JPH037138B2 - - Google Patents

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JPH037138B2
JPH037138B2 JP58128399A JP12839983A JPH037138B2 JP H037138 B2 JPH037138 B2 JP H037138B2 JP 58128399 A JP58128399 A JP 58128399A JP 12839983 A JP12839983 A JP 12839983A JP H037138 B2 JPH037138 B2 JP H037138B2
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lens
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Toshuki Horiuchi
Masanori Suzuki
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication of JPH037138B2 publication Critical patent/JPH037138B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は集積回路パタン形成に用いるレンズ投
影露光方法及び装置に関するものである。等倍投
影露光装置と縮小投影露光装置があり、両者に適
用可であるが、とくに縮小投影露光装置に適用し
た場合有効である。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来の方法、装置のうち、まず、原図基板を動
かして被露光物上の所望位置に該原図の等倍また
は縮小投影像を露光する方法および装置の原理概
念を第1図に示す。第1図において、1は原図基
板、2は感光剤を塗布した被露光物、3は被露光
物移動台、4は被露光物移動台位置決め装置、5
は位置決め指令回路、6は位置検出器、7は演算
器、8は等倍または縮小投影レンズ、9は原図基
板移動台、10は原図基板移動台位置決め装置、
11は露光指令回路、12は露光光源である。
従来の装置では例えば特公昭55−18043号公報、
特開昭54−96374号公報、特開昭55−162227号公
報、米国特許USP4057347明細書等に示されるご
とく、原図基板1の感光剤を塗布した被露光物2
への等倍または縮小投影露光像位置を次のように
制御する。
被露光物2を装着した被露光物移動台3を被露
光物移動台位置決め装置4に位置決め指令回路5
から指令を与えることにより位置決めする。位置
検出器6により被露光物移動台3が実際に位置決
めされた位置を検出し演算器7で、該実位置と位
置決め指令回路5からの指令目標値との差Δx
算出、さらに、等倍または縮小投影レンズ8の倍
率kで前記差Δxを除して、原図基板1を装着し
た原図基板移動台9の位置決め装置10にその演
算結果を伝達する。原図基板移動台位置決め装置
10は原図基板移動台9の位置決めを前記演算結
果に従つて行なう。すなわち−Δx/kだけ原図基板 移動台9を動かし、被露光物2の位置誤差を補償
する。
以上の説明では原理説明のため、位置決め誤差
Δxを一次元的なものとして扱つているが、実際
には、前記引例の特公昭55−18043号公報、特開
昭54−96374号公報、特開昭55−162227号公報、
米国特許USP4057347明細書等に示されるよう
に、直交x、y2方向の位置決め誤差Δx、Δy、ま
た場合によつて原図基板1と被露光物2の相対回
転による位置決め誤差Δθをも含めて、被露光物
2の位置誤差を補償する。
原図基板移動台9が所望の位置に位置決めされ
ると、原図基板移動台位置決め装置10は、露光
指令回路11に位置決め終了の信号を送り、露光
光源12のシヤツタを開閉して被露光物2上の所
望位置にパターン原図の等倍または縮小投影像を
露光する。
かくのごとく、被露光物2への等倍または縮小
投影像露光位置を原図基板1をその面内で動かし
て制御する方法および装置では、位置決め誤差を
等倍または縮小投影レンズ8の倍率kで除した量
だけ制御すればよいので、例えばk=1/10の場合 には、被露光物2だけを微動させて位置決めする
場合の10倍の制御精度が得られる。すなわち、例
えば原図基板1を1μm精度で動かせれば、被露
