CN110609449B - 曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法 - Google Patents

曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110609449B
CN110609449B CN201910513151.XA CN201910513151A CN110609449B CN 110609449 B CN110609449 B CN 110609449B CN 201910513151 A CN201910513151 A CN 201910513151A CN 110609449 B CN110609449 B CN 110609449B
Authority
CN
China
Prior art keywords
acceleration
stage
original plate
substrate
scan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910513151.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110609449A (zh
Inventor
淡路川智纪
星野勇人
樱川宽大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN110609449A publication Critical patent/CN110609449A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110609449B publication Critical patent/CN110609449B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022—Devices or apparatus
    • G03F7/0025—Devices or apparatus characterised by means for coating the developer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种在扫描由台保持的原版的同时经由所述原版曝光基板的曝光方法，其包括：执行在使得最大加速度变成第一加速度的状态下扫描驱动所述台的第一步骤；以及在执行所述第一步骤之后，执行在曝光所述基板的同时在使得所述最大加速度变成第二加速度的状态下扫描驱动所述台的第二步骤，其中，所述第一加速度低于所述第二加速度。本发明还提供了一种曝光设备和提供物品的方法。

Description

曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法
技术领域
本发明涉及一种曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法。
背景技术
作为用于半导体装置、显示器(FPD)等的制造步骤(光刻步骤)的一种类型的设备，已知一种曝光设备，所述曝光设备在相对地扫描驱动原版和基板的同时曝光(扫描和曝光)基板，并且将原版的图案转印到基板上。在此类曝光设备中，由于原版与基板之间的保持状态(例如紧接在台保持原版(或基板)之后)不完全，当驱动所述台时作用于原版的惯性力可能会致使原版相对于台的位置波动(滑动)。日本专利特开No.2015-231035公开一种技术，所述技术在基板的扫描曝光之前以等于扫描曝光时的最大加速度的最大加速度执行台的初步驱动，以便通过改进原版(标线)与台之间的保持状态而将原版固定到台上。
对于曝光设备而言，期望通过驱动台而将原版固定在台上的位置与原版待在台上布置的目标位置之间的误差较小。
发明内容
本发明提供例如一种有利于将原版固定到台上的技术。
根据本发明的一个方面，提供一种曝光方法，所述曝光方法在扫描由台保持的原版的同时经由所述原版曝光基板，所述曝光方法包括：执行在使得最大加速度变成第一加速度的状态下扫描驱动所述台的第一步骤；以及在执行所述第一步骤之后，执行在曝光所述基板的同时在使得所述最大加速度变成第二加速度的状态下扫描驱动所述台的第二步骤，其中，所述第一加速度低于所述第二加速度。
根据本发明的一个方面，提供一种曝光设备，所述曝光设备用于在扫描原版的同时经由所述原版曝光基板，所述曝光设备包括：台，所述台构造成在保持所述原版的同时移动；和控制单元，所述控制单元构造成在控制在使得最大加速度变成第一加速度的状态下所述台的扫描驱动之后，控制在曝光所述基板的同时在使得所述最大加速度变成第二加速度的状态下所述台的扫描驱动，其中，所述第一加速度低于所述第二加速度。
根据本发明的一个方面，提供一种制造物品的方法，所述方法包括：使用曝光方法曝光基板；显影所曝光的基板；以及处理所显影的基板以制造物品，其中，所述曝光方法在扫描由台保持的原版的同时经由所述原版曝光所述基板，并且包括：执行在使得最大加速度变成第一加速度的状态下扫描驱动所述台的第一步骤；以及在执行所述第一步骤之后，执行在曝光所述基板的同时在使得所述最大加速度变成第二加速度的状态下扫描驱动所述台的第二步骤，其中，所述第一加速度低于所述第二加速度。
参考附图，根据示范性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得显而易见。
附图说明
图1是示出曝光设备100的布置的视图；
图2是示出当从上方观察时保持原版的原版台的视图；
图3是示出扫描驱动的次数与原版的位置波动之间的关系的图；
图4是用于解释减少原版的位置波动的原理的视图；
图5是示出根据第一实施例的原版台的扫描驱动的示例的时序图；
图6是示出在一个驱动步骤中的原版台的操作的时序图；
图7是示出在原版台的首次扫描驱动时原版的位置波动与最大加速度之间的关系的图；
图8是示出对改变最大加速度时在原版台的首次扫描驱动时原版的位置波动进行实验的结果的视图；
