KR102573120B1 - 노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스테이지에 의해 보유지지된 원판을 스캐닝하면서, 원판을 통해 기판을 노광하는 노광 방법이며, 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록, 스테이지를 스캔-구동하는 제1 단계; 및 제1 단계 후에 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록, 기판을 노광하면서 스테이지를 스캔-구동하는 제2 단계를 포함하고, 제1 가속도는 제2 가속도보다 낮은, 노광 방법을 제공한다.

Description

노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스, 디스플레이(FPD) 등의 제조 단계(리소그래피 단계)에서 사용되는 장치의 하나의 유형으로서, 원판과 기판을 상대적으로 스캔-구동하면서 기판을 노광(스캔 및 노광)하고, 원판의 패턴을 기판 상으로 전사하는 노광 장치가 알려져 있다. 이러한 노광 장치에서는, 예를 들어 원판(또는 기판)을 스테이지에 보유지지시킨 직후에는 원판과 스테이지 사이의 보유지지 상태가 불완전하기 때문에, 스테이지를 구동했을 때 원판에 작용하는 관성력에 의해, 스테이지에 대하여 원판이 위치 변동(미끄러짐)을 일으킬 수 있다. 일본 특허 공개 제2015-231035호 공보에는, 원판(레티클)과 스테이지 사이의 보유지지 상태를 향상시켜서 원판을 스테이지 상으로 정착시키기 위해서, 기판의 스캐닝 노광 전에, 해당 스캐닝 노광시와 같은 최대 가속도에서 스테이지의 예비 구동을 실행하는 기술이 개시되어 있다.
노광 장치에서는, 스테이지를 구동함으로써 원판이 정착되는 스테이지 상의 위치와, 원판을 배치해야 할 스테이지 상의 목표 위치 사이의 오차가 작은 것이 바람직하다.
본 발명은, 예를 들어 원판을 스테이지 상으로 정착시킬 때 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 스테이지에 의해 보유지지된 원판을 스캐닝하면서, 원판을 통해 기판을 노광하는 노광 방법이며, 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록, 스테이지를 스캔-구동하는 제1 단계; 및 제1 단계 후에 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록, 기판을 노광하면서 스테이지를 스캔-구동하는 제2 단계를 포함하고, 제1 가속도는 제2 가속도보다 낮은, 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 노광 장치(100)의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 위에서 본 원판을 보유지지하는 원판 스테이지를 도시하는 도면.
도 3은 스캔-구동 횟수와 원판의 위치 변동 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 4는 원판의 위치 변동을 저감하는 원리를 설명하기 위한 도면.
도 5는 제1 실시예에 따른 원판 스테이지의 스캔-구동의 예를 도시하는 타이밍 챠트.
도 6은 하나의 구동 단계에서의 원판 스테이지의 동작을 도시하는 타이밍 챠트.
도 7은 원판 스테이지의 제1 스캔-구동에 있어서의 최대 가속도와 원판의 위치 변동 사이의 관계를 도시하는 그래프.
도 8은 원판 스테이지의 제1 스캔-구동에 있어서의 원판의 위치 변동을, 최대 가속도를 변경하면서 실험한 결과를 도시하는 도면.
도 9는 제1 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차를 도시하는 흐름도.
도 10은 제2 실시예에 따른 원판 스테이지의 스캔-구동의 예의 타이밍 챠트.
도 11은 제2 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차를 도시하는 흐름도.
도 12는 제3 실시예에 따른 원판 스테이지의 스캔-구동의 예를 도시하는 타이밍 챠트.
도 13은 제3 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차를 도시하는 흐름도.
본 발명의 예시적인 실시예에 대해서 첨부 도면을 참조하여 이하 설명할 것이다. 도면 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내며, 이에 대한 반복되는 설명은 생략할 것이라는 점에 유의하기로 한다.
<제1 실시예>
본 발명에 따른 제1 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명할 것이다. 도 1은 본 실시예의 노광 장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 도 1에 도시된 노광 장치(100)는, 투영 광학계(2)와 기판(W) 사이에 액체를 개재시키지 않고 기판(W)(웨이퍼)을 노광하는 노광 장치와, 투영 광학계(2)와 기판(W) 사이에 액체를 개재시켜서 기판(W)을 노광하는 액침 노광 장치 중 하나일 수 있다. 회로 패턴이 상부에 형성된 원판(M)(레티클 또는 마스크)을 사용하여 반도체 디바이스의 회로 패턴을 기판 상으로 전사하는 노광 장치가 이하 설명될 것이다.
도 1에 도시된 노광 장치(100)는 원판(M) 및 기판(W)을 상대적으로 스캐닝-구동하면서 기판(W)을 노광하는, 소위 스캔-앤드-리피트 방식의 노광 장치(스캐닝 노광 장치)이다. 노광 장치(100)는 조명 광학계(1)와, 투영 광학계(2)와, 원판(M)을 보유지지하면서 이동할 수 있는 원판 스테이지(3)와, 기판(W)을 보유지지하면서 이동할 수 있는 기판 스테이지(4)와, 제어 유닛(C)을 포함할 수 있다. 제어 유닛(C)은, 예를 들어 CPU, 메모리(저장 유닛)를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성되어, 노광 장치(100)의 각각의 유닛을 제어한다. 도 1에 도시된 XYZ 직교 좌표계는, X 방향 및 Y 방향에서 규정되는 면이 기판(W)의 면에 대하여 평행하고, Z 방향이 기판(W)의 면에 대하여 수직하도록 정의될 수 있다.
