JP2830003B2 - 投影露光装置及び投影露光方法 - Google Patents
投影露光装置及び投影露光方法Info
- Publication number
- JP2830003B2 JP2830003B2 JP1017491A JP1749189A JP2830003B2 JP 2830003 B2 JP2830003 B2 JP 2830003B2 JP 1017491 A JP1017491 A JP 1017491A JP 1749189 A JP1749189 A JP 1749189A JP 2830003 B2 JP2830003 B2 JP 2830003B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- height
- projection
- optical axis
- exposure
- Prior art date
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば半導体集積回路の製造等に用いられ
る投影露光装置および投影露光方法に関するものであ
り、特に焦点合せ手段の改良に関するものである。
る投影露光装置および投影露光方法に関するものであ
り、特に焦点合せ手段の改良に関するものである。
［従来の技術］ 近年の集積回路の高集積化に伴って、半導体集積回路
の製造に用いられる投影露光装置も、高解像力の縮小投
影レンズを備え、ウエハ上の複数の露光領域にレチクル
に形成されたパターンの像を順次縮小投影するいわゆる
ステッパーが主流となっている。
の製造に用いられる投影露光装置も、高解像力の縮小投
影レンズを備え、ウエハ上の複数の露光領域にレチクル
に形成されたパターンの像を順次縮小投影するいわゆる
ステッパーが主流となっている。
かかる投影露光装置は、焦点合せのための手段とし
て、投影レンズ直下にある露光領域の光軸中心における
表面の高さを検出するＺセンサとウエハを上下移動させ
るＺステージを備え、第３図に示される如くＺセンサに
よる高さの検出点Ｐ′が投影レンズの結像面（図では点
線で示す）上に位置するようにウエハの光軸方向の位置
決めを行なっていた。
て、投影レンズ直下にある露光領域の光軸中心における
表面の高さを検出するＺセンサとウエハを上下移動させ
るＺステージを備え、第３図に示される如くＺセンサに
よる高さの検出点Ｐ′が投影レンズの結像面（図では点
線で示す）上に位置するようにウエハの光軸方向の位置
決めを行なっていた。
また、投影レンズ直下の露光領域の投影レンズの光軸
に対する平均的な傾斜を検出し、露光領域表面と結像面
がほぼ平行になるようにウエハの傾きを調節する傾斜調
節手段を有する装置もあった。
に対する平均的な傾斜を検出し、露光領域表面と結像面
がほぼ平行になるようにウエハの傾きを調節する傾斜調
節手段を有する装置もあった。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記の如き従来の技術に於いては、露光領域
の局部的な一点で検出した高さを基準として、この高さ
が投影レンズの結像面の高さと一致するようにウエハを
上下動して位置決めしていため、高さ検出点（光軸中
心）以外の露光領域表面がウエハの凹凸、曲りなどによ
って結像面から外れるということに対しては何等対処す
ることができなかった。即ち、ウエハ表面の線形な傾斜
成分については前述した傾斜調節手段により調節が可能
であったが、ウエハ表面の非線形な曲りや凹凸による焦
点外れについては避けることができなかった。
の局部的な一点で検出した高さを基準として、この高さ
が投影レンズの結像面の高さと一致するようにウエハを
上下動して位置決めしていため、高さ検出点（光軸中
心）以外の露光領域表面がウエハの凹凸、曲りなどによ
って結像面から外れるということに対しては何等対処す
ることができなかった。即ち、ウエハ表面の線形な傾斜
成分については前述した傾斜調節手段により調節が可能
であったが、ウエハ表面の非線形な曲りや凹凸による焦
点外れについては避けることができなかった。
本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、露光領域表面に曲りや凹凸がある場合でも鮮明な像
を投影転写することのできる投影露光装置および投影露
光方法を提供することを目的とするものである。
で、露光領域表面に曲りや凹凸がある場合でも鮮明な像
を投影転写することのできる投影露光装置および投影露
光方法を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明では、マスクに設けられたパターンを投影光学
