JPS632137B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS632137B2 JPS632137B2 JP57010005A JP1000582A JPS632137B2 JP S632137 B2 JPS632137 B2 JP S632137B2 JP 57010005 A JP57010005 A JP 57010005A JP 1000582 A JP1000582 A JP 1000582A JP S632137 B2 JPS632137 B2 JP S632137B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- stage
- fine movement
- movement stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、粗アライメントステージと精アライ
メントステージによりウエハとマスクのアライメ
ントを高精度に行うＸ線アライナのアライメント
方法に関する。
メントステージによりウエハとマスクのアライメ
ントを高精度に行うＸ線アライナのアライメント
方法に関する。
Ｘ線アライナやプロジエクシヨンアライナなど
のマスクアライナ装置では、ウエハとマスクを超
高精度にアライメントする必要が生じている。こ
のためアライメント方法として粗アライメントと
精アライメントとを別々のステージで行う方式が
従来より用いられている。しかし、この方式によ
るものは、粗アライメントステージの上に精アラ
イメントステージを載せるもので、粗アライメン
トステージの移動量をレーザ測長器等で測長し、
精アライメントステージの移動量を差動トランス
等で測長し、その結果を制御装置内で合成計算し
移動量を算出するものである。
のマスクアライナ装置では、ウエハとマスクを超
高精度にアライメントする必要が生じている。こ
のためアライメント方法として粗アライメントと
精アライメントとを別々のステージで行う方式が
従来より用いられている。しかし、この方式によ
るものは、粗アライメントステージの上に精アラ
イメントステージを載せるもので、粗アライメン
トステージの移動量をレーザ測長器等で測長し、
精アライメントステージの移動量を差動トランス
等で測長し、その結果を制御装置内で合成計算し
移動量を算出するものである。
このような測定方法では、レーザ測長器等の誤
差と差動トランス等の誤差とが加算されるため、
高精度のアライメントができない欠点を有してい
た。又、粗アライメントステージの上に重い精ア
ライメントステージを載せなければならないた
め、振動の発生、移動スピードの低下などの問題
が生じる欠点を有していた。
差と差動トランス等の誤差とが加算されるため、
高精度のアライメントができない欠点を有してい
た。又、粗アライメントステージの上に重い精ア
ライメントステージを載せなければならないた
め、振動の発生、移動スピードの低下などの問題
が生じる欠点を有していた。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
すべく、Ｘ線露光装置において、マスク微動ステ
ージを小型にしてウエハに対して微少間隙形成し
てマスクを設置できるように形成してウエハステ
ージを高精度にステツプ・アンド・レピートして
更にウエハとマスクとを高精度に、しかも迅速に
アライメントができるようにして優れたＸ線アラ
イナが得られるようにしたＸ線アライナを提供す
ることにある。
すべく、Ｘ線露光装置において、マスク微動ステ
ージを小型にしてウエハに対して微少間隙形成し
てマスクを設置できるように形成してウエハステ
ージを高精度にステツプ・アンド・レピートして
更にウエハとマスクとを高精度に、しかも迅速に
アライメントができるようにして優れたＸ線アラ
イナが得られるようにしたＸ線アライナを提供す
ることにある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために
は、Ｘ線を発生するＸ線源と、マスクを下面に取
付けて水平なるＸ及びＹ方向に微動できるように
各々駆動源を備えて平行な弾性体で形成された４
つのリンク機構で連結されたＸ及びＹ微動テーブ
ルにより構成され、上記Ｘ線源の下方に設置され
たマスク微動ステージと、上記マスクと対向する
ようにウエハを載置してステツプ・アンド・レピ
ートさせるウエハステージと、上記Ｘ線源とマス
ク微動ステージとの間に設置され、マスクのアラ
イメントマークとウエハのアライメントマークと
の光像を撮像して相対的位置を検出する対なる検
出光学系と、上記マスク微動ステージに設けられ
た反射鏡と上記ウエハステージに設けられた反射
鏡とにレーザ光を照射して反射されたレーザ光を
参照して相対的変位を検出するレーザ測長器と、
該レーザ測長器によつて測定された相対的変位に
基いて上記ウエハステージをステツプ・アンド・
レピートさせ、更に上記検出光学系によつて検出
された相対的位置誤差をなくすように上記マスク
微動ステージを微動させ、マスクとウエハとを位
置整合する整合手段とを備えたことを特徴とする
Ｘ線アライナである。
は、Ｘ線を発生するＸ線源と、マスクを下面に取
付けて水平なるＸ及びＹ方向に微動できるように
各々駆動源を備えて平行な弾性体で形成された４
つのリンク機構で連結されたＸ及びＹ微動テーブ
