JPS6341021A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPS6341021A JPS6341021A JP61185538A JP18553886A JPS6341021A JP S6341021 A JPS6341021 A JP S6341021A JP 61185538 A JP61185538 A JP 61185538A JP 18553886 A JP18553886 A JP 18553886A JP S6341021 A JPS6341021 A JP S6341021A
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程において、基板の選択露
光に用いられる縮小投影露光装置に関する。
光に用いられる縮小投影露光装置に関する。
従来の半導体装置の製造工程中のリソグラフィープロセ
スにおいて、基板の選択露光に用いられる縮小投影露光
装置は、基板上のパターンとレチクル像のパターンとの
重ね合わせの方法として、光軸に垂直な方向（Ｘ方向お
よびＸ方向）と、Ｘ−Ｙ平面内での像の回転方向（θ方
向）については、基板とレチクル像のアライメントマー
クを検出して機械的に基板またはレチクル像を移動させ
ることによシ行っている。また光軸方向（２方向）に対
しては、像のコントラストやエアマイクロセンサあるい
は静電容量センナ等によって基板の表面の位置を検出し
、基板をレチクル像のフォーカス面に相対的一致するよ
うに移動させることにより行っている。
スにおいて、基板の選択露光に用いられる縮小投影露光
装置は、基板上のパターンとレチクル像のパターンとの
重ね合わせの方法として、光軸に垂直な方向（Ｘ方向お
よびＸ方向）と、Ｘ−Ｙ平面内での像の回転方向（θ方
向）については、基板とレチクル像のアライメントマー
クを検出して機械的に基板またはレチクル像を移動させ
ることによシ行っている。また光軸方向（２方向）に対
しては、像のコントラストやエアマイクロセンサあるい
は静電容量センナ等によって基板の表面の位置を検出し
、基板をレチクル像のフォーカス面に相対的一致するよ
うに移動させることにより行っている。
上述したような従来の縮小投影露光装置は、レチクルの
位置が光学系に対して固定されているため光学系の配置
によって決まるレチクル像の太きさは変えることができ
ず、従って温度のわずかな差異で生じる基板やレチクル
の伸縮にともなう縮小率の誤差を補正することができな
いという欠点がある。
位置が光学系に対して固定されているため光学系の配置
によって決まるレチクル像の太きさは変えることができ
ず、従って温度のわずかな差異で生じる基板やレチクル
の伸縮にともなう縮小率の誤差を補正することができな
いという欠点がある。
本発明が解決しようとする問題点、換言すれば本発明の
目的は、上述のような従来の縮小投影露光装置の欠点を
除去し、レチクル保持板の位Ｒをレンズ系に対して相対
的に移動させることができるようにして縮小率の誤差を
補正することができ、従って精度のすぐれた縮小投影露
光装置を提供することにある。
目的は、上述のような従来の縮小投影露光装置の欠点を
除去し、レチクル保持板の位Ｒをレンズ系に対して相対
的に移動させることができるようにして縮小率の誤差を
補正することができ、従って精度のすぐれた縮小投影露
光装置を提供することにある。
本発明の縮小投影露光装置は、周辺部の３箇所以上に位
置検出マークを有するレチクルを搭載するレチクル保持
板と、前記レチクル保持板を支持する３個の支点と、前
記３個の支点を独立に駆動する駆動機構とを備え、前記
レチクルの前記位置検出マークの像の半導体装置基板に
対する相対位と 置を検出し、前記相対位置のずれｇそれによる縮小率の
誤差を算出し、前記支点をこの算出した誤差に対応する
量だけ前記駆動４ａ構を動作させることによって移動さ
せて前記誤差を補正するようにして構成される。
置検出マークを有するレチクルを搭載するレチクル保持
板と、前記レチクル保持板を支持する３個の支点と、前
記３個の支点を独立に駆動する駆動機構とを備え、前記
レチクルの前記位置検出マークの像の半導体装置基板に
対する相対位と 置を検出し、前記相対位置のずれｇそれによる縮小率の
誤差を算出し、前記支点をこの算出した誤差に対応する
量だけ前記駆動４ａ構を動作させることによって移動さ
せて前記誤差を補正するようにして構成される。
ま
本発明による縮小投影露光装置は、上記のがう辺部の３
箇所以上の点で行う検出機構と、Ｘ方向およびＹ方向の
縮小率の誤差を算出する算出機構と、算出された縮小率
の誤差をレチクル保持板を光軸方向に移動させたＤ６る
いはレチクル保持板に傾＠を与えることによって補正す
る補正機構とを有している。
箇所以上の点で行う検出機構と、Ｘ方向およびＹ方向の
縮小率の誤差を算出する算出機構と、算出された縮小率
の誤差をレチクル保持板を光軸方向に移動させたＤ６る