光物2の0.1μmの位置決め誤差を補償できる。
これに対し、原図基板を動かさずに被露光物を
動かして等倍または縮小投影露光位置を制御する
方法、装置も従来の技術として普遍している(特
開昭57−153432号公報、特開昭55−134934号公
報)。このタイプの従来技術の原理を第2図に示
す。X1軸だけについて示してあるが、Y、θの
合わせがある場合も同様である。
13は原図基板、14は位置検出器、15は位
置決め指令回路、16は位置決め装置、17は被
露光物、18は移動台、19は露光指令回路、2
0は露光光源、21は等倍または縮小投影レンズ
である。第2図において、原図基板13は所定の
位置に固定する。次に位置検出器14からの位置
情報に基き、位置決め指令回路15から指令を発
し、位置決め装置16により、該被露光物17の
装着された移動台18を正確に位置決めする。こ
ののち、露光指令回路19から指令を発し、露光
光源20のシヤツタを開閉し、等倍または縮小投
影レンズ21を通して被露光物17上の所望位置
に原図基板13の等倍または縮小投影像を露光す
る。
かくのごとく、被露光物17側を動かして、露
光位置を定める方法および装置では、原図基板1
3側に微動機構を要しないので簡便となる利点を
有する。
しかしながら、いずれにしろ、前記に示した各
種の従来技術では原図基板1あるいは13と被露
光物2あるいは17の寸法が理想な値となつてい
る場合を想定しており、各々につけた位置検出用
のマークにより、原図基板1あるいは13と被露
光物2あるいは17との相対的位置決め誤差が一
義的に定まり、これを正せば全体が重なることを
想定している。すなわち、例えば、第3図に示す
ように、原図基板1あるいは13の2ケ所A、B
に#印のマークを付けておき、被露光物2あるい
は17の対応する箇所A′、B′に+印のマークを
付けておく時、A、Bにおける#マークの間隔
L、およびA′、B′における+マークの間隔L′が
理想的にkL=L′の関係をみたし、AとA′、Bと
B′双方ともマークが等倍または縮小投影レンズ
8あるいは21を介して#の中央に+がくるように
重ねられるケースを想定している。
ところが実際には、 原図基板1あるいは13に形成される原図、
マーク間距離の寸法誤差、 等倍または縮小投影レンズ8あるいは21の
焦点距離、等倍または縮小投影レンズ8あるい
は21と原図基板1あるいは13との距離の誤
差に基く倍率kの誤差、 レンズの歪に基く等倍または縮小投影像の
歪、 温度変化による原図基板1あるいは13、被
露光物2あるいは17の膨張、収縮、 温度変化による等倍または縮小投影レンズ8
あるいは21と原図基板1あるいは13との距
離変化に基く倍率kの変動、 被露光物2あるいは17が受ける露光以外の熱
処理、エツチング等の各種プロセスに基く被露
光物2あるいは17の変形、 により、厳密にはkL=L′とならないのが普通で
ある。このため、例えばAとA′を位置決めすれ
ばBとB′はy方向は位置決めし得るが、x方向
には合致させることができなくなる。当然、A−
A′、B−B′以外のパタン箇所例えばC−C′等は、
x方向もy方向もずれることになる。
前記〜の原因による原図基板1あるいは1
3と被露光物2あるいは17との寸法誤差は、
(kL−L′)すなわち被露光物面寸法で通常0.5μm
以下のオーダーであるが、パタン線幅が1μm内
外となり、高精度な位置合わせが必要な場合には
位置合わせマーク点での位置決め誤差よりずつと
大きい値となり、いかに原図基板1あるいは1
3、または被露光物2あるいは17を精密に制御
しても、原図基板1あるいは13の等倍または縮
小投影像の寸法が、被露光物2あるいは17の既
形成パタンの寸法と異なる限り、両者を所望の関
係に重ね合わせることは不可能である。第4図に
この状況を示す。
〔発明の目的〕
本発明は以上のような不都合をなくすため、原
図基板および被露光物と等倍または縮小投影レン
ズとの相対位置および傾き角を装置に装着した状
態で検出して制御することにより、等倍または縮
小投影像の形状、寸法を被露光物の既形成パタン
に合わせて変化させ、両者が位置合わせマーク点
における重ね合わせ精度で、露光領域内の全域で
合致し得るようにする方法および装置である。
〔発明の実施例〕
以下、図面について詳細に説明する。
第5図は本発明の原理説明のための図であり、
22は原図基板、23は原図パタン、24は等倍