图9是说明根据第一实施例的曝光设备的控制程序的流程图；
图10示出根据第二实施例的原版台的扫描驱动的示例的时序图；
图11是说明根据第二实施例的曝光设备的控制程序的流程图；
图12是示出根据第三实施例的原版台的扫描驱动的示例的时序图；以及
图13是说明根据第三实施例的曝光设备的控制程序的流程图。
具体实施方式
以下将参考附图描述本发明的示范性实施例。应注意，相同的附图标记在整个附图中表示相同的构件，并且将不再给出其重复描述。
<第一实施例>
将参考附图详细地描述根据本发明的第一实施例。图1是示出根据本实施例的曝光设备100的布置的视图。图1所示的曝光设备100可为以下曝光设备中的一种：曝光设备，所述曝光设备在投影光学系统2与基板W之间没有液体介入的情况下曝光基板W(晶片)；和液体浸没式曝光设备，所述液体浸没式曝光设备在投影光学系统2与基板W之间有液体介入的情况下曝光基板W。以下将描述使用其上形成有电路图案的原版M(标线或掩模)将半导体装置的电路图案转印到基板上的曝光设备。
图1所示的曝光设备100是所谓的扫描和重复方法的曝光设备(扫描曝光设备)，其在相对地扫描驱动原版M和基板W的同时曝光基板W。曝光设备100可以包括照明光学系统1、投影光学系统2、在保持原版M的同时可以移动的原版台3、在保持基板W的同时可以移动的基板台4、以及控制单元C。控制单元C由例如包括CPU和存储器(存储单元)的计算机形成，并且控制曝光设备100的相应单元。图1所示的XYZ正交坐标系可以被限定成使得由X和Y方向限定的平面平行于基板W的表面，并且Z方向垂直于基板W的表面。
照明光学系统1使从光源5发射的光成形成例如带状或弧形光，并且利用成形的光照亮原版M的一部分。尽管发射具有248nm波长的光的KrF准分子激光器可以用作光源5，但也可以使用汞灯、ArF准分子激光器(波长为193nm)、EUV光源等。投影光学系统2具有预定投影放大率，并且将原版M的被照明光学系统1照亮的一部分的图案投影在基板上(在基板上形成图像)。
原版台3包括：原版卡盘3a，所述原版卡盘3a通过例如真空吸附、静电吸附等保持原版M；原版驱动单元3b，所述原版驱动单元3b在X和Y方向上将原版M连同原版卡盘3a一起驱动；以及基准板3c，指示原版台3的参考位置的标记形成在所述基准板3c上。基板台4包括：基板卡盘4a，所述基板卡盘4a通过例如真空吸附、静电吸附等保持基板W；基板驱动单元4b，所述基板驱动单元4b在X和Y方向上将基板W连同基板卡盘4a一起驱动；以及基准板4c，指示基板台4的参考位置的标记形成在所述基准板4c上。原版台3和基板台4被布置成使得原版M和基板W位于经由投影光学系统2的几乎光学共轭位置(投影光学系统2的物平面和像平面)。
原版台3和基板台4的位置分别由测量单元10和12测量。测量单元10包括例如激光干涉仪，并且可以基于在向设置在原版台3中的条形反射镜11发射激光时由所述条形反射镜11反射的激光测量原版台3的位置。类似地，测量单元12包括例如激光干涉仪，并且可以基于在向设置在基板台4中的条形反射镜13发射激光时由所述条形反射镜13反射的激光测量基板台4的位置。
在基板W的扫描曝光期间，控制单元C基于分别由测量单元10和12测量的原版台3和基板台4的位置信息的片段以对应于投影光学系统2的投影放大率的速度比彼此同步地相对地扫描驱动原版台3和基板台4。这可以将原版M的图案转印到基板上(更确切地说，基板上的抗蚀层)。
曝光设备100还可以包括原版位置检测单元14(原版对准检测单元)、基板位置检测单元15(基板对准检测单元)、以及表面位置检测单元16。原版位置检测单元14包括对准观察仪，所述对准观察仪检测通过由控制单元C控制原版台3的位置而布置在原版位置检测单元14上方的原版M的标记和原版台3的标记，并且获得标记之间的相对位置。例如，如图2所示，在X方向上间隔开的多个标记18设置在原版台3(原版卡盘3a)上，并且原版位置检测单元14检测原版M的每个标记17和原版台3的每个标记18。这可以使原版位置检测单元14获得原版M相对于原版台3的位置偏差(X、Y和θ方向)。
基板位置检测单元15包括对准观察仪，所述对准观察仪检测设置在基板W中的多个照射区域当中的样品照射区域中的多个标记，并且通过对检测结果执行统计处理获得基板W中的多个照射区域的阵列信息。表面位置检测单元16包括将光投影在基板W的表面上的投影仪16a以及接收由基板W的表面反射的光的光学接收器16b，并且检测基板W的表面的高度(在Z方向上的位置)。参考图1，原版位置检测单元14和基板位置检测单元15中的每一个形成为离轴检测单元，所述离轴检测单元在没有投影光学系统2介入的情况下检测每个标记。然而，本发明不限于此。例如，每个单元可以形成为例如TTL(通过透镜式(Through TheLens))检测单元，所述TTL检测单元在投影光学系统2介入的情况下检测每个标记。
在曝光设备100中，原版M由原版传输单元(未示出)布置在原版台3上的目标位置处(待布置原版M的位置)，并且使原版台3保持原版M，由此开始基板W的扫描曝光。然而，紧接在原版台3对原版M的保持开始之后，原版台3与原版M之间的保持状态是不完全的。因此，如果原版台3在此状态下被驱动，那么作用于原版M的惯性力可能致使原版台3上的原版M的位置波动(滑动)。也就是说，原版台3上的目标位置与原版M之间的相对位置可能由于原版台3的扫描驱动而变化。原版M的此种位置波动最容易在原版M的保持开始之后原版台3的首次扫描驱动时发生，如图3所示，并且还趋于较大。另一方面，如果重复原版台3的扫描驱动，那么原版M的保持状态被改善以将原版M固定到原版台3，因此减少位置波动。
图4是用于解释通过重复原版台3的扫描驱动而减少原版M的位置波动的原理的视图。在图4中，41示出原版台3与原版M之间的边界部分的放大视图，并且42和43各自示出图4中的41中的微型区域的放大视图。此外，图4的42示出当扫描驱动原版台3时最大加速度较低的情况，并且图4的43示出当扫描驱动原版台3时最大加速度较高的情况。