いはレチクル保持板に傾＠を与えることによって補正す
る補正機構とを有している。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の光学系の構成を示している
。
。
第１図において、参照符号１は光源、２は光軸、３はレ
チクル保持板、４はレチクル、５は主レンズ系、６は基
板、７・８・９はそれぞれ２方向への駆動装置と直結し
た支点であってレチクル保持板を支持する。１０−１１
・１２はそれぞれの点において基板に対するレチクル像
の相対位置を検出するための位置検出マークで、レチク
ル４の周辺部に３箇所設けられている。
チクル保持板、４はレチクル、５は主レンズ系、６は基
板、７・８・９はそれぞれ２方向への駆動装置と直結し
た支点であってレチクル保持板を支持する。１０−１１
・１２はそれぞれの点において基板に対するレチクル像
の相対位置を検出するための位置検出マークで、レチク
ル４の周辺部に３箇所設けられている。
光源１から出た光は、光軸２に沿って進み、レチクル４
のレチクルパターンの像を王レンズ系５によって基板６
上に結ぶ。このときレチクル４内の位置検出マーク１０
・１１・１２によってレチクルパターンの像と基板との
Ｘ−Ｙ・θの各方向の相対位置のずれを検出するととも
に、Ｘ方向およびＹ方向に対する縮小率の誤差を検出す
る。レチクル保持板３は支点７・８・９の３点で支持さ
れていて、各支点はサーボモータ等の駆動機構によって
独立にＺ方向へ動かすことが可能であり、検出した縮小
率の誤差全補正するために必要な移動量を算出機構（図
示省略）で算出し、支点７・８・９をその量だけ移動さ
せることによって誤差を補正する。またこのとき、通常
のＸ−Ｙ・θ方向の位置合せを同時に行い、再確認のあ
と露光を行う。
のレチクルパターンの像を王レンズ系５によって基板６
上に結ぶ。このときレチクル４内の位置検出マーク１０
・１１・１２によってレチクルパターンの像と基板との
Ｘ−Ｙ・θの各方向の相対位置のずれを検出するととも
に、Ｘ方向およびＹ方向に対する縮小率の誤差を検出す
る。レチクル保持板３は支点７・８・９の３点で支持さ
れていて、各支点はサーボモータ等の駆動機構によって
独立にＺ方向へ動かすことが可能であり、検出した縮小
率の誤差全補正するために必要な移動量を算出機構（図
示省略）で算出し、支点７・８・９をその量だけ移動さ
せることによって誤差を補正する。またこのとき、通常
のＸ−Ｙ・θ方向の位置合せを同時に行い、再確認のあ
と露光を行う。
第２図は、第１図の実施例の光学系のモデル図であシ、
参照符号１３・１３ａはレチクルのノくターン、１４−
１４ａはレチクルパターン１３・１３ｊＬに対応するレ
チクルパターン像を示している。また参照符号１５はレ
ンズを示している。
参照符号１３・１３ａはレチクルのノくターン、１４−
１４ａはレチクルパターン１３・１３ｊＬに対応するレ
チクルパターン像を示している。また参照符号１５はレ
ンズを示している。
第２図において、レチクルパターン１３はレンズ５によ
ってレチクルパターン像１４ｔ−結ぶが、レチクルパタ
ーンの位置を２軸の下方に移動させたし；：〒クルパタ
ーン１３ａの像はＩ４ａとなってその大きさを変える。
ってレチクルパターン像１４ｔ−結ぶが、レチクルパタ
ーンの位置を２軸の下方に移動させたし；：〒クルパタ
ーン１３ａの像はＩ４ａとなってその大きさを変える。
このとき同時に焦点面も移動してＺ軸方向のずれが生じ
るが、基板表面の位置合せ（オート７オーカシング）機
構によってこれに相当する量を補正する。
るが、基板表面の位置合せ（オート７オーカシング）機
構によってこれに相当する量を補正する。
以上説明したように本発明の縮小投影露光装置は、露光
フィールド内の３箇所以上の点において半導体基板に対
するレチクル投影像の相対的位置を検出し、Ｘ−Ｙ−Ｚ
・θ各方向の位置合せに加えて、レチクル保持板の位置
をレンズ系に対して相対的に移動させることによって光
路内のレチクルの位ｔ’ｒ変化させ、もって縮小率の誤
差の補正ができるという効果があり、従って精度のすぐ
れた縮小投影露光装置が得られるという効果がある。
フィールド内の３箇所以上の点において半導体基板に対
するレチクル投影像の相対的位置を検出し、Ｘ−Ｙ−Ｚ
・θ各方向の位置合せに加えて、レチクル保持板の位置
をレンズ系に対して相対的に移動させることによって光
路内のレチクルの位ｔ’ｒ変化させ、もって縮小率の誤
差の補正ができるという効果があり、従って精度のすぐ
れた縮小投影露光装置が得られるという効果がある。
第１図は本発萌仁実施例の光学系の構成を示す斜視図、
第２図は第１図の実施例の光学系のモデル図である。 １・・・・・・光源、２・・・・・・光軸、３・・・・
・・レチクル保持板、４・・・・・・レチクル、５・・
・・・・主レンズ系、６・・・・・・基板、７・８・９
・・・・・・支点、１０・１１・１２・・・・・・位置
検出マーク。 第１図
第２図は第１図の実施例の光学系のモデル図である。 １・・・・・・光源、２・・・・・・光軸、３・・・・