または縮小投影レンズ、25は被露光物、26は
等倍または縮小投影像、27は既形成パタンであ
る。
原図基板22上の寸法Lの原図パタン23が等
倍または縮小投影レンズ24を通して被露光物2
5上に寸法L′で結像するとする。この等倍または
縮小投影像26が露光パタンとなる。等倍または
縮小投影レンズ24の前後焦点を各々F1,F2
し、レンズ24の主点0から原図パタン23迄の
距離をa、等倍または縮小投影像26迄の距離を
b、焦点距離をfとすれば 1/a+1/b=1/f …(1) b/a=L′/L≡k …(2) の関係が成り立つ。kは倍率である。
等倍または縮小投影像26を重ねて露光すべき
被露光物25の既形成パタン27と比較する時、
既形成パタン27の寸法L″は本来L″=L′となる
べきものであるが、前記原因により、一般に
L″=L′とはならない。本発明は、前記の距離a
およびbを適当な値に制御することにより、等倍
または縮小投影像26の寸法L′を変え、既形成パ
タンの寸法L″に合致させる。すなわちL″=L′の
本来満たされるべき条件を満たすようにしたもの
である。
式(1)、(2)において、等倍または縮小投影レンズ
24に固有の値は焦点距離fだけであり、距離a
およびbは、式(1)を満たす関係にしさえすれば、
像を形成する上での支障はない。
そこで、L′=L″とするには、(2)より b/a=L″/Lしたがつてb=L″/La とし、(1)に代入 1/a+1/L″/La=1/f (1+L/L″)1/a=1/f ∴a=(1+L/L″)f b=(1+L″/L)f とすれば良い。
仮に、L′=L″+ΔL、ΔL>0とすれば、 a=(1+L/L′−ΔL)f>(1+L/L′)f b=(1+L′−ΔL/L)f<(1+L′/L)f a0=(1+L/L′)f、b0=(1+L′/L)fは等
倍ま たは縮小投影像26を寸法L′で結像させる時に等
倍または縮小投影レンズ24を置くべき位置であ
る。
したがつて、等倍または縮小投影像26の寸法
L′が、重ね露光すべき被露光物25上の既形成パ
タン27の寸法L″より大きい時は、原図基板2
2の位置を等倍または縮小投影レンズ24からや
や遠ざけ、対応する所定の距離だけ、被露光物2
5を等倍または縮小投影レンズ24に近付ければ
よく、L<L″の場合には、逆の移動を行なえば
よい。
ゆえに、例えば、前記の、、、等の原
因により、第6図に示すように、等倍または縮小
投影像26と既形成パタン27が、相似形をなし
て、寸法が異なる場合には、前記の原理をそのま
ま適用して、原図基板22、等倍または縮小投影
レンズ24、被露光物25の間隔を該等倍または
縮小投影像26と既形成パタン27が合致するよ
うに変えればよい。
また、例えば前記の、等の原因により、第
7図に示すように等倍または縮小投影像26に対
し、既形成パタン27の形状が歪んでいる場合に
は、原図基板22と等倍または縮小投影レンズ2
4の距離を場所に応じて変えて、相対的に傾け、
被露光物25も追随して傾ければよい。第7図の
場合、原図パタン23の等倍または縮小投影像2
6の辺PQに相当する側を等倍または縮小投影レ
ンズ24から遠ざけ、被露光物25の辺PQ側を
対応する距離だけ縮小レンズ24に近付ければよ
い。
第7図のごとく歪が一方向だけでなく、第8図
のごとく2方向に生じている場合も同様であり、
原図基板22および被露光物25の等倍または縮
小投影レンズ24に対する直交2方向の相対傾き
角を制御すれば良い。
原図基板22、等倍または縮小投影レンズ2
4、被露光物25の相対的位置および傾き角を変
えるにはこれらのうち、いずれか2つ以上の位置
および傾き角が変わるようにすればよい。
また、元々前記原因〜に示すように、変え
るべく距離および傾き角はほんのわずかであり、
等倍または縮小投影レンズ24の焦点深度の範囲
ならば、被露光物25の位置及び傾き角は変える
必要がなくなる。原因基板22か等倍または縮小
投影レンズ24の位置及び傾き角を可変とし、他
方を固定とする場合、前記の理由から、被露光物
25を等倍または縮小投影レンズ24に対して常
に一定の位置を保つ機構を付与するだけでも本発
明は効果を有する。
第9図は本発明の実施例であり、28は原図基
板、29は原図基板ステージ、30は主光線束、
31は原図パタン、32は等倍または縮小投影レ
ンズ、33は被露光物、34,35は相対位置検
出装置、36は既形成パタン、37〜44は反射