在图4的41到43中，左视图(紧接在保持开始之后)均示出紧接在原版M布置在原版台3上的目标位置处且原版台3开始保持原版M之后的状态。在此状态下，由于原版M在原版M变形和扭曲的同时被供应到原版台3且由原版台3保持，因此发生所谓的吸附扭曲(真空扭曲或吸着扭曲)，并且可能微观地存在原版M与原版台3彼此并不接触的多个区域(间隙)。也就是说，此状态是原版台3对原版M的保持并不稳定的状态。另一方面，如果原版台3的扫描驱动仅被执行一次，那么惯性力作用于原版M以大大减少吸附扭曲，如图4的41到43中的中央视图(在首次驱动之后)所示，由此使得能够改进原版台3对原版M的保持状态。此时，由于图4的43所示的高加速度时的惯性力大于图4的42所示的低加速度时的惯性力，因此位置波动趋于较大。如果进一步执行原版台3的扫描驱动，那么能够将原版M固定到原版台3，由此进一步改进原版台3对原版M的保持状态，如图4的41到43中的右视图(在多次驱动之后)所示。
通过以此方式重复原版台3的扫描驱动，原版台3对原版M的保持可以被改善以将原版M固定到原版台3上。因此，一般来说，曝光设备通过在不曝光基板W的情况下扫描驱动原版台3来执行“初步扫描驱动”以用于将原版M固定到原版台3上。“初步扫描驱动”可以被定义为在原版台3的与基板W的扫描曝光时的移动冲程相同的移动冲程(移动范围)中驱动原版台3而不使其停止。此外，“初步扫描驱动”可以定义为在与基板W的扫描曝光时的条件相同的条件下(除了原版台3的加速度)执行原版台3的扫描驱动。
原版台3上的目标位置与通过初步扫描驱动固定到原版台3上的原版M的位置之间的误差(在下文中有时被称为“位置偏差”)可以例如通过在基板W的扫描曝光期间控制原版M与基板W之间的相对位置被校正。但是，位置偏差优选地较小。例如，当将原版M的标记布置在原版位置检测单元14上方时，控制单元C基于通过假设原版M被布置在原版台3上的目标位置处而获得的设计信息驱动原版台3。然而，如果加速度相对于原版台3对原版M的保持力变得等于或高于预定值，那么位置偏差会突然增加。因此，如果位置偏差过大，那么原版M的标记不会落在原版位置检测单元14的检测场内，并且可能变得难以定位原版M。在此情况下，搜索原版M的标记需要花费时间，这对于生产量而言可能不利。
为了解决这个问题，根据本实施例的曝光设备100执行在使得最大加速度变成第一加速度的状态下扫描驱动原版台3的第一步骤，以及执行在曝光基板W的同时在使得最大加速度变成第二加速度的状态下扫描驱动原版台3的第二步骤。此时，在第一步骤中应用的第一加速度设定成低于在第二步骤中应用的第二加速度。这可以减少原版台3上的原版M的目标位置与固定位置之间的误差(位置偏差)。第二加速度是在预设成执行基板W的扫描曝光的工艺中原版台3的最大加速度，并且可以例如为设定成使得一个照射区域的扫描曝光所花费的时间等于或短于期望值的原版台3的最大加速度。
如图3所示，原版台3上的原版M的位置波动由于在原版台3开始保持原版M之后首次扫描驱动原版台3趋于较大。因此，第一步骤优选地包括在开始保持原版M之后原版台3的首次扫描驱动。应注意，以下描述中使用的“原版台3的扫描驱动”被定义为在与在基板W的扫描曝光时的移动冲程相同的移动冲程中在一个方向上驱动原版台3。
图5是示出根据本实施例的曝光设备100中的原版台3的扫描驱动的示例的时序图。在图5中，横坐标表示时间，纵坐标表示原版台3的加速度。图5所示的驱动步骤A到G中的每一个包括原版台3在与在基板W的扫描曝光时的移动冲程相同的移动冲程中的往复驱动。更确切地说，如图6所示，一个驱动步骤包括在预定方向(例如，+Y方向)上原版台3的扫描驱动20以及在与预定方向相反的方向(例如，-Y方向)上原版台3的扫描驱动21。在预定方向上的原版台3的扫描驱动20包括加速操作D1和减速操作D2，并且在相反方向上的原版台3的扫描驱动21包括加速操作D3和减速操作D4。相对于每个加速操作(每个减速操作)，考虑到原版M的位置波动的再现性优选地提供恒定的加速阶段22(恒定的减速阶段)。
在图5所示的示例中，在开始保持原版M之后，在使得最大加速度变成第一加速度a1的状态下执行原版台3的扫描驱动的驱动步骤A和B被执行。在驱动步骤A和B之后，在使得最大加速度变成第二加速度a2的状态下执行原版台的扫描驱动的驱动步骤C到G被执行。如上所述，第一加速度a1被设定成低于第二加速度a2的值。
在图5所示的示例中，开始基板W的扫描曝光的时间由箭头23a到23d指示。例如如果基板的扫描曝光从驱动步骤E开始(如由箭头23a指示)，那么应用第一加速度a1的驱动步骤A和B以及应用第二加速度a2的驱动步骤C和D对应于初步扫描驱动。此外，如果基板W的扫描曝光从驱动步骤C开始(如由箭头23b指示)，那么应用第一加速度a1的驱动步骤A和B对应于初步扫描驱动。类似地，如果基板W的扫描曝光从驱动步骤B开始(如由箭头23c指示)，那么应用第一加速度a1的驱动步骤A对应于初步扫描驱动。基板W的扫描曝光可以从在开始保持原版M之后执行原版台3的首次扫描驱动的驱动步骤A开始，如由箭头23d指示。在此情况下，不执行初步扫描驱动，而是在驱动步骤A中应用第一加速度a1。因此，如与应用第二加速度a2的情况相比，原版台3上的原版M的位置波动(滑动)较小，并且对将图案转印到基板上的精确度的影响较小。
接下来，将描述设定第一加速度的方法。第一加速度可以由控制单元C基于例如表示原版M的位置波动与在开始保持原版M之后原版台3的首次扫描驱动时的最大加速度之间的关系的信息进行设定。图7是示出原版M的位置波动与在原版台3的首次扫描驱动时的最大加速度之间的关系(实线)的图。此关系可以由实验、模拟等获取。例如，基于图7所示的信息，第一加速度优选地在允许原版台3上的原版M的位置波动落在可允许范围AR内的最大加速度的范围内被决定。可允许范围AR可以基于原版台3或曝光设备本身的布置而任意设定，并且可以由用户经由用户界面输入。可允许范围AR可以设定成例如原版位置检测单元14的检测场的尺寸(例如，半径)。