系を介して基板上に結像投影する投影露光装置におい
て、前記基板の凹凸を検出する高さ分布検出センサと、
前記投影光学系の光軸方向に関する前記基板の位置を検
出する焦点位置検出センサと、前記光軸方向に関して前
記基板を移動するとともに前記投影光学系の結像面に対
して前記基板を傾ける駆動機構と、前記基板の凹凸情報
を記憶するメモリと、前記光軸方向に関して前記基板を
移動するとともに前記投影光学系の結像面に対して前記
基板の傾きを調節した場合に生じる前記光軸方向に関す
る前記基板の位置誤差を補正するためのオフセットを、
前記メモリに記憶された前記基板の凹凸情報に基づいて
算出する演算手段と、前記パターンを前記基板上に結像
投影するために、焦点位置検出センサの出力と前記オフ
セットとに基づいて前記光軸方向に関する前記基板の移
動動作を制御する制御系とを有するものとしている。
系を介して基板上に結像投影する投影露光装置におい
て、前記基板の凹凸を検出する高さ分布検出センサと、
前記投影光学系の光軸方向に関する前記基板の位置を検
出する焦点位置検出センサと、前記光軸方向に関して前
記基板を移動するとともに前記投影光学系の結像面に対
して前記基板を傾ける駆動機構と、前記基板の凹凸情報
を記憶するメモリと、前記光軸方向に関して前記基板を
移動するとともに前記投影光学系の結像面に対して前記
基板の傾きを調節した場合に生じる前記光軸方向に関す
る前記基板の位置誤差を補正するためのオフセットを、
前記メモリに記憶された前記基板の凹凸情報に基づいて
算出する演算手段と、前記パターンを前記基板上に結像
投影するために、焦点位置検出センサの出力と前記オフ
セットとに基づいて前記光軸方向に関する前記基板の移
動動作を制御する制御系とを有するものとしている。
また、好ましくは、前記基板上の複数の露光領域にお
いて前記基板の凹凸を検出するものとしている。
いて前記基板の凹凸を検出するものとしている。
また、好ましくは、前記基板上の露光領域毎に前記オ
フセットを算出するものとしている。
フセットを算出するものとしている。
また、好ましくは、前記高さ焦点位置検出センサが、
前記基板の高さ位置を検出する複数のセンサを含むこと
ととしている。
前記基板の高さ位置を検出する複数のセンサを含むこと
ととしている。
また、好ましくは、前記駆動機構が、前記投影光学系
の光軸とほぼ直交する方向に前記基板を移動するXYステ
ージを含み、前記高さ分布検出センサが、XYステージ上
に載置された前記基板上の前記パターンの投影領域以外
の領域において、前記凹凸を検出することとしている。
の光軸とほぼ直交する方向に前記基板を移動するXYステ
ージを含み、前記高さ分布検出センサが、XYステージ上
に載置された前記基板上の前記パターンの投影領域以外
の領域において、前記凹凸を検出することとしている。
また、本発明では、マスクに設けられたパターンを投
影光学系を介して基板上に結像投影する投影露光方法に
おいて、前記基板の凹凸を検出する工程と、前記投影光
学系の光軸方向に関して前記基板を移動するとともに前
記投影光学系の結像面に対して前記基板の傾きを調節し
た場合に生じる前記光軸方向に関する前記基板の位置誤
差を補正するためのオフセットを、前記基板の凹凸情報
に基づいて算出する工程と、前記パターンを前記基板上
に結像投影するための前記光軸方向に関する前記基板の
移動動作に前記オフセットを用いるものとしている。
影光学系を介して基板上に結像投影する投影露光方法に
おいて、前記基板の凹凸を検出する工程と、前記投影光
学系の光軸方向に関して前記基板を移動するとともに前
記投影光学系の結像面に対して前記基板の傾きを調節し
た場合に生じる前記光軸方向に関する前記基板の位置誤
差を補正するためのオフセットを、前記基板の凹凸情報
に基づいて算出する工程と、前記パターンを前記基板上
に結像投影するための前記光軸方向に関する前記基板の
移動動作に前記オフセットを用いるものとしている。
また、好ましくは、前記基板上の複数の露光領域にお
いて前記基板の凹凸を検出するものとしている。
いて前記基板の凹凸を検出するものとしている。
また、好ましくは、前記オフセットを前記基板上の露
光領域毎に算出することとしている。
光領域毎に算出することとしている。
また、好ましくは、前記基板の複数箇所の高さ位置を
一度に検出することとしている。
一度に検出することとしている。
なお、本発明で検出する高さや光軸に対する傾きは高
さや傾き自体である必要はなく、高さや傾きに対応する
値であればよいものであるが、以下の説明では便宜上単
