JP5406510B2 - 走査露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。走査露光装置EX1は、照明系ILと、原版ステージ駆動機構11と、投影光学系7と、基板ステージ駆動機構12と、測定部13、14と、制御部15とを備えている。照明系ILは、例えば、光源1と、前段照明光学系3と、開口絞り4と、後段照明光学系5とを含む。原版ステージ駆動機構11は、原版6を保持した原版ステージ9を駆動する。投影光学系7は、原版6のパターンの像を基板ステージ10によって保持された基板8に投影する。
ey=fy(x,y,A)
ez=fz(x,y,A)
eyaw=fx(x,y,A)
epitch=fx(x,y,A)
・・・(1)式
x方向における加速度も考慮すべき場合には、(1)式に代えて(2)式を用いればよい。なお、x”=d2x/dt2、y”=d2y/dt2である。
ey=fy(x,y,x”,y”)
ez=fz(x,y,x”,y”)
eyaw=fx(x,y,x”,y”)
epitch=fx(x,y,x”,y”)
・・・(2)式
更に、原版ステージ9の変形によって生じる基板8に転写される像の歪みも考慮して測定誤差ex、ey、ez、eyaw、epitchを修正してもよい。制御部15は、基板ステージ10の位置(x、y)および加速度Aに基づいて決定される当該修正された測定誤差ex、ey、ez、eyaw、epitchを補正値として基板ステージ10の位置、回転および傾きを制御することができる。これによって、原版ステージ9の速度変化による原版ステージ9の変形および基板ステージ10の速度変化による基板ステージ10の変形に起因する基板8に転写される像の歪みを補正することができる。
図6は、本発明の第2実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。なお、この実施形態として言及しない事項については、第1実施形態に従いうる。
ここで、中心座標(xc,yc)と基板ステージ10の位置(x、y)との間には、(4)式に示す関係がある。なお、α、βは定数である。
よって、(3)式は、基板ステージ10の位置(x、y)および加速度Aの関数であると考えることができる。なお、基板ステージの位置(x、y)に対する補正値の敏感度が許容値よりも小さい場合には、補正値を加速度Aのみの関数として与えてもよい。
図7は、本発明の第3実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。なお、この実施形態として言及しない事項については、第1または第2実施形態に従いうる。本発明の第3実施形態の露光装置EX3は、ミラープロジェクション方式の走査露光装置である。前述のような像の歪みの補正は、ミラープロジェクション方式の走査露光装置にも適用することができる。
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の走査露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。
3 前段照明光学系
4 開口絞り
5 後段照明光学系
6 原版
7 投影光学系
8 基板
9 原版ステージ
10 基板ステージ
11 原版ステージ駆動機構
12 基板ステージ駆動機構
13、14 測定部
15 制御部
52 照明光学系
53 原版
54 原版ステージ
55 ミラー光学系
56 基板
57 基板ステージ
Claims (10)
- 原版を保持する原版ステージと、基板を保持する基板ステージと、原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを有し、前記原版ステージおよび前記基板ステージの速度が一定速度に制御されている期間のほか前記原版ステージおよび前記基板ステージの速度が変化している期間においても基板を走査露光する走査露光装置であって、
前記原版ステージの速度変化による前記原版ステージの変形および前記基板ステージの速度変化による前記基板ステージの変形の少なくとも1つに起因して基板に転写される像に生じる歪みが補正されるように、前記基板ステージの現在位置における加速度によって定まる補正値に従って走査露光を制御する制御部を備えることを特徴とする走査露光装置。 - 前記制御部は、前記投影光学系によって基板に投影される像の歪みを前記補正値に従って光学的に制御することによって基板に形成される像を補正する、
ことを特徴とする請求項1に記載の走査露光装置。 - 前記制御部は、前記投影光学系に含まれる光学素子を駆動することによって基板に投影される像の歪みを光学的に制御する、
ことを特徴とする請求項2に記載の走査露光装置。 - 前記制御部は、原版を照明する光の波長を制御することによって基板に投影される像の歪みを光学的に制御する、
ことを特徴とする請求項2に記載の走査露光装置。 - 前記補正値は、前記基板ステージの加速度のほか、前記基板ステージの位置によって定まる、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の走査露光装置。 - 前記制御部は、前記基板ステージの目標位置を前記補正値に従って修正することによって基板に転写される像の歪みを補正する、
ことを特徴とする請求項1に記載の走査露光装置。 - 前記補正値は、前記基板ステージの加速度のほか、前記基板ステージの位置によって定まる、
ことを特徴とする請求項6に記載の走査露光装置。 - 前記制御部は、前記基板ステージの現在位置における加速度の検出結果に基づいて前記補正値を決定する、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の走査露光装置。 - 前記走査露光装置は、前記基板ステージの現在位置を測定する測定部を更に備え、
前記制御部は、前記測定部によって測定された前記基板ステージの現在位置に基づいて前記基板ステージの現在位置における加速度を求める2階微分器を含み、前記2階微分器の出力に基づいて前記補正値を決定する、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の走査露光装置。 - デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項1乃至9いずれか1項に記載の走査露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008294905A JP5406510B2 (ja) | 2008-11-18 | 2008-11-18 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
US12/620,376 US8400611B2 (en) | 2008-11-18 | 2009-11-17 | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008294905A JP5406510B2 (ja) | 2008-11-18 | 2008-11-18 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010123694A JP2010123694A (ja) | 2010-06-03 |
JP5406510B2 true JP5406510B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=42171785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008294905A Active JP5406510B2 (ja) | 2008-11-18 | 2008-11-18 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8400611B2 (ja) |
JP (1) | JP5406510B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102641407B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2024-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 묘화 장치 |
JP7105627B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、および物品の製造方法 |
JP7017129B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7560988B2 (ja) | 2020-10-09 | 2024-10-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3348476B2 (ja) * | 1993-08-09 | 2002-11-20 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 2003-02-10 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH09180989A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 露光装置および露光方法 |
JP3514401B2 (ja) | 1996-01-16 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置および方法ならびに半導体デバイスの製造方法 |
US6335784B2 (en) * | 1996-01-16 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
JPH1145846A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
JP2003031646A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2004079671A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び光学特性測定装置、光学系の調整方法、並びに露光装置 |
JP2004343075A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | 投影システム及びその使用方法 |
US7016013B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Modulated lithographic beam to reduce sensitivity to fluctuating scanning speed |
JP2006066688A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Nikon Corp | 固定装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2007173323A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Nikon Corp | 光学特性測定装置、露光装置、光学特性測定方法及びデバイスの製造方法 |
JP2008108906A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Canon Inc | 位置決め装置 |
JP5013941B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US8279401B2 (en) * | 2008-04-25 | 2012-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Position control system, a lithographic apparatus and a method for controlling a position of a movable object |
-
2008
- 2008-11-18 JP JP2008294905A patent/JP5406510B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-17 US US12/620,376 patent/US8400611B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100123891A1 (en) | 2010-05-20 |
US8400611B2 (en) | 2013-03-19 |
JP2010123694A (ja) | 2010-06-03 |
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