鏡、49は被露光物ステージ、50は移動ステー
ジ、51は演算器、52は原図基板ステージ駆動
回路、53は被露光物ステージ駆動回路、54は
露光指令回路、55は露光光源である。
原図基板28を直交3軸X、Y、Z方向位置座
標および各軸まわりの回転角α、β、θを調整可
能な原図基板ステージ29に搭載する。X、Y、
Zおよびα、β、θのとり方については、図のご
とく主光線束30が垂直の場合の他、水平の場合
や、途中に反射鏡が設置され、光路の方向が変わ
る場合があるので、主光線束30が入射してくる
方向をZとする。
原図基板28上の原図パタン31は等倍または
縮小投影レンズ32により、被露光物33上に結
像する。
相対位置検出装置34および35により、原図
基板28上の原図パタン31と被露光物33上の
既形成パタン36との相対位置関係を検出する。
相対位置関係を検出するには、原図基板28およ
び被露光物33上の重なりあうべき対応する各位
置に検出用のマークを設けておけばよい。各マー
クを光電的あるいはレーザ干渉計等により位置検
出することにより、相対位置関係が求まる。ま
た、撮像管とテレビジヨン受像機の組合せや顕微
鏡等により重なるべきマークや各パタン31およ
び36そのものを観察あるいはずれ計測してもよ
い。
なお第9図に示した反射鏡37〜44は、わか
りやすく光路を描くため入れたもので特段の意味
を有しない。一方、原図パタン31と既形成パタ
ン36との相対位置関係の検出方式については、
第9図のごとく、両者を別々に検出せず、第10
図に示すように等倍または縮小投影レンズ32を
通して、同時に検出してもよい。第10図の場合
も反射鏡45,46は便宜的に示したもので、破
線で示したごとく47,48の反射鏡を使う光路
を用いるなどしてもよく、等倍または縮小投影レ
ンズ32を通していわゆるTTL方式(Through
The Lense方式)で検出する場合に適用できる
ことを示すものである。
原図パタン31と既形成パタン36の対応寸法
の差を知るには、最低2ケ所で相対位置関係を検
出することが必要であり、例えば、第11図に示
すようにチツプ内に設けた+印で示す2カ所の相
対応する位置を比較する。一方、X、Y方向の寸
法差およびパターン形状の歪を検出するには、程
度に応じて、例えば第12図〜第14図に示すよ
うに3カ所以上の点で相対位置を検出することが
必要である。いずれも+印が相対位置の検出箇所
であり検出箇所数に応じて相対位置検出装置をふ
やす。
被露光物33は、被露光物ステージ49上に搭
載し、主光線束の方向ZおよびZに垂直な2軸
X、Yまわりの回転α、βが調整できるようにす
る。
等倍または縮小投影レンズ32の焦点深度は縮
小倍率と開口数によつてほぼ決まるが、現在使用
されている最も厳しい条件の装置で縮小倍率1/1
0、開口数0.35の場合、±1μm〜±2μm程度であ
り、他はこれより大きい。
一方、この場合、原図基板28とレンズ32の
間の距離を例えば500mmとすれば、10mm大の縮小
投影像の寸法を0.1μm増減するために動かすべき
原図基板28の微動量は、第5図から容易にわか
るようにおおよそ 500/10×0.1μm=5μm となる。
これに対し、結像位置のZ方向移動量は計算に
よると、約 5μm×(縮小倍率)2=5μm×(1/10)2 =0.05μm である。
よつて、寸法加減量が±2〜3μm程度であれ
ば、結像位置の変化量は焦点深度内に入る。
このような場合は、被露光物ステージ49の調
整機構は被露光物33の表面が、等倍または縮小
投影レンズ32に対して一定位置になるよう保つ
だけの機能を有していさえすればよく、Z、α、
βの調整機構でなくてもよい。
なお、被露光物33の複数の箇所に投影露光を
要する場合には、被露光物ステージ49をステツ
プ&レピートさせるため、被露光物移動ステージ
50に搭載する。移動ステージ50には最低X、
Yの位置決め機能を付与する。
該移動ステージ50により、被露光物33をお
おむね所定の露光位置に移動した後、相対位置検
出装置34および35により原図パタン31と、
既形成パタン36の相対位置関係を調べる。演算
器51は、両者の位置ずれと、寸法の相違を各々
計算し、原図基板ステージ駆動回路52に位置ず
れ補償のためのX、Y、θに関する調整指令と、
寸法および歪補償のためのZ、α、βに関する調
整指令を、また被露光物ステージ駆動回路53に
は寸法、歪補償に伴なう結像位置調整のための