に高さ（または傾き）の検出という。
さや傾き自体である必要はなく、高さや傾きに対応する
値であればよいものであるが、以下の説明では便宜上単
に高さ（または傾き）の検出という。
［作用］ この発明においては、投影光学系の光軸方向に関して
基板を移動するとともに投影光学系の結像面に対して基
板の傾きを調節した場合に生じる光軸方向に関する基板
の位置誤差を補正するためのオフセットを基板の凹凸情
報に基づいて算出し、マスクに設けられたパターンを基
板上に結像投影するために、オフセットに基づいて光軸
方向に関する基板の移動動作を制御する。
基板を移動するとともに投影光学系の結像面に対して基
板の傾きを調節した場合に生じる光軸方向に関する基板
の位置誤差を補正するためのオフセットを基板の凹凸情
報に基づいて算出し、マスクに設けられたパターンを基
板上に結像投影するために、オフセットに基づいて光軸
方向に関する基板の移動動作を制御する。
即ち、本発明では、従来のように高さを検出した局部
的な検出域が投影光学系の結像面上に位置するように制
御するのではなく、基板表面の凹凸を検出した上で、検
出した基板の凹凸情報に基づいて基板を傾けた場合に生
じる光軸方向に関する基板の位置誤差を補正するための
オフセットを算出し、このオフセットに基づいて基板の
光軸方向の移動を行わせるので、基板表面の凹凸による
部分的な焦点はずれを回避することができる。
的な検出域が投影光学系の結像面上に位置するように制
御するのではなく、基板表面の凹凸を検出した上で、検
出した基板の凹凸情報に基づいて基板を傾けた場合に生
じる光軸方向に関する基板の位置誤差を補正するための
オフセットを算出し、このオフセットに基づいて基板の
光軸方向の移動を行わせるので、基板表面の凹凸による
部分的な焦点はずれを回避することができる。
［実施例］ 第１図は本発明の実施例を示すブロック図である。図
において、レチクル２には露光対象であるウエハ５上に
転写する所定のパターンが形成されており、光源から射
出された光が照射光学系（図示せず）によりレチクル２
に照射されると、レチクル２のパターンの像は投影レン
ズ３によって所定の位置に結像される。
において、レチクル２には露光対象であるウエハ５上に
転写する所定のパターンが形成されており、光源から射
出された光が照射光学系（図示せず）によりレチクル２
に照射されると、レチクル２のパターンの像は投影レン
ズ３によって所定の位置に結像される。
一方、レチク２のパターンが投影転写されるべき複数
の露光領域を有するウエハ５は、ウエハホルダ６に保持
されており、ＸおよびＹステージ9,10によってXY方向
（投影レンズの光軸と直交する方向）に移動可能となっ
ているとともに、ティルトステージ７及びＺステージ８
によって投影レンズ３の光軸（以下単に光軸という）に
対する傾きの調節あるいは上下方向（光軸方向）の移動
が行なわれるようになっている。
の露光領域を有するウエハ５は、ウエハホルダ６に保持
されており、ＸおよびＹステージ9,10によってXY方向
（投影レンズの光軸と直交する方向）に移動可能となっ
ているとともに、ティルトステージ７及びＺステージ８
によって投影レンズ３の光軸（以下単に光軸という）に
対する傾きの調節あるいは上下方向（光軸方向）の移動
が行なわれるようになっている。
ここで、ウエハ５を載置するステージのX,Y方向の位
置にはレーザー干渉計（第１図では計測用のビーム11の
みを示す）によって検出され、その値は装置全体の動作
を制御するCPU（中央処理装置）12に送られる。そし
て、CPU12はウエハ５の所定の露光領域（ショット）が
投影レンズ３の直下に位置するようにX,Y方向の移動量
を算出し、X,Yステージ9,10を駆動する駆動手段16,17に
信号を送る。これにより、ウエハ５のX,Y方向の位置決
めがなされる。
置にはレーザー干渉計（第１図では計測用のビーム11の
みを示す）によって検出され、その値は装置全体の動作
を制御するCPU（中央処理装置）12に送られる。そし
て、CPU12はウエハ５の所定の露光領域（ショット）が
投影レンズ３の直下に位置するようにX,Y方向の移動量
を算出し、X,Yステージ9,10を駆動する駆動手段16,17に
信号を送る。これにより、ウエハ５のX,Y方向の位置決
めがなされる。
また、ウエハ５の投影光学系３直下の露光領域につい
て、表面の基準点（実施例では光軸中心）における高さ
がＺセンサ４によって検出されるとともに、不図示のテ
ィルトセンサによって露光領域の光軸に対する平均的な
傾きが検出される。高さの検出結果は、露光領域表面の
