選擇輸入定週期執行(Cycle)時,即會在輸入欄IB30所輸入之下次執行時日自動執行資料收集,其後即於所所指定之一定時間間隔自動執行資料收集。當在輸入欄IB29選擇輸入異動產生時執行(Transaction)時,即將在輸入欄IB30所輸入之下次執行時日後產生的異動作為觸發,自動執行資料收集。又,於輸入欄IB31輸入附帶於報告之圖表名(Chart Name),來作為統計處理錯誤時之報告通知相關的通知條件之一。
輸入執行以上統計運算處理之時日時,輸入輸入欄IB30之內容,係與輸入欄IB29之勾選按鈕的選擇無關而均相同。只不過,依據在輸入欄IB29係選擇(Timing)、(Cycle)、(Transaction)之哪一項,輸入於輸入欄IB30之內容解釋亦會不同。
如此,藉由輸入欄IB29之(Timing)、(Cycle)、(Transaction)與輸入欄IB30使用共同畫面構成,相較於與各輸入欄IB29之(Timing)、(Cycle)、(Transaction)對應來設置輸入欄的情形,可節省顯示面積,使顯示內容較為簡單。
又,在以上資料收集條件、資料顯示條件、統計處理之處理條件設定畫面中,係於各項配置有超連結,藉由點擊超連結,而顯示另一新視窗,並顯示選單畫面。使用者可從列表顯示於選單畫面中之選項來選擇,以進行條件設定。
例如在進行元件製造製程之最佳化等時,所處理之資訊數目係相當龐大。再者,各資訊在系統上係被賦予何種名稱之類、欲掌握其所有資訊實質上係不可能的。此種狀況下,當設定資料收集條件、資料顯示條件、資料統計處理之處理條件時,如係單純地於設定畫面上設置輸入框來要求將文字列輸入,即有可能會常發生人為疏失。
相對於此,以上說明之設定畫面,由於配置有超連結、藉由點擊超連結,來列表顯示適當選項,因此即不易發生文字列打字疏失或進行了不能選擇之設定等錯誤。
以上,說明了資料收集條件、資料顯示條件、以及統計處理之處理條件設定畫面,其次,係說明使用伺服器61來解析裝置狀態之順序。使用者之操作,可大分為顯示以裝置得到之資料的情形、以及對以裝置得到之資料進行診斷處理後並顯示其診斷結果的情形。以下依序說明各情形下使用者之操作。
(1)顯示以裝置得到之資料的情形最初,使用者操作設於伺服器61之輸入裝置,以顯示如圖4所示之收集條件的畫面來設定收集條件。具體而言,首先將收集條件之登錄名(Plot Name)輸入輸入欄IB1,如有需要亦輸入對收集條件(於輸入欄IB1輸入有登錄名)之描述(Description)。其次,將資料收集處之裝置群組名(Equipment Group Name)輸入輸入欄IB3、並將作為資料收集對象之製程條件群組名(Recipe Group Name)輸入輸入欄IB4。進一步地,將為了對所收集之資料進行加工而對資料進行之加工方法(運算)的運算式名(Expression Name)輸入輸入欄IB5,並將運算結果值之計量單位(Unit)輸入輸入欄IB6,再將運算取樣數目(Sampling Point)與運算取樣時間(Sampling Period)輸入輸入欄IB7及輸入欄IB8。又,在輸入欄IB9指定運算對象之資料項目名(Data Item Name)。依據所選擇之運算式的不同,所指定之資料項目數目亦不同。當點擊顯示於輸入欄IB9之圖中左側的超連結時,即顯示將運算對象之資料一覽顯示之運算對象資料項目選單(Search Condition-Data Item Name)畫面。
以上操作結束後,使用者即操作設於伺服器61之輸入裝置,以顯示如圖5所示之顯示條件的畫面來設定顯示條件。具體而言,係將圖表種類(Chart Type)輸入輸入欄IB11、將作為顯示對象之資料種類的資料來源區分(Data Source)輸入輸入欄IB12。其次,將顯示條件登錄名之圖形名稱(Chart Name)輸入輸入欄IB14、如有需要即再將對顯示條件(於輸入欄輸入有登錄名)之描述(Description)輸入輸入欄IB15。又,在輸入欄IB13指定判定統計處理異常/警告之判定臨限值設定履歷的有無(Display Limit History Y/N)。
其次,使用者係在視窗WD2之顯示區R12輸入資料之收集條件。具體而言,係將作為圖表顯示對象之資料的期間輸入輸入欄IB16、將屬性資料項目(Data Item)輸入輸入欄IB17。進一步地,於圖5之未圖示輸入欄,輸入為顯示對象之資料收集條件名的資料系列名(Data Series Name)、規定資料顯示時序之執行區分(Execution Type)及下次執行日時(Next Execution Schedule)、以及用以進行資料之群組化的集合函數(Set Function)。再者,如有需要,即在視窗WD2之顯示區域R13輸入圖表之標題。
當以上條件設定結束,使用者操作滑鼠來按下設於視窗WD2之描繪按鈕(Draw)時,即收集和所設定之收集條件與顯示條件一致的資料。本實施形態中,使用於裝置之資料係以收集部210預先收集並記錄於資料庫引擎220的資料庫。藉此,和所設定之收集條件與顯示條件一致的資料,即係以資料庫引擎220來收集。此外,亦可不使用該資料庫引擎220,而透過資料收集部210直接從裝置收集與所設定之收集條件與顯示條件一致的資料。所收集之資料,由設定於資料收集條件設定部231及圖表顯示條件設定部233之判定部236,238來判定整合性。
資料收集結束時,如圖10~圖12所示,使用者所欲之圖表即顯示於伺服器61之顯示裝置(未圖示)。圖10係顯示錯誤統計圖表一例,圖11係顯示生產性圖表一例,圖12係顯示裝置環境圖表一例。圖10所示之錯誤統計圖表,係將指定期間中各曝光裝置10之錯誤發生件數依錯誤種類別(錯誤發生之單位別)來顯示的圖表。若觀看此圖表,即可一眼看出哪一曝光裝置之哪一單位存在有問題,以加以掌握。亦即,可解析對錯誤之裝置或製程條件的依存性,縮短問題處理之時間。圖11所示之生產性圖表,係就各批號之各晶圓來顯示晶圓交換時間、對準時間、及曝光時間的圖表。若觀看此圖表,即可知有時會存在有晶圓交換時間較長之晶圓,而於晶圓搬送時產生時間之浪費。亦即,藉由此種圖表,可掌握裝置之利用狀況,以研究提高生產性效率之對策討。
圖12所示之裝置環境圖表,係將兩個透鏡室(A室及B室)之目標氣壓與測量之實際氣壓重疊繪製的圖表,當觀看此圖表時,可知A室與B室皆相當接近目標氣壓。又,當在設於圖5所示之視窗WD2的輸入欄IB13,指定顯示用以判定異常/警告之判定臨限值的設定履歷(Y)時,即會顯示圖13所示之圖表。圖13係判定臨限值設定履歷顯示之一例。若觀看此圖表,即可容易地了解過去設定之判定臨限值與壓力變動之演進的關係。藉由此等圖表即可掌握曝光裝置10之環境。亦即,能求出裝置性能與環境變動之相關性,以縮短製程異常之原因調查時間及使裝置調整頻度最佳化。
此外,當於設於圖5所示之視窗WD2之顯示區R12的未圖示輸入欄,輸入用以執行資料之群組化的集合函數(Set Function)時,群組化後之資料即藉由集合函數來進行賦予關連之處理。圖14係顯示群組化後之資料顯示例的圖。圖14所示之圖表(下探圖),係將每一裝置之晶圓處理片數群組化後的資料之顯示例。此顯示例,係以圓形圖將每日之晶圓處理片數顯示於視窗WD10,當特定此圓形圖一部分並選擇日期時,即以圓形圖顯示所選擇之日期之每一裝置的晶圓處理片數。如此,將資料予以群組化,即可作階層性的圖表顯示。
(2)顯示對資料進行診斷處理之診斷結果的情形最初,使用者操作設於伺服器61之輸入裝置,以顯示如圖4所示之收集條件的畫面來設定收集條件。此處所輸入之內容係與顯示以上述(1)裝置得到之資料的情形相同。當以上操作結束後,使用者操作設於伺服器61之輸入裝置,以顯示如圖6所示之處理條件顯示畫面來設定處理條件。具體而言,首先將統計處理之登錄名(SPC Name)輸入輸入欄IB21,如有需要再將對統計處理(於輸入欄IB21輸入有登錄名)之描述(Description)輸入輸入欄IB22。其次,將統計處理之分類名(SPC Class Name)輸入輸入欄IB23、將統計處理之區分(SPCType)輸入輸入欄IB24。
其次,在顯示區R22將統計處理對象之屬性資料項目(Data Item)輸入輸入欄IB25、將統計處理對象之資料收集條件名的資料系列名(Data Series Name)輸入輸入欄IB26,以作為資料之收集條件。接著,如圖6~圖9所示,使用者操作滑鼠,使縱捲軸SL1移動於縱方向(圖中上下方向),且將判定統計處理之異常/警告之判定臨限值(SPC Limit)輸入輸入欄IB27,將統計處理檢查規則(SPC Check Rule)輸入輸入欄IB28,將執行區分(Execution Type)輸入輸入欄IB29,將下次執行時日(Next Execution Schedule)輸入輸入欄IB30。又,如有需要,將統計處理錯誤時之報告通知相關的通知條件輸入輸入欄IB31。藉由上述方式設定收集條件及處理條件,如有需要亦與上述同樣方式設定顯示條件。
當結束以上條件設定、使用者以滑鼠進行既定指示時,即收集與所設定之收集條件及處理條件(若有設定顯示條件時,即係此等條件及顯示條件)一致的資料,並進行診斷處理,而將例如圖15所示之使用者所欲的圖表顯示於伺服器61的顯示裝置(未圖示)。圖15係預測型統計處理之處理結果一例。相較於通常之統計處理係根據過去資料來掌握目前時間點的傾向,預測型統計處理,係根據基於指定期間/取樣數之過去資料所指定的預測式(例如使用最小平方法之一次近似式等),來預測未來之指定期間的傾向。亦即,可預測可能為異常的時期。依據此預測結果,例如即可預測應該更換消耗品等之時期,可作為訂定保養計畫的標準。藉此可縮短停機時間。
如此,藉由運用元件處理系統1,能從曝光裝置10之處理結果的資料中將使用者所需之資料收集於伺服器61,進行使用者所需之統計處理,並以使用者所需之顯示形式顯示所收集資料或統計處理的處理結果。藉此,能縮短問題產生至解決為止之時間,而可有效率地進行元件等之生產。又,能對一項資料設定複數個顯示形式,藉此能對資料作多元(多方面)之研究。
以上,雖說明本發明之實施形態,但本發明並不限於上述實施形態,亦可在本發明之範圍內自由進行變更。例如,亦可不將裝置支援系統60與曝光裝置10或線上測量器40另外獨立設置,而將裝置支援系統60所具有之功能構裝於曝光裝置10、線上測量器40、或線外測量器50上。但是,如此由於可想見會導致兼具裝置支援系統60功能之裝置的負荷增大,因此從負荷之觀點來看,上述實施形態係較佳。又,例如,元件處理系統1之整體構成並無限於圖1所示之構成,或原本就不限於微影生產線,亦可適用於其他任意之製程裝置。又,作為資料收集來源之元件處理裝置亦不限定於曝光裝置10等,亦可係如用以檢查形成於基板之電路的檢查裝置、用以評估形成於基板之圖案的評估裝置、以及用以修復形成於基板之電路的修復裝置。
又,上述實施形態之曝光裝置10,亦可係使用使用揭示於國際公開第99/49504號公報之液浸法的曝光裝置,或亦可係不使用液浸法之曝光裝置。使用液浸法之曝光裝置,亦可係在投影光學系統PL與晶圓W之間局部充滿液體之液浸曝光裝置、如揭示於特開平6-124873號公報之液浸曝光裝置(使保持曝光對象之基板的載台在液槽中移動)、或如揭示於特開平10-303114號公報之液浸曝光裝置(於載台上形成既定深度之液體槽、並於於將基板支撐於其中)的任一種。
又,上述曝光裝置10,亦可係下述裝置之任一者,即:用於半導體元件之製造將元件圖案轉印至半導體晶圓的曝光裝置、用於包含液晶顯示元件(LCD)等之顯示器之製造將元件圖案轉印至玻璃基板上的曝光裝置、用於薄膜磁頭之製造將元件圖案轉印至陶瓷晶圓上的曝光裝置、以及用於CCD等攝影元件之製造的曝光裝置。又,為了製造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、及電子線曝光裝置等所使用之標線片或光罩時,亦可係將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等的曝光裝置。
又,以軟體展開圖3所示之功能模組時,藉由電腦系統來執行上述功能之程式、以及使用電腦系統以能讀出及執行的狀態儲存有該程式的記錄媒體亦包含於本發明。
1...元件處理系統
10...曝光裝置(元件處理裝置)
20...台車(元件處理裝置)
30...雷射(元件處理裝置)
40...線上測量器(元件處理裝置)
50...線外測量器(元件處理裝置)
60...裝置支援系統
61...伺服器(支援裝置)
210...資料收集部
220...資料庫引擎(資料收集部)
231...資料收集條件設定部
232...統計處理條件設定部
233...圖表顯示條件設定部(資料顯示條件設定部)
250...應用程式(統計處理部)
圖1係顯示本發明一實施形態之元件處理系統構成的方塊圖。
圖2係顯示曝光裝置概略構成的圖。
圖3係顯示裝置支援系統60之伺服器61主要構成的方塊圖。
圖4係顯示收集條件之設定畫面例的圖。
圖5係顯示顯示條件之設定畫面例的圖。
圖6係顯示統計處理之處理條件設定畫面例的圖。
圖7係顯示統計處理之處理條件設定畫面例的圖。
圖8係顯示統計處理之處理條件設定畫面例之圖。
圖9係顯示統計處理之處理條件設定畫面例的圖。
圖10係顯示錯誤統計圖表例之圖。
圖11係顯示生產性圖表例之圖。
圖12係顯示裝置環境圖表例之圖。
圖13係顯示判定臨限值之設定履歷顯示例的圖表。
圖14係顯示群組化後資料之顯示例的圖表。
圖15係顯示預測型統計處理之處理結果之圖表例的圖。
210...資料收集部
211...曝光裝置資料取得部
212...台車資料取得部
213...雷射資料取得部
214...線上資料取得部
215...線外資料取得部
220...資料庫引擎
230...條件設定部
231...資料收集條件設定部
232...統計處理條件設定部
233...圖表顯示條件設定部
234...報告通知條件設定部
236,237,238...判定部
240...介面
241...通訊部
250...應用程式
251...裝置/製程解析功能
252...報告通知功能
253...e-mail診斷結果通知功能
254...自動診斷功能
255...PP管理功能
256...自動修正控制功能

Claims (27)

  1. 一種元件處理系統,具備至少一個元件處理裝置,其特徵在於:具備支援裝置,該支援裝置,具有:資料收集條件設定部,係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;統計處理條件設定部,係用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件;資料收集部,係用以從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件、與以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部,係用以根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係用以顯示以該統計處理部進行之處理結果。
  2. 一種元件處理系統,具備至少一個元件處理裝置,其特徵在於:具備支援裝置,該支援裝置,具有:資料收集條件設定部,係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;資料顯示條件設定部,係依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件;統計處理條件設定部,係用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件; 資料收集部,係用以從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件、以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件、以及以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部,係用以根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係用以根據以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件,來顯示以該資料收集部收集之該資料、以及以該統計處理部進行之處理結果的至少一方。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之元件處理系統,其中,該資料收集條件設定部,係將該資料收集對象、所收集資料之種類、該資料之收集時序、以及所收集資料之加工方法的至少一方設定為該收集條件。
  4. 如申請專利範圍第3項之元件處理系統,其中,該資料之收集時序,包含定時、定週期、以及收集該資料之該元件處理裝置產生處理事件時中的至少一個。
  5. 如申請專利範圍第3項之元件處理系統,其中,該資料之加工方法的設定,係與對所收集資料進行之運算相關之運算式的設定。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之元件處理系統,其中,該統計處理條件設定部,係將下述至少一個設定為該處理條件,即:該統計處理之種類、使用於該統計處理之運算式、為進行該統計處理對象之資料的資料條件、判定該統 計處理結果之異常及警告至少一方的判定臨限值、以及執行該統計處理之時序。
  7. 如申請專利範圍第6項之元件處理系統,其中,用以執行該統計處理之時序,包含定時、定週期、以及收集該資料之該元件處理裝置產生處理事件時中的至少一個。
  8. 如申請專利範圍第6項之元件處理系統,其中,該統計處理之種類,包含下述之至少一方,即:第1統計處理,係求出以該元件處理裝置得到該資料之時間點為止之該元件處理裝置的裝置狀態;以及第2統計處理,係預測以該元件處理裝置得到該資料資料之時間點後之該元件處理裝置的裝置狀態。
  9. 如申請專利範圍第6項之元件處理系統,其中,該資料條件包含作為該統計處理對象之資料的上限值及下限值、以及作為該統計處理對象以外之資料的上限值及下限值中的至少一方。
  10. 如申請專利範圍第6項之元件處理系統,其中,該判定臨限值,包含用以對該統計處理結果判定為異常之上限臨限值及下限臨限值、以及用以對該統計處理結果判定為警告之上限臨限值及下限臨限值中的至少一方。
  11. 如申請專利範圍第2項之元件處理系統,其中,該顯示條件設定部,係將以圖表顯示該資料時之圖表種類、作為顯示對象之資料種類、作為顯示對象之資料群組、作為顯示對象資料之資料條件、該資料之顯示時序及顯示內容之更新時序、以及有無判定臨限值之設定履歷顯示中的 至少一個設定為該顯示條件;該判定臨限值,係判定顯示內容之異常及警告的至少一方。
  12. 如申請專利範圍第11項之元件處理系統,其中,該資料條件包含作為顯示對象之資料的上限值及下限值、以及作為顯示對象以外之資料的上限值及下限值中的至少一方。
  13. 如申請專利範圍第11項之元件處理系統,其中,該資料種類,包含條狀圖、線狀圖、面積圖、雙軸圖、公差圖、圓形圖、下探圖、散佈圖、三維條狀圖、三維面積圖、以及三維散佈圖中的至少一個以上。
  14. 如申請專利範圍第11項之元件處理系統,其中,該資料群組係相異之複數個資料依既定分類基準被分類的狀態;該顯示部,係以群組為單位顯示分類於相同群組之資料。
  15. 如申請專利範圍第11項之元件處理系統,其中,該資料之顯示時序及顯示內容之更新時序,係包含定時、定週期、以及收集該資料之該元件處理裝置產生處理事件時中的至少一個。
  16. 如申請專利範圍第2項之元件處理系統,其中,該支援裝置具備報告輸出部;該報告輸出部,係設定用以顯示該資料之收集結果、顯示結果、以及統計處理結果之至少一個的報告通知條件,並根據該通知條件將該報告通知至該使用者。
  17. 如申請專利範圍第2項之元件處理系統,其中,該資料顯示條件設定部可設定複數個顯示條件;該顯示部,係根據以該資料收集條件設定部設定之收集條件與該複數個顯示條件對所收集之資料進行多方面的圖表顯示。
  18. 如申請專利範圍第2項之元件處理系統,其中,該顯示部,當欲作為顯示對象之資料群組被設定為該資料顯示條件時,係以階層方式顯示與分類於該群組之資料相關連的資料。
  19. 如申請專利範圍第2項之元件處理系統,其中,該支援裝置,當設定有用以判定顯示內容及統計處理結果至少一方之異常及警告至少一項之判定的判定臨限值、且顯示內容及統計處理結果之至少一方超過該判定臨限值時,即自動地將該收集條件、顯示條件、以及處理條件之至少一項予以最佳化。
  20. 一種資訊顯示方法,係顯示至少一個元件處理裝置所得之資訊,其特徵在於,包含:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的步驟;用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件的步驟;用以從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件與該顯示條件一致之資料的歩驟;用以根據該處理條件對所收集之該資料進行統計處理 的步驟;以及用以顯示該統計處理之處理結果的步驟。
  21. 一種資訊顯示方法,係顯示至少一個元件處理裝置所得之資訊,其特徵在於,包含:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的步驟;依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件的步驟;用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件的步驟;用以從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件、該顯示條件、以及該處理條件一致之資料的步驟;用以依該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的步驟;以及用以根據該顯示條件來顯示所收集之該資料及該統計處理之處理結果的至少一方的步驟。
  22. 一種記錄有資訊顯示程式之記錄媒體,該資訊顯示程式係顯示至少一個元件處理裝置所得之資訊,其特徵在於:該程式,具有:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的處理;用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件的處理; 用以從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件與該顯示條件一致之資料的處理;用以根據該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的處理;以及用以顯示該統計處理之處理結果的處理。
  23. 一種記錄有資訊顯示程式之記錄媒體,該資訊顯示程式係顯示至少一個元件處理裝置所得之資訊,其特徵在於:該程式,具有:依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得資料之收集條件的處理;依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件的處理;用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件的處理;用以從該元件處理裝置收集和所設定之該收集條件、該顯示條件、以及該處理條件一致之資料的處理;用以依該處理條件對所收集之該資料進行統計處理的處理;以及用以根據該顯示條件來顯示所收集之該資料及該統計處理之處理結果的至少一方的處理。
  24. 一種曝光裝置,係將既定圖案曝光於基板上,其特徵在於:該曝光裝置具備支援裝置,該支援裝置,具有: 資料收集條件設定部,係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;統計處理條件設定部,係用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件;資料收集部,係用以從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件與以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部,係用以根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係用以顯示以該統計處理部進行之處理結果。
  25. 一種曝光裝置,係將既定圖案曝光於基板上,其特徵在於:該曝光裝置具備支援裝置,該支援裝置,具有:資料收集條件設定部,係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所之資料的收集條件;資料顯示條件設定部,係依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件;統計處理條件設定部,係用以依該使用者指示設定對資料施以統計處理之處理條件;資料收集部,係用以從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件、以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件、以及以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料; 統計處理部,係用以根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係用以根據以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件,來顯示以該資料收集部收集之該資料、以及以該統計處理部進行之處理結果的至少一方。
  26. 一種測定檢查裝置,係在基板被供至既定元件製造處理之前或之後,進行該基板之特性或檢查之至少一方,其特徵在於:該測定檢查裝置具備支援裝置,該支援裝置,具有:資料收集條件設定部,係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料收集條件;統計處理條件設定部,係用以依該使用者指示設定對該資料施以統計處理之處理條件;資料收集部,係用以從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件與以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部,係用以根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係用以顯示以該統計處理部進行之處理結果。
  27. 一種測定檢查裝置,係在基板被供至既定元件製造處理之前或之後,進行該基板之特性或檢查之至少一方,其特徵在於: 該測定檢查裝置具備支援裝置,該支援裝置,具有:資料收集條件設定部,係依使用者指示設定用以收集該元件處理裝置所得之資料的收集條件;資料顯示條件設定部,係依該使用者指示設定用以顯示該資料之顯示條件;統計處理條件設定部,係用以依該使用者指示設定對資料施以統計處理之處理條件;資料收集部,係用以從該元件處理裝置,收集和以該資料收集條件設定部設定之收集條件、以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件、以及以該統計處理條件設定部設定之處理條件一致的資料;統計處理部,係用以根據以該統計處理條件設定部設定之處理條件,來對以該資料收集部收集之該資料進行統計處理;以及顯示部,係用以根據以該資料顯示條件設定部設定之顯示條件,來顯示以該資料收集部收集之該資料、以及以該統計處理部進行之處理結果的至少一方。
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