조명 광학계(1)는 광원(5)로부터 사출된 광을, 예를 들어 밴드형 또는 아치형 광으로 정형하고, 정형된 광으로 원판(M)의 일부를 조명한다. 광원(5)으로서는 248 nm 파장을 갖는 광을 사출하는 KrF 엑시머 레이저가 사용될 수 있지만, 수은 램프, ArF 엑시머 레이저(193 nm 파장), EUV 광원 등이 사용될 수 있다. 투영 광학계(2)는 사전결정된 투영 배율을 갖고, 조명 광학계(1)에 의해 조명된 원판(M)의 일부의 패턴을 기판 상에 투영(결상)한다.
원판 스테이지(3)는, 예를 들어 진공 흡착이나 정전 흡착 등에 의해 원판(M)을 보유지지하는 원판 척(3a)과, 원판 척(3a)과 함께 원판(M)을 X 및 Y 방향으로 구동하는 원판 구동 유닛(3b)과, 상부에 원판 스테이지(3)의 기준 위치를 나타내는 마크가 형성된 기준 플레이트(3c)를 포함한다. 기판 스테이지(4)는, 예를 들어 진공 흡착이나 정전 흡착 등에 의해 기판(W)을 보유지지하는 기판 척(4a)과, 기판 척(4a)과 함께 기판(W)을 X 및 Y 방향으로 구동하는 기판 구동 유닛(4b)과, 상부에 기판 스테이지(4)의 기준 위치를 나타내는 마크가 형성된 기준 플레이트(4c)를 포함한다. 원판 스테이지(3) 및 기판 스테이지(4)는, 원판(M)과 기판(W)이 투영 광학계(2)를 통해 거의 광학적으로 공액인 위치(투영 광학계(2)의 물체면 및 상면)에 위치되도록 배치된다.
원판 스테이지(3) 및 기판 스테이지(4)의 위치는 계측 유닛(10, 12)에 의해 각각 계측된다. 계측 유닛(10)은, 예를 들어 레이저 간섭계를 포함하고, 바 미러(11)에 레이저 광을 사출하면서, 원판 스테이지(3)에 제공된 바 미러(11)에 의해 반사된 레이저 광에 기초하여 원판 스테이지(3)의 위치를 계측할 수 있다. 마찬가지로, 계측 유닛(12)은, 예를 들어 레이저 간섭계를 포함하고, 바 미러(13)에 레이저 광을 사출하면서, 기판 스테이지(4)에 제공된 바 미러(13)에 의해 반사된 레이저 광에 기초하여 기판 스테이지(4)의 위치를 계측할 수 있다.
제어 유닛(C)은, 기판(W)의 스캐닝 노광 중에, 각각의 계측 유닛(10, 12)에 의해 계측된 원판 스테이지(3) 및 기판 스테이지(4)의 위치 정보에 기초하여 원판 스테이지(3)과 기판 스테이지(4)를 서로 동기시키면서 투영 광학계(2)의 투영 배율에 따른 속도비로 상대적으로 스캔-구동한다. 이는 원판(M)의 패턴을 기판 상으로 (보다 구체적으로는, 레지스트를 기판 상에) 전사할 수 있다.
노광 장치(100)는 원판 위치 검출 유닛(14)(원판 얼라인먼트 검출 유닛)과, 기판 위치 검출 유닛(15)(기판 얼라인먼트 검출 유닛)과, 면 위치 검출 유닛(16)을 더 포함할 수 있다. 원판 위치 검출 유닛(14)은 제어 유닛(C)에 의해 원판 스테이지(3)의 위치를 제어함으로써 원판 위치 검출 유닛(14) 위에 배치된 원판(M)의 마크와 원판 스테이지(3)의 마크를 검출하는 얼라인먼트 스코프를 포함하고, 마크 사이의 상대 위치를 구한다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 원판 스테이지(3)(원판 척(3a))에는 X 방향으로 이격된 복수의 마크(18)가 제공되고, 원판 위치 검출 유닛(14)은 원판(M)의 각각의 마크(17)와 원판 스테이지(3)의 각각의 마크(18)를 검출한다. 이에 의해, 원판 위치 검출 유닛(14)은, 원판 스테이지(3)에 대한 원판(M)의 위치 편차(X,Y, 및 θ 방향)를 구할 수 있다.
기판 위치 검출 유닛(15)은, 기판(W)에 있어서의 복수의 샷 영역 중, 샘플 샷 영역에 제공된 복수의 마크를 검출하는 얼라인먼트 스코프를 포함하고, 검출 결과에 대한 통계 처리를 수행함으로써, 기판(W)에 있어서의 복수의 샷 영역의 배열 정보를 구한다. 면 위치 검출 유닛(16)은, 기판(W)의 표면 상에 광을 투광하는 투광기(16a)와, 기판(W)의 표면에 의해 반사된 광을 수광하는 수광기(16b)를 포함하고, 기판(W)의 표면의 높이(Z 방향의 위치)를 검출한다. 도 1을 참조하면, 원판 위치 검출 유닛(14) 및 기판 위치 검출 유닛(15)은 각각, 투영 광학계(2)를 개재하지 않고 각각의 마크를 검출하는 오프 액시스 검출 유닛으로서 구성되어 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 투영 광학계(2)를 개재하여 각각의 마크를 검출하는 TTL(Through The Lens) 검출 유닛으로서 구성될 수 있다.