高さと結像面の高さとが一致するようにサーボ制御する
フォーカスコントローラ14に送られ（後述）、傾きの検
出結果は、前出のCPU12に送られる。CPU12は投影レンズ
３真下の露光領域表面と投影レンズ３の結像面がほぼ平
行となるような傾斜調節量を算出し、ティルトステージ
７の駆動手段15に信号を送る。これにより、ウエハ５の
傾きが調節される。
て、表面の基準点（実施例では光軸中心）における高さ
がＺセンサ４によって検出されるとともに、不図示のテ
ィルトセンサによって露光領域の光軸に対する平均的な
傾きが検出される。高さの検出結果は、露光領域表面の
高さと結像面の高さとが一致するようにサーボ制御する
フォーカスコントローラ14に送られ（後述）、傾きの検
出結果は、前出のCPU12に送られる。CPU12は投影レンズ
３真下の露光領域表面と投影レンズ３の結像面がほぼ平
行となるような傾斜調節量を算出し、ティルトステージ
７の駆動手段15に信号を送る。これにより、ウエハ５の
傾きが調節される。
かかる装置の露光動作は、いわゆるステップ・アンド
・リピート方式で行なわれ、ウエハ５の移動−位置決め
と露光が交互に繰り返される。本実施例では各露光領域
について投影レンズ３直下に位置する前に予め形状セン
サ１（詳細後述）によって表面の高さ分布が検知され、
高さ分布データは露光領域毎にメモリ13に記憶される。
・リピート方式で行なわれ、ウエハ５の移動−位置決め
と露光が交互に繰り返される。本実施例では各露光領域
について投影レンズ３直下に位置する前に予め形状セン
サ１（詳細後述）によって表面の高さ分布が検知され、
高さ分布データは露光領域毎にメモリ13に記憶される。
そして、CPU12ではこの高さ分布データに基づいて、
露光領域表面と結像面が平行になるようにウエハ５の傾
きを調節した後の露光領域表面と結像面のずれが最少と
なるような基準点（Ｚセンサでの高さ検出点）の高さが
算出され、さらに算出された基準点の高さと結像面の対
応する点の高さの差分（Ｚ補正量と呼ぶ）が算出され
る。このＺ補正量は各露光領域毎に算出され、露光位置
に位置決めされた露光領域のＺ補正量がフォーカスコン
トローラ14に送られる。
露光領域表面と結像面が平行になるようにウエハ５の傾
きを調節した後の露光領域表面と結像面のずれが最少と
なるような基準点（Ｚセンサでの高さ検出点）の高さが
算出され、さらに算出された基準点の高さと結像面の対
応する点の高さの差分（Ｚ補正量と呼ぶ）が算出され
る。このＺ補正量は各露光領域毎に算出され、露光位置
に位置決めされた露光領域のＺ補正量がフォーカスコン
トローラ14に送られる。
フォーカスコントローラ14では、CPU12で算出された
Ｚ補正量を前述したＺセンサ４で実際に検出した値に対
して補正し、補正された基準点の高さと結像面の対応す
る点の高さが一致するか否かを判断してCPU12に信号を
送る。CPU12では、フォーカスコントローラ14からの信
号に応じて補正された基準点の高さと結像面の対応する
点の高さとの差が零となるようなＺステージ８の移動量
を算出してを駆動手段16に信号を送る。即ち、これによ
り、露光領域表面と結像面のずれが平均的に最少となる
ようにウエハ５の光軸方向の位置決めがなされることに
なり、Ｚセンサでの高さ検出点（基準点）からＺ補正量
だけ離れたところに結像面が位置することになる。
Ｚ補正量を前述したＺセンサ４で実際に検出した値に対
して補正し、補正された基準点の高さと結像面の対応す
る点の高さが一致するか否かを判断してCPU12に信号を
送る。CPU12では、フォーカスコントローラ14からの信
号に応じて補正された基準点の高さと結像面の対応する
点の高さとの差が零となるようなＺステージ８の移動量
を算出してを駆動手段16に信号を送る。即ち、これによ
り、露光領域表面と結像面のずれが平均的に最少となる
ようにウエハ５の光軸方向の位置決めがなされることに
なり、Ｚセンサでの高さ検出点（基準点）からＺ補正量
だけ離れたところに結像面が位置することになる。
次に、ウエハ５の光軸方向の位置決め動作についてさ
らに第２図a,bを用いて詳しく説明する。まず、本発明
では未露光の露光領域表面の高さ分布が形状センサ１に
よって検知される。形状センサ１としては、例えば局所
的な１点の高さを測定するセンサが考えられ、このよう
な形状センサ１によって露光領域表面の高さが一定間隔
でサンプリング計測される。第２図ａではこの計測デー
タが丸点で示されている。なお、図では１次元方向の断
面のみを示したが、言うまでもなく実際には２次元的な
データの配列が得られ、メモリ13に記憶される。そし