ルにより構成され、上記Ｘ線源の下方に設置され
たマスク微動ステージと、上記マスクと対向する
ようにウエハを載置してステツプ・アンド・レピ
ートさせるウエハステージと、上記Ｘ線源とマス
ク微動ステージとの間に設置され、マスクのアラ
イメントマークとウエハのアライメントマークと
の光像を撮像して相対的位置を検出する対なる検
出光学系と、上記マスク微動ステージに設けられ
た反射鏡と上記ウエハステージに設けられた反射
鏡とにレーザ光を照射して反射されたレーザ光を
参照して相対的変位を検出するレーザ測長器と、
該レーザ測長器によつて測定された相対的変位に
基いて上記ウエハステージをステツプ・アンド・
レピートさせ、更に上記検出光学系によつて検出
された相対的位置誤差をなくすように上記マスク
微動ステージを微動させ、マスクとウエハとを位
置整合する整合手段とを備えたことを特徴とする
Ｘ線アライナである。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。
る。
第１図はＸ線アライナの全体構成を示したもの
である。
である。
ベース１３にはウエハステージ５が載置されて
いる。ウエハステージ５は、Ｘ方向に移動するＸ
軸ステージ５ａ、Ｙ方向に移動するＹ軸ステージ
５ｂおよび回転方向に移動する回転軸（θ軸と称
呼）ステージ５ｃから構成されている。θ軸ステ
ージ５ｃは図示していないが粗微動の可能な構成
とされ、上面にウエハ１を載置している。
いる。ウエハステージ５は、Ｘ方向に移動するＸ
軸ステージ５ａ、Ｙ方向に移動するＹ軸ステージ
５ｂおよび回転方向に移動する回転軸（θ軸と称
呼）ステージ５ｃから構成されている。θ軸ステ
ージ５ｃは図示していないが粗微動の可能な構成
とされ、上面にウエハ１を載置している。
ウエハステージ５の上方側にはマスク微動ステ
ージ６が配設されている。マスク微動ステージ６
は図で明示されてはいないが、ウエハステージ５
とは別個に本体に支持されている。
ージ６が配設されている。マスク微動ステージ６
は図で明示されてはいないが、ウエハステージ５
とは別個に本体に支持されている。
マスク微動ステージ６は、マスク２を取着する
保持台６ａとマスクをＸ方向およびＹ方向に微動
すべく水平方向に弾性体で連結した直線ガイド機
構６ｂから構成されている。
保持台６ａとマスクをＸ方向およびＹ方向に微動
すべく水平方向に弾性体で連結した直線ガイド機
構６ｂから構成されている。
ウエハステージ５およびマスク微動ステージ６
には反射鏡１５および１６が配置され単一のレー
ザ測長器７からのレーザ光１８と干渉計１４によ
り位置測定がなされる。
には反射鏡１５および１６が配置され単一のレー
ザ測長器７からのレーザ光１８と干渉計１４によ
り位置測定がなされる。
マスク２の上方にはウエハ１とマスク２とのア
ライメントマーク位置を検出する光学系４，９が
設置されている。なお、光学系４，９は不使用時
にはＸ線露光の光路から退避できるようにされて
いる。光学系４，９には検出器３，８がそれぞれ
対応して配置されている。
ライメントマーク位置を検出する光学系４，９が
設置されている。なお、光学系４，９は不使用時
にはＸ線露光の光路から退避できるようにされて
いる。光学系４，９には検出器３，８がそれぞれ
対応して配置されている。
発光源１９内は真空に保持され、その中にＸ線
源１０が設置されている。Ｘ線源１０からのＸ線
はＸ線を通し易いベリウム窓１７を介し、ウエ
ハ、マスク側に照射される。
源１０が設置されている。Ｘ線源１０からのＸ線
はＸ線を通し易いベリウム窓１７を介し、ウエ
ハ、マスク側に照射される。
第２図は光学系４，９を退避させ、Ｘ線源１０
からＸ線を照射している状態を示す。
からＸ線を照射している状態を示す。
第３図および第４図はマスク微動ステージ６の
水平方向に弾性体で連結した直線ガイド機構を示
したものである。
水平方向に弾性体で連結した直線ガイド機構を示
したものである。
この水平方向に弾性体で連結した直線ガイド機
構は同一の構造を有するＸ軸ガイド機構とＹ軸ガ
イド機構を相互に直交させたものから構成されて
いる。
構は同一の構造を有するＸ軸ガイド機構とＹ軸ガ
イド機構を相互に直交させたものから構成されて
いる。
具体的には直線ガイド機構は、四角状のステー
ジ２１，２１′のそれぞれの対辺を固定ベース２
２，２２′，２５，２５′および連接棒２３，２
３′，２６，２６′にて被包し、連接棒２３，２
３′２６，２６′の両端部近傍をステージ２１，２
１′の四隅および固定ベース２２，２２′２５，２
５′の両端部と弾性支点イ，ロ，イ′，ロ′を介し
平行リンクａ，ｂで連結した構造となつている。
又、電歪素子２４，２７は固定ベース２２，２５
に設置され、ステージ２１，２１′を微動させる。
４対の平行リンクａ，ｂの作用により、Ｘ方向又
はＹ方向のいづれかの方向のみしか微動できない
ようになつているため、ヨーイングやピツチング
が生ずることなく、高精度の位置決めを保証する
ことができる。
ジ２１，２１′のそれぞれの対辺を固定ベース２
２，２２′，２５，２５′および連接棒２３，２
３′，２６，２６′にて被包し、連接棒２３，２
３′２６，２６′の両端部近傍をステージ２１，２
１′の四隅および固定ベース２２，２２′２５，２
５′の両端部と弾性支点イ，ロ，イ′，ロ′を介し
平行リンクａ，ｂで連結した構造となつている。
又、電歪素子２４，２７は固定ベース２２，２５
に設置され、ステージ２１，２１′を微動させる。