노광 장치(100)에서는, 원판 반송 유닛(도시되지 않음)에 의해 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치(원판(M)이 배치되어야 할 위치)에 원판(M)을 배치하고, 원판 스테이지(3)에 원판(M)을 보유지지하고, 이에 의해 기판(W)의 스캐닝 노광을 개시한다. 그러나, 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지가 개시된 직후에는, 원판 스테이지(3)과 원판(M) 사이의 보유지지 상태가 불완전하다. 따라서, 이 상태에서 원판 스테이지(3)를 구동하면, 원판(M)에 작용하는 관성력에 의해, 원판 스테이지(3) 상에서 원판(M)이 위치 변동(미끄러짐)할 수 있다. 즉, 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치와 원판(M) 사이의 상대 위치가, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동으로 인해 변동될 수 있다. 이러한 원판(M)의 위치 변동은, 도 3에 도시된 바와 같이, 원판(M)의 보유지지가 개시된 후의 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동에서 가장 쉽게 일어나고, 또한 커지기 쉽다. 한편, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 반복하면, 원판(M)의 보유지지 상태가 향상되어 원판 스테이지(3)에 원판(M)을 정착하고, 따라서 위치 변동을 저감한다.
도 4는 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 반복함으로써 원판(M)의 위치 변동을 저감하는 원리를 설명하기 위한 도면이다. 도 4에서, 41은 원판 스테이지(3)와 원판(M) 사이의 경계 부분의 확대도를 도시하고, 42 및 43은 각각 도 4의 41의 미소 영역의 확대도를 도시한다. 또한, 도 4의 42는 원판 스테이지(3)를 스캔-구동 할 때의 최대 가속도가 낮은 경우를 도시하고, 도 4의 43은 원판 스테이지(3)를 스캔-구동 할 때의 최대 가속도가 높은 경우를 도시한다.
도 4의 41 내지 43에 있어서, 좌측 도면(보유지지 개시 직후)은 각각 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치에 원판(M)이 배치되어서 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지가 개시된 직후의 상태를 도시한다. 이 상태에서는, 원판(M)이 변형되고 왜곡된 채 원판(M)이 원판 스테이지(3)에 공급되어 원판 스테이지(3)에 의해 보유지지되기 때문에, 소위 척 왜곡(진공 왜곡 또는 흡착 왜곡)이 발생하고, 원판(M)과 원판 스테이지(3)가 서로 접촉하고 있지 않는 다수의 영역(간극)이 미시적으로 존재할 수 있다. 즉, 이 상태는 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지가 불안정한 상태다. 한편, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 한번만 실행하면, 도 4의 41 내지 43에 있어서의 중심 도면(제1 구동 후)에 도시된 바와 같이, 관성력이 원판(M)에 작용해서 척 왜곡을 크게 저감하고, 이에 의해 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지 상태를 개선시킬 수 있다. 이때, 도 4의 42에 도시된 저가속시에 비하여, 도 4의 43에 도시된 고가속시의 관성력이 크기 때문에, 위치 변동이 커지기 쉽다. 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 더 실행하면, 도 4의 41 내지 43에 있어서의 우측 도면(복수회 구동 후)에 도시된 바와 같이, 원판 스테이지(3)에 원판(M)을 정착시키고, 이에 의해 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지 상태를 더 개선시킬 수 있다.
이러한 방식으로 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 반복함으로써, 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지를 개선시켜, 원판 스테이지(3) 상으로 원판(M)을 정착시킬 수 있다. 따라서, 노광 장치는, 일반적으로, 기판(W)을 노광하지 않고 원판 스테이지(3)를 스캔-구동해서 원판(M)을 원판 스테이지(3) 상으로 정착시키기 위한 "예비 스캔-구동"을 실행한다. "예비 스캔-구동"은, 예를 들어 기판(W)의 스캐닝 노광시와 동일한 원판 스테이지(3)의 이동 스트로크(이동 범위)에서, 원판 스테이지(3)를 정지시키지 않고 구동하는 것으로 정의될 수 있다. 또한, "예비 스캔-구동"은, 원판 스테이지(3)의 가속도 이외의 조건을 기판(W)의 스캐닝 노광시와 동일하게 하여 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행하는 것으로 정의될 수 있다.
예비 스캔-구동에 의해 원판 스테이지(3) 상으로 정착된 원판(M)의 위치와 원판 스테이지(3)의 목표 위치 사이의 오차(이하, 때때로 "위치 편차"라고 칭함)는, 예를 들어 기판(W)의 스캐닝 노광 중에 있어서의 원판(M)과 기판(W) 사이의 상대 위치를 제어함으로써 보정될 수 있다. 그러나, 위치 편차는 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 원판 위치 검출 유닛(14) 위에 원판(M)의 마크를 배치할 때, 제어 유닛(C)은, 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치에 원판(M)이 배치되어 있다고 가정하여 얻어진 설계 정보에 기초하여 원판 스테이지(3)를 구동한다. 그러나, 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지력에 대하여 가속도가 사전결정된 값 이상이 되면, 위치 편차는 급격하게 증가된다. 따라서, 위치 편차가 너무 크면, 원판 위치 검출 유닛(14)의 검출 필드 내에 원판(M)의 마크가 있지 않고, 원판(M)의 위치 결정이 어려워진다. 이 경우, 원판(M)의 마크를 탐색하는데 시간이 걸리고, 이는 스루풋의 관점에서 불리할 수 있다.