て、メモリ13に記憶された高さ分布データに基づいてCP
U12で補間計算が行なわれ、計測していない部分の高さ
が推定される。図には補間計算によって推定されたウエ
ハ５表面が実線で示される。
らに第２図a,bを用いて詳しく説明する。まず、本発明
では未露光の露光領域表面の高さ分布が形状センサ１に
よって検知される。形状センサ１としては、例えば局所
的な１点の高さを測定するセンサが考えられ、このよう
な形状センサ１によって露光領域表面の高さが一定間隔
でサンプリング計測される。第２図ａではこの計測デー
タが丸点で示されている。なお、図では１次元方向の断
面のみを示したが、言うまでもなく実際には２次元的な
データの配列が得られ、メモリ13に記憶される。そし
て、メモリ13に記憶された高さ分布データに基づいてCP
U12で補間計算が行なわれ、計測していない部分の高さ
が推定される。図には補間計算によって推定されたウエ
ハ５表面が実線で示される。
次に、露光領域表面が投影レンズ３の結像面とほぼ平
行になるように、ウエハ５の傾斜を調節した後の露光領
域表面の高さ分布をCPU12で算出する。ここで、投影レ
ンズ３の結像面の高さ及び形状（高さ分布）は予め求め
られており、第２図ｂでは点線で示されている。なお、
図では結像面が平面として示されているが、曲面であっ
てもかまわない。
行になるように、ウエハ５の傾斜を調節した後の露光領
域表面の高さ分布をCPU12で算出する。ここで、投影レ
ンズ３の結像面の高さ及び形状（高さ分布）は予め求め
られており、第２図ｂでは点線で示されている。なお、
図では結像面が平面として示されているが、曲面であっ
てもかまわない。
そして、第２図ｂに示されるように、傾斜調節後の露
光領域表面と投影レンズの結像面との平均的な偏差が最
小となる場合における露光域表面の基準点Ｐと結像面の
対応する点との高さの差分がＺ補正量（図中△Zc）とし
て算出される。このＺ補正量がＺセンサ４での検出値対
して補正され、フォーカスコントローラ14では補正され
た値に基づいて露光表面の高さの適・否が判断される。
光領域表面と投影レンズの結像面との平均的な偏差が最
小となる場合における露光域表面の基準点Ｐと結像面の
対応する点との高さの差分がＺ補正量（図中△Zc）とし
て算出される。このＺ補正量がＺセンサ４での検出値対
して補正され、フォーカスコントローラ14では補正され
た値に基づいて露光表面の高さの適・否が判断される。
即ち、本発明では第２図ｂに示される如く、投影レン
ズ直下の露光領域の基準点Ｐが結像面から△Zc離れたと
ころに位置するようにウエハ５の光軸方向の位置ぎめが
行なわれ、この状態で露光領域表面と結像面が誤差最少
で一致していることになる。
ズ直下の露光領域の基準点Ｐが結像面から△Zc離れたと
ころに位置するようにウエハ５の光軸方向の位置ぎめが
行なわれ、この状態で露光領域表面と結像面が誤差最少
で一致していることになる。
なお、上記の実施例では、高さ分布を検知する形状セ
ンサとして局所的な１点の高さを測定するセンサを用い
たが、これにに限らず、例えばモアレトポグラフィを応
用したセンサなどを用いても良い。この場合には、一定
の検出領域（例えば１露光領域）全体の高さ分布を一度
に検出することが可能であり、補間計算の必要がない。
また前述のＺセンサを複数個、並置して一度に数個所の
高さを検知するようにしても良い。このようにすれば、
計測及び演算時間が短縮され、生産性の向上を図ること
ができる。
ンサとして局所的な１点の高さを測定するセンサを用い
たが、これにに限らず、例えばモアレトポグラフィを応
用したセンサなどを用いても良い。この場合には、一定
の検出領域（例えば１露光領域）全体の高さ分布を一度
に検出することが可能であり、補間計算の必要がない。
また前述のＺセンサを複数個、並置して一度に数個所の
高さを検知するようにしても良い。このようにすれば、
計測及び演算時間が短縮され、生産性の向上を図ること
ができる。
また、本発明において露光領域表面の高さ分布を検知
するにあたっては、必ずしも全ての露光領域についてＺ
センサ等で高さを実測する必要はない。即ち、ウエハ上
の幾つかの露光領域について表面の高さをサンプリング
計測し、その値から実測していない露光領域の高さ分布
を補間計算によって求めても良い。
するにあたっては、必ずしも全ての露光領域についてＺ
センサ等で高さを実測する必要はない。即ち、ウエハ上
の幾つかの露光領域について表面の高さをサンプリング
計測し、その値から実測していない露光領域の高さ分布
を補間計算によって求めても良い。
［発明の効果］ 以上の様に本発明によれば、基板の傾きを調節した場
合に生じる光軸方向に関する基板の位置誤差を補正する
ためのオフセットを算出し、このオフセットに基づいて
基板の光軸方向の移動を行わせるので、基板表面に凹凸
があってもその部分が結像面から大きく外れるというこ
とがない。即ち、本発明によれば、焦点合わせ余裕（フ
ォーカス・マージン）を実効的に大きくすることがで
き、基板上に鮮明な像を投影転写することができる。
合に生じる光軸方向に関する基板の位置誤差を補正する
ためのオフセットを算出し、このオフセットに基づいて
基板の光軸方向の移動を行わせるので、基板表面に凹凸
があってもその部分が結像面から大きく外れるというこ
とがない。即ち、本発明によれば、焦点合わせ余裕（フ
ォーカス・マージン）を実効的に大きくすることがで
き、基板上に鮮明な像を投影転写することができる。
かかる投影露光装置や投影露光方法を集積回路の製造
に用いれば、微細な回路パターンを精度良く形成するこ
とが可能となり、集積回路の歩留りの向上を図ることが
できる。
に用いれば、微細な回路パターンを精度良く形成するこ
とが可能となり、集積回路の歩留りの向上を図ることが
できる。
第１図は本発明実施例の構成を示すブロック図、第２図
a,bは本発明実施例の光軸方向の位置決め動作を説明す
る模式図で、第３図は従来例を説明する模式図である。 ［主要部分の符号の説明］ １……形状センサ（高さ分布検知手段） ２……レチクル（第１物体） ３……投影レンズ（投影光学系） ４……Ｚセンサ（高さ検出手段） ５……ウエハ（第２物体） ７……ティルトステージ（傾斜調節手段） ８……Ｚステージ（高さ調整手段） ９……Ｘステージ,10……Ｙステージ（移動手段） 12……CPU（演算手段） 13……メモリ（記憶手段） 14……フォーカスコントローラ（補正手段）
a,bは本発明実施例の光軸方向の位置決め動作を説明す
る模式図で、第３図は従来例を説明する模式図である。 ［主要部分の符号の説明］ １……形状センサ（高さ分布検知手段） ２……レチクル（第１物体） ３……投影レンズ（投影光学系） ４……Ｚセンサ（高さ検出手段） ５……ウエハ（第２物体） ７……ティルトステージ（傾斜調節手段） ８……Ｚステージ（高さ調整手段） ９……Ｘステージ,10……Ｙステージ（移動手段） 12……CPU（演算手段） 13……メモリ（記憶手段） 14……フォーカスコントローラ（補正手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−196532（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−1229（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−208629（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−54726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−30128（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−50418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−177928（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−28312（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−37709（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−8609（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (9)
- 【請求項１】マスクに設けられたパターンを投影光学系
を介して基板上に結像投影する投影露光装置において、 前記基板の凹凸を検出する高さ分布検出センサと、 前記投影光学系の光軸方向に関する前記基板の位置を検
出する焦点位置検出センサと、 前記光軸方向に関して前記基板を移動するとともに前記
投影光学系の結像面に対して前記基板を傾ける駆動機構
と、 前記基板の凹凸情報を記憶するメモリと、 前記光軸方向に関して前記基板を移動するとともに前記
投影光学系の結像面に対して前記基板の傾きを調節した
場合に生じる前記光軸方向に関する前記基板の位置誤差
を補正するためのオフセットを、前記メモリに記憶され
た前記基板の凹凸情報に基づいて算出する演算手段と、 前記パターンを前記基板上に結像投影するために、焦点
位置検出センサの出力と前記オフセットとに基づいて前
記光軸方向に関する前記基板の移動動作を制御する制御
系とを有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】前記基板上の複数の露光領域において前記
基板の凹凸を検出することを特徴とする請求項１に記載
の装置。 - 【請求項３】前記基板上の露光領域毎に前記オフセット
を算出することを特徴とする請求項１から２のいずれか
１項に記載の装置。 - 【請求項４】前記高さ焦点位置検出センサは、前記基板
の高さ位置を検出する複数のセンサを含むことを特徴と
する請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項５】前記駆動機構は、前記投影光学系の光軸と
ぼぼ直交する方向に前記基板を移動するXYステージを含
み、 前記高さ分布検出センサは、XYステージ上に載置された
前記基板上の前記パターンの投影領域以外の領域におい
て、前記凹凸を検出することを特徴とする請求項１から
４のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項６】マスクに設けられたパターンを投影光学系
を介して基板上に結像投影する投影露光方法において、 前記基板の凹凸を検出する工程と、 前記前記投影光学系の光軸方向に関して前記基板を移動
するとともに前記投影光学系の結像面に対して前記基板
の傾きを調節した場合に生じる前記光軸方向に関する前
記基板の位置誤差を補正するためのオフセットを、前記
基板の凹凸情報に基づいて算出する工程と、 前記パターンを前記基板上に結像投影するための前記光
軸方向に関する前記基板の移動動作に前記オフセットを
用いることを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項７】前記基板上の複数の露光領域において前記
基板の凹凸を検出することを特徴とする請求項６に記載
の方法。 - 【請求項８】前記オフセットを、前記基板上の露光領域
毎に算出することを特徴とする請求項６から７のいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項９】前記基板の複数箇所の高さ位置を一度に検
出することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項
に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017491A JP2830003B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017491A JP2830003B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199815A JPH02199815A (ja) | 1990-08-08 |
| JP2830003B2 true JP2830003B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=11945475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017491A Expired - Lifetime JP2830003B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830003B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2636676B2 (ja) * | 1993-06-25 | 1997-07-30 | 日本電気株式会社 | 露光装置及びその焦点合わせ方法 |
| JP3696702B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2005-09-21 | 沖電気工業株式会社 | 露光装置のためのアライメント方法及び装置 |
| CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1017491A patent/JP2830003B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02199815A (ja) | 1990-08-08 |
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