・・レチクル保持板、４・・・・・・レチクル、５・・
・・・・主レンズ系、６・・・・・・基板、７・８・９
・・・・・・支点、１０・１１・１２・・・・・・位置
検出マーク。 第１図
Claims (1)
- 周辺部の３箇所以上に位置検出マークを有するレチクル
を搭載するレチクル保持板と、前記レチクル保持板を支
持する３個の支点と、前記３個の支点を独立に駆動する
駆動機構とを備え、前記レチクルの前記位置検出マーク
の像の半導体装置基板に対する相対位置を検出し、前記
相対位置のずれとそれによる縮小率の誤差を算出し、前
記支点をこの算出した誤差に対応する量だけ前記駆動機
構を動作させることによって移動させて前記誤差を補正
することを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61185538A JPS6341021A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61185538A JPS6341021A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6341021A true JPS6341021A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16172557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61185538A Pending JPS6341021A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6341021A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010032942A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 露光方法、露光装置およびフラットパネルディスプレイの製造方法 |
| JP2012084793A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Nikon Corp | 露光方法、サーバ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| CN109143794A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-01-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 提高曝光精度的方法以及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021051A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レンズ投影露光方法及び装置 |
| JPS60123028A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS60261137A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP61185538A patent/JPS6341021A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021051A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レンズ投影露光方法及び装置 |
| JPS60123028A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS60261137A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010032942A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 露光方法、露光装置およびフラットパネルディスプレイの製造方法 |
| JP2012084793A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Nikon Corp | 露光方法、サーバ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| CN109143794A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-01-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 提高曝光精度的方法以及装置 |
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