이에 대처하기 위해, 본 실시예에 따른 노광 장치(100)는, 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)를 스캔-구동하는 제1 단계, 및 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록, 기판(W)을 노광하면서 원판 스테이지(3)를 스캔-구동하는 제2 단계를 수행한다. 이때, 제1 단계에서 적용되는 제1 가속도를, 제2 단계에서 적용되는 제2 가속도보다 낮게 한다. 이에 의해, 원판 스테이지(3) 상의 원판(M)의 정착 위치와 목표 위치 사이의 오차(위치 편차)를 저감할 수 있다. 제2 가속도는, 기판(W)의 스캐닝 노광을 실행하기 위해서 사전 설정된 레시피에 있어서의 원판 스테이지(3)의 최대 가속도이고, 예를 들어 1개의 샷 영역의 스캐닝 노광에 요하는 시간이 원하는 값 이하로 되도록 설정된 원판 스테이지(3)의 최대 가속도일 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 원판 스테이지(3) 상의 원판(M)의 위치 변동은, 원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지가 개시된 후에 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동에서 커지기 쉽다. 따라서, 제1 단계에서는, 원판(M)의 보유지지가 개시된 후의 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동을 포함하는 것이 바람직하다. 이하의 설명에서 "원판 스테이지(3)의 스캔-구동"은, 기판(W)의 스캐닝 노광시와 동일한 이동 스트로크에서 일 방향으로 원판 스테이지(3)를 구동하는 것으로 정의된다는 점에 유의하기로 한다.
도 5는 본 실시예에 따른 노광 장치(100)에 있어서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동의 예를 도시하는 타이밍 챠트이다. 도 5에서는, 횡축은 시간을 나타내고, 종축은 원판 스테이지(3)의 가속도를 나타내고 있다. 도 5에 도시된 구동 단계(A 내지 G)의 각각은, 기판(W)의 스캐닝 노광시와 동일한 이동 스트로크에서의 원판 스테이지(3)의 왕복 구동을 포함하고 있다. 보다 구체적으로는, 1개의 구동 단계는, 도 6에 도시된 바와 같이, 사전결정된 방향(예를 들어, +Y 방향)으로의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(20)과, 사전결정된 방향의 반대 방향(예를 들어, -Y 방향)으로의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(21)을 포함한다. 사전결정된 방향으로의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(20)은, 가속 동작(D1)과 감속 동작(D2)을 포함하고, 반대 방향으로의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(21)은 가속 동작(D3)과 감속 동작(D4)을 포함한다. 각각의 가속 동작(각각의 감속 동작)에 대해서, 일정한 가속 기간(22)(일정한 감속 기간)을 제공하는 것이, 원판(M)의 위치 변동의 재현성 관점에서 바람직하다.
도 5에 도시된 예에서는, 원판(M)의 보유지지가 개시된 후에, 최대 가속도가 제1 가속도(a1)가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행하는 구동 단계(A, B)가 수행된다. 구동 단계(A, B) 후에, 최대 가속도가 제2 가속도(a2)가 되도록 원판 스테이지의 스캔-구동을 실행하는 구동 단계(C 내지 G)가 수행된다. 상술한 바와 같이, 제1 가속도(a1)는, 제2 가속도(a2)보다 낮은 값으로 설정된다.
도 5에 도시된 예에서는, 기판(W)의 스캐닝 노광을 개시하는 타이밍이 화살표(23a 내지 23d)로 표시되어 있다. 예를 들어, 화살표(23a)로 표시된 바와 같이, 구동 단계(E)로부터 기판의 스캐닝 노광을 개시할 경우, 제1 가속도(a1)가 적용되는 구동 단계(A, B) 및 제2 가속도(a2)가 적용되는 구동 단계(C, D)는 예비 스캔-구동에 대응된다. 또한, 화살표(23b)로 표시된 바와 같이, 구동 단계(C)로부터 기판(W)의 스캐닝 노광을 개시할 경우, 제1 가속도(a1)가 적용되는 구동 단계(A, B)는 예비 스캔-구동에 대응된다. 마찬가지로, 화살표(23c)로 표시된 바와 같이, 구동 단계(B)로부터 기판(W)의 스캐닝 노광을 개시할 경우, 제1 가속도(a1)가 적용되는 구동 단계(A)는 예비 스캔-구동에 대응된다. 화살표(23d)로 표시된 바와 같이, 원판(M)의 보유지지가 개시된 후의 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동을 실행하는 구동 단계(A)로부터 기판(W)의 스캐닝 노광을 개시할 수 있다. 이 경우, 예비 스캔-구동이 실행되지 않지만, 구동 단계(A)에서는 제1 가속도(a1)가 적용된다. 따라서, 제2 가속도(a2)가 적용된 경우와 비교하여, 원판 스테이지(3) 상에서의 원판(M)의 위치 변동(미끄러짐)이 작고, 기판 상으로의 패턴의 전사 정밀도에의 영향은 작다.
다음에, 제1 가속도의 설정 방법이 설명될 것이다. 제1 가속도는, 예를 들어 원판(M)의 보유지지가 개시된 후에 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동에 있어서의 최대 가속도와 원판(M)의 위치 변동 사이의 관계를 나타내는 정보에 기초하여, 제어 유닛(C)에 의해 설정될 수 있다. 도 7은 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동에 있어서의 최대 가속도와 원판(M)의 위치 변동 사이의 관계(실선)를 도시하는 도면이다. 이러한 관계는 실험, 시뮬레이션 등에 의해 취득될 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 정보에 기초하여, 원판 스테이지(3) 상에서의 원판(M)의 위치 변동을 허용 범위(AR) 내에 있도록 하는 최대 가속도의 범위 내에서 제1 가속도가 결정되는 것이 바람직하다. 허용 범위(AR)는 원판 스테이지(3) 또는 노광 장치 자체의 구성에 기초하여 임의로 설정될 수 있고, 유저 인터페이스를 통해 유저에 의해 입력될 수 있다. 허용 범위(AR)는, 예를 들어 원판 위치 검출 유닛(14)의 검출 필드의 치수(예를 들어, 반경)로 설정될 수 있다.
제1 가속도가 너무 낮으면, 척 왜곡을 저감하는 효과가 불충분하다. 제1 가속도가 너무 높으면, 원판(M)의 위치 변동이 커질 수 있다. 원판(M)의 위치 변동의 재현성을 고려해서 제1 가속도를 결정하는 것이 바람직하다. 도 8은 원판 스테이지(3)의 제1 스캔-구동에 있어서의 원판(M)의 위치 변동을, 최대 가속도를 변경하면서 실험한 결과를 도시한다. 도 8은, 다른 원판 M1 및 M2의 각각에 대해서, 제1 가속도의 후보가 될 수 있는 3개의 가속도 A 내지 C의 각각에서의 원판(M)의 위치 변동을 도시한다. 각각의 데이터는 원판 스테이지(3) 상에 원판을 배치하고 원판 스테이지(3)를 스캔-구동하는 각각의 단계를 수행함으로써 얻어진다. 예로서, 가속도 A는 제2 가속도의 80%(제2 가속도보다 -1G 낮은 값)로 설정되고, 가속도 B는 제2 가속도의 60%(제2 가속도보다 -2G 낮은 값)로 설정되고, 가속도 C는 제2 가속도의 40%(제2 가속도보다 -3G 낮은 값)로 설정된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 가속도 A에서는, 원판 M1 및 M2 양자 모두에 대하여, 각각의 데이터 1 내지 4에 있어서 원판(M)의 위치 변동이 허용 값을 크게 초과하고 있는 것이 이해된다. 가속도 B에서는, 원판 M1의 위치 변동은 가속도 A에서와 거의 동일하고, 허용 값을 크게 초과하고 있고, 원판 M2의 위치 변동은, 가속도 A에 비해, 저감되지만 허용 값을 초과하고 있다. 가속도 B의 원판 M2에 대해서는, 데이터 1 내지 5에 있어서의 위치 변동의 변동이 크게 변하고, 재현성이 떨어진다. 한편, 가속도 C에서는, 원판 M1 및 M2 양자 모두에 대해서, 각각의 데이터 1 내지 5에 있어서 원판(M)의 위치 변동이 허용 값 이하로 되어 있고, 재현성이 양호하다. 따라서, 도 8에 도시된 실험 결과에 기초하여, 제1 가속도로서 가속도 C를 설정하는 것이 바람직하다. 제1 가속도에서의 원판 스테이지의 스캔-구동(제1 단계)을 실행하는 횟수가 너무 많으면, 이는 스루풋의 관점에서 불리하다. 한편, 횟수가 너무 적으면, 척 왜곡을 허용 범위 내로 저감할 수 없다. 제1 단계의 횟수는, 실험 결과에 기초하여, 예를 들어 4회 내지 10회로 설정하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 따른 노광 장치(100)의 제어 절차에 대해 다음에 설명될 것이다. 도 9는 본 실시예에 따른 노광 장치(100)의 제어 절차를 도시하는 흐름도이다. 도 9에 도시된 제어 절차의 각각의 단계는 제어 유닛(C)에 의해 수행될 수 있다. 예비 스캔-구동으로서, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동과, 제2 가속도에서의 원판 스테이지의 스캔-구동을 실행하는 예에 대해 도 9에 도시된 제어 절차를 참조하여 설명될 것이다.
단계(S11)에서, 제어 유닛(C)은 원판 반송 유닛(도시되지 않음)이 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치로 원판(M)을 반송하게 한다. 단계(S12)에서, 제어 유닛(C)은 기판 반송 유닛(도시되지 않음)이 기판 스테이지(4) 상으로 기판(W)을 반송하게 한다. 단계(S13)에서, 제어 유닛(C)은, 예비 스캔-구동으로서, 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)를 스캔-구동한다(제1 단계). 단계(S14)에서, 제어 유닛(C)은, 예비 스캔-구동으로서, 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)를 스캔-구동한다(제3 단계). 본 실시예에서는, 단계(S14)에 있어서 제2 가속도가 적용된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 제1 가속도보다 높고 제2 가속도보다 낮은 제3 가속도가 적용될 수 있다.
단계(S15)에서, 제어 유닛(C)은 원판 위치 검출 유닛(14)이 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치에 대한 원판(M)의 위치 편차(오차)를 계측하게 한다. 보다 구체적으로는, 원판(M)의 마크 및 원판 스테이지(3)의 마크가 원판 위치 검출 유닛(14) 위에 배치되도록 제어 유닛(C)이 원판 스테이지(3)를 제어하고, 원판 위치 검출 유닛(14)이 마크들 사이의 상대 위치를 검출할 수 있게 하여, 위치 편차를 계측할 수 있다.
단계(S16)에서, 제어 유닛(C)은, 원판 스테이지(3) 상으로 원판(M)이 정착되는지 여부, 즉 원판 스테이지(3) 상에서의 원판(M)의 위치 변동이 허용 범위 내에 있는지(수렴되는지) 여부를 판정한다. 예를 들어, 제어 유닛(C)은 금회의 단계(S15)에서 계측된 원판(M)의 위치 편차와 전회의 단계(S15)에서 계측된 원판(M)의 위치 편차 사이의 차이를 구한다. 그 차이가 허용 범위 내에 있는 경우에는, 제어 유닛(C)은 원판 스테이지(3) 상으로 원판(M)이 정착되었다고 판정한다. 원판(M)이 정착되지 않았다고 판정한 경우에는, 프로세스가 예비 스캔-구동의 조건을 변경하도록 단계(S17)로 진행하고, 이어서 단계(S14 내지 S16)가 다시 수행된다. 한편, 원판(M)이 정착되었다고 판정한 경우에는, 프로세스가 단계(S18)로 진행한다. 단계(S18)에서, 제어 유닛(C)은 기판(W) 내의 복수의 샷 영역의 각각에 대해 스캐닝 노광을 개시한다. 각각의 샷 영역의 스캐닝 노광에서는, 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 실행된다(제2 단계).