如果第一加速度过低，那么减少吸附扭曲的效果就不充分。如果第一加速度过高，那么原版M的位置波动可能变得较大。第一加速度优选地鉴于原版M的位置波动的再现性而决定。图8示出对改变最大加速度时在首次扫描驱动原版台3时原版M的位置波动进行实验的结果。图8示出，相对于不同原版M1和M2中的每一个，原版M在可为第一加速度的候选选项的三个加速度A到C中的每一个处的位置波动。每个数据通过将原版布置在原版台3上且执行扫描驱动原版台3的每个步骤来获得。作为示例，加速度A被设定成第二加速度的80％(比第二加速度低-1G的值)，加速度B被设定成第二加速度的60％(比第二加速度低-2G的值)，并且加速度C被设定成第二加速度的40％(比第二加速度低-3G的值)。
如图8所示，应理解，在加速度A下，相对于原版M1和M2两者，数据1到4中的每一个中的原版M的位置波动均大大超出可允许值。在加速度B下，原版M1的位置波动几乎与在加速度A下相同，并且大大超出可允许值，并且与在加速度A下相比，原版M2在加速度B下的位置波动减少，但也超出可允许值。关于在加速度B下的原版M2，数据1到5中的位置波动变化非常大，并且再现性较差。另一方面，在加速度C下，相对于原版M1和M2两者，数据1到5中的每一个中的原版M的位置波动均等于或小于可允许值，并且再现性符合要求。因此，基于图8所示的实验结果，加速度C优选地被设定为第一加速度。如果以第一加速度执行原版台的扫描驱动(第一步骤)的次数过多，那么这就生产量而言是不利的。另一方面，如果次数过少，那么不能够将吸附扭曲减少到可允许范围内。第一步骤的次数优选地基于实验结果被设定为例如四到十。
接下来将描述根据本实施例的曝光设备100的控制程序。图9是说明根据本实施例的曝光设备100的控制程序的流程图。图9所示的控制程序的每个步骤可以由控制单元C执行。将参考图9所示的控制程序描述以第一加速度执行原版台3的扫描驱动以及以第二加速度执行原版台的扫描驱动(作为初步扫描驱动)的示例。
在步骤S11中，控制单元C使原版传输单元(未示出)将原版M传输到原版台3上的目标位置。在步骤S12中，控制单元C使基板传输单元(未示出)将基板W传输到基板台4上。在步骤S13中，作为初步扫描驱动，控制单元C在使得最大加速度变成第一加速度的状态下扫描驱动原版台3(第一步骤)。在步骤S14中，作为初步扫描驱动，控制单元C在使得最大加速度变成第二加速度的状态下扫描驱动原版台3(第三步骤)。在此实施例中，在步骤S14中应用第二加速度。然而，本发明不限于此，并且可以应用高于第一加速度而低于第二加速度的第三加速度。
在步骤S15中，控制单元C使原版位置检测单元14测量原版M相对于原版台3上的目标位置的位置偏差(误差)。更确切地说，当控制单元C能够控制原版台3使得原版M的标记和原版台3的标记布置在原版位置检测单元14上方并且使原版位置检测单元14检测标记之间的相对位置时，能够测量位置偏差。
在步骤S16中，控制单元C确定原版M是否固定到原版台3上，也就是说，原版台3上的原版M的位置波动是否落(汇聚)在可允许范围内。例如，控制单元C获得当前在步骤S15中测量的原版M的位置偏差与先前在步骤S15中测量的原版M的位置偏差之间的差值。如果差值落在可允许范围内，那么控制单元C确定原版M被固定到原版台3上。如果确定原版M不固定，那么过程推进到步骤S17以改变初步扫描驱动的条件，并且接着再次执行步骤S14到S16。另一方面，如果确定原版M固定，那么过程推进到步骤S18。在步骤S18中，控制单元C开始针对基板W中的多个照射区域中的每一个进行扫描曝光。在每个照射区域的扫描曝光中，在使得最大加速度变成第二加速度的状态下执行原版台3的扫描驱动(第二步骤)。
现在将描述图9所示的控制程序的详细示例。例如，如图5所示，在测量时刻24处测量原版M的位置偏差，执行原版台3的往复驱动(两次扫描驱动操作)，并且接着在测量时刻25处测量原版M的位置偏差。获得在测量时刻24和25处测量的位置偏差之间的差值，并且确定所述差值是否落在可允许范围内。如果差值落在可允许范围外，那么确定原版M未固定到原版台3上，并且初步扫描驱动的条件被改变以再次执行原版台3的扫描驱动，由此在测量时刻26处测量原版M的位置偏差。如果在测量时刻25和26处测量的位置偏差之间的差值落在可允许范围内，那么确定原版M被固定到原版台3上，并且开始基板W的扫描曝光。初步扫描驱动的条件的示例是原版台3的扫描驱动的次数和原版台3的最大加速度。在图5所示的示例中，作为初步扫描驱动的条件，原版台3的扫描驱动的次数从用于往复驱动的两次变成用于单向驱动的一次。
如上所述，根据本实施例的曝光设备100执行在使得最大加速度变成第一加速度的状态下扫描驱动原版台3的第一步骤，以及执行在曝光基板W的同时在使得最大加速度变成第二加速度的状态下扫描驱动原版台3的第二步骤。此时，在第一步骤中应用的第一加速度设定处低于在第二步骤中应用的第二加速度。这可以减少原版台3上的原版M的目标位置与固定位置之间的误差(位置偏差)。
<第二实施例>
将描述根据本发明的第二实施例。在第二实施例中，如图1所示，提供检测单元6，所述检测单元6检测原版台3(原版卡盘3a)对原版M的保持力，并且第一步骤(以第一加速度扫描驱动原版台3)根据检测单元6对原版M的保持力的检测结果而结束。原版M的保持力为例如真空吸附压力或静电吸附压力。应注意，根据本实施例的曝光设备的布置与第一实施例中相同且将省略其描述。
将参考图10和11描述根据本实施例的曝光设备的控制程序。图10示出由检测单元6检测的原版M的保持力的临时改变的时序图以及原版台3的扫描驱动的示例。图11是说明根据本实施例的曝光设备的控制程序的流程图。图11所示的控制程序的每个步骤可以由控制单元C执行。
在步骤S21中，控制单元C使原版传输单元(未示出)将原版M传输到原版台3上的目标位置。在步骤S22中，控制单元C使基板传输单元(未示出)将基板W传输到基板台4上。在步骤S23中，控制单元C确定由检测单元6检测到的原版M的保持力是否超出第一阈值TH1。如果原版M的保持力不超出第一阈值TH1，那么重复执行步骤S23；否则，过程推进到步骤S24。在步骤S24中，控制单元C执行在使得最大加速度变成第一加速度的状态下原版台3的扫描驱动(第一步骤)。