Z、α、βに関する駆動指令を発する。
原図基板ステージ駆動回路52および被露光物
ステージ駆動回路53は各々原図基板ステージ2
9および被露光物ステージ49を駆動し、寸法お
よび歪補償を含めた既形成パタン36と原図パタ
ン31との位置合わせを行なう。
位置合わせ後、再び相対位置検出装置34およ
び35により、両者の相対位置関係を検出し、各
位置検出点における位置ずれが許容値以下になる
迄、前記の位置合わせ動作を繰り返すフイードバ
ツク方式をとれば、より一層精度良く、既形成パ
タン36と原図パタン31を対応させることがで
きる。
位置合わせ完了後、演算器51より、露光指令
回路54に信号を送り、露光光源55のシヤツタ
を開閉して露光する。
前記の説明中、相対位置検出装置34および3
5からの情報により、演算器51で位置ずれと寸
法、形状の誤差とを分離演算を行なうには、例え
ば次のように行なう。第15図は、第11図のご
とく2カ所にマークを設けた場合の位置ずれ、寸
法、形状誤差、算出の説明図である。被露光物3
3上の既形成パタン36に原図パタン31の縮小
投影像を重ねた場合を想定し、56,57は既形
成パタンマーク、58,59は原図パタンマーク
とする。A、B2ケ所における既形成パタンマー
ク56,57に対する原図パタンマーク58,5
9のX、Y方向のずれを各々ΔXA、ΔYA、ΔXB
ΔYBとする。マークの間隔をlとすれば、X方向
の寸法の相違Δlxは Δlx=ΔXA−ΔXB 位置ずれは、 X方向がΔX=1/2(ΔXA+ΔXB) Y方向がΔY=1/2(ΔYA+ΔYB) θ方向がΔθ=1/2(ΔYA−ΔYB) となる。
寸法の誤差が、X、Y方向同一で、露光領域内
で均一とすれば前記Δlxの値に基いて、寸法補償
を行なえばよい。
またX、Y方向または露光領域内で寸法の誤差
が変わる場合には、例えば第12図〜第14図の
ごときマーク配置により、各マーク間での位置ず
れ分布を調べることにより、重ね合わせ誤差が最
小となるよう、寸法および歪の補償を行なえばよ
いことは自明である。
さらに、第9図では前記のごとく原図基板ステ
ージ29と被露光物ステージ49に駆動系を配分
したが第5図の説明において既述したように、原
図基板28、等倍または縮小投影レンズ32、被
露光物33相互の距離関係調整ができるよう駆動
系をこれら3者に配分すればよいことは明らかで
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、レンズ
投影露光において、被露光物上の既形成パタンと
露光する原図パタンの位置合わせと同時に、両者
の寸法の相違および形状歪を補償することができ
るので、露光領域内全体を見る時の既形成パタン
と露光原図パタンの重ね合わせ精度を向上させる
ことができる。
したがつて、 集積回路作成時の各層の原図基板寸法誤差
や、同層における多数のワーキング原図基板間
の寸法ばらつきを補償できるほか、 工場等において多数の露光装置を併用する場
合の互換性を大幅に向上させることができる。
別種の露光装置たとえば電子ビーム露光装
置、X線露光装置、反射投影光露光装置、密着
型光露光装置等と併用した集積回路作成プロセ
スいわゆるハイブリツド露光に適用できる。
温度変化に基く、原図基板や被露光物の寸法
変化に対応できる。
装置の温度制御を厳しくしなくても、投影倍
率を所定の値にいつでも調整できる。
熱処理やエツチング等により、被露光物が変
形し寸法が変化しても対応可能である。
等、数々の利点がある。
このため、従来と露光パタンの解像性が同じ投
影レンズや露光光学系を用いても、集積回路設計
の重ね合わせマージンを小さくすることができる
ため、集積度および製品歩留りを大幅に上げるこ
とが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のレンズ投影露光方式の概念図、
第2図は別の従来のレンズ投影露光方式の概念
図、第3図は原図基板と被露光物の重ね合わせに
関する説明図、第4図は原図基板と被露光物重ね
合わせ不可能の状態図、第5図は本発明の原理説
明図、第6図〜第8図はそれぞれ原図基板投影像
と既形成パタンとの寸法差、形状歪を示す説明
図、第9図は本発明の実施例の概念図、第10図
は原図パタンと既形成パタンとの相対位置検出方
式の別の実施例の概念図、第11図〜第14図は
それぞれパタン寸法差、形状歪を検出するための
検出位置の例を示す説明図、第15図は位置ず