도 9에 도시된 제어 절차의 구체예에 대해서 설명될 것이다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 원판(M)의 위치 편차가 계측 타이밍(24)에서 계측되고, 원판 스테이지(3)의 왕복 구동(2회의 스캔-구동 동작)이 실행되고, 이어서 원판(M)의 위치 편차가 계측 타이밍(25)에서 계측된다. 계측 타이밍(24, 25)에서 계측된 위치 편차 사이의 차이를 구하고, 그 차이가 허용 범위 내에 있는지 여부를 판정한다. 그 차이가 허용 범위 밖에 있는 경우에는, 원판 스테이지(3) 상으로 원판(M)이 정착되지 않았다고 판정하고, 예비 스캔-구동의 조건은 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 다시 실행하도록 변경되고, 이에 의해 계측 타이밍(26)에서 원판(M)의 위치 편차를 계측한다. 계측 타이밍(25, 26)에서 계측된 위치 편차의 차이가 허용 범위 내에 있는 경우에는, 원판 스테이지(3) 상으로 원판(M)이 정착되었다고 판정하고, 기판(W)의 스캐닝 노광을 개시한다. 예비 스캔-구동의 조건의 예는, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동 횟수 및 원판 스테이지(3)의 최대 가속도이다. 도 5에 도시된 예에서는, 예비 스캔-구동이 조건으로서, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동 횟수가 왕복 구동을 위한 2회로부터 편도 구동을 위한 1회로 변경된다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 노광 장치(100)는, 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록, 원판 스테이지(3)를 스캔-구동하는 제1 단계와, 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록, 기판(W)을 노광하면서 원판 스테이지(3)를 스캔-구동하는 제2 단계를 수행한다. 이때, 제1 단계에서 적용되는 제1 가속도를, 제2 단계에서 적용되는 제2 가속도보다 낮게 한다. 이에 의해, 원판 스테이지(3) 상에 있어서의 원판(M)의 정착 위치와 목표 위치 사이의 오차(위치 편차)를 저감할 수 있다.
<제2 실시예>
본 발명에 따른 제2 실시예에 대해 설명될 것이다. 제2 실시예에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 원판 스테이지(3)(원판 척(3a))에 의한 원판(M)의 보유지지력을 검출하는 검출 유닛(6)이 제공되고, 검출 유닛(6)에 의한 원판(M)의 보유지지력의 검출 결과에 따라서 제1 단계(제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동)가 종료된다. 원판(M)의 보유지지력은, 예를 들어 진공 척 압력 또는 정전 척 압력이다. 본 실시예에 따른 노광 장치의 구성은, 제1 실시예와 동일하여 그 설명은 생략할 것이라는 점에 유의하기로 한다.
본 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차에 대해서 도 10 및 도 11을 참조하여 설명될 것이다. 도 10은 검출 유닛(6)에 의해 검출된 원판(M)의 보유지지력의 시간 변화 및 원판 스테이지(3)의 스캔-구동의 예의 타이밍 챠트를 도시한다. 도 11은 본 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차를 도시하는 흐름도이다. 도 11에 도시된 제어 절차의 각각의 단계는 제어 유닛(C)에 의해 수행될 수 있다.
단계(S21)에서, 제어 유닛(C)은 원판 반송 유닛(도시되지 않음)이 원판 스테이지(3) 상의 목표 위치로 원판(M)을 반송하게 한다. 단계(S22)에서, 제어 유닛(C)은 기판 반송 유닛(도시되지 않음)이 기판 스테이지(4) 상으로 기판(W)을 반송하게 한다. 단계(S23)에서, 제어 유닛(C)은 검출 유닛(6)에 의해 검출된 원판(M)의 보유지지력이 제1 역치(TH1)를 초과하였는지 여부를 판정한다. 원판(M)의 보유 지지력이 제1 역치(TH1)를 초과하지 않은 경우에는, 단계(S23)가 반복적으로 수행되고, 그렇지 않은 경우에는, 프로세스가 단계(S24)로 진행한다. 단계(S24)에서, 제어 유닛(C)은 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(제1 단계)을 실행한다.
원판 스테이지(3)에 의한 원판(M)의 보유지지력이 거의 발생되지 않는 불충분한 상태에서는, 비교적 낮은 제1 가속도가 원판 스테이지(3)의 스캔-구동에 적용되더라도, 원판 스테이지(3) 상에서의 원판(M)의 위치 변동(미끄러짐)이 커질 수 있다. 이에 대처하기 위해, 본 실시예에서는, 제1 역치(TH1)가 제공되고, 원판(M)의 보유지지력이 제1 역치(TH1)를 초과했을 때, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(제1 단계)을 개시한다. 원판(M)의 보유지지력은 원판(M)의 보유지지 개시 직후에 급격한 기울기로 변화하지만, 기울기는 사전결정된 값에서 완만해진다. 제1 역치(TH1)는 임의로 설정될 수 있지만, 이러한 기울기의 변화점으로 설정되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 역치(TH1)는, 원판(M)의 보유지지력이 정상 상태일 때 얻어진 값의 40% 내지 60%의 범위 내에 있는 값으로 설정될 수 있다.