在几乎不产生原版台3对原版M的保持力的不充分状态下，即使相对低的第一加速度应用到原版台3的扫描驱动，原版台3上的原版M的位置波动(滑动)也可能变得较大。为了解决这个问题，在此实施例中，提供第一阈值TH1，并且当原版M的保持力超出第一阈值TH1时开始以第一加速度扫描驱动原版台3(第一步骤)。原版M的保持力紧接在原版M的保持开始之后以陡峭的梯度改变，但梯度在预定值处变得平缓。第一阈值TH1可以任意设定，但优选地被设定成梯度的此类改变点。例如，第一阈值TH1可以设定成落在当原版M的保持力处于稳定状态下时获得的值的40％到60％范围内的值。
在步骤S25中，控制单元C确定由检测单元6检测到的原版M的保持力是否超出大于第一阈值TH1的第二阈值TH2。如果原版M的保持力不超出第二阈值TH2，那么过程返回到步骤S24以便再次以第一加速度执行原版台3的扫描驱动。另一方面，如果原版M的保持力超出第二阈值TH2，过程推进到步骤S26以结束原版台3以第一加速度的扫描驱动，并且在使得最大加速度变成第二加速度的状态下执行原版台3的扫描驱动。第二阈值TH2可以任意设定，并且可以被设定成例如落在当原版M的保持力处于稳定状态下时获得的值的80％到95％范围内的值。
在步骤S27中，控制单元C确定原版台3以第二加速度的扫描驱动是否已经被执行预定次数。如果原版台3以第二加速度的扫描驱动尚未被执行预定次数，那么过程返回到步骤S26以便再次以第二加速度执行原版台3的扫描驱动。另一方面，如果原版台3以第二加速度的扫描驱动已经被执行预定次数，那么过程推进到步骤S28。在步骤S28中，控制单元C开始针对基板W中的多个照射区域中的每一个进行扫描曝光。在每个照射区域的扫描曝光中，在使得最大加速度变成第二加速度的状态下执行原版台3的扫描驱动(第二步骤)。
如上所述，在此实施例中，原版台3的扫描驱动时的最大加速度根据原版台3对原版M的保持力而改变。这可以根据原版M的保持力执行以最大加速度扫描驱动原版台3，并且因此能够防止原版台3上的原版M的位置波动过度地发生。在此实施例中，设定用于在原版台3的扫描驱动时改变最大加速度的两个阈值。然而，可以提供三个或多于三个阈值，并且最大加速度可以逐步改变。最大加速度可以根据原版M的保持力而连续改变。
<第三实施例>
将描述根据本发明的第三实施例。在第三实施例中，对原版台3的扫描驱动的次数进行计数，并且第一步骤(以第一加速度扫描驱动原版台3)根据所计数的次数而结束。应注意，根据本实施例的曝光设备的布置与第一实施例中相同且将省略其描述。
将参考图12和13描述根据本实施例的曝光设备的控制程序。图12是示出原版台3的扫描驱动的示例的时序图。图13是说明根据本实施例的曝光设备的控制程序的流程图。图13所示的控制程序的每个步骤可以由控制单元C执行。应注意，步骤S31和S32与在第二实施例中所描述的图11所示的控制程序的步骤S21和S22相同。
在步骤S33中，控制单元C在使得最大加速度变成第一加速度的状态下执行原版台3的扫描驱动(第一步骤)，同时对以第一加速度执行原版台3的扫描驱动的次数进行计数。在步骤S34中，控制单元C确定以第一加速度扫描驱动原版台3的执行次数是否达到预定数目N。基于例如实验结果、模拟等，预定数目N可以设定成使得由原版台3的扫描驱动所致的原版M的位置波动落在可允许范围内的数目。如果尚未达到预定数目N，那么过程返回到S34以便再次以第一加速度执行原版台3的扫描驱动；否则，原版台3以第一加速度的扫描驱动结束，并且过程推进到步骤S35。
在步骤S35中，控制单元C在使得最大加速度变成第二加速度的状态下执行原版台3的扫描驱动，同时在对以第二加速度执行原版台3的扫描驱动的次数进行计数。在步骤S36中，控制单元C确定以第二加速度执行原版台3的扫描驱动的次数是否已经达到预定数目M。基于例如实验结果、模拟等，预定数目M可以被设定成使得由原版台3的扫描驱动所致的原版M的位置波动落在可允许范围内的数目。如果尚未达到预定数目M，那么过程返回到S35以便再次以第二加速度执行原版台3的扫描驱动；否则，原版台3以第二加速度的扫描驱动结束，并且过程推进到步骤S37。在步骤S37中，控制单元C开始针对基板W中的多个照射区域中的每一个进行扫描曝光。在每个照射区域的扫描曝光中，在使得最大加速度变成第二加速度的状态下执行原版台3的扫描驱动(第二步骤)。
如上所述，在此实施例中，原版台3的扫描驱动时的最大加速度根据以第一加速度执行原版台3的扫描驱动的次数而改变。同样在此控制过程中，能够防止原版台3上的原版M的位置波动过度地发生。
在此实施例中，最大加速度根据扫描驱动原版台3的执行的次数而改变。然而，例如，最大加速度可以根据在其间执行原版台3的扫描驱动的时间而改变。更确切地说，测量在其间以第一加速度执行原版台3的扫描驱动的时间。当时间达到第一阈值时，结束原版台3以第一加速度的扫描驱动(第一步骤)，并且开始以第二加速度扫描驱动原版台3。接着测量在其间以第二加速度执行原版台3的扫描驱动的时间。当时间达到第二阈值时，结束原版台3以第二加速度的扫描驱动，并且开始基板的扫描曝光。
<制造物品的方法的实施例>
根据本发明的实施例的一种制造物品的方法适合于制造例如以下物品：例如半导体装置等微型装置或具有微结构的元件。根据本实施例的制造物品的方法包括以下步骤：使用上述曝光设备在施加到基板的光敏剂上形成潜像图案的步骤(曝光基板的步骤)；以及利用在以上步骤中形成的潜像显影(处理)基板的步骤。此制造方法还包括其它已知步骤(氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平面化、蚀刻、抗蚀分离、切片、结合、封装等)。如与常规方法相比，根据本实施例的制造物品的方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面中是有利的。
<第四实施例>