れ、寸法、形状誤差算出の説明図である。 1……原図基板、2……被露光物、3……被露
光物移動台、4……被露光物移動台位置決め装
置、5……位置決め指令回路、6……位置検出
器、7……演算器、8……等倍または縮小投影レ
ンズ、9……原図基板移動台、10……原図基板
移動台位置決め装置、11……露光指令回路、1
2……露光光源、13……原図基板、14……位
置検出器、15……位置決め指令回路、16……
位置決め装置、17……被露光物、18……移動
台、19……露光指令回路、20……露光光源、
21……等倍または縮小投影レンズ、22……原
図基板、23……原図パタン、24……等倍また
は縮小投影レンズ、25……被露光物、26……
等倍または縮小投影像、27……既形成パタン、
28……原図基板、29……原図基板ステージ、
30……主光線束、31……原図パタン、32…
…等倍または縮小投影レンズ、33……被露光
物、34,35……相対位置検出装置、36……
既形成パタン、37〜48……反射鏡、49……
被露光物ステージ、50……移動ステージ、51
……演算器、52……原図基板ステージ駆動回
路、53……被露光物ステージ駆動回路、54…
…露光指令回路、55……露光光源、56,57
……既形成パタンマーク、58,59……原図パ
タンマーク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 原図基板上のパタンを投影レンズを介して、
    感光剤を塗布した被露光物上に露光、転写するレ
    ンズ投影露光方法において、原図基板上の原図パ
    タンと被露光物上の既形成パタンとの対応寸法の
    相違及び/又はパタンの相対形状歪を、原図基板
    および被露光物を装置に装着した状態で検出し、
    該検出結果に基いて、原図基板、投影レンズ、被
    露光物間の相互間隔及び/又は相対傾斜角を調整
    して、該原図パタンの投影露光像を対応する被露
    光物上の既形成パタンに所期の関係で、重なり得
    る寸法、形状に補正し、然る後に、原図基板と被
    露光物とのパタン面内おける位置合わせを行なつ
    て、原図パタンと被露光物上の既形成パタンを投
    影レンズを介して重ね合わせ、該原図パタンを露
    光、転写することを特徴とするレンズ投影露光方
    法。 2 原図基板上のパタンを投影レンズを介して感
    光剤を塗布した被露光物上に露光、転写するレン
    ズ投影露光装置において、該原図基板上の原図パ
    タンと被露光物上の既形成パタンとの相対的重ね
    合わせを行なうための位置合わせ機構と、原図基
    板上の原図パタンと被露光物上の既形成パタンと
    の対応寸法の相違及び/又はパタンの相対形状歪
    を、原図基板および被露光物を装置に装着した状
    態で検出する検出装置と、該検出装置の検出結果
    に基いて、原図基板、投影レンズ、被露光物間の
    相互間隔及び/又は相対傾斜角を調整して、該原
    因パタンの投影露光像を対応する被露光物上の既
    形成パタンに所期の関係で重なり得る寸法、形状
    に補正する機構とを具備したことを特徴とするレ
    ンズ投影露光装置。 3 原図基板、投影レンズ、被露光物間の相互間
    隔及び/又は相対傾斜角を調整するため、投影レ
    ンズを固定し、原図基板および被露光物の位置及
    び/又は傾斜角を調整、制御可能としたことを特
    徴とする特許請求の範囲第2項記載のレンズ投影
    露光装置。 4 原図基板、被露光物各々に、投影レンズとの
    間隔を調整する装置を設け、かつ原図基板に投影
    レンズに対する傾斜角を調整する装置を設けたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のレン
    ズ投影露光装置。 5 原図基板、被露光物各々に、投影レンズとの
    間隔及び/又は投影レンズに対する傾斜角を調整
    する装置を設けたことを特徴とする特許請求の範
    囲第2項記載のレンズ投影露光装置。
JP58128399A 1983-07-14 1983-07-14 レンズ投影露光方法及び装置 Granted JPS6021051A (ja)

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