４対の平行リンクａ，ｂの作用により、Ｘ方向又
はＹ方向のいづれかの方向のみしか微動できない
ようになつているため、ヨーイングやピツチング
が生ずることなく、高精度の位置決めを保証する
ことができる。
第４図は第３図の側面図でＸ方向およびＹ方向
のステージの積重された状態が示されている。な
お、図に明示してないがステージ２１と２１′と
の間には球が介在し、円滑にＸ，Ｙ方向に微動で
きるようにされている。
のステージの積重された状態が示されている。な
お、図に明示してないがステージ２１と２１′と
の間には球が介在し、円滑にＸ，Ｙ方向に微動で
きるようにされている。
さて、次にアライメント方法を説明する。
まづ、ウエハステージ５をステツプ・アンド・
レピートして位置付け、ウエハステージ５とマス
ク微動ステージ６との相対的変位量をレーザ測長
器７で測定し、図示していない制御装置に記憶す
る。更にウエハ１とマスク２のそれぞれに表示し
てある２個のアライメントマークのうち、一方の
アライメントマークについての相対的位置ずれを
光学系４および検出器３で検出し、更に他方のア
ライメントマークについての相対的位置ずれを光
学系９および検出器８で検出し、制御装置に記憶
させる。制御装置は、これら２つの相対的位置ず
れに基いてマスク２とウエハ１との相対的位置補
正量を算出し、この補正量がなくなるようにレー
ザ測長器７にて測定される相対的変位量に基いて
マスク微動ステージ６を微動させて両者を位置整
合する。
レピートして位置付け、ウエハステージ５とマス
ク微動ステージ６との相対的変位量をレーザ測長
器７で測定し、図示していない制御装置に記憶す
る。更にウエハ１とマスク２のそれぞれに表示し
てある２個のアライメントマークのうち、一方の
アライメントマークについての相対的位置ずれを
光学系４および検出器３で検出し、更に他方のア
ライメントマークについての相対的位置ずれを光
学系９および検出器８で検出し、制御装置に記憶
させる。制御装置は、これら２つの相対的位置ず
れに基いてマスク２とウエハ１との相対的位置補
正量を算出し、この補正量がなくなるようにレー
ザ測長器７にて測定される相対的変位量に基いて
マスク微動ステージ６を微動させて両者を位置整
合する。
次に、光学系４および９を第２図に示すごとく
退避させ、Ｘ線露光を行う。このようにＸ線露光
においては、ウエハ１に較べてマスク２が小さい
ため、ウエハ１を所定の間隔送つて、即ちウエハ
ステージ５をステツプ・アンド・レピートしてそ
の都度ウエハ１とマスク２とをアライメントして
相対的に位置決めしてＸ線露光する必要がある。
退避させ、Ｘ線露光を行う。このようにＸ線露光
においては、ウエハ１に較べてマスク２が小さい
ため、ウエハ１を所定の間隔送つて、即ちウエハ
ステージ５をステツプ・アンド・レピートしてそ
の都度ウエハ１とマスク２とをアライメントして
相対的に位置決めしてＸ線露光する必要がある。
従つて、まづ、ウエハステージ５をステツプさ
せ、その停止位置と正規の位置との誤差分をレー
ザ測長器７で測定する。次に、この誤差分と、光
学系４および検出器３並びに光学系９および検出
器８で検出されるウエハ１とマスク２との相対的
位置ずれとを基にしてマツク微動ステージ６を微
動補正して位置決めする。以上の操作により、ウ
エハ１とマスク２とは相対的に正確にアライメン
トされ、Ｘ線により露光されることになる。以
下、同様のことを繰返してウエハ１の全面に亘つ
て同じ回路パターンが露光されることになる。
せ、その停止位置と正規の位置との誤差分をレー
ザ測長器７で測定する。次に、この誤差分と、光
学系４および検出器３並びに光学系９および検出
器８で検出されるウエハ１とマスク２との相対的
位置ずれとを基にしてマツク微動ステージ６を微
動補正して位置決めする。以上の操作により、ウ
エハ１とマスク２とは相対的に正確にアライメン
トされ、Ｘ線により露光されることになる。以
下、同様のことを繰返してウエハ１の全面に亘つ
て同じ回路パターンが露光されることになる。
このようにＸ線露光装置において、ウエハステ
ージ５とマスク微動ステージ６がそれぞれ対向さ
せて別々に配置することを可能にすると共に、こ
れらの相対的位置も単一のレーザ測長器７測長
し、更に高精度に位置決めをマスク微動ステージ
６を微動させて行うようにしたので、従来技術の
ごとき問題点も生じることなく、正確にステツ
プ・アンド・レピートし、ウエハとマスクとを正
確に、しかも迅速にアライメントすることができ
る。
ージ５とマスク微動ステージ６がそれぞれ対向さ
せて別々に配置することを可能にすると共に、こ
れらの相対的位置も単一のレーザ測長器７測長
し、更に高精度に位置決めをマスク微動ステージ
６を微動させて行うようにしたので、従来技術の
ごとき問題点も生じることなく、正確にステツ
プ・アンド・レピートし、ウエハとマスクとを正
確に、しかも迅速にアライメントすることができ
る。
以上説明したように本発明によれば、Ｘ線露光
装置において、ウエハに対して微少間隙形成して
マスクが配置できるようにウエハステージに対向
させてマスク微動ステージを配置させることを可
能にし、更にウエハステージに設けた反射鏡とマ
スク微動ステージに設けた反射鏡との間の相対的
変位量単一のレーザ測長器で測定するように構成
したので、高精度にウエハステージをステツプ・
アンド・レピートすることを可能にし、更にウエ