本发明的一个或多个实施例还可以由读出且执行记录在存储介质(也可被更完整地称为‘非暂态计算机可读存储介质’)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述实施例中的一个或多个的功能和/或包括用于执行上述实施例中的一个或多个的功能的一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或设备的计算机来实现，以及通过由系统或设备的计算机执行的方法来实现，例如通过从存储介质读出且执行计算机可执行指令以执行上述实施例中的一个或多个的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述实施例中的一个或多个的功能来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络以读出且执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储器、光盘(例如光碟(CD)、数字通用光盘(DVD)或蓝光光盘(BD)TM)、闪存存储器装置、存储卡等中的一个或多个。
其它实施例
本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机、中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。
虽然已经参考示范性实施例描述了本发明，但是应理解，本发明不限于所公开的示范性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最广泛的解释，以便涵盖所有此类修改和等效结构和功能。

Claims (15)

1.一种曝光方法，所述曝光方法在扫描由台保持的原版的同时经由所述原版曝光基板，所述曝光方法包括：
执行在使得最大加速度为第一加速度的状态下扫描驱动所述台的第一步骤；以及
在执行所述第一步骤之后，执行在曝光所述基板的同时在使得最大加速度为第二加速度的状态下扫描驱动所述台的第二步骤，
其中，所述第一加速度低于所述第二加速度，并且
其中，在所述第一步骤和所述第二步骤的每一步骤中扫描驱动所述台包括加速操作和减速操作，所述加速操作具有恒定的加速阶段，在所述恒定的加速阶段中所述台的加速度是恒定的，并且所述减速操作具有恒定的减速阶段，在所述恒定的减速阶段中所述台的减速度是恒定的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一步骤包括在所述台开始保持所述原版之后首次扫描驱动所述台。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一步骤时，在不曝光所述基板的情况下扫描驱动所述台。
4.根据权利要求3所述的方法，其还包括在执行所述第一步骤之后且在执行所述第二步骤之前，执行在不曝光所述基板的情况下在使得最大加速度为高于所述第一加速度的第三加速度的状态下扫描驱动所述台的第三步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三加速度低于所述第二加速度。
6.根据权利要求3所述的方法，其还包括在执行所述第二步骤之前确定由所述台的扫描驱动所致的所述台上的所述原版的位置波动是否落在可允许范围内，
其中，在确定所述原版的所述位置波动落在所述可允许范围内的情况下，开始执行所述第二步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在确定所述原版的所述位置波动落在所述可允许范围外的情况下，改变所述最大加速度，并且在不曝光所述基板的情况下扫描驱动所述台。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一步骤时，在曝光所述基板的同时扫描驱动所述台。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一步骤根据检测所述台对所述原版的保持力的结果而结束。
10.根据权利要求9所述的方法，其中
执行所述第一步骤在以下情况下开始：在所述台开始保持所述原版之后检测所述原版的保持力的结果超出第一阈值，并且
执行所述第一步骤在以下情况下结束：检测所述原版的所述保持力的结果超出大于所述第一阈值的第二阈值。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一步骤根据在执行所述第一步骤时所述台的扫描驱动的执行的次数而结束。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一步骤根据在其间执行所述第一步骤的时间而结束。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一步骤时，在与执行所述第二步骤时相同的移动冲程中扫描驱动所述台。
14.一种曝光设备，所述曝光设备用于在扫描原版的同时经由所述原版曝光基板，所述曝光设备包括：
台，所述台构造成在保持所述原版的同时移动；和
控制单元，所述控制单元构造成在控制在使得最大加速度为第一加速度的状态下所述台的第一扫描驱动之后，控制在曝光所述基板的同时在使得最大加速度为第二加速度的状态下所述台的第二扫描驱动，
其中，所述第一加速度低于所述第二加速度，并且
其中，对所述台的所述第一扫描驱动和所述第二扫描驱动的每一个包括加速操作和减速操作，所述加速操作具有恒定的加速阶段，在所述恒定的加速阶段中所述台的加速度是恒定的，并且所述减速操作具有恒定的减速阶段，在所述恒定的减速阶段中所述台的减速度是恒定的。
15.一种制造物品的方法，所述方法包括：
使用曝光方法曝光基板；
显影所曝光的基板；以及
处理所显影的基板以制造物品，
其中，所述曝光方法在扫描由台保持的原版的同时经由所述原版曝光所述基板，并且包括：
执行在使得最大加速度为第一加速度的状态下扫描驱动所述台的第一步骤；以及
在执行所述第一步骤之后，执行在曝光所述基板的同时在使得最大加速度为第二加速度的状态下扫描驱动所述台的第二步骤，
其中，所述第一加速度低于所述第二加速度，并且
