JP2019215501A - 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法 - Google Patents

情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019215501A
JP2019215501A JP2018113942A JP2018113942A JP2019215501A JP 2019215501 A JP2019215501 A JP 2019215501A JP 2018113942 A JP2018113942 A JP 2018113942A JP 2018113942 A JP2018113942 A JP 2018113942A JP 2019215501 A JP2019215501 A JP 2019215501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
collected data
abnormality
lithography
collected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018113942A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019215501A5 (ja
JP6808684B2 (ja
Inventor
洋佑 宝田
Hirosuke Takarada
洋佑 宝田
勇介 三浦
Yusuke Miura
勇介 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2018113942A priority Critical patent/JP6808684B2/ja
Priority to TW108118179A priority patent/TWI758608B/zh
Priority to KR1020190065220A priority patent/KR102516180B1/ko
Priority to US16/436,658 priority patent/US11347153B2/en
Priority to EP19179437.9A priority patent/EP3582011B1/en
Priority to CN201910514039.8A priority patent/CN110609450B/zh
Publication of JP2019215501A publication Critical patent/JP2019215501A/ja
Publication of JP2019215501A5 publication Critical patent/JP2019215501A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6808684B2 publication Critical patent/JP6808684B2/ja
Priority to KR1020230039862A priority patent/KR102620767B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70533Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45028Lithography
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)

Abstract

【課題】 リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができる情報処理装置を提供する。【解決手段】 情報処理装置は、パターンを形成するリソグラフィ装置において複数の処理条件が適用されてリソグラフィ処理が行われた状態で収集された複数の収集データを処理条件毎に取得する取得手段と、前記処理条件毎に収集された収集データが、前記処理条件毎に求められた許容範囲に収まっているか否かを判定し、前記収集データに異常が発生していることを判定する判定手段と、を有する。【選択図】 図5

Description

本発明は、情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイス、MEMS、またはフラットパネルディスプレイなどの物品の製造において、基板上に形成するパターンの微細化が進み、リソグラフィ装置の解像力、重ね合わせ精度、生産性等に関する性能の向上への要求が高まっている。
リソグラフィ装置に関する性能の向上への要求を満たすためには、リソグラフィ装置に関する性能の低下を招く可能性のある異常を解消する必要がある。
特許文献1では、エンジニアを介することなく半導体製造装置の異常を自動的に解消することが可能な半導体製造装置の管理方法が開示されている。複数台の半導体製造装置の中から半導体集積回路の不良発生原因となる半導体製造装置を特定し、半導体製造装置の内部状態が正常状態か否かを判定する。そして、正常状態から逸脱している場合は、内部状態が正常状態に復帰するように入力を制御する。
特開2011−54804号公報
特許文献1では、半導体製造装置の内部状態を表す装置パラメータであるEES(Equipment Engineering System)データから、主成分分析によりEESデータから主成分ベクトルを算出する。そして、主成分ベクトルが属する主成分空間において、主成分ベクトルが正常状態を表す領域に属するか否かを判定する。しかし、正常状態を表す領域は、半導体製造装置おいて適用される処理条件によって異なる場合がある。つまり、EESデータが取得された際に半導体製造装置において適用される処理条件によって、正常状態であるか否かを判定するための正常状態を表す領域の範囲が変わることがある。よって、処理条件を考慮して正常状態を表す領域を決定しないと、正確に半導体製造装置の内部状態が正常状態か否かを判定することが困難となり得る。
そこで本発明は、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができる情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一側面としての情報処理装置は、パターンを形成するリソグラフィ装置において複数の処理条件が適用されてリソグラフィ処理が行われた状態で収集された複数の収集データを処理条件毎に取得する取得手段と、前記処理条件毎に取得された収集データが、前記処理条件毎に求められた許容範囲に収まっているか否かを判定し、前記収集データに異常が発生していることを判定する判定手段と、を有する。
本発明によれば、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができる情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品の製造方法を提供することができる。
リソグラフィシステムを示した図である。 露光装置を示した図である。 情報処理装置のハードウェア構成を示した図である。 診断装置のCPUの構成を示す図である。 露光装置の異常を判定する方法を示したフローチャートである。 ロットデータを示した図である。 ロットデータが蓄積される蓄積データを示した図である。 蓄積データに蓄積された基準データを示した図である。 同期精度データと許容範囲を示した図である。 同期精度データと複数の許容範囲を示した図である。 検知された異常と保全方法の関係の一例を示した図である。 保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。 履歴情報を示した図である。 同期精度異常の要因を示した図である。 要因分析を用いて保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。 ウエハステージの偏差の波形を示した図である。 異常の要因と保全方法の関係を示した図である。 複数の診断装置と集中管理装置が構成されたリソグラフィシステムを示した図である。
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
本実施例では、複数のリソグラフィ装置と診断装置からなるリソグラフィシステムについて説明する。図1はリソグラフィシステムを示した図である。本実施例のリソグラフィシステム100は、ウエハ(基板)にパターンを形成するリソグラフィ装置200乃至203と、リソグラフィ装置の異常を判定してリソグラフィ装置を保全するための保全方法を決定する診断装置300とを有する。ここで、リソグラフィ装置を保全するための保全方法とは、リソグラフィ装置の異常を解消するために実行される方法である。例えば、後述のウエハステージの位置の誤差に関する異常が判定された場合、リソグラフィ装置を保全するためにウエハステージの振動を低減するための保全方法が実行され得る。また、リソグラフィ装置は、パターンが形成されたレチクル(マスク、原版)に光を照射して、レチクルからの光でウエハ上のショット領域にパターンを投影する露光装置を含み得る。また、リソグラフィ装置は、例えば、ウエハ上に供給されたインプリント材と型(原版、モールド)とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の形状が転写された組成物を形成するインプリント装置を含み得る。また、リソグラフィ装置は、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置を含み得る。また、リソグラフィ装置は、例えば、感光媒体などを基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、露光装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含み得る。また、図1においては、リソグラフィ装置200乃至203が構成されているが、リソグラフィ装置の数は4に限定されるものではない。
次に、リソグラフィ装置200乃至203の一例として、パターンが形成されたレチクルからの光でウエハを露光する露光装置について説明する。図2はリソグラフィ装置の一例としての露光装置を示した図である。本実施例に係る露光装置204は、レチクルステージ及びウエハステージを同期駆動させながら露光するステップアンドスキャン方式の露光装置(スキャナ)として説明する。また、露光装置204はスキャナに限られず、ウエハステージを静止させた状態で露光するステップアンドリピート方式の露光装置(ステッパ)としても良い。図2の例では、露光装置204は光源7、照明光学系8、レチクルステージ2、投影光学系3、ウエハステージ6、ウエハチャック5、及び制御部16を有する。また、露光装置204は、レーザ干渉計9、レーザ干渉計10、フォーカスセンサ11、ウエハ搬送部12、レチクル搬送部14、及びアライメントスコープ15を有する。また、図2では、投影光学系3の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2方向をX軸方向及びY軸方向とする。
光源7としては、例えば高圧水銀ランプ、ArFエキシマレーザ、及びKrFエキシマレーザなどがある。また、光源7は、露光装置のチャンバ内部にあるとは限らず、外付けになっている構成もあり得る。光源7を出た光は照明光学系8を介して、不図示のレチクル1(原版、マスク)を照明する。レチクル1は、感光材が塗布されたウエハ4(基板)上に転写するパターンが描画されており、レチクルステージ2に搭載される。レチクルステージ2は、レチクルチャック(不図示)を介してレチクルを吸着保持し、例えば、リニアモータ(不図示)により移動可能に構成される。
投影光学系3は、レチクル1に描画されたパターンの像を、ウエハチャック5上に載置されたウエハ4上に投影(露光)する。パターンの像をウエハ4上に投影する際に、投影光学系3を介して投影倍率(例えば、1/4)で反転縮小した像が、ウエハ4上に投影される。パターンの像が投影される領域をショット領域とすると、ウエハ4には複数のショット領域が設定され、順次、ショット領域への投影が繰り返し行われる。
ウエハステージ6はリニアモータ(不図示)に駆動されることによって、X方向、Y方向に移動可能である。ウエハチャック5は、ウエハステージ6上に搭載され、ウエハ4を保持する。ウエハステージ6はウエハチャック5をZ方向、θ方向、ωX方向、およびωY方向に位置決めする。このように、ウエハチャック5に保持されたウエハ4は、ウエハステージ6、およびウエハチャック5の駆動によって移動する。
レーザ干渉計9は、レチクルステージ2のY方向の位置を計測し、かつレチクルステージ2の姿勢を計測する。レーザ干渉計9には、同様にレチクルステージ2のX方向の位置を計測するためのレーザ干渉計(不図示)を含む。また、レーザ干渉計10は、ウエハ4を搭載するウエハステージ6のY方向の位置を計測し、かつウエハステージ6の姿勢を計測する。また、レーザ干渉計10には、同様にウエハステージ6のX方向の位置を計測するレーザ干渉計(不図示)を含む。レチクルステージ2とウエハステージ6とは、レーザ干渉計9、レーザ干渉計10によって計測された位置に基づき、後述の制御部16により位置が制御される。
フォーカスセンサ11は、ウエハ4に対して光(複数のビーム)を投射する投光系11aと、ウエハからの反射光を受光する受光系11bと、受光系からの光を検出し制御部16へ検出信号を出力する検出部(不図示)とを含む。投光系11aと受光系11bは、投影光学系3の射出部付近を挟むように設置され、投光系11aがウエハに斜入射光を照射し、受光系11bが反対側で反射した光を取り込む。フォーカスセンサ11により検出された検出信号から、後述の制御部16がウエハ4のZ方向の位置を計測して、ウエハステージ6によるウエハ4の移動を制御する。
ウエハ搬送部12はウエハ4を搬送する。ウエハ搬送部12は、ウエハ4を収納するウエハ収納容器(不図示)等からウエハステージ6にウエハ4を搬送する。また、ウエハ搬送部12は、ウエハステージ6からウエハ収納容器等へウエハ4を搬送する。
レチクル搬送部14はレチクル1を搬送する。レチクル搬送部14は、レチクル1を収納するレチクル収納容器(不図示)等からレチクルステージ2にレチクル1を搬送する。また、レチクル搬送部14は、レチクルステージ2からレチクル収納容器等へレチクル1を搬送する。
アライメントスコープ15は、ウエハチャック5に保持されたウエハ4の位置決め(アライメント)を行うために、ウエハ4上に形成されたマークを撮像したデジタル画像信号を取得する。アライメントスコープ15は、ウエハ4からの反射光の明るさ、即ち濃淡に応じた濃淡画像信号を出力するイメージセンサ(不図示)と、そのイメージセンサから得られる濃淡画像信号をデジタル画像信号に変換するA/D変換器(不図示)を備える。後述の制御部16は、取得されたデジタル画像信号を用いてウエハ4上に形成されたマークの位置を検出して、検出したマークの位置に基づきウエハステージ6を制御してウエハ4の位置決めを行う。
制御部16は、露光装置204の各部の動作および調整などを制御することでウエハ4を露光する処理を制御する。制御部16は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、プログラムが組み込まれたコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合せによって構成されうる情報処理装置である。また、制御部16は複数の情報処理装置から構成され得る。また、制御部16は、露光装置204の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成しても良いし、露光装置204の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成しても良い。また、制御部16は、後述の記憶装置等から取得した処理条件を適用してウエハ4の露光処理(リソグラフィ処理)を実行するように制御する。露光処理に適用される処理条件には、例えば、ウエハ搬送部12によりウエハ4をウエハステージ6に搬送するときの速度、経路などを定めた搬送条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、ウエハステージ6によりウエハ4を位置決めするときの許容誤差などを定めた位置決め条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、フォーカスセンサ11による計測するときの光の照射時間、照射タイミングなどを定めた計測条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、ウエハ4を露光するときのレチクル1の識別子、ウエハ4上のショット領域のレイアウト、照明モードなど定めた露光条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、露光装置204内の温度や気圧を定めた環境条件、露光装置の機種、ソフトウェアのバージョンなどの情報を含むセットアップ条件が含まれ得る。
図3は情報処理装置のハードウェア構成を示した図である。情報処理装置の各ハードウェア構成は、プログラムに従って機能する。図3の例では、CPU301は、プログラムに従って制御のための演算を行い、バス308に接続された各構成要素を制御する処理装置である。ROM203は、データ読出し専用のメモリであり、プログラムやデータが格納されている。RAM303は、データ読み書き用のメモリであり、プログラムやデータの保存用に用いられる。RAM303は、CPU301の演算の結果等のデータの一時保存用に用いられる。記憶装置304も、プログラムやデータの保存用に用いられる。記憶装置304は、情報処理装置のオペレーティングシステム(OS)のプログラム、およびデータの一時保存領域としても用いられる。記憶装置304は、RAM303に比べてデータの入出力は遅いが、大容量のデータを保存することが可能である。記憶装置304は、保存するデータを長期間にわたり参照できるように、永続的なデータとして保存できる不揮発性記憶装置であることが望ましい。記憶装置304は、主に磁気記憶装置(HDD)で構成されるが、CD、DVD、メモリカードといった外部メディアを装填してデータの読み込みや書き込みを行う装置であっても良い。入力装置305は、情報処理装置に文字やデータを入力するための装置であり、各種のキーボードやマウスなどが該当する。表示装置306は、情報処理装置の操作に必要な情報や処理結果などを表示するための装置であり、CRT又は液晶モニターなどが該当する。通信装置307は、ネットワークに接続してTCP/IP等の通信プロトコルによるデータ通信を行い、他の情報処理装置と相互に通信を行う場合に使用される。また、情報処理装置には高速な演算処理を可能とするために、不図示のGPU(Graphics Processor Unitの略。)が構成されていても良い。
次に、診断装置300について説明する。診断装置300は情報処理装置であり、例えば、図3の例で示される構成を含む。診断装置300は、通信装置307を介して複数の露光装置204とデータを通信するために接続している。図4は診断装置300のCPUの構成を示す図である。診断装置300のCPUは、取得部401、蓄積部402、異常判定部403、保全部404、及び出力部405を含む。
次に、診断装置300が露光装置の異常を判定する方法について説明する。図5は露光装置の異常を判定する方法を示したフローチャートである。まず、ステップ501において、取得部401は、露光装置204からロットデータを取得する。また、取得部401は、ロットデータと共に、露光装置を特定する情報(例えば、露光装置を示すID)、ロットデータが取得されたときに適用された処理条件を特定する情報(例えば、処理条件を示すID)を取得する。
ここで、ロットデータについて説明する。図6はロットデータの一例を示した図である。露光装置204を用いてウエハ4の露光を行う場合、複数のウエハ4(例えば、25枚のウエハ4)を含むロットという単位で扱う。また、同じロットに属する複数のウエハ4に対して露光を行う場合、同じ処理条件が適用される。また、ウエハ上の露光すべき領域として複数のショット領域(例えば、100のショット領域)のレイアウトが予め定められ、露光装置204はウエハ上の複数のショット領域に対して露光を繰り返し行う。また、図6の例では、ロットに属するウエハの枚数を25枚、ウエハ上のショット領域の数を100としているが、これらの数に限られない。
ロットデータは、そのようなロットに属する複数のウエハに対して同じ処理条件を適用して露光を行ったときに収集されたデータ(以下、収集データとする。)の集まりである。ロットデータは階層的な構造となっており、ウエハの複数のショット領域に対して露光を行った時に収集された収集データが、ウエハ毎、又はショット領域毎に分類されて格納されている。また、図6の例では、同期精度データ、照度データがショット領域毎に、ステージ偏差データ、アライメント計測データがウエハ毎に分類されて格納されている。ここで、同期精度データとは、対象のショット領域を露光するためにレチクルステージ2とウエハステージ6を、例えばY軸方向において同期して駆動させる期間におけるレチクルステージ2とウエハステージ6との相対的な位置の誤差を示すデータである。また、同期精度データは、レチクルステージ2とウエハステージ6とが同期して駆動される期間において収集された、レチクルステージ2とウエハステージ6とに関する後述のステージ偏差データに基づき制御部16により求められる。同期精度データが大きくなると、重ね合わせ性能や像性能に影響が生じるので、同期精度データを監視することで露光装置204の異常を判定することができる。また、照度データとは、ショット領域が露光される期間においてショット領域に照射する光の強度を示す値である。照度データは、例えば、ショット領域を露光する期間において、照明光学系8内に配置され光の強度を計測する光量センサ(不図示)により計測された結果に基づき、制御部16により求められる。また、ステージ偏差データとは、ウエハが露光される期間においてレチクルステージ2、及びウエハステージ6の少なくとも一方の制御における、目標位置と計測位置との偏差を示す値である。ステージ偏差データは、レーザ干渉計9、レーザ干渉計10の計測結果に基づき、制御部16により求められる。また、アライメント計測データは、対象のウエハ4上に形成されたマークを撮像して得られたデジタル画像信号の波形データやデジタル画像信号の評価(波形データの対称性、デジタル画像信号のコントラスト)を示すデータを含み得る。アライメント計測データは、アライメントスコープ15の計測結果に基づき、制御部16により求められる。また、収集データは同期精度データ、照度データ、ステージ偏差データ、及びアライメント計測データに限られない。また、収集データは、例えば、時系列データであっても良いし、時系列データから求めた最大値、最小値、平均値、中央値、及び標準偏差のうち少なくとも1つの値を含んでも良い。また、収集データは、主成分分析により求められた主成分ベクトルを示す情報を含んでも良い。また、ロットデータは、露光装置204の制御部16により、露光装置204の各ユニット、機器等から収集され、通信装置307を介して診断装置300に出力する。ここで、制御部16は、1つのロットデータを診断装置300に出力しても良いし、複数のロットデータをまとめて診断装置300に出力しても良い。また、制御部16は、ロットデータを記憶装置304に記憶しておき、記憶装置304に記憶されたロットデータを出力しても良い。また、制御部16は、ロットデータと共に露光装置を特定する情報、ロットデータが収集されたときに適用された処理条件を特定する情報を出力しても良い。
ここで、図5の説明に戻る。ステップ502において、蓄積部402は、取得部401により取得されたロットデータを蓄積データ(第1情報)に蓄積して、診断装置300の記憶装置304に記憶する。また、蓄積部402は、取得部401から露光装置を特定する情報、処理条件を特定する情報を取得して、ロットデータを露光装置毎、処理条件毎に分類して蓄積する。つまり、蓄積部402は、取得部401により取得されたロットデータの露光装置、処理条件と同一の露光装置、処理条件のデータに、取得されたロットデータを蓄積する。
ここで、複数の露光装置204から取得されたロットデータが蓄積された蓄積データについて説明する。図7はロットデータが蓄積される蓄積データの一例を示した図である。蓄積データは階層的な構造となっており、複数の露光装置から取得されたロットデータが露光装置毎、処理条件毎に分類されて蓄積されている。また、ある露光装置において複数のロットに対して同じ処理条件で露光が行われた場合、同じ処理条件に対して複数のロットデータが蓄積されうる。また、蓄積データには、同じ処理条件に対して蓄積されている複数のロットデータに関する統計値を含む基準データ(第2情報)が蓄積される。また、図7の例では、露光装置の数を4、処理条件の数を10としているが、これらの数に限られない。
また、基準データの一例について説明する。図8は蓄積データに蓄積された基準データの一例を示した図である。基準データは、ロットデータに含まれる収集データ毎に、収集データの最大値、最小値、平均値、中央値、標準偏差、及び許容範囲を含み得る。ここで、許容範囲とは、収集データの異常を判定するためのものであり、収集データが許容範囲から外れた場合に異常と判定される。また、基準データは、最頻値、変動係数、分散などの他の統計値を含み得る。また、基準データに含まれるデータは、時系列データでも良い。また、基準データは、ロットデータと同様にウエハ毎、ショット領域毎にデータが構成されるようにしても良い。
ここで、図5の説明に戻る。ステップ503において、異常判定部403は、蓄積部402により蓄積されたロットデータと基準データとを用いて異常を判定する。ここで、ロットデータに含まれる複数のデータのうち同期精度データを用いて異常を判定する例について説明する。図9は同期精度データと許容範囲の一例を示した図である。図9は、処理条件1における同期精度データE(黒丸の印)、処理条件2における同期精度データE(黒三角の印)を表している。また、m、mはそれぞれ同期精度データE、同期精度データEの中央値である。例えば、処理条件1と処理条件2とでは露光条件に含まれる、ウエハ4上のショット領域のレイアウトが異なることにより、同期精度データに違いが生じる。例えば、処理条件1におけるレイアウトではショット領域の数を100、処理条件2におけるレイアウトではショット領域の数を50とする。その場合、ショット領域の大きさが異なるため露光を行う際に駆動されるレチクルステージ2及びウエハステージ6の経路、速度、加速度などが異なる。処理条件1を適用して露光する場合、レチクルステージ2及びウエハステージ6の加減速を繰り返す回数が多くなり、レチクルステージ2及びウエハステージ6の加減速を繰り返す間隔が短くなる。そのため、処理条件1を適用して露光する場合、レチクルステージ2及びウエハステージ6の偏差が大きくなる。前述の通り同期精度データはステージ偏差データから求められるので、同期精度データEの中央値mの方が同期精度データEの中央値mより大きくなる傾向がある。そのため、図9に示すように処理条件1と処理条件2とで、同期精度データに違いが生じる。また、中央値m、mは、それぞれ同一の露光装置、同一の処理条件における基準データに含まれる値である。また、蓄積データに蓄積された複数のロットデータが更新されると、中央値m、mは更新され得る。図9に示す同期精度データにおいて、同期精度データの許容範囲をr以上r以下と設定した場合、同期精度データE1−1、及びE2−1は異常と判定されるが、同期精度データE1−2、及びE2−2は正常と判定される。しかし、処理条件毎に同期精度データを見ると、同期精度データE1−2、E2−2は、それぞれ中央値m、mから大きく離れており、異常な同期精度データと判定するべきである。そこで、異常判定部403は、同期精度データEの許容範囲をr以上r以下、同期精度データEの許容範囲をr以上r以下と設定することにより、同期精度データE1−2、及びE2−2を異常と判定することができる。つまり、異常判定部403は、処理条件毎に許容範囲を定めることにより、適切に異常を判定することができる。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは予め定められても良い。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、中央値m、mに対する差分に基づき定められても良い。具体的には、r=m−a、r=m+b、r=m−c、r=m+d(a、b、c、dは予め定められた正値である。)と定められても良い。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、中央値m、mに対する比率に基づき定められても良い。具体的には、r=em、r=fm、r=gm、r=hm(e、f、g、hは予め定められた正値であり、e>1、1<f<0、g>1、1<h<0である。)と定められても良い。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、蓄積データに基づき演算により求められても良い。例えば、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、蓄積データのロットデータの中で正常と判断されたデータから算出された標準偏差に基づき定められても良い。具体的には、r=m−σ、r=m+σ、r=m−σ、r=m+σ(σ、σは標準偏差である。)としても良い。また、許容範囲を中央値m、mを基準として定めたが、最大値、最小値、平均値などの他の統計値を基準としても良い。また、基準データは、ロットデータが取得された露光装置と同一の露光装置、同一の処理条件の基準データとして説明したが、基準となる露光装置をロットデータが取得された露光装置と異なる露光装置、同一の処理条件としても良い。また、ここでは同期精度データについて説明したが、ロットデータに複数の収集データが含まれる場合には、収集データ毎に異常を判定する。
ここで、図5の説明に戻る。ステップ504において、ステップ503で行われた判定の結果、異常と判定された場合はステップ505に進み、異常と判定されなかった場合はステップ506に進む。ステップ505において、異常判定部403は、異常と判定されたロットデータが取得された露光装置204を特定する情報を診断装置300の記憶装置304に記憶する。また、異常判定部403は、露光装置204を特定する情報と共に、異常と判定されたロットデータの処理条件、異常と判定された収集データ(例えば、同期精度データ)等の関連するデータを診断装置300の記憶装置304に記憶する。
次に、ステップ506において、蓄積部402は、既に蓄積されている複数のロットデータと新たに蓄積したロットデータとに基づき基準データを更新する。例えば、更新するデータが統計値である場合には、既に蓄積されている複数のロットデータと新たに蓄積したロットデータとに基づき統計値を算出して基準データを更新する。また、異常を判定するべき収集データが複数ある場合には、ステップ501からステップ506までを収集データの数だけ繰り返し行う。
また、異常判定部403は、ステップ503において、複数の許容範囲を設定して、段階的なレベルに分類された異常を判定することもできる。図10は同期精度データと複数の許容範囲の一例を示した図である。図10では、処理条件1における同期精度データEに対して、許容範囲を定めるr31、r32、r41、及びr42を用いて、複数の許容範囲が設定されている。異常判定部403は、r32以上r41以下の許容範囲にある同期精度データE1n(黒丸の印)を正常と判定する。また、異常判定部403は、r32以上r32以下の許容範囲、及びr41以上r42以下の許容範囲にある同期精度データE1e(黒三角の印)を軽度の異常と判定する。また、異常判定部403は、r31以下の範囲、及びr42以上の範囲にある同期精度データE1e(バツの印)を重度の異常と判定する。これにより、異常判定部403は、段階的なレベルに分類された異常を判定することができる。例えば、許容範囲を定めるr31、r32、r41、及びr42は、図7の許容範囲を定める値と同様に予め定められていても良いし、演算により求めても良い。例えば、許容範囲を定めるr31、r32、r41、及びr42は、蓄積データのロットデータの中で正常と判断されたデータから算出された標準偏差に基づき定められても良い。例えば、r31=m−iσ、r32=m−jσ、r41=m+jσ、r42=m+iσ(σは標準偏差、i、jは正値であり、i>jである。)と定められても良い。
次に、診断装置300が異常と判定されたロットデータが取得された露光装置204を保全する保全方法を決定する方法について説明する。保全部404は、異常判定部403により異常と判定されたロットデータが取得された露光装置204を保全する保全方法を決定する。ここで、収集データにおいて判定された異常と保全方法の関係について説明する。図11は、判定された異常と保全方法の関係を示す図である。例えば、同期精度データにおいて判定された同期精度異常に対しては、フィルタ調整、制御パラメータ調整が保全方法として選択され得る。フィルタ調整は、ウエハステージ6またはレチクルステージ2の振動を低減するための保全方法であり、ウエハステージ6またはレチクルステージ2を制御するための指令値から、ある周波数成分の振動を除去するフィルタを調整する保全方法である。制御パラメータ調整は、制御部16においてウエハステージ6またはレチクルステージ2の駆動特性に関する制御パラメータを調整する保全方法である。
また、照度データにおいて判定された照度異常に対しては、スリット調整、光軸調整が保存方法として選択され得る。スリット調整は、ウエハ4上のショット領域に露光する際に露光光が均一に照射されるように照明光学系8に構成されるスリットを調整する保全方法である。光軸調整は、照明光学系8における光軸内及び光軸外のテレセントリックを調整する保全方法である。
また、アライメント計測データにおいて判定されたアライメント計測異常に対しては、サンプルショット探索、アライメント照明系最適化、テンプレート更新が保全方法として選択され得る。サンプルショット探索は、制御部16がウエハステージ6を駆動してアライメントスコープ15で観察することで指定されたウエハ4の代替位置における他のアライメントマークを探索して位置合わせする保全方法である。また、アライメント照明系最適化は、アライメントマークの検出精度を上げるようにアライメント照明系を調整する保全方法である。テンプレート更新は、テンプレートマッチングによりアライメントマークを検出する際に、相関度が向上するように制御部16がテンプレートを自動更新する保全方法である。
図12は、保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。ステップ1201において、保全部404は、異常と判定された収集データに対応する保全方法を履歴情報(第3情報)において検索する。ここで、履歴情報について説明する。図13は、履歴情報の一例を示す図である。履歴情報には、収集データに基づき判定された異常種別、異常と判定された収集データが収集された日時、異常と判定された収集データが収集された露光装置、及び、収集データが収集された時に適用されていた処理条件1が含まれ得る。また、履歴情報には、異常を解消するために実行された保全方法、及び、保全方法が実行されて異常が解消されたか否かの実行結果(成功、又は失敗)が含まれ得る。つまり、履歴情報には、過去に露光装置で発生した異常に対して実行された保全方法とその実行結果の情報が、露光装置、処理条件等の情報と共に記録されている。また、履歴情報は、ロットデータと同様に、診断装置300の取得部401により取得され、蓄積部402により蓄積される。
図12の説明に戻る。ステップ1201において、保全部404は、履歴情報の中から、同一の異常、同一の露光装置、及び同一の処理条件で、実行された保全方法のうち結果が成功となっているデータという検索条件で保全方法を検索する。例えば、図13に示すように、露光装置1において処理条件1が適用されて露光処理が行われている際に、同期精度異常が発生したとする。この場合、保全部404は、履歴情報の中から、異常が同期精度異常であり、露光装置が露光装置1であり、処理条件が処理条件1であり、保全方法を実行した実行結果が成功であるデータという検索条件で保全方法を検索する。図13の例では、一番上にあるデータが検索条件に合うデータとなり、保全方法としてフィルタ調整が検索される。ここで、検索条件に合うデータが複数ある場合には、時刻が新しいデータに含まれる保全方法を優先して検索条件に合う保全方法としても良いし、複数のデータにおいて成功している保全方法の数が多い保全方法を優先して検索条件に合う保全方法としても良い。また、ここでは、異常、露光装置、処理条件のすべてが同一のデータを検索条件として設定したが、異常、露光装置、及び処理条件のうち少なくとも1つのデータを検索条件として設定しても良い。
ステップ1202において、保全部404は、検索条件に合う保全方法が存在するかを判定する。検索条件に合う保全方法が存在すると判定された場合、ステップ1203に進む。ステップ1203において、保全部404は、異常と判定された収集データが収集された露光装置に対する保全方法を、検索された保全方法に決定する。また、ステップ1202において、検索条件にある保全方法が存在しないと判定された場合、ステップ1204に進む。
ステップ1204において、保全部404は、予め定められた異常と保全方法の関係を示す情報において、判定された異常に対応する保全方法を検索する。例えば、図11に示す関係が予め定められていた場合、同期精度異常に対応する保全方法として、フィルタ調整、及び制御パラメータ調整が検索される。複数の保全方法が検索された場合は、予め設定されたデフォルトの保全方法を選択すればよい。例えば、デフォルトの保全方法が制御パラメータ調整に設定されている場合は保全方法として制御パラメータ制御が選択される。また、履歴情報においてより多く実行されている保全方法を選択しても良い。例えば、図12の例では同期精度異常に対して最も多く実行された保全方法であるフィルタ調整が保全方法として選択される。ステップ1205において、保全部404は、検索条件に合う保全方法が存在するかを判定する。検索条件に合う保全方法が存在と判定された場合、ステップ1206に進む。ステップ1206において、保全部404は、異常と判定された収集データが収集された露光装置に対する保全方法を、検索された保全方法に決定する。また、ステップ1205において、検索条件にある保全方法が存在しない場合、処理を終了する。
出力部405は、保全部404により決定された保全方法を、異常が判定された収集データが収集されたリソグラフィ装置に対して、ステップ1203、又はステップ1206で決定された保全方法を実行させるための指令(コマンド)を出力する。該指令を受けたリソグラフィ装置は該指令に従って保全方法を実行する。また、ステップ1205で保全方法が存在しないと判定された場合は、出力部405は、異常が判定された収集データが収集されたリソグラフィ装置にエラーまたは警告を出力させるための指令を出力しても良い。また、ステップ1205で保全方法が存在しないと判定された場合は、出力部405は、異常が判定された収集データが収集されたリソグラフィ装置に手動で保全する手順を出力させるための指令を出力しても良い。
以上のように本実施例では、リソグラフィ装置に適用された処理条件毎に蓄積されたデータに基づき異常を判定することにより、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができる。また、判定された異常に対して、実行された保存方法とその実行結果の情報が含まれる履歴情報に基づき保全方法を決定することにより、異常を解消できる保全方法を実行することができる。
本実施例では、異常の要因分析を用いて保全方法を決定する例について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1に従い得る。
異常判定部403により判定された異常の要因分析について説明する。ここでは、検知された異常の一例として同期精度の異常について説明する。図14は異常と異常の要因との関係を示した図である。同期精度異常の要因は、まず、ウエハステージ6の要因とレチクルステージ2の要因とに分類される。ウエハステージ6の要因には、例えば、初期位置異常、発振、異物付着などがある。初期位置異常とは、各ショット領域について露光を開始する時のウエハステージ6の初期位置の誤差が許容範囲を超えていることである。また、発振とは、ウエハステージ6に振動が発生することである。また、異物付着とは、異物が基板、又はウエハチャック5に付着することである。レチクルステージ2の要因についても同様である。
次に、要因分析により特定された要因について保全する保全方法について説明する。図15は要因分析を用いて保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。ステップ1501において、保全部404は、異常と判定された収集データを取得する。ここでは、判定された異常が同期精度異常であり、取得する収集データをステージ偏差データとする。
ここで、露光装置204をスキャナとした場合におけるステージ偏差データについて説明する。図16は、ウエハステージ6の偏差の波形の一例を示した図である。図16のグラフでは、縦軸は偏差、横軸は時間を表している。また、図16のグラフは、ウエハ4上において複数のショット領域に露光処理が順次行われている期間の偏差の波形を示している。図16において、点線で区切った区間はショット領域を露光している期間(A)と露光していない期間(B)とを示している。期間Aにおいて走査露光が行われるので、ウエハステージ6は等速運動するように駆動される。また、期間Bにおいては次のショット領域に露光領域を移動させるためにウエハステージ6は加速度運動するように駆動される。図16(a)は、ウエハステージ6の制御が正常な場合のグラフであり、同期精度に異常が発生していない場合のグラフである。また、図16(b)は、初期位置異常が要因となり同期精度異常が発生している場合のグラフである。初期位置異常が要因となる場合、期間Aの開始時に大きな偏差が発生することが特徴である。また、図16(c)は、発振が要因となり同期精度異常が発生している場合のグラフである。発振が要因となる場合、全期間にわたり偏差の波形が大きな振幅で振動することが特徴である。また、図16(d)は、ウエハチャック5に異物が付着している場合のグラフであり、異物付着が要因となり同期精度異常が発生している場合のグラフである。基板が要因となる場合、偏差の波形が不規則に大きな変化が発生することが特徴である。このように、同期精度異常の要因により、ウエハステージ6の偏差の波形に特徴があり、診断装置300は、ウエハステージ6の偏差の波形の特徴から同期精度異常の要因を推定することができる。
ここで図15の説明に戻る。ステップ1502において、保全部404は、収集データを分析して、発生している異常の要因を推定する。異常の要因を推定する方法として、相関係数による要因推定、周波数解析による要因推定などの公知技術を用いることができる。また、収集された収集データの情報を用いて、決定木、ランダムフォレスト、サポートベクターマシン、ニューラルネットワークを用いても良い。ステップ1503において、保全部404は、異常の要因と保全方法との関係の情報(第4情報)において、推定した要因に対応した保全方法を検索する。
ここで、異常の要因と保全方法の関係について説明する。図17は、異常の要因と保全方法の関係を示した図である。ステップ1502において初期位置異常という要因が推定された場合、保全方法として制御パラメータ調整が対応する。また、発振という要因が推定された場合、保全方法としてフィルタ調整が対応する。また、異物付着という要因がすいてされた場合、保全方法としてチャッククリーニングが対応する。図17に示す異常の要因と保全方法の関係は一例であり、異常の要因と保全方法の関係は図17に示す例に限られない。
ここで図15の説明に戻る。ステップ1504において、保全部404は、推定した要因に対応した保全方法が存在するか判定する。保全方法が存在している場合は、ステップ1505に進み、保全方法が存在していない場合は処理を終了する。ステップ1505において、保全部404は、異常と判定された収集データが収集された露光装置に対する保全方法を、検索された保全方法に決定する。
また、ここではウエハステージ6について説明したが、レチクルステージ2についても同様に保全方法を決定することができる。また、本実施例における保全方法の決定方法は、実施例1における保全方法の決定方法に代えて実施することもできるし、実施例1における保全方法の決定方法を組み合わせて実施することもできる。その場合、2つの決定方法で決定された保全方法に優先順位を付けて保全方法を決定するようにしても良いし、複数の保全方法を露光装置204に出力して、露光装置204において選択させるようにしても良い。
以上により、リソグラフィ装置の異常の要因を推定して保全方法を決定することにより、異常を解消できる保全方法を決定することができる。
次に、本実施例に係るリソグラフィシステムについて説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1及び実施例2に従い得る。
本実施例に係るリソグラフィシステムは、複数の診断装置と集中管理装置が構成されている。図18は、複数の診断装置と集中管理装置が構成されたリソグラフィシステムの一例を示している。本実施例のリソグラフィシステム101は、リソグラフィ装置210乃至217と、リソグラフィ装置の異常を判定してリソグラフィ装置を保全するための保全方法を決定する第1診断装置310、及び第2診断装置311と、集中管理装置312とを有する。また、リソグラフィ装置210乃至213は第1診断装置310に接続され、リソグラフィ装置214乃至217は第2診断装置311に接続される。第1診断装置310、及び第2診断装置311は、集中管理装置312に接続される。また、図18においては、リソグラフィ装置210乃至207が構成されているが、リソグラフィ装置の数は8に限定されるものではない。また、図18においては、第1診断装置310、及び第2診断装置311が構成されているが、診断装置の数は2に限定されるものではない。
第1診断装置310、第2診断装置311、及び集中管理装置312は、実施例1で説明した情報処理装置である。集中管理装置312は、第1診断装置310、及び第2診断装置311を介して、リソグラフィ装置210乃至217のロットデータを取得して、蓄積データとして記憶装置304に記憶する。また、集中管理装置312は、同様に、履歴情報を取得して記憶装置304に記憶する。集中管理装置312は、蓄積データ、履歴情報に基づいて、基準データ、収集データの許容範囲を定めるデータ、異常と保全方法の対応を示すデータ、異常の要因と保全方法の対応を示すデータなどを取得する。集中管理装置312は、取得した基準データなどの情報を第1診断装置310、及び第2診断装置311に出力する。第1診断装置310、及び第2診断装置311は、集中管理装置312から取得した基準データなどの情報に基づき、リソグラフィ装置の異常の判定、保全方法の決定を行う。第1診断装置310、及び第2診断装置311のそれぞれは、他の診断装置に接続しているリソグラフィ装置から取得したロットデータ、履歴情報などに基づき取得された基準データなどの情報を利用することができる。
集中管理装置312は、基準データなどの情報を定期的に第1診断装置310、及び第2診断装置311に出力しても良いし、第1診断装置310、及び第2診断装置311からの要求に応じて出力しても良い。
以上により、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができ、異常を解消できる保全方法を実行することができる。
(物品の製造方法)
本実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス(半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など)などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する(パターンを基板に形成する)工程と、露光された基板を現像する(基板を処理する)工程を含む。また、かかる製造方法は、インプリント装置を用いて、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、型の形状が転写された組成物を形成する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。リソグラフィ装置の一例として、露光装置について説明したが、これらに限定されるものではない。
リソグラフィ装置の一例として、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、型の形状が転写された組成物を形成するインプリント装置などの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置の一例として、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置などの装置であっても良い。また、感光媒体を基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、前述のようなインプリント装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含みうる。
また、実施例1乃至実施例3は、単独で実施するだけでなく、実施例1乃至実施例3の組合せで実施することができる。

Claims (16)

  1. パターンを形成するリソグラフィ装置において複数の処理条件が適用されてリソグラフィ処理が行われた状態で収集された複数の収集データを処理条件毎に取得する取得手段と、
    前記処理条件毎に取得された収集データが、前記処理条件毎に求められた許容範囲に収まっているか否かを判定し、前記収集データに異常が発生していることを判定する判定手段と、
    を有することを特徴とする情報処理装置。
  2. 前記判定手段により前記収集データが前記許容範囲に収まっていないと判定された場合、前記異常の種別と、前記収集データが収集された際に行われたリソグラフィ処理に適用された処理条件と、前記リソグラフィ装置を保全するために実行された保全方法と、前記保全方法に対応した実行結果とに基づいて保全方法を決定する決定手段と、
    を有することを特徴とする、請求項1に記載の情報処理装置。
  3. 前記判定手段により前記収集データが前記許容範囲に収まっていないと判定された場合、前記収集データに発生している異常の要因と、前記異常の要因に対応する、前記リソグラフィ装置を保全するために実行される保全方法とに基づいて前記保全方法を決定する決定手段と、
    を有することを特徴とする、請求項1に記載の情報処理装置。
  4. 前記許容範囲は、前記処理条件毎に取得された収集データに基づいて求められることを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  5. 前記収集データは、前記リソグラフィ装置に備えられる複数のステージの相対的な位置の誤差を示す同期精度データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  6. 前記収集データは、前記リソグラフィ装置に備えられる光学系により照射される光の照度を示す照度データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  7. 前記収集データは、前記リソグラフィ装置に備えられるステージの制御における、目標位置と計測位置との偏差を示すステージ偏差データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  8. 前記収集データは、前記パターンを形成する基板のマークを撮像して得られる画像信号に関するアライメント計測データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  9. 前記許容範囲は、前記収集データに関する平均値及び標準偏差、または前記収集データに関する中央値及び標準偏差に基づき定められることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  10. 前記許容範囲は、前記収集データに関する平均値からの差分、前記収集データに関する中央値からの差分、前記平均値に対する比率、及び前記中央値に対する比率のいずれかに基づき定められることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  11. 前記許容範囲は、複数の許容範囲を含み、段階的なレベルに分類された異常が判定されることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  12. 前記処理条件は、搬送条件、位置決め条件、計測条件、露光条件、セットアップ条件の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載の情報処理装置。
  13. パターンを形成するリソグラフィ装置において複数の処理条件が適用されてリソグラフィ処理が行われた状態で収集された複数の収集データを処理条件毎に取得する取得工程と、
    前記処理条件毎に取得された収集データが、前記処理条件毎に求められた許容範囲に収まっているか否かを判定し、前記収集データに異常が発生していることを判定する判定工程と、
    を有することを特徴とする判定方法。
  14. パターンを形成するリソグラフィ装置において複数の処理条件が適用されてリソグラフィ処理が行われた状態で収集された複数の収集データを処理条件毎に取得する取得工程と、
    前記処理条件毎に取得された収集データが、前記処理条件毎に求められた許容範囲に収まっているか否かを判定し、前記収集データに異常が発生していることを判定する判定する判定工程と、を有する判定方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
  15. 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の情報処理装置と、
    基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置と、を有し
    前記情報処理装置は、前記リソグラフィ装置において行われたリソグラフィ処理が行われている状態で収集された収集データに異常が発生していることを判定することを特徴とするリソグラフィシステム。
  16. 請求項15に記載のリソグラフィシステムを用いて、基板上にパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
    前記処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
JP2018113942A 2018-06-14 2018-06-14 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法 Active JP6808684B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018113942A JP6808684B2 (ja) 2018-06-14 2018-06-14 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法
TW108118179A TWI758608B (zh) 2018-06-14 2019-05-27 資訊處理設備、判斷方法、程式、微影系統及製造物的方法
KR1020190065220A KR102516180B1 (ko) 2018-06-14 2019-06-03 정보 처리 장치, 판정 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법
US16/436,658 US11347153B2 (en) 2018-06-14 2019-06-10 Error detection and correction in lithography processing
EP19179437.9A EP3582011B1 (en) 2018-06-14 2019-06-11 Information processing apparatus, method, program, lithography system, and manufacturing method of article
CN201910514039.8A CN110609450B (zh) 2018-06-14 2019-06-14 信息处理装置、判断方法、程序、光刻系统和制造方法
KR1020230039862A KR102620767B1 (ko) 2018-06-14 2023-03-27 정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018113942A JP6808684B2 (ja) 2018-06-14 2018-06-14 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020203784A Division JP7267986B2 (ja) 2020-12-08 2020-12-08 情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019215501A true JP2019215501A (ja) 2019-12-19
JP2019215501A5 JP2019215501A5 (ja) 2020-07-27
JP6808684B2 JP6808684B2 (ja) 2021-01-06

Family

ID=66821086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018113942A Active JP6808684B2 (ja) 2018-06-14 2018-06-14 情報処理装置、判定方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11347153B2 (ja)
EP (1) EP3582011B1 (ja)
JP (1) JP6808684B2 (ja)
KR (2) KR102516180B1 (ja)
CN (1) CN110609450B (ja)
TW (1) TWI758608B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7246256B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送システム
JP7309639B2 (ja) * 2020-03-13 2023-07-18 キオクシア株式会社 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法
JP2021174349A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 キヤノン株式会社 情報処理装置、表示制御方法、プログラム、基板処理システム、及び物品の製造方法
CN113703289B (zh) * 2021-09-07 2022-06-03 深圳市龙图光电有限公司 光刻机参数状态检测方法、装置、设备及其存储介质

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244187A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp 保守システム、保守方法、露光装置及び記憶媒体
JPWO2002061514A1 (ja) * 2001-01-30 2004-06-03 株式会社ニコン 診断装置、情報収集装置、診断システム及び遠隔保全システム
US20050122496A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 Peter Wang Method of exposure error adjustment in photolithography for multiple products
KR20060131505A (ko) * 2005-06-16 2006-12-20 삼성전자주식회사 노광 설비의 모니터링 시스템 및 이를 구비한 제어 시스템
JPWO2005106932A1 (ja) * 2004-04-28 2008-03-21 株式会社ニコン 解析方法、露光装置及び露光装置システム
US20120004758A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Globalfoundries Inc. Method and System for Excursion Monitoring in Optical Lithography Processes in Micro Device Fabrication
JP2012138388A (ja) * 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp 異常検知装置、方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラム
US20170330775A1 (en) * 2016-05-16 2017-11-16 Fanuc Corporation Manufacturing cell and manufacturing cell management system

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09304913A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Hitachi Ltd リソグラフィ用マスクおよびその製造方法ならびにそのマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JP2001136727A (ja) 1999-11-11 2001-05-18 Canon Inc 多相コイル型リニアモータ、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001338870A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 走査露光装置及び方法、管理装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
TW573234B (en) * 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
JP2002311561A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Sony Corp パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク
JP4158384B2 (ja) * 2001-07-19 2008-10-01 株式会社日立製作所 半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム
US6909930B2 (en) * 2001-07-19 2005-06-21 Hitachi, Ltd. Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process
JP2003197509A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Nikon Corp 異常検出方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI252516B (en) * 2002-03-12 2006-04-01 Toshiba Corp Determination method of process parameter and method for determining at least one of process parameter and design rule
SG125926A1 (en) * 2002-11-01 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Inspection method and device manufacturing method
JP2004157475A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Toshiba Corp 集積回路のパターン設計方法、露光マスクの作成方法、露光マスク、および集積回路装置の製造方法
JP2004241697A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Renesas Technology Corp 半導体ウェハの製造管理装置
US7266800B2 (en) * 2004-06-04 2007-09-04 Invarium, Inc. Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006059625A1 (ja) 2004-11-30 2006-06-08 Nikon Corporation デバイス処理システム、情報表示方法、プログラム、及び記録媒体
JP2006173373A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Renesas Technology Corp 半導体製品の製造システム
JP4787673B2 (ja) * 2005-05-19 2011-10-05 株式会社Ngr パターン検査装置および方法
US7853920B2 (en) * 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
JP4744980B2 (ja) * 2005-08-25 2011-08-10 株式会社東芝 パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法
JP4947483B2 (ja) 2006-01-16 2012-06-06 株式会社ニコン デバイス製造処理方法、デバイス製造処理システム、プログラム及び記憶媒体
WO2007086511A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Nikon Corporation 処理条件決定方法及び装置、表示方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体
JP4851253B2 (ja) * 2006-07-05 2012-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置、及び描画装置におけるエラー検出方法
US7710572B2 (en) * 2006-11-30 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2010087459A (ja) 2008-09-08 2010-04-15 Toshiba Corp 故障原因特定装置および方法
DE102008054072B4 (de) * 2008-10-31 2017-06-08 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Selbstkorrigierendes Substrathaltesystem für die Fokussteuerung in Belichtungssystemen, Belichtungssystem und Verfahren zum Belichten eines Substrats
JP2011054804A (ja) 2009-09-02 2011-03-17 Toshiba Corp 半導体製造装置の管理方法およびシステム
NL2005414A (en) * 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and patterning device.
CN103097956B (zh) 2010-02-26 2016-01-27 密克罗尼克麦达塔公司 用于执行图案对准的方法和装置
WO2012016744A1 (en) * 2010-08-05 2012-02-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
TWI438818B (zh) * 2011-02-22 2014-05-21 Univ Nat Taiwan 電子束微影方法、電子束微影伺服控制方法及系統
US8855400B2 (en) 2012-03-08 2014-10-07 Kla-Tencor Corporation Detection of thin lines for selective sensitivity during reticle inspection using processed images
JP2014093474A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Canon Inc 露光装置の復旧方法、および露光装置
JP6294131B2 (ja) * 2014-04-08 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥レビュー装置、欠陥レビュー方法
US10747830B2 (en) * 2014-11-21 2020-08-18 Mesh Labs Inc. Method and system for displaying electronic information

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244187A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp 保守システム、保守方法、露光装置及び記憶媒体
JPWO2002061514A1 (ja) * 2001-01-30 2004-06-03 株式会社ニコン 診断装置、情報収集装置、診断システム及び遠隔保全システム
US20050122496A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 Peter Wang Method of exposure error adjustment in photolithography for multiple products
JPWO2005106932A1 (ja) * 2004-04-28 2008-03-21 株式会社ニコン 解析方法、露光装置及び露光装置システム
US20080215295A1 (en) * 2004-04-28 2008-09-04 Nikon Corporation Method Of Analysis, Exposure Apparatus, And Exposure Apparatus System
KR20060131505A (ko) * 2005-06-16 2006-12-20 삼성전자주식회사 노광 설비의 모니터링 시스템 및 이를 구비한 제어 시스템
US20120004758A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Globalfoundries Inc. Method and System for Excursion Monitoring in Optical Lithography Processes in Micro Device Fabrication
JP2012138388A (ja) * 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp 異常検知装置、方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラム
US20170330775A1 (en) * 2016-05-16 2017-11-16 Fanuc Corporation Manufacturing cell and manufacturing cell management system
JP2017207822A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 ファナック株式会社 加工セル及び加工セル管理システム

Also Published As

Publication number Publication date
EP3582011A1 (en) 2019-12-18
CN110609450A (zh) 2019-12-24
TWI758608B (zh) 2022-03-21
TW202002121A (zh) 2020-01-01
US11347153B2 (en) 2022-05-31
KR102620767B1 (ko) 2024-01-02
EP3582011B1 (en) 2023-11-29
CN110609450B (zh) 2022-08-02
KR20190141583A (ko) 2019-12-24
US20190384182A1 (en) 2019-12-19
KR102516180B1 (ko) 2023-03-31
KR20230047981A (ko) 2023-04-10
JP6808684B2 (ja) 2021-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110088687B (zh) 用于图像分析的方法和设备
US11347153B2 (en) Error detection and correction in lithography processing
US7728953B2 (en) Exposure method, exposure system, and substrate processing apparatus
CN110168446B (zh) 光刻过程和设备以及检测过程和设备
US7518717B2 (en) Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same
US8203695B2 (en) Photolithography systems and associated methods of focus correction
TWI828316B (zh) 用於監測微影製造程序的方法及相關非暫時性電腦程式產品
JP7267986B2 (ja) 情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法
JP6763966B2 (ja) 欠陥検出のための画像処理畳み込みアルゴリズム
JP6440498B2 (ja) リソグラフィシステム、リソグラフィ方法、および物品の製造方法
JP2001085321A (ja) 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
CN112309909B (zh) 判断装置、基板处理装置以及物品的制造方法
JP2021006893A (ja) パターン形成方法、パターン形成装置及び物品の製造方法
JP2021174349A (ja) 情報処理装置、表示制御方法、プログラム、基板処理システム、及び物品の製造方法
TWI836116B (zh) 判斷裝置,基板處理裝置及物品的製造方法
JP2021173915A (ja) 情報処理装置、及び情報処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200610

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200610

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200610

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200812

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201209

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6808684

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151