ハとマスクとを高精度に、しかも迅速にアライメ
ントができ、優れたＸ線アライナを得ることがで
きる効果を奏する。
装置において、ウエハに対して微少間隙形成して
マスクが配置できるようにウエハステージに対向
させてマスク微動ステージを配置させることを可
能にし、更にウエハステージに設けた反射鏡とマ
スク微動ステージに設けた反射鏡との間の相対的
変位量単一のレーザ測長器で測定するように構成
したので、高精度にウエハステージをステツプ・
アンド・レピートすることを可能にし、更にウエ
ハとマスクとを高精度に、しかも迅速にアライメ
ントができ、優れたＸ線アライナを得ることがで
きる効果を奏する。
第１図は本発明の実施例のアライナ装置の全体
構成を示す構成図、第２図は第１図のアライナ装
置によるＸ線露光状態を表示する説明図、第３図
はマスクを微動する直線ガイド機構を示す平面
図、第４図は第３図のＡ―Ａ断面図である。 １…ウエハ、２…マスク、３…検出器、４…光
学系、５…ウエハステージ、６…マスク微動ステ
ージ、７…レーザ測長器、８…検出器、９…光学
系、１０…Ｘ線源、１３…ベース、１４…干渉
計、１５，１６…反射鏡、１７…ベリウム窓、１
８…レーザ光、１９…発光源、２１，２１′…ス
テージ、２２，２２′，２５，２５′…固定ベー
ス、２３，２３′，２６，２６′…連接棒、２４，
２７…電歪素子。
構成を示す構成図、第２図は第１図のアライナ装
置によるＸ線露光状態を表示する説明図、第３図
はマスクを微動する直線ガイド機構を示す平面
図、第４図は第３図のＡ―Ａ断面図である。 １…ウエハ、２…マスク、３…検出器、４…光
学系、５…ウエハステージ、６…マスク微動ステ
ージ、７…レーザ測長器、８…検出器、９…光学
系、１０…Ｘ線源、１３…ベース、１４…干渉
計、１５，１６…反射鏡、１７…ベリウム窓、１
８…レーザ光、１９…発光源、２１，２１′…ス
テージ、２２，２２′，２５，２５′…固定ベー
ス、２３，２３′，２６，２６′…連接棒、２４，
２７…電歪素子。
Claims (1)
- １ Ｘ線を発生するＸ線源と、マスクを下面に取
付けて水平なるＸ及びＹ方向に微動できるように
各々駆動源を備えて平行な弾性体で形成された４
つのリンク機構で連結されたＸ及びＹ微動テーブ
ルにより構成され、上記Ｘ線源の下方に設置され
たマスク微動ステージと、上記マスクと対向する
ようにウエハを載置してステツプ・アンド・レピ
ートさせるウエハステージと、上記Ｘ線源とマス
ク微動ステージとの間に設置され、マスクのアラ
イメントマークとウエハのアライメントマークと
の光像を撮像して相対的位置を検出する対なる検
出光学系と、上記マスク微動ステージに設けられ
た反射鏡と上記ウエハステージに設けられた反射
鏡とにレーザ光を照射して反射されたレーザ光を
参照して相対的変位を検出するレーザ測長器と、
該レーザ測長器によつて測定された相対的変位に
基いて上記ウエハステージをステツプ・アンド・
レピートさせ、更に上記検出光学系によつて検出
された相対的位置誤差をなくすように上記マスク
微動ステージを微動させ、マスクとウエハとを位
置整合する整合手段とを備えたことを特徴とする
Ｘ線アライナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010005A JPS58128735A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Ｘ線アライナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010005A JPS58128735A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Ｘ線アライナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128735A JPS58128735A (ja) | 1983-08-01 |
| JPS632137B2 true JPS632137B2 (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=11738290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57010005A Granted JPS58128735A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Ｘ線アライナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187434A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-26 | Mc Sci:Kk | 熱機械分析装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2799575B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-09-17 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JP2644692B2 (ja) * | 1995-01-30 | 1997-08-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線転写装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021232A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-06 | ||
| JPS51111076A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Exposure device |
| JPS541553A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-08 | Toshiba Corp | Group management control method of elevator |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP57010005A patent/JPS58128735A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021232A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-06 | ||
| JPS51111076A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Exposure device |
| JPS541553A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-08 | Toshiba Corp | Group management control method of elevator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187434A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-26 | Mc Sci:Kk | 熱機械分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58128735A (ja) | 1983-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7499180B2 (en) | Alignment stage, exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing method | |
| US6624433B2 (en) | Method and apparatus for positioning substrate and the like | |
| JP2829642B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2679186B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI309753B (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and angular encoder | |
| JP2646412B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH10223528A (ja) | 投影露光装置及び位置合わせ方法 | |
| JP5674197B2 (ja) | 近接露光装置及び近接露光方法 | |
| JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0581046B2 (ja) | ||
| JPS632137B2 (ja) | ||
| JPH07326567A (ja) | 等倍投影型露光装置 | |
| JP2816272B2 (ja) | 位置決め装置 | |
| JPS62150106A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2006100590A (ja) | 近接露光装置 | |
| JP3290233B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH08162391A (ja) | 投影露光装置 | |
| US4808002A (en) | Method and device for aligning first and second objects relative to each other | |
| EP0450592B1 (en) | Alignment system, particularly for X-ray or photolithography | |
| JP4487700B2 (ja) | 近接露光装置 | |
| JP2860567B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS6341021A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP7088552B2 (ja) | 近接露光装置及び近接露光方法 | |
| JP2004138554A (ja) | 計測装置及び露光装置 | |
| JPH0573934U (ja) | 露光装置 |