其中，在所述第一步骤和所述第二步骤的每一步骤中扫描驱动所述台包括加速操作和减速操作，所述加速操作具有恒定的加速阶段，在所述恒定的加速阶段中所述台的加速度是恒定的，并且所述减速操作具有恒定的减速阶段，在所述恒定的减速阶段中所述台的减速度是恒定的。
CN201910513151.XA 2018-06-15 2019-06-14 曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法 Active CN110609449B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018114691A JP7105627B2 (ja) 2018-06-15 2018-06-15 露光方法、露光装置、および物品の製造方法
JP2018-114691 2018-06-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110609449A CN110609449A (zh) 2019-12-24
CN110609449B true CN110609449B (zh) 2022-05-27

Family

ID=66655207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910513151.XA Active CN110609449B (zh) 2018-06-15 2019-06-14 曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10732518B2 (zh)
EP (1) EP3582010A1 (zh)
JP (1) JP7105627B2 (zh)
KR (1) KR102573120B1 (zh)
CN (1) CN110609449B (zh)
TW (1) TWI763998B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1470945A (zh) * 2002-06-10 2004-01-28 ������������ʽ���� 曝光装置及载物台装置、以及器件制造方法
JP2005123220A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Nikon Corp ステージ制御方法、露光方法、ステージ制御装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN1967386A (zh) * 2005-11-17 2007-05-23 中国科学院电工研究所 步进扫描光刻机晶片台掩模台同步控制系统
JP2018081238A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 キヤノン株式会社 走査露光装置およびその制御方法ならびに物品製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573976B2 (en) * 2000-10-04 2003-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method
US6710850B2 (en) 2000-12-22 2004-03-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
JP2004247487A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Canon Inc 走査露光装置
US7016019B2 (en) * 2003-12-16 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005150759A (ja) * 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
US7884919B2 (en) * 2006-02-09 2011-02-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7525636B2 (en) 2007-09-14 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and exposure method
US8384881B2 (en) * 2007-09-28 2013-02-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, stage apparatus and device manufacturing method
NL1036028A1 (nl) 2007-10-09 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Servo control system, lithographic apparatus and control method.
JP2010016166A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法、ならびにデバイス製造方法
NL2003529A (en) * 2008-10-24 2010-04-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method and position control method.
JP5406510B2 (ja) * 2008-11-18 2014-02-05 キヤノン株式会社 走査露光装置およびデバイス製造方法
JP6541308B2 (ja) * 2014-06-06 2019-07-10 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