단계(S25)에서, 제어 유닛(C)은, 검출 유닛(6)에 의해 검출된 원판(M)의 보유지지력이, 제1 역치(TH1)보다 큰 제2 역치(TH2)를 초과하였는지 여부를 판정한다. 원판(M)의 보유지지력이 제2 역치(TH2)를 초과하지 않는 경우에는, 프로세스는 단계(S24)로 복귀하고, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 다시 실행한다. 한편, 원판(M)의 보유지지력이 제2 역치(TH2)를 초과한 경우에는, 프로세스는 단계(S26)로 진행하고, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 종료하고, 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한다. 제2 역치(TH2)는 임의로 설정될 수 있지만, 예를 들어 원판(M)의 보유지지력이 정상 상태일 때 얻어진 값의 80% 내지 95%의 범위 내에 있는 값으로 설정될 수 있다.
단계(S27)에서, 제어 유닛(C)은 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 사전결정된 횟수로 실행되었는지 여부를 판정한다. 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 사전결정된 횟수로 실행되지 않은 경우에는, 프로세스는 단계(S26)로 복귀하고, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 다시 실행한다. 한편, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 사전결정된 횟수로 실행된 경우에는, 프로세스는 단계(S28)로 진행한다. 단계(S28)에서, 제어 유닛(C)은 기판(W) 내의 복수의 샷 영역의 각각에 대해 스캐닝 노광을 개시한다. 각각의 샷 영역의 스캐닝 노광에서는, 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 실행된다(제2 단계).
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 원판 스테이지(3)에 의한 원판 M의 보유지지력에 따라, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동에 있어서의 최대 가속도가 변경된다. 이에 의해, 원판(M)의 보유지지력에 따른 최대 가속도에서 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행할 수 있고, 따라서 원판 스테이지(3) 상에서의 원판(M)의 위치 변동이 과도하게 발생하는 것을 방지할 수 있다. 본 실시예에서는, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동에 있어서의 최대 가속도를 변경하기 위한 2개의 역치가 설정된다. 그러나, 3개 이상의 역치가 제공될 수 있고, 최대 가속도가 단계적으로 변경될 수 있다. 원판(M)의 보유지지력에 따라서 최대 가속도를 연속적으로 변경할 수 있다.
<제3 실시예>
본 발명에 따른 제3 실시예에 대해 설명될 것이다. 제3 실시예에서는, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동 횟수를 카운트하고, 카운트된 횟수에 따라서 제1 단계(제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동)를 종료한다. 본 실시예에 따른 노광 장치의 구성은, 제1 실시예와 동일하여 그 설명은 생략할 것이라는 점에 유의하기로 한다.
본 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차에 대해서 도 12 및 도 13을 참조하여 설명될 것이다. 도 12는 원판 스테이지(3)의 스캔-구동의 예를 도시하는 타이밍 챠트이다. 도 13은 본 실시예에 따른 노광 장치의 제어 절차를 도시하는 흐름도이다. 도 13에 도시된 제어 절차의 각각의 단계는 제어 유닛(C)에 의해 수행될 수 있다. 단계(S31 내지 S32)는 제2 실시예에서 설명된 도 11에 도시된 제어 절차의 단계(S21 내지 S22)와 동일하다는 점에 유의하기로 한다.
단계(S33)에서, 제어 유닛(C)은 최대 가속도가 제1 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(제1 단계)을 실행함과 함께, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 횟수를 카운트한다. 단계(S34)에서, 제어 유닛(C)은 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 횟수가 사전결정된 횟수 N에 도달했는지 여부를 판정한다. 사전결정된 횟수 N은, 예를 들어 실험 결과, 시뮬레이션 등에 기초하여, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동에 의해 야기된 원판(M)의 위치 변동이 허용 범위 내에 있는 횟수로 설정될 수 있다. 사전결정된 횟수 N에 도달하지 않은 경우에는, 프로세스는 단계(S34)로 복귀하고, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 다시 실행하고, 그렇지 않은 경우에는, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 종료되고, 프로세스는 단계(S35)로 진행한다.
단계(S35)에서, 제어 유닛(C)은 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행함과 함께, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 횟수를 카운트한다. 단계(S36)에서, 제어 유닛(C)은 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 횟수가 사전결정된 횟수 M에 도달했는지 여부를 판정한다. 사전결정된 횟수 M은, 예를 들어 실험 결과, 시뮬레이션 등에 기초하여, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동에 의해 야기된 원판(M)의 위치 변동이 허용 범위 내에 있는 횟수로 설정될 수 있다. 사전결정된 횟수 M에 도달하지 않은 경우에는, 프로세스는 단계(S35)로 복귀하고, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 다시 실행하고, 그렇지 않은 경우에는, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 종료되고, 프로세스는 단계(S37)로 진행한다. 단계(S37)에서, 제어 유닛(C)은 기판(W) 내의 복수의 샷 영역의 각각에 대해 스캐닝 노광을 개시한다. 각각의 샷 영역의 스캐닝 노광에서는, 최대 가속도가 제2 가속도가 되도록 원판 스테이지(3)의 스캔-구동이 실행된다(제2 단계).
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 횟수에 따라서 원판 스테이지(3)의 스캔-구동에 있어서의 최대 가속도가 변경된다. 이러한 제어 가공에 있어서도, 원판 스테이지(3) 상에서의 원판(M)의 위치 변동이 과도하게 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에서는, 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 횟수에 따라서 최대 가속도가 변경된다. 그러나, 예를 들어 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 시간에 따라서 최대 가속도가 변경될 수 있다. 보다 구체적으로는, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 시간이 계측된다. 그 시간이 제1 역치에 도달한 경우에, 제1 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동(제1 단계)을 종료하고, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 개시한다. 이어서, 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 실행한 시간이 계측된다. 그 시간이 제2 역치에 도달한 경우에 제2 가속도에서의 원판 스테이지(3)의 스캔-구동을 종료하고, 기판의 스캐닝 노광을 개시한다.
<물품의 제조 방법의 실시예>
본 발명의 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스와 같은 마이크로디바이스 또는 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 상술한 노광 장치를 사용해서 기판에 도포된 감광제에 잠상 패턴을 형성하는 단계(기판을 노광하는 단계)와, 상기 단계에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상(가공)하는 단계를 포함한다. 또한, 이 제조 방법은, 다른 주지의 단계(산화, 성막(deposition), 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
(다른 실시형태들)
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 기억 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 기억 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 기억 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 기억 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 기억 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (17)

  1. 스테이지에 의해 보유지지된 원판을 스캐닝하면서, 상기 원판을 통해 기판을 노광하는 노광 방법이며,
    최대 가속도가 제1 가속도이도록, 상기 기판을 노광하지 않고 상기 스테이지를 스캔-구동하는 제1 단계;
    상기 제1 단계 후에 상기 최대 가속도를 제2 가속도로, 상기 기판을 노광하지 않고 상기 스테이지를 스캔-구동하는 제2 단계; 및
    상기 제2 단계 후에 상기 기판을 노광하면서 상기 스테이지를 스캔-구동하는 제3 단계를 포함하고,
    상기 제1 가속도는 상기 제2 가속도보다 낮으며,
    상기 제1 단계 및 상기 제2 단계 각각에서의 각 스테이지의 스캔-구동은 가속 동작, 감속 동작을 포함하며, 상기 가속 동작은 상기 스테이지의 가속도가 일정한 일정 가속 기간을 포함하고, 상기 감속 동작은 상기 스테이지의 감속도가 일정한 일정 감속 기간을 포함하며,
    상기 제1 단계에서 상기 스테이지를 스캔-구동하는 횟수는 4회 이상 1O회 이하 범위 내인, 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단계는, 상기 스테이지에 의한 상기 원판의 보유지지가 개시된 후의 상기 스테이지의 제1 스캔-구동을 포함하는, 노광 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가속도 및 상기 제2 가속도는 상기 제3 단계에서 상기 스테이지를 스캔-구동하는 데에 적용되는 최대 가속도보다 낮은, 노광 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 단계 전에, 상기 스테이지의 스캔-구동에 의해 야기된 상기 스테이지 상에 있어서의 상기 원판의 위치 변동이 허용 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 원판의 위치 변동이 상기 허용 범위 내에 있는 것으로 판정된 경우에, 상기 제3 단계를 개시하는, 노광 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 원판의 위치 변동이 상기 허용 범위 밖에 있는 것으로 판정된 경우에, 상기 최대 가속도를 변경하고, 상기 기판을 노광하지 않고 상기 스테이지를 스캔-구동하는, 노광 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지에 의한 상기 원판의 보유지지력의 검출 결과에 따라서 상기 제1 단계를 종료하는, 노광 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 스테이지에 의한 상기 원판의 보유지지가 개시된 후, 상기 원판의 보유 지지력의 검출 결과가 제1 역치를 초과한 경우에 상기 제1 단계를 개시하고,
    상기 원판의 보유지지력의 검출 결과가, 상기 제1 역치보다 큰 제2 역치를 초과한 경우에 상기 제1 단계를 종료하는, 노광 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 스테이지의 스캔-구동을 실행한 횟수에 따라서 상기 제1 단계를 종료하는, 노광 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단계를 실행한 시간에 따라서 상기 제1 단계를 종료하는, 노광 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단계에서는, 상기 제3 단계와 동일한 이동 스트로크로 상기 스테이지를 스캔-구동하는, 노광 방법.
  11. 원판을 스캐닝하면서, 상기 원판을 통해 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    상기 원판을 보유지지하면서 이동 가능하도록 구성되는 스테이지; 및
    최대 가속도가 제1 가속도이도록 상기 기판을 노광하지 않고 상기 스테이지를 스캔-구동하는 제1 단계를 제어하고, 최대 가속도를 제2 가속도로, 상기 기판을 노광하지 않고 상기 스테이지를 스캔-구동하는 제2 단계를 제어하고, 그 후 상기 기판을 노광하면서 상기 스테이지를 스캔-구동하는 제3 단계를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제1 가속도는 상기 제2 가속도보다 낮으며,
    상기 제1 단계 및 상기 제2 단계 각각에서의 각 스테이지를 스캔-구동하는 것은 가속 동작, 감속 동작을 포함하며, 상기 가속 동작은 상기 스테이지의 가속도가 일정한 일정 가속 기간을 포함하고, 상기 감속 동작은 상기 스테이지의 감속도가 일정한 일정 감속 기간을 포함하고,
    상기 제1 단계에서 상기 스테이지를 스캔-구동하는 횟수는 4회 이상 1O회 이하 범위 내인, 노광 장치.
  12. 물품의 제조 방법이며,
    제1항 내지 제10항중 어느 한 항에 따른 노광 방법을 사용하여 기판을 노광하는 단계;
    노광된 상기 기판을 현상하는 단계; 및
    상기 물품을 제조하도록, 현상된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하는, 물품의 제조 방법.
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