US10139735B2 (en) * 2014-06-23 2018-11-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP6792342B2 (ja) * 2016-03-30 2020-11-25 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置およびその制御方法、ならびに物品の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1470945A (zh) * 2002-06-10 2004-01-28 ������������ʽ���� 曝光装置及载物台装置、以及器件制造方法
JP2005123220A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Nikon Corp ステージ制御方法、露光方法、ステージ制御装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN1967386A (zh) * 2005-11-17 2007-05-23 中国科学院电工研究所 步进扫描光刻机晶片台掩模台同步控制系统
JP2018081238A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 キヤノン株式会社 走査露光装置およびその制御方法ならびに物品製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI763998B (zh) 2022-05-11
JP2019219444A (ja) 2019-12-26
TW202001995A (zh) 2020-01-01
KR20190142254A (ko) 2019-12-26
JP7105627B2 (ja) 2022-07-25
US20190384186A1 (en) 2019-12-19
US10732518B2 (en) 2020-08-04
EP3582010A1 (en) 2019-12-18
CN110609449A (zh) 2019-12-24
KR102573120B1 (ko) 2023-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10234775B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article
KR100517159B1 (ko) 노광장치 및 방법
KR102620767B1 (ko) 정보 처리 장치, 판정 방법, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 시스템, 산출 방법, 및 물품을 제조하는 제조 방법
JP2006339438A (ja) 露光方法及び装置
US10031429B2 (en) Method of obtaining position, exposure method, and method of manufacturing article
CN109782548B (zh) 光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法
CN110609449B (zh) 曝光方法、曝光设备、以及制造物品的方法
JP2021006893A (ja) パターン形成方法、パターン形成装置及び物品の製造方法
EP3709083A1 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
KR100889843B1 (ko) 주사형 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP5006762B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US9329498B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
KR102493922B1 (ko) 결정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 물품의 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램
US20170285491A1 (en) Lithography apparatus, control method therefor, and method of manufacturing article
US9557657B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP2018200426A (ja) 保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP7071230B2 (ja) 露光装置、露光方法、および物品の製造方法
JP2006086450A (ja) 波形選択方法、位置補正方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20210001968A (ko) 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법
KR20220121707A (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 물품의 제조 방법
JP2007027263A (ja) 露光装置および方法、位置検出装置および方法、ならびにデバイス製造方法
JP2001250757A (ja) 走査型露光装置
JP2008258325A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant